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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用二极管 | RB058LAM-30TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:3 A 正向电压Vf:0.68V 反向电压Vr:30V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用芯片 | BU46K382G-TL | ROHM(罗姆) | 湿气敏感性等级（MSL）:3(168 小时) 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 120 ms 电压 - 阈值:3.8V |
| 通用二极管 | RBR3LAM40ATR | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:40V 正向电流If:3A 正向电压Vf:690mV@3A |
| 通用二极管 | RBR2LAM60ATR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:2 A 正向电压Vf:0.65V 反向电压Vr:60V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RBR3LAM40BTR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:3 A 正向电压Vf:0.62V 反向电压Vr:40V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RBR2LAM30ATR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:2 A 正向电压Vf:0.49V 反向电压Vr:30V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RB168LAM-40TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:1 A 正向电压Vf:0.69V 反向电压Vr:40V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RB160LAM-40TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:1 A 正向电压Vf:0.55V 反向电压Vr:40V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RB068LAM-40TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:2 A 正向电压Vf:0.69V 反向电压Vr:40V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用芯片 | BU45K382G-TL | ROHM(罗姆) | 湿气敏感性等级（MSL）:3(168 小时) 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 120 ms 电压 - 阈值:3.8V |
| 通用二极管 | RBR3LAM30BTR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:3 A 正向电压Vf:0.53V 反向电压Vr:30V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RB058LAM-40TFTR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:3 A 正向电压Vf:0.69V 反向电压Vr:40V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RBR2LAM60BTR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:2 A 正向电压Vf:0.52V 反向电压Vr:60V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RB058LAM-40TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:3 A 正向电压Vf:0.69V 反向电压Vr:40V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RBR3LAM30ATR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:3 A 正向电压Vf:0.58V 反向电压Vr:30V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RB168LAM150TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:1 A 正向电压Vf:0.84V 反向电压Vr:150V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RFN2LAM6STR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:1.5 A 正向电压Vf:1.2V 封装/外壳:SMD/SMT 反向电压Vr:600V |
| 通用二极管 | RB168LAM-60TR | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:680mV@1A |
| 通用二极管 | RB058LAM-60TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:3 A 正向电压Vf:0.64V 反向电压Vr:60V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RB160LAM-90TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:1 A 正向电压Vf:0.73V 反向电压Vr:90V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RB068LAM150TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:2 A 正向电压Vf:0.81V 反向电压Vr:150V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 通用二极管 | RBR2LAM40ATR | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:40V 正向电流If:2A 正向电压Vf:550mV@2A |
| 通用二极管 | RB068LAM-60TFTR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:2 A 正向电压Vf:0.68V 反向电压Vr:60V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 未分类 | LM358WDT | ROHM(罗姆) | 电压 - 输入失调:2mV 电流 - 电源:700µA 电流 - 输出/通道:20mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流 - 输入偏置:20nA |
| 通用三极管 | DTA023YEBTL | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA,5mA 频率 - 跃迁:250MHz 功率:3/20W 封装/外壳:SC-89,SOT-490 FET类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V |
| 通用三极管 | DTA023YMT2L | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA,5mA 频率 - 跃迁:250MHz 功率:3/20W 封装/外壳:SOT-723 FET类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V |
| 通用三极管 | DTA023YUBTL | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA,5mA 频率 - 跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:SC-85 FET类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V |
| 通用放大器 | BU7475HFV-TR | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:9µA 电流 - 输出/通道:14mA 电压 - 电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V,±0.85 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-665 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.05 V/µs 增益带宽积:100kHz |
| 功率MOSFET | RQ3E120BNTB | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:12A Pd-功率耗散(Max):2W Qg-栅极电荷:29nC Rds On(Max)@Id,Vgs:6.6mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:30ns 下降时间:12ns 典型关闭延迟时间:46ns 典型接通延迟时间:9ns 封装/外壳:HSMT-8 FET类型:N-Channel 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 通用放大器 | BU7487SFV-E2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:6mA 电流 - 输出/通道:12mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-LSSOP 放大器类型:CMOS 电路数:4 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:10MHz |
| 通用芯片 | BUS1DJC3GWZ-E2 | ROHM(罗姆) | FET类型:UltraSmall 输出端数量:1Output 导通电阻—最大值:245mOhms 工作电源电压:1.1Vto5V 电源电压-最小:1.1V 电源电压-最大:5V 功率:0.41W 运行时间—最大值:2s 工作温度:-30°C ~ 85°C |
| 未分类 | ML610Q111 reference board | ROHM(罗姆) | |
| 存储器 | BR93G86NUX-3TTR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFN裸露焊盘 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8,1K x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
| 存储器 | BR93G56NUX-3BTTR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFN裸露焊盘 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (128 x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
| 小信号MOSFET | UM6K34NTCN | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:200mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:1.6Ω 漏源极电压Vds:50V 栅极电压Vgs:300mV 上升时间:8ns,8ns 下降时间:43ns,43ns 典型关闭延迟时间:17ns,17ns 典型接通延迟时间:5ns,5ns 封装/外壳:SOT-363-6 系列:UM6K34N 通道数量:2Channel 配置:Dual 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用二极管 | RSB33VTE-17 | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:25V |
| 通用二极管 | RB162LAM-60TR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:1 A 正向电压Vf:0.65V 反向电压Vr:60V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 运算放大器 | BA10358F-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.2 V/µs 增益带宽积:500kHz 电流-输入偏置:45nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:20mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOP |
| 通用放大器 | LM4565F-GE2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:70nA 电压 - 输入失调:500µV 电流 - 电源:4.5mA 电流 - 输出/通道:160mA 电压 - 电源，单/双（±）:4 V ~ 36 V,±2 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 电路数:2 压摆率:5 V/µs 增益带宽积:10MHz |
| 通用放大器 | BU7486F-E2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:3mA 电流 - 输出/通道:12mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC 放大器类型:CMOS 电路数:2 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:10MHz |
| LDO(低压差线性稳压器) | BD33HC5MEFJ-ME2 | ROHM(罗姆) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:8V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:1.2V @ 1.5A 电流-输出:1.5A 电流-电源:0.6mA ~ 0.9mA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-HTSOP-J |
| 通用三极管 | IMX1T110 | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:150mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA,6V 频率-跃迁:180MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMT 集电极最大允许电流Ic:0.15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 功率:3/10W 发射极 - 基极电压 VEBO:7V 特征频率fT:180MHz 宽度:1.60mm FET类型:NPN 最大直流电集电极电流:0.15A 直流电流增益 hFE 最大值:560 直流集电极/Base Gain hfe Min:120 系列:IMX1 配置:Dual 长度:2.9mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:50V 集电极—基极电压 VCBO:60V 集电极连续电流:150mA 高度:1.10mm |
| 通用二极管 | RBE07V20ATE-17 | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:20V 正向电流If:700mA 正向电压Vf:430mV@500mA |
| 通用二极管 | RB075BM40SFHTL | ROHM(罗姆) | 正向电流If:5 A 正向电压Vf:0.75V 反向电压Vr:40V 封装/外壳:SMD/SMT |
| 光电传感器 | RPI-441C1E | ROHM(罗姆) | 输出配置:晶体管 响应时间:10µs 封装/外壳:模块,PC引脚,槽型 感应距离:0.157"(4mm) 电流-DC正向（If）:50mA Current-Collector(Ic)(Max):30mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):30V 工作温度:-25°C ~ 85°C FET类型:无放大 |
| 通用二极管 | RB075BM40STL | ROHM(罗姆) | 反向电压Vr:40V 正向电流If:5A 正向电压Vf:750mV@5A |
| 光电传感器 | RPI-352 | ROHM(罗姆) | 感应距离:0.118"(3mm) 感应方法:可传导的 输出配置:光电晶体管 电流-DC正向（If）:50mA 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压-集射极击穿（最大值）:30V 响应时间:10µs,10µs 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:PCB安装 FET类型:无放大 |
| 通用二极管 | UDZVTE-1710B | ROHM(罗姆) | 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用芯片 | BD9874CP-V5E2 | ROHM(罗姆) | 电压 - 输入（最大值）:35V 电压 - 输出（最小值/固定）:1V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:110kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TO-220-5成形引线 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:8V |
| 未分类 | BD6941FM-E2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输出:1.25A 电压 - 电源:8 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:36-BSOP(0.295",7.50mm 宽) 电机类型 - AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:并联 |
| 通用芯片 | BD8316GWL-E2 | ROHM(罗姆) | 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:5.5V,-1V 电压 - 输出（最大值）:18V,-9V 电流 - 输出:1A(开关) 频率 - 开关:1.6MHz 同步整流器:无 工作温度:-35°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:11-uFBGA,WLCSP 功能:升压,升压/降压 输出配置:正和负(双轨) 拓扑:升压,降压-升压 输出类型:可调式 输出数:2 电压 - 输入（最小值）:2.5V |
| 通用芯片 | BD9D321EFJ-E2 | ROHM(罗姆) | 关闭:Shutdown 工作温度:-40°C ~ 85°C 开关频率:700kHz 拓扑结构:Buck 最大输入电压:18V 最小输入电压:4.5V 电源电压-最小:4.5V 系列:BD9D321EFJ 输入电压:4.5Vto18V 输出电流:3 A 输出端数量:1Output |
| 通用芯片 | BU18SD2MG-MTR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.8V 电流 - 输出:200mA 电压 - 跌落（典型值）:0.15V @ 100mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 6V 电流 - 限制（最小值）:250mA |
| 通用芯片 | BD9123MUV-E2 | ROHM(罗姆) | 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.85V 电压 - 输出（最大值）:1.2V 电流 - 输出:1.2A 频率 - 开关:1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 95°C(TA) 封装/外壳:16-VFQFN裸露焊盘 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可编程 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.7V |
| 通用芯片 | BD8306MUV-E2 | ROHM(罗姆) | 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:1.8V 电压 - 输出（最大值）:5.2V 电流 - 输出:2A(开关) 频率 - 开关:1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-VFQFN裸露焊盘 功能:升压/降压 输出配置:正 拓扑:降压-升压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms |
| 通用MOSFET | BH5510KV-E2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输出/通道:3A 电压 - 电源:4 V ~ 5.5 V 电压 - 负载:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C~85°C(TA) 故障保护:限流,超温 封装/外壳:48-LQFP 输出配置:半桥(13) 接口:逻辑 负载类型:电感 |
| 开关稳压器 | BD9C301FJ-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:4.5V 电压-输入（最大值）:18V 电压-输出（最小值/固定）:0.8V 电压-输出（最大值）:12.6V 电流-输出:3A 频率-开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP-J |
| 通用芯片 | BH18M0AWHFV-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.8V 电流 - 输出:300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:2.5 V ~ 5.5 V |
| 通用芯片 | BU2JTD2WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:220mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:2.85V 电流 - 输出:200mA 电压 - 跌落（典型值）:0.26V @ 200mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 6V |
| 未分类 | BU1BUA3WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:370mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.15V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.47V @ 300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:1.7 V ~ 5.5 V |
| 通用芯片 | BD733L2EFJ-CE2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.3V 电流 - 输出:200mA 电压 - 跌落（典型值）:0.6V @ 200mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:4.37 V ~ 45 V |
| 通用芯片 | BU28SD2MG-MTR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:2.8V 电流 - 输出:200mA 电压 - 跌落（典型值）:0.085V @ 100mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 6V 电流 - 限制（最小值）:250mA |
| 通用芯片 | BU1ATD2WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:220mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.05V 电流 - 输出:200mA 电压 - 跌落（典型值）:0.8V @ 200mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 6V |
| 通用芯片 | BH34M0AWHFV-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.4V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.06V @ 100mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 5.5V |
| 通用芯片 | BD750L2FP3-CE2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:5V 电流 - 输出:200mA 电压 - 跌落（典型值）:0.4V @ 200mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:5.8 V ~ 45 V Ib - 输入偏流:15uA PSRR/纹波抑制—典型值:60dB 功率:3/5W 回动电压—最大值:0.7V 最大输入电压:45V 最小输入电压:5.8V 电压调节准确度:2% 系列:BD750L2FP3 线路调整率:5mV 负载调节:5mV 输出电压:5 V 输出电流:200 mA 输出端数量:1Output 输出类型:Fixed |
| 通用芯片 | BA15JC5T | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:TO-220-3整包 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.5V 电流 - 输出:1.5A 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:3 V ~ 16 V |
| 通用芯片 | BD9325FJ-E2 | ROHM(罗姆) | 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.9V 电压 - 输出（最大值）:16.2V 电流 - 输出:2A 频率 - 开关:380kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.75V |
| 通用芯片 | BD733L2FP-CE2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.3V 电流 - 输出:200mA 电压 - 跌落（典型值）:0.6V @ 200mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:4.37 V ~ 45 V |
| 未分类 | BU1CUA3WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:370mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.25V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.35V @ 300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:1.7 V ~ 5.5 V |
| 通用芯片 | BU1JTD2WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:220mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.85V 电流 - 输出:200mA 电压 - 跌落（典型值）:0.38V @ 200mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 6V |
| 通用芯片 | BH30M0AWHFV-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.06V @ 100mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 5.5V |
| 未分类 | BU23UA3WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:370mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:2.3V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.22V @ 300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 5.5V |
| 未分类 | BU10UA3WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:370mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.47V @ 300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:1.7 V ~ 5.5 V |
| 通用芯片 | BU4927F-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-TSOP FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:2.7V |
| 开关控制器 | BD63536FJ-E2 | ROHM(罗姆) | 输出类型:晶体管驱动器 输出配置:正 拓扑:降压 输出阶段:1 Ohms 电压-电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 30 V 频率-开关:最高 300kHz 时钟同步:无 控制特性:限流,频率控制 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP-J |
| 通用芯片 | BU4928F-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-TSOP FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:2.8V |
| 通用芯片 | BU4913G-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:1.3V |
| 电路监控 | BU4944F-TR | ROHM(罗姆) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 电压-阈值:4.4V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-SOP |
| 通用芯片 | BU4940G-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:4V |
| 通用芯片 | BH27M0AWHFV-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:2.7V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.06V @ 100mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 5.5V |
| 通用芯片 | BH32M0AWHFV-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.2V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.06V @ 100mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 5.5V |
| 通用芯片 | BH20M0AWHFV-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:2V 电流 - 输出:300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:2.5 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | BU32UA3WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:370mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.2V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.2V @ 300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 5.5V |
| 开关稳压器 | BD9E102FJ-GE2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:7V 电压-输入（最大值）:26V 电压-输出（最小值/固定）:1V 电压-输出（最大值）:18.2V 电流-输出:1A 频率-开关:570kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP-J |
| 通用芯片 | BD95831MUV-E2 | ROHM(罗姆) | 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:5.5V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:500kHz ~ 800kHz 同步整流器:是 工作温度:-20°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:16-VFQFN裸露焊盘 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:7.5V 电压 - 输入（最大值）:15V |
| 通用LED | SLR-322VR3F | ROHM(罗姆) | 颜色:红色 透镜颜色:红 透镜透明度:散射 毫烛光等级:10mcd 透镜样式/尺寸:圆形,带圆顶,3.10mm 电压-正向（Vf）（典型值）:2V 电流-测试:10mA 视角:50° 波长-主:630nm 封装/外壳:T-1 高度（最大值）:5.40mm |
| 通用芯片 | BU4943F-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-TSOP FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:4.3V |
| 通用芯片 | BU4927FVE-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-665 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:2.7V |
| 通用芯片 | BU1BTD2WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:220mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.15V 电流 - 输出:200mA 电压 - 跌落（典型值）:0.8V @ 200mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 6V |
| 通用芯片 | BH31M0AWHFV-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.1V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.06V @ 100mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 5.5V |
| 未分类 | BU31UA3WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:370mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.1V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.2V @ 300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 5.5V |
| 未分类 | BU12UA3WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:370mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.2V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.35V @ 300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:1.7 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | BU1AUA3WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:370mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.05V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.47V @ 300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:1.7 V ~ 5.5 V |
| 通用芯片 | BH15M0AWHFV-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.5V 电流 - 输出:300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:2.5 V ~ 5.5 V |
| 通用芯片 | BU23TD2WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:220mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:2.3V 电流 - 输出:200mA 电压 - 跌落（典型值）:0.38V @ 200mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 6V |
| 通用芯片 | BD33C0AWFP-E2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4引线+接片),TO-252AD 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.3V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:0.4V @ 500mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:4.3 V ~ 26.5 V |
| 未分类 | BU11UA3WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:370mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.1V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.47V @ 300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:1.7 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | BU13UA3WNVX-TL | ROHM(罗姆) | 电流 - 限制（最小值）:370mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.3V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.35V @ 300mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:1.7 V ~ 5.5 V |
| 电源管理(PMIC) | BD9582F-ME2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 电源:330µA 电压 - 电源:12 V ~ 22 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) |
| 开关稳压器 | BD9A100MUV-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:2.7V 电压-输入（最大值）:5.5V 电压-输出（最小值/固定）:0.8V 电压-输出（最大值）:3.85V 电流-输出:1A 频率-开关:1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:VQFN016V3030 |