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> 二极管/LED/整流器
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 稳压(齐纳)二极管 | MAZ33300ML | 封装/外壳:SC-59 反向漏电流Ir:50nA @ 23V 功率:200mW 齐纳电压Vz:33V 齐纳阻抗Zzt:80 Ohms 工作温度:-55℃~150℃ | |
| RF二极管 | BAS7004E6433HTMA1 | 不同If时电压-正向(Vf):1V @ 15mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 50V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对串联 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):70V 电流-平均整流(Io)(每二极管):70mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMBZ5942B-M3/52 | 反向漏电流Ir:1uA @ 38.8V 封装/外壳:DO-214AA 功率:550mW 容差:±2% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:51V 齐纳阻抗Zzt:70 Ohms | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MMBZ4701-HE3-18 | 反向漏电流Ir:50nA @ 10.6V 封装/外壳:SOT-23-3 功率:350mW 容差:±5% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:14V | |
| 整流二极管 | RS1BHE3_A/I | 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:1.3V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:DO-214AC 反向恢复时间Trr:150ns 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:1A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMLVT3V3 | 工作温度:-25°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VB20100C-M3/4W | 反向漏电流Ir:800uA @ 100V 反向电压Vr:100V 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 正向电压Vf:790mV @ 10A | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VS-15CTQ045STRLPBF | 反向漏电流Ir:800uA @ 45V 反向电压Vr:45V 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 正向电压Vf:700mV @ 15A | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VS-MBRD660CTTRPBF | 反向漏电流Ir:100uA @ 60V 反向电压Vr:60V 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 正向电压Vf:650mV @ 3A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | JANTX1N6125A | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:轴向 封装/外壳:Case | |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84-A8V2,215 | 封装/外壳:SOT23 齐纳电压Vz:8.2V 功率:250mW 容差:±1% 齐纳阻抗Zzt:15 Ohms 反向漏电流Ir:700nA @ 5V 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 整流二极管 | STPS20M60CG-TR | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:10A 正向电压Vf:570mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:65uA@60V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:D²PAK | |
| 整流二极管 | BYG22AHE3_A/I | 反向电压Vr:50V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:1uA 封装/外壳:DO-214AC 反向恢复时间Trr:25ns 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:2A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | DZ23C6V2-HE3-18 | 反向漏电流Ir:100nA @ 2V 封装/外壳:SOT-23 功率:300mW 容差:±5% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:6.2V 齐纳阻抗Zzt:10 Ohms | |
| 稳压(齐纳)二极管 | TZX3V0A-TR | 反向漏电流Ir:5uA @ 500mV 封装/外壳:DO-35 功率:500mW 工作温度:-65℃~175℃ 齐纳电压Vz:3V 齐纳阻抗Zzt:100 Ohms | |
| 光电二极管 | PNA4U62F | ||
| 通用LED | LNJ8L6C18RA | ||
| 通用LED | LNJ8L4C38RA | ||
| 通用LED | LNJ167W85RA | ||
| 通用LED | LNJ080V6BRAA | ||
| 通用LED | LNJ03004BND1 | ||
| 通用LED | LNJ03004BLD1 | ||
| 通用LED | LNJ010V6BRAA | ||
| TVS二极管 | PTVS45VP1UTP,115 | 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:50V 钳位电压Vc:72.7V 反向工作电压Vrwm:45V 峰值脉冲电流Ipp:8.3A 工作温度:-55℃~185℃ | |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZG05C24TR3 | 反向漏电流Ir:500nA @ 18V 封装/外壳:DO-214AC 功率:1.25W 工作温度:-65℃~150℃ 齐纳电压Vz:24V 齐纳阻抗Zzt:600 Ohms | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MSMBJSAC6.0E3 | 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMBJ(DO-214AA) 封装/外壳:SMBJ | |
| 整流桥 | VS-112MT80KPBF | 二极管类型:Three Phase 封装/外壳:MT-K 模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:110A 电压-峰值反向(最大值):800V | |
| 整流二极管 | VS-6TQ040SPBF | 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:600mV 反向漏电流Ir:800uA 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:6A | |
| 通用二极管 | SCS105KGC | FET类型:碳化硅肖特基 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 结电容Cj:325pF @ 1V,1MHz 工作温度-结:175°C(最大) 正向电流If:5 A 正向浪涌电流Ifsm:21 A 反向漏电流Ir:100uA 正向电压Vf:1.5V 反向电压Vr:1.2KV 反向浪涌电压Vrrm:1.2 KV 系列:SCS105KG 配置:Single | |
| 整流二极管 | VS-VSKC270-12PBF | 反向电压Vr:1200V 反向漏电流Ir:50mA 封装/外壳:INT-A-PAK 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:135A | |
| 光电二极管 | VEMD6010X01 | 二极管类型:引脚 反向电压Vr:32V 响应时间:100ns 封装/外壳:3-SMD,无引线 工作温度:-40°C ~ 110°C 波长:900nm 电流-暗(典型值):1nA 视角:60° 频谱范围:430nm ~ 1100nm | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SZNUP4114UCLW1T2G | 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| TVS二极管 | SZNUP1105LT1G | 峰值脉冲电流Ipp:8A(8/20µs) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SZMMSZ5231BT1G | 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:5.1V 齐纳阻抗Zzt:17 Ohms 容差:±5% 功率:500mW 工作温度:-55℃~150℃ 反向漏电流Ir:5uA @ 2V | |
| 整流二极管 | SZMMSZ4688T3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 反向漏电流Ir:10uA@3V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:4.7V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | SZMMSZ4682T1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 反向漏电流Ir:1uA@1V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:2.7V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | SZMMSZ3V0T1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:95 Ohms 反向漏电流Ir:10uA@1V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:3V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | SZMMBZ5252BLT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 功率耗散Pd:225mW 齐纳阻抗Zz:33 Ohms 反向漏电流Ir:100nA@18V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:24V 功率耗散Pd:300mW | |
| TVS二极管 | SZMMBZ33VALT1G | 峰值脉冲电流Ipp:870mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 整流二极管 | SZMM5Z5V1ST1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:5.1V 偏差:±2% 功率耗散Pd:300mW 齐纳阻抗Zz:60 Ohms 反向漏电流Ir:2uA@2V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SOD-523 齐纳电压Vz:5.09V 功率耗散Pd:200mW | |
| 整流二极管 | SZMM5Z15VT1G | 齐纳阻抗Zz:30 Ohms 反向漏电流Ir:50nA@10.5V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SOD-523 齐纳电压Vz:15V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | SZMM3Z15VT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 功率耗散Pd:300mW 齐纳阻抗Zz:30 Ohms 反向漏电流Ir:50nA@10.5V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-76,SOD-323 封装/外壳:SOD-323 齐纳电压Vz:15V 功率耗散Pd:200mW | |
| 整流二极管 | SZMM3Z13VST1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:13V 齐纳阻抗Zz:30 Ohms 反向漏电流Ir:100nA@8V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-76,SOD-323 封装/外壳:SOD-323 齐纳电压Vz:13.2V 功率耗散Pd:300mW | |
| 整流二极管 | SZMM3Z3V3T1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 功率耗散Pd:300mW 齐纳阻抗Zz:95 Ohms 反向漏电流Ir:5uA@1V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-76,SOD-323 封装/外壳:SOD-323 齐纳电压Vz:3.3V 功率耗散Pd:200mW | |
| 整流二极管 | SZMM3Z3V0T1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 功率耗散Pd:300mW 齐纳阻抗Zz:100 Ohms 反向漏电流Ir:10uA@1V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-76,SOD-323 封装/外壳:SOD-323 齐纳电压Vz:3V 功率耗散Pd:200mW | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SZESD8351P2T5G | 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:SOD-923 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SZESD7951ST5G | 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:SOD-923 | |
| 整流二极管 | SZBZX84B18LT1G | 功率耗散Pd:225mW 齐纳阻抗Zz:45 Ohms 反向漏电流Ir:50nA@12.6V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:18V 功率耗散Pd:300mW | |
| 通用LED | VLMW712U2U3XV-GS08 | 25°C时光通量,电流-测试:101lm(87lm ~ 114lm) 封装/外壳:2424 流明/瓦,不同电流-测试时:82 lm/W 电压-正向(Vf)(典型值):3.5V 电流-最大值:350mA 电流-测试:350mA 视角:120° 颜色:白色,冷色 | |
| 整流二极管 | VS-8TQ080STRLPBF | 反向电压Vr:80V 正向电压Vf:720mV 反向漏电流Ir:550uA 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:8A | |
| 整流二极管 | SS2003M-TL-W | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:400mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:1.25mA@15V 结电容Cj:75pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:6-MCPH 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMS24CT1G | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSOP | |
| TVS二极管 | SMBJ90CA | 反向工作电压Vrwm:90V 峰值脉冲电流Ipp:4.1A 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) | |
| TVS二极管 | SMBJ64A | 反向工作电压Vrwm:64V 峰值脉冲电流Ipp:5.8A 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) | |
| TVS二极管 | SMBJ150CA | 反向工作电压Vrwm:150V 峰值脉冲电流Ipp:2.5A 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) | |
| TVS二极管 | SMBJ11A | 反向工作电压Vrwm:11V 峰值脉冲电流Ipp:33A 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) | |
| 整流二极管 | VS-12TQ040STRLPBF | 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:560mV 反向漏电流Ir:1.75mA 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:15A | |
| 整流二极管 | SBAT54CLT1G | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:800mV@100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:2uA@25V 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 肖特基(SBD)二极管 | SB350 | 封装/外壳:DO-201AD,轴向 封装/外壳:DO-201AD | |
| 整流二极管 | SB2003M-TL-W | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:500mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:30uA@15V 结电容Cj:75pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:6-MCPH 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| TVS二极管 | P6KE22A | 反向工作电压Vrwm:18.8V 峰值脉冲电流Ipp:20A 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 | |
| TVS二极管 | P6KE120CA | 反向工作电压Vrwm:102V 峰值脉冲电流Ipp:3.6A 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 | |
| TVS二极管 | PTVS17VS1UTR,115 | 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:18.9V 钳位电压Vc:27.6V 反向工作电压Vrwm:17V 峰值脉冲电流Ipp:14.5A 工作温度:-55℃~185℃ | |
| 整流二极管 | NTST60100CTG | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 正向电流If:30A 正向电压Vf:840mV@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1A@8100V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:800/50 正向电流If:60A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:0.81V | |
| 整流二极管 | NTS245SFT1G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:2A 正向电压Vf:630mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:120uA@45V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-65°C ~ 150°C | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VI20M120C-M3/4W | 反向漏电流Ir:700uA @ 120V 反向电压Vr:120V 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 正向电压Vf:910mV @ 10A | |
| 整流二极管 | NTS10100EMFST1G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:720mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@100V 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | NSVR0340HT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:250mA(DC) 正向电压Vf:590mV@200mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:6uA@40V 结电容Cj:6pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | NSVR0320MW2T1G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:1A(DC) 正向电压Vf:500mV@900mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@15V 结电容Cj:29pF @ 5V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管 | NSVBAT54HT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:800mV@100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:2uA@25V 结电容Cj:10pF @ 1V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | NSVBAS21M3T5G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:标准 反向电压Vr:250V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:1.25V@200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:100nA@200V 结电容Cj:5pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOT-723 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | NSR02L30NXT5G | FET类型:肖特基 正向电流If:200mA 正向电压Vf:550mV@200mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@30V 封装/外壳:2-DSN(0.60x0.30) 工作温度-结:125°C(最大) 封装/外壳:DSN-2 正向电流If:0.2A 反向电压Vr:30V 正向电压Vf:0.4V 反向漏电流Ir:0.2uA | |
| 整流二极管 | NSR02F30NXT5G | FET类型:肖特基 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:550mV@200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:50uA@30V 结电容Cj:7pF @ 5V,1MHz 封装/外壳:2-DSN(0.60x0.30) 工作温度-结:125°C(最大) 封装/外壳:DSN-2 正向电流If:0.2A 反向电压Vr:30V 正向电压Vf:0.37V 反向漏电流Ir:7uA | |
| 整流二极管 | NRVTS260ESFT3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:650mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:12uA@60V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | NRVTS245ESFT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:2A 正向电压Vf:650mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:75uA@45V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | NRVTS12120MFST3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:120V 正向电流If:12A 正向电压Vf:830mV@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:75uA@120V 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | RGP10KE-M3/54 | 反向电压Vr:800V 正向电压Vf:1.3V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:DO-41 反向恢复时间Trr:250ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | NRVTS1045EMFST3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:600mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@45V 结电容Cj:300pF @ 45V,1MHz 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | NRVHP220SFT3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.05V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:500nA@200V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | NRVB560MFST3G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:5A 正向电压Vf:780mV@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150uA@60V 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | NRVB140SFT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:1A 正向电压Vf:550mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@40V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 肖特基(SBD)二极管 | NRVB0540T1G | 封装/外壳:SOD-123 正向浪涌电流Ifsm:5.5A 反向峰值电压Vrrm:40V 反向电压Vr:40V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:0.51V 反向漏电流Ir:20uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 整流二极管 | NRVA4007T3G | 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:30A 反向峰值电压Vrrm:1000V 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:10uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 整流二极管 | BAV20-TAP | 封装/外壳:DO-35 正向浪涌电流Ifsm:1A 反向峰值电压Vrrm:200V 反向电压Vr:150V 正向电流If:250mA 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:0.1uA 反向恢复时间Trr:50ns 工作温度:-65℃~175℃ 结电容Cj:1.5pF@0V,1MHz | |
| 整流二极管 | IMBD4148-G3-18 | 反向电压Vr:75V 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:2.5uA 封装/外壳:SOT-23 反向恢复时间Trr:4ns 工作温度:150℃(最大) 正向电流If:150mA | |
| 整流二极管 | 10CWH02FN-M3 | 系列:FRED Pt® 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.15V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:23ns 反向漏电流Ir:40uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D-PAK(TO-252AA) | |
| 整流二极管 | JANTX1N4107UR-1 | 反向漏电流Ir:50nA@9.86V 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 封装/外壳:MELF 齐纳电压Vz:13V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | MURHD560T4G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:5A 正向电压Vf:2.7V@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:10uA@600V 封装/外壳:DPAK 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 稳压(齐纳)二极管 | TZMC3V9-GS18 | 反向漏电流Ir:2uA @ 1V 封装/外壳:SOD-80 功率:500mW 容差:±5% 工作温度:-65℃~175℃ 齐纳电压Vz:3.9V 齐纳阻抗Zzt:90 Ohms | |
| TVS二极管 | MMBZ16VALVL | 封装/外壳:SOT23 反向击穿电压Vbr:15.2V,16.8V 钳位电压Vc:23V 工作温度:150℃ | |
| 整流二极管 | MBRAF440T3G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:4A 正向电压Vf:485mV@4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:300uA@40V 封装/外壳:SMA-FL 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMBJ36AE3/TR13 | 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMBJ(DO-214AA) 封装/外壳:SMBJ | |
| 通用LED | LB E6SG-T2V1-35-46-30-R18-Z | 封装/外壳:Power TOPLED | |
| 通用LED | LB E63C-T2AA-35-24-30-R33-Z | 封装/外壳:Power TOPLED | |
| 整流二极管 | VS-50WQ04FNTRL-M3 | 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:510mV 反向漏电流Ir:3mA 封装/外壳:TO-252AA 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:5.5A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMS12CT1G | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSOP | |
| 通用LED | VLMO233U2V2-35-08 | 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 毫烛光等级:760mcd 波长-主:605nm 波长-峰值:611nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.1V 电流-测试:20mA 视角:120° 透镜尺寸:1.50mm x 0.90mm 透镜样式:矩形,带平顶 配置:标准 颜色:橙色 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1SMB9.0AT3G | 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB | |
| 肖特基(SBD)二极管 | FSV10150V | 封装/外壳:TO-277 正向浪涌电流Ifsm:180A 反向峰值电压Vrrm:150V 反向电压Vr:150V 正向电流If:10A 正向电压Vf:0.84V 反向漏电流Ir:20uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| TVS二极管 | P6SMB510AHE3/52 | 封装/外壳:SMD/SMT 钳位电压Vc:698V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 反向工作电压Vrwm:434V |