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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 整流二极管 | DZ2405600L | Panasonic(松下) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:40 Ohms 反向漏电流Ir:20µA @ 2V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 封装/外壳:T迷你型P2-F2-B 封装/外壳:TMiniP2-F2-B 齐纳电压Vz:5.6V 功率耗散Pd:2W |
| 整流二极管 | W10G-E4/51 | Vishay(威世) | 系列:W FET类型:单相 正向电压Vf:1V@1A 反向漏电流Ir:5µA @ 1000V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向电压Vr:1KV 正向电流If:1.5A |
| 整流二极管 | VSSAF5M10-M3/H | Vishay(威世) | 系列:VSSA |
| 整流二极管 | VSSAF5M10HM3/H | Vishay(威世) | 封装/外壳:SMD/SMT 正向电流If:5A 反向浪涌电压Vrrm:100V 正向电压Vf:0.62V 正向浪涌电流Ifsm:100A 配置:Single 反向漏电流Ir:4mA 系列:VSSAF5M10 工作温度:-40°C~175°C |
| 整流二极管 | VSSAF510-M3/H | Vishay(威世) | 系列:VSSA |
| 整流二极管 | VS-MBRS360-M3/9AT | Vishay(威世) | 系列:VS FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:3A 正向电压Vf:740mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 60V 结电容Cj:180pF @ 5V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | VS-ETX0806-M3 | Vishay(威世) | 系列:VS 工作温度:-65°C~175°C 高度:15.25 mm 长度:8.89 mm 宽度:4.65 mm 配置:Single 正向浪涌电流Ifsm:80 A FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:14 ns 正向电流If:8 A 反向电压Vr:600V 反向漏电流Ir:20 nA 正向电压Vf:2.5V |
| 整流二极管 | VS-ETH0806-M3 | Vishay(威世) | 系列:VS 工作温度:-65°C~175°C 高度:15.25 mm 长度:8.89 mm 宽度:4.65 mm 配置:Single 正向浪涌电流Ifsm:80 A FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:16 ns 正向电流If:8 A 反向电压Vr:600V 反向漏电流Ir:20 nA 正向电压Vf:2V |
| 整流二极管 | VS-APU6006-N3 | Vishay(威世) | 系列:VS FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 正向电流If:35 A 反向电压Vr:800V 反向漏电流Ir:4000 uA 正向电压Vf:1.8V@110A |
| 整流二极管 | VS-6CWQ10FNTR-M3 | Vishay(威世) | 系列:VS 封装/外壳:SMD/SMT 正向浪涌电流Ifsm:440 A 反向浪涌电压Vrrm:100 V 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:3.5A 正向电压Vf:810mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 100V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 工作温度:-40°C~150°C |
| 整流二极管 | VS-60EPU04-N3 | Vishay(威世) | 系列:VS FET类型:标准 正向电压Vf:1.25V@60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50µA @ 400V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:50ns 正向电流If:60A 反向电压Vr:400V |
| 整流二极管 | VS-60EPS12-M3 | Vishay(威世) | 系列:VS 正向电压Vf:1.09V@60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 1200V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 正向电流If:60A 反向电压Vr:1.2KV |
| 整流二极管 | VS-60APU02PBF | Vishay(威世) | 系列:VS 工作温度:-55°C~175°C 高度:20.7 mm 长度:15.87 mm 宽度:5.31 mm 配置:Single Cathode Dual Anode 正向浪涌电流Ifsm:800 A FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:28 ns 正向电流If:60 A 反向电压Vr:200V 反向漏电流Ir:50 uA 正向电压Vf:810mV |
| 整流二极管 | VS-60APH03-N3 | Vishay(威世) | 系列:VS 工作温度:-55°C~175°C 配置:Single 正向浪涌电流Ifsm:450 A FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:28 ns 正向电流If:60 A 反向电压Vr:300V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:0.85V |
| 整流二极管 | VS-3EJH02HM3/6A | Vishay(威世) | 系列:VS FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:26 ns 正向电流If:3 A 反向电压Vr:200V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:860mV |
| 整流二极管 | VS-36MT160 | Vishay(威世) | 系列:VS 高度:10 mm 宽度:28.5 mm 正向电压Vf:1.19V 功率耗散Pd:0.35 W 正向浪涌电流Ifsm:475 A FET类型:三相 反向电压Vr:1.6KV 正向电流If:35A 反向漏电流Ir:10µA @ 1600V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) |
| 整流二极管 | VS-20ETF10PBF | Vishay(威世) | 系列:VS 工作温度:-40°C~150°C 高度:8.89 mm 长度:10.54 mm 宽度:4.7 mm 配置:Single 正向浪涌电流Ifsm:320 A FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:400 ns 正向电流If:20 A 反向电压Vr:1KV 反向漏电流Ir:100 uA 正向电压Vf:1.31V |
| 整流二极管 | VS-20BQ030-M3/5BT | Vishay(威世) | 系列:VS 正向浪涌电流Ifsm:350 A 反向漏电流Ir:15 mA 反向浪涌电压Vrrm:30 V FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:470mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:200pF @ 5V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 工作温度:-55°C~150°C |
| 整流二极管 | VS-1EFH02HM3/I | Vishay(威世) | 系列:VS FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:25 ns 正向电流If:1 A 反向电压Vr:200V 反向漏电流Ir:2 uA 正向电压Vf:870mV |
| 整流二极管 | VS-15MQ040-M3/5AT | Vishay(威世) | 系列:VS FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 40V 结电容Cj:134pF @ 10V,1MHz 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 正向电流If:1.15 A 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:430mV 正向浪涌电流Ifsm:330 A |
| 整流二极管 | VS-12CWQ10FNTRPBF | Vishay(威世) | 系列:VS 工作温度:-55°C~150°C 高度:2.39 mm 长度:6.73 mm 宽度:6.22 mm 封装/外壳:SMD/SMT 正向浪涌电流Ifsm:330 A 反向浪涌电压Vrrm:100 V 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:6A 正向电压Vf:800mV@6A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 100V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | VS-12CWQ10FNTR-M3 | Vishay(威世) | 系列:VS 封装/外壳:SMD/SMT 正向浪涌电流Ifsm:330 A 反向浪涌电压Vrrm:100 V 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:6A 正向电压Vf:950mV@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 100V 工作温度-结:150°C(最大) 工作温度:-55°C~150°C |
| 整流二极管 | VS-10BQ060-M3/5BT | Vishay(威世) | 系列:VS 正向浪涌电流Ifsm:700 A 反向浪涌电压Vrrm:60 V FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:490mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 60V 结电容Cj:80pF @ 5V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 工作温度:-55°C~150°C |
| 整流二极管 | VFT4045C-M3/4W | Vishay(威世) | 系列:VFT 工作温度:-40°C~150°C 正向浪涌电流Ifsm:240 A 反向浪涌电压Vrrm:45 V 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:20A 正向电压Vf:580mV@20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3mA @ 45V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | VB60120C-E3/8W | Vishay(威世) | 系列:VB 工作温度:-40°C~150°C 封装/外壳:SMD/SMT 正向浪涌电流Ifsm:300 A 反向浪涌电压Vrrm:120 V 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:120V 正向电流If:30A 正向电压Vf:950mV@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 120V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | VB40100C-E3/8W | Vishay(威世) | 系列:VB 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 100V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 正向电流If:40 A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:0.73V@20A 正向浪涌电流Ifsm:250 A |
| 整流二极管 | V8P10-M3/86A | Vishay(威世) | 系列:V FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:70µA @ 100V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 正向电流If:8 A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:0.68V 正向浪涌电流Ifsm:150 A |
| 整流二极管 | V40100C-M3/4W | Vishay(威世) | 系列:V 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 100V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 正向电流If:40 A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:0.73V 正向浪涌电流Ifsm:250 A |
| 整流二极管 | V40100C-E3/4W | Vishay(威世) | 系列:V 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA @ 100V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 正向电流If:40 A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:0.73V@20A 正向浪涌电流Ifsm:250 A |
| 整流二极管 | USB260-M3/52T | Vishay(威世) | 系列:USB 工作温度:-55°C~150°C 封装/外壳:SMD/SMT 配置:Single 正向浪涌电流Ifsm:90 A FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:45pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:30 ns 正向电流If:2 A 反向电压Vr:600V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.5V |
| 整流二极管 | US1MHE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:US FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:10pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:75 ns 正向电流If:1 A 反向电压Vr:1KV 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.7V |
| 整流二极管 | US1M-E3/61T | Vishay(威世) | 系列:US FET类型:标准 反向电压Vr:1KV 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:10µA @ 1000V 结电容Cj:10pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | US1K-E3/5AT | Vishay(威世) | 系列:US FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:10pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:75 ns 正向电流If:1 A 反向电压Vr:800V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.7V |
| 整流二极管 | US1J-E3/61T | Vishay(威世) | 系列:US FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:10µA @ 600V 结电容Cj:10pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | US1GHE3_A/I | Vishay(威世) | 系列:US FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:15pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:50 ns 正向电流If:1 A 反向电压Vr:400V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1V |
| 整流二极管 | US1B-E3/61T | Vishay(威世) | 系列:US FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:15pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:50 ns 正向电流If:1 A 反向电压Vr:100V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1V |
| 整流二极管 | UF4007-E3/54 | Vishay(威世) | 系列:uF FET类型:标准 反向电压Vr:1KV 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:10µA @ 1000V 结电容Cj:17pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | SSA34HE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:SSA FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 40V 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 正向电流If:3 A 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:490mV 正向浪涌电流Ifsm:75 A |
| 整流二极管 | SS5P4HM3_A/I | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:5A 正向电压Vf:520mV@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:250µA @ 40V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | SS5P4HM3_A/H | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:5A 正向电压Vf:520mV@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:250µA @ 40V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | SS5P10-M3/86A | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:5A 正向电压Vf:880mV@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15µA @ 100V 结电容Cj:130pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | SS5P10HM3_A/H | Vishay(威世) | 封装/外壳:SMD/SMT 正向电流If:5A 反向浪涌电压Vrrm:100V 正向电压Vf:0.649V 正向浪涌电流Ifsm:150A 配置:SingleDualAnode 反向漏电流Ir:4.5uA 系列:SS5P10 反向电压Vr:100V 工作温度:-55°C~150°C |
| 整流二极管 | SS3P4-M3/84A | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150µA @ 40V 结电容Cj:130pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 正向电流If:3A 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:0.55V 正向浪涌电流Ifsm:50 A |
| 整流二极管 | SS3H10-E3/57T | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20µA @ 100V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 正向电流If:3 A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:0.8V 正向浪涌电流Ifsm:100 A |
| 整流二极管 | SS36-E3/57T | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:3A 正向电压Vf:750mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 60V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | SS2FH10HM3/H | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 100V 结电容Cj:70pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 正向电流If:2 A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:770mV 正向浪涌电流Ifsm:50 A |
| 整流二极管 | SS26HE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:700mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:400µA @ 60V 工作温度-结:-65°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | SS26-E3/52T | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:700mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:400µA @ 60V 工作温度-结:-65°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | SS24-E3/52T | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:2A 正向电压Vf:500mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:400µA @ 40V 工作温度-结:-65°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | SS1H10-E3/61T | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:770mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1µA @ 100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | SS1FH10HM3/I | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:800mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 100V 结电容Cj:70pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | SS1FH10HM3/H | Vishay(威世) | 系列:SS 封装/外壳:SMD/SMT 配置:Single FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 100V 结电容Cj:70pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 正向电流If:1 A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:720mV 正向浪涌电流Ifsm:40 A 工作温度:-55°C~175°C |
| 整流二极管 | SS16HE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 60V 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 正向电流If:1 A 反向电压Vr:60V 正向电压Vf:750mV 正向浪涌电流Ifsm:40 A |
| 整流二极管 | SS14HE3_A/I | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:1A 正向电压Vf:500mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 40V 工作温度-结:-65°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | SS14HE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 40V 工作温度-结:-65°C ~ 125°C 正向电流If:1 A 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:500mV 正向浪涌电流Ifsm:40 A |
| 整流二极管 | SS14-E3/61T | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:1A 正向电压Vf:500mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 40V 工作温度-结:-65°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | SS10PH10HM3_A/I | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:880mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 100V 结电容Cj:270pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | SS10PH10HM3_A/H | Vishay(威世) | 系列:SS 封装/外壳:SMD/SMT 正向电流If:10A 反向浪涌电压Vrrm:100V 正向电压Vf:0.661V 正向浪涌电流Ifsm:200A 配置:SingleDualAnode 反向漏电流Ir:300nA 反向电压Vr:100V 工作温度:-55°C~175°C |
| 整流二极管 | SS10PH10HM3/86A | Vishay(威世) | 系列:SS 高度:1.2 mm (Max) 长度:4.35 mm (Max) 宽度:6.15 mm (Max) 封装/外壳:SMD/SMT 正向浪涌电流Ifsm:20 A 配置:Single Dual Anode 反向浪涌电压Vrrm:100 V FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:880mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 100V 结电容Cj:270pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 工作温度:-55°C~175°C |
| 整流二极管 | SS10P6-M3/86A | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:7A 正向电压Vf:550mV@7A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150µA @ 60V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | SS10P4HM3_A/H | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:10A 正向电压Vf:560mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:800µA @ 40V 结电容Cj:750pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | DZ2J047M0L | Panasonic(松下) | 齐纳电压Vz:4.7V 偏差:±2.5% 齐纳阻抗Zz:80 Ohms 反向漏电流Ir:2µA @ 1V 正向电压Vf:1V @ 10mA 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 封装/外壳:SMini2-F5-B 齐纳电压Vz:4.71V 功率耗散Pd:200mW |
| 整流二极管 | SF1600-TAP | Vishay(威世) | FET类型:雪崩 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 正向电流If:1 A 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:3.4V 反向电压Vr:1.6KV 宽度:3.6mm 反向恢复时间trr:75 ns 正向浪涌电流Ifsm:30 A 系列:SF1x00 配置:Single 长度:4.2mm 高度:3.6mm 工作温度:-55°C~175°C |
| 整流二极管 | SBYV26C-E3/73 | Vishay(威世) | 系列:SBY FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 正向电流If:1 A 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.3V 反向电压Vr:600V 宽度:2.7mm 反向恢复时间trr:30 ns 正向浪涌电流Ifsm:30 A 配置:Single 长度:5.2mm 高度:2.7mm 工作温度:-65°C~175°C |
| 整流二极管 | SB1H100-E3/73 | Vishay(威世) | 系列:SB FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:175°C(最大) 正向电流If:1 A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:0.86V@2A 反向漏电流Ir:1 uA 正向浪涌电流Ifsm:50 A |
| 整流二极管 | SB140-E3/73 | Vishay(威世) | 系列:SB FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 125°C 正向电流If:1 A 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:0.48V 反向漏电流Ir:500 uA 正向浪涌电流Ifsm:50 A |
| 整流二极管 | S5JHE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:S FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:40pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:2.5 us 正向电流If:5 A 反向电压Vr:600V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.15V |
| 整流二极管 | S3M-E3/57T | Vishay(威世) | 系列:S FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:60pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向电压Vr:1KV 正向电流If:3A 配置:Single 正向电压Vf:1.15V 正向浪涌电流Ifsm:100A 反向漏电流Ir:10uA 反向恢复时间trr:2.5us 高度:2.42mm 长度:7.11mm 宽度:6.22mm 工作温度:-55°C~150°C |
| 整流二极管 | S3GHE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:S FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:60pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:2.5 us 正向电流If:3 A 反向电压Vr:400V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.15V |
| 整流二极管 | S3A-E3/57T | Vishay(威世) | 系列:S FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:60pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:2.5 us 正向电流If:3 A 反向电压Vr:50V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.15V |
| 整流二极管 | S2G-E3/52T | Vishay(威世) | 系列:S FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1.15V@1.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2µs 反向漏电流Ir:1µA @ 400V 结电容Cj:16pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | S1M-E3/5AT | Vishay(威世) | 系列:S FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:12pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:1.8 us 正向电流If:1 A 反向电压Vr:1KV 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.1V |
| 整流二极管 | S1JHE3_A/I | Vishay(威世) | FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:12pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 配置:Single 正向电压Vf:1.1V 正向浪涌电流Ifsm:40A 反向漏电流Ir:1uA 反向恢复时间trr:1.8us 系列:S1x 工作温度:-55°C~150°C |
| 整流二极管 | S1JHE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:S FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:12pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:1.8 us 正向电流If:1 A 反向电压Vr:600V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:1.1V |
| 整流二极管 | S1GHE3_A/I | Vishay(威世) | 系列:S 反向恢复时间trr:1.8 us 正向电流If:1 A 反向电压Vr:400V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:1.1V |
| 整流二极管 | S1GHE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:S 反向恢复时间trr:1.8 us 正向电流If:1 A 反向电压Vr:400V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:1.1V |
| 整流二极管 | S1G-E3/61T | Vishay(威世) | 系列:S FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V@1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:1.8µs 反向漏电流Ir:1µA @ 400V 结电容Cj:12pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | RGP02-20E-E3/73 | Vishay(威世) | 系列:RGP FET类型:标准 反向电压Vr:2KV 正向电流If:500mA 正向电压Vf:1.8V@100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:300ns 反向漏电流Ir:5µA @ 2000V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | PB5010-E3/45 | Vishay(威世) | 高度:20.3 mm 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 正向浪涌电流Ifsm:450 A FET类型:单相 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向电压Vr:1KV 正向电流If:4.5 A 反向漏电流Ir:10uA 正向电压Vf:1V |
| 整流二极管 | MURS360-E3/57T | Vishay(威世) | 系列:MUR FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.25V@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:10µA @ 600V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | MURS340-E3/57T | Vishay(威世) | 系列:MUR 工作温度:-60°C~175°C 高度:2.42 mm 长度:7.11 mm 宽度:6.22 mm 封装/外壳:SMD/SMT 配置:Single 正向浪涌电流Ifsm:125 A FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:75 ns 正向电流If:4 A 反向电压Vr:400V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.28V |
| 整流二极管 | MURS160HE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:MUR FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:75 ns 正向电流If:1 A 反向电压Vr:600V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.25V |
| 整流二极管 | MURS160-E3/52T | Vishay(威世) | 系列:MUR FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:10pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 正向电流If:1 A 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.25V 反向电压Vr:600V 宽度:3.94mm 反向恢复时间trr:75 ns 正向浪涌电流Ifsm:35 A 配置:Single 长度:4.57mm 高度:2.44mm 工作温度:-65°C~175°C |
| 整流二极管 | MURS120HE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:MUR FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:25 ns 正向电流If:18 A 反向电压Vr:100V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.15V@20A |
| 整流二极管 | MSE1PJHM3/89A | Vishay(威世) | 系列:MSE 工作温度:-55°C~175°C 高度:0.73 mm 长度:2.3 mm 宽度:1.4 mm 封装/外壳:SMD/SMT 配置:Single 正向浪涌电流Ifsm:18 A FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V@1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:780ns 反向漏电流Ir:1µA @ 600V 结电容Cj:5pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | MSE1PDHM3/89A | Vishay(威世) | 系列:MSE FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:5pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:960 ns 正向电流If:1 A 反向电压Vr:200V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:1V |
| 整流二极管 | LS4448GS08 | Vishay(威世) | FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:4pF @ 0V,1MHz 工作温度-结:175°C(最大) 正向电流If:0.15 A 反向电压Vr:100V 反向恢复时间trr:8 ns 反向漏电流Ir:50 uA 正向电压Vf:1V |
| 整流二极管 | LL101C-GS08 | Vishay(威世) | 系列:LL FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:30mA(DC) 正向电压Vf:390mV@1mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:1ns 反向漏电流Ir:200nA @ 30V 结电容Cj:2.2pF @ 0V,1MHz 工作温度-结:125°C(最大) |
| 整流二极管 | KBP10M-E4/51 | Vishay(威世) | 系列:KBP 反向电压Vr:1KV 正向电流If:1.5A |
| 整流二极管 | GSIB2580-E3/45 | Vishay(威世) | 系列:GSIB 高度:20 mm 长度:30 mm 宽度:4.6 mm 正向浪涌电流Ifsm:350 A FET类型:单相 正向电压Vf:1V@12.5A 反向漏电流Ir:10µA @ 800V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向电压Vr:800V 正向电流If:3.5A |
| 整流二极管 | GSIB1580N-M3/45 | Vishay(威世) | 系列:GSIB FET类型:单相 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向电压Vr:800V Vwm(V):800V 正向电流If:15A 正向电压Vf:950mV@7.5A 反向漏电流Ir:10µA @ 800V |
| 整流二极管 | GL41M-E3/96 | Vishay(威世) | 系列:GL FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:8pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 正向电流If:1 A 反向电压Vr:1KV 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.2V |
| 整流二极管 | GL34GHE3/98 | Vishay(威世) | 系列:GL 反向恢复时间trr:1.5 us 正向电流If:500 mA 反向电压Vr:400V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.2V |
| 整流二极管 | GF1J-E3/67A | Vishay(威世) | 系列:GF FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:2 us 正向电流If:1 A 反向电压Vr:600V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.1V |
| 整流二极管 | GBPC3508W-E4/51 | Vishay(威世) | 系列:GBPC FET类型:单相 正向电压Vf:1.1V@17.5A 反向漏电流Ir:5µA @ 800V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向电压Vr:800V 正向电流If:35A |
| 整流二极管 | GBPC1210W-E4/51 | Vishay(威世) | 系列:GBPC 高度:7.62 mm 宽度:28.8 mm 正向浪涌电流Ifsm:200 A FET类型:单相 反向电压Vr:1KV 正向电流If:12A 正向电压Vf:1.1V@6A 反向漏电流Ir:5µA @ 1000V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) |
| 整流二极管 | ES3D-E3/57T | Vishay(威世) | 系列:ES FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:3A 正向电压Vf:900mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:10µA @ 200V 结电容Cj:45pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | ES3BHE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:ES FET类型:标准 正向电压Vf:900mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 100V 结电容Cj:45pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:20ns 正向电流If:3.0A 反向电压Vr:100V |
| 整流二极管 | ES2GHE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:ES FET类型:标准 正向电压Vf:1.1V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 50V 结电容Cj:15pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:35ns 正向电流If:2A 反向电压Vr:400V |
| 整流二极管 | ES2GHE3/52T | Vishay(威世) | 系列:ES FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.1V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:10µA @ 400V 结电容Cj:15pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |