IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 整流二极管 | RS1BHE3_A/I | 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:1.3V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:DO-214AC 反向恢复时间Trr:150ns 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | STPS20M60CG-TR | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:10A 正向电压Vf:570mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:65uA@60V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:D²PAK | |
| 整流二极管 | BYG22AHE3_A/I | 反向电压Vr:50V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:1uA 封装/外壳:DO-214AC 反向恢复时间Trr:25ns 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:2A | |
| 整流二极管 | VS-6TQ040SPBF | 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:600mV 反向漏电流Ir:800uA 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:6A | |
| 整流二极管 | VS-VSKC270-12PBF | 反向电压Vr:1200V 反向漏电流Ir:50mA 封装/外壳:INT-A-PAK 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:135A | |
| 整流二极管 | SZMMSZ4688T3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 反向漏电流Ir:10uA@3V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:4.7V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | SZMMSZ4682T1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 反向漏电流Ir:1uA@1V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:2.7V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | SZMMSZ3V0T1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:95 Ohms 反向漏电流Ir:10uA@1V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:3V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | SZMMBZ5252BLT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 功率耗散Pd:225mW 齐纳阻抗Zz:33 Ohms 反向漏电流Ir:100nA@18V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:24V 功率耗散Pd:300mW | |
| 整流二极管 | SZMM5Z5V1ST1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:5.1V 偏差:±2% 功率耗散Pd:300mW 齐纳阻抗Zz:60 Ohms 反向漏电流Ir:2uA@2V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SOD-523 齐纳电压Vz:5.09V 功率耗散Pd:200mW | |
| 整流二极管 | SZMM5Z15VT1G | 齐纳阻抗Zz:30 Ohms 反向漏电流Ir:50nA@10.5V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SOD-523 齐纳电压Vz:15V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | SZMM3Z15VT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 功率耗散Pd:300mW 齐纳阻抗Zz:30 Ohms 反向漏电流Ir:50nA@10.5V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-76,SOD-323 封装/外壳:SOD-323 齐纳电压Vz:15V 功率耗散Pd:200mW | |
| 整流二极管 | SZMM3Z13VST1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:13V 齐纳阻抗Zz:30 Ohms 反向漏电流Ir:100nA@8V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-76,SOD-323 封装/外壳:SOD-323 齐纳电压Vz:13.2V 功率耗散Pd:300mW | |
| 整流二极管 | SZMM3Z3V3T1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 功率耗散Pd:300mW 齐纳阻抗Zz:95 Ohms 反向漏电流Ir:5uA@1V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-76,SOD-323 封装/外壳:SOD-323 齐纳电压Vz:3.3V 功率耗散Pd:200mW | |
| 整流二极管 | SZMM3Z3V0T1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 功率耗散Pd:300mW 齐纳阻抗Zz:100 Ohms 反向漏电流Ir:10uA@1V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SC-76,SOD-323 封装/外壳:SOD-323 齐纳电压Vz:3V 功率耗散Pd:200mW | |
| 整流二极管 | SZBZX84B18LT1G | 功率耗散Pd:225mW 齐纳阻抗Zz:45 Ohms 反向漏电流Ir:50nA@12.6V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:18V 功率耗散Pd:300mW | |
| 整流二极管 | VS-8TQ080STRLPBF | 反向电压Vr:80V 正向电压Vf:720mV 反向漏电流Ir:550uA 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:8A | |
| 整流二极管 | SS2003M-TL-W | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:400mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:1.25mA@15V 结电容Cj:75pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:6-MCPH 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管 | VS-12TQ040STRLPBF | 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:560mV 反向漏电流Ir:1.75mA 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:15A | |
| 整流二极管 | SBAT54CLT1G | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:800mV@100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:2uA@25V 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 整流二极管 | SB2003M-TL-W | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:500mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:30uA@15V 结电容Cj:75pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:6-MCPH 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管 | NTST60100CTG | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 正向电流If:30A 正向电压Vf:840mV@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1A@8100V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:800/50 正向电流If:60A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:0.81V | |
| 整流二极管 | NTS245SFT1G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:2A 正向电压Vf:630mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:120uA@45V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-65°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | NTS10100EMFST1G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:720mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@100V 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | NSVR0340HT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:250mA(DC) 正向电压Vf:590mV@200mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:6uA@40V 结电容Cj:6pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | NSVR0320MW2T1G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:1A(DC) 正向电压Vf:500mV@900mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@15V 结电容Cj:29pF @ 5V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管 | NSVBAT54HT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:800mV@100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:2uA@25V 结电容Cj:10pF @ 1V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | NSVBAS21M3T5G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:标准 反向电压Vr:250V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:1.25V@200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:100nA@200V 结电容Cj:5pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOT-723 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | NSR02L30NXT5G | FET类型:肖特基 正向电流If:200mA 正向电压Vf:550mV@200mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@30V 封装/外壳:2-DSN(0.60x0.30) 工作温度-结:125°C(最大) 封装/外壳:DSN-2 正向电流If:0.2A 反向电压Vr:30V 正向电压Vf:0.4V 反向漏电流Ir:0.2uA | |
| 整流二极管 | NSR02F30NXT5G | FET类型:肖特基 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:550mV@200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:50uA@30V 结电容Cj:7pF @ 5V,1MHz 封装/外壳:2-DSN(0.60x0.30) 工作温度-结:125°C(最大) 封装/外壳:DSN-2 正向电流If:0.2A 反向电压Vr:30V 正向电压Vf:0.37V 反向漏电流Ir:7uA | |
| 整流二极管 | NRVTS260ESFT3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:650mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:12uA@60V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | NRVTS245ESFT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:2A 正向电压Vf:650mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:75uA@45V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | NRVTS12120MFST3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:120V 正向电流If:12A 正向电压Vf:830mV@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:75uA@120V 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | RGP10KE-M3/54 | 反向电压Vr:800V 正向电压Vf:1.3V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:DO-41 反向恢复时间Trr:250ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | NRVTS1045EMFST3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:600mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@45V 结电容Cj:300pF @ 45V,1MHz 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | NRVHP220SFT3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.05V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:500nA@200V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | NRVB560MFST3G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:5A 正向电压Vf:780mV@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150uA@60V 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | NRVB140SFT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:1A 正向电压Vf:550mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@40V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管 | NRVA4007T3G | 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:30A 反向峰值电压Vrrm:1000V 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:10uA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 整流二极管 | BAV20-TAP | 封装/外壳:DO-35 正向浪涌电流Ifsm:1A 反向峰值电压Vrrm:200V 反向电压Vr:150V 正向电流If:250mA 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:0.1uA 反向恢复时间Trr:50ns 工作温度:-65℃~175℃ 结电容Cj:1.5pF@0V,1MHz | |
| 整流二极管 | IMBD4148-G3-18 | 反向电压Vr:75V 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:2.5uA 封装/外壳:SOT-23 反向恢复时间Trr:4ns 工作温度:150℃(最大) 正向电流If:150mA | |
| 整流二极管 | 10CWH02FN-M3 | 系列:FRED Pt® 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.15V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:23ns 反向漏电流Ir:40uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D-PAK(TO-252AA) | |
| 整流二极管 | JANTX1N4107UR-1 | 反向漏电流Ir:50nA@9.86V 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 封装/外壳:MELF 齐纳电压Vz:13V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | MURHD560T4G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:5A 正向电压Vf:2.7V@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:10uA@600V 封装/外壳:DPAK 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | MBRAF440T3G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:4A 正向电压Vf:485mV@4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:300uA@40V 封装/外壳:SMA-FL 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | VS-50WQ04FNTRL-M3 | 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:510mV 反向漏电流Ir:3mA 封装/外壳:TO-252AA 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:5.5A | |
| 整流二极管 | VSB3200-M3/54 | 反向电压Vr:200V 正向电压Vf:1.2V 反向漏电流Ir:60uA 封装/外壳:DO-201AD 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:3A | |
| 整流二极管 | D8320N06TVFXPSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):795mV @ 4000A 不同Vr时电流-反向泄漏:100mA @ 600V 二极管类型:标准 封装/外壳:DO-200AD 工作温度-结:-25°C ~ 150°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):600V 电流-平均整流(Io):8320A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | SS5P3-E3/87A | 反向电压Vr:30V 正向电压Vf:520mV 反向漏电流Ir:250uA 封装/外壳:TO-277A 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:5A | |
| 整流二极管 | JANTX1N4148UR-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/116 FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1.2V@50mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:500nA@75V 封装/外壳:DO-213AA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | 1N3016B-1 | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:3.5 Ohms 反向漏电流Ir:150uA@5.2V 正向电压Vf:1.2V@200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:6.8V 功率耗散Pd:1W | |
| 整流二极管 | BR1005-BP | FET类型:单相 正向电压Vf:1.1V@5A 反向漏电流Ir:10uA@50V 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:4-方形,PB-6 封装/外壳:PB-6 反向电压Vr:50V 正向电流If:10A | |
| 整流二极管 | BZT52B11-E3-08 | 封装/外壳:SOD-123 容差:±2% 齐纳电压Vz:11V 齐纳阻抗Zzt:6 Ohms 功率:410mW 反向漏电流Ir:100nA @ 8.5V 工作温度:-55℃`150℃ | |
| 整流二极管 | PMEG1201AESFYL | ||
| 整流二极管 | BAV74,235 | 封装/外壳:SOT-23 正向浪涌电流Ifsm:4A 反向峰值电压Vrrm:60V 反向电压Vr:50V 正向电流If:215mA 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:100nA 反向恢复时间Trr:4ns 工作温度:-65℃~150℃ 结电容Cj:1.5pF 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 正向重复峰值电流Ifrm:450A | |
| 整流二极管 | BAV21,113 | 封装/外壳:DO-35 正向浪涌电流Ifsm:9A 反向峰值电压Vrrm:250V 反向电压Vr:200V 正向电流If:250mA 正向电压Vf:1.25V 反向漏电流Ir:100nA 反向恢复时间Trr:50ns 工作温度:-65℃~175℃ 结电容Cj:5pF 尺寸:4.25 x 1.85 正向重复峰值电流Ifrm:625A | |
| 整流二极管 | BAV20,113 | 封装/外壳:DO-35 正向浪涌电流Ifsm:9A 反向峰值电压Vrrm:200V 反向电压Vr:150V 正向电流If:250mA 正向电压Vf:1.25V 反向漏电流Ir:100nA 反向恢复时间Trr:50ns 工作温度:-65℃~175℃ 结电容Cj:5pF 尺寸:4.25 x 1.85 正向重复峰值电流Ifrm:625A | |
| 整流二极管 | 1N4531,113 | 封装/外壳:SOD-68 正向浪涌电流Ifsm:4A 反向峰值电压Vrrm:75V 反向电压Vr:75V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:25nA 反向恢复时间Trr:4ns 工作温度:-65℃~200℃ 结电容Cj:4pF 尺寸:3.04 x 1.6 正向重复峰值电流Ifrm:450A | |
| 整流二极管 | VS-HFA280NJ60CPBF | 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:2.1V 反向漏电流Ir:8uA 封装/外壳:TO-244AB 反向恢复时间Trr:39ns 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:280A | |
| 整流二极管 | RB551SS-30T2R | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 封装/外壳:1608 工作温度-结:125°C(最大) 正向电流If:500 mA 正向浪涌电流Ifsm:5 A 反向漏电流Ir:100uA 正向电压Vf:0.47V 反向浪涌电压Vrrm:30 V | |
| 整流二极管 | S1BHE3_A/I | 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:1uA 封装/外壳:DO-214AC 反向恢复时间Trr:1.8us 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | RGP10MHM3/54 | 反向电压Vr:1000V 正向电压Vf:1.3V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:DO-41 反向恢复时间Trr:250ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | LS4151GS08 | 反向电压Vr:50V 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:50nA 封装/外壳:SOD-80 反向恢复时间Trr:4ns 工作温度:175℃(最大) 正向电流If:300mA | |
| 整流二极管 | 225CMQ015 | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:15V 正向电流If:110A 正向电压Vf:380mV@110A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:40mA@15V 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:PRM4(隔离式) | |
| 整流二极管 | VS-VSKC320-08PBF | 反向电压Vr:800V 反向漏电流Ir:50mA 封装/外壳:INT-A-PAK 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:40A | |
| 整流二极管 | FERD30M45CG-TR | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:470mV@15A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:600uA@45V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D²PAK | |
| 整流二极管 | MMBV3401LT1G | FET类型:PIN - 单 反向电压Vr:35V 结电容Cj:1pF @ 20V,1MHz 不同If，F时的电阻:700 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散Pd:200mW 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) | |
| 整流二极管 | VS-12F60M | 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:1.26V 封装/外壳:DO-4 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:12A | |
| 整流二极管 | 1N6621US | FET类型:标准 反向电压Vr:440V 正向电流If:1.2A 正向电压Vf:1.4V@1.2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:500nA@440V 结电容Cj:10pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:A-MELF 工作温度-结:-65°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | 1N2982B | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:4 Ohms 反向漏电流Ir:10uA@13.7V 正向电压Vf:1.5V@2A 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-213AA 封装/外壳:DO-4 齐纳电压Vz:18V 功率耗散Pd:10W | |
| 整流二极管 | HFA15TB60S | 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:1.7V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:TO-263AB 反向恢复时间Trr:60ns 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:15A | |
| 整流二极管 | HFA15PB60 | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.7V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:10uA@600V 封装/外壳:TO-247-2 封装/外壳:TO-247AC 改进型 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | HFA08TB120STRL | 反向电压Vr:1200V 正向电压Vf:3.3V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:TO-263AB 反向恢复时间Trr:95ns 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:8A | |
| 整流二极管 | HFA08TB120S | 反向电压Vr:1200V 正向电压Vf:3.3V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:TO-263AB 反向恢复时间Trr:95ns 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:8A | |
| 整流二极管 | HFA06PB120 | 反向电压Vr:1200V 正向电压Vf:3V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:TO-247AC 反向恢复时间Trr:80ns 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:6A | |
| 整流二极管 | JANTXV1N5811US | 系列:军用,MIL-PRF-19500/477 FET类型:标准 反向电压Vr:150V 正向电流If:3A 正向电压Vf:875mV@4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:5uA@150V 结电容Cj:60pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:B,SQ-MELF 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | JANTXV1N750A-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:15 Ohms 反向漏电流Ir:5uA@1.5V 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:4.7V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | JANTXV1N5551US | 正向电流If:3A 封装/外壳:D-5B 系列:军用,MIL-PRF-19500/420 FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.2V@9A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2µs 反向漏电流Ir:1uA@400V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | JANTXV1N4626UR-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 反向漏电流Ir:10uA@4V 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:1.4K Ohms 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 封装/外壳:MELF 齐纳电压Vz:5.6V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | JANTXV1N4626DUR-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 偏差:±1% 齐纳阻抗Zz:1.4K Ohms 反向漏电流Ir:5uA@4V 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 封装/外壳:MELF 齐纳电压Vz:5.6V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | GPP100MS-E3/54 | 反向电压Vr:1000V 正向电压Vf:1.05V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:P600 反向恢复时间Trr:5.5us 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:10A | |
| 整流二极管 | GP30GHE3/54 | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:DO-201AD 反向恢复时间Trr:5us 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:3A | |
| 整流二极管 | JANTXV1N4573A-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/452 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:100 Ohms 反向漏电流Ir:2uA@3V 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-35(DO-204AH) 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:6.4V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | JANTXV1N4471US | 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:11 Ohms 反向漏电流Ir:50nA@14.4V 正向电压Vf:1.5V@1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:D-5A 封装/外壳:A-MELF 齐纳电压Vz:18V 功率耗散Pd:1.5W | |
| 整流二极管 | JANTXV1N4469US | 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:9 Ohms 反向漏电流Ir:50nA@12V 正向电压Vf:1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:D-5A 封装/外壳:SMD 齐纳电压Vz:15V 功率耗散Pd:1.5W | |
| 整流二极管 | JANTXV1N4465US | 系列:军用,MIL-PRF-19500/406 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:5 Ohms 反向漏电流Ir:300nA@8V 正向电压Vf:1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:D-5A 封装/外壳:SMD 齐纳电压Vz:10V 功率耗散Pd:1.5W | |
| 整流二极管 | JANTXV1N4150UR-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/231 FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:1V@200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:100nA@50V 封装/外壳:DO-213AA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | JANTXV1N4150-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/231 FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1V@200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:100nA@50V 封装/外壳:DO-35 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | JANTXV1N4105UR-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 反向漏电流Ir:50nA@8.44V 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 封装/外壳:MELF 齐纳电压Vz:11V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | JANTXV1N4101CUR-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 偏差:±2% 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 反向漏电流Ir:500nA@6.3V 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 封装/外壳:MELF 齐纳电压Vz:8.2V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | SS5P5-E3/86A | 反向电压Vr:50V 正向电压Vf:690mV 反向漏电流Ir:150uA 封装/外壳:TO-277A 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:5A | |
| 整流二极管 | JANTXV1N3595AUR-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/241 FET类型:标准 反向电压Vr:125V 正向电流If:150mA 正向电压Vf:920mV@100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:3µs 反向漏电流Ir:2nA@125V 封装/外壳:DO-213AA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | JANTXV1N3595-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/241 FET类型:标准 反向电压Vr:125V 正向电流If:150mA(DC) 正向电压Vf:1V@200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:3µs 反向漏电流Ir:1nA@125V 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | VS-80PFR140 | 反向电压Vr:1400V 正向电压Vf:1.46V 封装/外壳:DO-203AB(DO-5) 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:80A | |
| 整流二极管 | BYG10Y-M3/TR | 反向电压Vr:1600V 正向电压Vf:1.15V 反向漏电流Ir:1uA 封装/外壳:DO-214AC 反向恢复时间Trr:4us 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:1.5A | |
| 整流二极管 | JANTX1N974B-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:70 Ohms 反向漏电流Ir:500nA@27V 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-35(DO-204AH) 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:36V | |
| 整流二极管 | JANTX1N975B-1 | 齐纳阻抗Zz:80 Ohms 封装/外壳:DO-35(DO-204AH) 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 反向漏电流Ir:500nA@30V 工作温度:-65°C ~ 175°C 齐纳电压Vz:39V 功率耗散Pd:400mW | |
| 整流二极管 | JANTX1N970B-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:33 Ohms 反向漏电流Ir:500nA@18V 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-35(DO-204AH) 齐纳电压Vz:24V | |
| 整流二极管 | JANTX1N968B-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/117 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:25 Ohms 反向漏电流Ir:500nA@15V 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-35(DO-204AH) 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:20V | |
| 整流二极管 | JANTX1N967B-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:21 Ohms 反向漏电流Ir:500nA@14V 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-35(DO-204AH) 齐纳电压Vz:18V |