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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 稳压(齐纳)二极管 | P6KE36A | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC(DO-15) |
| 稳压(齐纳)二极管 | P6KE12ARL | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-15 封装/外壳:Case 反向工作电压Vrwm:10.2V |
| 稳压(齐纳)二极管 | P6KE440A | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-15 |
| 稳压(齐纳)二极管 | P6KE47CA | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-15 |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM15T33CAY | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:28.2V |
| 稳压(齐纳)二极管 | P6KE36CA | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-15 |
| 稳压(齐纳)二极管 | RBO08-40G | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:D2PAK |
| 稳压(齐纳)二极管 | P6KE400CA | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-15(DO-204AC) |
| 稳压(齐纳)二极管 | SA16B3RL | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SO |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM15T15A | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:12.8V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM15T10CA | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:8.55V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM15T100CA | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:85.5V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM15T22A | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:18.8V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM15T68CA | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:58.1V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM15T18CA | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:15.3V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM6T22A | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:18.8V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM15T220CA | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:188V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM6T33CA | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:28.2V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMA4F5.0A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SMAflat 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:5V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMA6J130CA-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:130V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMA6J28CA-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:28V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMA6J10A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:10V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM15T39CAY | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:33.3V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM6T10A | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:8.55V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM30T12CAY | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SMC(DO-214AB) |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM15T39CA | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:33.3V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM30T6.8AY | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SMC(DO-214AB) |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM6T39CA | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:33.3V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM15T30AY | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:SMC 反向工作电压Vrwm:25.6V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMAJ24A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:24V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM6T27A | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:23.1V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMA6J6.5A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:6.5V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM6T6V8CA | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:5.8V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM6T30CAY | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:25.6V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMAJ33A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:33V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMA6J24CA-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:24V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMAJ28CA-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:28V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SM6T39CAY | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:33.3V |
| 整流二极管 | 120SPC060A | SMC(三合微科) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:120A 正向电压Vf:600mV @ 120A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:11mA @ 60V 结电容Cj:4800pF @ 5V,1MHz 封装/外壳:SPD-3A 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | 123NQ100-1 | SMC(三合微科) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:120A 正向电压Vf:910mV @ 120A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3mA @ 100V 结电容Cj:2650pF @ 5V、1MHz 封装/外壳:PRM1-1(Half Pak 模块) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 通用LED | VLMH3100-GS08 | Vishay(威世) | 系列:VLMH 照明颜色:琥珀色 透镜透明度:透明 光强度:10mcd 透镜样式/尺寸:圆形,带平顶,2.40mm 正向电压Vf:2V 测试电流It(mA):10mA 视角:120° 波长-主:618.5nm 峰值波长:635nm 高度:1.85mm |
| 通用LED | VLMS1500-GS08 | Vishay(威世) | 系列:CHIPLED 颜色:红色 毫烛光等级:54mcd 透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.00mm x 0.50mm 电压-正向（Vf）（典型值）:2V 电流-测试:20mA 视角:130° 波长-主:631nm 波长-峰值:639nm 封装/外壳:0402 高度（最大值）:0.35mm |
| 整流二极管 | BYQ28X-200,127 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.25V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:10µA @ 200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 整流二极管 | BYC15X-600PQ | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:15A 正向电压Vf:3.2V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:18ns 反向漏电流Ir:10µA @ 600V 封装/外壳:TO-220F 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | BYV32EB-200,118 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:20A 正向电压Vf:1.15V @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:30µA @ 200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:D2PAK |
| 整流二极管 | BYV29FD-600,118 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:9A 正向电压Vf:1.9V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:50µA @ 600V 封装/外壳:DPAK 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BYT79-500,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:500V 正向电流If:14A 正向电压Vf:1.38V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:50µA @ 500V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BYW29E-150,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:150V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:10µA @ 150V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BYW29EX-200,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:10µA @ 200V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:150°C(最大) |
| 稳压(齐纳)二极管 | EZJ-S2YC822 | Panasonic(松下) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:表面贴装,MLCV 封装/外壳:0805 |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMBJ48A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:48V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMCJ5.0A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMC 封装/外壳:DO-214AB 反向工作电压Vrwm:5V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMBJ18CA-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:18V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMAJ43A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:43V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMP100LC-270 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-214AA,SMB |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMAJ40A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 封装/外壳:SMA 反向工作电压Vrwm:40V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMBJ48CA-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 封装/外壳:SMB 反向工作电压Vrwm:48V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMTPA220 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-214AA,SMB |
| TVS二极管 | SMBJ33CA-TR | ST(意法半导体) | 钳位电压Vc:69.7V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向工作电压Vrwm:33V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMCJ48CA-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMC 封装/外壳:DO-214AB 反向工作电压Vrwm:48V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMP100LC-200 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-214AA,SMB |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMM4F33A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO222-AA 反向工作电压Vrwm:33V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMCJ5.0A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMC 封装/外壳:DO-214AB 反向工作电压Vrwm:5V |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMP100LC-8 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-214AA,SMB |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMTPA62 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-214AA,SMB |
| 稳压(齐纳)二极管 | SMM4F10A-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO222-AA 反向工作电压Vrwm:10V |
| 整流二极管 | DZ2S047M0L | Panasonic(松下) | 齐纳电压Vz:4.7V 偏差:±2.5% 齐纳阻抗Zz:80 Ohms 反向漏电流Ir:2µA @ 1V 正向电压Vf:1V @ 10mA 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SSMini2-F5-B 齐纳电压Vz:4.71V 功率耗散Pd:150mW |
| 整流二极管 | DB2J50100L | Panasonic(松下) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:50V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:550mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:1.6ns 反向漏电流Ir:200µA @ 50V 结电容Cj:4pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:SMini2-F5-B 工作温度-结:125°C(最大) |
| 整流二极管 | DA2JF8100L | Panasonic(松下) | FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:2.5V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:10µA @ 800V 结电容Cj:0.6pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SMini2-F5-B 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | DZ2J180M0L | Panasonic(松下) | 偏差:±2.5% 齐纳阻抗Zz:60 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 13V 正向电压Vf:1V @ 10mA 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 封装/外壳:SMini2-F5-B 齐纳电压Vz:18V 功率耗散Pd:200mW |
| 整流二极管 | DZ2W03300L | Panasonic(松下) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:100 Ohms 反向漏电流Ir:100µA @ 1V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 封装/外壳:迷你型2-F3-B 封装/外壳:Mini2-F3-B 齐纳电压Vz:3.3V 功率耗散Pd:1W |
| 整流二极管 | 12TQ200STR | SMC(三合微科) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:15A 正向电压Vf:920mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 200V 结电容Cj:300pF @ 5V, 1MHz 封装/外壳:D2PAK 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | 1N5225TA | SMC(三合微科) | 齐纳电压Vz:3V 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:29 Ohms 反向漏电流Ir:50µA @ 950mV 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 封装/外壳:DO-35 |
| 红外发射管 | VSMB2020X01 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
| 整流二极管 | 1SMA4744-GT3TR | SMC(三合微科) | 齐纳电压Vz:15V 偏差:±5% 功率耗散Pd:1W 齐纳阻抗Zz:14 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 11.4V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SMA(DO-214AC) |
| 整流二极管 | 1N5256TA | SMC(三合微科) | 齐纳电压Vz:30V 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:49 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 23V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 封装/外壳:DO-35 |
| 整流二极管 | 301CNQ045 | SMC(三合微科) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:150A 正向电压Vf:690mV @ 150A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10mA @ 45V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:PRM4(非隔离式) |
| 整流二极管 | 30WQ15FNTR | SMC(三合微科) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电压Vf:830mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 150V 结电容Cj:60pF @ 5V,1MHz 封装/外壳:DPAK 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 红外发射管 | VSMY2943G | Vishay(威世) | 系列:VSMY2943 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.55V 视角:56° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.55V |
| 红外发射管 | VSMS3700-GS08 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.6mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC |
| 整流二极管 | BY133TA | SMC(三合微科) | FET类型:标准 反向电压Vr:1300V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 1300V 结电容Cj:15pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-41 工作温度-结:-65°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | 69CNQ135SL | SMC(三合微科) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:135V 正向电流If:30A 正向电压Vf:870mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1.5mA @ 135V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:PRM3-SL |
| 整流二极管 | 67SPB020A | SMC(三合微科) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:60A 正向电压Vf:480mV @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:6mA @ 20V 结电容Cj:4050pF @ 5V, 1MHz 封装/外壳:SPD-2A 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | 69SPB135A | SMC(三合微科) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:135V 正向电流If:60A 正向电压Vf:870mV @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 135V 结电容Cj:100pF @ 5V, 1MHz 封装/外壳:SPD-2A 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | ES2DTR | SMC(三合微科) | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:2A 正向电压Vf:950mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:5µA @ 200V 结电容Cj:25pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | MBR40200CT | SMC(三合微科) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电压Vf:900mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 200V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | VS-6EWX06FN-M3 | Vishay(威世) | 系列:FRED Pt® FET类型:标准 正向电压Vf:3.1V @ 6A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:19ns 反向漏电流Ir:20µA @ 600V 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:14ns 正向电流If:6A 反向电压Vr:600V |
| 整流二极管 | MBR1560STR | SMC(三合微科) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:15A 正向电压Vf:590mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 60V 结电容Cj:850pF @ 5V,1MHz 封装/外壳:TO-277B 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 通用二极管 | VS-10MQ100-M3/5AT | Vishay(威世) | 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:780mV@1A |
| 整流二极管 | VS-MBRS130L-M3/5BT | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:1A 正向电压Vf:420mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 30V 结电容Cj:200pF @ 5V,1MHz 封装/外壳:SMB(DO-214AA) 工作温度-结:-55°C ~ 125°C |
| 通用LED | VSMY14940 | Vishay(威世) | 系列:VSMY 功率:0.119W 封装/外壳:SMD/SMT 上升时间:10 ns 正向电流If:70 mA 照明颜色:InFrared FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:70mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:50mW/sr @ 70mA 波长-主:940nm 正向电压Vf:1.48V 视角:18° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C~85°C(TA) |
| 红外发射管 | VSMY7850X01-GS08 | Vishay(威世) | 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:130mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 整流二极管 | MBRF2045CTP | SMC(三合微科) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电压Vf:840mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 45V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:ITO-220AB |
| 整流二极管 | RL106TA | SMC(三合微科) | FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 800V 结电容Cj:15pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:A-405 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | MBRD1080CTTR | SMC(三合微科) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:80V 正向电压Vf:750mV @ 5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 80V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DPAK |
| 整流二极管 | SBRF1060CTL | SMC(三合微科) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电压Vf:650mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 60V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:ITO-220AB |
| 整流二极管 | MBRF2080CTL | SMC(三合微科) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:80V 正向电压Vf:750mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 80V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:ITO-220AB |
| 整流二极管 | MBRD380TR | SMC(三合微科) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:80V 正向电流If:3A 正向电压Vf:750mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 80V 结电容Cj:250pF @ 5V, 1MHz 封装/外壳:DPAK 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | MBRF3040CT | SMC(三合微科) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 正向电压Vf:700mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 40V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 封装/外壳:ITO-220AB 正向电流If:30A 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:0.7V 反向漏电流Ir:100uA 正向浪涌电流Ifsm:200A |
| 整流二极管 | SDURD830TR | SMC(三合微科) | FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:10µA @ 300V 封装/外壳:DPAK 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |