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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 整流二极管 | GSIB2080-E3/45 | Vishay(威世) | FET类型:单相 正向电压Vf:1V@10A 反向漏电流Ir:10uA@800V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:4-SIP,GSIB-5S 封装/外壳:GSIB-5S 反向电压Vr:800V 正向电流If:3.5A |
| 整流二极管 | DL4741A-TP | MICRO COMMERCIAL | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:8 Ohms 反向漏电流Ir:5uA@8.4V 正向电压Vf:1.2V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB,MELF 封装/外壳:MELF 齐纳电压Vz:11V 功率耗散Pd:1W |
| 整流二极管 | BZX84C33-TP | MICRO COMMERCIAL | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:80 Ohms 反向漏电流Ir:100nA@23.1V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:33V 功率耗散Pd:350mW |
| 整流二极管 | SMLJ60S05-TP | MICRO COMMERCIAL | FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:6A 正向电压Vf:1V@6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5uA@50V 结电容Cj:150pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AB,(SMC) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | RS404GL-BP | MICRO COMMERCIAL | FET类型:单相 正向电压Vf:1.1V@4A 反向漏电流Ir:5uA@400V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:RS-4L 反向电压Vr:400V 正向电流If:4A |
| 整流二极管 | MMBD4148TW-TP | MICRO COMMERCIAL | 配置:3 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:150mA(DC) 正向电压Vf:1.25V@150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:1uA@75V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-363 |
| 整流二极管 | GLL4739A-E3/96 | Vishay(威世) | 齐纳电压Vz:9.1V 偏差:±5% 功率耗散Pd:1W 齐纳阻抗Zz:5 Ohms 反向漏电流Ir:10uA@7V 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:MELF DO-213AB 封装/外壳:DO-213AB-2 齐纳电压Vz:9.1 V 功率耗散Pd:1 W 稳压电流Izt:500 mA |
| 整流二极管 | GI250-4-E3/54 | Vishay(威世) | 系列:SUPERECTIFIER® FET类型:标准 反向电压Vr:4000V 正向电流If:250mA 正向电压Vf:3.5V@250mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2µs 反向漏电流Ir:5uA@4000V 结电容Cj:3pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-41 反向恢复时间trr:2 us 正向电流If:0.25 A 反向电压Vr:4 KV 反向漏电流Ir:5uA 正向电压Vf:3.5V |
| 整流二极管 | BZX584C4V7-V-G-08 | Vishay(威世) | 齐纳电压Vz:4.7V 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:80 Ohms 反向漏电流Ir:3uA@2V 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SOD-523 齐纳电压Vz:2.4V-51V 功率耗散Pd:200mW 稳压电流Izt:2-5mA |
| 整流二极管 | BZX85C22-TAP | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:22V 偏差:±5% 功率耗散Pd:1.3W 齐纳阻抗Zz:25 Ohms 反向漏电流Ir:500nA@16V 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:22.05 V 功率耗散Pd:1.3 W 稳压电流Izt:52 mA |
| 整流二极管 | GL41A-E3/97 | Vishay(威世) | 系列:SUPERECTIFIER® FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V@1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10uA@50V 结电容Cj:8pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-213AB 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB-2 正向电流If:1 A 反向电压Vr:50 V 反向漏电流Ir:10uA 正向电压Vf:1.1V |
| 整流二极管 | BZX85C30-TR | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:30V 偏差:±5% 功率耗散Pd:1.3W 齐纳阻抗Zz:30 Ohms 反向漏电流Ir:500nA@22V 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:30 V 功率耗散Pd:1.3 W 稳压电流Izt:36 mA |
| 整流二极管 | S5PMS-M3/86A | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:1KV 正向电流If:1.8A(DC) 正向电压Vf:940mV@2.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2.5µs 反向漏电流Ir:10uA@1000V 结电容Cj:40pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SMPC (TO-277A) |
| 整流二极管 | STTH8R06D | ST(意法半导体) | 反向漏电流Ir:30uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:8A 正向电压Vf:2.9V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns |
| 整流二极管 | STTH4R02S | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.05V@4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH31AC06SPF | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:30A 正向电压Vf:2V@30A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:65ns 反向漏电流Ir:10uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH30AC06FP | ST(意法半导体) | FET类型:标准 正向电压Vf:1.95V 正向电流If:30A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:20uA 反向电压Vr:600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH30AC06CPF | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.95V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:55ns 反向漏电流Ir:10uA@600V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STTH2L06A | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.3V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:85ns 反向漏电流Ir:2uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH2003CFP | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.25V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:20uA@300V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH2002CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.1V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:27ns 反向漏电流Ir:10uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH1R06U | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:1uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH1R06RL | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:1uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH1R06A | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:1uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH1L06A | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:80ns 反向漏电流Ir:1uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH1602CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.1V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:26ns 反向漏电流Ir:6uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH112A | ST(意法半导体) | FET类型:标准 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.9V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:5uA@1200V 工作温度-结:175°C(最大) 反向电压Vr:1.2KV |
| 整流二极管 | STTH110A | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:1KV 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:10uA@1000V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH102RL | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:970mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:1uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS3H100UF | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:3A 正向电压Vf:840mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS3H100U | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:3A 正向电压Vf:840mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS3150U | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:3A 正向电压Vf:820mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:2uA@150V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS30H100CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:15A 正向电压Vf:800mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5uA@100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STPS3045CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:570mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@45V 工作温度-结:200°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS30150CT | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:175°C(最大) 正向电压Vf:1V 正向电流If:30 A 配置:Dual Common Cathode 反向电压Vr:150V 工作温度:0°C~175°C 反向漏电流Ir:6.5uA 正向浪涌电流Ifsm:220 A |
| 整流二极管 | STPS2L60A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:600mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@60V 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS2H100U | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:2A 正向电压Vf:790mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS2H100A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:2A 正向电压Vf:790mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS20150CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:10A 正向电压Vf:920mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5uA@150V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS1L30A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:1A 正向电压Vf:395mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@30V 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS1H100AY | ST(意法半导体) | 系列:Q 汽车级 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:770mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4uA@100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STPS1H100A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:770mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | VB40150C-E3/8W | Vishay(威世) | 系列:TMBS® 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:20A 正向电压Vf:1.43V@20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:250uA@150V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-263AB 封装/外壳:D2PAK (TO-263AB) 正向电流If:40 A 反向电压Vr:150 V 正向电压Vf:1.43Vat20A 正向浪涌电流Ifsm:160 A |
| 整流二极管 | STPS160U | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:670mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4uA@60V 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS0520Z | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:385mV@500mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150uA@20V 工作温度-结:125°C(最大) |
| 整流二极管 | BAT60JFILM | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:10V 正向电流If:3A(DC) 正向电压Vf:580mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:6uA@10V 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BAT54SFILM | ST(意法半导体) | 配置:1 对串联 FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:300mA(DC) 正向电压Vf:900mV@100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:1uA@30V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | BAT54JFILM | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:300mA(DC) 正向电压Vf:900mV@100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:1uA@30V 结电容Cj:10pF @ 1V,1MHz 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | BAT46JFILM | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:150mA(DC) 正向电压Vf:450mV@10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:5uA@75V 结电容Cj:10pF @ 0V,1MHz 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BAT41KFILM | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:1V@200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:100nA@50V 结电容Cj:10pF @ 1V,1MHz 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BAT20JFILM | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:23V 正向电流If:1A 正向电压Vf:620mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:12uA@15V 结电容Cj:30pF @ 5V,1MHz 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | DD500S65K3 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:A-IHV130-6 配置:Diodes 长度:130.0mm 正向电流If:500.0A 宽度:140.0mm 正向电压Vf:3V |
| 整流二极管 | STTH8R06D | ST(意法半导体) | 反向漏电流Ir:30uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:8A 正向电压Vf:2.9V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns |
| 整流二极管 | STTH4R02S | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.05V@4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH31AC06SPF | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:30A 正向电压Vf:2V@30A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:65ns 反向漏电流Ir:10uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH30AC06FP | ST(意法半导体) | FET类型:标准 正向电压Vf:1.95V 正向电流If:30A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:20uA 反向电压Vr:600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH30AC06CPF | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.95V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:55ns 反向漏电流Ir:10uA@600V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STTH2L06A | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.3V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:85ns 反向漏电流Ir:2uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH2003CFP | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.25V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:20uA@300V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH2002CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.1V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:27ns 反向漏电流Ir:10uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH1R06U | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:1uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH1R06RL | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:1uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH1R06A | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:1uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH1L06A | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:80ns 反向漏电流Ir:1uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH1602CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.1V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:26ns 反向漏电流Ir:6uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH112A | ST(意法半导体) | FET类型:标准 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.9V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:5uA@1200V 工作温度-结:175°C(最大) 反向电压Vr:1.2KV |
| 整流二极管 | STTH110A | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:1KV 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:10uA@1000V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STTH102RL | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:970mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:1uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS3H100UF | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:3A 正向电压Vf:840mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS3H100U | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:3A 正向电压Vf:840mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS3150U | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:3A 正向电压Vf:820mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:2uA@150V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS30H100CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:15A 正向电压Vf:800mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5uA@100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STPS3045CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:570mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@45V 工作温度-结:200°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS30150CT | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:175°C(最大) 正向电压Vf:1V 正向电流If:30 A 配置:Dual Common Cathode 反向电压Vr:150V 工作温度:0°C~175°C 反向漏电流Ir:6.5uA 正向浪涌电流Ifsm:220 A |
| 整流二极管 | STPS2L60A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:600mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@60V 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS2H100U | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:2A 正向电压Vf:790mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS2H100A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:2A 正向电压Vf:790mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS20150CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:10A 正向电压Vf:920mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5uA@150V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS1L30A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:1A 正向电压Vf:395mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@30V 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS1H100AY | ST(意法半导体) | 系列:Q 汽车级 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:770mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4uA@100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STPS1H100A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:770mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS160U | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:670mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4uA@60V 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS0520Z | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:385mV@500mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150uA@20V 工作温度-结:125°C(最大) |
| 整流二极管 | BZX55C36-TAP | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:36V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:80 Ohms 反向漏电流Ir:100nA@27V 正向电压Vf:1.5V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-35 封装/外壳:DO-35-2 齐纳电压Vz:36 V 功率耗散Pd:500 mW |
| 整流二极管 | DD250S65K3 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:A-IHV130-6 配置:Diodes 正向电流If:250.0A 长度:130.0 mm 宽度:140.0mm 正向电压Vf:3V |
| 整流二极管 | DD1200S45KL3_B5 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:A-IHV130-4 配置:Diodes 正向电流If:1200.0A 长度:130.0 mm 宽度:140.0mm 正向电压Vf:2.5V |
| 整流二极管 | DD750S65K3 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:A-IHV130-6 配置:Diodes 长度:130.0mm 正向电流If:750.0A 宽度:140.0mm 正向电压Vf:3V |
| 整流二极管 | BAT60JFILM | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:10V 正向电流If:3A(DC) 正向电压Vf:580mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:6uA@10V 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BAT54SFILM | ST(意法半导体) | 配置:1 对串联 FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:300mA(DC) 正向电压Vf:900mV@100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:1uA@30V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | BAT54JFILM | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:300mA(DC) 正向电压Vf:900mV@100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:1uA@30V 结电容Cj:10pF @ 1V,1MHz 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | BAT46JFILM | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:150mA(DC) 正向电压Vf:450mV@10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:5uA@75V 结电容Cj:10pF @ 0V,1MHz 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BAT41KFILM | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:1V@200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:100nA@50V 结电容Cj:10pF @ 1V,1MHz 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BAT20JFILM | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:23V 正向电流If:1A 正向电压Vf:620mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:12uA@15V 结电容Cj:30pF @ 5V,1MHz 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | DD1200S12H4 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:AG-IHMB130-2 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:1.2KV 正向电压Vf:2.35V@1200A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:475A@600V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | SBR20100CTE-G | Diodes(达尔（美台）) | |
| 整流二极管 | B0530WSQ-7-F | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:450mV@500mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@30V 结电容Cj:58pF @ 0V,1MHz 工作温度-结:-40°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | GP02-25-E3/54 | Vishay(威世) | 系列:SUPERECTIFIER® FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:2000 ns 正向电流If:0.25 A 反向电压Vr:2.5KV 反向漏电流Ir:5uA 正向电压Vf:3V |
| 整流二极管 | IDW40E65D2 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 系列:IDW40E65 配置:Single 最大反向恢复电流Irrm:2.9 A Voltage Class max:650.0 V 结壳热阻RthJC:0.84K/W 反向恢复时间trr:75.0 ns 正向电流If:40.0A (80.0A) 反向漏电流Ir:40.0uA Qrr:0.13µC 正向浪涌电流Ifsm:320.0 A 正向电压Vf:1.6V@1.6V |
| 整流二极管 | TLZ15B-GS08 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 工作温度:-65°C~175°C 反向漏电流Ir:40nA 功率耗散Pd:500 mW 正向电压Vf:1.5V 齐纳电压Vz:15V 齐纳阻抗Zz:16 Ohms 测试电流It(mA):10 mA 直径:1.6mm 配置:Single 长度:3.7mm 稳压电流Izt:40 nA |
| 整流二极管 | VS-EPU6006-N3 | Vishay(威世) | FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 正向电流If:60 A 反向漏电流Ir:30uA 正向电压Vf:1.4V 反向电压Vr:600V 宽度:5.31mm 反向恢复时间trr:30 ns 正向浪涌电流Ifsm:220 A 系列:FRED Pt 配置:Single Anode Common Dual Cathode 长度:15.87mm 高度:20.7mm 工作温度:-65°C~175°C |