IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
您的当前位置：首页
> 处理器/单片机(MCU)/存储器
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 16位MCU | C164CI8EMDBFXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 核心处理器:C166 核心尺寸:16-位 速度:20MHz 连接性:CAN,EBI/EMI,SPI,SSC,UART/USART 外设:POR,PWM,WDT I/O 数:59 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:OTP RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:4.75 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:外部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:80-QFP 封装/外壳:PG-MQFP-80-7 |
| 32位MCU | TC264DA40F200NBCKXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 核心处理器:TriCore™ 核心尺寸:32 位双核 速度:200MHz 连接性:ASC,CAN,以太网,FlexRay,HSSL,I²C,LIN,MSC,PSI5,QSPI,SENT 外设:DMA,WDT I/O 数:88 程序存储容量:2.5MB(2.5M x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:96K x 8 RAM 容量:752K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3.3V,5V 数据转换器:A/D 40x12b,4 x 三角积分 振荡器类型:外部 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) |
| 16位MCU | SAF-XC164D-16F20F BB | Infineon(英飞凌) | I/O数:79 RAM大小:8K x 8 内核规格:16 位 外设:PWM,WDT 封装/外壳:100-LQFP 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:内部 核心处理器:C166SV2 电压-供电(Vcc/Vdd):2.35V ~ 2.7V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:128KB(128K x 8) 连接能力:CANbus,EBI/EMI,SPI,UART/USART 速度:20MHz |
| 16位MCU | SAF-XC167CI-16F20F BB | Infineon(英飞凌) | I/O数:103 RAM大小:8K x 8 内核规格:16 位 外设:PWM,WDT 封装/外壳:144-LQFP 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 16x8/10b 核心处理器:C166SV2 电压-供电(Vcc/Vdd):2.35V ~ 2.7V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:128KB(128K x 8) 连接能力:CANbus,EBI/EMI,I²C,SPI,UART/USART 速度:20MHz |
| 16位MCU | SAF-XC164N-8F40F BB | Infineon(英飞凌) | I/O数:79 RAM大小:6K x 8 内核规格:16 位 外设:PWM,WDT 封装/外壳:100-LQFP 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:内部 核心处理器:C166SV2 电压-供电(Vcc/Vdd):2.35V ~ 2.7V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:64KB(64K x 8) 连接能力:EBI/EMI,SPI,UART/USART 速度:40MHz |
| 非易失闪存(NOR Flash) | W25Q128JVFIQ | Winbond(华邦电子) | 封装/外壳:SOIC-16_300mil |
| 非易失闪存(NOR Flash) | W25X40CLSSIG | Winbond(华邦电子) | 封装/外壳:SOIC-8 208mil |
| 非易失闪存(NOR Flash) | W25Q32JVZPIQ | Winbond(华邦电子) | 封装/外壳:WSON-8 |
| 非易失闪存(NOR Flash) | W25Q128FWSIG | Winbond(华邦电子) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:128Mb (16M x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:SOIC-8 |
| 非易失闪存(NOR Flash) | W25X20CLSNIG | Winbond(华邦电子) | 封装/外壳:SOIC-8_150mil |
| 数字信号处理/控制器(DSP/DSC) | TMS32C6713BGDPA200 | TI(德州仪器) | |
| 32位MCU | TC277T64F200SDCKXUMA1 | Infineon(英飞凌) | EEPROM容量:64K x 8 I/O数:169 RAM大小:472K x 8 内核规格:32 位三核 外设:DMA,WDT 封装/外壳:292-LFBGA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:外部 数据转换器:A/D 60x12b,6 x 三角积分 核心处理器:TriCore™ 电压-供电(Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:4MB(4M x 8) 连接能力:ASC,CANbus,以太网,FlexRay,HSSL,I²C,LIN,MSC,PSI5,QSPI,SENT 速度:200MHz |
| 8位MCU | XC886CM8FFI5VACFXUMA1 | Infineon(英飞凌) | I/O数:34 RAM大小:1.75K x 8 内核规格:8 位 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT 封装/外壳:48-TQFP 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 8x10b 核心处理器:XC800 电压-供电(Vcc/Vdd):4.5V ~ 5.5V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:32KB(32K x 8) 连接能力:CANbus,SSI,UART/USART 速度:24MHz |