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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 稳压(齐纳)二极管 | MMSZ5267B-E3-18 | 反向漏电流Ir:100nA @ 56V 封装/外壳:SOD-123 功率:500mW 容差:±5% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:75V 齐纳阻抗Zzt:270 Ohms | |
| TVS二极管 | SMC3K43CA-M3/57 | 钳位电压Vc:69.4V 封装/外壳:DO-214AB,SMC 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:47.8V 反向工作电压Vrwm:43V 峰值脉冲电流Ipp:43.2A | |
| 整流二极管 | JAN1N5417 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/411 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.5V@9A 工作温度-结:-65°C ~ 175°C FET类型:标准 反向电压Vr:200V 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:150ns 反向漏电流Ir:1uA@200V 封装/外壳:轴向 | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VI20100C-M3/4W | 反向漏电流Ir:800uA @ 100V 反向电压Vr:100V 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 正向电压Vf:790mV @ 10A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX384B3V3-E3-08 | 反向漏电流Ir:5uA @ 1V 封装/外壳:SOD-323 功率:200mW 容差:±2% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:3.3V 齐纳阻抗Zzt:95 Ohms | |
| 稳压(齐纳)二极管 | VLZ30A-GS18 | 反向漏电流Ir:40uA @ 25.6V 封装/外壳:SOD-80 功率:500mW 工作温度:-65℃~175℃ 齐纳电压Vz:27.69V 齐纳阻抗Zzt:55 Ohms | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MMSZ5240C-E3-08 | 反向漏电流Ir:3uA @ 8V 封装/外壳:SOD-123 功率:500mW 容差:±2% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:10V 齐纳阻抗Zzt:17 Ohms | |
| 整流二极管 | BZT52B10-E3-18 | 封装/外壳:SOD-123 容差:±2% 齐纳电压Vz:10V 齐纳阻抗Zzt:5.2 Ohms 功率:410mW 反向漏电流Ir:100nA @ 7.5V 工作温度:-55℃`150℃ | |
| TVS二极管 | PESD5V0S1UB,115 | 封装/外壳:SOD523 反向工作电压Vrwm:5V 峰值脉冲电流Ipp:15A 反向击穿电压Vbr:6.4V 钳位电压Vc:20V | |
| TVS二极管 | 3KASMC15AHE3_A/I | 钳位电压Vc:24.4V 封装/外壳:DO-214AB,SMC 工作温度:-65°C~185°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:16.7V 反向工作电压Vrwm:15V 峰值脉冲电流Ipp:123A | |
| 通用LED | SLA560ECT3F | 测试电流It(mA):20mA 视角:40° 波长-主:527nm 高度:7.70mm 照明颜色:蓝绿 透镜颜色/类型:无色 透镜透明度:透明 光强度:2000mcd 透镜样式/尺寸:圆形,带圆顶,5mm(T-1 3/4),5.00mm 正向电压Vf:3.3V | |
| 通用LED | VLMY71AAAC-GS08 | 不同电流/温度下的光通量:30lm(21lm ~ 39lm) 封装/外壳:2424 波长:591nm(585nm ~ 597nm) 流明/瓦,不同电流-测试时:30 lm/W 温度-测试:25°C 电压-正向(Vf)(典型值):2.5V 电流-最大值:400mA 电流-测试:400mA 视角:120° 颜色:黄色 | |
| 稳压(齐纳)二极管 | DZ2424000L | 封装/外壳:SC-110A 反向漏电流Ir:10uA @ 17V 功率:2W 齐纳电压Vz:24V 齐纳阻抗Zzt:30 Ohms 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 整流二极管 | SURA8260T3G | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.45V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:5uA@600V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 通用LED | LXR7-SW50 | 系列:LUXEON M 颜色:白色,冷色 CCT（K）:5000K 85°C时通量，电流-测试:1050 lm(标准) 电流-测试:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:11.2V 不同测试电流时的流明/瓦:134 lm/W CRI（高显色指数）:70 电流-最大值:1.2 A 视角:120° 封装/外壳:2828 封装/外壳:7.00mm x 7.00mm 高度-安装（最大值）:0.152"(3.87mm) 封装热阻:1.25°C/W | |
| 肖特基(SBD)二极管 | MBR10100CT-M3/4W | 反向漏电流Ir:100uA @ 100V 反向电压Vr:100V 封装/外壳:TO-220-3 正向电压Vf:850mV @ 5A | |
| 通用LED | LN28RALUS | ||
| 稳压(齐纳)二极管 | SMBJ5.0AE3/TR13 | 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SMBJ(DO-214AA) 封装/外壳:SMBJ | |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84J-B3V3,115 | 封装/外壳:SOD323F 齐纳电压Vz:3.3V 功率:550mW 容差:±2% 齐纳阻抗Zzt:95 Ohms 反向漏电流Ir:5uA @ 1V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MPLAD15KP70CAE3 | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PLAD | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MPLAD15KP40CAE3 | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PLAD | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MPLAD15KP33CAE3 | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PLAD | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MPLAD15KP33A | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PLAD | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MPLAD15KP14CAE3 | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PLAD | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MPLAD15KP11CAE3 | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PLAD | |
| 整流二极管 | UF5407-TP | FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.7V@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:10uA@800V 结电容Cj:50pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AD 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | VS-VSKJ56/08 | 反向电压Vr:800V 反向漏电流Ir:10mA 封装/外壳:ADD-A-PAK® 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:30A | |
| 整流二极管 | SMAZ7V5-TP | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:2 Ohms 反向漏电流Ir:5uA@5V 正向电压Vf:1.2V@200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC(SMAJ) 封装/外壳:SMA 齐纳电压Vz:7.5V 功率耗散Pd:1W | |
| 整流二极管 | IDH09SG60CXKSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):2.1V @ 9A 不同Vr时电流-反向泄漏:80uA @ 600V 不同 Vr、F时电容:280pF @ 1V,1MHz 二极管类型:碳化硅肖特基 反向恢复时间(trr):0ns 封装/外壳:TO-220-2 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):600V 电流-平均整流(Io):9A(DC) 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) | |
| 整流二极管 | VS-SD1100C12C | 反向电压Vr:1200V 正向电压Vf:1.31V 反向漏电流Ir:35mA 封装/外壳:B-43,Hockey PUK 正向电流If:1400A | |
| 整流二极管 | USB260-M3/52T | 封装/外壳:DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm:90A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.6V 反向漏电流Ir:5uA 反向恢复时间Trr:30ns 工作温度:-55℃~150℃ 结电容Cj:45pF@4V,1MHz | |
| 整流二极管 | MBR1045ULPS-TP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:470mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:250uA@45V 封装/外壳:TO-277B 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| TVS二极管 | SMBJ170CA-M3/52 | 钳位电压Vc:275V 封装/外壳:DO-214AA,SMB 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向击穿电压Vbr:189V 反向工作电压Vrwm:170V 峰值脉冲电流Ipp:2.2A | |
| 整流二极管 | S5D-E3/57T | 反向电压Vr:200V 正向电压Vf:1.15V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:DO-214AB 反向恢复时间Trr:2.5us 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:5A | |
| 整流二极管 | 1SS193,LF | 不同Vr、F时电容:3pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 产品状态:在售 封装/外壳:S-Mini 反向恢复时间Trr:4 ns 反向漏电流Ir:500 nA @ 80 V 反向电压Vr:80 V 工作温度-结:125°C(最大) 正向电压Vf:1.2 V @ 100 mA 正向电流If:100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | |
| 整流二极管 | BAW27-TAP | 反向电压Vr:60V 正向电压Vf:1.25V 反向漏电流Ir:100nA 封装/外壳:DO-35 反向恢复时间Trr:6ns 工作温度:175℃(最大) 正向电流If:600mA | |
| 肖特基(SBD)二极管 | SL23HE3_A/H | 封装/外壳:DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm:100A 反向峰值电压Vrrm:30V 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:0.44V 反向漏电流Ir:400uA 工作温度:-55℃~125℃ | |
| 整流二极管 | SBR15U100CTLQ-13 | 封装/外壳:TO-252 正向浪涌电流Ifsm:100A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V 正向电流If:7.5A 正向电压Vf:0.8V 反向漏电流Ir:80uA 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 整流二极管 | IDP45E60XKSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):2V @ 45A 不同Vr时电流-反向泄漏:50uA @ 600V 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):140ns 封装/外壳:TO-220-2 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):600V 电流-平均整流(Io):71A(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | IDP12E120XKSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):2.15V @ 12A 不同Vr时电流-反向泄漏:100uA @ 1200V 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):150ns 封装/外壳:TO-220-2 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):1200V 电流-平均整流(Io):28A(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | |
| RF二极管 | BAS3010S02LRHE6327XTSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):650mV @ 1A 不同Vr时电流-反向泄漏:300uA @ 30V 不同 Vr、F时电容:15pF @ 5V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SOD-882 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 电流-平均整流(Io):1A 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | NSR10F30NXT5G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:1A(DC) 正向电压Vf:470mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@30V 封装/外壳:2-DSN(1.4x0.6) 工作温度-结:150°C(最大) | |
| TVS二极管 | MMBZ5V6AL,215 | 封装/外壳:SOT23 反向击穿电压Vbr:5.32V 工作温度:150℃ 峰值脉冲电流Ipp:3A 钳位电压Vc:8V 反向工作电压Vrwm:5.6V 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VS-MBRD660CTTRRPBF | 反向漏电流Ir:100uA @ 60V 反向电压Vr:60V 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 正向电压Vf:650mV @ 3A | |
| 整流二极管 | VS-UFB280FA40 | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.24V 反向漏电流Ir:50uA 封装/外壳:SOT-227 反向恢复时间Trr:93ns 正向电流If:170A | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VBT6045CBP-E3/4W | 反向漏电流Ir:3mA @ 45V 反向电压Vr:45V 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 正向电压Vf:640mV @ 30A | |
| 整流二极管 | AU3PM-M3/86A | 封装/外壳:TO-277A 正向浪涌电流Ifsm:45A 反向峰值电压Vrrm:1000V 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1.4A 正向电压Vf:2.5V 反向漏电流Ir:10uA 工作温度:-55℃~175℃ | |
| 整流二极管 | NSVBAT54HT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:800mV@100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:2uA@25V 结电容Cj:10pF @ 1V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | MBRB10100-E3/8W | 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:800mV 反向漏电流Ir:100uA 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-65℃~150℃ 正向电流If:10A | |
| 整流二极管 | B130-E3/61T | 反向电压Vr:30V 正向电压Vf:520mV 反向漏电流Ir:200uA 封装/外壳:DO-214AC 工作温度:-65℃~125℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | SS1200-LTP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:920mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@200V 结电容Cj:110pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度-结:-50°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | VS-40CPQ060-N3 | 封装/外壳:TO-247AC 正向浪涌电流Ifsm:3200A 反向峰值电压Vrrm:60V 反向电压Vr:60V 正向电流If:40A 正向电压Vf:0.68V 反向漏电流Ir:1.7mA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 整流二极管 | VS-8EWX06FNTR-M3 | 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:3V 反向漏电流Ir:50uA 封装/外壳:TO-252AA 反向恢复时间Trr:17ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:8A | |
| 整流二极管 | JANTXV1N5622 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/427 FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V@3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2µs 反向漏电流Ir:500nA@1000V 封装/外壳:A,轴向 工作温度-结:-65°C ~ 200°C | |
| 整流二极管 | MSE1PG-M3/89A | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:1uA 封装/外壳:DO-219AD 反向恢复时间Trr:780ns 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | 1N5626-TR | 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:1uA 封装/外壳:SOD-64 反向恢复时间Trr:7.5us 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:3A | |
| 整流二极管 | S2GHE3_A/I | 封装/外壳:DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm:50A 反向峰值电压Vrrm:400V 反向电压Vr:400V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1.15V 反向漏电流Ir:1uA 反向恢复时间Trr:2us 工作温度:-55℃~150℃ 结电容Cj:16pF@4V,1MHz | |
| 整流二极管模块 | DD600N16KHPSA3 | 不同If时电压-正向(Vf):1.32V @ 1800A 不同Vr时电流-反向泄漏:40mA @ 1600V 二极管类型:标准 二极管配置:1 对串联 封装/外壳:模块 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):1600V 电流-平均整流(Io)(每二极管):600A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | SE30AFG-M3/6B | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:DO-221AC 反向恢复时间Trr:1.5us 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:1.4A | |
| 整流二极管 | RGP10GE-E3/54 | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.3V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:DO-41 反向恢复时间Trr:150ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | S3DB-TP | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.15V@3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10uA@200V 封装/外壳:DO-214AA(SMB) | |
| 整流二极管 | JAN1N3023B-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/115 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:10 Ohms 反向漏电流Ir:10uA@9.9V 正向电压Vf:1.2V@200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:13V 功率耗散Pd:1W | |
| 整流桥 | DB3S314F0L | ||
| 整流二极管 | BAV99DW-TP | 配置:2 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:150mA 正向电压Vf:1.25V@150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:2.5uA@75V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-363 | |
| 整流二极管 | SS110E-TP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:850mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@100V 结电容Cj:30pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SMAE 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 快恢复/超快恢复二极管 | VS-8EWS08STRL-M3 | 封装/外壳:TO-252AA 正向浪涌电流Ifsm:150A 反向峰值电压Vrrm:800V 反向电压Vr:800V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:50uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZG03C11TR3 | 反向漏电流Ir:4uA @ 8.2V 封装/外壳:DO-214AC 功率:1.25W 工作温度:-65℃~150℃ 齐纳电压Vz:11V 齐纳阻抗Zzt:7 Ohms | |
| 整流二极管 | VS-HFA240NJ40CPBF | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.5V 反向漏电流Ir:5nA 封装/外壳:TO-244AB 反向恢复时间Trr:120ns 正向电流If:240A | |
| 整流桥 | BAS21TMR6T1G | ||
| 肖特基(SBD)二极管 | DFLS1200Q-7 | 封装/外壳:PowerDI123 正向浪涌电流Ifsm:40A 反向峰值电压Vrrm:200V 反向电压Vr:200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:850mV 反向漏电流Ir:2uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 整流二极管 | SBAT54CLT1G | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:800mV@100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:2uA@25V 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 整流二极管 | US1A-TP | FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:10uA@50V 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 通用二极管 | LL4148 | ||
| 整流二极管 | S4PM-M3/86A | 反向电压Vr:1000V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:TO-277A 反向恢复时间Trr:2.5us 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:4A | |
| 整流二极管模块 | BAS70W-04Q-7-F | ||
| 通用LED | EALP03RDCWA1 | 颜色:白色 透镜颜色:无色 透镜透明度:透明 毫烛光等级:3950mcd 透镜样式/尺寸:圆形,带圆顶,2.90mm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.2V 电流-测试:20mA 视角:40° 高度（最大值）:6.20mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:3.2V 电流 - 测试:20mA 封装/外壳:3mm | |
| 通用LED | 19-21UYC/S530-A4/TR8 | 颜色:黄色 透镜颜色:无色 透镜透明度:透明 毫烛光等级:79mcd 透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.20mm x 0.80mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2V 电流 - 测试:20mA 视角:100° 波长 - 主:589nm 波长 - 峰值:591nm 高度（最大值）:1.00mm 封装/外壳:0603 | |
| 通用LED | 12-21SYGC/S530-E2/TR8 | 封装/外壳:3.0*2.0*1.0 | |
| 肖特基(SBD)二极管 | DFLS1100Q-7 | 封装/外壳:PowerDI123 正向浪涌电流Ifsm:50A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:770mV 反向漏电流Ir:0.35uA 工作温度:-55℃~175℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | SS5P6HM3_A/H | 封装/外壳:TO-277A 正向浪涌电流Ifsm:150A 反向峰值电压Vrrm:60V 反向电压Vr:60V 正向电流If:5A 正向电压Vf:0.69V 反向漏电流Ir:150uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 整流二极管 | US1GHE3_A/H | 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:30A 反向峰值电压Vrrm:400V 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:10uA 反向恢复时间Trr:50ns 工作温度:-55℃~150℃ 结电容Cj:15pF@4V,1MHz | |
| 肖特基(SBD)二极管 | NRVBA160T3G | 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:60A 反向峰值电压Vrrm:60V 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:0.51V 反向漏电流Ir:200uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 整流二极管 | SURA8110T3G | FET类型:标准 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:875mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:2uA@100V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | BAV23C-E3-08 | 反向电压Vr:200V 正向电压Vf:1.25V 反向漏电流Ir:100nA 封装/外壳:SOT-23 反向恢复时间Trr:50ns 工作温度:150℃(最大) 正向电流If:200mA | |
| 整流二极管 | V8P10-M3/87A | 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:680mV 反向漏电流Ir:70uA 封装/外壳:TO-277A 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:8A | |
| 整流二极管 | VS-8EWS08STR-M3 | 反向电压Vr:800V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:50uA 封装/外壳:TO-252AA 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:8A | |
| 整流二极管 | VS-301CNQ045PBF | 反向电压Vr:45V 正向电压Vf:900mV 反向漏电流Ir:10mA 封装/外壳:TO-244AB 正向电流If:300A | |
| 整流二极管 | S1D-E3/5AT | 反向电压Vr:200V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:1uA 封装/外壳:DO-214AC 反向恢复时间Trr:1.8us 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:1A | |
| 稳压(齐纳)二极管 | MMBZ4709-G3-08 | 反向漏电流Ir:10nA @ 18.2V 封装/外壳:SOT-23-3 功率:350mW 容差:±5% 工作温度:-55℃~150℃ 齐纳电压Vz:24V | |
| 整流二极管 | MMSZ4693T1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 反向漏电流Ir:10uA@5.7V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:7.5V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | US1GHE3_A/I | 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:30A 反向峰值电压Vrrm:400V 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:10uA 反向恢复时间Trr:50ns 工作温度:-55℃~150℃ 结电容Cj:15pF@4V,1MHz | |
| 肖特基(SBD)二极管 | SS26HE3_A/H | 封装/外壳:DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm:75A 反向峰值电压Vrrm:60V 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:0.7V 反向漏电流Ir:400uA 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 肖特基(SBD)二极管 | VS-MBRS1100-M3/5BT | 封装/外壳:DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm:870A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:0.78V 反向漏电流Ir:500uA 工作温度:-55℃~175℃ | |
| 整流二极管模块 | MMBD3004CQ-7-F | ||
| 整流二极管 | SS2003M-TL-W | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:400mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:1.25mA@15V 结电容Cj:75pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:6-MCPH 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管 | UD1006FR-H | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.3V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:150ns 反向漏电流Ir:100uA@600V 封装/外壳:TO-220-2 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | MBRM110LT3G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:10V 正向电流If:1A 正向电压Vf:365mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@10V 封装/外壳:Powermite 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管 | 1N5399-E3/54 | 反向电压Vr:1000V 正向电压Vf:1.4V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:DO-41 反向恢复时间Trr:2us 工作温度:-50℃~150℃ 正向电流If:1.5A | |
| 整流二极管 | RB521G-30-TP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:100mA 正向电压Vf:350mV@10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:10uA@10V 封装/外壳:SOD-723 工作温度-结:125°C(最大) | |
| 整流二极管 | MBRAF440T3G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:4A 正向电压Vf:485mV@4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:300uA@40V 封装/外壳:SMA-FL 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |