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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | IPD60R360P7S | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:3 Rds On(Max)@Id,Vgs:360mΩ 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:9A 封装/外壳:DPAK (TO-252) Rth:3.04K/W QG:13.0nC Ptot max:41.0W FET类型:N-Channel Qgd:4.0nC Pin Count:3.0Pins 工作温度:-40°C~150°C RthJA max:62.0K/W Mounting:SMT RthJC max:3.04K/W 栅极电压Vgs:3V,4V |
| 功率MOSFET | IRFB3207ZPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 150µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:170nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6920pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.1mΩ@75A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:170A 漏源极电压Vds:75V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:170nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6920pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:50V 封装/外壳:TO-220AB |
| 功率MOSFET | VAT3461 | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1.56W |
| 功率MOSFET | SUM10250E-GE3 | Vishay(威世) | 系列:ThunderFET® FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:63.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:88nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3002pF @ 125V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:31mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
| 通用MOSFET | DMG6301UDW-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:240mA Rds On(Max)@Id,Vgs:4Ω@400mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.36nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:27.9pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):300mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:0.24A |
| 通用MOSFET | DMG4468LFG-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.62A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.85nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:867pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):990mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:15m Ohms@11.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerUDFN 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7.62A |
| 小信号MOSFET | DMG3414U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:829.9pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:4.2A Pd-功率耗散(Max):780mW Qg-栅极电荷:9.6nC Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:500mV 上升时间:8.3ns 下降时间:9.6ns 典型关闭延迟时间:40.1ns 典型接通延迟时间:8.1ns 系列:DMG3414 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | IPA50R190CE | Infineon(英飞凌) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:13V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 510µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:47.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1137pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):32W(Tc) Moisture Level:NA Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:18.5A 封装/外壳:TO-220 FullPAK Rth:3.9K/W QG:47.2nC Budgetary Price €/1k:0.62 工作温度:-55.0°C Ptot max:32.0W FET类型:N-Channel Pin Count:3.0Pins RthJA max:80.0K/W Mounting:THT RthJC max:3.9K/W 栅极电压Vgs:2.5V,3.5V |
| 小信号MOSFET | DMG3401LSN-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1326pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-59 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.7A |
| 通用MOSFET | IPW60R099P7 | Infineon(英飞凌) | Rds On(Max)@Id,Vgs:99mΩ 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:34A 封装/外壳:TO-247 Rth:1.07K/W QG:45.0nC Ptot max:117.0W FET类型:N-Channel Qgd:13.0nC Pin Count:3.0Pins 工作温度:-55°C~150°C RthJA max:62.0K/W Mounting:THT RthJC max:1.07K/W 栅极电压Vgs:3V,4V |
| 通用MOSFET | DMG3402L-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:464pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:52m Ohms@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4A |
| 小信号MOSFET | DMG1013T-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.622nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:59.76pF @ 16V 栅极电压Vgs:±6V Pd-功率耗散(Max):270mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:700mΩ@350mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.46A |
| 通用MOSFET | DMG2301LK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:156pF @ 6V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):840mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:160m Ohms@1A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 功率MOSFET | DMN3016LK3-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1415pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:12.4A |
| 小信号MOSFET | DMN3016LFDE-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1415pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10A |
| 通用MOSFET | DMG4496SSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:10A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:493.5pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.42W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:21.5mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10A |
| 通用MOSFET | DMN33D8LT-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:115mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.55nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:48pF @ 5V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):240mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:5 Ohms@10mA,4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.115A |
| 通用三极管 | LMUN5211DW1T1G | LRC(乐山无线电) | Ic(mA):100? VCEO(V):50? hFEMin:35 R1(KΩ):10 R2(KΩ):10 FET类型:A 封装/外壳:SC88 功率:0.385W |
| 通用三极管 | DMB53D0UDW-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:NPN,N 通道 电压:45VNPN,50VN通道 额定电流:100mA PNP,160mA N 通道 封装/外壳:SOT-363 |
| 小信号MOSFET | LBSS139DW1T1G | LRC(乐山无线电) | 漏源极电压Vds:50V 栅极电压Vgs:0.5V Rds On(Max)@Id,Vgs:3500 @VGS(V)/IDS(A):5/0.2 FET类型:N-Channel(ESD) 封装/外壳:SC88 Pd-功率耗散(Max):0.38W |
| 通用MOSFET | DMN63D8LDW-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:220mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.8Ω@250mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:870nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:22pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):300mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.26A |
| 通用MOSFET | DMN2600UFB-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.85nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:70.13pF @ 15V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350m Ohms@200mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-uFDFN 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:1.3A |
| 通用三极管 | DMMT5551-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:200mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:200mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:160V |
| 通用MOSFET | DMN10H220L-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:401pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):1.3W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:220mΩ@1.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A |
| 小信号MOSFET | DMP2200UDW-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:184pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 连续漏极电流Id:900mA Pd-功率耗散(Max):600mW Qg-栅极电荷:2.1nC Rds On(Max)@Id,Vgs:260mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:400mV 上升时间:88ns 下降时间:45ns 典型关闭延迟时间:24.4ns 典型接通延迟时间:9.8ns 系列:DMP2200 通道数量:2Channel 配置:Dual |
| 小信号MOSFET | DMN2014LHAB-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:13mΩ@4A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1550pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):800mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:9A |
| 功率MOSFET | DMP2022LSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:56.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2444pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOP 连续漏极电流Id:10A Pd-功率耗散(Max):2.5W Qg-栅极电荷:56.9nC Rds On(Max)@Id,Vgs:13mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:600mV 上升时间:9.9ns 下降时间:76.5ns 典型关闭延迟时间:108ns 典型接通延迟时间:7.5ns 宽度:4.1mm 正向跨导 - 最小值:28S 系列:DMP2022 通道数量:1Channel 配置:SingleQuadDrainTripleSource 长度:5.3mm 高度:1.50mm |
| 小信号MOSFET | DMN3023L-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:873pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 通用MOSFET | DMP22D4UFA-7B | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:330mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:28.7pF @ 15V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):400mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.9 Ohms@100mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-XFDFN 封装/外壳:X2-DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.33A |
| 通用MOSFET | DMN4020LFDE-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1060pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):660mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-UDFN 封装/外壳:UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:8A |
| 通用MOSFET | DMP4025SFG-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.65A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1643pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):810mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:PowerDI FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:7.2A |
| 通用MOSFET | DMP2066UFDE-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:6.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1537pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):660mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:36m Ohms@4.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-UDFN 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6.2A |
| 通用MOSFET | DMN65D8LFB-7B | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:260mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):430mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω@115mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-uFDFN 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.4A |
| 通用MOSFET | DMP2066LSN-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:820pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@4.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SC-59 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.6A |
| 通用MOSFET | DMP2104V-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:860mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:320pF @ 16V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):850mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ@950mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 封装/外壳:SOT-563 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.9A |
| 功率MOSFET | DMNH6012LK3-13 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1926pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ@25A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-5,Dpak,TO-252AD |
| 通用MOSFET | DMN3018SSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:697pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:21m Ohms@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7.3A |
| 功率MOSFET | DMP3010LK3-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:59.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6234pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.7W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:17A |
| 通用MOSFET | DMP2066LDM-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:820pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@4.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.6A |
| 通用MOSFET | DMN2005LP4K-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:200mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:41pF @ 3V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):400mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5Ω@10mA,4V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-XFDFN 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.3A |
| 通用MOSFET | DMP2100U-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:216pF @ 15V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:38m Ohms@3.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.3A |
| 通用MOSFET | DMP3030SN-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:700mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@400mA,10V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SC-59 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.7A |
| 小信号MOSFET | DMN66D0LDW-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω@115mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:23pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):250mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.115A |
| 通用MOSFET | DMP3099L-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:563pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.08W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:65m Ohms@3.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.8A |
| 通用MOSFET | DMTH10H015LPS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:7.3A(Ta),44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1871pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.3W(Ta),46W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 功率MOSFET | DMP2305U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 配置:Single 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:727pF @ 20V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:4.2A Pd-功率耗散(Max):1.4W Qg-栅极电荷:7.6nC Rds On(Max)@Id,Vgs:60mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:500mV 上升时间:13ns 下降时间:23.2ns 典型关闭延迟时间:53.8ns 典型接通延迟时间:14ns 宽度:1.3mm FET类型:P-Channel 系列:DMP2305 通道数量:1Channel 长度:2.9mm 高度:1mm |
| 通用MOSFET | DMP3030SN-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:700mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@400mA,10V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SC-59 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.7A |
| 功率MOSFET | DMP6050SFG-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1293pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.8A |
| 通用MOSFET | DMP3025LK3-13-01 | Diodes(达尔（美台）) | 工作温度:-55°C~150°C(TJ) |
| 小信号MOSFET | DMP2200UDW-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:184pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 连续漏极电流Id:900mA Pd-功率耗散(Max):600mW Qg-栅极电荷:2.1nC Rds On(Max)@Id,Vgs:260mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:400mV 上升时间:88ns 下降时间:45ns 典型关闭延迟时间:24.4ns 典型接通延迟时间:9.8ns 系列:DMP2200 通道数量:2Channel 配置:Dual |
| 通用MOSFET | DMT3003LFG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:22A(Ta),100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2370pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.4W(Ta),62W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.2m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V |
| 功率MOSFET | DMP3056L-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:642pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:4.3A Pd-功率耗散(Max):1.38W Qg-栅极电荷:5.8nC Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:4.7ns 下降时间:18.2ns 典型关闭延迟时间:35.2ns 典型接通延迟时间:4.9ns 系列:DMP3056 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 通用MOSFET | DMP6110SVT-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:969pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:TSOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.3A |
| 通用MOSFET | DMTH6010LPSQ-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:13.5A(Ta),100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2090pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.6W(Ta),136W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:PowerDI FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13.5A |
| 通用三极管 | DNLS350E-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:290mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 2A,2V 功率:1W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DN350T05-7 | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 50mA,10V 功率:3/10W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:350V |
| 通用三极管 | DXT458P5-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:300mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 6mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA,10V 功率:2.8W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI™ 5 封装/外壳:PowerDI FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| 通用三极管 | FCX690BTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 5mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 1A,2V Power-Max:2W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | DSS4320T-7 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:310mV @ 300mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 1A,2V Power-Max:600mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:20V |
| 通用三极管 | DZT491-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA,5V Power-Max:1W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | DPLS160-7 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:330mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 500mA,5V 频率-跃迁:220MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V 功率:3/10W 发射极 - 基极电压 VEBO:-5V 特征频率fT:220MHz 宽度:1.4mm FET类型:P-Channel 最大直流电集电极电流:-2A 系列:DPLS160 配置:Single 长度:3mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:-60V 集电极—基极电压 VCBO:-80V 集电极—射极饱和电压:-330mV 高度:1.10mm |
| 通用MOSFET | IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ CFD7 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:807pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280 毫欧 @ 3.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 180µA 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用三极管 | DSS20201L-7 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:100mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA,2V 功率:3/5W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:20V |
| 通用三极管 | FMMT495TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 250mA,10V Power-Max:500mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:150V |
| 通用三极管 | FMMT555TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 300mA,10V 功率:1/2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:150V |
| 通用三极管 | DSS5540X-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:375mV @ 500mA,5A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 2A,2V 功率:9/10W 频率-跃迁:60MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | DSS4540X-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:355mV @ 500mA,5A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 2A,2V Power-Max:900mW 频率-跃迁:70MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | DSS5220V-7 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:390mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:155 @ 1A,2V 功率:3/5W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:20V |
| 通用三极管 | FCX1053ATA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:440mV @ 200mA,4.5A 电流-集电极截止（最大值）:10nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 500mA,2V Power-Max:2W 频率-跃迁:140MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:75V |
| 通用三极管 | FCX591ATA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100mA,5V 功率:1W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | FCX458TA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:225mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 6mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA,10V 功率:1W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.225A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| 通用三极管 | FCX591ATA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100mA,5V 功率:1W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | FCX558TA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:200mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 6mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA,10V 功率:1W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| 通用三极管 | FCX458TA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:225mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 6mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA,10V 功率:1W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.225A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| 通用三极管 | DZT2907A-13 | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:1W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | FCX690BTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 5mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 1A,2V Power-Max:2W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | FMMT720TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:330mV @ 100mA,1.5A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100mA,2V 功率:5/8W 频率-跃迁:190MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | FMMT734TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:PNP - 达林顿 Current-Collector(Ic)(Max):800mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.05V @ 5mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:200nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V Power-Max:625mW 频率-跃迁:140MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 通用三极管 | FMMT451TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:350mV @ 15mA,150mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 150mA,10V Power-Max:500mW 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | FZT1049ATA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:330mV @ 50mA,5A 电流-集电极截止（最大值）:10nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 1A,2V Power-Max:2.5W 频率-跃迁:180MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:25V |
| 通用三极管 | FZT600BTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.2V @ 10mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:10µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 500mA,10V 功率:2W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:140V |
| 通用三极管 | FMMT619TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:220mV @ 50mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1A,2V Power-Max:625mW 频率-跃迁:165MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | FMMTA06TA | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA,1V Power-Max:330mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | FZT688BTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 50mA,4A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 3A,2V Power-Max:2W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:12V |
| 通用三极管 | FZT949TA | Diodes(达尔（美台）) | 系列:FZT 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:440mV @ 500mA,5.5A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A,1V 功率:3W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:5.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 通用三极管 | FMMT491TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA,5V Power-Max:500mW 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | FMMT38CTA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:300mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.25V @ 8mA,800mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 100mA,5V 功率:1/3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | FZT705TC | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.5V @ 2mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:10µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:3000 @ 1A,5V 功率:2W 频率-跃迁:160MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:120V |
| 通用三极管 | FZT749TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 300mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A,2V 功率:2W 频率-跃迁:160MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:25V |
| 通用三极管 | MMBT6427-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 500µA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V Power-Max:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | MMST2222A-7-F | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V Power-Max:200mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 |
| 通用三极管 | MMBT6427-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 500µA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V Power-Max:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | MMBT4124-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):200mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA,1V Power-Max:300mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:25V |
| 通用三极管 | MMBTA14-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):300mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V Power-Max:300mW 频率-跃迁:125MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 通用三极管 | MMBTA64-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:125MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 通用三极管 | MMBTA92-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 系列:MMBT FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):500mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):300V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 2mA,20mA 电流-集电极截止（最大值）:250nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 30mA,10V Power-Max:300mW 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 通用三极管 | MMDT4401-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 系列:MMDT FET类型:2 NPN(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:750mV @ 50mA,500mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,1V 功率:1/5W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 |
| 功率MOSFET | IRF200P222 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:182A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V Rds On(Max)@Id,Vgs:6.6mΩ@82A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 270µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:203nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9820pF @ 50V Pd-功率耗散(Max):556W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 系列:StrongIRFET™ 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 封装/外壳:TO-247AC |
| 通用三极管 | MMSTA42-7-F | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):200mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):300V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 2mA,20mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA,10V Power-Max:200mW 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 |
| 通用MOSFET | IML3160AK-TR | Exar-MaxLinear(艾科嘉) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:1.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:170pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):20W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8 Ohms@750mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA |