您好！欢迎光临IC普拉斯 元器件现货 ！

IC普拉斯 元器件现货

全国服务热线： 13172425630

  • 热门关键词：
    • 您的当前位置：首页 > 二极管/LED/整流器
    电阻
    电容
    电感/变压器/磁性元件
    滤波器
    二极管/LED/整流器
    晶体管/晶闸管
    集成电路(芯片)
    处理器/单片机(MCU)/存储器
    晶振
    连接器
    电路保护
    传感器
    光电子产品
    开关/继电器/接触器
    开发板/套件
    电源
    无线射频
    模块
    机电产品
    工具/仪器/线材/五金
    产品 型号 品牌 参数
    整流二极管 VS-6EWH06FNTR-M3 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:2.1V 反向漏电流Ir:50uA 封装/外壳:TO-252AA 反向恢复时间Trr:27ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:6A
    双向触发二极管 K2400GHURP 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 工作温度:-40℃~125℃(TJ) 电压-导通:220~250V 电流-保持(Ih)(最大值):150mA 电流-导通:50uA 电流-峰值输出:1A
    稳压(齐纳)二极管 MAZ30390HL 封装/外壳:SC-59 反向漏电流Ir:10uA @ 1V 功率:200mW 齐纳电压Vz:3.9V 齐纳阻抗Zzt:130 Ohms 工作温度:-55℃~150℃
    整流二极管 VS-MURD620CTTRR-M3 反向电压Vr:200V 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:TO-252AA 反向恢复时间Trr:35ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:3A
    整流二极管 VS-HFA04SD60STRPBF 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:1.8V 反向漏电流Ir:3uA 封装/外壳:TO-252AA 反向恢复时间Trr:42ns 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:4A
    稳压(齐纳)二极管 SM24.TCT 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3
    稳压(齐纳)二极管 MMBZ5263B-E3-18 反向漏电流Ir:100nA @ 43V 封装/外壳:SOT-23-3 功率:225mW 容差:±5% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:56V 齐纳阻抗Zzt:150 Ohms
    整流二极管 SBRT10U50SP5-13 封装/外壳:PowerDI™ 5 反向漏电流Ir:75mA 反向电压Vr:50V 工作温度-结:-55℃~150℃ 正向电压Vf:450mV 正向电流If:10A
    TVS二极管 SMBG15CA-E3/52 钳位电压Vc:24.4V 封装/外壳:DO-215AA,SMB 鸥翼 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:16.7V 反向工作电压Vrwm:15V 峰值脉冲电流Ipp:24.6A
    稳压(齐纳)二极管 BZX384B43-HE3-08 封装/外壳:SOD-323 齐纳电压Vz:43V 齐纳阻抗Zzt:150 Ohms 容差:±2% 功率:200mW 工作温度:-55℃~150℃ 反向漏电流Ir:50nA @ 30.1V
    整流二极管 V10P10HE3/87A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:680mV 反向漏电流Ir:150uA 封装/外壳:TO-277A 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:10A
    稳压(齐纳)二极管 BZX84-C5V1/DG/B3,2
    整流二极管 S5G-M3/9AT 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.15V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:DO-214AB 反向恢复时间Trr:2.5us 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:5A
    整流二极管 STTH9012TV2 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:45A 正向电压Vf:2.1V@45A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:125ns 反向漏电流Ir:30uA@1200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:ISOTOP®
    整流二极管 STTH8R06D 封装/外壳:TO-220AC 正向浪涌电流Ifsm:80A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:8A 正向电压Vf:2.9V 反向漏电流Ir:30uA 反向恢复时间Trr:45ns 工作温度:-65℃~175℃
    整流二极管 STTH8R04G-TR FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.5V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:10uA@400V 封装/外壳:D2PAK 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STTH8R04D FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.5V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:10uA@400V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STTH810DI FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:8A 正向电压Vf:2V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:85ns 反向漏电流Ir:5uA@1000V 封装/外壳:TO-220Ins 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH806DTI 正向电压Vf:3.6V@8A 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:10uA@600V FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 封装/外壳:TO-220AC ins 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH802G FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:6uA@200V 封装/外壳:D2PAK 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH802FP FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:6uA@200V 封装/外壳:TO-220FPAC 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH802D FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:6uA@200V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大)
    快恢复/超快恢复二极管 STTH60R04W 封装/外壳:DO-247 正向浪涌电流Ifsm:650A 反向峰值电压Vrrm:400V 反向电压Vr:400V 正向电流If:60A 正向电压Vf:1.5V 反向漏电流Ir:60uA 反向恢复时间trr:31ns 工作温度:-40℃~175℃
    整流二极管 STTH60L06CW 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:40A 正向电压Vf:1.55V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:90ns 反向漏电流Ir:25uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3
    整流二极管 STTH6003CW 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.25V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:55ns 反向漏电流Ir:60uA@300V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3
    整流二极管 STTH6002CW 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.05V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:27ns 反向漏电流Ir:30uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3
    整流二极管 STTH5R06D FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:5A 正向电压Vf:2.9V@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:40ns 反向漏电流Ir:20uA@600V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH4R02U FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.05V@4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH4R02S 封装/外壳:DO-214AB 正向浪涌电流Ifsm:70A 反向峰值电压Vrrm:200V 反向电压Vr:200V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.05V 反向漏电流Ir:3uA 反向恢复时间Trr:30ns 工作温度:-65℃~175℃
    整流二极管 STTH4R02B-TR FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.05V@4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH3R02 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1V@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:DO-201AD 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH30R06PI FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.85V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:70ns 反向漏电流Ir:25uA@600V 封装/外壳:DOP3I 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH3003CW 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.25V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:40ns 反向漏电流Ir:40uA@300V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3
    整流二极管 STTH3002CG 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.05V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:22ns 反向漏电流Ir:20uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D2PAK
    整流二极管 STTH2R02U FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH2R02A FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH2003CT 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.25V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:20uA@300V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:Through Hole 系列:STTH2003C 最高工作温度:+ 175 C 最低工作温度:- 65 C 配置:Dual Common Cathode 反向电压Vr:300 V 正向电压Vf:1.25Vat10A 正向电流If:20 A
    整流二极管 STTH20003TV1 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:100A 正向电压Vf:1.2V@100A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:90ns 反向漏电流Ir:200uA@300V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:ISOTOP®
    整流二极管 STTH20002TV1 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:120A 正向电压Vf:1.05V@100A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:100uA@200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:ISOTOP®
    整流二极管 STTH1R06U 封装/外壳:DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm:20A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V 反向漏电流Ir:1uA 反向恢复时间Trr:45ns 工作温度:-65℃~175℃
    整流二极管 STTH1R06A 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:20A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V 反向漏电流Ir:1uA 反向恢复时间Trr:45ns 工作温度:-65℃~175℃
    整流二极管 STTH1R04U FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.5V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:5uA@400V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH1R02RL FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1V@1.5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:DO-41 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH1L06U FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:80ns 反向漏电流Ir:1uA@600V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH1L06A 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:20A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V 反向漏电流Ir:1uA 反向恢复时间Trr:80ns 工作温度:-65℃~175℃
    整流二极管 STTH1512PI FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:15A 正向电压Vf:2.1V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:105ns 反向漏电流Ir:15uA@1200V 封装/外壳:DOP3I 工作温度-结:175°C(最大) 反向电压Vr:1.2KV
    整流二极管 STTH1506DPI FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:15A 正向电压Vf:3.6V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:20uA@600V 封装/外壳:DOP3I 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STTH12T06DI FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:12A 正向电压Vf:2.95V@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:20uA@600V 封装/外壳:TO-220AC ins 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STTH12R06DIRG 封装/外壳:TO-220AC ins FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:12A 正向电压Vf:2.9V@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:45uA@600V 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH1212D FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:12A 正向电压Vf:2.2V@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:100ns 反向漏电流Ir:10uA@1200V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大) 反向电压Vr:1.2KV
    整流二极管 STTH1210DI FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:12A 正向电压Vf:2V@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:90ns 反向漏电流Ir:10uA@1000V 封装/外壳:TO-220Ins 工作温度-结:175°C(最大) 反向电压Vr:1000V(1KV)
    整流二极管 STTH12012TV1 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:60A 正向电压Vf:2.25V@60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:125ns 反向漏电流Ir:30uA@1200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:ISOTOP®
    整流二极管 STTH112U FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.9V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:5uA@1200V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大) 反向电压Vr:1.2KV
    整流二极管 STTH110A 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:18A 反向峰值电压Vrrm:1000V 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V 反向漏电流Ir:10uA 反向恢复时间Trr:75ns 工作温度:-50℃~175℃
    整流二极管 STTH102A FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:970mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:1uA@200V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STTH1002CB-TR 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.1V@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:5uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D-Pak
    整流二极管 STTH1002CB 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.1V@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:5uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D-Pak
    整流二极管 STPSC806D FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:600V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.7V@8A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:100uA@600V 结电容Cj:450pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STPSC2006CW 配置:1 对共阴极 FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:600V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.7V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150uA@600V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247
    整流二极管 STPSC12065DY 系列:汽车级,AEC-Q101,ECOPACK®2 反向漏电流Ir:50uA@600V FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:12A 正向电压Vf:1.45V@12A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 结电容Cj:750pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STPSC1006D FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:600V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.75V@10A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:300uA@600V 结电容Cj:650pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STPS8H100FP FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:8A 正向电压Vf:710mV@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5uA@100V 封装/外壳:TO-220FPAC 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS8H100D 正向电压Vf:710mV@8A 封装/外壳:TO-220AC FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5uA@100V 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS745FP FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:7.5A 正向电压Vf:840mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@45V 封装/外壳:TO-220FPAC 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS745D FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:7.5A 正向电压Vf:840mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@45V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS5H100B-TR FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:5A 正向电压Vf:730mV@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3.5uA@100V 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS41L30CG-TR 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:20A 正向电压Vf:480mV@20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1.5mA@30V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:D2PAK
    整流二极管 STPS4045CW 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:20A 正向电压Vf:760mV@20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@45V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3
    整流二极管 STPS3L60U FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:3A 正向电压Vf:620mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150uA@60V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS3L40UF FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:3A 正向电压Vf:500mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@40V 封装/外壳:SMBflat 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS340U FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:3A 正向电压Vf:630mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20uA@40V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS340S FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:3A 正向电压Vf:630mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20uA@40V 封装/外壳:SMC 工作温度-结:150°C(最大)
    肖特基(SBD)二极管 STPS3150U 封装/外壳:DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm:80A 反向峰值电压Vrrm:150V 反向电压Vr:150V 正向电流If:3A 正向电压Vf:0.82V 反向漏电流Ir:2uA 工作温度:-65℃~175℃
    整流二极管 STPS30H100CW 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:15A 正向电压Vf:800mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5uA@100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247-3
    整流二极管 STPS3045CW 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:570mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@45V 工作温度-结:200°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Through Hole 封装/外壳:TO-247 反向电压Vr:45 V 正向电流If:30 A 正向浪涌电流Ifsm:220 A 配置:Dual Common Cathode 正向电压Vf:0.84V 反向漏电流Ir:200uA 工作温度:+ 175 C
    肖特基(SBD)二极管 STPS3045CT 封装/外壳:TO-220AB 正向浪涌电流Ifsm:220A 反向峰值电压Vrrm:45V 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:0.57V 反向漏电流Ir:200uA 工作温度:-65℃~175℃
    肖特基(SBD)二极管 STPS2L60A 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:75A 反向峰值电压Vrrm:60V 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:0.6V 反向漏电流Ir:100uA 工作温度:-65℃~150℃
    整流二极管 STPS2L40U FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:2A 正向电压Vf:430mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:220uA@40V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS2L30A FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:450mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@30V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:150°C(最大)
    肖特基(SBD)二极管 STPS2H100U 封装/外壳:DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm:75A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V 正向电流If:2A 正向电压Vf:0.79V 反向漏电流Ir:1uA 工作温度:-65℃~175℃
    肖特基(SBD)二极管 STPS2H100A 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:75A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V 正向电流If:2A 正向电压Vf:0.79V 反向漏电流Ir:1uA 工作温度:-65℃~175℃
    整流二极管 STPS2H100 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:2A 正向电压Vf:860mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@100V 封装/外壳:DO-41 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS2150A FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:2A 正向电压Vf:820mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1.5uA@150V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS2150 FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:2A 正向电压Vf:820mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1.5uA@150V 封装/外壳:DO-15 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS20L25CT 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:25V 正向电流If:10A 正向电压Vf:460mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:800uA@25V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB
    整流二极管 STPS20H100CT 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:770mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB
    整流二极管 STPS20H100CG-TR 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:770mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D2PAK
    整流二极管 STPS20H100CFP 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:770mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220FP
    整流二极管 STPS2045CFP 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:570mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@45V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220FP
    整流二极管 STPS20200CFP 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:860mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15uA@200V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220FPAB
    肖特基(SBD)二极管 STPS20150CT 封装/外壳:TO-220AB 正向浪涌电流Ifsm:180A 反向峰值电压Vrrm:150V 反向电压Vr:150V 正向电流If:10A 正向电压Vf:0.92V 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~175℃
    整流二极管 STPS20150CFP 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:10A 正向电压Vf:920mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5uA@150V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220FP
    整流二极管 STPS1L60A FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:570mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@60V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS1L40A FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:1A 正向电压Vf:500mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:35uA@40V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS1L30U FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:1A 正向电压Vf:395mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@30V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大)
    肖特基(SBD)二极管 STPS1L30A 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:75A 反向峰值电压Vrrm:30V 反向电压Vr:30V 正向电流If:1A 正向电压Vf:0.395V 反向漏电流Ir:200uA 工作温度:-65℃~150℃
    整流二极管 STPS1H100U FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:770mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4uA@100V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大)
    肖特基(SBD)二极管 STPS1H100A 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:50A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:0.77V 反向漏电流Ir:4uA 工作温度:-65℃~175℃
    整流二极管 STPS160A FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:670mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4uA@60V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS1545D FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:840mV@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@45V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大)

    推荐产品

    /Recommended products
    薄膜 MMA02040C2212FB300
    未分类 M2S050T-1VFG400I
    未分类 ATS-CPX045045025-120-C3-R0
    未分类 MS27467E15F19SA-LC
    薄膜 MMA02040C2219FB300
    未分类 1825J0500390JCT
    未分类 ATS-CPX045045030-163-C1-R0
    未分类 MS27497T10A5PA
    薄膜 MMA02040C2400FB300
    插件电阻 LR2F150R
    未分类 ATS-CPX045045030-163-C2-R0
    未分类 D38999/26WB99PN
    车规薄膜 MMA02040C2493FB300
    未分类 1825J0500391JCT
    未分类 ATS-CPX045045030-163-C3-R0
    未分类 MS27656E11F35S(LC)
    薄膜 MMA02040C2402FB300
    未分类 GMM22DRSN
    未分类 ATS-CPX045045030-191-C1-R0
    未分类 10-214528-21S