IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 开关控制器 | IR3566BMTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:QFN 6X6 48L 电压 - 输入:3.3V 输出数:2 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压-输入:3.3V |
| 开关控制器 | IR3710MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:MLPQ 3X3 16L 输出类型:晶体管驱动器 功能:降压 输出配置:正 输出数:1 Ohms 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 28 V 频率 - 开关:最高 1MHz 同步整流器:是 时钟同步:无 控制特性:限流,使能,电源良好,软启动 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 拓扑:降压 输出阶段:1 Ohms 电压-电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 28 V 频率-开关:最高 1MHz |
| 门驱动器 | IR3579MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-IQFN-30 接口:PWM 负载类型:电感 电流 - 输出/通道:60A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7 V 电压 - 负载:4.5 V ~ 15 V 故障保护:限流,超温,过压,UVLO 系列:PowIRstage® 电流-输出/通道:60A 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 电压-负载:4.5 V ~ 15 V |
| 开关稳压器 | IR3842WMTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN-22L (5 X 6) 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:1.5V 电压 - 输入（最大值）:16V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.7V 电压 - 输出（最大值）:14.4V 电流 - 输出:4A 频率 - 开关:225kHz ~ 1.65MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:SupIRBuck® 拓扑:降压 电压-输入（最小值）:1.5V 电压-输入（最大值）:16V 电压-输出（最小值/固定）:0.7V 电压-输出（最大值）:14.4V 电流-输出:4A 频率-开关:225kHz ~ 1.65MHz |
| 门驱动器 | IR3575MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN 6X6 32L 输出配置:半桥 接口:PWM 负载类型:电感 电流 - 输出/通道:60A 电流 - 峰值输出:90A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7 V 电压 - 负载:4.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 故障保护:超温,UVLO 系列:PowIRstage® 电流-输出/通道:60A 电流-峰值输出:90A 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 电压-负载:4.5 V ~ 15 V |
| 开关稳压器 | IR38062MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN 5X7 34L 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:1.2V 电压 - 输入（最大值）:21V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.5V 电压 - 输出（最大值）:18.38V 电流 - 输出:15A 频率 - 开关:400kHz ~ 1.5MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:SupIRBuck® 拓扑:降压 电压-输入（最小值）:1.2V 电压-输入（最大值）:21V 电压-输出（最小值/固定）:0.5V 电压-输出（最大值）:18.38V 电流-输出:15A 频率-开关:400kHz ~ 1.5MHz |
| 通用芯片 | P9235A-RNDGI8 | INTEGRATED | 电压-电源:4.5 ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:40-QFN(5x5) |
| 电源开关 | AUIPS1025RTRL | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO252-3 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:36V(最大) 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:4.9A 导通电阻（典型值）:28 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 系列:汽车级,AEC-Q100 比率-输入:输出:1：1 电压-负载:36V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:4.9A |
| 电源开关 | AUIPS7091GTR | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:6 V ~ 35 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.5A 导通电阻（典型值）:80 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 系列:汽车级,AEC-Q100 比率-输入:输出:1：1 电压-负载:6 V ~ 35 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.5A |
| 电源开关 | AUIRS2113STR | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:25ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 系列:汽车级,AEC-Q100 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 电源开关 | AUIPS6011R | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:DPAK 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:36V(最大) 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:5.6A 导通电阻（典型值）:11 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 电源开关 | AUIPS6041 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TO220 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:6 V ~ 28 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 导通电阻（典型值）:110 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | AUIR3313S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO263-5 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:6 V ~ 32 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:23A 导通电阻（典型值）:5.5 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | AUIRS2191S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-16 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A,3.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:15ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 电源开关 | AUIPS6041GTR | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:6 V ~ 28 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.6A 导通电阻（典型值）:110 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 系列:汽车级,AEC-Q100 比率-输入:输出:1：1 电压-负载:6 V ~ 28 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.6A |
| 门驱动器 | AUIRS2336S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 电源开关 | BTS52004EKAXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:PROFET® 输出数:4 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:并联 电压-负载:5 V ~ 28 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:800mA 导通电阻（典型值）:200 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-14 封装/外壳:PG-DSO-14-48-EP |
| 电源开关 | BTS3104SDLATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:HITFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:60V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:2A 导通电阻（典型值）:104 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3-11 |
| 电源开关 | BTS3118DATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:HITFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:42V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:2.4A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 电机驱动/控制器 | BTM7710GXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:TrilithIC™ 输出配置:半桥(2) 接口:逻辑 负载类型:电感 导通电阻（典型值）:40 毫欧 LS,70 毫欧 HS 电流-峰值输出:15A 电压-负载:1.8 V ~ 42 V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 故障保护:超温,短路,UVLO 封装/外壳:PG-DSO-28 电压 - 电源:1.8 V ~ 42 V 封装/外壳:PG-DSO-28 |
| 电源开关 | BTS50121EKBXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:PROFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:5 V ~ 28 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:10A 导通电阻（典型值）:12 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-14 封装/外壳:PG-DSO-14-47-EP |
| 电源开关 | BTS410F2E3062ABUMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:PROFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:4.7 V ~ 42 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.6A 导通电阻（典型值）:190 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-5 封装/外壳:PG-TO263-5-2 |
| 电源开关 | BTS50101EKBXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:PROFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:5 V ~ 28 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:10A 导通电阻（典型值）:10 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-14 封装/外壳:PG-DSO-14-47-EP |
| 电源开关 | BTT61002EKAXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 输出数:2 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:5 V ~ 36 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:2.2A 导通电阻（典型值）:100 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-14 封装/外壳:PG-DSO-14-40-EP |
| 电源开关 | BTS6143DAUMA1 | Infineon(英飞凌) | 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5.5 V ~ 38 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:8A 导通电阻（典型值）:8 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-5 封装/外壳:PG-TO252-5-11 |
| 开关控制器 | CHL8510CRT | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:DFN 3X3 10L 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,1V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:35V 上升/下降时间（典型值）:21ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 电压-电源:10.8 V ~ 13.2 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,1V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:3A,4A 高压侧电压-最大值（自举）:35V |
| 门驱动器 | IR2136PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP28 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2520DSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N FET类型:镇流器控制器 频率:34kHz ~ 86kHz 电压 - 电源:11.4 V ~ 15.4 V 电流 - 电源:10mA 调光:无 工作温度:-25°C ~ 125°C 电压-电源:11.4 V ~ 15.4 V 电流-电源:10mA 激励器数量:1Driver 输出电流:230mA 上升时间:150ns 下降时间:75ns 电源电压-最大:15.4V 电源电压-最小:12.6V 工作电源电流(mA):10mA 工作电源电压:14V 功率:5/8W |
| 门驱动器 | IR2213PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 门驱动器 | IR2118STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2108STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2010STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A,3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:10ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:3A,3A 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IR2181SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2153PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,45ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 功率因数修正(PFC) | IR11688STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 电压 - 电源:4.75 V ~ 18 V 电流 - 电源:13mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:SmartRectifier™ 电压-电源:4.75 V ~ 18 V 电流-电源:13mA |
| 门驱动器 | IR4427PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A |
| 门驱动器 | IR25601SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:200ns,100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2010SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A,3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:10ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:3A,3A 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IR25602STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR21365SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2103STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR3598MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:MLPQ 3X3 16L 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:4 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,12ns 工作温度:0°C ~ 85°C(TA) 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V |
| 开关稳压器 | IR3895MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN-22L (5 X 6) 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:1V 电压 - 输入（最大值）:21V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.5V 电压 - 输出（最大值）:18.06V 电流 - 输出:16A 频率 - 开关:300kHz ~ 1.5MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:SupIRBuck® 拓扑:降压 电压-输入（最小值）:1V 电压-输入（最大值）:21V 电压-输出（最小值/固定）:0.5V 电压-输出（最大值）:18.06V 电流-输出:16A 频率-开关:300kHz ~ 1.5MHz |
| 门驱动器 | IR3553MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-IQFN-25 输出配置:半桥 接口:PWM 负载类型:电感 电流 - 输出/通道:40A 电流 - 峰值输出:60A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7 V 电压 - 负载:4.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 故障保护:超温,UVLO 系列:PowIRstage® 电流-输出/通道:40A 电流-峰值输出:60A 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 电压-负载:4.5 V ~ 15 V |
| 门驱动器 | IR44273LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.6V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A,1.5A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.6V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.5A,1.5A |
| 通用芯片 | IR3088AMTRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:XPhase™ 电流-电源:10mA 电压-电源:8.4 V ~ 14 V 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:20-MLPQ 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:20-MLPQ(4x4) |
| 开关稳压器 | IR3843AMTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN-22L (5 X 6) 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:1.5V 电压 - 输入（最大值）:21V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.7V 电压 - 输出（最大值）:18.9V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:225kHz ~ 1.32MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:SupIRBuck® 拓扑:降压 电压-输入（最小值）:1.5V 电压-输入（最大值）:21V 电压-输出（最小值/固定）:0.7V 电压-输出（最大值）:18.9V 电流-输出:3A 频率-开关:225kHz ~ 1.32MHz |
| 门驱动器 | IR2104PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 开关控制器 | IR36021MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:MLPQ 5X5 32L 输出类型:PWM 信号 功能:降压 输出配置:正 输出数:3 输出阶段:2 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3.3V 频率 - 开关:200kHz ~ 2MHz 串行接口:I²C,PMBus 控制特性:使能,电源良好 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 拓扑:降压 电压-电源（Vcc/Vdd）:3.3V 频率-开关:200kHz ~ 2MHz |
| 门驱动器 | IR2213STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:125°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 开关稳压器 | IR3883MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-VQFN-16 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.5V 电压 - 输入（最大值）:14V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.5V 电压 - 输出（最大值）:5V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:800kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:SupIRBuck® 拓扑:降压 电压-输入（最小值）:2.5V 电压-输入（最大值）:14V 电压-输出（最小值/固定）:0.5V 电压-输出（最大值）:5V 电流-输出:3A 频率-开关:800kHz |
| 门驱动器 | IR2213STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:125°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 开关稳压器 | IR3839MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN-22L (5 X 6) 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:7V 电压 - 输入（最大值）:16V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.6V 电压 - 输出（最大值）:14.4V 电流 - 输出:6A 频率 - 开关:225kHz ~ 1.65MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:SupIRBuck® 拓扑:降压 电压-输入（最小值）:7V 电压-输入（最大值）:16V 电压-输出（最小值/固定）:0.6V 电压-输出（最大值）:14.4V 电流-输出:6A 频率-开关:225kHz ~ 1.65MHz |
| 开关稳压器 | IR3847MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN 5X6 29L 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:1.5V 电压 - 输入（最大值）:21V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.6V 电压 - 输出（最大值）:18.06V 电流 - 输出:25A 频率 - 开关:300kHz ~ 1.5MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:SupIRBuck® 拓扑:降压 电压-输入（最小值）:1.5V 电压-输入（最大值）:21V 电压-输出（最小值/固定）:0.6V 电压-输出（最大值）:18.06V 电流-输出:25A 频率-开关:300kHz ~ 1.5MHz |
| 电机驱动/控制器 | IRAM256-1567A | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SIP1A FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:15A 电压:600V 电压 - 隔离:2000Vrms 系列:iMOTION™ 电压-隔离:2000Vrms RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:3 Phase Open Emitter Technology:IRAM Budgetary Price €/1k:11.13 Switching Frequency:20.0kHz Voltage Class:600.0V Built in NTC:yes Iout (@25C (A)):15.0A Product Group:IRAM Rated Current:15.0A Pmot (10kHz):1400.0W Iout (@100C (A)):7.5A |
| 开关稳压器 | IR3891MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN 5X6 31L 功能:降压 输出配置:正 输出类型:可调式 输出数:2 电压 - 输入（最小值）:1V 电压 - 输入（最大值）:21V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.5V 电压 - 输出（最大值）:18.06V 电流 - 输出:4A 频率 - 开关:300kHz ~ 1.5MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:SupIRBuck® 拓扑:降压 电压-输入（最小值）:1V 电压-输入（最大值）:21V 电压-输出（最小值/固定）:0.5V 电压-输出（最大值）:18.06V 电流-输出:4A 频率-开关:300kHz ~ 1.5MHz |
| 音频放大器 | IR4311MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN-22L (5 X 6) FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:35W x 1 @ 4 欧姆 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 不同负载时的最大输出功率x通道数:35W x 1 @ 4 欧姆 |
| 电机驱动/控制器 | IRAMX16UP60B | Infineon(英飞凌) | FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:16A 电压:600V 电压 - 隔离:2000Vrms RoHS compliant:yes 封装/外壳:TUBE Moisture Level:NA Configuration:3 Phase Common Emitter with Shunt Technology:IRAM Budgetary Price €/1k:13.54 Switching Frequency:20.0kHz Voltage Class:600.0V Built in NTC:yes Iout (@25C (A)):16.0A Product Group:IRAM Rated Current:30.0A Pmot (10kHz):2000.0W Iout (@100C (A)):8.0A |
| 电机驱动/控制器 | IRMCF171TR | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-VQFN-48 电机类型 - AC，DC:AC,感应,同步 功能:控制器 - 换向,方向管理 输出配置:前置驱动器 - 半桥(3) 接口:I²C,RS-232,SPI 电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 系列:iMOTION™,MCE™ 电机类型-AC，DC:AC,感应,同步 电压-电源:3V ~ 3.6V |
| 门驱动器 | IRS2336SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2113MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:MLPQ 4X4 14L 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 电源开关 | ITS4142NHUMA1 | Infineon(英飞凌) | 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:12 V ~ 45 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.4A 导通电阻（典型值）:150 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:PG-SOT223-4 封装/外壳:PG-SOT223-4 |
| 门驱动器 | IRS21864SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2181STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2183STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2183SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 电机驱动/控制器 | IRMCF341TY | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:MQFP 10X10 64L 电机类型 - AC，DC:AC,同步 功能:控制器 - 换向,方向管理 输出配置:前置驱动器 - 半桥(3) 接口:I²C,RS-232,SPI 电压 - 电源:1.62 V ~ 1.98 V,3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 系列:MCE™ 电机类型-AC，DC:AC,同步 电压-电源:1.62 V ~ 1.98 V,3 V ~ 3.6 V |
| 门驱动器 | IRS2336SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21844SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2336DSPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2112SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 电源开关 | ITS4200SMEPHUMA1 | Infineon(英飞凌) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:11 V ~ 45 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.4A 导通电阻（典型值）:150 毫欧 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:PG-SOT223-4 封装/外壳:SOT-223-4 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE42744GV50ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:40V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.5V @ 250mA 电流-输出:400mA 电流-电源:220µA ~ 30mA PSRR:60dB(100Hz) 保护功能:过流,超温,反极性,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-TO263-3 电流 - 静态（Iq):220µA 电流 - 电源（最大值）:30mA 封装/外壳:PG-TO263-3 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE42632ESXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:45V 电压 - 输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.6V @ 150mA 电流 - 输出:180mA 电流 - 静态（Iq):400µA 电流 - 电源（最大值）:15mA PSRR:54dB(100Hz) 控制特性:使能,复位,看门狗 保护功能:过流,超温,反极性,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DSO-8 封装/外壳:PG-DSO-8 |
| LDO(低压差线性稳压器) | TLE4254GAXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:可调式 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:45V 电压-输出（最小值/固定）:跟踪 压降（最大值）:0.4V @ 70mA 电流-输出:70mA 电流-电源:80µA ~ 15mA PSRR:60dB(100Hz) 控制特性:使能 保护功能:超温,反极性,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DSO-8 电流 - 静态（Iq):80µA 电流 - 电源（最大值）:15mA 封装/外壳:PG-DSO-8 |
| 电机驱动/控制器 | TLE7181EMXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:4 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压-电源:7 V ~ 34 V 逻辑电压 -VIL，VIH:1V,2V 输入类型:非反相 高压侧电压-最大值（自举）:55V 上升/下降时间（典型值）:250ns,200ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SSOP-24 封装/外壳:PG-SSOP-24 |
| 电机驱动/控制器 | TLE9201SGAUMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:半桥(2) 接口:PWM,SPI 负载类型:电感 导通电阻（典型值）:100 毫欧 LS,100 毫欧 HS 电流-输出/通道:6A 电压-负载:5 V ~ 28 V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 故障保护:开路负载检测,超温,短路,UVLO 封装/外壳:PG-DSO-12 电压 - 电源:5 V ~ 28 V 封装/外壳:PG-DSO-12-17 |
| 稳压器与电压控制器 | L5973D013TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:4V 电压-输入（最大值）:36V 电压-输出（最小值/固定）:1.235V 电压-输出（最大值）:35V 电流-输出:2.5A 频率-开关:250kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-HSOP |
| 电机驱动/控制器 | L6206PD | ST(意法半导体) | 封装/外壳:PowerSO-36 工作温度:-40°C ~ 150°C 工作电源电压:8 V to 52 V 工作电源电流(mA):5 mA 湿度敏感性:Yes 系列:L6206 输出电流:2.8 A 输出端数量:4Output |
| 电机驱动/控制器 | L6470H | ST(意法半导体) | 封装/外壳:HTSSOP-28 工作温度:-40°C ~ 125°C 工作电源电压:8 V to 45 V 工作电源电流(mA):500 uA 湿度敏感性:Yes 系列:L6470 |
| 门驱动器 | L6388ED013TR | ST(意法半导体) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:17V(最大) 逻辑电压 -VIL，VIH:1.1V,1.8V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:400mA,650mA 输入类型:反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SO 配置:Non-Inverting 工作电源电压:15 V 输出电流:650 mA 上升时间:70 ns 下降时间:40 ns 电源电压-最大:17 V 电源电压-最小:- 0.3 V 电源电流:0.45 mA 功率:3/4W |
| 稳压器与电压控制器 | L7808CV-DG | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:8V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1.5A 电流-电源:8mA PSRR:56dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220 |
| 稳压器与电压控制器 | L7815ABV | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:15V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1.5A 电流-电源:6mA PSRR:58dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:2V @ 1A 电压 - 输入:最高 35V |
| 稳压器与电压控制器 | L78L05ACZ | ST(意法半导体) | 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:5V 电流 - 输出:100mA 电压 - 跌落（典型值）:1.7V @ 40mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 30V |
| 稳压器与电压控制器 | L7805CD2T-TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1.5A 电流-电源:8mA PSRR:62dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:D2PAK 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:2V @ 1A 电压 - 输入:最高 35V |
| 稳压器与电压控制器 | L78L05ABUTR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:5V 电流-输出:100mA 电流-电源:5.5mA ~ 6mA PSRR:49dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-89-3 |
| 稳压器与电压控制器 | L7815ABV | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:15V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1.5A 电流-电源:6mA PSRR:58dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:2V @ 1A 电压 - 输入:最高 35V |
| 稳压器与电压控制器 | L78L05ACZ | ST(意法半导体) | 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:5V 电流 - 输出:100mA 电压 - 跌落（典型值）:1.7V @ 40mA 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 30V |
| LDO(低压差线性稳压器) | L78L05ACZTR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:5V 电流-输出:100mA 电流-静态:5.5mA 电流-电源（最大值）:6mA PSRR:49dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 电流-电源:5.5mA ~ 6mA |
| 稳压器与电压控制器 | L78M05CDT-TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:5V 电流-输出:500mA 电流-电源:6mA PSRR:62dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:0°C ~ 150°C 封装/外壳:D-Pak 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:2V @ 350mA 电压 - 输入:最高 35V |
| 稳压器与电压控制器 | L78M15CDT-TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:15V 电流-输出:500mA 电流-电源:6mA PSRR:54dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:D-Pak |
| 稳压器与电压控制器 | L78L05ACZ-AP | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:5V 电流-输出:100mA 电流-电源:5.5mA ~ 6mA PSRR:49dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:1.7V @ 40mA 电压 - 输入:最高 30V |
| 稳压器与电压控制器 | L7912CV-DG | ST(意法半导体) | 输出配置:负 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:-35V 电压-输出（最小值/固定）:-12V 压降（最大值）:1.1V @ 1A(标准) 电流-输出:1.5A 电流-电源:3mA PSRR:60dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220 |
| 稳压器与电压控制器 | L78L33ABUTR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 电流-输出:100mA 电流-电源:5.5mA ~ 6mA PSRR:49dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-89-3 |
| 稳压器与电压控制器 | L7905CV | ST(意法半导体) | PSRR/纹波抑制—典型值:60dB 宽度:4.6mm 封装/外壳:TO-220-3 最大输入电压:-35V 最小输入电压:-7V 极性:Negative 系列:L7905C 线路调整率:100mV 负载调节:100mV 输出电压:- 5 V 输出电流:1.5 A 输出端数量:1Output 输出类型:Fixed 长度:10.4mm 高度:15.75mm 工作温度:0°C ~ 150°C |
| 稳压器与电压控制器 | LD1117S50TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:15V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:1.2V @ 800mA 电流-输出:800mA 电流-电源:10mA PSRR:75dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-223 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:1.1V @ 800mA 电压 - 输入:最高 15V |
| 稳压器与电压控制器 | LDLN025J18R | ST(意法半导体) | 稳压器数:1 Ohms 电流-输出:250mA 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:4-覆晶 |
| 稳压器与电压控制器 | LDLN025J33R | ST(意法半导体) | 稳压器数:1 Ohms 电流-输出:250mA 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:4-覆晶 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.3V 电压 - 跌落（典型值）:0.25V @ 250mA 电压 - 输入:最高 5.5V |
| 运算放大器 | LM2902YDT | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 电路数:4 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:1.3MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:1.5mA 电流-输出/通道:20mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO |
| 运算放大器 | LM258DT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SO |