IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 18923485199
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | SFR01MZPF1503 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.022" 宽(1.00mm x 0.55mm) 高度 - 安装（最大值）:0.016"(0.40mm) 端子数:2 电阻:150k 偏差:±1% 功率:1/16W 成分:厚膜 温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C |
| 小信号MOSFET | RSR030N06TL | ROHM(罗姆) | 系列:RSR 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:380pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:85mΩ@3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3A |
| 功率MOSFET | RQ5E035BNTCL | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:37mΩ@3.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-96 |
| 未分类 | ML9470-12GAZ0AA | ROHM(罗姆) | 显示类型:LCD 配置:160 段 接口:串行 电流 - 电源:500µA 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:100-BQFP 封装/外壳:100-QFP(14x20) |
| LDO(低压差线性稳压器) | BD4275FP2-CE2 | ROHM(罗姆) | 系列:汽车级,AEC-Q100 稳压器数:1 Ohms 电流-输出:500mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-263-5F |
| LDO(低压差线性稳压器) | BD450M5WFP2-CZE2 | ROHM(罗姆) | 稳压器数:1 Ohms 电流-输出:500mA 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-263-5F PSRR/纹波抑制—典型值:60dB 回动电压:200mV 回动电压—最大值:500mV 工作电源电流(mA):38uA 最大输入电压:42V 最小输入电压:3V 电压调节准确度:2% 系列:BD450M5WFP2-CZ 线路调整率:10mV 负载调节:10mV 输出电压:5 V 输出电流:500 mA 输出端数量:1Output 输出类型:Fixed 静态电流:38uA |
| 功率MOSFET | SCT3022ALGC11 | ROHM(罗姆) | 系列:SCT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:93A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 18.2mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:133nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2208pF @ 500V 栅极电压Vgs:+22V,-4V Pd-功率耗散(Max):339W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:28.6mΩ@36A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 整流二极管 | RB751CS-40T2R | ROHM(罗姆) | 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 工作温度-结:125°C(最大) 不同If时电压-正向(Vf):370mV @ 1mA 电流-平均整流(Io):30mA 二极管类型:肖特基 不同Vr时电流-反向泄漏:500nA @ 30V 封装/外壳:VMN2 不同?Vr、F时电容:2pF @ 1V,1MHz |
| 厚膜电阻 | MCR03EZPFX56R2 | ROHM(罗姆) | 电阻:56.2Ohms 偏差:±1% 功率:1/10W 封装/外壳:0603 封装/外壳:0603 封装/外壳:0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.80mm) |
| 电机驱动/控制器 | BU24033GW-E2 | ROHM(罗姆) | 电机类型-步进:双极性 电机类型-AC，DC:有刷直流、音圈电机 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(12) 接口:串行 步进分辨率:>256 微步 电流-输出:500mA,600mA 电压-电源:1.62 V ~ 3.6 V 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:40-UCSP75M3 |
| 未分类 | UDZSTFTE-1718B | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:UMD 稳压电压(标称值)VZT_Nom:17.955V 功率:1/5W |
| 通用二极管 | TFZVTR12B | ROHM(罗姆) | 工作温度:-55°C~150°C |
| 厚膜电阻 | MCR004QLPJ304 | ROHM(罗姆) | |
| 厚膜电阻 | MCR004QLPJ204 | ROHM(罗姆) | |
| 厚膜电阻 | MCR004QLPJ242 | ROHM(罗姆) | |
| 厚膜电阻 | MCR004QLPJ0R0 | ROHM(罗姆) | |
| 厚膜电阻 | MCR004QLPJ101 | ROHM(罗姆) | |
| 通用芯片 | BD6524HFV-TR | ROHM(罗姆) | 电流 - 电源:50µA 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-25°C ~ 75°C 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 |
| 未分类 | BD1484EFJ-E2 | ROHM(罗姆) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.2V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.925V 电压 - 输出（最大值）:12.6V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:380kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-HTSOP-J |
| 通用二极管 | UDZVTE-173.9B | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SMD/SMT 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用二极管 | RFN1LAM6STFTR | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SMD/SMT 反向电压Vr:600V 正向电流If:0.8 A 正向电压Vf:1.15V 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用三极管 | 2SC5824T100R | ROHM(罗姆) | 功率:2W 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 特征频率fT:200MHz 宽度:2.5mm FET类型:NPN 最大直流电集电极电流:3A 直流电流增益 hFE 最大值:390 直流集电极/Base Gain hfe Min:120 系列:2SC5824 配置:Single 长度:4.50mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:60V 集电极—基极电压 VCBO:60V 集电极—射极饱和电压:200V 集电极连续电流:3A 高度:1.50mm |
| 通用二极管 | KDZVTFTR24B | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SMD/SMT 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用三极管 | 2SCR554P5T100 | ROHM(罗姆) | 功率:1/2W 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 特征频率fT:300MHz 封装/外壳:SC-62-3 FET类型:NPN 最大直流电集电极电流:1.5A 直流电流增益 hFE 最大值:390at100mA,3V 直流集电极/Base Gain hfe Min:120 系列:2SxR 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:80V 集电极—基极电压 VCBO:80V 集电极—射极饱和电压:100mV 集电极连续电流:1.5A 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| 通用二极管 | RR1LAM4STR | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V@1A |
| 通用三极管 | 2SAR573D3TL1 | ROHM(罗姆) | 功率:10W 发射极 - 基极电压 VEBO:-6V 特征频率fT:300MHz 封装/外壳:TO-252 FET类型:P-Channel 最大直流电集电极电流:-3A 直流电流增益 hFE 最大值:450 直流集电极/Base Gain hfe Min:180 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:-50V 集电极—基极电压 VCBO:-50V 集电极—射极饱和电压:-200mV 集电极连续电流:-3A |
| 通用二极管 | RB162LAM-40TR | ROHM(罗姆) | 正向电压Vf:550mV 正向电流If:1A 反向电压Vr:40V 工作温度:-40°C~85°C |
| 通用二极管 | RB056LAM-40TR | ROHM(罗姆) | 正向电压Vf:670mV 正向电流If:3A 反向电压Vr:40V |
| 通用三极管 | 2SAR533P5T100 | ROHM(罗姆) | 功率:1/2W 发射极 - 基极电压 VEBO:-6V 特征频率fT:300MHz 封装/外壳:SC-62-3 FET类型:P-Channel 最大直流电集电极电流:-3A 直流电流增益 hFE 最大值:450at-50mA,-3V 直流集电极/Base Gain hfe Min:180at-50mA,-3V 系列:2SxR 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:-50V 集电极—基极电压 VCBO:-50V 集电极—射极饱和电压:-200mV 集电极连续电流:-3A 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| 分立半导体模块 | BSM600D12P3G001 | ROHM(罗姆) | |
| 通用二极管 | UDZSTE-174.7B | ROHM(罗姆) | 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用二极管 | SCS205KGCZ | ROHM(罗姆) | |
| 磁性传感器 | BU52092GWZ-E2 | ROHM(罗姆) | 工作点最小值/最大值:- 3.2 mT to 3.2 mT 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V 工作电源电流(mA):4.4 uA 最小/最大释放点（Brp）:1.2 mT to - 1.2 mT 电源电压-最大:3.6V 电源电压-最小:1.65V 输出类型:CMOS 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 通用二极管 | RSB6.8CSGTJT2R | ROHM(罗姆) | |
| 配件 | SML-210LTT86 | ROHM(罗姆) | 颜色:红色 透镜颜色:无色 透镜透明度:透明 毫烛光等级:10mcd 透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.40mm x 1.25mm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.75V 电流-测试:20mA 波长-峰值:660nm 封装/外壳:2012 封装/外壳:2.00mm 长 x 1.25mm 宽 高度（最大值）:0.90mm |
| 未分类 | PTZTE2530B | ROHM(罗姆) | 功率-最大值:1W 不同Vr时电流-反向泄漏:10?A @ 23V 阻抗(最大值)(Zzt):18 Ohms 电压-齐纳(标称值)(Vz):31.6V 封装/外壳:PMDS 容差:±6% |
| 厚膜电阻 | MCR03EZHJ564 | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | 2SC4617FRATLR | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGW00TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:254W 在25 C的连续集电极电流:96 A 封装/外壳:TO-247N-3 栅极/发射极最大电压:30 V 栅极—射极漏泄电流:200nA 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 集电极最大连续电流 Ic:96A 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| 通用二极管 | RB168LAM150TFTR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:1 A 正向电压Vf:0.84V 反向电压Vr:150V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 电机驱动/控制器 | BD62011AFS-E2 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:24-SOP |
| 电路监控 | BD4924FVE-TR | ROHM(罗姆) | 功率:0.21W 人工复位:No Manual Reset 准确性:1 % 工作电源电流(mA):0.9uA 电池备用开关:No Backup 电源电压-最大:10 V 电源电压-最小:1.2V 看门狗计时器:No Watchdog 系列:BD49 被监测输入数:1 Input 输出类型:CMOS 阈值电压:2.7 V 工作温度:-40°C ~ 105°C |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | BR24A04FJ-WME2 | ROHM(罗姆) | 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:I²C 电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 固体SMD(MnO2) | TCP1A106M8R | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:0805 容值:10uF 偏差:±20% 电压:10V |
| 小信号MOSFET | RE1C001UNTCL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7.1pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5Ω@100mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMTF FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.1A |
| 小信号MOSFET | RE1C002UNTCL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,2.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2Ω@100mA,2.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMTF FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 通用LED | LA-301MBEK | ROHM(罗姆) | |
| 其它 | BA4116FV-E2 | ROHM(罗姆) | 系列:BA4116 RF类型:无绳电话 频率:10MHz ~ 150MHz 混频器数:1 Ohms 增益:18dB 辅助属性:混频器/探测器 电流-电源:4.2mA 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 封装/外壳:16-SSOPB |
| TVS二极管 | RSB27VTE-17 | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | DTC114EMMGT2L | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | 2SC4617TLQ | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:150mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA,6V 功率:3/20W 频率-跃迁:180MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用二极管 | SCS205KGC | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:1.2KV 正向电流If:5A(DC) 正向电压Vf:1.6V@5A |
| 光电传感器 | BH1730FVC-TR | ROHM(罗姆) | FET类型:环境 波长:600nm 接近探测:无 输出类型:I²C 电压-电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-WSOF |
| 通用二极管 | VS5V0BL1HST15R | ROHM(罗姆) | |
| 小信号MOSFET | 2SK3019TL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8Ω@10mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.1A |
| 电源开关 | BUS1DJC0GWZ-E2 | ROHM(罗姆) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压-负载:1.1 V ~ 5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:2A 导通电阻（典型值）:58 毫欧 输入类型:非反相 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-UCSP30L1 |
| 小信号MOSFET | RK7002BMHZGT116 | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:250mA Pd-功率耗散(Max):350mW Rds On(Max)@Id,Vgs:1.7Ω 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:5ns 下降时间:28ns 典型关闭延迟时间:18ns 典型接通延迟时间:3.5ns 封装/外壳:SOT-23-3 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 通用二极管 | RR264MM-400TR | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V@700mA |
| 通用二极管 | VS5V0BB1EST15R | ROHM(罗姆) | 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | RZM001P02T2L | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.8Ω@100mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:VMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.1A |
| 功率MOSFET | US6M2TR | ROHM(罗姆) | Rds On(Max)@Id,Vgs:240mΩ@1.5A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:80pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TUMT FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V/20V 连续漏极电流Id:1.5A,1A |
| 小信号MOSFET | RSC002P03T316 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:30pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4Ω@250mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.25A |
| 通用三极管 | DTC124EKAT146 | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:56 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:SMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用二极管 | UDZVTE-176.2B | ROHM(罗姆) | 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用二极管 | UDZVTE-176.8B | ROHM(罗姆) | 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用二极管 | RRE02VSM6STR | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:600V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1.1V@200mA |
| 通用二极管 | KDZVTFTR8.2B | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:PMDU |
| 通用二极管 | UDZVFHTE-179.1B | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:UMD 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用MOSFET | RSR020N06FRATL | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2A |
| 通用MOSFET | RTR030P02FHATL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TSMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3A |
| 通用二极管 | UDZVFHTE-176.2B | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:UMD |
| 通用MOSFET | R6030MNZ1C9 | ROHM(罗姆) | |
| 通用MOSFET | S4103UCCFSHGG | ROHM(罗姆) | |
| 通用二极管 | RB068LAM150TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:2 A 正向电压Vf:0.81V 反向电压Vr:150V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | BAV99HMFHT116 | ROHM(罗姆) | 正向电流If:125 mA 正向电压Vf:1.25V 封装/外壳:SMD/SMT 反向电压Vr:80V |
| 通用MOSFET | RSD221N06FRATL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:CPT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:22A |
| 运算放大器 | BU7241YG-CGTR | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | 2SAR554P5T100 | ROHM(罗姆) | 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V 功率:1/2W 发射极 - 基极电压 VEBO:-6V 特征频率fT:340MHz 封装/外壳:SC-62-3 FET类型:P-Channel 最大直流电集电极电流:-1.5A 直流电流增益 hFE 最大值:390at-100mA,-3V 直流集电极/Base Gain hfe Min:120 系列:2SxR 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:-80V 集电极—基极电压 VCBO:-80V 集电极—射极饱和电压:-200mV 集电极连续电流:-1.5A 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| 通用二极管 | RF2001NS2DFHTL | ROHM(罗姆) | 正向电流If:10 A 正向电压Vf:0.86V 反向电压Vr:200V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用MOSFET | RSR015P06FRATL | ROHM(罗姆) | |
| 通用二极管 | RFN20NS6SFHTL | ROHM(罗姆) | 正向电流If:20 A 正向电压Vf:1.25V 封装/外壳:SMD/SMT 反向电压Vr:600V |
| 通用二极管 | RB168LAM150TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:1 A 正向电压Vf:0.84V 反向电压Vr:150V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | KDZVTFTR5.6B | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:PMDU |
| 通用MOSFET | RSR010N10FHATL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TSMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1A |
| 通用二极管 | KDZVTFTR33B | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:PMDU |
| 电路监控 | BU4815G-TR | ROHM(罗姆) | 功率:0.54W 人工复位:No Manual Reset 准确性:1 % 功率失效检测:No 工作电源电流(mA):0.55uA 欠电压阈值:1.485V 电池备用开关:No Backup 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:0.7V 看门狗计时器:No Watchdog 系列:BU4815G 芯片启用信号:NoChipEnable 被监测输入数:1 Input 输出类型:Open Drain 过电压阈值:1.515V 重置延迟时间:No 阈值电压:1.5 V 静态电流:0.35 uA 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 通用二极管 | RB521SM-30GJT2R | ROHM(罗姆) | |
| SMD聚合物 | TCSP0J107M8R-V1 | ROHM(罗姆) | |
| 厚膜电阻 | MCR50JZHJ104 | ROHM(罗姆) | 电阻:100K Ohms 偏差:±5% 功率:1/2W 封装/外壳:2010 封装/外壳:2010 封装/外壳:0.197" 长 x 0.098" 宽(5.00mm x 2.50mm) |
| 未分类 | R5011FNX | ROHM(罗姆) | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:950pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V 功率:50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:520 毫欧 @ 5.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 整包 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:11A(Ta),5.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA |
| 运算放大器 | BU7242SFVM-TR | ROHM(罗姆) | CMRR - 共模抑制比:45 dB GBP-增益带宽产品:900 kHz Ib - 输入偏流:1 pA PSRR - 电源抑制比:60dB SR - 转换速率:0.4 V/us Vos - 输入偏置电压:9 mV 关闭:No Shutdown 工作电源电压:1.8Vto5.5V,±0.9Vto±2.75V 工作电源电流(mA):360 uA 最大双重电源电压:±2.75V 最小双重电源电压:±0.9V 每个通道的输出电流:10 mA 电压增益 dB:95dB 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 电源类型:Single,Dual 系列:BU7242SFVM 通道数量:2 Channel 工作温度:-40°C ~ 105°C |
| 功率MOSFET | RD3L140SPTL1 | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:14A Pd-功率耗散(Max):20W Qg-栅极电荷:27nC Rds On(Max)@Id,Vgs:60mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:3V 上升时间:45ns 下降时间:110ns 典型关闭延迟时间:240ns 典型接通延迟时间:20ns 封装/外壳:DPAK-3 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用二极管 | RSX051VYM30FHTR | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:30V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:390mV@500mA |
| 通用三极管 | UMD22NTR | ROHM(罗姆) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 功率:3/20W 典型电阻器比率:0.1 典型输入电阻器:4.7K Ohms 宽度:1.25mm 封装/外壳:SOT-363-6 峰值直流集电极电流:100mA FET类型:NPN,PNP 直流电流增益 hFE 最大值:80 直流集电极/Base Gain hfe Min:80 系列:UMD22N 通道数量:2Channel 配置:Dual 长度:2.00mm 集电极连续电流:+100mA,-100mA 高度:0.90mm 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| 通用二极管 | RB400VAM-50TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:500 mA 正向电压Vf:0.55V 反向电压Vr:40V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | TFZVTR6.8B | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TUMD-M 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用二极管 | RB058LAM150TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:3 A 正向电压Vf:0.84V 反向电压Vr:150V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用MOSFET | 2SK3018FPDT106 | ROHM(罗姆) | |
| 未分类 | KTR10EZPJ103 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:0805 封装/外壳:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装（最大值）:0.026"(0.65mm) 端子数:2 电阻:10K Ohms 偏差:±5% 功率:1/8W 成分:厚膜 温度系数:±200ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C |
| SMD聚合物 | TCSOM0J226M8R | ROHM(罗姆) | 容值:22uF 偏差:±20% 电压:6.3V 电压:6.3VDC ESR:300m Ohms 封装/外壳:0603 |