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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 整流二极管 | 1N4996US | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:1800 Ohms 反向漏电流Ir:2µA @ 297V 正向电压Vf:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:D-5B 封装/外壳:E-MELF 齐纳电压Vz:390V 功率耗散Pd:5W |
| 整流二极管 | 1N5537B | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:104 Ohms 反向漏电流Ir:10nA @ 15.3V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:17V 功率耗散Pd:400mW |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1N5644A | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-13 反向工作电压Vrwm:25.6V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1N5648A | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-13 反向工作电压Vrwm:36.8V |
| 肖特基(SBD)二极管 | 1PS70SB15,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 反向电压Vr:30V 正向电压Vf:400mV@IF=10mA 正向电流If:200mA |
| 肖特基(SBD)二极管 | 1PS79SB10,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOD523 反向电压Vr:30V 正向电压Vf:400mV@IF=10mA 正向电流If:200mA |
| 肖特基(SBD)二极管 | 1PS79SB17,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOD523 反向电压Vr:4V 正向电压Vf:600mV@IF=10mA 正向电流If:30mA |
| 肖特基(SBD)二极管 | 1PS74SB23,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT457 反向电压Vr:25V 正向电压Vf:450mV@IF=1A 正向电流If:1mA |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1N4744A,113 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOD66 |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1N4728A,113 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOD66 |
| 肖特基(SBD)二极管 | 1PS70SB44,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:500mV@IF=10mA 正向电流If:120mA |
| 肖特基(SBD)二极管 | 1PS70SB85,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 反向电压Vr:15V 正向电压Vf:340mV@IF=1mA 正向电流If:30mA |
| TVS二极管 | TVS3V3L4UE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 钳位电压Vc:7.7V(标准) 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:SC74 封装/外壳:SC-74 |
| 整流二极管 | APT15DQ100KG | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:15A 正向电压Vf:3V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:235ns 反向漏电流Ir:100µA @ 1000V 封装/外壳:TO-220 [K] 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | CDLL5229B | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 功率耗散Pd:10mW 齐纳阻抗Zz:22 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 1V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB 封装/外壳:DO-213AA 齐纳电压Vz:4.3V |
| 整流二极管 | JANTX1N3614 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/228 FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1µA @ 800V 封装/外壳:A,轴向 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | APT2X101D120J | Microsemi(美高森美) | 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:93A 正向电压Vf:2.5V @ 100A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:420ns 反向漏电流Ir:250µA @ 1200V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:ISOTOP® |
| 整流二极管 | APT2X101D60J | Microsemi(美高森美) | 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:100A 正向电压Vf:1.8V @ 100A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:180ns 反向漏电流Ir:250µA @ 600V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:ISOTOP® |
| 整流二极管 | APT2X61D60J | Microsemi(美高森美) | 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:60A 正向电压Vf:1.8V @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:130ns 反向漏电流Ir:250µA @ 600V 封装/外壳:ISOTOP® |
| 整流二极管 | CDLL4148 | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:500nA @ 75V 结电容Cj:4pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-213AA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | APT30D120BG | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:30A 正向电压Vf:2.5V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:370ns 反向漏电流Ir:250µA @ 1200V 封装/外壳:TO-247 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | CDLL4106 | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 9.2V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB 封装/外壳:DO-213AA 齐纳电压Vz:12V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | JAN1N4965US | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:4.5 Ohms 反向漏电流Ir:2µA @ 15.2V 正向电压Vf:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:D-5B 封装/外壳:E-MELF 齐纳电压Vz:20V 功率耗散Pd:5W |
| 整流二极管 | JAN1N4454UR-1 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/144 FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1V @ 10mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100nA @ 50V 封装/外壳:DO-213AA 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | JAN1N4148UR-1 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/241 FET类型:标准 反向电压Vr:100V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:800mV @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:25nA @ 20V 结电容Cj:2.8pF @ 1.5V,1MHz 封装/外壳:DO-213AA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | JAN1N5811US | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/477 FET类型:标准 反向电压Vr:150V 正向电流If:6A 正向电压Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:5µA @ 150V 结电容Cj:60pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:B,SQ-MELF 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | JAN1N4572A-1 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/452 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:100 Ohms 反向漏电流Ir:2µA @ 3V 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-35(DO-204AH) 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:6.4V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | JANTX1N4372A-1 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:29 Ohms 反向漏电流Ir:30µA @ 1V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:3V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | JANTX1N3595-1 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/241 FET类型:标准 反向电压Vr:125V 正向电流If:150mA 正向电压Vf:920mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:3µs 反向漏电流Ir:1nA @ 125V 封装/外壳:DO-35 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 红外发射管 | LHUV-0395-0350 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON UV FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:375mW/sr @ 500mA 波长:395nm ~ 400nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.1V 视角:125° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | LHUV-0395-0450 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON UV FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:475mW/sr @ 500mA 波长:395nm ~ 400nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.1V 视角:125° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | LHUV-0395-A065 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON UV U1 FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 波长:395nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.2V 视角:140° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TJ) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | LHUV-0390-0400 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON UV FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:425mW/sr @ 500mA 波长:390nm ~ 395nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.1V 视角:125° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | LHUV-0415-A070 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON UV U1 FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 波长:415nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.2V 视角:140° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TJ) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 通用LED | LXH8-FW40-3 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON T 颜色:白色,天然 CCT（K）:4000K 3 阶麦克亚当椭圆 85°C时通量，电流-测试:212 lm(标准) 电流-测试:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:2.8V 不同测试电流时的流明/瓦:108 lm/W CRI（高显色指数）:80 电流-最大值:1.2 A 视角:120° 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 封装/外壳:0.146" 长 x 0.146" 宽(3.70mm x 3.70mm) 高度-安装（最大值）:0.083"(2.12mm) 封装热阻:3°C/W |
| 通用LED | LMZ8-SW30 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON MZ 颜色:白色,暖色 CCT（K）:3000K 85°C时通量，电流-测试:781 lm(标准) 电流-测试:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:11.2V 不同测试电流时的流明/瓦:100 lm/W CRI（高显色指数）:80 电流-最大值:1.2 A 视角:120° 封装/外壳:1716(4240 裸露焊盘) 封装/外壳:0.165" 长 x 0.157" 宽(4.20mm x 4.00mm) 高度-安装（最大值）:0.033"(0.84mm) 封装热阻:1.25°C/W |
| 通用LED | LXAC-1765 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON H50-2 颜色:白色,冷色 CCT（K）:6500K 85°C时通量，电流-测试:220 lm(标准) 电流-测试:40mA 电压-正向（Vf）（典型值）:50V 不同测试电流时的流明/瓦:110 lm/W CRI（高显色指数）:70 电流-最大值:45mA 视角:110° 封装/外壳:3-SMD,无引线裸焊盘 封装/外壳:0.146" 长 x 0.146" 宽(3.70mm x 3.70mm) 高度-安装（最大值）:0.083"(2.10mm) 封装热阻:3°C/W |
| 通用LED | LMZ0-SR00 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON MZ 颜色:蓝色 波长:453nm(445nm ~ 460nm) 电流-测试:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:12V 电流-最大值:1.2 A 通量@电流/温度-测试:3600mW(标准) 温度-测试:85°C 视角:120° 封装/外壳:SMD 封装/外壳:0.165" 长 x 0.157" 宽(4.20mm x 4.00mm) 高度-安装（最大值）:0.033"(0.84mm) 封装热阻:1.25°C/W |
| 红外发射管 | LHUV-0405-0550 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON UV FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:575mW/sr @ 500mA 波长:405nm ~ 410nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 视角:125° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 通用LED | LMZ7-QW65 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON MZ 颜色:白色,冷色 CCT（K）:6500K 85°C时通量，电流-测试:980 lm(标准) 电流-测试:2.8A 电压-正向（Vf）（典型值）:2.8V 不同测试电流时的流明/瓦:125 lm/W CRI（高显色指数）:70 电流-最大值:4.8A 视角:120° 封装/外壳:1716(4240 裸露焊盘) 封装/外壳:0.165" 长 x 0.157" 宽(4.20mm x 4.00mm) 高度-安装（最大值）:0.033"(0.84mm) 封装热阻:1.25°C/W |
| 通用LED | LMZ7-SW40 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON MZ 颜色:白色,天然 CCT（K）:4000K 85°C时通量，电流-测试:940 lm(标准) 电流-测试:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:11.2V 不同测试电流时的流明/瓦:120 lm/W CRI（高显色指数）:70 电流-最大值:1.2 A 视角:120° 封装/外壳:1716(4240 裸露焊盘) 封装/外壳:0.165" 长 x 0.157" 宽(4.20mm x 4.00mm) 高度-安装（最大值）:0.033"(0.84mm) 封装热阻:1.25°C/W |
| 通用LED | LMZ8-SW35 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON MZ 颜色:白色,暖色 CCT（K）:3500K 85°C时通量，电流-测试:800 lm(标准) 电流-测试:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:11.2V 不同测试电流时的流明/瓦:102 lm/W CRI（高显色指数）:80 电流-最大值:1.2 A 视角:120° 封装/外壳:1716(4240 裸露焊盘) 封装/外壳:0.165" 长 x 0.157" 宽(4.20mm x 4.00mm) 高度-安装（最大值）:0.033"(0.84mm) 封装热阻:1.25°C/W |
| 红外发射管 | LHUV-0420-0600 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON UV FET类型:可见 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:625mW/sr @ 500mA 波长:420nm ~ 425nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 视角:125° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 通用LED | LMZ7-RW50 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON MZ 颜色:白色,冷色 CCT（K）:5000K 85°C时通量，电流-测试:950 lm(标准) 电流-测试:1.4A 电压-正向（Vf）（典型值）:5.6V 不同测试电流时的流明/瓦:121 lm/W CRI（高显色指数）:70 电流-最大值:2.4A 视角:120° 封装/外壳:1716(4240 裸露焊盘) 封装/外壳:0.165" 长 x 0.157" 宽(4.20mm x 4.00mm) 高度-安装（最大值）:0.033"(0.84mm) 封装热阻:1.25°C/W |
| 通用LED | LMZ7-RW40 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON MZ 颜色:白色,天然 CCT（K）:4000K 85°C时通量，电流-测试:940 lm(标准) 电流-测试:1.4A 电压-正向（Vf）（典型值）:5.6V 不同测试电流时的流明/瓦:120 lm/W CRI（高显色指数）:70 电流-最大值:2.4A 视角:120° 封装/外壳:1716(4240 裸露焊盘) 封装/外壳:0.165" 长 x 0.157" 宽(4.20mm x 4.00mm) 高度-安装（最大值）:0.033"(0.84mm) 封装热阻:1.25°C/W |
| 通用LED | LXH7-FW40 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON T 颜色:白色,天然 CCT（K）:4000K 85°C时通量，电流-测试:249 lm(标准) 电流-测试:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:2.8V 不同测试电流时的流明/瓦:127 lm/W CRI（高显色指数）:70 电流-最大值:1.2 A 视角:120° 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 封装/外壳:0.146" 长 x 0.146" 宽(3.70mm x 3.70mm) 高度-安装（最大值）:0.083"(2.12mm) 封装热阻:3°C/W |
| 通用LED | LMZ9-RW57 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON MZ 颜色:白色,冷色 CCT（K）:5700K 85°C时通量，电流-测试:980 lm(标准) 电流-测试:1.4A 电压-正向（Vf）（典型值）:6V 不同测试电流时的流明/瓦:117 lm/W CRI（高显色指数）:90 电流-最大值:2.4A 视角:120° 封装/外壳:1716(4240 裸露焊盘) 封装/外壳:0.165" 长 x 0.157" 宽(4.20mm x 4.00mm) 高度-安装（最大值）:0.033"(0.84mm) 封装热阻:1.25°C/W |
| 通用LED | LMZ8-SW50 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON MZ 颜色:白色,冷色 CCT（K）:5000K 85°C时通量，电流-测试:890 lm(标准) 电流-测试:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:11.2V 不同测试电流时的流明/瓦:114 lm/W CRI（高显色指数）:80 电流-最大值:1.2 A 视角:120° 封装/外壳:1716(4240 裸露焊盘) 封装/外壳:0.165" 长 x 0.157" 宽(4.20mm x 4.00mm) 高度-安装（最大值）:0.033"(0.84mm) 封装热阻:1.25°C/W |
| 通用LED | LMZ9-QW57 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON MZ 颜色:白色,冷色 CCT（K）:5700K 85°C时通量，电流-测试:980 lm(标准) 电流-测试:2.8A 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 不同测试电流时的流明/瓦:117 lm/W CRI（高显色指数）:90 电流-最大值:4.8A 视角:120° 封装/外壳:1716(4240 裸露焊盘) 封装/外壳:0.165" 长 x 0.157" 宽(4.20mm x 4.00mm) 高度-安装（最大值）:0.033"(0.84mm) 封装热阻:1.25°C/W |
| 通用LED | LX18-P150-5 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON Rebel PLUS 颜色:白色,冷色 CCT（K）:5000K 5 阶麦克亚当椭圆 85°C时通量，电流-测试:106 lm(标准) 电流-测试:350mA 电压-正向（Vf）（典型值）:2.76V 不同测试电流时的流明/瓦:110 lm/W CRI（高显色指数）:80 电流-最大值:1A 视角:120° 封装/外壳:4530 封装/外壳:0.177" 长 x 0.120" 宽(4.49mm x 3.05mm) 高度-安装（最大值）:0.083"(2.10mm) 封装热阻:9°C/W |
| 通用LED | LX18-P130-3 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON Rebel PLUS 颜色:白色,暖色 CCT（K）:3000K 3 阶麦克亚当椭圆 85°C时通量，电流-测试:95 lm(标准) 电流-测试:350mA 电压-正向（Vf）（典型值）:2.76V 不同测试电流时的流明/瓦:98 lm/W CRI（高显色指数）:80 电流-最大值:1A 视角:120° 封装/外壳:4530 封装/外壳:0.177" 长 x 0.120" 宽(4.49mm x 3.05mm) 高度-安装（最大值）:0.083"(2.10mm) 封装热阻:9°C/W |
| 通用LED | LMZ8-SW40 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON MZ 颜色:白色,天然 CCT（K）:4000K 85°C时通量，电流-测试:880 lm(标准) 电流-测试:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:11.2V 不同测试电流时的流明/瓦:112 lm/W CRI（高显色指数）:80 电流-最大值:1.2 A 视角:120° 封装/外壳:1716(4240 裸露焊盘) 封装/外壳:0.165" 长 x 0.157" 宽(4.20mm x 4.00mm) 高度-安装（最大值）:0.033"(0.84mm) 封装热阻:1.25°C/W |
| 整流二极管 | 1N6642US | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:300mA 正向电压Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:500nA @ 75V 结电容Cj:5pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:D-5D 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | 1N6642US | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:300mA 正向电压Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:500nA @ 75V 结电容Cj:5pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:D-5D 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 通用LED | LXH8-FW30-3 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON T 颜色:白色,暖色 CCT（K）:3000K 3 阶麦克亚当椭圆 85°C时通量，电流-测试:197 lm(标准) 电流-测试:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:2.8V 不同测试电流时的流明/瓦:101 lm/W CRI（高显色指数）:80 电流-最大值:1.2 A 视角:120° 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 封装/外壳:0.146" 长 x 0.146" 宽(3.70mm x 3.70mm) 高度-安装（最大值）:0.083"(2.12mm) 封装热阻:3°C/W |
| 整流二极管 | 1N965A | Microsemi(美高森美) | 偏差:±10% 齐纳阻抗Zz:16 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 11.4V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-7 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:15V 功率耗散Pd:500mW |
| 通用LED | LXH8-FW50-5 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON T 颜色:白色,冷色 CCT（K）:5000K 5 阶麦克亚当椭圆 85°C时通量，电流-测试:222 lm(标准) 电流-测试:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:2.8V 不同测试电流时的流明/瓦:113 lm/W CRI（高显色指数）:80 电流-最大值:1.2 A 视角:120° 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 封装/外壳:0.146" 长 x 0.146" 宽(3.70mm x 3.70mm) 高度-安装（最大值）:0.083"(2.12mm) 封装热阻:3°C/W |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE120CA-E3/51 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:DO-201AA 反向工作电压Vrwm:120V |
| 整流二极管 | BY269TR | Vishay(威世) | FET类型:雪崩 反向电压Vr:1600V 正向电流If:800mA 正向电压Vf:1.25V @ 400mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:400ns 反向漏电流Ir:2µA @ 1600V 封装/外壳:SOD-57,轴向 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:SOD-57 反向恢复时间trr:400 ns 正向电流If:0.8 A 反向电压Vr:1600 V 反向漏电流Ir:2 uA 正向电压Vf:1.25 V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE110CA-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:94V |
| 整流二极管 | APT30DQ60BHBG | Microsemi(美高森美) | 配置:1 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:30A 正向电压Vf:2.4V @ 30A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247 |
| 整流二极管 | APT20SCD120B | Microsemi(美高森美) | FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:1200V 正向电流If:68A(DC) 正向电压Vf:1.8V @ 20A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:400µA @ 1200V 结电容Cj:1135pF @ 0V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | APT30D120BG | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:30A 正向电压Vf:2.5V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:370ns 反向漏电流Ir:250µA @ 1200V 封装/外壳:TO-247 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | APT100S20BG | Microsemi(美高森美) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:120A 正向电压Vf:950mV @ 100A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:70ns 反向漏电流Ir:2mA @ 200V 封装/外壳:TO-247 [B] 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | APTDF400KK20G | Microsemi(美高森美) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:500A 正向电压Vf:1.1V @ 400A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:750µA @ 200V 封装/外壳:SP6 |
| TVS二极管 | 1.5KE16CA-E3/54 | Vishay(威世) | 钳位电压Vc:22.5V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 反向工作电压Vrwm:13.6V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE18A-E3/51 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:15.3V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE24A-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:20.5V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE15A-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:12.8V |
| TVS二极管 | 1.5KE18CA-E3/54 | Vishay(威世) | 钳位电压Vc:25.2V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 反向工作电压Vrwm:15.3V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE200A-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:171V |
| TVS二极管 | 1.5KE15CA-E3/54 | Vishay(威世) | 钳位电压Vc:21.2V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 反向工作电压Vrwm:12.8V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE15A-E3/51 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:12.8V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE62CA-E3/51 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:DO-201AA 反向工作电压Vrwm:62V |
| TVS二极管 | 1.5KE440A-E3/54 | Vishay(威世) | 钳位电压Vc:602V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 反向工作电压Vrwm:376V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE220CA-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:DO-201AA 反向工作电压Vrwm:220V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE220CA-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:DO-201AA 反向工作电压Vrwm:220V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE220A-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:185V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE15A-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:12.8V |
| TVS二极管 | 1.5KE18CA-E3/54 | Vishay(威世) | 钳位电压Vc:25.2V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 反向工作电压Vrwm:15.3V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE130CA-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:111V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE27CA-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:23.1V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE30A/4 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:25.6V |
| TVS二极管 | 1.5SMC6.8A-E3/57T | Vishay(威世) | 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 反向工作电压Vrwm:6.8V 钳位电压Vc:10.5 V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE7.5A-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:6.4V |
| TVS二极管 | 1.5SMC15A-E3/57T | Vishay(威世) | 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 反向工作电压Vrwm:15V 钳位电压Vc:21.2 V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5SMC91A-E3/57T | Vishay(威世) | 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB(SMCJ) 封装/外壳:DO-214AB 反向工作电压Vrwm:91V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5SMC120CA-E3/57T | Vishay(威世) | 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB(SMCJ) 封装/外壳:DO-214AB 反向工作电压Vrwm:120V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1.5KE400A-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:1.5KE 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:342V |
| 整流二极管 | JANTX1N4460US | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:4 Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 3.72V 正向电压Vf:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:D-5A 封装/外壳:A-MELF 齐纳电压Vz:6.2V 功率耗散Pd:1.5W |
| 整流二极管 | JANTX1N4967 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:5 Ohms 反向漏电流Ir:2µA @ 18.2V 正向电压Vf:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:E,轴向 封装/外壳:Case 齐纳电压Vz:24V 功率耗散Pd:5W |
| 稳压(齐纳)二极管 | JANTX1N5907 | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-13(DO-202AA) 封装/外壳:DO-13 反向工作电压Vrwm:5V |
| 整流二极管 | JANTXV1N4469US | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:9 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 12V 正向电压Vf:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:D-5A 封装/外壳:SMD 齐纳电压Vz:15V 功率耗散Pd:1.5W |
| 稳压(齐纳)二极管 | JANTX1N5650A | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-13(DO-202AA) 封装/外壳:DO-13 反向工作电压Vrwm:43.6V |
| 整流二极管 | JANTX1N4483 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:70 Ohms 反向漏电流Ir:250nA @ 44.8V 正向电压Vf:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:56V 功率耗散Pd:1.5W |
| 整流二极管 | JANTX1N5711-1 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/444 FET类型:肖特基 反向电压Vr:70V 正向电流If:33mA 正向电压Vf:410mV @ 1mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:200nA @ 50V 结电容Cj:2pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-35 工作温度-结:-65°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | JANTX1N4487 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:160 Ohms 反向漏电流Ir:250nA @ 65.6V 正向电压Vf:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:82V 功率耗散Pd:1.5W |
| 稳压(齐纳)二极管 | JANTX1N5656A | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-13(DO-202AA) 封装/外壳:DO-13 反向工作电压Vrwm:77.8V |
| 整流二极管 | JANTX1N4627UR-1 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:1200 Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 5V 封装/外壳:DO-213AA 封装/外壳:MELF 齐纳电压Vz:6.2V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | JANTX1N4944 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/359 FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:150ns 反向漏电流Ir:1µA @ 400V 封装/外壳:A,轴向 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |