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IC普拉斯 元器件现货

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    稳压(齐纳)二极管 B72214S251K101 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    稳压(齐纳)二极管 B72232B231K1 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    通用二极管 SM260A LRC(乐山无线电)
    通用二极管 1.5SMC250A-E3/57T Vishay(威世) 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 反向电压Vr:214V
    通用二极管 P6SMB220CAHE3/52 Vishay(威世) 反向电压Vr:185V 工作温度:-65°C~150°C(TJ)
    通用二极管 SM8S24A-AU_R2_000A1 Panjit(强茂) 封装/外壳:DO-218AB
    稳压(齐纳)二极管 B72207S300K211 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    通用二极管 U1CD-Q313-201 Usenlight(佑胜)
    稳压(齐纳)二极管 B72210S271K101 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    通用二极管 LEMWS59R80GZ21EP.H1X-R3-GB5-8B LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    稳压(齐纳)二极管 B72210S301K101 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    稳压(齐纳)二极管 B72210S200K101 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    稳压(齐纳)二极管 B72205S131K211 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    稳压(齐纳)二极管 B72207S250K101 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    稳压(齐纳)二极管 B72510V250K62 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    通用二极管 LEMWS59R90JZ3BT0.H1X-R2-J14-8A LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    稳压(齐纳)二极管 B72214S231K151 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    稳压(齐纳)二极管 B72220S300K101 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    通用二极管 LEMWS59R80GZ21EP.H1X-R2-GB5-8B LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    通用LED LTST-C19HEGYK-Z Lite-On(光宝) 封装/外壳:1.6*1.6 功率:(80+80+75)mW 电压:3V
    稳压(齐纳)二极管 B72660M950K72 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    通用二极管 LEMWS59R80GZ21EP.H1X-R3-GB5-8A LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    稳压(齐纳)二极管 B72580T500K62 TDK-EPCOS(TDK-爱普科斯)
    通用二极管 LEMWS59R80GZ21EP.H1X-R2-GB5-9A LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    通用二极管 LEMWS59R80GZ21EP.H1X-R2-GB5-8A LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    通用二极管 U1OT-3511-320 Usenlight(佑胜)
    通用LED BXEN-27E-13H-99E-5E-W-D Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99E
    通用LED BXEN-27E-13H-99E-5E-V-1 Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99E
    通用LED BXEN-40E-13H-99-5H-W-1 Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99
    通用LED BXEN-65E-13H-99E-5G-W-C Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99E
    通用LED BXEN-65E-13H-99E-5G-V-1 Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99E
    通用LED BXEN-27E-13H-99E-5E-W-C Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99E
    通用LED BXEN-27E-13H-99E-5E-V-C Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99E
    通用LED BXEN-27E-13H-99E-5E-V-D Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99E
    通用LED BXEN-65E-13H-99E-5G-W-B Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99E
    通用LED BXEN-27E-13H-99E-5E-V-B Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99E
    通用LED BXEN-27E-13H-99E-5E-W-B Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99E
    通用LED BXEN-65E-13H-99E-5G-V-C Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99E
    稳压(齐纳)二极管 5KP6.0CA Littelfuse(美国力特) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:P600 封装/外壳:P-600 反向工作电压Vrwm:6V
    通用二极管 LESD11LL3.3CT5G LRC(乐山无线电) 封装/外壳:DFN0603 功率:1/5W
    通用二极管 SMCJ26CA-E3/57T Vishay(威世) 工作温度:-55°C~150°C(TJ)
    通用LED BL-BJCGE201-E BRT(佰鸿工业) 功率:3/50W
    UV(紫外)LED LEUV-V430A6 LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    UV(紫外)LED LEUV-V430A6.KXX LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    通用二极管 LEMWS38X80FSZ0LN-S2-F3-Y LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1W
    通用LED HT-110NG Harvatek(宏齐) 封装/外壳:1206 照明颜色:Green 波长/色温:520nm 光强度:285mcd 正向电流If:20mA 长度:3.20mm 高度:1mm 宽度:1.5mm
    稳压(齐纳)二极管 SM8S17AHE3_A/I Vishay(威世) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-218AB 反向工作电压Vrwm:17V
    通用二极管 PC35H11 V1-3VO40A Lextar(隆达) 功率:1/2W
    通用二极管 PC35H11 V1-4VP40A Lextar(隆达) 功率:1/2W
    通用二极管 PC35H11 V1-4VO40A Lextar(隆达) 功率:1/2W
    通用二极管 PC35H11 V1-4VO40E Lextar(隆达) 功率:1/2W
    通用二极管 PC35H13 V0-GUA275 Lextar(隆达) 功率:1W
    通用二极管 PC35H11 V1-4VO40C Lextar(隆达) 功率:1/2W
    通用二极管 PB06H09 V1-503AP1DB Lextar(隆达) 功率:6W
    通用LED BXEN-50E-14H-12B-5H-J4-1 Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-14H-12B CCT Range (Nominal):2700K-6500K CRI (Min):80, 90 Flux (3000K 80CRI):125lm Forward Voltage (Typical):12.0V Forward Current (Nominal):75mA Dimensions (mm):3.50x2.80x0.70
    通用LED BXEN-27E-13H-99-5G-W-1 Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-99
    整流二极管 IDP20E65D2XKSA1 Infineon(英飞凌) FET类型:标准 反向电压Vr:650V 正向电流If:40A(DC) 正向电压Vf:2.2V @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:32ns 反向漏电流Ir:40µA @ 650V 封装/外壳:PG-TO220-2 封装/外壳:PG-TO220-2-1 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
    通用LED BXEN-35E-13H-9B-5J-V-1 Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-13H-9B
    UV(紫外)LED LEUVK37B50HF00-DW1-R2-V1 LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/5W
    UV(紫外)LED LEUVK37B50HF00-DW1-R3-V1 LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/5W
    通用二极管 SMBJ24CAHE3/52 Vishay(威世) 反向电压Vr:24V 工作温度:-55°C~150°C(TJ)
    通用二极管 SMAJ5.0A LRC(乐山无线电) 封装/外壳:SMD/SMT 工作温度:-65°C~150°C
    整流二极管 MUR460-E3/54 Vishay(威世) FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:50 ns 正向电流If:4 A 反向电压Vr:600V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.25V
    通用二极管 3KASMC10AHE3_B/H Vishay(威世) 反向电压Vr:10V 工作温度:-65°C~185°C(TJ)
    通用二极管 LEMWS38U80FSZ0HZ LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    通用LED BXEN-40E-14H-12B-5H-J4-1 Bridgelux(普瑞光电) 功率:1W 系列:BXEN-14H-12B CCT Range (Nominal):2700K-6500K CRI (Min):80, 90 Flux (3000K 80CRI):125lm Forward Voltage (Typical):12.0V Forward Current (Nominal):75mA Dimensions (mm):3.50x2.80x0.70
    通用二极管 LEMWS59R80JZ31EP.H1X-R2-J14-8A LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    肖特基(SBD)二极管 BAT 60A E6327 Infineon(英飞凌) 封装/外壳:SMD/SMT 正向电流If:3A 正向电压Vf:0.37V 工作温度:0°C~150°C
    通用二极管 LEMWS59R80JZ31EP.H1X-R2-J14-9A LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    通用二极管 LEMWS59R80FZ2D00.H1X-R4-FB5-0A LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    UV(紫外)LED LEUV-V625A6.KXX-X23 LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:3W
    UV(紫外)LED LEUV-V625A6.KXX-X19 LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:3W
    通用二极管 LEMWS59R80HZ2D00.H1X-R4-HB5-0A LG INNOTEK(乐金伊诺特) 功率:1/2W
    TVS二极管 SMCJ51CA Taiwan Semiconductor
    整流二极管 DD98N25K Infineon(英飞凌) 封装/外壳:BG-PB20-1 FET类型:StandardRecoveryRectifiers 正向电压Vf:1.53V 反向电压Vr:2.5KV 系列:DD98N 配置:Single 正向电流If:98A 工作温度:-40°C~150°C
    整流二极管 DD89N14K Infineon(英飞凌) 封装/外壳:BG-PB20-1 正向电压Vf:1.5V 反向电压Vr:1.4KV 系列:DD89N 正向电流If:89A 工作温度:-40°C~150°C
    通用LED 1254-10SURD/S530-A3-L Everlight(亿光)
    通用LED 15-21SYGC/S530-E2/TR8 Everlight(亿光) 波长:575nm 照度:21.0mcd 工作温度:-40°C~85°C 宽度:1mm 颜色:BLYG 外观颜色:WATER CLEAR 长度:2.7mm 正向电流If:25mA 可视角:130deg
    整流二极管 DD46S12KHPSA1 Infineon(英飞凌) 配置:1 对串联 FET类型:标准 正向电流If:64A 正向电流If:150A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20mA 工作温度-结:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:BG-PB20-1 封装/外壳:模块 配置:串行 正向电流If:45A 反向电压Vr:1200V 引脚数目:3 正向电压Vf:1.6V 长度:92mm 宽度:20mm 高度:30mm 封装/外壳:92 x 20 x 30mm 最大峰值脉冲电流Ipp:20mA 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+150 °C 正向浪涌电流Ifsm:1kA
    整流二极管 DD46S12K Infineon(英飞凌) 封装/外壳:BG-PB20-1 配置:Fast Diodes 热敏电阻Rt:3.9 工作温度-结:125.0 阈值电压Vt0:0.9 结壳热阻RthJC:0.64 正向浪涌电流Ifsm:850.0
    整流二极管 DD400S33KL2C Infineon(英飞凌) 封装/外壳:A-IHV73-3 配置:Dual 高度:38mm 长度:140mm 宽度:73mm 工作温度:-40°C~125°C
    整流二极管 DD400S33K2C Infineon(英飞凌) 封装/外壳:A-IHV130-3 配置:DualParallel 功率耗散Pd:800kW 高度:38mm 长度:140mm 宽度:130mm 工作温度:-40°C~125°C
    整流二极管 DD350N16K Infineon(英飞凌) 封装/外壳:BG-PB50-1 FET类型:RectifierDiodeModule 反向电压Vr:1.6KV 输出电流:550A 栅极触发电流-Igt:30mA 配置:Rectifier Diode 热敏电阻Rt:0.4 工作温度-结:150.0 阈值电压Vt0:0.75 结壳热阻RthJC:0.13 正向浪涌电流Ifsm:11000.0
    整流二极管 DD260N16K Infineon(英飞凌) 封装/外壳:BG-PB50-1 FET类型:RectifierDiodeModule 反向电压Vr:1.6KV 系列:DD260N 配置:SeriesConnection-2Diodes 输出电流:410A 栅极触发电流-Igt:30mA 工作温度:-40°C~150°C
    整流二极管 DD260N12K Infineon(英飞凌) 封装/外壳:BG-PB50-1 FET类型:RectifierDiodeModule 反向电压Vr:1.2KV 系列:DD260N 配置:SeriesConnection-2Diodes 输出电流:410A 栅极触发电流-Igt:30mA 工作温度:-40°C~150°C
    红外发射管 IR204-A Everlight(亿光) 波长:940nm 工作温度:-40°C~85°C 正向电流If:100mA 可视角:35deg
    稳压(齐纳)二极管 DRTR5V0U1SO-7 Diodes(达尔(美台)) 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23
    稳压(齐纳)二极管 DT1446-04SO-7 Diodes(达尔(美台)) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26
    稳压(齐纳)二极管 DRTR5V0U2SR-7 Diodes(达尔(美台)) 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-143
    整流二极管 ES1D-13-F Diodes(达尔(美台)) 工作温度:-55°C~150°C 配置:Single 正向浪涌电流Ifsm:30 A FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 结电容Cj:20pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 正向电流If:1 A 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:920mV 反向电压Vr:200V 宽度:2.92mm 系列:ES1D 长度:4.6mm 高度:2.1mm
    稳压(齐纳)二极管 DT1446-04S-7 Diodes(达尔(美台)) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363
    红外发射管 IR204-A Everlight(亿光) 波长:940nm 工作温度:-40°C~85°C 正向电流If:100mA 可视角:35deg
    红外发射管 IR26-51C/L110/TR8 Everlight(亿光) 波长:940nm 工作温度:-25°C~85°C 正向电流If:65mA 可视角:20deg
    红外发射管 IR26-51C/L110/TR8 Everlight(亿光) 波长:940nm 工作温度:-25°C~85°C 正向电流If:65mA 可视角:20deg
    TVS二极管 DT1240-04LP-7 Diodes(达尔(美台)) 钳位电压Vc:11V 工作温度:-55°C~85°C(TA)
    整流二极管 ES1D-13-F Diodes(达尔(美台)) 工作温度:-55°C~150°C 配置:Single 正向浪涌电流Ifsm:30 A FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 结电容Cj:20pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 正向电流If:1 A 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:920mV 反向电压Vr:200V 宽度:2.92mm 系列:ES1D 长度:4.6mm 高度:2.1mm
    TVS二极管 SMBJ30CD-M3/H Vishay(威世) 封装/外壳:SMD/SMT 反向工作电压Vrwm:30V 钳位电压Vc:47.7V 工作温度:-55°C~150°C
    整流二极管 MMSZ5258B-7-F Diodes(达尔(美台)) 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:70 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 27V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C~150°C 齐纳电压Vz:36V 功率耗散Pd:500mW
    通用二极管 ES1G-13-F Diodes(达尔(美台)) 正向电流If:1 A 正向电压Vf:1.25V 反向电压Vr:400V 工作温度:-55°C~150°C
    整流二极管 ES2CA-13-F Diodes(达尔(美台)) FET类型:标准 反向电压Vr:150V 正向电流If:2A 正向电压Vf:920mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:5µA @ 150V 结电容Cj:25pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-55°C ~ 150°C

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