IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | CPC3703CTR | IXYS | 连续漏极电流Id:360mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:0V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V FET类型:耗尽模式 Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4 Ohms@200mA,0V 工作温度:-55°C~125°C(TA) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V |
| 通用MOSFET | SUD23N06-31-T4-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:21.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:670pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):5.7W(Ta),31.25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:31m Ohms@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:TO-252-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:9.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:31mΩ |
| 小信号MOSFET | RHP030N03T100 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ@3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3A |
| 通用三极管 | PBLS4001Y,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率:3/10W 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:30 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极-射极电阻:440mOhms 集电极-射极饱和电压:-350mV,-150mV |
| 通用三极管 | NE85639-T1-R27-A | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:12V 频率-跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率:1/5W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA,10V 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-143 |
| 通用三极管 | NE681M03-T1-A | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:10V 频率-跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz 功率:1/8W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 7mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:M03 |
| 功率MOSFET | SPP12N50C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 配置:Single Pd-功率耗散(Max):125W 高度:15.65mm 长度:10mm 系列:CoolMOSC3 宽度:4.4mm 下降时间:8ns 上升时间:8ns 典型关闭延迟时间:45ns 典型接通延迟时间:10ns Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:11.6A 封装/外壳:TO-220 Rth:1.0K/W QG:49.0nC Budgetary Price €/1k:0.82 Ptot max:125.0W FET类型:N-Channel RthJA max:62.0K/W 栅极电压Vgs:2.1V,3.9V 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SPD07N60S5 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 350µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:970pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@4.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3 |
| 功率MOSFET | SPD07N20 G | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel Qg-栅极电荷:31.5nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):40W 高度:2.3mm 长度:6.5mm 系列:SPD07N20 宽度:6.22mm 正向跨导 - 最小值:3S 下降时间:30ns 上升时间:40ns 典型关闭延迟时间:55ns 典型接通延迟时间:10ns Moisture Level:1 Ohms Rds On(Max)@Id,Vgs:400mΩ 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:7A QG (typ @10V):21.0 nC 封装/外壳:DPAK (TO-252) Rth:3.1 K/W Budgetary Price €/1k:0.32 Ptot max:40.0W FET类型:N-Channel Coss:85.0 pF Ciss:400.0pF 栅极电压Vgs:3V,2.1V,4V 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SPD04N60S5 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 200µA 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:950mΩ@2.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22.9nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:580pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD02N60C3 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms Rds On(Max)@Id,Vgs:2700mΩ 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:1.8A RthJC max:5.0 K/W QG (typ @10V):9.5 nC 封装/外壳:DPAK (TO-252) Budgetary Price €/1k:0.31 Ptot max:25.0W FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:2.1V,3.9V Mounting:SMT |
| 功率MOSFET | SPD02N50C3 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:1.8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 80µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω@1.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD01N60C3 | Infineon(英飞凌) | Rds On(Max)@Id,Vgs:6000mΩ 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:0.8A RthJC max:11.0 K/W QG (typ @10V):3.9 nC 封装/外壳:DPAK (TO-252) Budgetary Price €/1k:0.3 Ptot max:11.0W FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:2.1V,3.9V Mounting:SMT |
| 功率MOSFET | SPB16N50C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:16A Rds On(Max)@Id,Vgs:280mΩ 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):160W 高度:4.4mm 长度:10mm 系列:CoolMOSC3 FET类型:N-Channel 宽度:9.25mm 下降时间:8ns 典型关闭延迟时间:50ns 典型接通延迟时间:10ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SPB12N50C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:11.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):125W 高度:4.4mm 长度:10mm 系列:CoolMOSC3 FET类型:N-Channel 宽度:9.25mm 下降时间:8ns 典型关闭延迟时间:45ns 典型接通延迟时间:10ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SPB04N60S5 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:950mΩ 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):50W 高度:4.4mm 长度:10mm 系列:CoolMOSS5 FET类型:N-Channel 宽度:9.25mm 下降时间:15ns 上升时间:30ns 典型关闭延迟时间:60ns 典型接通延迟时间:55ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SPB03N60C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:3.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4Ω 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):38W 高度:4.4mm 长度:10mm 系列:CoolMOSC3 FET类型:N-Channel 宽度:9.25mm 下降时间:12ns 上升时间:3ns 典型关闭延迟时间:64ns 典型接通延迟时间:7ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用三极管 | 2N4126 | Central(中央半导体) | 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA,1V 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:200mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:25V 电流放大倍数最小值hFE_Min:120 电流放大倍数最大值hFE_Max:360 |
| 通用三极管 | 2N6729 | Central(中央半导体) | |
| 通用三极管 | CEN-U05 | Central(中央半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:350mV @ 25mA,250mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 500mA,1V 功率:1.75W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-202 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | 2N6028 | Central(中央半导体) | 电压:40V 功率:3/10W 电压-输出:6V 电压-偏移（Vt）:600mV 电流-栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流-谷值（Iv）:25µA 电流-峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
| 通用三极管 | 2N1711 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压-集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA,150mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:4/5W 频率-跃迁:70MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | 2N2369A | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压-集射极击穿（最大值）:15V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:400nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA,350mV 功率:0.36W 频率-跃迁:500MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | CMUT5087E TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):100mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):50V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:225mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:390 @ 100µA,5V Power-Max:350mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 |
| 通用三极管 | CMPF5485 TR | Central(中央半导体) | FET类型:N-Channel 电压-击穿（V（BR）GSS）:25V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:4mA @ 15V 漏极电流（Id）-最大值:30mA 不同Id时的电压-截止（VGS关）:500mV @ 10nA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5pF @ 15V 功率:7/20W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CMPT918 TR | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:600MHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:11dB 功率:7/20W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 3mA,1V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CMPTA56 TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):500mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA,1V Power-Max:350mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CMPTA46 TR | Central(中央半导体) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):500mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):450V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA,10V Power-Max:350mW 频率-跃迁:20MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CXT5551 TR | Central(中央半导体) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):160V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:200mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA,5V Power-Max:1.2W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 |
| 通用MOSFET | CMUDM8005 TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:650mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:100pF @ 16V 栅极电压Vgs:8V Pd-功率耗散(Max):300mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:360m Ohms@350mA,4.5V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 |
| 通用三极管 | CMPT2907A TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V Power-Max:350mW 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CZT2907A TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V Power-Max:2W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | MPSA14 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:1.2A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:5/8W 频率-跃迁:125MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电流放大倍数最小值hFE_Min:20000 |
| 通用三极管 | B512F-2T | CRYDOM | SCR数，二极管:2 SCRs,2 个二极管 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:2.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:60mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | F1827HD1600 | CRYDOM | SCR数，二极管:1 SCR,1 个二极管 电压-断态:1600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | F1892HD1600 | CRYDOM | SCR数，二极管:1 SCR,1 个二极管 电压-断态:1600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:90A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:1950A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | F1842HD1000 | CRYDOM | SCR数，二极管:1 SCR,1 个二极管 电压-断态:1000V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:1000A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | M505012F | CRYDOM | SCR数，二极管:2 SCRs,2 个二极管 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:50A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:600A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | 2N6507G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流-通态（It（AV））（最大值）:16A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电流-保持（Ih）（最大值）:40mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A @ 60Hz SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | 2N6394TG | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:50V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:100A @ 60Hz SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | 2N6397G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:100A @ 60Hz SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | 2N6507TG | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流-通态（It（AV））（最大值）:16A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电流-保持（Ih）（最大值）:40mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A @ 60Hz SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用MOSFET | BLF647,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS(双),共源 频率:600MHz 增益:14.5dB 电压-测试:28V 额定电流:18A 功率-输出:120W 电压:65V 封装/外壳:LDMOST |
| 通用MOSFET | BLF888A,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS(双),共源 频率:860MHz 增益:21dB 电压-测试:50V 电流-测试:1.3A 功率-输出:600W 电压:110V 封装/外壳:SOT539A |
| 通用MOSFET | BLF878,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS(双),共源 频率:860MHz 增益:21dB 电压-测试:40V 电流-测试:1.4A 功率-输出:300W 电压:89V 封装/外壳:CDFM2 |
| 通用MOSFET | BLF404,115 | AMPLEON | FET类型:N通道 频率:500MHz 增益:11.5dB 电压-测试:12.5V 额定电流:1.5A 电流-测试:50mA 功率-输出:4W 电压:40V 封装/外壳:8-CDIP |
| 通用MOSFET | BLF573S,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS 频率:225MHz 增益:27.2dB 电压-测试:50V 额定电流:42A 电流-测试:900mA 功率-输出:300W 电压:110V 封装/外壳:SOT502B |
| 通用MOSFET | BLF245B,112 | AMPLEON | FET类型:2N沟道(双)共源 频率:175MHz 增益:18dB 电压-测试:28V 额定电流:4.5A 电流-测试:25mA 功率-输出:30W 电压:65V 封装/外壳:CDFM4 |
| 通用MOSFET | BLF2043F,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS 频率:2.2GHz 增益:11dB 电压-测试:26V 额定电流:2.2A 电流-测试:85mA 功率-输出:10W 电压:65V 封装/外壳:SOT467C |
| 通用MOSFET | BLF574,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS(双),共源 频率:225MHz 增益:26.5dB 电压-测试:50V 额定电流:56A 电流-测试:1A 功率-输出:400W 电压:110V 封装/外壳:SOT539A |
| 通用三极管 | EC103M1 | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:12µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:510mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16A,20A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | L401E3 | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:400V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16.7A,20A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 配置:单一 工作温度:-65°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | MCR718T4G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:75µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流-通态（It（AV））（最大值）:2.6A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:25A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:DPAK-3 |
| 通用三极管 | K2000SRP | Littelfuse(美国力特) | 电压-导通:190 ~ 215V 电流-击穿:10µA 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA Current-PeakOutput:1A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DO-214 |
| 通用三极管 | MCR08MT1G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | K1200G | Littelfuse(美国力特) | 电压-导通:110 ~ 125V 电流-击穿:10µA 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA 电流-峰值输出:1A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DO-15 |
| 通用三极管 | MCR72-8TG | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:100A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | K2200SRP | Littelfuse(美国力特) | 电压-导通:205 ~ 230V 电流-击穿:10µA 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA 电流-峰值输出:1A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DO-214 |
| 通用三极管 | MAC4DCNT4G | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:标准 Voltage-OffState:800V Current-OnState(It(RMS))(Max):4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:40A @ 60Hz 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DPAK-3 |
| 通用三极管 | MCR08MT1G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | NYC0102BLT1G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:200V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:250mA 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:7A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) |
| 通用MOSFET | NGB8245NT4G | Littelfuse(美国力特) | 电压-集射极击穿（最大值）:500V 电流-集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流-集电极(Icm):50A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 4V,15A Pd-功率耗散(Max):150W 输入类型:逻辑 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用MOSFET | NE3517S03-T1C-A | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:HFET 频率:20GHz 增益:13.5dB 电压-测试:2V 额定电流:15mA 噪声系数:0.7dB 电流-测试:10mA 电压:4V 封装/外壳:S03 |
| 通用三极管 | NE68133-T1B-A | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:10V 频率-跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:13dB 功率:1/5W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA,8V 电流-集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | NE46134-T1-AZ | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:7dB 功率:2W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA,10V 电流-集电极（Ic）（最大值）:250mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 |
| 通用三极管 | 2N5115 | CALOGIC | 系列:军用,MIL-PRF-19500 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:60mA @ 15V 不同Id时的电压-截止（VGS关）:6V @ 1nA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 15V 电阻-RDS（开）:100 欧姆 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18(TO-206AA) |
| 通用三极管 | QK025K6TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:1000V(1KV) 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:208A,250A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-218 隔离的标片 |
| 通用三极管 | Q4025K6TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:400V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:208A,250A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-218 隔离的标片 |
| 通用三极管 | S6X8BSRP | Littelfuse(美国力特) | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:510mA Current-OnState(It(RMS))(Max):800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:3µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,10A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-89 |
| 通用三极管 | Q4016NH3RP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:400V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:167A,200A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:20mA 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-263(D2Pak) |
| 通用三极管 | Q4010L4TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:400V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:10A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:100A,120A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220 隔离的标片 |
| 通用三极管 | S6055NRP | Littelfuse(美国力特) | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:40mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流-通态（It（AV））（最大值）:35A Current-OnState(It(RMS))(Max):55A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:550A,650A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-263(D2Pak) |
| 通用三极管 | S4015LTP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:9.5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:15A 电流-保持（Ih）（最大值）:40mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:188A,225A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220 隔离的标片 |
| 通用三极管 | Q6008N5RP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:83A,100A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-263(D2Pak) |
| 通用三极管 | Q6025J6TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:208A,250A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-218X 隔离式 |
| 通用三极管 | S6025LTP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:16A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:300A,350A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220 隔离的标片 |
| 通用三极管 | S6X8TSRP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:510mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:3µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,10A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | TCR22-8RP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.5V 电流-通态（It（AV））（最大值）:950mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:2µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16A,20A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | TCR22-6 | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.5V 电流-通态（It（AV））（最大值）:950mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16A,20A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | TCR22-6RP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.5V 电流-通态（It（AV））（最大值）:950mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16A,20A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | 2N5172 | Central(中央半导体) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,10V 功率:5/8W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 封装/外壳:TO-92 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:25V 电流放大倍数最小值hFE_Min:100 电流放大倍数最大值hFE_Max:500 |
| 通用三极管 | 2N2907A | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:2/5W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | 2N2369A | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压-集射极击穿（最大值）:15V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:400nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA,350mV 功率:0.36W 频率-跃迁:500MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | 2N3416 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:50V 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 2mA,4.5V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | 2N3415 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压-集射极击穿（最大值）:25V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 3mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA,4.5V 功率:1.5W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | 2N2219A | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压-集射极击穿（最大值）:40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:4/5W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | 2N3415 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压-集射极击穿（最大值）:25V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 3mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA,4.5V 功率:1.5W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | 2N6668 | Central(中央半导体) | FET类型:PNP - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:10A 电压-集射极击穿（最大值）:80V 功率:65W 频率-跃迁:20MHz 封装/外壳:TO-220 |
| 通用三极管 | 2N4391 | Central(中央半导体) | FET类型:N-Channel 电压-击穿（V（BR）GSS）:40V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:150mA @ 20V 漏极电流（Id）-最大值:100pA 不同Id时的电压-截止（VGS关）:10V @ 1nA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:14pF @ 20V 电阻-RDS（开）:30 欧姆 功率:1.8W 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | 2N6212 | Central(中央半导体) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/461 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:2A 电压-集射极击穿（最大值）:300V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 125mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:5mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1A,5V 功率:3W 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-66(TO-213AA) |
| 通用三极管 | 2N4036 | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:1A 电压-集射极击穿（最大值）:65V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 15mA,150mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,10V 功率:1W 频率-跃迁:60MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | 2N4014 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:50V 电流-集电极截止（最大值）:1.7µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 100mA,1V 频率-跃迁:300MHz 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | 2N6027 | Central(中央半导体) | 电压:40V 功率:3/10W 电压-输出:6V 电压-偏移（Vt）:1.6V 电流-栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流-谷值（Iv）:50µA 电流-峰值:2µA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
| 通用三极管 | 2N4398 | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:30A 电压-集射极击穿（最大值）:40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:4V @ 6A,30A 电流-集电极截止（最大值）:5mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 15A,2V 功率:5W 频率-跃迁:4MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-3 |
| 通用三极管 | 2N5322 | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:2A 电压-集射极击穿（最大值）:75V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA,4V 功率:10W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | ZXTP722MATA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:2.5A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:260mV @ 200mA,1.5A 电流-集电极截止（最大值）:25nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1.5A,5V 功率:3W 频率-跃迁:180MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DFN2020B-3 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2.7A 集电极_发射极击穿电压VCEO:70V |
| 通用三极管 | ZXTP720MATA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:3A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:370mV @ 250mA,2.5A 电流-集电极截止（最大值）:25nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 1.5A,2V 功率:3W 频率-跃迁:190MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DFN2020B-3 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:3.3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | ZXTP717MATA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:4A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 150mA,4A 电流-集电极截止（最大值）:25nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2.5A,2V 功率:3W 频率-跃迁:110MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DFN2020B-3 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:12V |
| 通用三极管 | ZXTP5401GTA | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,5V Power-Max:2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:150V |
| 通用三极管 | ZXTP5401FLTA | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,5V Power-Max:330mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:150V |