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    稳压(齐纳)二极管 PZU6.8BA,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD323
    稳压(齐纳)二极管 PZU36BL,315 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD882
    稳压(齐纳)二极管 PZU27BA,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD323
    稳压(齐纳)二极管 PZU27B,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD323F
    稳压(齐纳)二极管 PZU12B2A,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD323
    稳压(齐纳)二极管 PZU10DB2,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT353
    TVS二极管 PUSB3FR6Z Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT1358 反向工作电压Vrwm:3.3V
    TVS二极管 PUSB3FR4Z Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT1176 反向工作电压Vrwm:3.3V
    TVS二极管 PUSB3AB6Z Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT1358 反向工作电压Vrwm:3.3V
    TVS二极管 PUSB2X4YH Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT363 反向工作电压Vrwm:5.5V
    整流二极管 STPS1045DEE-TR ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:590mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 45V 封装/外壳:PowerFlat™(3.3x3.3) 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS10L25D ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:25V 正向电流If:10A 正向电压Vf:460mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:800µA @ 25V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS120L15TV ST(意法半导体) 配置:2 个独立式 FET类型:肖特基 反向电压Vr:15V 正向电流If:60A 正向电压Vf:430mV @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:22mA @ 12V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:ISOTOP®
    整流二极管 STPS1045B-TR ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:630mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 45V 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS1150A ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:1A 正向电压Vf:820mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1µA @ 150V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS20170CT ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:170V 正向电流If:10A 正向电压Vf:900mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15µA @ 170V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB
    整流二极管 STPS120M ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:1A 正向电压Vf:490mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3.9µA @ 20V 封装/外壳:STmite 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS1545D ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:840mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 45V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS140A ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:1A 正向电压Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:12µA @ 40V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS160U ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:670mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4µA @ 60V 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS16170CG-TR ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:170V 正向电流If:8A 正向电压Vf:920mV @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15µA @ 170V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D2PAK
    整流二极管 STPS160A ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:670mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4µA @ 60V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS1150A ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:1A 正向电压Vf:820mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1µA @ 150V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS20150CG-TR ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:10A 正向电压Vf:920mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 150V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D²PAK
    整流二极管 STPS2045CT ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:570mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 45V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB
    整流二极管 STPS20200CFP ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:860mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15µA @ 200V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220FPAB
    整流二极管 STPS1545D ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:840mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 45V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS20200CT ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:860mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15µA @ 200V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220AB
    整流二极管 STPS1H100A ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:770mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4µA @ 100V 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 1N4245 Microsemi(美高森美) FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:5µs 反向漏电流Ir:1µA @ 200V 封装/外壳:A,轴向 工作温度-结:-65°C ~ 175°C
    整流二极管 1N4962 Microsemi(美高森美) 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:3.5 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 11.4V 正向电压Vf:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:E,轴向 封装/外壳:Case 齐纳电压Vz:15V 功率耗散Pd:5W
    整流二极管 1N4743APE3/TR8 Microsemi(美高森美) 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:10 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 9.9V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:13V 功率耗散Pd:1W
    整流二极管 1N4975US Microsemi(美高森美) 反向漏电流Ir:2µA @ 38.8V 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:E-MELF 齐纳电压Vz:51V 功率耗散Pd:5W
    整流二极管 1N5281B Microsemi(美高森美) 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:2500 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 152V 正向电压Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-35(DO-204AH) 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:200V 功率耗散Pd:500mW
    整流二极管 1N4960 Microsemi(美高森美) 偏差:±5% 功率耗散Pd:5W 齐纳阻抗Zz:2.5 Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 9.1V 正向电压Vf:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:E,轴向 齐纳电压Vz:12V
    整流二极管 STPS30M100DJF-TR ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:30A 正向电压Vf:960mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 100V 封装/外壳:PowerFlat™(5x6) 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS20M60CG-TR ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:10A 正向电压Vf:570mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:65µA @ 60V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:D²PAK
    整流二极管 STPS41H100CGY-TR ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:20A 正向电压Vf:800mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:D²PAK
    整流二极管 STPSC4H065B-TR ST(意法半导体) FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.75V @ 4A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:40µA @ 650V 结电容Cj:200pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STPS2L40U ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:2A 正向电压Vf:430mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:220µA @ 40V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS20L15G-TR ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:15V 正向电流If:20A 正向电压Vf:410mV @ 19A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:6mA @ 15V 封装/外壳:D2PAK 工作温度-结:125°C(最大)
    整流二极管 STPS20M60D ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:20A 正向电压Vf:580mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:125µA @ 60V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS2150A ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:2A 正向电压Vf:820mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1.5µA @ 150V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS2L25U ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:25V 正向电流If:2A 正向电压Vf:450mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:90µA @ 25V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS30H100CW ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:15A 正向电压Vf:800mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247-3
    整流二极管 STPS3045CW ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:570mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 45V 工作温度-结:200°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Through Hole 封装/外壳:TO-247 反向电压Vr:45 V 正向电流If:30 A 正向浪涌电流Ifsm:220 A 配置:Dual Common Cathode 正向电压Vf:0.84 V 反向漏电流Ir:200 uA 工作温度:+ 175 C
    整流二极管 STPS20S100CT ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:850mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3.5µA @ 100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:Through Hole 反向电压Vr:100 V 正向电流If:20 A 正向浪涌电流Ifsm:180 A 配置:Dual Common Cathode 正向电压Vf:0.94 V 反向漏电流Ir:3.5 uA 工作温度:+ 175 C
    整流二极管 STPS30170DJF-TR ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:170V 正向电流If:30A 正向电压Vf:950mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15µA @ 170V 封装/外壳:PowerFlat™(6x5) 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS2L60A ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:600mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 60V 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS30H60CKY-TR ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:15A 正向电压Vf:580mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150µA @ 60V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PowerSO-20
    整流二极管 STPS2L60 ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:600mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 60V 封装/外壳:DO-41 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS60L45CW ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:30A 正向电压Vf:550mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1.5mA @ 45V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3
    整流二极管 STPS60SM200CW ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:60A 正向电压Vf:830mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50µA @ 200V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247
    整流二极管 STPS8H100D ST(意法半导体) 正向电压Vf:710mV @ 8A 封装/外壳:TO-220AC FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5µA @ 100V 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPSC12C065DY ST(意法半导体) 系列:汽车级,AEC-Q101,ECOPACK®2 FET类型:肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:12A 正向电压Vf:1.75V @ 12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:120µA @ 650V 结电容Cj:530pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STPS30M100DJF-TR ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:30A 正向电压Vf:960mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 100V 封装/外壳:PowerFlat™(5x6) 工作温度-结:150°C(最大)
    稳压(齐纳)二极管 STRVS142X02F ST(意法半导体) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-201 反向工作电压Vrwm:102V
    整流二极管 STPS60SM200CW ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:60A 正向电压Vf:830mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50µA @ 200V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247
    整流二极管 STPS60L30CW ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:30A 正向电压Vf:460mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4mA @ 30V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3
    整流二极管 STPSC20H065CWY ST(意法半导体) 系列:汽车级,AEC-Q101,ECOPACK®2 配置:1 对共阴极 FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.75V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 650V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247
    整流二极管 STPSC406B-TR ST(意法半导体) FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:600V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.9V @ 4A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:50µA @ 600V 结电容Cj:200pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STPS8H100DEE-TR ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:8A 正向电压Vf:820mV @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5µA @ 100V 封装/外壳:PowerFlat™(3.3x3.3) 工作温度-结:175°C(最大)
    整流二极管 STPS340B-TR ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:3A 正向电压Vf:630mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20µA @ 40V 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:150°C(最大)
    整流二极管 STPS41H100CT ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:20A 正向电压Vf:800mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB
    整流二极管 STPSC6H065B-TR ST(意法半导体) FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:6A 正向电压Vf:1.75V @ 6A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:60µA @ 650V 结电容Cj:300pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STPS5045SG-TR ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:50A 正向电压Vf:610mV @ 50A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:360µA @ 45V 封装/外壳:D²PAK 工作温度-结:200°C(最大)
    整流二极管 STPS5H100BY-TR ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:5A 正向电压Vf:730mV @ 5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3.5µA @ 100V 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STPS60170CT ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:170V 正向电流If:30A 正向电压Vf:940mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:35µA @ 170V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB
    整流二极管 STPSC6H065DI ST(意法半导体) FET类型:肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:6A 正向电压Vf:1.75V @ 6A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:60µA @ 650V 封装/外壳:TO-220AC ins 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STPS61170CW ST(意法半导体) 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:170V 正向电流If:30A 正向电压Vf:840mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:60µA @ 170V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3
    整流二极管 STPSC10H12B-TR1 ST(意法半导体) 系列:ECOPACK® FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:1200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.5V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:60µA @ 1200V 结电容Cj:725pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DPAK 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    整流二极管 STPS41H100CTY ST(意法半导体) 系列:汽车级,AEC-Q101 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:20A 正向电压Vf:670mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220AB
    TVS二极管 PTVS9V0S1UR,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:10V,11.1V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:15.4V
    TVS二极管 PTVS9V0P1UTP,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:11.1V,10V 工作温度:185℃ 钳位电压Vc:15.4V
    TVS二极管 PTVS7V0S1UR,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:7.78V,8.6V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:12V
    TVS二极管 PTVS7V0P1UP,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:7.78V,8.6V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:12V
    TVS二极管 PTVS6V5S1UR,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:7.22V,7.98V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:11.2V
    TVS二极管 PTVS6V5P1UTP,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:7.98V,7.22V 工作温度:185℃ 钳位电压Vc:11.2V
    TVS二极管 PTVS6V0S1UR,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:6.67V,7.37V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:10.3V
    TVS二极管 PTVS6V0P1UTP,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:7.37V,6.67V 工作温度:185℃ 钳位电压Vc:10.3V
    TVS二极管 PTVS64VS1UR,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:78.6V,71.1V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:103V
    TVS二极管 PTVS60VS1UR,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:66.7V,73.7V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:96.8V
    TVS二极管 PTVS5V0S1UR,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:6.4V,7V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:9.2V
    TVS二极管 PTVS5V0P1UTP,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:6.4V,7V 工作温度:185℃ 钳位电压Vc:9.2V
    TVS二极管 PTVS5V0P1UP,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:7V,6.4V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:9.2V
    TVS二极管 PTVS58VS1UR,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:64.4V,71.2V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:93.6V
    TVS二极管 PTVS54VP1UP,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:60V,66.3V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:87.1V
    TVS二极管 PTVS48VS1UR,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:58.9V,53.3V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:77.4V
    TVS二极管 PTVS43VS1UR,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:47.8V,52.8V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:69.4V
    TVS二极管 PTVS40VS1UR,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:44.4V,49.1V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:64.5V
    TVS二极管 PTVS40VP1UP,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:44.4V,49.1V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:64.5V
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    TVS二极管 PTVS3V3P1UTP,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:5.2V,6V 工作温度:185℃ 钳位电压Vc:8V
    TVS二极管 PTVS3V3P1UP,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOD128 反向击穿电压Vbr:5.2V,6V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:8V
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