IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | SIB900EDK-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:1.5A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:225 mOhms @ 1.6A,4.5V Vgs(th):1V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.1W 封装/外壳:PowerPAK® SC-75-6L 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 功率MOSFET | IPD053N06NATMA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Ta),45A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.3 毫欧 @ 45A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.8V @ 36uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2000pF @ 30V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):27nC @ 10V 功率耗散(最大值):3W(Ta),83W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V | |
| 通用三极管 | PDTA115ET,215 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-20mA 集电极-射极饱和电压:-150mV 直流电流增益hFE:80 VEBO:-10V VCBO:-50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | SD1013 | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:35V 频率-跃迁:150MHz 增益:10dB 功率:13W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 200mA,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:1A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:M113 | |
| 通用三极管 | PBSS4240XX | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:500mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:2A 集电极-射极饱和电压:140mV 直流电流增益hFE:300 特征频率fT:150MHz VEBO:5V VCBO:40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:4.5*2.5*1.5 | |
| IGBT模块 | VS-CPV363M4FPBF | NTC热敏电阻:无 封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 通用MOSFET | APT50GP60B2DQ2G | 系列:POWER MOS 7® IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:150A 脉冲电流-集电极(Icm):190A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,50A Pd-功率耗散(Max):625W 开关能量:465µJ(开),635µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:19ns/85ns 测试条件:400V,50A,4.3 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 变式 | |
| 功率MOSFET | MTM231232LBF | ||
| 小信号MOSFET | 2N7002PS,115 | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:1.6Ω@500mA,10V Pd-功率耗散(Max):0.42W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:30pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.32A | |
| 功率MOSFET | BUK762R0-40E,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):293W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:6250pF 输出电容:1210pF 连续漏极电流Id:120A | |
| SCR(可控硅) | VS-ST333C08LFM1 | SCR类型:标准恢复型 封装/外壳:TO-200AB,E-PUK 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-断态:800V 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):3V 电压-通态(Vtm)(最大值):1.96V 电流-保持(Ih)(最大值):600mA 电流-断态(最大值):50mA 电流-栅极触发(Igt)(最大值):200mA 电流-通态(It(AV))(最大值):720A 电流-通态(It(RMS))(最大值):1435A 电流-非重复浪涌50、60Hz(Itsm):9250A,9700A | |
| IGBT模块 | VS-EMF050J60U | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):9.5nF @ 30V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A 功率:338W 封装/外壳:EMIPAK2 工作温度:150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流-集电极截止(最大值):100uA 输入:标准 配置:三级反相器 | |
| 通用三极管 | SPZT651T1G | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:800mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:2A 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:75 特征频率fT:75MHz VEBO:5V VCBO:80V 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 通用三极管 | SMUN5311DW1T3G | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:0.187W 封装/外壳:SOT-363 封装/外壳:SC-88 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 通用三极管 | SMUN5115T1G | ||
| 通用三极管 | SMMBT2222ALT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 Current-Collector(Ic)(Max):600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V Power-Max:225mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V | |
| 通用MOSFET | SFT1342-TL-W | 连续漏极电流Id:12A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta),15W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:62m Ohms@6A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用MOSFET | STD4N80K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:175pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):60W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:3A | |
| 功率MOSFET | NVTFS5116PLTAG | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1258pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V 功率:3.2W(Ta),21W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:52 毫欧 @ 7A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:WDFN 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:6A | |
| 通用MOSFET | NVTFS4C13NTWG | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:14A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:770pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),26W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.4m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:40A | |
| 通用MOSFET | NVTFS4C08NTWG | 连续漏极电流Id:17A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1113pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.1W(Ta),31W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.9m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:55A | |
| 通用MOSFET | NVTFS4C05NTAG | 连续漏极电流Id:22A(Ta),102A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1988pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.2W(Ta),68W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.6m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:22A | |
| 通用MOSFET | NVR5198NLT1G | 连续漏极电流Id:1.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:182pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:155m Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.2A | |
| 通用MOSFET | NVMFS5113PLT1G | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:10A(Ta),64A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:83nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:14m Ohms@17A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:SO-FL FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10A | |
| 通用MOSFET | NVMFD5873NLWFT1G | FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:13m Ohms@15A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1560pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):3.1W 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-DFN(5x6) 双标记(SO8FL-双通道-非对称) 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10A | |
| 通用MOSFET | NVMFD5853NT1G | FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:10mΩ@15A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1225pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):3.1W 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-DFN(5x6) 双标记(SO8FL-双通道-非对称) 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用MOSFET | NVGS5120PT1G | 连续漏极电流Id:1.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:942pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):600mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:111m Ohms@2.9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:TSOP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.5A | |
| 通用MOSFET | NVD6416ANLT4G-VF01 | Rds On(Max)@Id,Vgs:74m Ohms@19A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:19A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):71W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 通用MOSFET | NVD4808NT4G | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:10A(Ta),63A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,11.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1538pF @ 12V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta),54.6W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13.8A | |
| 通用MOSFET | NTTFS4C13NTWG | 连续漏极电流Id:7.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:770pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):780mW(Ta),21.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.4m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11.7A | |
| 通用MOSFET | NTTFS4C10NTAG | 连续漏极电流Id:8.2A(Ta),44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:993pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):790mW(Ta),23.6W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.4m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13.3A | |
| 通用MOSFET | NTTFS4C10NTWG | 连续漏极电流Id:8.2A(Ta),44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:993pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):790mW(Ta),23.6W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.4m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13.3A | |
| 小信号MOSFET | NTNS3A65PZT5G | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:281mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.1nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:44pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):155mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3Ω@200mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-101,SOT-883 | |
| 功率MOSFET | NTMFS5C442NLT1G | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V 功率:3.1W(Ta),69W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.8 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:27A(Ta), 130A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) | |
| 通用MOSFET | NTMFS4931NT3G | 连续漏极电流Id:23A(Ta),246A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:128nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9821pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):950mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:SO-FL FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:40A | |
| 通用MOSFET | NTMFS4931NT1G | 连续漏极电流Id:23A(Ta),246A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:128nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9821pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):950mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:SO-FL FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:40A | |
| 通用MOSFET | NTLUS3C18PZTAG | 连续漏极电流Id:4.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1570pF @ 6V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):660mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:24m Ohms@7A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-PoweruFDFN 封装/外壳:UDFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:7A | |
| 通用MOSFET | NTMD5838NLR2G | FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@7A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:785pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):2.1W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:7.4A | |
| 通用MOSFET | NTLLD4901NFTWG | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:5.5A,6.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:17.4m Ohms@9A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:605pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):800mW,810mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-WDFN(3x3) 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11A/13A | |
| 通用三极管 | NSVMUN5111DW1T3G | FET类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:1/4W 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 通用三极管 | NSVMUN5215DW1T1G | FET类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压-集射极击穿（最大值）:50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:1/4W 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| 通用三极管 | NSVMUN5211DW1T3G | FET类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:1/4W 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 通用三极管 | NSVJ3557SA3T1G | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:15V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:10mA @ 5V 漏极电流（Id）-最大值:50mA 不同Id时的电压-截止（VGS关）:300mV @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:10pF @ 5V 功率:1/5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-59-3/CP3 | |
| 通用三极管 | NSVBC848BWT1G | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:1/5W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-3(SOT323) 封装/外壳:SC-70 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V | |
| 通用三极管 | NSV40501UW3T2G | 封装/外壳:3-WDFN 功率耗散Pd:875mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:5A 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:150MHz VEBO:6V VCBO:40V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | NSV1C300ET4G-VF01 | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:3A 电压-集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 300mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A,2V 功率:2.1W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK | |
| 通用三极管 | NSV1C201LT1G | Current-Collector(Ic)(Max):2A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:150mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA,2V Power-Max:490mW 频率-跃迁:110MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V | |
| 通用三极管 | NSV1C200LT1G | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA,2V 功率:490mW 频率-跃迁:120MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V | |
| 通用MOSFET | SQM40081EL_GE3 | 连续漏极电流Id:50A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5 mOhms @ 25A,10V Vgs(th):2.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):107W(Tc) 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:40V | |
| 通用MOSFET | SIE832DF-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:50A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:5.5 mOhms @ 14A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):5.2W(Ta),104W(Tc) 封装/外壳:10-PolarPAK®(S) 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:40V | |
| 通用三极管 | NJVMJD32CT4G-VF01 | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):3A Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):100V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:20µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 3A,4V Power-Max:1.56W 频率-跃迁:3MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK | |
| 通用三极管 | NJVMJD31CRLG | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:50µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 3A,4V 功率:1.56W 频率-跃迁:3MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V | |
| 通用三极管 | NJD35N04T4G | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 20mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:50µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A,2V 功率:45W 频率-跃迁:90MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK-3 封装/外壳:DPAK FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:350V | |
| 通用MOSFET | NGTB50N65FL2WG | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:650V 电流-集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流-集电极(Icm):200A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 15V,50A Pd-功率耗散(Max):417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:94ns 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 通用MOSFET | NDT02N40T1G | 连续漏极电流Id:400mA(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:121pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.5Ω@220mA,10V 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:400V 连续漏极电流Id:0.4A | |
| 通用MOSFET | NDDP010N25AZT4H | 连续漏极电流Id:10A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:980pF @ 20V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta),52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:420m Ohms@5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:10A | |
| 通用MOSFET | NDD60N900U1T4G | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:5.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:360pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):74W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:900mΩ@2.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:5.7A | |
| 通用MOSFET | NDD03N80ZT4G | 连续漏极电流Id:2.9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:440pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):96W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5 Ohms@1.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:2.9A | |
| 通用MOSFET | NDD02N40T4G | 连续漏极电流Id:1.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:121pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):39W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.5Ω@220mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:400V 连续漏极电流Id:1.7A | |
| 功率MOSFET | RCJ160N20TL | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.25V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1370pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta),40W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ@8A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | |
| 功率MOSFET | BUK962R6-40E,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2.8mΩ@5V,2.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):263W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:7713pF 输出电容:1022pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 通用MOSFET | MCH6662-TL-W | FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:160m Ohms@1A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:128pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):800mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-88FL/ MCPH6 封装/外壳:MCPH FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2A | |
| 通用MOSFET | MCH3484-TL-W | 连续漏极电流Id:4.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:0.9V,2.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11nC @ 2.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:630pF @ 10V 栅极电压Vgs:±5V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@2A,2.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-SMD 封装/外壳:MCPH FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.5A | |
| 通用MOSFET | MCH3475-TL-W | 连续漏极电流Id:1.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:88pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:180m Ohms@900mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-SMD 封装/外壳:MCPH FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.8A | |
| 通用三极管 | BC847RAPNZ | 封装/外壳:DFN1412-6 功率耗散Pd:325mW FET类型:N+P-Channel 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:100MHz VEBO:6V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:1.4*1.2*0.47 | |
| 功率MOSFET | PSMN034-100BS,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:34.5mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):86W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:1201pF 输出电容:94pF 连续漏极电流Id:32A | |
| 通用MOSFET | STS1DN45K3 | 系列:SuperMESH3™ FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:500mA Rds On(Max)@Id,Vgs:3.8 Ohms@500mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.3W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:450V 连续漏极电流Id:0.5A | |
| 功率MOSFET | BTS244Z E3062A | 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:130nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2660pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):170W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13mΩ@19A,10V 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-5-2 | |
| 通用MOSFET | SIHF18N50D-E3 | 连续漏极电流Id:18A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:280 mOhms @ 9A,10V Vgs(th):5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):39W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:500V | |
| 通用晶闸管 | TZ430N20KOF | SCR 数，二极管:1 SCR 电压 - 断态:2KV 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:669A 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1050A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:2.2V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:250mA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:14000A @ 50Hz 电流 - 保持（Ih）（最大值）:300mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:BG-PB501-1 | |
| 功率MOSFET | BUK964R2-60E,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4.2mΩ@5V,3.9mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):263W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:8533pF 输出电容:703pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | FDBL0150N80 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:300A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:188nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12800pF @ 25V 功率:429W(Tj) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4 毫欧 @ 80A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerSFN | |
| 功率MOSFET | FCD850N80Z | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 600µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1315pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):75W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:850mΩ@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 功率MOSFET | FCD1300N80Z | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 400µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:880pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3Ω@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 通用MOSFET | EFC4627R-TR | FET类型:2N-Channel 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13.4nC @ 4.5V Pd-功率耗散(Max):1.4W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:4-EFCP (1.01x1.01) FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:6A | |
| 通用MOSFET | ECH8690-TL-H | 连续漏极电流Id:4.7A,3.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:55m Ohms@2A,10V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:955pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):1.5W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-ECH 封装/外壳:SOT-28FL FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.7A/3.5A | |
| 通用MOSFET | CPH6442-TL-W | 连续漏极电流Id:6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1040pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:43m Ohms@3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:CPH FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:6A | |
| 通用MOSFET | CPH6445-TL-W | 连续漏极电流Id:3.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:310pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:117m Ohms@1.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:CPH FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.5A | |
| 通用MOSFET | CPH6354-TL-W | 连续漏极电流Id:4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@2A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:CPH FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4A | |
| 通用MOSFET | CPH3356-TL-W | 连续漏极电流Id:2.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.3nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:137m Ohms@1A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:CPH FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A | |
| 通用MOSFET | CPH3351-TL-W | 连续漏极电流Id:1.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:262pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@1A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:CPH FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.8A | |
| 通用三极管 | BCX71J | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:550mV @ 1.25mA,50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 2mA,5V 功率:7/20W 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 通用三极管 | BCX70G | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:550mV @ 1.25mA,50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA,5V 功率:7/20W 频率 - 跃迁:125MHz 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 通用MOSFET | BBL4001-1E | 连续漏极电流Id:74A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:135nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6900pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),35W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.1m Ohms@37A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:74A | |
| 功率MOSFET | AOWF11S65 | 封装/外壳:TO-262F FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:650V 栅极电压Vgs:30V 连续漏极电流Id:11A Pd-功率耗散(Max):28W Rds On(Max)@Id,Vgs:399mΩ@10V VGS(th):4 Ciss(pF):646 Coss(pF):42 Crss(pF):1.1 Qg*(nC):13.2* Qgd(nC):4.3 Td(on)(ns):25 Td(off)(ns):77 Trr(ns):278 Qrr(nC):4200 | |
| 小信号MOSFET | 6HP04CH-TL-W | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:24.1pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2 欧姆 @ 190mA,10V 工作温度:150°C(TJ) FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:370mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 封装/外壳:3-CPH | |
| 通用MOSFET | 5LN01C-TB-E | 连续漏极电流Id:100mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.57nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6.6pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):250mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.8 Ohms@50mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:CP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.1A | |
| 通用MOSFET | 2SK3747-1E | 连续漏极电流Id:2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:380pF @ 30V 栅极电压Vgs:±35V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13 Ohms@1A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-94 封装/外壳:TO-3PF FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1500V 连续漏极电流Id:2A | |
| SCR(可控硅) | VS-16RIA120S90 | SCR类型:标准恢复型 封装/外壳:TO-208AA,TO-48-3,接线柱 工作温度:-65°C ~ 125°C 电压-断态:1.2kV 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):2V 电压-通态(Vtm)(最大值):1.75V 电流-保持(Ih)(最大值):130mA 电流-断态(最大值):10mA 电流-栅极触发(Igt)(最大值):60mA 电流-通态(It(AV))(最大值):16A 电流-通态(It(RMS))(最大值):35A 电流-非重复浪涌50、60Hz(Itsm):285A,300A | |
| 通用三极管 | 2SA2127-AE | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 50mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA,2V 功率:1W 频率-跃迁:420MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-MP 封装/外壳:Case FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 通用MOSFET | SIHP5N50D-GE3 | 连续漏极电流Id:5.3A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5 Ohms @ 2.5A,10V Vgs(th):5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):104W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:500V | |
| SCR(可控硅) | S601ERP | ||
| 通用MOSFET | SI4622DY-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:8A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:16 mOhms @ 9.6A,10V Vgs(th):2.5V @ 1mA Pd-功率耗散(Max):3.3W,3.1W 封装/外壳:8-SOIC 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | STB85NF55LT4 | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:110nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4050pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:80A | |
| IGBT模块 | FZ2400R12HE4PB9HPSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):150nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,2400A 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):2400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:全桥 | |
| 小信号MOSFET | PMZB950UPELYL | 封装/外壳:SOT883B FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2200mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.7V,8V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:43pF 输出电容:14pF 连续漏极电流Id:-0.5A | |
| 通用三极管 | PUMD17,115 | 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:300mW FET类型:N+P-Channel 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:60 VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.1*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PUMH15,115 | 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:300mW FET类型:NPN/NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:30 特征频率fT:230MHz VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.1*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PUMD3,165 | 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:300mW FET类型:N+P-Channel 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:30 特征频率fT:230MHz,180MHz VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.1*1.25*0.95 | |
| 功率MOSFET | PSMN7R8-100PSEQ | 封装/外壳:SOT78 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:7.8mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):294W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:7110pF 输出电容:450pF 连续漏极电流Id:100A |