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> 处理器/单片机(MCU)/存储器
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 32位MCU | TC237LP32F200NACLXUMA1 | EEPROM容量:128K x 8 I/O数:78 RAM大小:192K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,WDT 封装/外壳:292-LFBGA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 振荡器类型:外部 数据转换器:A/D 24x12b 核心处理器:TriCore™ 电压-供电(Vcc/Vdd):1.17V ~ 1.43V,2.97V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:2MB(2M x 8) 连接能力:CANbus,FlexRay,LINbus,QSPI 速度:200MHz | |
| 通用存储器 | RP-SMPE16DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMSC08DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMTE64DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMLF08DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SMLE32DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDUE12DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDME08DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDGD64DA1 | ||
| 通用存储器 | RP-SDGD32DA1 | ||
| 数字信号处理/控制器(DSP/DSC) | TMS320DM6467TCUTD1 | ||
| 通用MCU | STM32L4S9AII6 | RAM 容量:640K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 14x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 连接性:CAN,EBI/EMI,I²C,IrDA,LIN,MMC/SD,SAI,SPI,UART/USART,USB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,LCD,POR,PWM,WDT I/O 数:131 程序存储容量:2MB(2M x 8) 封装/外壳:uFBGA-169 核心:ARMCortexM4 数据总线宽度:32bit 最大时钟频率:120MHz 程序存储器大小:2MB 数据 RAM 大小:640kB ADC分辨率:12bit 输入/输出端数量:131I/O 工作电源电压:1.71Vto3.6V 接口类型:CAN,I2C,LPUART,SAI,SPI,UART,USART,USBOTGFS 程序存储器类型:Flash 数据 Ram 类型:SRAM 模拟电源电压:1.62Vto3.6V,1.8Vto3.6V DAC分辨率:2x12bit I/O 电压:1.08Vto3.6V 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:14Channel 计时器/计数器数量:16Timer 处理器系列:STM32L4S9 电源电压-最大:3.6V 电源电压-最小:1.71V 看门狗计时器:WatchdogTimer,Windowed 系列:STM32L4S9AI | |
| 通用MCU | STM32L4R9AGI6 | 封装/外壳:uFBGA-169 程序存储器类型:Flash 数据 Ram 类型:SRAM 模拟电源电压:1.62Vto3.6V,1.8Vto3.6V DAC分辨率:2x12bit I/O 电压:1.08Vto3.6V 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:14Channel 计时器/计数器数量:16Timer 处理器系列:STM32L4R9 电源电压-最大:3.6V 电源电压-最小:1.71V 看门狗计时器:WatchdogTimer,Windowed ADC分辨率:12 bit 工作电源电压:1.71 V to 3.6 V 接口类型:CAN, I2C, LPUART, SAI, SPI, UART, USART, USB OTG FS 数据 RAM 大小:640 kB 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:120 MHz 核心:ARM Cortex M4 程序存储器大小:1 MB 系列:STM32L4R9AG 输入/输出端数量:131 I/O 工作温度:-40°C ~ 85°C | |
| 32位MCU | STM32G081RBT6 | ||
| 32位MCU | STM32G071RBT6 | ||
| 32位MCU | STM32G070KBT6 | ||
| 32位MCU | STM32F765IIT7 | ||
| 32位MCU | STM32F103TBU6 | 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:26 程序存储容量:128KB(128K x 8) RAM容量:20K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:36-VFQFPN(6x6) 处理器系列:ARMCortexM 工作电源电压:2Vto3.6V 数据 RAM 大小:20kB 数据 Ram 类型:SRAM 数据总线宽度:32bit 最大时钟频率:72MHz 核心:ARMCortexM3 程序存储器大小:128kB 程序存储器类型:Flash 系列:STM32F103TB | |
| 8位MCU | SAF-XC866-2FRI BC | I/O数:19 RAM大小:768 x 8 内核规格:8 位 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT 封装/外壳:38-TFSOP(0.173"",4.40mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 8x10b 核心处理器:XC800 电压-供电(Vcc/Vdd):4.5V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:8KB(8K x 8) 连接能力:SSI,UART/USART 速度:86MHz | |
| 32位MCU | STM32F411RET6 | 封装/外壳:64-LQFP | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M8SH-25E IT:H | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 8 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H64M8SH-25E:H | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:512 Mbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 8 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H32M16NF-25E:H | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:84-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:64 M x 16 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT47H128M8SH-25E IT:M | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:60-TFBGA 存储容量:1 Gbit 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:800 MHz 电源电压-最大:1.9 V 电源电压-最小:1.7 V 电源电流—最大值:95 mA 系列:MT47H 组织:128 M x 8 | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K64M16TW-107:J | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K | |
| 异步动态随机存储器(DRAM) | MT41K64M16TW-107 IT:J | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:933MHz 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 系列:MT41K | |
| 16位MCU | C161OLMHABXQMA1 | 核心处理器:C166 核心尺寸:16-位 速度:20MHz 连接性:EBI/EMI,SPI,UART/USART 外设:POR,PWM,WDT I/O 数:63 程序存储器类型:ROMless RAM 容量:2K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:4.5 V ~ 5.5 V 振荡器类型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:80-QFP 封装/外壳:80-MQFP(14x14) | |
| 8位MCU | PIC16F18345T-I/SS | 核心处理器:PIC 核心尺寸:8-位 速度:32MHz 连接性:I²C,LIN,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT I/O 数:18 程序存储容量:14KB(8K x 14) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:256 x 8 RAM 容量:1K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 17x10b,D/A 1x5b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SSOP | |
| 32位MCU | STM32F373V8H6 | 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:84 程序存储容量:64KB(64K x 8) RAM容量:16K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 1x12b,3x16b,D/A 3x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-uFBGA 处理器系列:ARMCortexM 工作电源电压:2 V to 3.6 V 数据 RAM 大小:16 kB 数据 Ram 类型:SRAM 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 核心:ARM Cortex M4 湿度敏感性:Yes 程序存储器大小:64 kB 程序存储器类型:Flash 系列:STM32F373V8 | |
| 16位MCU | XC164CS32F20FBBAKXUMA1 | I/O数:79 RAM大小:12K x 8 内核规格:16 位 外设:PWM,WDT 封装/外壳:100-LQFP 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 14x8/10b 核心处理器:C166SV2 电压-供电(Vcc/Vdd):2.35V ~ 2.7V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:256KB(256K x 8) 连接能力:CANbus,EBI/EMI,SPI,UART/USART 速度:20MHz | |
| 32位MCU | ATSAME70N20A-CN | 核心处理器:ARM® Cortex®-M7 核心尺寸:32-位 速度:300MHz 连接性:CAN,以太网,I²C,IrDA,LIN,MMC/SD/SDIO,SPI,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT I/O 数:75 程序存储容量:1MB(1M x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:384K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.62 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:100-TFBGA(9x9) | |
| 32位MCU | ATSAMD21E17A-MU | 核心处理器:ARM® Cortex®-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT I/O 数:26 程序存储容量:128KB(128K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:16K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.62 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 1x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-QFN(5x5) | |
| 32位MCU | ATSAMD10D14A-MUT | 核心处理器:ARM® Cortex®-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:I²C,LIN,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,DMA,POR,WDT I/O 数:22 Ohms 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.62 V ~ 3.63 V 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 1x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-QFN(4x4) | |
| 32位MCU | ATSAM4S2BA-AU | 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 连接性:I²C,IrDA,存储卡,SPI,SSC,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT I/O 数:47 程序存储容量:128KB(128K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:64K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.62 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP(10x10) | |
| 微处理器和内存保护单元(MPU) | ATSAMA5D35A-CU | 核心处理器:ARM® Cortex®-A5 核数/总线宽度:1 코어,32 位 速度:536MHz RAM 控制器:LPDDR,LPDDR2,DDR2 图形加速:无 显示与接口控制器:触摸屏 以太网:10/100/1000 Mbps(1) USB:USB 2.0(3) 电压 - I/O:1.2V,1.8V,3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安全特性:AES,SHA,TDES,TRNG 封装/外壳:324-LFBGA(15x15) 附加接口:CAN,I²C,MMC/SD/SDIO,SPI,SSC,UART,USART | |
| 32位MCU | TC234LP32F200FACKXUMA1 | 核心处理器:TriCore™ 核心尺寸:32-位 速度:200MHz 连接性:CAN,FlexRay,LIN,QSPI 外设:DMA,WDT I/O 数:120 程序存储容量:2MB(2M x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:128K x 8 RAM 容量:192K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3.3V 数据转换器:A/D 24x12b 振荡器类型:外部 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:PG-TQFP-144 | |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | BR24G16FJ-3GTE2 | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:I²C 电压-电源:1.6 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP-J | |
| 16位MCU | SAF-XC164CS-16F20F BB | I/O数:79 RAM大小:8K x 8 内核规格:16 位 外设:PWM,WDT 封装/外壳:100-LQFP 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 14x8/10b 核心处理器:C166SV2 电压-供电(Vcc/Vdd):2.35V ~ 2.7V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:128KB(128K x 8) 连接能力:CANbus,EBI/EMI,SPI,UART/USART 速度:20MHz | |
| 32位MCU | STM32L052K8T6 | 核心处理器:ARM® Cortex®-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:32MHz 连接性:I²C,IrDA,SPI,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT I/O数:27 程序存储容量:64KB(64K x 8) EEPROM容量:2K x 8 RAM容量:8K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.65 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 1x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-LQFP ADC分辨率:12bit ADC通道数量:10 处理器系列:ARMCortexM 工作电源电压:1.8Vto3.6V 接口类型:I2C,SPI,USART,USB 数据 RAM 大小:8kB 数据 ROM 大小:2kB 数据 Ram 类型:SRAM 数据 Rom 类型:EEPROM 数据总线宽度:32bit 最大时钟频率:32MHz 核心:ARMCortexM0+ 程序存储器大小:64kB 程序存储器类型:Flash 系列:STM32L052K8 计时器/计数器数量:5Timer 输入/输出端数量:27I/O | |
| 32位MCU | XMC4400F64F512ABXQMA1 | I/O数:31 RAM大小:80K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT 封装/外壳:64-LQFP 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 14x12b;D/A 2x12b 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 电压-供电(Vcc/Vdd):3.13V ~ 3.63V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:512KB(512K x 8) 连接能力:CANbus,以太网,I²C,LINbus,SPI,UART,USB 速度:120MHz | |
| 32/16位MCU | XMC4400F100K512ABXQSA1 | 系列:XMC4000 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 连接性:CAN,以太网,I²C,LIN,SPI,UART,USB 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT I/O数:55 程序存储容量:512KB(512K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:80K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:3.13 V ~ 3.63 V 数据转换器:A/D 24x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-LQFP 裸露焊盘 封装/外壳:PG-LQFP-100 | |
| 32位MCU | XMC4504F144F512ACXQMA1 | I/O数:91 RAM大小:128K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT 封装/外壳:144-LQFP 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 32x12b; D/A 2x12b 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 电压-供电(Vcc/Vdd):3.13V ~ 3.63V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:512KB(512K x 8) 连接能力:EBI/EMI,I²C,LINbus,SPI,UART/USART 速度:120MHz | |
| 32位MCU | XMC4500F144K1024ACXQMA1 | I/O数:91 RAM大小:160K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT 封装/外壳:144-LQFP 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 32x12b; D/A 2x12b 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 电压-供电(Vcc/Vdd):3.13V ~ 3.63V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:1MB(1M x 8) 连接能力:CANbus,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,SPI,UART,USB 速度:120MHz | |
| 32位MCU | XMC4500F100K1024ACXQSA1 | I/O数:55 RAM大小:160K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT 封装/外壳:100-LQFP 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 24x12b; D/A 2x12b 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 电压-供电(Vcc/Vdd):3.13V ~ 3.63V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:1MB(1M x 8) 连接能力:CANbus,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,SPI,UART,USB 速度:120MHz | |
| 32位MCU | XMC4500E144X1024ACXQSA1 | I/O数:91 RAM大小:160K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT 封装/外壳:144-LFBGA 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 32x12b; D/A 2x12b 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 电压-供电(Vcc/Vdd):3.13V ~ 3.63V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:1MB(1M x 8) 连接能力:CANbus,EBI/EMI,以太网,I²C,LIN,SPI,UART,USB 速度:120MHz | |
| 32位MCU | XMC4400F64K512ABXQSA1 | I/O数:31 RAM大小:80K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT 封装/外壳:64-TQFP 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 14x12b;D/A 2x12b 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 电压-供电(Vcc/Vdd):3.13V ~ 3.63V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:512KB(512K x 8) 连接能力:CANbus,以太网,I²C,LINbus,SPI,UART,USB 速度:120MHz | |
| 32位MCU | XMC4200Q48K256ABXUMA1 | I/O数:21 RAM大小:40K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT 封装/外壳:48-VFQFN 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 电压-供电(Vcc/Vdd):3.13V ~ 3.63V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:256KB(256K x 8) 连接能力:CANbus,I²C,LINbus,SPI,UART/USART,USB 速度:80MHz | |
| 32位MCU | XMC4108Q48K64ABXUMA1 | I/O数:21 RAM大小:20K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT 封装/外壳:48-VFQFN 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 9x12b; D/A 2x12b 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 电压-供电(Vcc/Vdd):3.13V ~ 3.63V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:64KB(64K x 8) 连接能力:CANbus,I²C,LINbus,SPI,UART/USART,USB 速度:80MHz | |
| 32位MCU | XMC4108F64K64ABXQMA1 | I/O数:35 RAM大小:20K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT 封装/外壳:64-LQFP 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 10x12b;D/A 2x12b 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 电压-供电(Vcc/Vdd):3.13V ~ 3.63V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:64KB(64K x 8) 连接能力:CANbus,I²C,LINbus,SPI,UART/USART,USB 速度:80MHz | |
| 32位MCU | XMC4100Q48K128ABXUMA1 | I/O数:21 RAM大小:20K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT 封装/外壳:48-VFQFN 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 9x12b; D/A 2x12b 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 电压-供电(Vcc/Vdd):3.13V ~ 3.63V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:128KB(128K x 8) 连接能力:CANbus,I²C,LINbus,SPI,UART/USART,USB 速度:80MHz | |
| 32位MCU | XMC4100F64K128ABXQSA1 | I/O数:35 RAM大小:20K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,I²S,LED,POR,PWM,WDT 封装/外壳:64-LQFP 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 10x12b;D/A 2x12b 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 电压-供电(Vcc/Vdd):3.13V ~ 3.63V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:128KB(128K x 8) 连接能力:CANbus,I²C,LINbus,SPI,UART/USART,USB 速度:80MHz | |
| 8位MCU | XC886C6FFA5VACFXUMA1 | I/O数:34 RAM大小:1.75K x 8 内核规格:8 位 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT 封装/外壳:48-TQFP 工作温度:-40°C ~ 85°C 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 8x10b 核心处理器:XC800 电压-供电(Vcc/Vdd):4.5V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:24KB(24K x 8) 连接能力:CANbus,SSI,UART/USART 速度:24MHz | |
| 16位MCU | XC164CS16F40FBBFXQMA1 | I/O数:79 RAM大小:8K x 8 内核规格:16 位 外设:PWM,WDT 封装/外壳:100-LQFP 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 14x8/10b 核心处理器:C166SV2 电压-供电(Vcc/Vdd):2.35V ~ 2.7V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:128KB(128K x 8) 连接能力:CANbus,EBI/EMI,SPI,UART/USART 速度:40MHz | |
| 16位MCU | XC161CJ16F40FBBFXQMA1 | I/O数:99 RAM大小:8K x 8 内核规格:16 位 外设:PWM,WDT 封装/外壳:144-LQFP 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 12x8/10b 核心处理器:C166SV2 电压-供电(Vcc/Vdd):2.35V ~ 2.7V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:128KB(128K x 8) 连接能力:CANbus,EBI/EMI,I²C,SLDM,SPI,UART/USART 速度:40MHz | |
| 16位MCU | XE167FM72F80LRABKXUMA1 | I/O数:119 RAM大小:50K x 8 内核规格:16 位 外设:I²S,POR,PWM,WDT 封装/外壳:144-LQFP 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 24x10b 核心处理器:C166SV2 电压-供电(Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:576KB(576K x 8) 连接能力:CAN,EBI/EMI,I²C,LINbus,SPI,SSC,UART/USART,USI 速度:80MHz | |
| 16位MCU | XE164FN40F80LRABKXUMA1 | I/O数:75 RAM大小:34K x 8 内核规格:16 位 外设:I²S,POR,PWM,WDT 封装/外壳:100-LQFP 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 16x10b 核心处理器:C166SV2 电压-供电(Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:320KB(320K x 8) 连接能力:CAN,EBI/EMI,I²C,LINbus,SPI,SSC,UART/USART,USI 速度:80MHz | |
| 16位MCU | XE164FM72F80LRABKXUMA1 | I/O数:76 RAM大小:50K x 8 内核规格:16 位 外设:I²S,POR,PWM,WDT 封装/外壳:100-LQFP 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 16x10b 核心处理器:C166SV2 电压-供电(Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:576KB(576K x 8) 连接能力:CAN,EBI/EMI,I²C,LINbus,SPI,SSC,UART/USART,USI 速度:80MHz | |
| 8位MCU | XC888CM8FFA3V3ACKXUMA1 | I/O数:48 RAM大小:1.75K x 8 内核规格:8 位 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT 封装/外壳:64-LQFP 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 8x10b 核心处理器:XC800 电压-供电(Vcc/Vdd):3V ~ 3.6V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:32KB(32K x 8) 连接能力:CANbus,SSI,UART/USART 速度:24MHz | |
| 8位MCU | XC888CLM8FFA5VACKXUMA1 | I/O数:48 RAM大小:1.75K x 8 内核规格:8 位 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT 封装/外壳:64-LQFP 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 8x10b 核心处理器:XC800 电压-供电(Vcc/Vdd):4.5V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:32KB(32K x 8) 连接能力:CANbus,LINbus,SSI,UART/USART 速度:24MHz | |
| 8位MCU | XC888C8FFA5VACKXUMA1 | I/O数:48 RAM大小:1.75K x 8 内核规格:8 位 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT 封装/外壳:64-LQFP 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 8x10b 核心处理器:XC800 电压-供电(Vcc/Vdd):4.5V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:32KB(32K x 8) 连接能力:CANbus,SSI,UART/USART 速度:24MHz | |
| 8位MCU | XC886LM8FFA5VACKXUMA1 | I/O数:34 RAM大小:1.75K x 8 内核规格:8 位 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT 封装/外壳:48-TQFP 工作温度:-40°C ~ 125°C 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 8x10b 核心处理器:XC800 电压-供电(Vcc/Vdd):4.5V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:32KB(32K x 8) 连接能力:LINbus,SSI,UART/USART 速度:24MHz | |
| 8位MCU | XC886LM6FFA5VACKXUMA1 | I/O数:34 RAM大小:1.75K x 8 内核规格:8 位 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT 封装/外壳:48-TQFP 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 8x10b 核心处理器:XC800 电压-供电(Vcc/Vdd):4.5V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:24KB(24K x 8) 连接能力:LINbus,SSI,UART/USART 速度:24MHz | |
| ARM微控制器 | TLE9879QXA40XUMA1 | I/O数:10 RAM大小:6K x 8 封装/外壳:48-VFQFN 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 150°C 接口:LIN,SSI,UART 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 电压-供电:5.5V ~ 28V 程序存储器类型:闪存(128kB) | |
| 32位MCU | SAK-TC1767-256F133HR AD | 核心处理器:TriCore™ 核心尺寸:32-位 速度:133MHz 连接性:ASC,CAN,MLI,MSC,SSC 外设:DMA,POR,WDT I/O 数:88 程序存储容量:2MB(2M x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:128K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.42 V ~ 1.58 V 数据转换器:A/D 4x10b,32x12b 振荡器类型:外部 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:PG-LQFP-176 | |
| 16位MCU | C167CRLMHAFXQLA1 | I/O数:111 RAM大小:4K x 8 内核规格:16 位 外设:POR,PWM,WDT 封装/外壳:144-BQFP 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:外部 数据转换器:A/D 16x10b 核心处理器:C166 电压-供电(Vcc/Vdd):4.5V ~ 5.5V 程序存储器类型:ROMless 连接能力:CANbus,EBI/EMI,SPI,UART/USART 速度:25MHz | |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | FT25C64A-USR-T | 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:20MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP | |
| 电可擦只读存储器(EEPROM) | FT24C1024A-USR-T | 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP | |
| 8位MCU | STM8S105K6U6ATR | 系列:STM8S 核心处理器:STM8 核心尺寸:8-位 速度:16MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT I/O数:25 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:1K x 8 RAM容量:2K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2.95 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 7x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-uFQFPN | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q16CSIGR | 系列:SPI Interface Flash 电压:3V Density:16M bit 封装/外壳:SOP8 208mil 工作温度:-40℃ to +85℃ 包装:Tape and Reel | |
| 非易失闪存(NAND Flash) | GD5F4GQ4RBYIG | ||
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q16CEFGR | 电压:3V Density:16M bit 封装/外壳:USON8 (3x2mm, 0.45mm thickness) 工作温度:-40°C~85°C | |
| 非易失闪存(NOR Flash) | GD25Q40CEIGR | ||
| 32位MCU | CY8C4124LQI-443 | 系列:PSOC® 4 CY8C41xx 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:24MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART 外设:欠压检测/复位,电容感应,LCD,LVD,POR,PWM,WDT I/O数:34 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:4K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) I/O 数:34 RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 5.5 V 封装/外壳:40-QFN(6x6) 处理单元:微控制器 引脚数目:40 高度:0.55mm 长度:6mm 最大工作电源电压:5.5 V 最小工作电源电压:1.71 V | |
| 32位MCU | CY8C4014LQI-422 | 系列:PSOC® 4 CY8C4000 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:16MHz 连接性:I²C 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT I/O数:20 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:2K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 5.5 V 数据转换器:D/A 1x7b,1x8b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-QFN-EP(4x4) I/O 数:20 RAM 容量:2K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 5.5 V 系列名称:PSoC 4000 引脚数目:24 装置核芯:ARM Cortex M0 数据总线宽度:32Bit 程序存储器大小:16 kB 最大频率:16MHz RAM大小:2 kB USB通道:0 典型工作电源电压:3.3 V 长度:3mm 指令集结构:RISC 高度:0.55mm 计时器分辨率:16Bit 计时器:1(1 x 16 位) 计时器数目:1 Ohms | |
| 32位MCU | ATSAMD20G15A-AU | 核心处理器:ARM® Cortex®-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:I²C,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O 数:38 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.62 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 14x12b,D/A 1x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TQFP(7x7) | |
| 32位MCU | STM32F042F6P6 | 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:CAN,HDMI-CEC,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:16 程序存储容量:32KB(32K x 8) RAM容量:6K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.65 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 12x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-TSSOP ADC分辨率:12bit ADC通道数量:12Channel I/O 电压:1.65Vto3.6V 处理器系列:STM32F0 工作电源电压:2Vto3.6V 接口类型:CAN,CEC,I2C,SPI,USART,USB 数据 RAM 大小:6kB 数据 Ram 类型:SRAM 数据总线宽度:32bit 最大时钟频率:48MHz 核心:ARMCortexM0 模拟电源电压:2Vto3.6V 电源电压-最大:3.6V 电源电压-最小:2V 看门狗计时器:WatchdogTimer,Windowed 程序存储器大小:32kB 程序存储器类型:Flash 系列:STM32F042F6 计时器/计数器数量:5x16bit,1x32bit 输入/输出端数量:16I/O | |
| 片上系统(SoC) | STR912FAW44X6 | ||
| 8位MCU | STM8S207RBT6C | 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:2K x 8 RAM 容量:6K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.95 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 16x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP 核心处理器:STM8 核心尺寸:8-位 速度:24MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT I/O 数:52 程序存储容量:128KB(128K x 8) | |
| 8位MCU | STM8L152K8Y6TR | 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:2K x 8 RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 20x12b, D/A 1x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-uFBGA,WLCSP 核心处理器:STM8 核心尺寸:8-位 速度:16MHz 连接性:SPI,UART/USART 外设:高级欠压探测/复位,DMA,IR,LCD,POR,PWM,WDT I/O 数:28 程序存储容量:64KB(64K x 8) | |
| 8位MCU | STM8L152C8U6 | 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:2K x 8 RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 25x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-uFQFN 裸露焊盘 核心处理器:STM8 核心尺寸:8-位 速度:16MHz 连接性:SPI,UART/USART 外设:高级欠压探测/复位,DMA,IR,LCD,POR,PWM,WDT I/O 数:41 程序存储容量:64KB(64K x 8) | |
| 8位MCU | STM8L151R6T6 | 核心处理器:STM8 核心尺寸:8-位 速度:16MHz 连接性:SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,DMA,IR,POR,PWM,WDT I/O 数:54 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:1K x 8 RAM 容量:2K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 28x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP | |
| 8位MCU | STM8L101G3U6 | 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:2K x 8 RAM 容量:1.5K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.65 V ~ 3.6 V 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-uFQFN 核心处理器:STM8 核心尺寸:8-位 速度:16MHz 连接性:I²C,SPI,UART/USART 外设:红外线,POR,PWM,WDT I/O 数:26 程序存储容量:8KB(8K x 8) | |
| 8位MCU | STM8L050J3M3 | ||
| 32位MCU | STM32L4A6RGT6 | ||
| 32位MCU | STM32L496QEI6 | 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:80MHz 连接性:CAN,EBI/EMI,I²C,IrDA,LIN,MMC/SD,QSPI,SAI,SPI,SWPMI,UART/USART,USB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,LCD,PWM,WDT I/O 数:110 程序存储容量:512KB(512K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:320K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 19x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:132-uFBGA | |
| 32位MCU | STM32L476ZGJ6 | ||
| 32位MCU | STM32L471ZEJ6 | ||
| 32位MCU | STM32L452CEU6 | 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:80MHz 连接性:CAN, I²C, IrDA, LIN, QSPI, SAI, SPI, UART/USART, USB 外设:欠压检测/复位,DMA,PWM,WDT I/O 数:38 程序存储容量:512KB(512K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:160K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 1x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-uFQFN 裸露焊盘 | |
| 32位MCU | STM32L452CCU6 | 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:80MHz 连接性:CAN, I²C, IrDA, LIN, QSPI, SAI, SPI, UART/USART, USB 外设:欠压检测/复位,DMA,PWM,WDT I/O 数:38 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:160K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 1x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) | |
| 32位MCU | STM32L451CEU6 | 系列:STM32L4 湿气敏感性等级（MSL）:3(168 小时) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:160K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 1x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:80MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,QSPI,SAI,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,DMA,PWM,WDT I/O 数:38 程序存储容量:512KB(512K x 8) | |
| 32位MCU | STM32L451CCU6 | 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:80MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,QSPI,SAI,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,DMA,PWM,WDT I/O 数:38 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:160K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 1x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) | |
| 32位MCU | STM32L431RBT6 | 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:64K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:80MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,MMC/SD,QSPI,SAI,SPI,SWPMI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,DMA,PWM,WDT I/O 数:52 程序存储容量:128KB(128K x 8) | |
| 32位MCU | STM32L422KBU6 | ||
| 32位MCU | STM32L422KBT6 | ||
| 32位MCU | STM32L422CBU6 | ||
| 32位MCU | STM32L412KBU6 | ||
| 32位MCU | STM32L412KBT6 | ||
| 32位MCU | STM32L412CBU6 | ||
| 32位MCU | STM32L152ZET6 | 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:16K x 8 RAM 容量:80K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 40x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:144-LQFP 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:32MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT I/O 数:115 程序存储容量:512KB(512K x 8) | |
| 32位MCU | STM32L152VET6 | 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:16K x 8 RAM 容量:80K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.65 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 25x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:32MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT I/O 数:83 程序存储容量:512KB(512K x 8) |