参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIR640ADP-T1-GE3
说明	功率MOSFET   SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	309 [库存更新时间：2024-05-14]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	90nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4240pF @ 20V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOIC-8
连续漏极电流Id	100A
Pd-功率耗散(Max)	104W
Qg-栅极电荷	90nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.65mΩ
漏源极电压Vds	40V
栅极电压Vgs	900mV
上升时间	6ns
下降时间	8ns
典型关闭延迟时间	44ns
典型接通延迟时间	17ns
正向跨导 - 最小值	82S
系列	SIR
通道数量	1Channel
配置	Single