IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率MOSFET | IRFS7530TRL7PP | Infineon(英飞凌) | 系列:HEXFET®,StrongIRFET™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:354nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:12960pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4mΩ@100A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:338A |
| 通用三极管 | FZT605TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:10µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A,5V Power-Max:2W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:120V |
| 功率MOSFET | IRF640NPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:67nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1160pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:18A 漏源极电压Vds:200V 封装/外壳:TO-220AB |
| 功率MOSFET | BSC016N06NS | Infineon(英飞凌) | 漏源极电压Vds:60V 通道数量:1Channel 连续漏极电流Id:100A Rds On(Max)@Id,Vgs:1.6mΩ 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:71nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):139W 高度:1.27mm 长度:5.9mm 系列:OptiMOS5 FET类型:N-Channel 宽度:5.15mm 正向跨导 - 最小值:70S 下降时间:9ns 典型关闭延迟时间:35ns 典型接通延迟时间:19ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用三极管 | FMMT491TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA,5V Power-Max:500mW 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 功率MOSFET | SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.4W 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ |
| 功率MOSFET | IRLR8729TRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):55W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.9mΩ@25A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:58A |
| 通用MOSFET | BSR315P H6327 | Infineon(英飞凌) | |
| 通用三极管 | LBC846BWT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V 电流放大倍数最小值hFE_Min:200 电流放大倍数最大值hFE_Max:450 封装/外壳:SC-70 Ic(mA):100 VCEO(V):65 hFEMin/Max:200/450 Ft(MHz):100 FET类型:NPN |
| 通用三极管 | LBC847BWT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 电流放大倍数最小值hFE_Min:200 电流放大倍数最大值hFE_Max:450 封装/外壳:SC-70 Ic(mA):100 VCEO(V):45 hFEMin/Max:200/450 Ft(MHz):100 FET类型:NPN |
| 功率MOSFET | VIC1234DQ | VIC(微科) | 封装/外壳:SO-8 Pd-功率耗散(Max):2W |
| TVS晶闸管/半导体放电管 | P0080SC-LV | SEMIWARE(赛米微尔) | 封装/外壳:SMB Ih[min](mA):50 Idrm[max](uA):5 Cj[Typ](pF):80 Ipp-10x1000us(A):100 Is[max](V):800 Tj[max](°C):150 Vt[max](V):4 Vdrm[min](V):6 Vs[max](V):25 |
| 通用三极管 | LBC857BTT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 电流放大倍数最小值hFE_Min:220 电流放大倍数最大值hFE_Max:475 封装/外壳:SC-89 Ic(mA):100 VCEO(V):45 hFEMin/Max:220/475 Ft(MHz):100 FET类型:P-Channel |
| 通用三极管 | LBC848CWT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电流放大倍数最小值hFE_Min:420 电流放大倍数最大值hFE_Max:800 封装/外壳:SC-70 Ic(mA):100 VCEO(V):30 hFEMin/Max:420/800 Ft(MHz):100 FET类型:NPN |
| 通用三极管 | 2SAR293P5T100 | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:350mV @ 25mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA,2V 功率:1/2W 频率-跃迁:320MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 通用三极管 | 2SD1766T100R | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:800mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA,3V 功率:2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:32V |
| 功率MOSFET | SQD50P04-13L_GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:90nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3590pF @ 20V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3 连续漏极电流Id:50A Pd-功率耗散(Max):136W Qg-栅极电荷:80nC Rds On(Max)@Id,Vgs:10mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:12ns 下降时间:16ns 典型关闭延迟时间:40ns 典型接通延迟时间:10ns 宽度:6.22mm 正向跨导 - 最小值:61S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:6.73mm 高度:2.38mm |
| 通用MOSFET | BSS123NH6327XT | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT-23-3 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:190mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4Ω 栅极电压Vgs:800mV 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:900pC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:410mS 下降时间:22ns 上升时间:3.2ns 典型关闭延迟时间:7.4ns 典型接通延迟时间:2.3ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用三极管 | MMBTA06-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA,1V Power-Max:300mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 功率MOSFET | IPD50R950CE | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel Qg-栅极电荷:10.5nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):53W 高度:2.3mm 长度:6.5mm 系列:XPD50R950 宽度:6.22mm 下降时间:19.5ns 上升时间:4.9ns 典型关闭延迟时间:25ns 典型接通延迟时间:7ns Moisture Level:3 Rds On(Max)@Id,Vgs:950mΩ 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:4.3A 封装/外壳:DPAK (TO-252) Rth:3.7K/W QG:10.5nC Budgetary Price €/1k:0.27 Ptot max:34.0W FET类型:N-Channel Pin Count:3.0Pins RthJA max:62.0K/W Mounting:SMT RthJC max:3.7K/W 栅极电压Vgs:2.5V,3.5V 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | VAS60R2K1U | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:TO-251S 功率:38W |
| 通用三极管 | BCX56TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,2V Power-Max:1W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | BCX53TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,2V 功率:1W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 功率MOSFET | SUP90N06-6M0P-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:120nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4700pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.75W(Ta),272W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:53A Rds On(Max)@Id,Vgs:5mΩ |
| 功率MOSFET | AO8814 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TSSOP-8 FET类型:N-Channel ESD Diode:Yes Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:12V 连续漏极电流Id:7.5A Pd-功率耗散(Max):1.5W Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:18mΩ Rds On(Max)@2.5V:24mΩ Rds On(Max)@1.8V:34mΩ VGS(th):1 Ohms Ciss(pF):1390 Coss(pF):190 Crss(pF):150 Qg*(nC):15.4 Qgd(nC):4 Td(on)(ns):6.2 Td(off)(ns):40.5 Trr(ns):15 Qrr(nC):5.1 Ohms |
| 通用三极管 | LBC846ALT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V 电流放大倍数最小值hFE_Min:110 电流放大倍数最大值hFE_Max:220 封装/外壳:SOT-23 Ic(mA):100 VCEO(V):65 hFEMin/Max:110/220 Ft(MHz):100 FET类型:NPN |
| 通用MOSFET | RRR030P03MGTL | ROHM(罗姆) | |
| 通用MOSFET | IRHMS597064 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TO-254AALowOhmic Circuit:Discrete FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:-45 DLA Qualified:QPL JEDEC Part Number:2N7524T1 BVDSS:-60 Generation:R5 Die Size:6 Total Dose:100 Optional Total Dose Ratings:300 Rds On(Max)@Id,Vgs:0.016 |
| 通用MOSFET | BSC065N06LS5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:64A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 20µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):46W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5 毫欧 @ 32A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TDSON-8 封装/外壳:PG-TDSON-8 |
| 功率MOSFET | VAS10R0080OF | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOP8 Pd-功率耗散(Max):3.1W |
| 通用三极管 | LMBT4413DW1T1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:600mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V 电流放大倍数最小值hFE_Min:100 电流放大倍数最大值hFE_Max:300 封装/外壳:SC-88 IC(mA):600 VCEO(V):40 hFE(Min/Max):100/300 IC/Vce(mA)/(Volts):150/1.0 FT(MHz):250 |
| 功率MOSFET | SCT2H12NZGC11 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 900µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:184pF @ 800V 栅极电压Vgs:+22V,-6V Pd-功率耗散(Max):35W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5Ω@1.1A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-3PFM FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1700V 连续漏极电流Id:3.7A |
| 小信号MOSFET | BSS670S2L H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:540mA Rds On(Max)@Id,Vgs:345mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:2.26nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS670S2 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:600mS 下降时间:24ns 上升时间:25ns 典型关闭延迟时间:21ns 典型接通延迟时间:9ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | SI2374DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:735pF @ 15V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):96mW,80mW Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@4A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.5A |
| 通用三极管 | BSS123Q-13 | Diodes(达尔（美台）) | 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.17A |
| 通用三极管 | ZXTP2012ZQTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4.3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | ZXTN2010ZQTA | Diodes(达尔（美台）) | 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V FET类型:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:80V 集电极—基极电压 VCBO:190V 发射极 - 基极电压 VEBO:8.1V 集电极—射极饱和电压:230mV 最大直流电集电极电流:20A 特征频率fT:130MHz 直流电流增益 hFE 最大值:300 集电极连续电流:5A 功率:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| 通用三极管 | LBC807-40WT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 电流放大倍数最小值hFE_Min:250 电流放大倍数最大值hFE_Max:600 封装/外壳:SC-70 Ic(mA):500 VCEO(V):45 hFEMin/Max:250/600 Ft(MHz):100 FET类型:P-Channel |
| 通用三极管 | LBC858CLT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电流放大倍数最小值hFE_Min:420 电流放大倍数最大值hFE_Max:800 封装/外壳:SOT-23 Ic(mA):100 VCEO(V):30 hFEMin/Max:420/800 Ft(MHz):100 FET类型:P-Channel |
| 功率MOSFET | VIC1642DN-F | VIC(微科) | 封装/外壳:TO252-4 Pd-功率耗散(Max):35W |
| 小信号MOSFET | S-LP3401LT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):225mW |
| 通用三极管 | S-LMUN5335DW1T1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SC88 功率:0.38W |
| 通用三极管 | S-LMUN5213DW1T1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SC88 功率:0.38W |
| 小信号MOSFET | S-LBSS84LT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):225mW |
| 通用三极管 | S-LBC857AWT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SC-70 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 电流放大倍数最小值hFE_Min:120 电流放大倍数最大值hFE_Max:250 |
| 小信号MOSFET | S-L2N7002SLT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):225mW |
| 功率MOSFET | VAS04R0065KP | Chiplead(奇力) | Pd-功率耗散(Max):83W |
| TVS晶闸管/半导体放电管 | TB1800H-13-F | Diodes(达尔（美台）) | 电压-导通:220V 电压-断态:160V 电压-通态:3.5V 电流-峰值脉冲（8/20µs）:400A 峰值脉冲电流Ipp:100A 电流-保持（Ih）:150mA 元件数:1 Ohms 容值:120pF 封装/外壳:DO-214AA,SMB |
| 通用三极管 | FMMT497TA | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 25mA,250mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA,10V Power-Max:500mW 频率-跃迁:75MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:300V |
| 通用三极管 | FZT753QTA | Diodes(达尔（美台）) | 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 功率MOSFET | AON6382 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 5x6 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:85A Pd-功率耗散(Max):50W Rds On(Max)@Id,Vgs:1.85mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:2.5mΩ VGS(th):2.2 Ciss(pF):3100 Coss(pF):875 Crss(pF):105 Qg*(nC):20 Qgd(nC):6 Td(on)(ns):5.5 Td(off)(ns):17 Trr(ns):17 Qrr(nC):36 |
| 通用三极管 | 2SB1188T100R | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:800mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA,3V 功率:2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:32V |
| 通用三极管 | BC 847C E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:45V 集电极—基极电压 VCBO:50V 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:200mV 最大直流电集电极电流:200mA 特征频率fT:250MHz 系列:BC847C 直流电流增益 hFE 最大值:800 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 集电极连续电流:100mA 直流集电极/Base Gain hfe Min:420 功率:1/3W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 通用三极管 | BC 857B E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:45V 集电极—基极电压 VCBO:50V 发射极 - 基极电压 VEBO:5V 集电极—射极饱和电压:250mV 最大直流电集电极电流:200mA 特征频率fT:250MHz 系列:BC857 直流电流增益 hFE 最大值:450 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 集电极连续电流:100mA 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 功率:1/3W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 小信号MOSFET | BSS123N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:190mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:900pC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS123 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:410mS 下降时间:22ns 上升时间:3.2ns 典型关闭延迟时间:7.4ns 典型接通延迟时间:2.3ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用三极管 | DPLS350E-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 2A,2V 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 功率:1W 发射极 - 基极电压 VEBO:-6V 特征频率fT:100MHz 宽度:3.7mm FET类型:P-Channel 最大直流电集电极电流:-5A 系列:DPLS350 配置:Single 长度:6.7mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:-50V 集电极—基极电压 VCBO:-60V 集电极—射极饱和电压:-300mV 高度:1.65mm |
| 小信号MOSFET | SI2318DS-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:540pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):750mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:3A Rds On(Max)@Id,Vgs:45mΩ |
| 功率MOSFET | SUD50P06-15-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:165nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4950pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK 连续漏极电流Id:50A Pd-功率耗散(Max):113W Qg-栅极电荷:165nC Rds On(Max)@Id,Vgs:15mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:3V 上升时间:70ns 下降时间:175ns 典型关闭延迟时间:175ns 典型接通延迟时间:15ns 宽度:6.22mm 正向跨导 - 最小值:61S 系列:SUD 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:6.73mm 高度:2.38mm |
| 功率MOSFET | SQJ500AEP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® Rds On(Max)@Id,Vgs:27mΩ@6A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:38.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1850pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):48W 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:30A |
| 功率MOSFET | VAP70R1K9DO | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:TO-252 Pd-功率耗散(Max):44.6W |
| 通用三极管 | 2SA2094MGTLQ | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | 2SA2094TLQ | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA,2V Power-Max:500mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 功率MOSFET | IPD65R950C6 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ C6 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 200µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:328pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):37W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:950mΩ@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:700V 连续漏极电流Id:4.5A |
| 功率MOSFET | SQS423EN-T1_GE3 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1975pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):62.5W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:16A Rds On(Max)@Id,Vgs:60mΩ |
| 功率MOSFET | RRR030P03TL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.2nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:480pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:75mΩ@3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3A |
| 功率MOSFET | DMP4065S-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:587pF @ 20V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:3.4A Pd-功率耗散(Max):1.4W Qg-栅极电荷:12.2nC Rds On(Max)@Id,Vgs:80mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:2.9ns 下降时间:15.3ns 典型关闭延迟时间:36.3ns 典型接通延迟时间:3.6ns 宽度:1.3mm 系列:DMP4065 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:1.10mm |
| 功率MOSFET | DMT10H015LSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1871pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:8.3A |
| 功率MOSFET | SQJ418EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 连续漏极电流Id:48A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):68W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:14mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK®SO-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V |
| 功率MOSFET | SCT3160KLGC11 | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 2.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:398pF @ 800V 栅极电压Vgs:+22V,-4V Pd-功率耗散(Max):103W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:208mΩ@5A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 功率MOSFET | IRFH5015TRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 150µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.6W(Ta),156W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:31mΩ@34A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PQFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:10A |
| 通用三极管 | 2SC2412KT146R | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:150mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 1mA,6V 功率:1/5W 频率-跃迁:180MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DTC143EKAT146 | ROHM(罗姆) | 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:4.7k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:SMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DTB143EKT146 | ROHM(罗姆) | 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:4.7k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:47 @ 50mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:200MHz Power-Max:200mW 封装/外壳:SMT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 功率MOSFET | VAS04R0085KP | Chiplead(奇力) | Pd-功率耗散(Max):125W |
| 功率MOSFET | VAD02R0270OF | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:TSSOP8 Pd-功率耗散(Max):1.5W |
| 功率MOSFET | BSM300D12P2E001 | ROHM(罗姆) | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 68mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:35000pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1875W 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 包装方式:Tray FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:300A |
| 功率MOSFET | VAT03R0320TP | Chiplead(奇力) | Pd-功率耗散(Max):1.56W |
| 小信号MOSFET | VAS06R2000TS | Chiplead(奇力) | Pd-功率耗散(Max):0.35W |
| 通用三极管 | DCX143EU-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 电阻器-基底（R1）（欧姆）:4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA,5V / 40 @ 10mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 功率MOSFET | AO4407AL | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:SOIC-8 Pd-功率耗散(Max):3.1W |
| 功率MOSFET | IRF3710PBF | Infineon(英飞凌) | 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:130nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3130pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):200W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:23mΩ@28A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:57A |
| 功率MOSFET | SQD50P08-28_GE3 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:145nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6035pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):136W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:48A Rds On(Max)@Id,Vgs:28mΩ |
| 功率MOSFET | AON6268 | AOS(万国半导体) | 系列:AlphaSGT™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:65nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2520pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):56W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.7mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TA) 封装/外壳:DFN 5X6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:44A |
| 功率MOSFET | VAS06R1050TS | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23-3 Pd-功率耗散(Max):1.7W |
| 功率MOSFET | AOB2904 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-263 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:120A Pd-功率耗散(Max):326W Rds On(Max)@Id,Vgs:4.4mΩ@10V VGS(th):3.3 Ciss(pF):7085 Coss(pF):605 Crss(pF):32 Qg*(nC):93 Qgd(nC):16 Trr(ns):49 Qrr(nC):460 |
| 通用三极管 | UMD9NTR | ROHM(罗姆) | 电阻器-基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:68 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:3/20W 封装/外壳:UMT FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 功率MOSFET | AON6226 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 5x6 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:48A Pd-功率耗散(Max):108W Rds On(Max)@Id,Vgs:7.9mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:10.2mΩ VGS(th):2.3 Ciss(pF):3130 Coss(pF):245 Crss(pF):12.5 Qg*(nC):18.5 Qgd(nC):4.5 Td(on)(ns):12 Td(off)(ns):53 Trr(ns):30 Qrr(nC):150 |
| 功率MOSFET | APM4820KC-TRG | Sinopower(大中积体) | Pd-功率耗散(Max):2.5W |
| 通用三极管 | S-LDTD123YLT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 基底电阻R1:2.2K 发射极基底电阻R2:10K 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 电流放大倍数最小值hFE_Min:56 |
| 功率MOSFET | VAT02R0650TP | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23-3 Pd-功率耗散(Max):1.56W |
| 功率MOSFET | IRFH7440TRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:HEXFET®,StrongIRFET™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:138nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4574pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):104W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4mΩ@50A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:159A 漏源极电压Vds:40V 封装/外壳:8-PQFN(5x6) |
| 功率MOSFET | SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.5W(Ta),19.2W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:12A Rds On(Max)@Id,Vgs:13.5mΩ |
| 功率MOSFET | IPA90R500C3 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 740µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:68nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):34W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:500mΩ@6.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:11A |
| 通用三极管 | MMBT5401-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):150V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,5V Power-Max:300mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 功率:3/10W 发射极 - 基极电压 VEBO:-5V 特征频率fT:300MHz 宽度:1.4mm FET类型:P-Channel 最大直流电集电极电流:0.2A 直流电流增益 hFE 最大值:240 直流集电极/Base Gain hfe Min:60 系列:MMBT5401 配置:Single 长度:3.05mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:-150V 集电极—基极电压 VCBO:-160V 集电极—射极饱和电压:-0.5V 集电极连续电流:-0.2A 高度:1mm |
| 通用三极管 | FZT560TA | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):150mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 10mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 50mA,10V Power-Max:2W 频率-跃迁:60MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:500V |
| 功率MOSFET | VAT03R0520TS | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23-3 Pd-功率耗散(Max):1.3W |
| 功率MOSFET | DMG4466SSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:478.9pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO 连续漏极电流Id:10A Pd-功率耗散(Max):1.42W Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:25V 上升时间:7.9ns 下降时间:3.1ns 典型关闭延迟时间:14.6ns 典型接通延迟时间:2.9ns 系列:DMG4466 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | SIHG039N60EF-GE3 | Vishay(威世) | 封装/外壳:TO-247-3 输入电容Ciss:4323pF @ 100V 连续漏极电流Id:61A(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@32A,10V 漏源极电压Vds:600V Pd-功率耗散(Max):357W(Tc) 栅极电压Vgs(th):5V @ 250?A 栅极电荷Qg:126nC @ 10V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V FET 类型:N-Channel 栅极电压Vgs:±30V |
| 功率MOSFET | RQ3E120ATTB | ROHM(罗姆) | 系列:RQ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:62nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3200pF @ 15V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:HSMT 连续漏极电流Id:12A Pd-功率耗散(Max):2W Qg-栅极电荷:62nC Rds On(Max)@Id,Vgs:61mΩ 漏源极电压Vds:39V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:30ns 下降时间:95ns 典型关闭延迟时间:140ns 典型接通延迟时间:20ns 宽度:2.4mm FET类型:P-Channel 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:3mm 高度:0.85mm |
| 通用MOSFET | BSC0702LS | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:DFN 5X6 FET类型:N-Channel |