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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | IGP30N60T | Infineon(英飞凌) | |
| 未分类 | IRFS17N20DTRRP | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1100pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:3.8W(Ta),140W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:170 毫欧 @ 9.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3 |
| 整流二极管 | D3001N65T | Infineon(英飞凌) | 不同If时电压-正向(Vf):1.7V @ 4000A 不同Vr时电流-反向泄漏:100mA @ 6500V 二极管类型:标准 封装/外壳:DO-200AE 工作温度-结:-40°C ~ 160°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):6500V 电流-平均整流(Io):3910A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| 通用MOSFET | IPC302NE7N3X1SA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:1A(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 270µA Rds On(Max)@Id,Vgs:100 毫欧 @ 2A,10V 封装/外壳:带箔切割晶片 |
| 16位MCU | XC164CM8F40FAAKXUMA1 | Infineon(英飞凌) | I/O数:47 RAM大小:6K x 8 内核规格:16 位 外设:PWM,WDT 封装/外壳:64-LQFP 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:内部 数据转换器:A/D 14x8/10b 核心处理器:C166SV2 电压-供电(Vcc/Vdd):2.35V ~ 2.7V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:64KB(64K x 8) 连接能力:CANbus,SPI,UART/USART 速度:40MHz |
| 未分类 | SAF-XE164GN-40F80L AA | Infineon(英飞凌) | 核心处理器:C166SV2 核心尺寸:16-位 速度:80MHz 连接性:CAN,EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,SSC,UART/USART,USI 外设:I²S,POR,PWM,WDT I/O 数:75 程序存储容量:320KB(320K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:34K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 11x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 裸露焊盘 封装/外壳:PG-LQFP-100-8 |
| 未分类 | IRFR3303CPBF | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:33A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:750pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:57W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:31 毫欧 @ 18A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak 封装/外壳:TO-252-3 |
| 未分类 | IFX8117MEV33HTMA1 | Infineon(英飞凌) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:15V 电压 - 输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:1.25V @ 1A 电流 - 输出:1A 电流 - 静态（Iq):10mA PSRR:75dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-261-4 封装/外壳:PG-SOT223-4 |
| 处理器 | SLE66R35RCZZZA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:模具 工作温度:-25°C ~ 70°C 接口:ISO14443-3 标准 A |
| 未分类 | PXM1311CDNG003XTMA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 未分类 | BA895H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:50mA 不同 Vr，F 时的电容:0.6pF @ 10V,1MHz 不同 If，F 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA,100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-80 封装/外壳:PG-SCD80-2 |
| 未分类 | TT61N12KOFB2 | Infineon(英飞凌) | SCR 数，二极管:2 SCRs 电压 - 断态:1.2KV 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:76A 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:120A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.4V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:120mA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:1550A @ 50Hz 电流 - 保持（Ih）（最大值）:200mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:模块 |
| 未分类 | IRG7PH42UD1MPBF | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,30A 功率:313W 开关能量:1.21mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/270ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247AD |
| 功率MOSFET | IRF6201PBF | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):27A(Ta) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±12V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.45 毫欧 @ 27A,4.5V 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 100uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):8555pF @ 16V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):195nC @ 4.5V 功率耗散(最大值):2.5W(Ta) 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V |
| 未分类 | IPI034NE7N3 G | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:100A(Tc) 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 155µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:117nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8130pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:37.5V 功率:214W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.4 毫欧 @ 100A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO262-3 封装/外壳:TO-262-3 |
| 未分类 | PEB 20542 F V1.3 | Infineon(英飞凌) | 功能:优化串行通信控制器 接口:HDLC,PPP 电路数:2 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 电流 - 电源:50mA 功率:3/20W 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:144-LQFP 封装/外壳:P-TQFP-144 包括:位处理器功能,串行通信控制器(SCC) |
| 未分类 | SPB80N06S2-08 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:96nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3800pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:215W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8 毫欧 @ 58A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:TO-263-3 |
| 未分类 | IRS26072DSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 8N 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | BG5412KE6327XT | Infineon(英飞凌) | |
| 未分类 | IRFR4105ZTRRPBF | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:740pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:48W Rds On(Max)@Id,Vgs:24.5 毫欧 @ 18A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak 封装/外壳:TO-252-3 |
| SCR(可控硅)模块 | T2810N18TOFVTXPSA1 | Infineon(英飞凌) | SCR数,二极管:1 SCR 封装/外壳:DO-200AE 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-断态:2.2kV 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):2.5V 电流-保持(Ih)(最大值):300mA 电流-栅极触发(Igt)(最大值):300mA 电流-通态(It(AV))(最大值):2810A 电流-通态(It(RMS))(最大值):5800A 电流-非重复浪涌50、60Hz(Itsm):58000A @ 50Hz 结构:单路 |
| 未分类 | IKCS12F60AA | Infineon(英飞凌) | |
| 未分类 | IPI023NE7N3 G | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:120A(Tc) 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 273µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:206nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14400pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:37.5V 功率:300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.3 毫欧 @ 100A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO262-3 封装/外壳:TO-262-3 |
| 未分类 | IRGIB6B60KD116P | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):22A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,5A 功率:38W 开关能量:110µJ(开),135µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/215ns 测试条件:400V,5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 整包 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| 未分类 | SPN04N60S5 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:800mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 200µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 25V 功率:1.8W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:950 毫欧 @ 2.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT223-4 封装/外壳:TO-261-4 |
| 未分类 | SAK-XE164HN-24F80L AA | Infineon(英飞凌) | 核心处理器:C166SV2 核心尺寸:16-位 速度:80MHz 连接性:EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,SSC,UART/USART,USI 外设:I²S,POR,PWM,WDT I/O 数:75 程序存储容量:192KB(192K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:26K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 16x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 裸露焊盘 封装/外壳:PG-LQFP-100-8 |
| 未分类 | BCV27E6433XT | Infineon(英飞凌) | |
| 整流二极管 | DZ3600S17K3B2NOSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同If时电压-正向(Vf):2.2V @ 3600A 不同Vr时电流-反向泄漏:3050A @ 900V 二极管类型:标准 二极管配置:3 个独立式 封装/外壳:模块 工作温度-结:-40°C ~ 125°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):1700V 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| IGBT晶体管 | IKP04N60TXKSA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时Td(开/关)值:14ns/164ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,4A 功率-最大值:42W 反向恢复时间(trr):28ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:143uJ 栅极电荷:27nC 测试条件:400V,4A,47 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):8A 电流-集电极脉冲(Icm):12A 输入类型:标准 |
| 未分类 | BB55502VH7902XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Vr，F 时的电容:2.3pF @ 28V,1MHz 电容比:9.8 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向（最大值）:30V 二极管类型:单一 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-79 封装/外壳:PG-SC79-2 |
| 未分类 | SKA06N60XKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:9A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,6A 功率:32W 开关能量:215µJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/220ns 测试条件:400V,6A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:200ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 整包 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 功率MOSFET | IPD06N03LB G | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):50A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.1 毫欧 @ 50A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 40uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2800pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):22nC @ 5V 功率耗散(最大值):83W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V |
| 电源开关 | TLE6217GAUMA1 | Infineon(英飞凌) | 输出数:4 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:4.8 V ~ 32 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:3A,5A 导通电阻（典型值）:200 毫欧,350 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-20 封装/外壳:PG-DSO-20-37 |
| 电机驱动/控制器 | TLE4727 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:20-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-40°C ~ 110°C(TA) 技术:双极性 接口:并联 电压-供电:5V ~ 16V 电压-负载:5V ~ 16V 电机类型-AC,DC:有刷直流 电机类型-步进:双极性 电流-输出:800mA 输出配置:半桥(4) |
| 16位MCU | C161OLM3VHABXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 核心处理器:C166 核心尺寸:16-位 速度:20MHz 连接性:EBI/EMI,SPI,UART/USART 外设:POR,PWM,WDT I/O 数:63 程序存储器类型:ROMless RAM 容量:2K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 振荡器类型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:PG-MQFP-80 封装/外壳:80-MQFP(14x14) |
| RF二极管 | BAR 95-02LS E6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 If、F时电阻:1.5 欧姆 @ 10mA,100MHz 不同 Vr、F时电容:0.35pF @ 1V,1MHz 二极管类型:PIN - 单 功率耗散(最大值):150mW 封装/外壳:0201 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):50V 电流-最大值:100mA |
| 未分类 | IRF6798MTR1PBF | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:37A(Ta),197A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.35V @ 150µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:75nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:4.5V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6560pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:13V FET类型:肖特基二极管(体) 功率:2.8W(Ta),78W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3 毫欧 @ 37A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DIRECTFET™ MX 封装/外壳:DirectFET™ 等容 MX |
| 未分类 | IRL3716STRRPBF | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:180A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:79nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:4.5V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5090pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:10V 功率:210W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4 毫欧 @ 90A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3 |
| 未分类 | SPD01N60C3BTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:800mA(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:100pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:11W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 未分类 | SGB10N60AATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,10A 功率:92W 开关能量:320µJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/178ns 测试条件:400V,10A,25 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3 封装/外壳:PG-TO263-3 |
| 未分类 | BTS5231GS | Infineon(英飞凌) | 输出数:2 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:4.5 V ~ 28 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.8A 导通电阻（典型值）:140 毫欧(最大) 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:14-SOIC 封装/外壳:P-DSO-14 |
| 未分类 | 6MS20017E43W38170NOSA1 | Infineon(英飞凌) | 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-25°C ~ 55°C 封装/外壳:A-MS1-1 |
| 未分类 | PEF 4268 F V1.2 | Infineon(英飞凌) | 功能:用户线路接口概念(SLIC) 电路数:1 Ohms 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TQFP 封装/外壳:PG-TQFP-48-1 包括:DC / DC 转换器 |
| 未分类 | XC878M13FFI3V3ACFXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 核心处理器:XC800 核心尺寸:8-位 速度:27MHz 连接性:SPI,SSI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT I/O 数:40 程序存储容量:52KB(52K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:3.25K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP 封装/外壳:64-LQFP(10x10) |
| 未分类 | IRFH5110TR2PBF | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:11A(Ta),63A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:72nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3152pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:3.6W(Ta),114W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:12.4 毫欧 @ 37A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PQFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerVDFN |
| LED驱动器 | CDM10V2XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT-23-6 工作温度:-40°C ~ 105°C 电压-供电:11V ~ 25V |
| 未分类 | IHW20N120R2 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 15V,20A 功率:330W 开关能量:1.2mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/359ns 测试条件:600V,20A,15 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 未分类 | BCX5316E6433HTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V 功率:2W 频率 - 跃迁:125MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:PG-SOT89 |
| 未分类 | IP1206TRPBF | Infineon(英飞凌) | 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 或 2 电压 - 输入（最小值）:7.5V 电压 - 输入（最大值）:14.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:5.5V 电流 - 输出:30A,15A 频率 - 开关:200kHz ~ 600kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:36-LGA 封装/外壳:36-LGA(9.25x15.5) |
| 未分类 | D3001N58TXPSA1 | Infineon(英飞凌) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:5800V 电流 - 平均整流（Io）:3910A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:4000A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100mA 封装/外壳:BG-D12035K-1 工作温度 - 结:-40°C ~ 160°C |
| 未分类 | BCR108WE6327BTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:47 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:170MHz 功率:1/4W 封装/外壳:SC-70 封装/外壳:PG-SOT323-3 |
| 未分类 | BF2040WE6814HTSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 未分类 | IRF7534D1PBF | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:5V 栅极电压Vgs:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1066pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:10V FET类型:肖特基二极管(隔离式) 功率:1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:55 毫欧 @ 4.3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:Micro8™ 封装/外壳:8-TSSOP |
| 未分类 | BCR 133S H6444 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 频率 - 跃迁:130MHz 功率:1/4W 封装/外壳:6-VSSOP 封装/外壳:PG-SOT363-6 |
| 未分类 | BCX5616E6433HTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V 功率:2W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:PG-SOT89 |
| 未分类 | IR3821MTR1PBF | Infineon(英飞凌) | 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.5V 电压 - 输入（最大值）:21V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.6V 电压 - 输出（最大值）:12V 电流 - 输出:7A 频率 - 开关:600kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:15-PowerVQFN 封装/外壳:PQFN(5x6) |
| 通用三极管 | BCR 151L3 E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TSLP-3-4 功率耗散Pd:250mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:50mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:120MHz VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ R1:100k Ohms R2:100k Ohms |
| 未分类 | BCR112WE6327BTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:4.7 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:140MHz 功率:1/4W 封装/外壳:SC-70 封装/外壳:PG-SOT323-3 |
| 未分类 | SPP80N06S2L-09 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 125µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:105nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3480pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5 毫欧 @ 52A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3-1 封装/外壳:TO-220-3 |
| 接口芯片 | PSB 50501 EL V1.3-G | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:200-LFBGA |
| 接口芯片 | TLE8457ASJXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 协议:LINbus 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C 接收器滞后:175mV 电压-供电:5V 类型:收发器 驱动器/接收器数:1/1 |
| 未分类 | IRG8P40N120KD-EPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,25A 功率:305W 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/245ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:80ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 未分类 | IPB050N06NGATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 270µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:167nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6100pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:30V 功率:300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.7 毫欧 @ 100A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-2 封装/外壳:TO-263-3 |
| 32位MCU | TC213L8F133FACKXUMA1 | Infineon(英飞凌) | EEPROM容量:64K x 8 I/O数:78 RAM大小:56K x 8 内核规格:32-位 外设:DMA,WDT 封装/外壳:100-TQFP 裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 振荡器类型:外部 数据转换器:A/D 24x12b 核心处理器:TriCore™ 电压-供电(Vcc/Vdd):3.3V 程序存储器类型:闪存 程序存储容量:512KB(512K x 8) 连接能力:CANbus,LINbus,QSPI 速度:133MHz |
| 未分类 | IRS21856SPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA,500mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:30ns,20ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 14N 封装/外壳:14-SOIC |
| 未分类 | BSS126H6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:21mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:0V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 8µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.1nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:5V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:28pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V FET类型:耗尽模式 功率:500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:500 欧姆 @ 16mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3 |
| 未分类 | IKA03N120H2XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8.2A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):9A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,3A 功率:29W 开关能量:290µJ 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:9.2ns/281ns 测试条件:800V,3A,82 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:52ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 整包 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 未分类 | BSB053N03LP G | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:17A(Ta),71A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2700pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:15V 功率:2.3W(Ta),42W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.3 毫欧 @ 30A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:MG-WDSON-2,CanPAK M™ 封装/外壳:3-WDSON |
| 射频放大器 | BGA735N16E6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | P1dB:-6dBm 噪声系数:1.1dB 增益:16dB 封装/外壳:16-XFQFN 裸露焊盘 射频类型:UMTS 电压-供电:3.6V 电流-供电:10mA 频率:800MHz,900MHz,1.8GHz,1.9GHz,2.1GHz |
| 通用MOSFET | IPC218N06L3X1SA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3A(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 196µA Rds On(Max)@Id,Vgs:100 毫欧 @ 2A,10V 封装/外壳:带箔切割晶片 |
| 未分类 | TLE4270NKSA1 | Infineon(英飞凌) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:42V 电压 - 输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.7V @ 550mA 电流 - 输出:650mA 电流 - 静态（Iq):1.5mA 电流 - 电源（最大值）:90mA PSRR:54dB(100Hz) 控制特性:复位 保护功能:过流,超温,过压,反极性,短路,瞬态电压 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220-5 成形引线 封装/外壳:P-TO220-5 |
| 整流二极管 | DZ435N36KHPSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同If时电压-正向(Vf):1.71V @ 1200A 不同Vr时电流-反向泄漏:50mA @ 3600V 二极管类型:标准 封装/外壳:模块 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):3600V 电流-平均整流(Io):700A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| 未分类 | ICE3AS02G | Infineon(英飞凌) | 输出隔离:隔离 内部开关:无 拓扑:反激 电压 - 启动:15V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:8.5 V ~ 21 V 占空比:72% 频率 - 开关:100kHz 故障保护:限流,开路,过载,超温,过压 控制特性:软启动 工作温度:-25°C ~ 130°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:PG-DSO-8 |
| 通用MOSFET | IRLML6302GTRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:HEXFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:780mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.7V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:97pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@610mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.78A 漏源极电压Vds:20V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.6nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:97pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:15V 封装/外壳:Micro3™/SOT-23 |
| 功率MOSFET | IRFH7446TRPBF | Infineon(英飞凌) | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 100µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3174pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):78W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 系列:HEXFET®,StrongIRFET™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3174pF @ 25V Rds On(Max)@Id,Vgs:3.3mΩ@50A,10V FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:117A 封装/外壳:8-PQFN(5x6) |
| 未分类 | IPP06CN10N G | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 180µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:139nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9200pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:50V 功率:214W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5 毫欧 @ 100A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO-220-3 封装/外壳:TO-220-3 |
| 接口芯片 | PEF 3452 H V1.3 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:44-QFP 工作温度:-40°C ~ 85°C 接口:DS3,E3,STS-1 电压-供电:3.13V ~ 3.46V 电流-供电:110mA 电路数:1 |
| 未分类 | BSS138N E6433 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:230mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.4nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:41pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:360mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5 欧姆 @ 230mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4699GMXUMA1 | Infineon(英飞凌) | PSRR:65dB(100Hz) 封装/外壳:14-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 控制特性:使能,复位 电压-输入(最大值):45V 电压-输出(最小值/固定):5V 电压降(最大值):0.35V @ 150mA 电流-供电(最大值):10mA 电流-输出:200mA 电流-静态(Iq):100uA 稳压器数:1 输出类型:固定 输出配置:正 |
| 功率MOSFET | IRLHS6242TRPBF | Infineon(英飞凌) | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1110pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.98W(Ta),9.6W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1110pF @ 10V Rds On(Max)@Id,Vgs:11.7mΩ@8.5A,4.5V FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:10A 封装/外壳:6-PQFN(2x2) 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:4.5V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:10V |
| IGBT模块 | FS100R12KT3BOSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):7.1nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,100A 功率-最大值:480W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):140A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:三相反相器 |
| 射频收发器 | TD142N16KOFHPSA1 | Infineon(英飞凌) | SCR 数，二极管:1 SCR,1 个二极管 电压 - 断态:1.6KV 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:142A 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:230A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:2V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:4800A @ 50Hz 电流 - 保持（Ih）（最大值）:200mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:BG-PB34-1 闸流晶体管类型:PCT 最大栅极触发电压:2V 最大栅极触发电流:150mA 最大保持电流:200mA 额定平均通态电流:142A 重复峰值反向电压:1600V 浪涌电流额定值:4800A 封装/外壳:模块 34mm 引脚数目:5 峰值通态电压:1.56V 重复峰值断态电流:30mA 封装/外壳:94 x 34 x 30mm 最高工作温度:+125 °C 最低工作温度:-40 °C 长度:94mm 高度:30mm 宽度:34mm |
| 未分类 | IPF10N03LA G | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:5V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1358pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:15V 功率:52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10.4 毫欧 @ 30A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:P-TO252-3 封装/外壳:TO-252-3 |
| 功率MOSFET | IPF10N03LA | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):30A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10.4 毫欧 @ 30A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 20uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1358pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC @ 5V 功率耗散(最大值):52W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V |
| 未分类 | IPB100N06S3L-04 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 150µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:362nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:17270pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:214W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5 毫欧 @ 80A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:TO-263-3 |
| IGBT | IRGS10B60KDTRRP | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:22A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):44A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,10A 功率:156W 开关能量:140µJ(开),250µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/230ns 测试条件:400V,10A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:90ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT模块 | FP30R06W1E3B11BOMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):1.65nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A 功率-最大值:115W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):37A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 |
| LED驱动器 | CDM10V4XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT23-6 |
| 开发板 | KIT_XMC45_AE4_002 | Infineon(英飞凌) | 板类型:评估平台 FET类型:MCU 32-位 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 平台:Hexagon 应用套件 配套使用产品/相关产品:XMC4500 安装类型:固定 内容:板 RoHS compliant:yes Configuration:XMC4500 Family:Microcontroller Qualification:Industrial Target Application:Automation Product Name:XMC4500 HMI & COM Kit No.1 |
| RF三极管 | BFR193E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:580mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:12V 集电极连续电流:80mA 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:8GHz VEBO:2V VCBO:20V 工作温度:-55℃~150℃ |
| RF二极管 | BAS16WH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 不同 Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
| 通用三极管 | BCR 116F E6327 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TSFP-3 功率耗散Pd:250mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:150MHz VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ R1:4.7k Ohms R2:47k Ohms |
| 未分类 | BSP295L6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 400µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:368pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:1.8W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:300 毫欧 @ 1.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT223-4 封装/外壳:TO-261-4 |
| 电缆组件 | GATELEAD1101256XPSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 通用晶闸管 | TT210N16KOFHPSA1 | Infineon(英飞凌) | SCR 数，二极管:2 SCRs 电压 - 断态:1.6KV 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:261A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:2V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:200mA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:6600A @ 50Hz 电流 - 保持（Ih）（最大值）:300mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:BG-PB50-1 闸流晶体管类型:PCT 最大栅极触发电压:2V 最大栅极触发电流:200mA 最大保持电流:300mA 额定平均通态电流:210A 重复峰值反向电压:1600V 浪涌电流额定值:6600A 封装/外壳:模块 50mm 引脚数目:7 峰值通态电压:1.65V 重复峰值正向阻断电压:1800V 重复峰值断态电流:50mA 封装/外壳:92 x 50 x 52mm 最高工作温度:+125 °C 最低工作温度:-40 °C 长度:92mm 高度:52mm 宽度:50mm |
| IGBT模块 | FF450R07ME4B11BOSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):27.5nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,450A 功率-最大值:1450W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):560A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:2 个独立式 |
| CAN接口 | TLE7269GXUMA3 | Infineon(英飞凌) | 协议:LINbus 双工:完全版 封装/外壳:14-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C 接收器滞后:300mV 数据速率:20kBd 电压-供电:7V ~ 27V 类型:收发器 驱动器/接收器数:2/2 |
| 未分类 | IPB45N06S3-16 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:57nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2980pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:65W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:15.4 毫欧 @ 23A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:TO-263-3 |
| SCR(可控硅)模块 | TD330N16AOFHPSA1 | Infineon(英飞凌) | 闸流晶体管类型:PCT 最大栅极触发电压:2V 最大栅极触发电流:200mA 最大保持电流:300mA 额定平均通态电流:330A 重复峰值反向电压:1600V 浪涌电流额定值:9100A 引脚数目:5 峰值通态电压:1.44V 重复峰值断态电流:70mA 最高工作温度:+130 °C 最低工作温度:-40 °C 长度:92mm 高度:52mm 宽度:50mm 封装/外壳:92 x 50 x 52mm |
| 功率MOSFET | AUIRGU4045D | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,6A Pd-功率耗散(Max):77W 开关能量:56µJ(开),122µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/75ns 测试条件:400V,6A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:74ns 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:I-PAK |