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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE42702DATMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:54dB(100Hz) 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:复位 电压-输入(最大值):42V 电压-输出(最小值/固定):5V 电压降(最大值):0.7V @ 550mA 电流-供电(最大值):90mA 电流-输出:650mA 电流-静态(Iq):1.5mA 稳压器数:1 输出类型:固定 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4264GHTSA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:54dB(100Hz) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-输入(最大值):45V 电压-输出(最小值/固定):5V 电压降(最大值):0.5V @ 100mA 电流-供电(最大值):15mA 电流-输出:100mA 电流-静态(Iq):400uA 稳压器数:1 输出类型:固定 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE42502GHTSA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:48dB(100Hz) 封装/外壳:6-SMD(5 引线),鸥翼 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:使能 电压-输入(最大值):40V 电压-输出(最小值/固定):跟踪 电压降(最大值):0.3V @ 10mA 电流-供电(最大值):5mA 电流-输出:50mA 电流-静态(Iq):20uA 稳压器数:1 输出类型:可调式 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE42962GV50HTSA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:60dB(100Hz) 封装/外壳:6-SMD(5 引线),鸥翼 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:禁止 电压-输入(最大值):45V 电压-输出(最小值/固定):5V 电压降(最大值):0.3V @ 20mA 电流-供电(最大值):5.2mA 电流-输出:30mA 电流-静态(Iq):170uA 稳压器数:1 输出类型:固定 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4266GHTMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:54dB(100Hz) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 工作温度:-40°C ~ 125°C 控制特性:禁止 电压-输入(最大值):45V 电压-输出(最小值/固定):5V 电压降(最大值):0.5V @ 100mA 电流-供电(最大值):15mA 电流-输出:120mA 电流-静态(Iq):400uA 稳压器数:1 输出类型:固定 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4250GHTSA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:60dB(100Hz) 封装/外壳:6-SMD(5 引线),鸥翼 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:使能 电压-输入(最大值):40V 电压-输出(最小值/固定):跟踪 电压降(最大值):0.3V @ 10mA 电流-供电(最大值):3mA 电流-输出:50mA 电流-静态(Iq):20uA 稳压器数:1 输出类型:可调式 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4251DATMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:60dB(100Hz) 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:使能 电压-输入(最大值):40V 电压-输出(最小值/固定):跟踪 电压降(最大值):0.52V @ 300mA 电流-供电(最大值):20mA 电流-输出:400mA 电流-静态(Iq):300uA 稳压器数:1 输出类型:可调式 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | IFX20001MBV50HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:45V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.3V @ 20mA 电流-输出:30mA 电流-电源:170µA ~ 4.5mA PSRR:60dB(100Hz) 控制特性:禁止 保护功能:过流,超温,反极性,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:PG-SCT595-5 电流 - 静态（Iq):170µA 电流 - 电源（最大值）:4.5mA 封装/外壳:PG-SCT595-5 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE42764DVATMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:54dB(100Hz) 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:使能 电压-输入(最大值):40V 电压-输出(最大值):20V 电压-输出(最小值/固定):2.5V 电压降(最大值):0.5V @ 250mA 电流-供电(最大值):25mA 电流-输出:400mA 电流-静态(Iq):220uA 稳压器数:1 输出类型:可调式 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4284DVATMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:65dB(120Hz) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-输入(最大值):40V 电压-输出(最大值):38.6V 电压-输出(最小值/固定):1.25V 电压降(最大值):1.4V @ 1A 电流-供电(最大值):5mA 电流-输出:1A 电流-静态(Iq):120uA 稳压器数:1 输出类型:可调式 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4471GAUMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:30dB(20Hz ~ 20kHz),30dB(20hz ~ 20kHz),30dB(20Hz ~ 20kHz) 封装/外壳:20-PowerSOIC(0.433"",11.00mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:使能,复位,看门狗 电压-输入(最大值):40V 电压-输出(最小值/固定):5V,跟踪 电压降(最大值):0.55V @ 450mA,0.6V @ 50mA,0.6V @ 100mA 电流-输出:450mA,50mA,100mA 电流-静态(Iq):1.8mA 稳压器数:3 输出类型:可调(固定) 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4252DATMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:60dB(100Hz) 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:使能 电压-输入(最大值):40V 电压-输出(最小值/固定):跟踪 电压降(最大值):0.6V @ 200mA 电流-供电(最大值):25mA 电流-输出:250mA 电流-静态(Iq):150uA 稳压器数:1 输出类型:可调式 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE42744DV50ATMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:60dB(100Hz) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-输入(最大值):40V 电压-输出(最小值/固定):5V 电压降(最大值):0.5V @ 250mA 电流-供电(最大值):30mA 电流-输出:400mA 电流-静态(Iq):220uA 稳压器数:1 输出类型:固定 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE42694GXUMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:70dB(100Hz) 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:复位 电压-输入(最大值):45V 电压-输出(最小值/固定):5V 电压降(最大值):0.5V @ 100mA 电流-供电(最大值):8mA 电流-输出:150mA 电流-静态(Iq):280uA 稳压器数:1 输出类型:固定 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4276GVATMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:54dB(100Hz) 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:禁止 电压-输入(最大值):40V 电压-输出(最大值):20V 电压-输出(最小值/固定):2.5V 电压降(最大值):0.5V @ 250mA 电流-供电(最大值):25mA 电流-输出:400mA 电流-静态(Iq):200uA 稳压器数:1 输出类型:可调式 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | IFX1117MEV33HTMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:65dB(120Hz) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 工作温度:0°C ~ 125°C 电压-输入(最大值):15V 电压-输出(最小值/固定):3.3V 电压降(最大值):1.4V @ 1A 电流-输出:1A 电流-静态(Iq):10mA 稳压器数:1 输出类型:固定 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4295GV50HTSA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:60dB(100Hz) 封装/外壳:6-SMD(5 引线),鸥翼 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:电源故障 电压-输入(最大值):45V 电压-输出(最小值/固定):5V 电压降(最大值):0.4V @ 20mA 电流-供电(最大值):4mA 电流-输出:30mA 电流-静态(Iq):200uA 稳压器数:1 输出类型:固定 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4295GV33HTSA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:60dB(100Hz) 封装/外壳:6-SMD(5 引线),鸥翼 工作温度:-40°C ~ 150°C 控制特性:电源故障 电压-输入(最大值):45V 电压-输出(最小值/固定):3.3V 电压降(最大值):0.4V @ 20mA 电流-供电(最大值):4mA 电流-输出:30mA 电流-静态(Iq):200uA 稳压器数:1 输出类型:固定 输出配置:正 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE42712AKSA1 | Infineon(英飞凌) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:40V 电压 - 输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.7V @ 550mA 电流 - 输出:550mA 电流 - 静态（Iq):6µA 电流 - 电源（最大值）:90mA PSRR:54dB(100Hz) 控制特性:复位,看门狗 保护功能:过流,超温,过压,反极性,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-7 封装/外壳:PG-TO220-7 输出电压:4.9 → 5.1 V 封装/外壳:TO-220 最大输出电流:800mA 最小输入电压:6 V 最大输入电压:40 V 引脚数目:7 极性:正极 输出数目:1 Ohms 静态电流:10µA 精确度:±2% 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+150 °C 宽度:4.4mm 负荷调节:50 mV 线路调节:25 mV 长度:10mm 高度:17mm 启用:是 封装/外壳:10 x 4.4 x 17mm |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4250-2G | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SCT595-5 输出电流:50mA 输出端数量:1Output 极性:Negative,Positive 静态电流:10uA 最大输入电压:40V 输出类型:Adjustable 负载调节:15mV 系列:TLE4250 回动电压:100mV 回动电压—最大值:300mV 线路调整率:10mV 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 通用MOSFET | BUZ30AHXKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:SIPMOS® 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ohms@13.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:21A 漏源极电压Vds:200V 封装/外壳:PG-TO-220-3 |
| 通用MOSFET | BUZ30AH3045AATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:130 毫欧 @ 13.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3 封装/外壳:PG-TO263-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:21 A 漏源极电压Vds:200 V Rds On(Max)@Id,Vgs:130 m0hms 栅极电压Vgs:4V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:D2PAK (TO-263) 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):125W 长度:10.31mm 高度:4.57mm 封装/外壳:10.31 x 9.45 x 4.57mm 最低工作温度:-55 °C 系列:SIPMOS 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1400 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:250 ns 典型接通延迟时间:30 ns 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 宽度:9.45mm |
| 电源开关 | BTT60302EKAXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):32 毫欧 封装/外壳:14-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:5V ~ 36V 电流-输出(最大值):4A 输入类型:非反相 输出数:2 输出类型:N 通道 输出配置:高端 |
| 电源开关 | BTT60201EKAXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):20 毫欧 封装/外壳:14-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压,UVLO 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:5V ~ 36V 电流-输出(最大值):7A 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:高端 |
| 电源开关 | BTS740S2 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:4.9A 导通电阻（典型值）:27 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-20 输出数:2 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5 V ~ 34 V |
| 电源开关 | BTS724G | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-20 FET类型:HighSide 输出端数量:4Output 输出电流:3.3A 电流限制:12A 导通电阻—最大值:90mOhms 工作电源电压:5.5Vto40V 电源电压-最小:5.5V 电源电压-最大:40V 功率:3.6W 运行时间—最大值:250us 空闲时间—最大值:270us 系列:ClassicPROFET 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS721L1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:2.5A 导通电阻（典型值）:85 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-20 输出数:4 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5 V ~ 34 V |
| 电源开关 | BTS716GBXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):110 毫欧 封装/外壳:20-SOIC(0.295"",7.50mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:5.5V ~ 40V 电流-输出(最大值):2.3A 输入类型:非反相 输出数:4 输出类型:N 通道 输出配置:高端 |
| 电源开关 | BTS716GXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):110 毫欧 封装/外壳:20-SOIC(0.295"",7.50mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:5.5V ~ 40V 电流-输出(最大值):2.3A 输入类型:非反相 输出数:4 输出类型:N 通道 输出配置:高端 |
| 电源开关 | BTS712N1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.7A 导通电阻（典型值）:165 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-20 输出数:4 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5 V ~ 34 V |
| 电源开关 | BTS711L1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.7A 导通电阻（典型值）:165 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-20 输出数:4 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5 V ~ 34 V |
| 电源开关 | BTS70041EPPXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):4.4 毫欧 封装/外壳:14-TSSOP(0.154"",3.90mm 宽)裸焊盘 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:过流,过/欠压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):3.1V ~ 28V 电压-负载:3.1V ~ 28V 电流-输出(最大值):15A 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:高端 |
| 电源开关 | BTS6163D | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:5.5A 导通电阻（典型值）:16 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-5 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5.5 V ~ 62 V |
| 电源开关 | BTS6143D | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:8A 导通电阻（典型值）:8 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-5 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5.5 V ~ 38 V |
| 电源开关 | BTS5090-2EKA | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-14 FET类型:HighSide 输出端数量:2Output 输出电流:3A 电流限制:20A 导通电阻—最大值:180mOhms 工作电源电压:5Vto28V 电源电压-最小:5V 电源电压-最大:28V 功率:1.9W 运行时间—最大值:230us 系列:PROFET12V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS5090-1EJA | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 FET类型:HighSide 输出端数量:1Output 输出电流:3A 电流限制:20A 导通电阻—最大值:90mOhms 工作电源电压:5Vto28V 电源电压-最小:5V 电源电压-最大:28V 功率:1.5W 运行时间—最大值:230us 系列:PROFET12V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS5045-2EKA | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:3A 导通电阻（典型值）:85 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-14 输出数:2 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:8 V ~ 18 V |
| 电源开关 | BTS5045-1EJA | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 FET类型:HighSide 输出端数量:1Output 输出电流:4A 电流限制:25A 导通电阻—最大值:45mOhms 工作电源电压:5Vto28V 电源电压-最小:5V 电源电压-最大:28V 功率:1.6W 运行时间—最大值:230us 系列:PROFET12V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS5030-2EKA | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-14 FET类型:HighSide 输出端数量:1Output 电流限制:57A 导通电阻—最大值:60mOhms 工作电源电压:8Vto18V 电源电压-最小:8V 电源电压-最大:18V 功率:2.1W 运行时间—最大值:230us 系列:PROFET12V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS5030-1EJA | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 FET类型:HighSide 输出端数量:1Output 输出电流:5A 电流限制:36A 导通电阻—最大值:30mOhms 工作电源电压:5Vto28V 电源电压-最小:5V 电源电压-最大:28V 功率:1.7W 运行时间—最大值:230us 系列:PROFET12V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS50085-1TMB | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:38A 导通电阻（典型值）:7.2 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-7 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5 V ~ 58 V |
| 电源开关 | BTS50080-1TEA | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:10A 导通电阻（典型值）:8 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-5 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5.5 V ~ 30 V |
| 电源开关 | BTS50080-1TMB | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO220-7 FET类型:HighSide 输出端数量:1Output 输出电流:9.5A 电流限制:37.5A 导通电阻—最大值:7mOhms 工作电源电压:5.5Vto30V 电源电压-最小:5.5V 电源电压-最大:30V 运行时间—最大值:550us 空闲时间—最大值:600us 系列:High-CurrentPROFET 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS50080-1TMA | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO220-7 FET类型:HighSide 输出端数量:1Output 输出电流:9.5A 电流限制:90A 导通电阻—最大值:9.5mOhms 工作电源电压:5.5Vto38V 电源电压-最小:5.5V 电源电压-最大:30V 运行时间—最大值:550us 空闲时间—最大值:600us 系列:High-CurrentPROFET 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS50055-1TMB | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO220-7 FET类型:HighSide 输出端数量:1Output 输出电流:70A 电流限制:130A 导通电阻—最大值:6m Ohms 工作电源电压:5Vto34V 电源电压-最小:5V 电源电压-最大:34V 功率:170W 运行时间—最大值:80us 空闲时间—最大值:30us 系列:High-CurrentPROFET 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS4880R | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:625mA 导通电阻（典型值）:150 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-36 输出数:8 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:11 V ~ 45 V |
| 电源开关 | BTS462T | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:3.5A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-5 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5 V ~ 34 V |
| 电源开关 | BTS452R | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.8A 导通电阻（典型值）:150 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-5 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:6 V ~ 52 V |
| 电源开关 | BTS443P | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:21A 导通电阻（典型值）:13 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-5 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5 V ~ 36 V |
| 电源开关 | BTS442E2 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:17A 导通电阻（典型值）:15 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-5 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:4.5 V ~ 42 V |
| 电源开关 | BTS432E2 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO220-5 Moisture Level:NA Family:High-Current PROFET Channels:1.0 RDS (on) (@ Tj = 25°C):38.0mΩ Diagnostics:Digital Nominal Load Current per channel (All channels active):5.0 A IL (Short Circuit Current):24.0 A Mounting:THT Recommended Operating Voltage min max:4.5 V 42.0 V RDS (on) (@ Tj = 150°C) max:70.0mΩ |
| 电源开关 | BTS4141N | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT223-4 输出电流:0.7 A 系列:BTS4141 最大功率消耗:1.4 W 标准包装数量:4000 输出数:1 Ohms 电流限制:1.4 A 启动电阻 - 最大值:200 m0hms 启动时间 - 最大值:100 us 关闭时间 - 最大值:150 us 工作电源电压:12 V to 45 V 电源电流 - 最大值:1.6 mA 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 电源开关 | BTS410E2E3062ABUMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:PROFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:4.7 V ~ 42 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.6A 导通电阻（典型值）:190 毫欧 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压,UVLO 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-5 封装/外壳:PG-TO263-5-2 |
| 电源开关 | BTS3800SL | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SCT595-5 激励器数量:1Driver 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.7V FET类型:LowSide 系列:HITFET 空闲时间—最大值:3us 工作电源电流(mA):500uA 功率:1/2W 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS3410GXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):150 毫欧 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:42V(最大) 电流-输出(最大值):1.3A 输入类型:非反相 输出数:2 输出类型:N 通道 输出配置:低端 |
| 电源开关 | BTS3408GXUMA2 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):480 毫欧 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-负载:60V(最大) 电流-输出(最大值):1A 输入类型:非反相 输出数:2 输出类型:N 通道 输出配置:低端 |
| 电源开关 | BTS3405G | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:350mA 导通电阻（典型值）:700 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-8 输出数:2 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:10V(最大) |
| 电源开关 | BTS3256DAUMA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):10 毫欧 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),超温,过压,UVLO 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:5.5V ~ 30V 电流-输出(最大值):7.5A 输入类型:非反相 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:低端 |
| 电源开关 | BTS3207N | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT223-4 FET类型:LowSide 输出端数量:1Output 输出电流:640mA 电流限制:7.5A 导通电阻—最大值:500m Ohms 工作电源电压:1.3Vto2.2V 电源电压-最小:1.3V 电源电压-最大:2.2V 功率:3.8W 运行时间—最大值:100us 系列:HITFET 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS3205NHUSA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):700 毫欧 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:42V(最大) 电流-输出(最大值):350mA 输入类型:非反相 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:低端 |
| 电源开关 | BTS3160D | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:7.8A 导通电阻（典型值）:8 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压,UVLO 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-5 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:6 V ~ 45 V |
| 电源开关 | BTS3142DATMA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):23 毫欧 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:42V(最大) 电流-输出(最大值):4.6A 输入类型:非反相 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:低端 |
| 电源开关 | BTS3134N | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT223-4 FET类型:LowSide 输出端数量:1Output 输出电流:3A 电流限制:24A 导通电阻—最大值:50m Ohms 工作电源电压:1.3Vto2.2V 电源电压-最小:1.3V 电源电压-最大:2.2V 功率:3.8W 运行时间—最大值:100us 系列:HITFET 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS3134D | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:3.5A 导通电阻（典型值）:35 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:42V(最大) |
| 电源开关 | BTS3125TF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO252-3 Moisture Level:1 Ohms 漏源极电压Vds:40V Family:HITFET+ Channels:1.0 RDS (on) (@ Tj = 25°C):108.0mΩ 工作温度:-40.0°C 150.0°C Mounting:SMT ID:2.0A toff max:210.0µs ton max:115.0µs ID(lim) min:7.0A |
| 电源开关 | BTS3125EJ | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TDSO-8 Moisture Level:2a 漏源极电压Vds:40V Family:HITFET+ Channels:1.0 RDS (on) (@ Tj = 25°C):108.0mΩ 工作温度:-40.0°C 150.0°C Mounting:SMT ID:2.0A toff max:210.0µs ton max:115.0µs ID(lim) min:7.0A |
| 电源开关 | BTS3118N | Infineon(英飞凌) | FET类型:LowSide 输出端数量:1Output 输出电流:2.17A 电流限制:15A 导通电阻—最大值:100m Ohms 功率:3.8W 封装/外壳:PG-SOT223-4 运行时间—最大值:100us 系列:HITFET 湿度敏感性:Yes 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS3118D | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO252-3 FET类型:LowSide 输出端数量:1Output 输出电流:2.4A 电流限制:15A 导通电阻—最大值:100m Ohms 功率:21W 运行时间—最大值:100us 系列:HITFET 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS3110N | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT223-4 FET类型:LowSide 输出端数量:1Output 输出电流:1.4A 电流限制:7.5A 导通电阻—最大值:200mOhms 工作电源电压:1.3Vto2.2V 电源电压-最小:1.3V 电源电压-最大:2.2V 功率:3.8W 运行时间—最大值:100us 系列:HITFET 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 电源开关 | BTS3080TF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO252-3 Moisture Level:1 Ohms 漏源极电压Vds:40V Family:HITFET+ Channels:1.0 RDS (on) (@ Tj = 25°C):69.0mΩ 工作温度:-40.0°C 150.0°C Mounting:SMT ID:3.0A toff max:210.0µs ton max:115.0µs ID(lim) min:10.0A |
| 电源开关 | BTS3080EJ | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TDSO-8 Moisture Level:2a 漏源极电压Vds:40V Family:HITFET+ Channels:1.0 RDS (on) (@ Tj = 25°C):69.0mΩ 工作温度:-40.0°C 150.0°C Mounting:SMT ID:3.0A toff max:218.0µs ton max:115.0µs ID(lim) min:10.0A |
| 电源开关 | BTS3060TF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO252-3 Moisture Level:1 Ohms Rds On(Max)@Id,Vgs:135mΩ 漏源极电压Vds:42V Family:HITFET+ Channels:1.0 RDS (on) (@ Tj = 25°C):50.0mΩ 工作温度:-40.0°C 150.0°C Mounting:SMT IL(LIM) min:10.5A ID:3.0A toff max:130.0µs ton max:76.0µs toff min max:20.0µs 130.0µs |
| 电源开关 | BTS3050TF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO252-3 Moisture Level:1 Ohms 漏源极电压Vds:40V Family:HITFET+ Channels:1.0 RDS (on) (@ Tj = 25°C):44.0mΩ 工作温度:-40.0°C 150.0°C Mounting:SMT IL(LIM) min:15.0A ID:4.0A toff max:210.0µs ton max:115.0µs |
| 电源开关 | BTS3050EJ | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TDSO-8 Moisture Level:2a 漏源极电压Vds:40V Family:HITFET+ Channels:1.0 RDS (on) (@ Tj = 25°C):44.0mΩ 工作温度:-40.0°C 150.0°C Mounting:SMT IL(LIM) min:15.0A ID:4.0A toff max:210.0µs ton max:115.0µs |
| 电源开关 | BTS3035TF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO252-3 Moisture Level:1 Ohms 漏源极电压Vds:40V Family:HITFET+ Channels:1.0 RDS (on) (@ Tj = 25°C):30.0mΩ 工作温度:-40.0°C 150.0°C Mounting:SMT IL(LIM) min:20.0A ID:5.0A toff max:210.0µs ton max:115.0µs |
| 电源开关 | BTS3035EJ | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TDSO-8 Moisture Level:2a 漏源极电压Vds:40V Family:HITFET+ Channels:1.0 RDS (on) (@ Tj = 25°C):30.0mΩ 工作温度:-40.0°C 150.0°C Mounting:SMT IL(LIM) min:20.0A ID:5.0A toff max:210.0µs ton max:115.0µs |
| 功率MOSFET | BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):80A(Tc) FET功能:温度检测二极管 FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.5 毫欧 @ 36A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 240uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4800pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):232nC @ 10V 功率耗散(最大值):300W(Tc) 封装/外壳:TO-220-7 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):49V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V |
| 功率MOSFET | BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):80A(Tc) FET功能:温度检测二极管 FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.5 毫欧 @ 36A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 240uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4800pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):232nC @ 10V 功率耗散(最大值):300W(Tc) 封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):49V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V |
| 功率MOSFET | BTS244ZE3043AKSA2 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):35A(Tc) FET功能:温度检测二极管 FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):13 毫欧 @ 19A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 130uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2660pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):130nC @ 10V 功率耗散(最大值):170W(Tc) 封装/外壳:TO-220-5 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V |
| 电源开关 | BTS142D | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:4.6A 导通电阻（典型值）:23 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:42V(最大) |
| 电源开关 | BTS141TCBUMA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):25 毫欧 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:60V(最大) 电流-输出(最大值):12A 输入类型:非反相 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:低端 |
| 电源开关 | BTS141BKSA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):25 毫欧 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:60V(最大) 电流-输出(最大值):12A 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:低端 |
| 电源开关 | BTS134D | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:3.5A 导通电阻（典型值）:35 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:42V(最大) |
| 电源开关 | BTS133TC | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:7A 导通电阻（典型值）:40 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:60V(最大) |
| 电源开关 | BTS118D | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:2.4A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:42V(最大) |
| 电源开关 | BTS117TC | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:3.5A 导通电阻（典型值）:80 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:60V(最大) |
| 电机驱动/控制器 | BTN8982TA | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO263-7 系列:BTN8982 RoHS compliant:yes Moisture Level:3 Temperature:- 40°C - 150°C ID(lim)(multiple):77.0A Diagnostics:OT, OC-failure flag, current sense Iq:7.0µA Mounting:SMT Operating Voltage min max:5.5 V 40.0 V Inhibit:Yes RDS (on) (multiple):10.0 Protect:UV, OT, OC Operating Voltage min max:5.5V 40.0V |
| 电机驱动/控制器 | BTN8962TAAUMA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):7.5 毫欧 LS,6.7 毫欧 HS 封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:DMOS 接口:逻辑 故障保护:限流,超温,短路,UVLO 电压-供电:5.5V ~ 40V 电压-负载:5.5V ~ 40V 电流-峰值输出:70A 电流-输出/通道:30A 负载类型:电感 输出配置:半桥 |
| 电机驱动/控制器 | BTM7810KAUMA1 | Infineon(英飞凌) | 导通电阻(典型值):14 毫欧 LS,26 毫欧 HS 封装/外壳:TO-263-18(15 引线 + 3 接片) 工作温度:-40°C ~ 110°C(TJ) 技术:DMOS 接口:逻辑 故障保护:开路负载检测,超温,短路,UVLO 电压-供电:1.8V ~ 42V 电压-负载:1.8V ~ 42V 电流-峰值输出:42A 负载类型:电感 输出配置:半桥(2) |
| 电源开关 | BTF3050TE | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO252-5 Moisture Level:1 Ohms Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ 漏源极电压Vds:40V Family:HITFET+ Channels:1.0 RDS (on) (@ Tj = 25°C):40.0mΩ 工作温度:-40.0°C 150.0°C Mounting:SMT IL(LIM) min:8.0A ID:3.0A toff max:5.0µs ISC max:60.0A IL(LIM)_TRIGGER min:30.0A |
| 功率MOSFET | BSZ900N20NS3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):15.2A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 7.6A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 30uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):920pF @ 100V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):11.6nC @ 10V 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 封装/外壳:8-PowerTDFN 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V |
| 功率MOSFET | BSZ900N15NS3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):13A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 10A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 20uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):510pF @ 75V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):7nC @ 10V 功率耗散(最大值):38W(Tc) 封装/外壳:8-PowerTDFN 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):150V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):8V,10V |
| 功率MOSFET | BSZ520N15NS3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):21A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):52 毫欧 @ 18A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 35uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):890pF @ 75V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V 功率耗散(最大值):57W(Tc) 封装/外壳:8-PowerTDFN 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):150V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):8V,10V |
| 功率MOSFET | BSZ440N10NS3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):5.3A(Ta),18A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):44 毫欧 @ 12A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.7V @ 12uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):640pF @ 50V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):9.1nC @ 10V 功率耗散(最大值):29W(Tc) 封装/外壳:8-PowerTDFN 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V |
| 功率MOSFET | BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):5A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):425 毫欧 @ 2.5A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 13uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):430pF @ 100V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):5.5nC @ 10V 功率耗散(最大值):33.8W(Tc) 封装/外壳:8-PowerTDFN 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):250V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V |
| 功率MOSFET | BSZ340N08NS3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):6A(Ta),23A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):34 毫欧 @ 12A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 12uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):630pF @ 40V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):9.1nC @ 10V 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),32W(Tc) 封装/外壳:8-PowerTDFN 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V |
| 功率MOSFET | BSZ240N12NS3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):37A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 20A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 35uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1900pF @ 60V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):27nC @ 10V 功率耗散(最大值):66W(Tc) 封装/外壳:8-PowerTDFN 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):120V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V |
| 功率MOSFET | BSZ22DN20NS3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):7A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):225 毫欧 @ 3.5A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 13uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):430pF @ 100V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):5.6nC @ 10V 功率耗散(最大值):34W(Tc) 封装/外壳:8-PowerTDFN 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V |
| 功率MOSFET | BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Ta),39.6A(Tc) FET类型:P 通道 Vgs(最大值):±25V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):18 毫欧 @ 20A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.1V @ 48uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2220pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),40W(Tc) 封装/外壳:8-PowerTDFN 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V |
| 未分类 | BSZ180P03NS3EGATMA | Infineon(英飞凌) | 安装:SMD 封装/外壳:PG-TSDSON-8 开启状态电阻:18m Ohms FET类型:P-MOSFET 极化:单极 栅极-源极电压:±25V 漏极-源极电压:-30V 漏极电流:-39.6A 耗电:40W |