| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 运算放大器 | LM358DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:60mA 电压-电源,单/双(±):3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | BA2904YFVM-MGTR | ROHM(罗姆) | CMRR - 共模抑制比:80 dB GBP-增益带宽产品:0.5 MHz Ib - 输入偏流:20 nA Ios - 输入偏置电流:2nA PSRR - 电源抑制比:100dB SR - 转换速率:0.2 V/us Vos - 输入偏置电压:2 mV en - 输入电压噪声密度:40nV/sqrtHZ 关闭:No Shutdown 增益V/V:100V/mV 工作电源电流(mA):500 uA 放大器类型:GroundSenseAmplifier 最大双重电源电压:±18V 最小双重电源电压:±1.5V 每个通道的输出电流:30 mA 电源电压-最大:36 V 电源电压-最小:3 V 输入类型:Common-Mode 通道数量:2 Channel 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 运算放大器 | APX4558IS-13 | Diodes(达尔(美台)) | 电路数:2 压摆率:1.7 V/µs 增益带宽积:3MHz 电流-输入偏置:150nA 电压-输入失调:500µV 电流-电源:2.5mA 电压-电源,单/双(±):5 V ~ 16 V,±2.5 V ~ 8 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |
| 运算放大器 | LMV324BG-13 | Diodes(达尔(美台)) | 电路数:4 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:15nA 电压-输入失调:1.7mV 电流-电源:340µA 电流-输出/通道:90mA 电压-电源,单/双(±):2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOP |