IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用芯片 | BU46K382G-TL | ROHM(罗姆) | 湿气敏感性等级（MSL）:3(168 小时) 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 120 ms 电压 - 阈值:3.8V |
| 通用芯片 | BU45K382G-TL | ROHM(罗姆) | 湿气敏感性等级（MSL）:3(168 小时) 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 120 ms 电压 - 阈值:3.8V |
| 开关控制器 | NCP1014ST100T3G | ON(安森美) | 输出隔离:隔离 内部开关:是 电压-击穿:700V 拓扑:反激 电压-电源（Vcc/Vdd）:8.5 V ~ 10 V 占空比:67% 频率-开关:100kHz 功率:19W 故障保护:过载,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 频率 - 开关:100kHz 电压 - 击穿:700V 拓扑:回扫 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:8.5 V ~ 10 V |
| AC-DC转换器 | NCP1396ADR2G | ON(安森美) | 输出隔离:隔离 内部开关:无 拓扑:半桥 电压-启动:13.4V 电压-电源（Vcc/Vdd）:9.5 V ~ 20 V 占空比:50% 频率-开关:50kHz ~ 500kHz 故障保护:超温 控制特性:频率控制,软启动 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 频率 - 开关:50kHz ~ 500kHz 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)15 引线 电压 - 启动:13.4V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:9.5 V ~ 20 V |
| LDO(低压差线性稳压器) | NCP1117LPSTADT3G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:可调式 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:18V 电压-输出（最小值/固定）:1.25V 电压-输出（最大值）:16.6V 压降（最大值）:1.4V @ 1A 电流-输出:1A 电流-电源:50µA PSRR:60dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:0°C ~ 125°C 电流 - 限制（最小值）:1.1A 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 稳压器拓扑:正,可调式 电压 - 输出:可调 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:1.3V @ 1A 电压 - 输入:最高 18V |
| 电路监控 | NCP300LSN44T1G | ON(安森美) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压-阈值:4.4V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:5-TSOP |
| 功率因数修正(PFC) | NCP1608BDR2G | ON(安森美) | 模式:临界传导(CRM) Current-Startup:24µA 电压-电源:10.2 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 开关稳压器 | XCL101A331ER-G | Torex(特瑞仕) | 封装/外壳:0.10" 长 x 0.08" 宽 x 0.04" 高(2.5mm x 2.0mm x 1.0mm) 输出电压:3.3V 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:0.9V 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出 1:3.3V 电流 - 输出（最大值）:100mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 大小/尺寸:0.10" 长 x 0.08" 宽 x 0.04" 高(2.5mm x 2.0mm x 1.0mm) |
| 电路监控 | NCV303LSN27T1G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q100 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压-阈值:2.7V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:5-TSOP |
| LDO(低压差线性稳压器) | NCV1117DTARKG | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:可调式 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:20V 电压-输出（最小值/固定）:1.25V 电压-输出（最大值）:18.8V 压降（最大值）:1.2V @ 800mA 电流-输出:1A 电流-电源:10mA PSRR:73dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:DPAK-3 |
| 运算放大器 | LM393DT | ST(意法半导体) | 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:18mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SO |
| 通用逻辑电路 | NL17SZ125DFT2G | ON(安森美) | 系列:17SZ 逻辑类型:缓冲器,非反向 每元件位数:1 Ohms 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:32mA,32mA 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 元件数:1 Ohms 电流 - 输出高，低:32mA,32mA 电压 - 电源:1.65 V ~ 5.5 V |
| 通用逻辑电路 | NL17SZ04DFT2G | ON(安森美) | 系列:17SZ 逻辑类型:反相器 输入数:1 Ohms 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）:1µA 电流-输出高，低:32mA,32mA 不同V，最大CL时的最大传播延迟:4.3ns @ 5V,50pF 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 不同 V，最大 CL 时的最大传播延迟:4.3ns @ 5V,50pF 电路数:1 Ohms 电压 - 电源:1.65 V ~ 5.5 V 电流 - 静态（最大值）:1µA 电流 - 输出高，低:32mA,32mA |
| 通用逻辑电路 | NLVVHC1GT50DFT1G | ON(安森美) | 逻辑类型:缓冲器,非反向 每元件位数:1 Ohms 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:8mA,8mA 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 电压 - 电源:1.65 V ~ 5.5 V 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 元件数:1 Ohms 电流 - 输出高，低:8mA,8mA |
| 门驱动器 | NUD3160LT1G | ON(安森美) | 系列:MicroIntegration™ 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:61V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:150mA 导通电阻（典型值）:1.8 欧姆(最大) 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:150mA 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 比率 - 输入:输出:1：1 电压 - 负载:61V(最大) |
| 运算放大器 | TCA0372DP1G | ON(安森美) | 电路数:2 压摆率:1.4 V/µs 增益带宽积:1.4MHz 电流-输入偏置:100nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:5mA 电流-输出/通道:1A 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 40 V,±2.5 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 电流 - 输入偏置:100nA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:5mA 电流 - 输出/通道:1A 电压 - 电源，单/双（±）:5 V ~ 40 V,±2.5 V ~ 20 V 封装/外壳:8-DIP |
| 电路监控 | TC1232COA713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压-阈值:4.37V,4.62V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 电路监控 | TC1270ATVRCTR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-143 |
| 电路监控 | TC32MCZB | Microchip | 系列:ECONOMONITOR™ FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 500 ms 电压-阈值:4.375V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 电路监控 | TCM809LENB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | MCP809T-450I/TT | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:4.375V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | MIC1232MY-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压-阈值:4.37V,4.62V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 电路监控 | MIC2776L-YM5-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:补充型 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:可调节/可选择 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | MIC2774L-31YM5-TR | Microchip | FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:补充型 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.09V,可调 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| DC-DC转换器 | MP2307DN-LF-Z | MPS(美国芯源) | 封装:8-SOIC-EP |
| 电路监控 | MIC2778-2YM5-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:可调节/可选择 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | MIC2774L-44YM5-TR | Microchip | FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:补充型 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.43V,可调 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | MIC2778-1YM5-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:可调节/可选择 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | MIC2776N-YM5-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:可调节/可选择 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 通用芯片 | MIC2811-4GJLYML-TR | Microchip | 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-MLF®(4x4) |
| 通用放大器 | BU7475HFV-TR | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:9µA 电流 - 输出/通道:14mA 电压 - 电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V,±0.85 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-665 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.05 V/µs 增益带宽积:100kHz |
| 电路监控 | MIC706SMY | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 电路监控 | MIC803-31D3VC3-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SC-70-3 |
| 电路监控 | MIC803-31D4VM3-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 1.12 s 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | MIC6315-26D4UY-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 1.1 s 电压-阈值:2.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-143 |
| 电路监控 | MIC810SYC3-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-3 |
| 电路监控 | MIC706RMY-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 电路监控 | MIC812MUY-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-143 |
| 电路监控 | MIC803-31D3VM3-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | MIC803-29D2VM3-TR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 20 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | MIC826WYMT-T5 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:1.665V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:6-TDFN(1.6x1.6) |
| 通用放大器 | BU7487SFV-E2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:6mA 电流 - 输出/通道:12mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-LSSOP 放大器类型:CMOS 电路数:4 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:10MHz |
| 通用芯片 | BUS1DJC3GWZ-E2 | ROHM(罗姆) | FET类型:UltraSmall 输出端数量:1Output 导通电阻—最大值:245mOhms 工作电源电压:1.1Vto5V 电源电压-最小:1.1V 电源电压-最大:5V 功率:0.41W 运行时间—最大值:2s 工作温度:-30°C ~ 85°C |
| 电路监控 | MAX1232CWE+T | MAXIM(美信) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压-阈值:4.37V,4.62V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 通用芯片 | MAX14723ATP+ | MAXIM(美信) | 电流-电源:1.4mA 电压-电源:5.5 V ~ 58 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-TQFN(4x4) |
| 电路监控 | TC1271ALVRCTR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.63V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-143 |
| 电路监控 | TCM809JVNB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | TC54VN4302ECB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| 电路监控 | TC54VC2102ECB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压-阈值:2.1V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| 电路监控 | TC51N2702ECBTR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小 50 ms 电压-阈值:2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| 电路监控 | TC54VN3002ECB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| 电路监控 | TCM810MENB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | TCM809TENB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | TCM809SVNB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | TCM809ZVLB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.32V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-70-3 |
| RF开关 | HMC546LP2E | Analog Devices(亚德诺) | 频率 - 下:200MHz 频率 - 上:2.7GHz 隔离 @ 频率:40dB @ 2.7GHz(标准) 插损 @ 频率:0.7dB @ 2.7GHz IIP3:43dBm(标准) 拓扑:反光 电路:SPDT 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C RF 类型:WiMAX / WiBro 封装/外壳:6-TDFN 裸露焊盘 开关数量:Single 开关配置:SPDT 工作频率:0.2 GHz to 2.7 GHz 介入损耗:0.4 dB 关闭隔离—典型值:22 dB |
| RF开关 | HMC194AMS8E | Analog Devices(亚德诺) | 频率 - 下:DC 频率 - 上:3GHz 隔离 @ 频率:38dB @ 2.5GHz(标准) 插损 @ 频率:0.5dB @ 2.5GHz IIP3:53dBm(标准) 电路:SPDT P1dB:29dBm 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:3 V ~ 7 V 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 开关数量:Single 开关配置:SPDT 工作频率:DC to 3 GHz 介入损耗:0.5 dB 关闭隔离—典型值:55 dB |
| RF开关 | HMC546MS8GE | Analog Devices(亚德诺) | 频率 - 下:200MHz 频率 - 上:2.2GHz 隔离 @ 频率:30dB @ 2.17GHz(标准) 插损 @ 频率:1.1dB @ 2.17GHz IIP3:43dBm(标准) 拓扑:反光 电路:SPDT 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C RF 类型:WiMAX / WiBro 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 开关数量:Single 开关配置:SPDT 工作频率:0.2 GHz to 2.7 GHz 介入损耗:0.4 dB 关闭隔离—典型值:24 dB |
| DC-DC转换器 | AHE2815S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:AHE Outputs:Single DLA Qualified:SMD Total Output Power (W):15W - 20W IOUT Single (A):+ 1.333 Qual Level:Standard Input Voltage Max (V):40 Typical Efficiency (%):84 Input Voltage Min (V):17 DLA Drawing:5962-91625 Output Voltage Single (V):+ 15 |
| 电路监控 | MAX16029TG+ | MAXIM(美信) | FET类型:序列发生器 受监控电压数:4 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:140 ms/可调最小值 电压-阈值:9 种可选阀值组合 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:24-TQFN(4x4) |
| LDO(低压差线性稳压器) | XC6216B352MR-G | Torex(特瑞仕) | 输出电流:150mA 输出端数量:1Output 静态电流:5uA 最大输入电压:28V 最小输入电压:2V 输出类型:Fixed 负载调节:50mV 回动电压:1.3V FET类型:PositiveVoltageRegulator PSRR/纹波抑制—典型值:30dB 电压调节准确度:2% 线路调整率:0.15%/V 功率:1/4W 工作温度:-40°C ~ 85°C 输入电压:3.5V 输出电压精度:±2% 封装/外壳:SOT-25(Type B,C)<br>SOT-23(Type D) |
| 运算放大器 | BA10358F-E2 | ROHM(罗姆) | 电路数:2 压摆率:0.2 V/µs 增益带宽积:500kHz 电流-输入偏置:45nA 电压-输入失调:2mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:20mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOP |
| 音频放大器 | PAM8904JER | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压-电源:2.3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-uFQFN裸露焊盘 |
| 通用放大器 | LM4565F-GE2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:70nA 电压 - 输入失调:500µV 电流 - 电源:4.5mA 电流 - 输出/通道:160mA 电压 - 电源，单/双（±）:4 V ~ 36 V,±2 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 电路数:2 压摆率:5 V/µs 增益带宽积:10MHz |
| 通用放大器 | BU7486F-E2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:1mV 电流 - 电源:3mA 电流 - 输出/通道:12mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC 放大器类型:CMOS 电路数:2 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:10MHz |
| LDO(低压差线性稳压器) | XC6206J352MR-G | Torex(特瑞仕) | |
| 门驱动器 | 1EDI60N12AF | Infineon(英飞凌) | 系列:Single 湿度敏感性:Yes 封装/外壳:PG-DSO-8 RoHS compliant:yes Moisture Level:3 Topology:High Side (Single) Qualification:Industrial Channels:1.0 Tj max:150.0°C Output Current (Source):6.0A Budgetary Price €/1k:1.05 Output Current (Sink):9.4A Switch Type:MOSFET Turn On Propagation Delay (max):120.0ns (142.0ns) Isolation:Functional galvanic PIN min:0.025W Voltage Class:1200.0V Switching Frequency max:1000.0kHz Turn On Propagation Delay max:130.0ns Pout min:0.4W Input Active State:high/low |
| 门驱动器 | 6ED003L06-F2 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-28 系列:3-Phase 高度:1.2mm 长度:9.7mm 宽度:4.4mm 湿度敏感性:Yes RoHS compliant:yes Moisture Level:3 Topology:Three Phase Configuration:Three Phase Output Current (Sink) min:0.375 A 0.25 A Qualification:Industrial Channels:6.0 Tj max:125.0°C Output Current (Source):0.165A Budgetary Price €/1k:1.24 Output Current (Sink):0.375A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):530.0ns (800.0ns) Isolation:Functional levelshift Fault Reporting:ITRIP Turn On Propagation Delay min max:530.0 ns 400.0 ns 800.0 ns Voltage Class:600.0 V Switching Frequency max:100.0kHz Turn On Propagation Delay max:800.0ns Isolation Type:Functional levelshift Shutdown/Enable:EN Pout min:1.3W Turn Off Propagation Delay min max:490.0 ns 360.0 ns 760.0 ns UVLO Output (Off) min max:9.8 V 9.5 V 10.8 V UVLO Input (On) min max:11.7 V 11.0 V 12.5 V Input Active State:low Output Current (Source) min:0.165 A 0.12 A Input Vcc min max:13.0 V 17.5 V UVLO Output (On) min max:11.7 V 11.0 V 12.5 V UVLO Input (Off) min max:9.8 V 9.5 V 10.8 V |
| AC-DC转换器 | ICE3PCS03G | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 封装/外壳:TAPE & REEL Moisture Level:3 工作温度:-25.0°C 125.0°C Iq:380.0µA Mounting:SMT Applications:SMPS VCC min max:11.0V 25.0V Output Current Type:MOSFET Gate Driver Frequency Range:21kHz - 250 kHz ICC max:8.5mA |
| 门驱动器 | IR21814STRPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 14N |
| AC-DC转换器 | ICE2PCS01G | Infineon(英飞凌) | 开关频率:50kHzto315kHz 封装/外壳:PG-DSO-8 高度:1.50mm 长度:5mm 系列:ICE2PCS01 FET类型:PowerFactorCorrectionController 湿度敏感性:Yes 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 门驱动器 | 1EDI60H12AH | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 Moisture Level:3 Topology:High Side (Single) Qualification:Industrial Channels:1.0 Tj max:150.0°C Output Current (Source):10.0A Budgetary Price €/1k:1.22 Output Current (Sink):6.0A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):120.0ns (142.0ns) Isolation:Functional galvanic Fault Reporting:DSAT Voltage Class:1200.0V Switching Frequency max:1000.0kHz Turn On Propagation Delay max:120.0ns Shutdown/Enable:/RST |
| 门驱动器 | 1EDI20H12AH | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 Moisture Level:3 Topology:Single Qualification:Industrial Channels:1.0 Tj max:150.0°C Output Current (Source):4.0A Budgetary Price €/1k:0.79 Output Current (Sink):2.0A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):120.0ns (142.0ns) Isolation:Functional galvanic Fault Reporting:DESAT Voltage Class:1200.0V Switching Frequency max:1000.0kHz Turn On Propagation Delay max:120.0ns Shutdown/Enable:/RST |
| AC-DC转换器 | ICE3B0565J | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 封装/外壳:TUBE Moisture Level:NA tf:30.0ns Topology:Isolated Flyback Rds On(Max)@Id,Vgs:5.44Ω 连续漏极电流Id:0.5A Technology:Gen3 Family:CoolSET™ tr:30.0 ns 工作温度:-25.0 °C 130.0 °C ICC:2.5mA Budgetary Price €/1k:0.44 漏源极电压Vds:650V RthJA max:90.0K/W Green Product:Lead Free VCC min max:10.3 V 26.0 V Mounting:THT Target Application:Power Supplies Switching Frequency:67.0kHz ESD Protection max:2.0 KV Rds On(Max)@Id,Vgs:5.44Ω Rds On(Max)@Id,Vgs:4.7Ω Sub Application:Offline SMPS Pout max:15.0 W VCC min max:10.3V 26.0V Frequency Range:67kHz fixed Pout max:15.0W ESD Protection max:2.0KV PIN max:12.0W |
| 门驱动器 | ISO1H801G | Infineon(英飞凌) | 输出电流:625mA 系列:ISO1H801 输出端数量:8 湿度敏感性:Yes 工作电源电流(mA):4.5mA 功率:3.3W 封装/外壳:PG-DSO-36 工作温度:-25°C ~ 150°C |
| 通用芯片 | IR2085S | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A,1A 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:100V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC Moisture Level:2 Topology:Half Bridge Qualification:Industrial Channels:2.0 Output Current (Source):1.0A Budgetary Price €/1k:1.39 Output Current (Sink):1.0A Switch Type:IGBT,MOS Turn On Propagation Delay (max):40.0ns (60.0ns) Isolation:Functional levelshift Voltage Class:100.0V Switching Frequency max:500.0kHz |
| AC-DC转换器 | ICE2A280Z | Infineon(英飞凌) | 输出隔离:隔离 内部开关:是 电压 - 击穿:800V 拓扑:反激 电压 - 启动:13.5V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:8.5 V ~ 21 V 占空比:72% 频率 - 开关:100kHz 功率:50W 故障保护:限流,开路,过载,超温,过压 控制特性:软启动 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-DIP tf:30.0 ns Topology:Isolated Flyback Rds On(Max)@Id,Vgs:1.06Ω 连续漏极电流Id:2A Technology:Gen2 Family:CoolSET™ tr:30.0 ns ICC:7.7mA Budgetary Price €/1k:1.77 漏源极电压Vds:800V RthJA max:96.0K/W Green Product:Yes VCC min max:8.5 V 21.0 V Mounting:THT Target Application:Power Supplies Switching Frequency:100.0 kHz ESD Protection max:2.0 KV Rds On(Max)@Id,Vgs:1.06Ω Rds On(Max)@Id,Vgs:0.8Ω Sub Application:Offline SMPS Pout max:33.0 W VCC min max:8.5V 21.0V Frequency Range:21.5 - 100 kHz Pout max:33.0W ESD Protection max:2.0KV PIN max:31.0W |
| AC-DC转换器 | ICE3PCS02G | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TAPE & REEL Moisture Level:3 工作温度:-25.0°C 125.0°C Iq:380.0µA Mounting:SMT Applications:SMPS VCC min max:11.0V 25.0V Output Current Type:MOSFET Gate Driver Frequency Range:21kHz - 250 kHz ICC max:8.5mA |
| AC-DC转换器 | ICE3AR1580VJZ | Infineon(英飞凌) | 系列:F3 RoHS compliant:yes 封装/外壳:TUBE Moisture Level:NA tf:30.0ns Topology:Isolated Flyback Rds On(Max)@Id,Vgs:1.71Ω Technology:Gen3R Family:CoolSET™ tr:30.0 ns 工作温度:-40.0 °C 130.0 °C ICC:5.7 mA Budgetary Price €/1k:0.69 漏源极电压Vds:800V RthJA max:96.0K/W Green Product:Lead Free VCC min max:10.5 V 25.0 V Mounting:THT Target Application:Power Supplies Switching Frequency:100.0kHz ESD Protection max:2.0 KV Rds On(Max)@Id,Vgs:1.71Ω Sub Application:Offline SMPS Pout max:26.0 W VCC min max:10.5V 25.0V Eval-Board Product Mapping:EVAL-ICE3AR1580VJZ Frequency Range:100kHz fixed Pout max:26.0W ESD Protection max:2.0KV PIN max:36.0W |
| 音频放大器 | SAE800G | Infineon(英飞凌) | 系列:SAE800 类:Other 输出功率:450mW FET类型:ProgrammableToneGong 封装/外壳:PG-DSO-8 音频 - 负载阻抗:50Ohms 电源电压-最大:18V 电源电压-最小:2.8V 通道数量:1Channel 关闭:Shutdown 湿度敏感性:Yes 工作电源电流(mA):5mA 工作电源电压:2.8Vto18V 工作温度:-25°C ~ 125°C |
| 门驱动器 | 1EDC60H12AH | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 Moisture Level:3 Topology:High Side (Single) Configuration:High-side Output Current (Sink) min:9.4 A 6.0 A Qualification:Industrial Channels:1.0 Output Current (Source):10.0A Budgetary Price €/1k:1.44 Output Current (Sink):9.4A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):120.0ns (142.0ns) UVLO Input (Off) min:2.75 V 2.55 V Isolation:Functional galvanic Turn On Propagation Delay min max:120.0 ns 95.0 ns 142.0 ns Voltage Class:1200.0 V Switching Frequency max:1000.0kHz UVLO Output (Off) min:11.1 V 10.5 V Isolation Type:Galvanic isolation - Functional Turn Off Propagation Delay min max:125.0 ns 105.0 ns 150.0 ns Output Current (Source) min:10.0 A 6.0 A Input Vcc min max:3.1 V 17.0 V UVLO Input (On) max:2.85 V 3.1 V UVLO Output (On) max:12.0 V 12.7 V |
| 门驱动器 | 1EDI10I12MF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 Moisture Level:3 Topology:Single Qualification:Industrial Channels:1.0 Tj max:150.0°C Output Current (Source):2.2A Budgetary Price €/1k:0.66 Output Current (Sink):1.0A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):330.0ns (330.0ns) Isolation:Functional galvanic PIN min:0.025W Voltage Class:1200.0V Switching Frequency max:1000.0kHz Turn On Propagation Delay max:330.0ns Pout min:0.4W Input Active State:high/low |
| 门驱动器 | 6EDL04I06NT | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-28 系列:3-Phase 高度:2.65mm 长度:18.1mm 宽度:7.6mm 湿度敏感性:Yes RoHS compliant:yes Moisture Level:3 Topology:3 Phase Configuration:Three Phase Output Current (Sink) min:0.375 A 0.25 A Qualification:Industrial Channels:6.0 Tj max:125.0°C Output Current (Source):0.165A Budgetary Price €/1k:1.11 Output Current (Sink):0.375A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):530.0ns (800.0ns) Isolation:Functional levelshift Fault Reporting:ITRIP Turn On Propagation Delay min max:530.0 ns 400.0 ns 800.0 ns Voltage Class:600.0V Switching Frequency max:100.0kHz Turn On Propagation Delay max:800.0ns Isolation Type:Functional levelshift Shutdown/Enable:EN Pout min:1.3W Turn Off Propagation Delay min max:490.0 ns 360.0 ns 760.0 ns UVLO Output (Off) min max:9.8 V 9.5 V 10.8 V UVLO Input (On) min max:11.7 V 11.0 V 12.5 V Input Active State:low Output Current (Source) min:0.165 A 0.12 A Input Vcc min max:13.0 V 17.5 V UVLO Output (On) min max:11.7 V 11.0 V 12.5 V UVLO Input (Off) min max:9.8 V 9.5 V 10.8 V |
| AC-DC转换器 | ICE5QR2280AZ | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TUBE Moisture Level:NA tf:30.0ns Topology:Flyback Rds On(Max)@Id,Vgs:2.35Ω 漏源极电压Vds:800V Technology:Gen5 Family:CoolSET™ tr:30.0ns ICC:0.9mA 工作温度:-40.0°C 129.0°C Green Product:Yes Mounting:THT Target Application:Power Supplies Switching Frequency:Variable Sub Application:Offline SMPS VCC min max:10.5V 24.0V Eval-Board Product Mapping:DEMO_5QR2280AZ_24W1 Frequency Range:Variable Pout max:22.0W ESD Protection max:2.0KV 工作电源电流(mA):900 uA 开关频率:20 kHz 拓扑结构:Flyback 系列:QR CoolSET 输入/电源电压—最大值:25.5 V 输入/电源电压—最小值:10 V 输出功率:41 W 输出电压:800 V 输出电流:0.4 A 输出端数量:1Output |
| AC-DC转换器 | ICE5QR0680AZ | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TUBE Moisture Level:NA tf:30.0ns Topology:Flyback Rds On(Max)@Id,Vgs:0.8Ω 漏源极电压Vds:800V Technology:Gen5 Family:CoolSET™ tr:30.0ns ICC:0.9mA 工作温度:-40.0°C 129.0°C Green Product:Yes Mounting:THT Target Application:Power Supplies Switching Frequency:Variable Sub Application:Offline SMPS VCC min max:10.5V 24.0V Eval-Board Product Mapping:DEMO_5QR0680AZ_42W1 Frequency Range:Variable Pout max:41.0W ESD Protection max:2.0KV 工作电源电流(mA):900 uA 开关频率:20 kHz 拓扑结构:Flyback 系列:QR CoolSET 输入/电源电压—最大值:25.5 V 输入/电源电压—最小值:10 V 输出功率:74 W 输出电压:800 V 输出电流:1.8 A 输出端数量:1Output |
| 通用芯片 | SAF-XC878CM-16FFI-5V AC | Infineon(英飞凌) | ADC分辨率:10 bit ADC通道数量:8 封装/外壳:LQFP-64 工作电源电压:5 V 接口类型:CAN, LIN, SPI, UART 数据 RAM 大小:3 kB 数据 ROM 大小:4kB 数据 Ram 类型:SRAM 数据 Rom 类型:EEPROM 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:27 MHz 核心:XC800 电源电压-最大:3.6V 电源电压-最小:1.8V 程序存储器大小:64 kB 程序存储器类型:Flash 系列:SAxXC878CM 计时器/计数器数量:4Timer 输入/输出端数量:40 I/O 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| AC-DC转换器 | ICE3BS03LJG | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 开关频率:65kHz 占空比 - 最大:75% 系列:ICE3BS03 输出端数量:1Output FET类型:CurrentMode 湿度敏感性:Yes 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| AC-DC转换器 | ICE3AR0680JZ | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DIP-7 输出功率:44W 输入/电源电压—最大值:25V 开关频率:100kHz 工作电源电流(mA):7.8mA 系列:F3 输出端数量:1Output FET类型:CurrentMode |
| RF开关 | HMC536LP2E | Analog Devices(亚德诺) | 频率 - 下:DC 频率 - 上:6GHz 隔离 @ 频率:29dB @ 6GHz(标准) 插损 @ 频率:1dB @ 6GHz IIP3:49dBm(标准) 拓扑:反光 电路:SPDT 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C RF 类型:WiMAX / WiBro 封装/外壳:6-TDFN 裸露焊盘 开关数量:Dual 开关配置:SPDT 工作频率:DC to 6 GHz 介入损耗:1 dB 关闭隔离—典型值:29 dB |
| 电机驱动/控制器 | IGCM20F60GA | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:MDIP-24 高度:5.1mm 长度:36mm 系列:CIPOSMini 宽度:21mm 功率:2500W RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:3 Phase Open Emitter Budgetary Price €/1k:6.38 Voltage Class:600.0V Built in NTC:yes Fault Pin:yes Built in Rectifier:no Product Group:CIPOS™ Mini Pmot max:2.5kW Emitter Configuration:Open Rated Current:20.0A Built in Bootstrap:yes Pmot (10kHz):1600.0W |
| 电机驱动/控制器 | IKCM20L60GA | Infineon(英飞凌) | 系列:CIPOSMini RoHS compliant:yes 封装/外壳:TUBE Moisture Level:NA Configuration:3 Phase Open Emitter Budgetary Price €/1k:6.27 Voltage Class:600.0V Built in NTC:yes Fault Pin:yes Built in Rectifier:no Product Group:CIPOS™ Mini Pmot max:2.5kW Emitter Configuration:Open Rated Current:20.0A Built in Bootstrap:yes Pmot (10kHz):1800.0W |
| 电机驱动/控制器 | IKCM30F60GD | Infineon(英飞凌) | 系列:CIPOSMini RoHS compliant:yes 封装/外壳:TUBE Moisture Level:NA Configuration:3 Phase Open Emitter Budgetary Price €/1k:9.76 Voltage Class:600.0V Built in NTC:yes Fault Pin:yes Built in Rectifier:no Product Group:CIPOS™ Mini Pmot max:3.0kW Emitter Configuration:Open Rated Current:30.0A Built in Bootstrap:yes Pmot (10kHz):2600.0W |
| 电机驱动/控制器 | IKCM15L60GD | Infineon(英飞凌) | 系列:CIPOSMini RoHS compliant:yes 封装/外壳:TUBE Moisture Level:NA Configuration:3 Phase Open Emitter Budgetary Price €/1k:7.28 Voltage Class:600.0V Built in NTC:yes Fault Pin:yes Built in Rectifier:no Product Group:CIPOS™ Mini Pmot max:2.0kW Emitter Configuration:Open Rated Current:15.0A Built in Bootstrap:yes Pmot (10kHz):2200.0W |
| LDO(低压差线性稳压器) | BD33HC5MEFJ-ME2 | ROHM(罗姆) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:8V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:1.2V @ 1.5A 电流-输出:1.5A 电流-电源:0.6mA ~ 0.9mA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-HTSOP-J |
| DC-DC转换器 | MP1471AGJ-Z | MPS(美国芯源) | 封装:TSOT-23-6 |
| DC-DC转换器 | MP1498DJ-LF-Z | MPS(美国芯源) | 封装:TSOT-23-8 |
| 稳压器与电压控制器 | MP20075DH-LF-Z | MPS(美国芯源) | 封装:8-MSOP-EP |
| 通用芯片 | MP201DS-LF-Z | MPS(美国芯源) | 电流-电源:250µA 电压-电源:4.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| DC-DC转换器 | MP2403DN-LF-Z | MPS(美国芯源) | 封装:8-SOIC-EP |
| LDO(低压差线性稳压器) | XC6206P352MR | Torex(特瑞仕) |