IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 运算放大器 | LM2902YDT | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 电路数:4 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:1.3MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA 电流-输出/通道:20mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | LM258DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM258DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM224ADT | ST(意法半导体) | 电路数:4 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:1.3MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA 电流-输出/通道:70mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | LM2902YDT | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 电路数:4 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:1.3MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA 电流-输出/通道:20mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | LM2904DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LM358ST | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA 电流-输出/通道:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-MiniSO |
| 运算放大器 | MC33078DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:7 V/µs 增益带宽积:15MHz 电流-输入偏置:250nA 电压-输入失调:150µV 电流-电源:4mA 电流-输出/通道:37mA 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | AP4310AMTR-G1 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 压摆率:0.5 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:500µV 电流-电源:200µA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 36 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 运算放大器 | APX4558S-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 压摆率:1.7 V/µs 增益带宽积:3MHz 电流-输入偏置:150nA 电压-输入失调:500µV 电流-电源:2.5mA 电压-电源，单/双（±）:±5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LMV358M8G-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:190µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 运算放大器 | LMV321SEG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:110µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-353 |
| 运算放大器 | LMV358SG-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:190µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOP CMRR - 共模抑制比:50 dB GBP-增益带宽产品:1 MHz Ib - 输入偏流:250 nA SR - 转换速率:1 V/us Vos - 输入偏置电压:7 mV 关闭:No Shutdown 工作电源电压:2.7Vto5.5V 工作电源电流(mA):190 uA 每个通道的输出电流:90 mA 湿度敏感性:Yes 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.7 V 电源类型:Single 系列:LMV358 通道数量:2 Channel |
| 运算放大器 | TL074IDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:4 压摆率:13 V/µs 增益带宽积:3MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | TL082CDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:2 压摆率:16 V/µs 增益带宽积:4MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | TL072ACDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:2 压摆率:16 V/µs 增益带宽积:4MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | TL082IDT | ST(意法半导体) | 放大器类型:J-FET 电路数:2 压摆率:16 V/µs 增益带宽积:4MHz 电流-输入偏置:20pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:1.4mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 36 V,±3 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |