IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | BD62321HFP-TR | 电机类型 - AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:开/关 电流 - 输出:3A 电压 - 电源:6 V ~ 32 V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:HRP7 | |
| 功率MOSFET | SI7431DP-T1-GE3 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:135nC @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 连续漏极电流Id:3.6A Pd-功率耗散(Max):1.9W Qg-栅极电荷:88nC Rds On(Max)@Id,Vgs:147mΩ 漏源极电压Vds:200V 栅极电压Vgs:4V 上升时间:49ns 下降时间:66ns 典型关闭延迟时间:110ns 典型接通延迟时间:23ns 宽度:5.15mm 正向跨导 - 最小值:17S 系列:SI7 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:6.15mm 高度:1.04mm | |
| 功率MOSFET | IPL60R285P7AUMA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):13A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):285 毫欧 @ 3.8A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 190uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):761pF @ 400V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC @ 10V 功率耗散(最大值):59W(Tc) 封装/外壳:4-PowerTSFN 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V | |
| 通用三极管 | T435-800T | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,31A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB | |
| 通用三极管 | T435-800B-TR | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 Voltage-OffState:800V Current-OnState(It(RMS))(Max):4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,31A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak | |
| 通用三极管 | T435-700B-TR | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:700V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,31A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak | |
| 通用晶闸管 | T430N12TOFXPSA1 | SCR 数，二极管:1 SCR 电压 - 断态:1.8KV 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:433A 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:700A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:2V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:200mA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:5200A @ 50Hz 电流 - 保持（Ih）（最大值）:300mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:BG-T4214K0-1 额定平均通态电流:433A 闸流晶体管类型:PCT 封装/外壳:BG-T4214K0-1 重复峰值反向电压:1200V 浪涌电流额定值:5200A 安装类型:螺柱 最大栅极触发电流:200mA 最大栅极触发电压:2V 最大保持电流:300mA 引脚数目:5 高度:14.5mm 封装/外壳:42 (Dia.) x 14.5 (Height)mm 峰值通态电压:2.07V 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 重复峰值正向阻断电压:1800V 直径:42mm 重复峰值断态电流:50mA | |
| 通用三极管 | T410-600T | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,31A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB | |
| 通用三极管 | T410-600B | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,31A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak | |
| 通用三极管 | T405-600T | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,31A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB | |
| 通用三极管 | T405-600H | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,31A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:I-Pak 封装/外壳:IPAK 不重复通态电流:31 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压:1.56 V 保持电流（Ih 最大值）:10 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):5 mA | |
| 通用三极管 | T3035H-6I | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:30A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:270A,284A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘 | |
| 通用三极管 | T2535-600G | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:D2PAK | |
| TRIAC(双向可控硅) | T2035H-6I | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:20A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:200A,210A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 | |
| 通用三极管 | PMBT3906MB,315 | 封装/外壳:DFN1006B-3 功率耗散Pd:250mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-200mA 集电极-射极饱和电压:-400mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:-6V VCBO:-40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:1.0*0.6*0.37 | |
| 通用三极管 | T1635-600G-TR | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:D2PAK | |
| 通用三极管 | T1635-600G | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:D2PAK | |
| IGBT模块 | FP10R06W1E3B11BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):550pF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A 功率-最大值:68W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| TVS晶闸管/半导体放电管 | LVM2P-075R14431 | ||
| 通用三极管 | ZXTN4002ZTA | 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-89-3 功率耗散Pd:1.5W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:1A | |
| 功率MOSFET | SUP90P06-09L-E3 | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:240nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.4W(Ta),250W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:90A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.3mΩ | |
| 通用MOSFET | SUP85N10-10-E3 | 连续漏极电流Id:85A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:10.5 mOhms @ 30A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.75W(Ta),250W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | SUP80090E-GE3 | 系列:ThunderFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:128A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:95nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3425pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.4m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:128A | |
| 通用MOSFET | SUP57N20-33-E3 | 连续漏极电流Id:57A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:33 mOhms @ 30A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.75W(Ta),300W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:200V | |
| 通用MOSFET | SUP53P06-20-E3 | 连续漏极电流Id:9.2A(Ta),53A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:19.5 mOhms @ 30A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.1W(Ta),104.2W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 通用MOSFET | SUP10250E-GE3 | 连续漏极电流Id:63A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:250V | |
| 功率MOSFET | SUM90140E-GE3 | 系列:ThunderFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:96nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4132pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:17mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:90A | |
| 通用MOSFET | SUM70040E-GE3 | 连续漏极电流Id:120A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:4 mOhms @ 20A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | SUM55P06-19L-E3 | 连续漏极电流Id:55A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:19 mOhms @ 30A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.75W(Ta),125W(Tc) 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 功率MOSFET | SUM110P04-05-E3 | 系列:TrenchFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:110A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:280nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:11300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):15W(Ta),375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:39A | |
| 功率MOSFET | SUM110N10-09-E3 | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.75W(Ta),375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.5mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:110A | |
| 功率MOSFET | SUM10250E-GE3 | 系列:ThunderFET® FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:63.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:88nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3002pF @ 125V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:31mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | |
| 功率MOSFET | SUD50N06-09L-E3 | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2650pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),136W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:50A Rds On(Max)@Id,Vgs:9mΩ | |
| 通用MOSFET | SUD23N06-31-GE3 | 连续漏极电流Id:21.4A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:31 mOhms @ 15A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):5.7W(Ta),31.25W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 功率MOSFET | SUD19N20-90-E3 | 系列:TrenchFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:19A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:51nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),136W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:90mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:19A | |
| 通用MOSFET | STY80NM60N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:74A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:360nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:10100pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):447W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:35m Ohms@37A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:74A | |
| 通用MOSFET | STY60NM50 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:266nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):560W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@30A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:60A | |
| 通用MOSFET | STY60NK30Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:220nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):450W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:60A | |
| 通用MOSFET | STY145N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:138A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:414nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:18500pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:15m Ohms@69A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:138A | |
| 通用MOSFET | STY139N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:130A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:363nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15600pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:17m Ohms@65A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:130A | |
| 通用MOSFET | STY112N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:96A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:350nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:16870pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:22m Ohms@47A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:96A | |
| 通用MOSFET | STW9NK90Z | 系列:SuperMESH™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:72nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2115pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3Ω@3.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 通用MOSFET | STW7NK90Z | 系列:SuperMESH™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:5.8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):140W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2 Ohms@2.9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 通用MOSFET | STW7N95K3 | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:7.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1031pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.35 Ohms@3.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:7.2A | |
| 通用MOSFET | STW78N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:69A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:203nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9000pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):450W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:32m Ohms@34.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:69A | |
| 通用MOSFET | STW77N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:69A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:200nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9800pF @ 100V 栅极电压Vgs:25V Pd-功率耗散(Max):400W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:38m Ohms@34.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:69A | |
| 通用MOSFET | STW75NF30 | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:164nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5930pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):320W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:60A | |
| 通用MOSFET | STW75NF20 | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:75A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:84nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3260pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:34m Ohms@37A,10V 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:75A | |
| 通用MOSFET | STW70N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:68A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:118nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5200pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):450W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@34A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:68A | |
| 功率MOSFET | STW70N60DM2 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:66A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:121nC @ 10V 栅极电压Vgs:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5508pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):446W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:42mΩ@33A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 通用MOSFET | STW6N120K3 | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1050pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4 Ohms@2.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:6A | |
| 通用MOSFET | STW62N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:46A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:142nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6420pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):330W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:49m Ohms@23A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:46A | |
| 通用MOSFET | STW5NK100Z | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:3.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:59nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1154pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.7 Ohms@1.75A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:3.5A | |
| 通用MOSFET | STW57N65M5-4 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:42A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:63m Ohms@21A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-4 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:42A | |
| 通用MOSFET | STW56N60DM2 | 系列:MDmesh™ DM2 连续漏极电流Id:50A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:90nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4100pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):360W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:60m Ohms@25A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:50A | |
| 通用MOSFET | STW55NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:51A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:190nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5800pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):350W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:60m Ohms@25.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:51A | |
| 通用MOSFET | STW52NK25Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:52A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4850pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@26A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:52A | |
| 通用MOSFET | STW48NM60N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:124nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4285pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):330W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70m Ohms@20A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:44A | |
| 通用MOSFET | STW48N60M2-4 | 系列:MDmesh™ M2 连续漏极电流Id:42A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3060pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70m Ohms@21A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-4 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:42A | |
| 通用MOSFET | STW48N60M2 | 系列:MDmesh™ M2 连续漏极电流Id:42A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3060pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70m Ohms@21A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:42A | |
| 通用MOSFET | STW45NM60 | 系列:MDmesh™ 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:134nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3800pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):417W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@22.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:45A | |
| 通用MOSFET | STW45NM50 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:117nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):417W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@22.5A,10V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:45A | |
| 通用MOSFET | STW45N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:91nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3375pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):210W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:78m Ohms@19.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:35A | |
| 通用MOSFET | STW42N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:33A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:100nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4650pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:79m Ohms@16.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:33A | |
| 通用MOSFET | STW40NF20 | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:75nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:40A | |
| 通用MOSFET | STW40N95K5 | 系列:MDmesh™ K5 连续漏极电流Id:38A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:93nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3300pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):450W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ohms@19A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:38A | |
| 通用MOSFET | STW40N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:34A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:57nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2500pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:88m Ohms@17A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:34A | |
| 通用MOSFET | STW38N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:95mΩ@15A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:30A | |
| 通用MOSFET | STW36NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:29A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2785pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@14.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:29A | |
| 通用MOSFET | STW36N55M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:33A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:62nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:80m Ohms@16.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:550V 连续漏极电流Id:33A | |
| 通用MOSFET | STW34NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:29A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2785pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@14.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:29A | |
| 通用MOSFET | STW34NM60N | 系列:MDmesh™ II 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2722pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:105m Ohms@14.5A,10V 连续漏极电流Id:29A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 栅极电压Vgs:±25V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:29A | |
| 通用MOSFET | STW34N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:28A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:62.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2700pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@14A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:28A | |
| 通用MOSFET | STW33N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:26A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1781pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:125m Ohms@13A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:26A | |
| 通用MOSFET | STW31N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:22A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:816pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:148m Ohms@11A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:22A | |
| 通用MOSFET | STW28NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:23A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:62.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2090pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:150m Ohms@11.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:24A | |
| 通用MOSFET | STW28NM50N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1735pF @ 25V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:158m Ohms@10.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:21A | |
| 通用MOSFET | STW28N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:24A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1370pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):170W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:150m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:22A 最高工作温度:+ 150 C 190 W:Pd - 功率消耗 最低工作温度:- 55 C 标准包装数量:30 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:25V 连续漏极电流Id:24A Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ 配置:Single 栅极电压Vgs:3V 37 nC:Qg - 闸极充电 | |
| 功率MOSFET | STW26NM60N | 系列:MDmesh™ II 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):140W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:165mΩ@10A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A | |
| 通用MOSFET | STW26NM50 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:106nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):313W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:120m Ohms@13A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:30A | |
| 通用MOSFET | STW25NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:160m Ohms@10.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:21A | |
| 通用MOSFET | STW25N80K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:19.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:260m Ohms@19.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:19.5A | |
| 通用MOSFET | STW24NM60N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:46nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:17A | |
| 通用MOSFET | STW24N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:18A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1060pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:18A | |
| 通用MOSFET | STW24N60DM2 | 系列:FDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:18A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1055pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:200mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:18A | |
| 通用MOSFET | STW23NM50N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1330pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190m Ohms@8.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:17A | |
| 通用MOSFET | STW22N95K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:17.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:48nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1550pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:330m Ohms@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:17.5A | |
| 通用MOSFET | STW21NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):140W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:220m Ohms@8.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:17A | |
| 通用MOSFET | STW21N90K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:18.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:43nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1645pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V FET类型:电流感测 Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:299m Ohms@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:18.5A | |
| 通用MOSFET | STW21N150K5 | 系列:MDmesh™ K5 连续漏极电流Id:14A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:89nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3145pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):446W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:900m Ohms@7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1500V 连续漏极电流Id:14A | |
| 通用MOSFET | STW20NM60FD | 系列:FDmesh™ 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):214W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:290m Ohms@10A,10V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A | |
| 通用MOSFET | STW20NM60 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:54nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):192W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:290m Ohms@10A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A | |
| 通用MOSFET | STW20NM50FD | 系列:FDmesh™ 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:53nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):214W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:250m Ohms@10A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:20A | |
| 通用MOSFET | STW20NK50Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:119nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:270m Ohms@8.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:20A | |
| 通用MOSFET | STW20N95K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:17.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:330m Ohms@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:17.5A | |
| 通用MOSFET | STW19NM50N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:14A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:250m Ohms@7A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:14A | |
| 通用MOSFET | STW18NM80 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2070pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:295m Ohms@8.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:17A | |
| 通用MOSFET | STW18N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:791pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280m Ohms@6.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:13A | |
| 通用MOSFET | STW18N60DM2 | 系列:MDmesh™ DM2 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):90W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:295m Ohms@6A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用MOSFET | STW15NK90Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:256nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):350W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:550m Ohms@7.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:15A |