IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用三极管 | BC848BE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:1/3W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 通用MOSFET | IXTA96P085T | IXYS | 系列:TrenchP™ 连续漏极电流Id:96A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V Pd-功率耗散(Max):298W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13m Ohms@48A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:TO-263AA FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:85V 连续漏极电流Id:96A |
| 通用三极管 | BCR148E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 预偏压 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 频率-跃迁:100MHz 功率:1/5W 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:47 kOhms 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 通用MOSFET | APT50M75JLLU2 | Microsemi(美高森美) | 系列:POWER MOS 7® 连续漏极电流Id:51A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:123nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5590pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):290W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:75m Ohms@25.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 封装/外壳:SOT-227 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:51A |
| 功率MOSFET | AOTL66608 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TOLLA FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:400A Pd-功率耗散(Max):500W Rds On(Max)@Id,Vgs:0.85mΩ@10V VGS(th):3.3 Ciss(pF):14200 Coss(pF):4300 Crss(pF):155 Qg*(nC):205* Qgd(nC):50 Td(on)(ns):33 Td(off)(ns):140 Trr(ns):50 Qrr(nC):265 |
| 小信号MOSFET | RSR030N06TL | ROHM(罗姆) | 系列:RSR 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:380pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:85mΩ@3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3A |
| 功率MOSFET | RQ5E035BNTCL | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:37mΩ@3.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-96 |
| 通用MOSFET | SN7002NH6433XTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:200mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 26µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.5nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:45pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):360mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3 |
| 功率MOSFET | AOD66923 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-252 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:58A Pd-功率耗散(Max):73W Rds On(Max)@Id,Vgs:11mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:15mΩ VGS(th):2.6 Ciss(pF):1725 Coss(pF):360 Crss(pF):7.5 Qg*(nC):12.5 Qgd(nC):3.5 Trr(ns):41 Qrr(nC):156 |
| 通用MOSFET | SPP07N60S5HKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 功率MOSFET | AO8801A | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TSSOP-8 FET类型:P-Channel ESD Diode:Yes Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:-20V 栅极电压Vgs:8V 连续漏极电流Id:-4.5A Pd-功率耗散(Max):1.5W Rds On(Max)@Id,Vgs:42mΩ@4.5V Rds On(Max)@2.5V:54mΩ Rds On(Max)@1.8V:68mΩ VGS(th):-0.9 Ciss(pF):751 Coss(pF):115 Crss(pF):80 Qg*(nC):9.3 Qgd(nC):22 Ohms Td(on)(ns):13 Td(off)(ns):19 Trr(ns):26 Qrr(nC):51 |
| 通用三极管 | BTA04-700TRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:700V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:40A,42A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 110°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BCR523E6433HTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:1 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 kOhms 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA,5V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:100MHz 封装/外壳:TO-236-3 封装/外壳:PG-SOT23-3 FET类型:NPN 每片芯片元件数目:1 Ohms 最大集电极-发射极电压:50 V 典型输入电阻器:1 k0hms 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:3 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-发射极饱和电压:0.0003 V 最大发射极-基极电压:5 V 典型电阻比:0.1 长度:2.9mm 高度:0.90mm 封装/外壳:2.9 x 1.3 x 0.9mm 宽度:1.3mm 最高工作温度:+150 °C |
| 通用三极管 | DSS5160V-7 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:330mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 500mA,5V Power-Max:600mW 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 封装/外壳:SOT-563 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用MOSFET | SI6423DQ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:8.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 400µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:110nC @ 5V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.05W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5m Ohms@9.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 封装/外壳:TSSOP-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:8.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5mΩ |
| 通用三极管 | JAN2N2907A | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/291 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18(TO-206AA) |
| 通用三极管 | JAN2N2905A | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/290 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:4/5W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用MOSFET | IXTH48P20P | IXYS | 系列:PolarP™ FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:48A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:103nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):462W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:85m Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247AD FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:48A |
| 通用MOSFET | IXTA120P065T | IXYS | 系列:TrenchP™ FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:185nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V Pd-功率耗散(Max):298W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10m Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:TO-263AA FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:65V 连续漏极电流Id:120A |
| 功率MOSFET | SPW11N60S5 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11A Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):125W 高度:21.1mm 长度:16.13mm 系列:CoolMOSS5 FET类型:N-Channel 宽度:5.21mm 下降时间:20ns 上升时间:35ns 典型关闭延迟时间:150ns 典型接通延迟时间:130ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SCT3022ALGC11 | ROHM(罗姆) | 系列:SCT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:93A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 18.2mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:133nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2208pF @ 500V 栅极电压Vgs:+22V,-4V Pd-功率耗散(Max):339W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:28.6mΩ@36A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 通用MOSFET | IXKR47N60C5 | IXYS | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:47A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:190nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@44A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS247™ |
| 通用三极管 | BC817K-40VL | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:775mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:250,600 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A |
| 通用三极管 | BC817K-40R | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:775mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:250,600 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A |
| 通用三极管 | L2SA1037AKQLT1G | LRC(乐山无线电) | Ic(mA):150 VCEO(V):50 hFEMin/Max:120/270 Ft(MHz):140 FET类型:P-Channel 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 功率MOSFET | PJQ5474A_R2_00001 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:DFN5060-8L 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:50mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:55mΩ@4.5V FET类型:N-Channel |
| 通用三极管 | DMC3400SDW-7 | Diodes(达尔（美台）) | 电路:SPST-NO 开关功能:关-瞬时 不同电压时的触头额定电流:0.05A @ 12VDC 致动器 PCB 高度，垂直:7.00mm 致动器方向:顶部触动 端子类型:鸥翼 外形:6.20mm x 6.20mm 照明:不发光 作用力:360gf 工作温度:-40°C ~ 85°C 致动器材料:液晶聚合物(LCP) 开关行程:0.25mm 机械寿命:200,000 次循环 FET类型:标准 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:650mA,450mA Rds On(Max)@Id,Vgs:400mΩ@590mA,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:55pF @ 15V 功率:0.31W 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 功率MOSFET | BSC040N10NS5 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TDSON-8 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:100A Rds On(Max)@Id,Vgs:4mΩ 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:58nC 配置:SingleQuadDrainTripleSource Pd-功率耗散(Max):139W 高度:1.27mm 长度:5.9mm 系列:OptiMOS5 FET类型:N-Channel 宽度:5.15mm 正向跨导 - 最小值:60S 开发套件:EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7 下降时间:10ns 上升时间:9ns 典型关闭延迟时间:32ns 典型接通延迟时间:13ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用MOSFET | IPW60R060P7 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:NA Rds On(Max)@Id,Vgs:60mΩ 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:48A 封装/外壳:TO-247 Rth:0.76K/W QG:67.0nC Ptot max:164.0W FET类型:N-Channel Qgd:20.0nC Pin Count:3.0Pins 工作温度:-55°C~150°C RthJA max:62.0K/W Mounting:THT RthJC max:0.76K/W 栅极电压Vgs:3V,4V |
| 功率MOSFET | PJA3441-AU_R1_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:88mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:108mΩ@4.5V FET类型:P-Channel |
| 功率MOSFET | VS-FC270SA20 | Vishay(威世) | 封装/外壳:SOT-227-4 配置:Single FET类型:N-Channel 下降时间:118ns 连续漏极电流Id:287A Pd-功率耗散(Max):937W Rds On(Max)@Id,Vgs:4.7mΩ 上升时间:212ns 典型关闭延迟时间:134ns 典型接通延迟时间:76ns 漏源极电压Vds:200V 栅极电压Vgs:1.8V 工作温度:-40°C~150°C |
| 功率MOSFET | SQM40031EL_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:120A Pd-功率耗散(Max):375W Qg-栅极电荷:800nC Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:30ns 下降时间:165ns 典型关闭延迟时间:250ns 典型接通延迟时间:21ns 宽度:9.65mm 封装/外壳:TO-263-3 正向跨导 - 最小值:123S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:10.67mm 高度:4.83mm 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQJ416EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:27A Pd-功率耗散(Max):45W Qg-栅极电荷:20nC Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:20ns 下降时间:20ns 典型关闭延迟时间:11ns 典型接通延迟时间:6ns 宽度:5.13mm 封装/外壳:PowerPAK-SO-8L-4 正向跨导 - 最小值:22S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:6.15mm 高度:1.04mm 工作温度:-55°C~175°C |
| 小信号MOSFET | LN4812LT1G | LRC(乐山无线电) | 漏源极电压Vds:30V Rds On(Max)@Id,Vgs:38 @VGS(V)/IDS(A):10/6.0 FET类型:N-Channel 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):225mW |
| 通用三极管 | BC847BE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:1/3W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 功率MOSFET | SISS26DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1710pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:30V Pd-功率耗散(Max):57W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5mΩ@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK®1212-8S |
| 功率MOSFET | SIHG22N60AE-GE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:96nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1451pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):179W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 功率MOSFET | BSZ086P03NS3E G | Infineon(英飞凌) | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4785pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 漏源极电压Vds:30V 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 105µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:57.5nC @ 10V 通道数量:1Channel 连续漏极电流Id:40A Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5mΩ 栅极电压Vgs:25V Qg-栅极电荷:57.5nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):69W 高度:1.10mm 长度:3.3mm 系列:OptiMOSP3 FET类型:P-Channel 正向跨导 - 最小值:30S 下降时间:8ns 上升时间:46ns 典型关闭延迟时间:35ns 典型接通延迟时间:16ns |
| 功率MOSFET | AOD2544 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-252 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:150V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:23A Pd-功率耗散(Max):75W Rds On(Max)@Id,Vgs:54mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:66mΩ VGS(th):2.7 Ciss(pF):675 Coss(pF):78 Crss(pF):4 Qg*(nC):5.5 Qgd(nC):2.5 Td(on)(ns):6 Td(off)(ns):20 Trr(ns):37 Qrr(nC):210 |
| 通用三极管 | S-LDTD143ELT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 通用三极管 | 2SC5824T100R | ROHM(罗姆) | 功率:2W 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 特征频率fT:200MHz 宽度:2.5mm FET类型:NPN 最大直流电集电极电流:3A 直流电流增益 hFE 最大值:390 直流集电极/Base Gain hfe Min:120 系列:2SC5824 配置:Single 长度:4.50mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:60V 集电极—基极电压 VCBO:60V 集电极—射极饱和电压:200V 集电极连续电流:3A 高度:1.50mm |
| 通用三极管 | S-LDTB143ELT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 功率MOSFET | BSC100N10NSF G | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:90A Rds On(Max)@Id,Vgs:10mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:44nC 配置:SingleQuadDrainTripleSource Pd-功率耗散(Max):156W 高度:1.27mm 长度:5.9mm 系列:OptiMOS2 宽度:5.15mm 正向跨导 - 最小值:61S,31S 下降时间:7ns 上升时间:23ns 典型关闭延迟时间:26ns 典型接通延迟时间:18ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | AO4443 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:SO-8 FET类型:P-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:-40V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:-6A Pd-功率耗散(Max):3.1W Rds On(Max)@Id,Vgs:42mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:63mΩ VGS(th):-2.6 Ciss(pF):940 Coss(pF):97 Crss(pF):72 Qg*(nC):8.4 Qgd(nC):4.3 Td(on)(ns):10.3 Td(off)(ns):39 Trr(ns):17 Qrr(nC):11.5 |
| 通用MOSFET | IMW120R045M1 | Infineon(英飞凌) | |
| 通用三极管 | S-LMBT3904LT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 通用三极管 | S-L2SC2412KRLT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 通用三极管 | S-LMUN2211LT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 通用三极管 | S-LMBT3906LT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 通用MOSFET | BSC090N03LSGATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:OptiMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:13A(Ta),48A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),32W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TDSON-8 封装/外壳:TDSON FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13A 漏源极电压Vds:30V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1.5nF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:15V 封装/外壳:PG-TDSON-8 |
| 功率MOSFET | AON6284A | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 5x6 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:80V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:48A Pd-功率耗散(Max):56W Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:8.5mΩ VGS(th):2.3 Ciss(pF):2540 Coss(pF):310 Crss(pF):18.5 Qg*(nC):16.5* Qgd(nC):6 Td(on)(ns):9 Td(off)(ns):23 Trr(ns):23 Qrr(nC):91 |
| 功率MOSFET | VAS03R0120PF | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:TO220 Pd-功率耗散(Max):52.1W |
| 功率MOSFET | SI7129DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3345pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),52.1W(Tc) 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:35A Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ |
| 功率MOSFET | SI7224DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:570pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):17.8W,23W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6A Rds On(Max)@Id,Vgs:27mΩ,22mΩ |
| 功率MOSFET | SUP70090E-GE3 | Vishay(威世) | 系列:ThunderFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1950pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:50A Rds On(Max)@Id,Vgs:7.4mΩ 漏源极电压Vds:2V |
| 功率MOSFET | SIHA15N60E-GE3 | Vishay(威世) | 系列:E Pd-功率耗散(Max):34W 电压:600V |
| 通用MOSFET | PJL9425_R2_00001 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOP-8 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:14mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:20mΩ@4.5V FET类型:P-Channel |
| 通用三极管 | MMBTA92-AU_R1_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 集电极-发射极最大电压VCEO:-300V 直流电流增益hFE:-10 特征频率fT:50MHz FET类型:P-Channel |
| 通用MOSFET | PJQ4464AP-AU_R2_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:DFN3333-8L 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:17mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:20mΩ@4.5V FET类型:N-Channel |
| 通用MOSFET | PJQ5876AL-AU_R2_000A1 | Panjit(强茂) | |
| 通用三极管 | L2SC3356QALT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 功率MOSFET | AOC3868 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:AlphaDFN2.7x1.81A FET类型:N-Channel ESD Diode:Yes Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:12V 栅极电压Vgs:8V 连续漏极电流Id:20A Pd-功率耗散(Max):2.5W Rds On(Max)@Id,Vgs:5mΩ@4.5V Rds On(Max)@2.5V:7mΩ VGS(th):1.1 Qg*(nC):35 |
| 通用三极管 | S-LMUN2132LT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 通用三极管 | 2SCR554P5T100 | ROHM(罗姆) | 功率:1/2W 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 特征频率fT:300MHz 封装/外壳:SC-62-3 FET类型:NPN 最大直流电集电极电流:1.5A 直流电流增益 hFE 最大值:390at100mA,3V 直流集电极/Base Gain hfe Min:120 系列:2SxR 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:80V 集电极—基极电压 VCBO:80V 集电极—射极饱和电压:100mV 集电极连续电流:1.5A 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| 功率MOSFET | SIR622DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:ThunderFET® 连续漏极电流Id:51.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31nC @ 7.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1516pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):104W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:17.7mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK®SO-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V |
| 通用MOSFET | SI3127DV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 宽度:1.65mm 封装/外壳:TSOP-6 系列:SI3 长度:3.05mm 高度:1.10mm |
| 通用三极管 | 2SAR573D3TL1 | ROHM(罗姆) | 功率:10W 发射极 - 基极电压 VEBO:-6V 特征频率fT:300MHz 封装/外壳:TO-252 FET类型:P-Channel 最大直流电集电极电流:-3A 直流电流增益 hFE 最大值:450 直流集电极/Base Gain hfe Min:180 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:-50V 集电极—基极电压 VCBO:-50V 集电极—射极饱和电压:-200mV 集电极连续电流:-3A |
| 功率MOSFET | SI3476DV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:195pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),3.6W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOP-6 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ 漏源极电压Vds:3V |
| 功率MOSFET | PJQ5476AL-AU_R2_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:DFN5060-8L 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:25mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:28.5mΩ@4.5V FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | SQD30N05-20L_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:30A Pd-功率耗散(Max):50W Qg-栅极电荷:18nC Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ 漏源极电压Vds:55V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:10ns 下降时间:5ns 典型关闭延迟时间:18ns 典型接通延迟时间:7ns 封装/外壳:TO-252-3 正向跨导 - 最小值:34S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SIR664DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:60A Pd-功率耗散(Max):50W Qg-栅极电荷:26nC Rds On(Max)@Id,Vgs:6mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1.3V 上升时间:12ns 下降时间:7ns 典型关闭延迟时间:24ns 典型接通延迟时间:10ns 封装/外壳:PowerPAK-SO-8 正向跨导 - 最小值:70S 系列:SIR 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SI7463ADP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:144nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4150pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):5W(Ta),39W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10mΩ@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:16.6A |
| 功率MOSFET | SIJ494DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:ThunderFET® FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:36.8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1070pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):69.4W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:23.2mΩ@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK®SO-8 |
| 功率MOSFET | AO4629 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:SO-8 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:6A Pd-功率耗散(Max):2W Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:42mΩ VGS(th):2.4 Ciss(pF):250 Coss(pF):45 Crss(pF):35 Qg*(nC):2.55 Qgd(nC):1.3 Td(on)(ns):4.5 Td(off)(ns):14.5 Trr(ns):8.5 Qrr(nC):2.2 |
| 通用三极管 | 2SAR533P5T100 | ROHM(罗姆) | 功率:1/2W 发射极 - 基极电压 VEBO:-6V 特征频率fT:300MHz 封装/外壳:SC-62-3 FET类型:P-Channel 最大直流电集电极电流:-3A 直流电流增益 hFE 最大值:450at-50mA,-3V 直流集电极/Base Gain hfe Min:180at-50mA,-3V 系列:2SxR 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:-50V 集电极—基极电压 VCBO:-50V 集电极—射极饱和电压:-200mV 集电极连续电流:-3A 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| 通用三极管 | MMBT3906-AU_R1_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 直流电流增益hFE:-1 特征频率fT:250MHz FET类型:P-Channel |
| 通用三极管 | MMBT3904-AU_R1_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 直流电流增益hFE:1 特征频率fT:300MHz FET类型:NPN |
| 功率MOSFET | SQ3469EV-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:8A Pd-功率耗散(Max):5W Qg-栅极电荷:27nC Rds On(Max)@Id,Vgs:29mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:10ns 下降时间:10ns 典型关闭延迟时间:32ns 典型接通延迟时间:13ns 封装/外壳:TSOP-6 正向跨导 - 最小值:12S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 通用三极管 | DMN1006UCA6-7 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2360pF @ 6V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-SMD,无引线 连续漏极电流Id:16.6A 功率:2.4W Qg-栅极电荷:35.2nC,35.2nC Rds On(Max)@Id,Vgs:5mΩ 漏源极电压Vds:12V 栅极电压Vgs:500mV 上升时间:1447ns,1447ns 下降时间:3812ns,3812ns 典型关闭延迟时间:2736ns,2736ns 典型接通延迟时间:615ns,615ns 通道数量:2Channel FET类型:Enhancement 配置:Dual |
| 功率MOSFET | AOD4184L | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO252 Pd-功率耗散(Max):50W |
| 通用MOSFET | 2N7002K-AU_R1_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:3000mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:4000mΩ@4.5V FET类型:N-Channel |
| 通用三极管 | BCX56-AU_R1_000A1 | Panjit(强茂) | |
| 功率MOSFET | VAM3400T | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1.25W |
| 功率MOSFET | VAT2301AT | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1.25W |
| 功率MOSFET | VAT3401AT | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1.4W |
| 通用MOSFET | IPA041N04NGXKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:OptiMOS™ 连续漏极电流Id:70A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 45µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:56nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4500pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):35W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.1m Ohms@70A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:70A 漏源极电压Vds:40V 封装/外壳:PG-TO220-FP |
| 功率MOSFET | AON7516 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 3x3 EP FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:30A Pd-功率耗散(Max):25W Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:6.8mΩ VGS(th):2.2 Ciss(pF):1229 Coss(pF):526 Crss(pF):83 Qg*(nC):12 Qgd(nC):5.5 Td(on)(ns):7 Td(off)(ns):24 Trr(ns):12.6 Qrr(nC):15.2 |
| 功率MOSFET | SIHG22N60AEL-GE3 | Vishay(威世) | 封装/外壳:TO-247AC-3 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:21A Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:41nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):208W 系列:EL FET类型:N-Channel 正向跨导 - 最小值:16S 下降时间:28ns 上升时间:24ns 典型关闭延迟时间:86ns 典型接通延迟时间:27ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | AONS66612 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 5x6 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:100A Pd-功率耗散(Max):208W Rds On(Max)@Id,Vgs:1.65mΩ@10V VGS(th):3.5 Ciss(pF):5300 Coss(pF):1500 Crss(pF):50 Qg*(nC):78 Qgd(nC):20 Trr(ns):30 Qrr(nC):135 |
| 功率MOSFET | AONS66916 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 5x6 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:100A Pd-功率耗散(Max):215W Rds On(Max)@Id,Vgs:3.6mΩ@10V VGS(th):3.6 Ciss(pF):5325 Coss(pF):1240 Crss(pF):16 Qg*(nC):67* Qgd(nC):9 Trr(ns):42 Qrr(nC):215 |
| 小信号MOSFET | L2N7002KDW1T1G | LRC(乐山无线电) | 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:2300 @VGS(V)/IDS(A):10/0.5 FET类型:N-Channel(ESD) 封装/外壳:SC88 Pd-功率耗散(Max):380mW |
| 功率MOSFET | VAM3400AT | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1W |
| 功率MOSFET | LP4435T1G | LRC(乐山无线电) | 漏源极电压Vds:30V Rds On(Max)@Id,Vgs:37 @VGS(V)/IDS(A):4.5/6 FET类型:P-Channel 封装/外壳:SOP8 Pd-功率耗散(Max):1W |
| 通用三极管 | LBC817-25DPMT1G | LRC(乐山无线电) | Ic(mA):500 VCEO(V):45 hFEMin/Max:160/400 Ft(MHz):100 FET类型:H 封装/外壳:SOT23-6 功率:0.225W |
| 功率MOSFET | IPA90R1K2C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:5.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:940mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:28nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):31W 高度:16.15mm 长度:10.65mm 系列:CoolMOSC3 FET类型:N-Channel 宽度:4.85mm 下降时间:40ns 上升时间:20ns 典型关闭延迟时间:400ns 典型接通延迟时间:70ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | IPA90R800C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:6.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:800mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:42nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):33W 高度:16.15mm 长度:10.65mm 系列:CoolMOSC3 FET类型:N-Channel 宽度:4.85mm 下降时间:32ns 上升时间:20ns 典型关闭延迟时间:400ns 典型接通延迟时间:70ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用三极管 | LMBT6517LT1G | LRC(乐山无线电) | Ic(mA):500 VCEO(V):350 hFEMin/Max:30/200 Ft(MHz):40 FET类型:NPN 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |
| 小信号MOSFET | VAM2N7002T | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):0.35W |
| 功率MOSFET | SIR484DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:830pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.9W(Ta),29.8W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:20A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.5mΩ |
| 通用三极管 | S-LMUN2111LT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT23 功率:0.225W |