IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | KTR03EZPF5104 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:0603 封装/外壳:0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装（最大值）:0.022"(0.55mm) 端子数:2 电阻:5.1M 偏差:±1% 功率:1/10W 成分:厚膜 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C |
| 未分类 | ESR18EZPF6202 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:1206 封装/外壳:0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm) 高度 - 安装（最大值）:0.026"(0.65mm) 端子数:2 电阻:62k 偏差:±1% 功率:1/3W 成分:厚膜 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C |
| 未分类 | KTR03EZPF6202 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:0603 封装/外壳:0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装（最大值）:0.022"(0.55mm) 端子数:2 电阻:62k 偏差:±1% 功率:1/10W 成分:厚膜 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C |
| 未分类 | ESR25JZPF6202 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:1210 封装/外壳:0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm) 高度 - 安装（最大值）:0.026"(0.65mm) 端子数:2 电阻:62k 偏差:±1% 功率:1/2W 成分:厚膜 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C |
| 未分类 | ESR03EZPF6202 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:0603 封装/外壳:0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装（最大值）:0.022"(0.55mm) 端子数:2 电阻:62k 偏差:±1% 功率:1/4W 成分:厚膜 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C |
| 未分类 | ESR10EZPF6202 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:0805 封装/外壳:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装（最大值）:0.026"(0.65mm) 端子数:2 电阻:62k 偏差:±1% 功率:2/5W 成分:厚膜 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C |
| 未分类 | KTR18EZPF6202 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:1206 封装/外壳:0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm) 高度 - 安装（最大值）:0.026"(0.65mm) 端子数:2 电阻:62k 偏差:±1% 功率:1/4W 成分:厚膜 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C |
| 通用贴片电阻 | UCR006YVPFLR220 | ROHM(罗姆) | 电阻:220mOhms 偏差:±1% 功率:1/10W 封装/外壳:0201 封装/外壳:0.024" 长 x 0.013" 宽(0.60mm x 0.33mm) |
| 通用芯片 | BD33HC5WEFJ-E2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.3V 电流 - 输出:1.5A 电压 - 跌落（典型值）:0.6V @ 1.5A 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:4.5 V ~ 8 V |
| 集成电路(芯片) | BA6956AN | ROHM(罗姆) | 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:开/关 电流-输出:1A 电压-负载:6.5 V ~ 15 V 工作温度:-20°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:9-SIP |
| TVS二极管 | RSA6.1U5T108 | ROHM(罗姆) | |
| 通用芯片 | BD33HC0WEFJ-E2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.3V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:0.6V @ 1A 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:4.5 V ~ 8 V |
| 电路监控 | BD4743G-TR | ROHM(罗姆) | 系列:BD47xx FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4.3V 工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP |
| 通用放大器 | BU7485G-TR | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:1.5mA 电流 - 输出/通道:12mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 5.5 V,±1.5 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 电路数:1 Ohms 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:10MHz |
| 通用三极管 | DTB523YMT2L | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:260MHz 功率:3/20W 封装/外壳:SOT-723 FET类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 100mA,2V |
| 通用二极管 | RB521ZS-30T2R | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:30V 正向电流If:100mA 正向电压Vf:370mV@10mA |
| 开关稳压器 | BD9E300EFJ-LBE2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:7V 电压-输入（最大值）:36V 电压-输出（最小值/固定）:1V 电压-输出（最大值）:25.2V 电流-输出:2.5A 频率-开关:1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-HTSOP-J |
| 存储器 | BR93L66RFJ-WE2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (256 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
| 通用芯片 | BA80BC0WT | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:TO-220-5整包 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:8V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:0.3V @ 200mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 16V |
| 通用放大器 | BA4560RFV-E2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:50nA 电压 - 输入失调:500µV 电流 - 电源:3mA 电流 - 输出/通道:25mA 电压 - 电源，单/双（±）:8 V ~ 30 V,±4 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-LSSOP 电路数:2 压摆率:4 V/µs 增益带宽积:4MHz |
| 开关稳压器 | BD9E101FJ-LBGE2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:7V 电压-输入（最大值）:36V 电压-输出（最小值/固定）:1V 电压-输出（最大值）:25.2V 电流-输出:1A 频率-开关:570kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP-J |
| 通用二极管 | SCS230AE2HRC | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:1.2KV 正向电流If:10A(DC) 正向电压Vf:1.6V@10A |
| TVS二极管 | UMZC6.8NT106 | ROHM(罗姆) | |
| TVS二极管 | RSA6.1J4T2R | ROHM(罗姆) | |
| TVS二极管 | RSB6.8F2T106 | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | DTA143ZEBTL | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 频率 - 跃迁:250MHz 功率:3/20W 封装/外壳:SC-89,SOT-490 FET类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:4.7k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA,5V |
| 稳压(齐纳)二极管 | RSB18F2T106 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:UMD3 封装/外壳:UMD 齐纳电压Vz:18V |
| 通用芯片 | BA1117FP-E2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-20°C ~ 105°C 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 稳压器拓扑:正,可调式 电压 - 输出:可调至 1.25V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:1.2V @ 1A 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 10V |
| 通用芯片 | BA7812CP-E2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:TO-220-3截切引线 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:12V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:2V @ 1A 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:14.5 V ~ 27 V |
| 通用二极管 | RSB16F2T106 | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:12V |
| 通用二极管 | 1SS390TE61 | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:35V 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:EMD2 |
| 通用三极管 | 2SA1036KT146R | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 30mA,300mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA,3V 功率:1/5W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMT3 封装/外壳:SMT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:32V |
| 通用三极管 | 2SA1774TLS | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:150mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA,6V 功率:3/20W 频率-跃迁:140MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMT3 封装/外壳:EMT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| LDO(低压差线性稳压器) | BA178M07FP-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:22V 电压-输出（最小值/固定）:7V 压降（最大值）:2V @ 500mA(标准) 电流-输出:500mA 电流-电源:4.5mA ~ 6mA PSRR:71dB(120Hz) 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:TO-252-3 |
| 通用三极管 | 2SC4081T106Q | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:150mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA,6V 功率:1/5W 频率-跃迁:180MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:UMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | 2SD2704KT146 | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:300mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA,30mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 4ma,2V 功率:1/5W 频率-跃迁:35MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:20V |
| 未分类 | 2SC5825TLQ | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:CPT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | 2SD2654TLV | ROHM(罗姆) | 系列:2SD Current-Collector(Ic)(Max):150mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:300nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 1mA,5V Power-Max:150mW 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | 2SC3906KT146S | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA,6V 功率:1/5W 频率-跃迁:140MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMT3 封装/外壳:SMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.05A 集电极_发射极击穿电压VCEO:120V |
| 通用三极管 | 2SC3838KT146N | ROHM(罗姆) | Current-Collector(Ic)(Max):50mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:56 @ 5mA,10V Power-Max:200mW 频率-跃迁:3.2GHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMT3 封装/外壳:SMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.05A 集电极_发射极击穿电压VCEO:11V |
| 通用三极管 | 2SD2537T100V | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 10mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:300nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 500mA,5V 功率:2W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT3 封装/外壳:MPT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1.2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:25V |
| 通用三极管 | 2SC4713KT146S | ROHM(罗姆) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:6V 频率-跃迁:800MHz 功率:1/5W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 5mA,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMT3 |
| 通用三极管 | 2SD1733TLR | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 20mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA,3V Power-Max:10W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:CPT3 封装/外壳:CPT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 未分类 | 2SD2704KT146-CUT TAPE | ROHM(罗姆) | |
| 小信号MOSFET | 2SK3019TL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8Ω@10mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.1A |
| 通用三极管 | 2SC5876T106R | ROHM(罗姆) | Current-Collector(Ic)(Max):500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 50mA,2V Power-Max:200mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:UMT3 封装/外壳:UMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | 2SD2143TL | ROHM(罗姆) | Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A,2V Power-Max:10W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:CPT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:70V |
| 通用三极管 | 2SA2088T106Q | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 50mA,2V 功率:1/5W 频率-跃迁:400MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:UMT3 封装/外壳:UMT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 运算放大器 | BA2904SF-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.2 V/µs 增益带宽积:500kHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:30mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOP |
| 未分类 | BA10393 | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | 2SB1260T100Q | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA,3V 功率:2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT3 封装/外壳:MPT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | 2SD2704KT146 | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:300mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:100mV @ 3mA,30mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:820 @ 4ma,2V 功率:1/5W 频率-跃迁:35MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:20V |
| 通用MOSFET | 2SK3065T100 | ROHM(罗姆) | FET 类型:N 通道 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A(Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V,4V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:320 毫欧 @ 1A,4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 10V 功率耗散（最大值）:500mW(Ta) 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA |
| 集成电路(芯片) | BA040LBSG2-TR | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:7V 电压-输出（最小值/固定）:4V 压降（最大值）:0.15V @ 50mA 电流-输出:150mA 电流-电源:15µA PSRR:66dB ~ 56dB(400Hz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SMP5 |
| 通用三极管 | 2SC4132T100R | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2V @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA,5V 频率-跃迁:80MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:120V 功率:2W 发射极 - 基极电压 VEBO:5V 特征频率fT:80MHz 宽度:2.5mm FET类型:NPN 最大直流电集电极电流:3A 直流电流增益 hFE 最大值:390 直流集电极/Base Gain hfe Min:82 系列:2SC4132 配置:Single 长度:4.50mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:120V 集电极—基极电压 VCBO:120V 集电极—射极饱和电压:2V 集电极连续电流:2A 高度:1.50mm |
| 开关控制器 | BA9741F-E2 | ROHM(罗姆) | 输出类型:晶体管驱动器 功能:升压,降压 输出配置:正或负 拓扑:降压,升压 输出数:2 电压-电源（Vcc/Vdd）:3.6 V ~ 35 V 频率-开关:10kHz ~ 800kHz 占空比（最大）:1 Ohms 同步整流器:是 时钟同步:无 控制特性:空载时间控制,软启动 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOP |
| 集成电路(芯片) | BA5406 | ROHM(罗姆) | FET类型:AB 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:5W x 2 @ 3 欧姆 电压-电源:5 V ~ 15 V 工作温度:-20°C ~ 75°C(TA) 封装/外壳:12-SIP |
| LDO(低压差线性稳压器) | BA70BC0T | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:16V 电压-输出（最小值/固定）:7V 电流-输出:1A 电流-电源:0.5mA ~ 0.9mA 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:TO-220FP |
| 电路监控 | BD46462G-TR | ROHM(罗姆) | 系列:BD46xxx FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 180 ms 电压-阈值:4.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP |
| 电机驱动/控制器 | BD6210F-E2 | ROHM(罗姆) | 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:开/关 电流-输出:500mA 电压-负载:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP |
| 整流二极管 | BAV99T116 | ROHM(罗姆) | 配置:1 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:215mA 正向电压Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:1µA @ 75V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:SSD3 |
| 电源开关 | BD2041AFJ-E2 | ROHM(罗姆) | 开关类型:USB 开关 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 导通电阻（典型值）:80 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP-J |
| LDO(低压差线性稳压器) | BAJ0CC0FP-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:25V 电压-输出（最小值/固定）:10V 电流-输出:1A 电流-电源:2.5mA ~ 5mA PSRR:55dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-252-3 |
| 整流二极管 | BAV70T116 | ROHM(罗姆) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:70V 正向电流If:215mA 正向电压Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:2.5µA @ 70V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:SSD3 |
| 未分类 | BA9743AFV-E2-CUT TAPE | ROHM(罗姆) | |
| 电路监控 | BD4746G-TR | ROHM(罗姆) | 系列:BD47xx FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4.6V 工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP |
| LDO(低压差线性稳压器) | BD450M5WFP2-CZE2 | ROHM(罗姆) | 稳压器数:1 Ohms 电流-输出:500mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-263-5F PSRR/纹波抑制—典型值:60dB 回动电压:200mV 回动电压—最大值:500mV 工作电源电流(mA):38uA 最大输入电压:42V 最小输入电压:3V 电压调节准确度:2% 系列:BD450M5WFP2-CZ 线路调整率:10mV 负载调节:10mV 输出电压:5 V 输出电流:500 mA 输出端数量:1Output 输出类型:Fixed 静态电流:38uA |
| 电路监控 | BD48K26G-TL | ROHM(罗姆) | 系列:BD48xxx FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:2.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:3-SSOP |
| 电路监控 | BD4933G-TR | ROHM(罗姆) | 系列:BD49xxx FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压-阈值:3.3V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP |
| 电路监控 | BD5240G-TR | ROHM(罗姆) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP |
| 开关稳压器 | BD9702CP-V5E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:8V 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:1V 电压-输出（最大值）:32V 电流-输出:3A 频率-开关:110kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TO220CP-V5 |
| 电机驱动/控制器 | BD63843EFV-E2 | ROHM(罗姆) | 电机类型-步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 步进分辨率:1,1/2,1/8,1/16 电流-输出:700mA 电压-负载:19 V ~ 28 V 工作温度:-25°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:28-HTSSOP-B |
| 开关稳压器 | BD9C301FJ-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:4.5V 电压-输入（最大值）:18V 电压-输出（最小值/固定）:0.8V 电压-输出（最大值）:12.6V 电流-输出:3A 频率-开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP-J |
| 未分类 | BD6231F-BZE2 | ROHM(罗姆) | |
| 开关稳压器 | BD9G101G-TR | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:6V 电压-输入（最大值）:42V 电压-输出（最小值/固定）:1V 电压-输出（最大值）:29.4V 电流-输出:500mA 频率-开关:1.5MHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:6-SSOP |
| 未分类 | BD65D00MUV-BZE2 | ROHM(罗姆) | |
| 其它 | BH1418FV-E2 | ROHM(罗姆) | 频率:76MHz ~ 108MHz 调制或协议:FM 功率-输出:-7dBm 电流-传输:18.5mA 天线连接器:PCB,表面贴装 电压-电源:2.7 V ~ 4 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-LSSOP(0.220",5.60mm 宽) |
| 电机驱动/控制器 | BD6231F-E2 | ROHM(罗姆) | 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:开/关 电流-输出:1A 电压-负载:6 V ~ 32 V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP |
| 门驱动器 | BU2090FS-E2 | ROHM(罗姆) | FET类型:驱动器 驱动器/接收器数:1/0 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-25°C ~ 75°C 封装/外壳:16-SSOPA |
| 电机驱动/控制器 | BD6221F-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:半桥(2) 接口:逻辑 负载类型:电感 导通电阻（典型值）:1.5 欧姆 电流-输出/通道:1A 电压-负载:6 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 故障保护:限流,超温,过压,UVLO 封装/外壳:8-SOP |
| LDO(低压差线性稳压器) | BH33MA3WHFV-TR | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:5.5V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:0.09V @ 100mA 电流-输出:300mA 电流-电源:95µA PSRR:60dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-HVSOF |
| 开关稳压器 | BD9111NV-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:固定 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:4.5V 电压-输入（最大值）:5.5V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 电流-输出:2A 频率-开关:1MHz 同步整流器:是 工作温度:-25°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SON008V5060 |
| 未分类 | BU25UC3WG-TR | ROHM(罗姆) | |
| 未分类 | BD9109FVM-TR-CUT TAPE | ROHM(罗姆) | |
| 未分类 | BD9302FP-E2-CUT TAPE | ROHM(罗姆) | |
| AC-DC转换器 | BD7683FJ-LBE2 | ROHM(罗姆) | 输出隔离:隔离 内部开关:无 拓扑:反激 电压-启动:19.5V 电压-电源（Vcc/Vdd）:15 V ~ 27.5 V 频率-开关:120kHz 故障保护:限流,过载,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP-J |
| 未分类 | BD6231F-BZE2 | ROHM(罗姆) | |
| 集成电路(芯片) | BD9001F-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:7V 电压-输出（最小值/固定）:1V 电压-输出（最大值）:48V 电流-输出:2A 频率-开关:50kHz ~ 300kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 95°C(TA) 封装/外壳:8-SOP |
| 通用芯片 | BD80C0AWFP-CE2 | ROHM(罗姆) | PSRR/纹波抑制—典型值:55dB 回动电压:0.3V 回动电压—最大值:0.5Vat500mA 最大输入电压:26.5V 最小输入电压:4V 极性:Positive 电压调节准确度:1% 线路调整率:20mV 输出电压:8 V 输出电流:1 A 输出端数量:1Output 输出类型:Fixed 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| LDO(低压差线性稳压器) | BH31MA3WHFV-TR | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:5.5V 电压-输出（最小值/固定）:3.1V 压降（最大值）:0.09V @ 100mA 电流-输出:300mA 电流-电源:95µA PSRR:60dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-HVSOF |
| LDO(低压差线性稳压器) | BH25NB1WHFV-TR | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:5.5V 电压-输出（最小值/固定）:2.5V 压降（最大值）:0.45V @ 100mA 电流-输出:150mA 电流-电源:100µA PSRR:80dB(1kZ) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:HVSOF5 |
| 门驱动器 | BS2103F-E2 | ROHM(罗姆) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:1V,2.6V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 输入类型:非反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:200ns,100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP |
| 未分类 | BR24L01AF-WE2-CUT TAPE | ROHM(罗姆) | |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | BR24L02F-WE2 | ROHM(罗姆) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | BR24L02FJ-WE2 | ROHM(罗姆) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP-J |
| 未分类 | BP5890 | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | DTA114EUAT106 | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:UMT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | BR24T64FVT-WE2 | ROHM(罗姆) | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:I²C 电压-电源:1.6 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP-B |
| LDO(低压差线性稳压器) | BU27TD3WG-TR | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:6V 电压-输出（最小值/固定）:2.7V 压降（最大值）:0.5V @ 200mA 电流-输出:200mA PSRR:70dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:5-SSOP 电流-电源:60µA |
| 集成电路(芯片) | BU4021BF-E2 | ROHM(罗姆) | 系列:4000B 逻辑类型:移位寄存器 输出类型:推挽式 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 功能:并行或串行至串行 电压-电源:3 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOP |