IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用芯片 | BD70HA5MEFJ-ME2 | 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:7V 电流 - 输出:500mA 电压 - 跌落（典型值）:0.6V @ 500mA 电压 - 输入:最高 8V | |
| 通用芯片 | AN32258A-PR | ||
| 通用芯片 | XC6119N09ANR-G | 封装/外壳:SSOT-24 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压 - 阈值:0.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) | |
| 通用芯片 | NCS37000MNTWG | 电流-电源:2mA 电压-电源:6 V ~ 12 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QFN | |
| 通用芯片 | NCP81162MNR2G | 电流-电源:1.6mA 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-QFN | |
| 通用芯片 | NCP81022MNTXG | 电流-电源:48mA 电压-电源:4.75 ~ 5.25 V 工作温度:-10°C ~ 100°C 封装/外壳:52-QFN(6x6) | |
| 通用芯片 | MAX749CSA+T | 电流-电源:60µA 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 通用芯片 | BA30DD0T | 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220-3整包 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3V 电流 - 输出:2A 电压 - 跌落（典型值）:0.45V @ 2A 电压 - 输入:最高 25V | |
| 通用芯片 | BDJ0GA5WEFJ-E2 | 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:10V 电流 - 输出:500mA 电压 - 跌落（典型值）:0.6V @ 500mA 电压 - 输入:最高 14V | |
| 通用芯片 | BD15IA5WEFJ-E2 | 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.5V 电流 - 输出:500mA 电压 - 跌落（典型值）:0.4V @ 500mA 电压 - 输入:2.4 V ~ 5.5 V | |
| 通用芯片 | BD30HC0WEFJ-E2 | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:8V 电压 - 输出（最小值/固定）:3V 压降（最大值）:0.92V @ 1A 电流 - 输出:1A 电流 - 静态（Iq):0.6mA 电流 - 电源（最大值）:900µA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 通用芯片 | BU4816F-TR | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-TSOP FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:1.6V | |
| 通用芯片 | BD15IC0WEFJ-E2 | 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.5V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:0.4V @ 1A 电压 - 输入:2.4 V ~ 5.5 V | |
| 通用芯片 | 73S8009C-32IM/F | 电压-电源:2.7 V ~ 6.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-QFN(5x5) | |
| 通用芯片 | BA7812FP-E2 | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:27V 电压 - 输出（最小值/固定）:12V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流 - 输出:1A 电流 - 静态（Iq):4.5mA 电流 - 电源（最大值）:6mA PSRR:63dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 | |
| 通用芯片 | MAX253CUA+T | 电流-电源:450µA 电压-电源:3.3V,5V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-uMAX | |
| 通用芯片 | MAX253CSA+T | 电流-电源:450µA 电压-电源:3.3V,5V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:SOIC-8 Narrow FET类型:Non-Inverting 输出数:1 Ohms 系列:MAX253 最低工作温度:0 C 标准包装数量:2500 输出电流:1 A 电源电压 - 最大值:6 V 电源电压 - 最小值:2.5 V 电源电流:0.45 mA 最大功率消耗:727 mW 最高工作温度:+ 70 C | |
| 通用芯片 | MAX17000AETG+T | 系列:Quick-PWM™ 电流-电源:2mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-TQFN(4x4) | |
| 通用芯片 | MAX16127TC+T | 电流-电源:224µA 电压-电源:3 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:12-TQFN(3x3) | |
| 通用芯片 | MAX14808ETK+T | 电压-电源:3V,5V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-QFN-EP(10x10) | |
| 通用芯片 | MAX14808ETK+ | 电压-电源:3V,5V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-QFN-EP(10x10) | |
| 通用芯片 | MAX14723ATP+T | 电流-电源:1.4mA 电压-电源:5.5 V ~ 58 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-TQFN(4x4) | |
| 通用芯片 | MAX14723ATP+ | 电流-电源:1.4mA 电压-电源:5.5 V ~ 58 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-TQFN(4x4) | |
| 通用芯片 | MAX14722ATP+T | 电流-电源:1.4mA 电压-电源:5.5 V ~ 58 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-TQFN(4x4) | |
| 通用芯片 | MAX14722ATP+ | 电流-电源:1.4mA 电压-电源:5.5 V ~ 58 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-TQFN(4x4) | |
| 通用芯片 | MAX14721ATP+T | 电流-电源:1.4mA 电压-电源:5.5 V ~ 58 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-TQFN(4x4) | |
| 通用芯片 | MAX14721ATP+ | 电流-电源:1.4mA 电压-电源:5.5 V ~ 58 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-TQFN(4x4) | |
| 通用芯片 | AS3606A-BQFP-00 | 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-QFN(5x5) | |
| 通用芯片 | BD48K42G-TL | 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压 - 阈值:4.2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) | |
| 通用芯片 | BD15HC5WEFJ-E2 | 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.5V 电流 - 输出:1.5A 电压 - 跌落（典型值）:0.6V @ 1.5A 电压 - 输入:4.5 V ~ 8 V | |
| 通用芯片 | BD25IA5WEFJ-E2 | 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:2.5V 电流 - 输出:500mA 电压 - 跌落（典型值）:0.4V @ 500mA 电压 - 输入:最高 5.5V | |
| 通用芯片 | L-ASC10-1SG48I | 电流-电源:25mA 电压-电源:2.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-QFN(7x7) | |
| 通用芯片 | IR35211MTRPBF | 电流 - 电源:105mA 电压 - 电源:2.9 V ~ 3.63 V 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:QFN 6X6 40L | |
| 通用芯片 | XC6122C627MR-G | 封装/外壳:SOT-25 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:标准为 1.6s 电压 - 阈值:2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) | |
| 通用芯片 | BU45K382G-TL | 湿气敏感性等级（MSL）:3(168 小时) 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 120 ms 电压 - 阈值:3.8V | |
| 通用芯片 | BA17820CP-E2 | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:33V 电压 - 输出（最小值/固定）:20V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流 - 输出:1A 电流 - 静态（Iq):4.5mA 电流 - 电源（最大值）:6mA PSRR:60dB(120Hz) 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:TO-220-3截切引线 | |
| 通用芯片 | BU10TD2WNVX-TL | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:6V 电压 - 输出（最小值/固定）:1V 压降（最大值）:1.1V @ 200mA 电流 - 输出:200mA 电流 - 静态（Iq):60µA PSRR:70dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN裸露焊盘 | |
| 通用芯片 | BD33IC0WEFJ-E2 | 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.3V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:0.4V @ 1A 电压 - 输入:最高 5.5V | |
| 通用芯片 | BD00GA5MEFJ-ME2 | 输出配置:正 输出类型:可调式 电压 - 输入（最大值）:14V 电压 - 输出（最小值/固定）:1.5V 电压 - 输出（最大值）:13V 压降（最大值）:1.2V @ 500mA 电流 - 输出:500mA 电流 - 静态（Iq):0.6mA 电流 - 电源（最大值）:900µA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 通用芯片 | BU4924G-TR | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:2.4V | |
| 通用芯片 | AZ1117H-2.5TRE1 | PSRR/纹波抑制—典型值:75dB 回动电压:1.15V 回动电压—最大值:1.25V 封装/外壳:SOT-223-3 最大输入电压:15V 湿度敏感性:Yes 系列:AZ1117 线路调整率:1mV 负载调节:1mV 输出电压:2.5 V 输出电流:1 A 输出端数量:1Output 输出类型:Fixed 静态电流:5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| 通用芯片 | IR35210MTRPBF | 封装/外壳:QFN 5X5 40L | |
| 通用芯片 | BU32TA2WHFV-TR | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:3.2V 压降（最大值）:0.6V @ 200mA 电流 - 输出:200mA 电流 - 静态（Iq):95µA PSRR:65dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-665 | |
| 通用芯片 | ZABG6002JB20TC | 电流-电源:62mA 电压-电源:3 V ~ 8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-QFN | |
| 通用芯片 | ZXCT1008FTA | 系列:ZXCT FET类型:Automotive High-side Current Monitor 增益:10 mA/V 带宽:2 MHz 电源电压-最小:2.5 V 工作电源电压:20 V 工作电源电流(mA):15 uA 准确性:2.50% 功能:电流监控器 感应方法:高端 偏差:±1% 电压-输入:2.5 V ~ 20 V 电流-输出:25mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 通用芯片 | APR3415BMTR-G1 | 电压 - 电源:3.3 V ~ 6 V 电流 - 电源:150µA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
| 通用芯片 | AP431SRG-7 | 温度系数:±30ppm/°C 电流 - 阴极:500µA 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压 - 输出（最小值/固定）:2.495V 电压 - 输出（最大值）:36V 电流 - 输出:200mA 偏差:±1% | |
| 通用芯片 | BA7820FP-E2 | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:33V 电压 - 输出（最小值/固定）:20V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流 - 输出:1A 电流 - 静态（Iq):4.5mA 电流 - 电源（最大值）:6mA PSRR:60dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 | |
| 通用芯片 | BA7818FP-E2 | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:18V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:2V @ 1A 电压 - 输入:21 V ~ 33 V | |
| 通用芯片 | BU4913F-TR | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-TSOP FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:1.3V | |
| 通用芯片 | UTC2000-I/MG | 电流-电源:185µA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QFN | |
| 通用芯片 | UCS1003-3-BP | 电流-电源:650µA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-QFN | |
| 通用芯片 | UCS1003-2-BP | 电流-电源:650µA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-QFN | |
| 通用芯片 | UCS1003-1-BP | 电流-电源:650µA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-QFN | |
| 通用芯片 | BU46K404G-TL | FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 240 ms 电压 - 阈值:4V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 通用芯片 | XC61CN2002MR-G | 封装/外壳:SOT-23 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 电压 - 阈值:2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) | |
| 通用芯片 | BD00HC0MEFJ-ME2 | 输出配置:正 输出类型:可调式 电压 - 输入（最大值）:8V 电压 - 输出（最小值/固定）:1.5V 电压 - 输出（最大值）:7V 压降（最大值）:1.2V @ 1A 电流 - 输出:1A 电流 - 静态（Iq):0.6mA 电流 - 电源（最大值）:900µA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 通用芯片 | TL431ASA-7 | 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.495V 电压-输出（最大值）:36V 电流-输出:100mA 偏差:±1% 电流-阴极:700µA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 串联VREF—输入电压—最大值:2.52 V 分流电流—最大值:100 mA 分流电流—最小值:1mA 参考类型:Shunt Adjustable Precision References 拓扑结构:ShuntReferences 系列:TL431A 输入电压:36V | |
| 通用芯片 | BU4823F-TR | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-TSOP FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:2.3V | |
| 通用芯片 | BD18HA3MEFJ-ME2 | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:8V 电压 - 输出（最小值/固定）:1.8V 压降（最大值）:1.2V @ 300mA 电流 - 输出:300mA 电流 - 静态（Iq):0.6mA 电流 - 电源（最大值）:900µA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 通用芯片 | BP5710-1 | FET类型:封闭式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入:85 ~ 115 VAC 电压 - 输出 1:12V 电流 - 输出（最大值）:350mA 功率:4W 工作温度:-20°C ~ 80°C(有降额) 效率:77% 封装/外壳:11-SIP模块,7引线 线路调节:150mV 负载调节:150mV | |
| 通用芯片 | 73S8009R-IM/F | 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-QFN | |
| 通用芯片 | AS3729-BWLM | 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-WLCSP(1.62x1.62) | |
| 通用芯片 | BU45K304G-TL | FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 240 ms 电压 - 阈值:3V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 通用芯片 | BD1CIC0WHFV-GTR | 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.25V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:0.4V @ 1A 电压 - 输入:2.4 V ~ 5.5 V | |
| 通用芯片 | BD70HA5WEFJ-E2 | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:8V 电压 - 输出（最小值/固定）:7V 压降（最大值）:0.9V @ 500mA 电流 - 输出:500mA 电流 - 静态（Iq):6µA 电流 - 电源（最大值）:15µA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 通用芯片 | BU4840FVE-TR | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-665 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:4V | |
| 通用芯片 | BU45K262G-TL | FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 120 ms 电压 - 阈值:2.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 通用芯片 | BD3531F-FE2 | 封装/外壳:8-SOIC(0.173"",4.40mm 宽) 工作温度:-10°C ~ 100°C 电压-输入:4.5V ~ 5.5V 电压-输出:可调式 输出数:1 | |
| 通用芯片 | XC6121E630MR-G | 封装/外壳:SOT-25 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:标准为 1.6s 电压 - 阈值:3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) | |
| 通用芯片 | XC6119N13ANR-G | 封装/外壳:SSOT-24 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压 - 阈值:1.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) | |
| 通用芯片 | BD2270HFV-TR | 上升时间:130 us 下降时间:18 us 工作电源电流(mA):50uA 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.7 V 系列:BD2270HFV 输出电压:9.5V 工作温度:-25°C ~ 85°C | |
| 通用芯片 | BA15DD0WHFP-TR | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:25V 电压 - 输出（最小值/固定）:1.5V 压降（最大值）:0.7V @ 2A 电流 - 输出:2A 电流 - 静态（Iq):120µA PSRR:55dB(120Hz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5引线+接片),TO-263BA | |
| 通用芯片 | NCS1002ADR2G | 电流-电源:200µA 电压-电源:3 V ~ 32 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 通用芯片 | NCS1002DR2G | 电流-电源:200µA 电压-电源:3 V ~ 32 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 通用芯片 | MAX845ESA+ | 电流-电源:1.1mA 电压-电源:2.5 V ~ 6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 通用芯片 | MAX749ESA+ | 电流-电源:60µA 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:SOIC 引脚数目:8 封装/外壳:5 x 4 x 1.5mm 高度:1.50mm 长度:5mm 最高工作温度:+85°C 最低工作温度:-40°C 宽度:4mm | |
| 通用芯片 | MAX749CSA+ | 电流-电源:60µA 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:SOIC 引脚数目:8 封装/外壳:5 x 4 x 1.5mm 高度:1.50mm 宽度:4mm 长度:5mm 最高工作温度:+70 °C 最低工作温度:0 °C | |
| 通用芯片 | MAX253CSA+ | 电流-电源:450µA 电压-电源:3.3V,5V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 通用芯片 | MAX1812EUB+ | 电流-电源:45µA 电压-电源:4 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:10-uMAX | |
| 通用芯片 | BU46K382G-TL | 湿气敏感性等级（MSL）:3(168 小时) 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 120 ms 电压 - 阈值:3.8V | |
| 通用芯片 | BD52E42G-MTR | 功率:0.54W 人工复位:No Manual Reset 准确性:1 % 封装/外壳:SSOP-5 工作电源电流(mA):850nA 欠电压阈值:4.158V 电池备用开关:No Backup 电源电压-最大:10 V 看门狗计时器:No Watchdog 被监测输入数:1 Input 输出类型:Open Drain 过电压阈值:4.242V 阈值电压:4.2 V 工作温度:-40°C ~ 105°C | |
| 通用芯片 | BU4828FVE-TR | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:2.8V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-665 | |
| 通用芯片 | BU4823F-TR | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-TSOP FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:2.3V | |
| 通用芯片 | BU4345F-TR | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-82 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压 - 阈值:4.5V | |
| 通用芯片 | BD45301G-TR | 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 90 ms 电压 - 阈值:3V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) | |
| 通用芯片 | LR745N3-G | 电流-电源:500µA 电压-电源:35 V ~ 450 V 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-92-3 | |
| 通用芯片 | BU4242F-TR | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-82 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压 - 阈值:4.2V | |
| 通用芯片 | BU4220FVE-TR | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-665 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压 - 阈值:2V | |
| 通用芯片 | BM2P012 | 占空比:75% 频率 - 开关:65kHz 故障保护:限流,过压,短路 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:8-DIP 输出隔离:任意一种 内部开关:是 电压 - 击穿:650V 拓扑:回扫 电压 - 启动:13.5V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:8.9 V ~ 26 V | |
| 通用芯片 | LM317LBDR2G | 系列:LM317L 高度:1.5 mm (Max) 长度:5 mm (Max) 宽度:4 mm (Max) 输出电流:100 mA 极性:Positive 最大输入电压:4.2 V 负载调节:0.50% 线路调整率:0.07 % / V 最小输入电压:1.3 V 输出电压:1.2 V to 37 V PSRR/纹波抑制—典型值:80 dB 输出配置:正 输出类型:可调式 电压-输入（最大值）:40V 电压-输出（最小值/固定）:1.2V 电压-输出（最大值）:37V 电流-输出:100mA 电流-电源:10mA PSRR:80dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 通用芯片 | BD49L42G-TL | FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压 - 阈值:4.2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 通用芯片 | BD48L42G-TL | FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压 - 阈值:4.2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 通用芯片 | BD48L45G-TL | 受监控电压数:1 复位:低有效 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 电压-阈值:4.5V 类型:电压检测器 输出:开路漏极或开路集电极 | |
| 通用芯片 | BD48L50G-TL | ||
| 通用芯片 | BD49L23G-TL | ||
| 通用芯片 | BD49L27G-TL | 受监控电压数:1 复位:低有效 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 电压-阈值:2.7V 类型:电压检测器 输出:推挽式/图腾柱 | |
| 通用芯片 | BD49L30G-TL | 受监控电压数:1 复位:低有效 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 电压-阈值:3V 类型:电压检测器 输出:推挽式/图腾柱 | |
| 通用芯片 | BD49K26G-TL | FET类型:电压检测器 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压 - 阈值:2.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 通用芯片 | BD49K28G-TL |