IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | SIHP15N50E-GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:14.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:66nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1162pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):156W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280m Ohms@7.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:14.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:280mΩ |
| 通用MOSFET | IPL60R065P7AUMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ P7 湿气敏感性等级（MSL）:3(168 小时) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:67nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2895pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):201W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:65 毫欧 @ 15.9A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-VSON-4 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:41A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 800µA 封装/外壳:PG-VSON-4 |
| 功率MOSFET | SQM90142E_GE3 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:95A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:85nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:15.3mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
| 功率MOSFET | SUM90142E-GE3 | Vishay(威世) | 系列:ThunderFET® FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:90A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:87nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3120pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:15mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
| 通用MOSFET | IPP60R060P7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ P7 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2895pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):164W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:60 毫欧 @ 15.9A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:48A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 800µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:67nC @ 10V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:67nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2895pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:400V 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SUP90140E-GE3 | Vishay(威世) | 系列:ThunderFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:90A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:96nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4132pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:17mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:90A |
| 通用MOSFET | IPN80R900P7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ P7 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 500V Pd-功率耗散(Max):7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:900 毫欧 @ 2.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT223-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 110µA 封装/外壳:PG-SOT223 |
| 通用MOSFET | IPB60R280P7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ P7 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:761pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):53W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280 毫欧 @ 3.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 190µA 封装/外壳:D²PAK(TO-263AB) |
| 通用三极管 | UMC5NTR | ROHM(罗姆) | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA,100mA 电阻器-基底（R1）（欧姆）:47k,4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47k,10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:68 @ 5mA,5V / 30 @ 10mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:3/20W 封装/外壳:UMT5 封装/外壳:UMT FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 功率MOSFET | SCT3040KLHRC11 | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:55A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V Rds On(Max)@Id,Vgs:52mΩ@20A,18V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:107nC @ 18V 栅极电压Vgs:+22V,-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1337pF @ 800V Pd-功率耗散(Max):262W 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247N |
| 通用MOSFET | SCT3080ALHRC11 | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel |
| 通用MOSFET | SCT3030KLHRC11 | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | SCT3030KLGC11 | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:72A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 13.3mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:131nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2222pF @ 800V 栅极电压Vgs:+22V,-4V Pd-功率耗散(Max):339W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:39mΩ@27A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 通用三极管 | DTC144WETL | ROHM(罗姆) | 典型电阻器比率:2.12 典型输入电阻器:47kOhms 宽度:0.80mm 峰值直流集电极电流:100mA FET类型:NPN 直流集电极/Base Gain hfe Min:56 系列:DTC144WE 配置:Single 长度:1.60mm 集电极连续电流:100mA 高度:0.7mm 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| 功率MOSFET | PMPB20ENZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1220 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:19.5mΩ@10V,24.5mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):1.7W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.5V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:435pF 输出电容:90pF 连续漏极电流Id:10.4A |
| 通用MOSFET | STY100NM60N | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:98A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:330nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9600pF @ 50V 栅极电压Vgs:25V Pd-功率耗散(Max):625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:29m Ohms@49A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:98A |
| 通用MOSFET | DMP1245UFCL-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:6.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26.1nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1357.4pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):613mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:29m Ohms@4A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-PoweruFDFN 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:6.6A |
| 小信号MOSFET | DMC2400UV-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:480mΩ@200mA,5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:37.1pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):450mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.030A,0.7A |
| 通用MOSFET | DMS3012SFG-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:12A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4310pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):890mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:10mΩ@13.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:PowerDI FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:3V 连续漏极电流Id:12A |
| 功率MOSFET | DMP1022UFDE-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42.6nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2953pF @ 4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN 连续漏极电流Id:9.1A Pd-功率耗散(Max):2.03W Qg-栅极电荷:28.4nC Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ 漏源极电压Vds:12V 栅极电压Vgs:350mV 上升时间:28ns 下降时间:93ns 典型关闭延迟时间:117ns 典型接通延迟时间:20ns 系列:DMP10 通道数量:1Channel 配置:SingleQuadDrain |
| 通用MOSFET | IRHMS6S7260 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TO-254AALowOhmic Circuit:Discrete FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:35 BVDSS:200 Generation:R6 Die Size:6 Total Dose:Yes Optional Total Dose Ratings:300 SEE Hardened:100 Rds On(Max)@Id,Vgs:0.029 |
| 小信号MOSFET | DMN2400UFB4-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:36pF @ 16V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):470mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ@600mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.75A |
| 小信号MOSFET | DMN3730U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:64.3pF @ 25V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):450mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:460mΩ@200mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.94A |
| 功率MOSFET | SQJ469EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:32A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:155nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5100pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):100W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@10.2A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:32A Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ |
| 通用MOSFET | SIZ710DT-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:16A,35A Rds On(Max)@Id,Vgs:6.8m Ohms@19A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:820pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):27W,48W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-PowerPair™ 封装/外壳:WDFN-6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:16A Rds On(Max)@Id,Vgs:5.5m Ohms,2.7m Ohms |
| 通用MOSFET | STL21N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1950pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:179m Ohms@8.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:4-PowerFlat™ HV 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:17A |
| 通用MOSFET | IXGH30N60C3D1 | IXYS | 系列:GenX3™ 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):150A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3V @ 15V,20A Pd-功率耗散(Max):220W 开关能量:270µJ(开),90µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:16ns/42ns 测试条件:300V,20A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:25ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD(IXGH) |
| 通用三极管 | PMST6429,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:500,1250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A |
| 功率MOSFET | AONX38168 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN5x6E FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:25V 栅极电压Vgs:12V 连续漏极电流Id:60A Pd-功率耗散(Max):20W Rds On(Max)@Id,Vgs:3.6mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:5mΩ VGS(th):2.1 Ciss(pF):1225 Coss(pF):370 Crss(pF):48 Qg*(nC):6.5 Qgd(nC):2 Td(on)(ns):7 Td(off)(ns):20 Trr(ns):11.5 Qrr(nC):17.5 |
| 功率MOSFET | AOTF380A60CL | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-220F FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:11*A Pd-功率耗散(Max):27W Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ@10V VGS(th):3.8 Ciss(pF):955 Coss(pF):29 Crss(pF):2.4 Qg*(nC):20 Qgd(nC):6.6 Td(on)(ns):20 Td(off)(ns):43 Trr(ns):251 Qrr(nC):3100 |
| 功率MOSFET | AOTF190A60CL | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-220F FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:20*A Pd-功率耗散(Max):32W Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@10V VGS(th):4.6 Ciss(pF):1935 Coss(pF):55 Crss(pF):1.25 Qg*(nC):12 Qgd(nC):8 Td(on)(ns):80 Td(off)(ns):80 Trr(ns):341 Qrr(nC):6800 |
| 通用三极管 | DTC013ZMT2L | ROHM(罗姆) | 电阻器-基底（R1）（欧姆）:1k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:150mV @ 500µA,5mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:3/20W 封装/外壳:VMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 功率MOSFET | SQS460EN-T1_GE3 | Vishay(威世) | 系列:SQS 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:755pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):39W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:8A Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ 漏源极电压Vds:2.5V |
| 通用三极管 | PHPT60610PY | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | S8040NRP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:40mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流-通态（It（AV））（最大值）:25A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:20µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:430A,520A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-263(D2Pak) |
| 通用三极管 | S6004DS2RP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:2.5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:2µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:25A,30A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-252,(D-Pak) |
| 通用MOSFET | SIB404DK-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±5V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),13W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:19m Ohms@3A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SC-75-6L 封装/外壳:PowerPak-6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:9A Rds On(Max)@Id,Vgs:19mΩ 漏源极电压Vds:0.8V |
| 通用三极管 | K2000GRP | Littelfuse(美国力特) | 电压-导通:190 ~ 215V 电流-击穿:10µA 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA 电流-峰值输出:1A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DO-15 |
| 功率MOSFET | AOTF4185 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-220F FET类型:P-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:-40V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:-34A Pd-功率耗散(Max):33W Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:20mΩ VGS(th):-2.5 Ciss(pF):2550 Coss(pF):280 Crss(pF):190 Qg*(nC):18.6 Qgd(nC):8.6 Td(on)(ns):9.4 Td(off)(ns):55 Trr(ns):25 Qrr(nC):75 |
| 通用三极管 | BC858CE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 功率:1/3W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V FET类型:P-Channel 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 功率MOSFET | SIHG47N60AEF-GE3 | Vishay(威世) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:40A Rds On(Max)@Id,Vgs:70mΩ 栅极电压Vgs:30V Qg-栅极电荷:189nC 配置:Single 系列:EF 正向跨导 - 最小值:13S 下降时间:67ns 上升时间:63ns 典型关闭延迟时间:143ns 典型接通延迟时间:35ns 封装/外壳:TO-247AC Pd-功率耗散(Max):313W 电压:600V 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | AOD9N40 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-252 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:400V 栅极电压Vgs:30V 连续漏极电流Id:8A Pd-功率耗散(Max):125W Rds On(Max)@Id,Vgs:800mΩ@10V VGS(th):4.5 Ciss(pF):962 Coss(pF):73 Crss(pF):8 Qg*(nC):19.5* Qgd(nC):7.1 Td(on)(ns):24 Td(off)(ns):55 Trr(ns):195 Qrr(nC):1900 |
| 通用MOSFET | IXTA140P05T | IXYS | 系列:TrenchP™ FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:140A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:200nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V Pd-功率耗散(Max):298W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9m Ohms@70A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:TO-263AA FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:140A |
| 功率MOSFET | SCT2750NYTB | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1700V 连续漏极电流Id:5.9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 630µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 18V 栅极电压Vgs:+22V,-6V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:275pF @ 800V Pd-功率耗散(Max):57W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:975mΩ@1.7A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-268-3,D³Pak,TO-268AA |
| 通用三极管 | LTH-306-01 | Lite-On(光宝) | 感应方法:反射 电流-DC正向（If）:20mA 电流-集电极（Ic）（最大值）:5mA 电压-集射极击穿（最大值）:30V 感应距离:0.106"(2.7mm) 感应方法:可传导的 电流 - DC 正向（If）:20mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 响应时间:3µs,4µs 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:模块,PC 引脚,槽型 FET类型:无放大 |
| 功率MOSFET | BSM300D12P2E001 | ROHM(罗姆) | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 68mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:35000pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1875W 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 包装方式:Tray FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:300A |
| 通用MOSFET | IPP020N06NAKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:OptiMOS™ 连续漏极电流Id:29A(Ta),120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 143µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:106nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7800pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),214W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2mΩ@100A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:120A 漏源极电压Vds:60V 封装/外壳:PG-TO-220-3 |
| 通用三极管 | MWI150-12T8T | IXYS | IGBT类型:沟道 配置:三相反相器 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:215A 功率:690W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,150A 电流-集电极截止（最大值）:6mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:10.77nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:E3 |
| 通用MOSFET | MKE11R600DCGFC | IXYS | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 790µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:52nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:165m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:i4-Pac™-5 |
| 通用三极管 | MIXA150W1200TEH | IXYS | IGBT类型:PT 配置:三相反相器 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:220A 功率:695W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,150A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:E3 |
| 通用三极管 | MCMA120UJ1800ED | IXYS | SCR数，二极管:3 SCRs,3 个二极管 电压-断态:1800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.4V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:70mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:500A,540A 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:E2 |
| 小信号MOSFET | 2N7002/HAMR | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5300mΩ@4.5V,5000mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.83W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:2V,30V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:31pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.3A |
| 通用MOSFET | IXYR50N120C3D1 | IXYS | 系列:GenX3™,XPT™ 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流-集电极(Icm):210A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:4V @ 15V,50A Pd-功率耗散(Max):290W 开关能量:3mJ(开),1mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:28ns/133ns 测试条件:600V,50A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:195ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS247™ |
| 通用MOSFET | IXYR100N120C3 | IXYS | 系列:GenX3™,XPT™ 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:104A 脉冲电流-集电极(Icm):480A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.5V @ 15V,100A Pd-功率耗散(Max):484W 开关能量:6.5mJ(开),2.9mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:32ns/123ns 测试条件:600V,100A,1 欧姆,15V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS247™ |
| 通用MOSFET | IXYP8N90C3 | IXYS | 系列:GenX3™,XPT™ 电压-集射极击穿（最大值）:900V 电流-集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流-集电极(Icm):48A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,8A Pd-功率耗散(Max):125W 开关能量:460µJ(开),180µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:16ns/40ns 测试条件:450V,8A,30 欧姆,15V 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用MOSFET | IXYP30N120C3 | IXYS | 系列:GenX3™,XPT™ 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流-集电极(Icm):145A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.3V @ 15V,30A Pd-功率耗散(Max):500W 开关能量:2.6mJ(开),1.1mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:19ns/130ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用MOSFET | IXYH75N65C3H1 | IXYS | 系列:GenX3™,XPT™ IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:650V 电流-集电极（Ic）（最大值）:170A 脉冲电流-集电极(Icm):360A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,60A Pd-功率耗散(Max):750W 开关能量:2.8mJ(开),1mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:27ns/93ns 测试条件:400V,60A,3 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:150ns 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247(IXYH) |
| 通用MOSFET | IXYH40N120C3 | IXYS | 系列:GenX3™,XPT™ 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:70A 脉冲电流-集电极(Icm):115A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:4V @ 15V,40A Pd-功率耗散(Max):577W 开关能量:3.9mJ(开),660µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:24ns/125ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247(IXYH) |
| 通用MOSFET | IXYB82N120C3H1 | IXYS | 系列:GenX3™,XPT™ 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:164A 脉冲电流-集电极(Icm):320A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.2V @ 15V,82A Pd-功率耗散(Max):1040W 开关能量:4.95mJ(开),2.78mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:29ns/192ns 测试条件:600V,80A,2 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:420ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PLUS264™ |
| 通用MOSFET | IXTZ550N055T2 | IXYS | 系列:FRFET®,SupreMOS® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:550A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:595nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:40000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):600W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1mΩ@100A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DE475 封装/外壳:DE-475 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:550A |
| 通用MOSFET | IXTP24P085T | IXYS | 系列:TrenchP™ 连续漏极电流Id:24A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2090pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:65m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:85V 连续漏极电流Id:24A |
| 通用MOSFET | IXTP05N100M | IXYS | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:700mA(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 25µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:260pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:17 Ohms@375mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:0.7A |
| 通用MOSFET | IXTK120P20T | IXYS | 系列:TrenchP™ FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:120A(Tc) 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:740nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:73000pF @ 25V Rds On(Max)@Id,Vgs:30m Ohms@60A,10V 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 封装/外壳:TO-264AA FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:120A |
| 通用MOSFET | IXTH2N300P3HV | IXYS | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:3000V 连续漏极电流Id:2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:73nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1890pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):520W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:21 Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 通用MOSFET | IXKP24N60C5 | IXYS | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:24A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 790µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:52nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:165m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 通用MOSFET | IXGX120N120A3 | IXYS | 系列:GenX3™ IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:240A 脉冲电流-集电极(Icm):600A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,100A Pd-功率耗散(Max):830W 开关能量:10mJ(开),33mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:40ns/490ns 测试条件:960V,100A,1 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PLUS247™-3 |
| 通用MOSFET | IXGT60N60C3D1 | IXYS | 系列:GenX3™ IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流-集电极(Icm):300A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,40A Pd-功率耗散(Max):380W 开关能量:800µJ(开),450µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:21ns/70ns 测试条件:480V,40A,3 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:25ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-268 |
| 通用三极管 | IXGN400N60B3 | IXYS | 系列:GenX3™ IGBT类型:PT 配置:单一 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:430A 功率:1000W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.4V @ 15V,100A 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:31nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227B |
| 通用MOSFET | IXGK400N30A3 | IXYS | 系列:GenX3™ IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:300V 电流-集电极（Ic）（最大值）:400A 脉冲电流-集电极(Icm):1200A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.15V @ 15V,100A Pd-功率耗散(Max):1000W 输入类型:标准 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-264(IXGK) |
| 通用MOSFET | IXGH64N60A3 | IXYS | 系列:GenX3™ IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 脉冲电流-集电极(Icm):400A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.35V @ 15V,50A Pd-功率耗散(Max):460W 开关能量:1.42mJ(开),3.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:26ns/268ns 测试条件:480V,50A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD(IXGH) |
| 通用MOSFET | IXFX360N10T | IXYS | 系列:GigaMOS™ HiPerFET™ 连续漏极电流Id:360A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:525nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:33000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.9m Ohms@100A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:PLUS FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:360A |
| 通用MOSFET | IXFX32N90P | IXYS | 系列:HiPerFET™,PolarP2™ 连续漏极电流Id:32A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:6.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:215nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:10600pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):960W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:300m Ohms@16A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:PLUS FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:32A |
| 通用MOSFET | IXFX150N30P3 | IXYS | 系列:HiPerFET™,Polar3™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:150A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:197nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:12100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:19m Ohms@75A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:PLUS FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:150A |
| 通用MOSFET | IXFT50N50P3 | IXYS | 系列:HiPerFET™,Polar3™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:50A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:85nC @ 0V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4335pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):960W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:120m Ohms@25A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA 封装/外壳:TO-268AA FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:50A |
| 通用MOSFET | IXFK360N10T | IXYS | 系列:GigaMOS™ HiPerFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:360A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:525nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:33000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.9m Ohms@100A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 封装/外壳:TO-264 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:360A |
| 通用MOSFET | IXFK24N100Q3 | IXYS | 系列:HiPerFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:24A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:6.5V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:140nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):1000W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:440m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 封装/外壳:TO-264AA FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:24A |
| 通用MOSFET | IXFH70N20Q3 | IXYS | 系列:HiPerFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:70A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:6.5V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:67nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3150pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):690W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@35A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:70A |
| 通用MOSFET | IXFH160N15T2 | IXYS | 系列:GigaMOS™,HiPerFET™,TrenchT2™ 连续漏极电流Id:160A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:253nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):880W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9m Ohms@80A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247AD FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:160A |
| 通用MOSFET | IXFA4N100P | IXYS | 系列:HiPerFET™,PolarP2™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1456pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.3 Ohms@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:TO-263AA FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用MOSFET | IXBX50N360HV | IXYS | 系列:BIMOSFET™ 电压-集射极击穿（最大值）:3600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:125A 脉冲电流-集电极(Icm):420A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.9V @ 15V,50A Pd-功率耗散(Max):660W 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:46ns/205ns 测试条件:960V,50A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:1.7µs 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 通用MOSFET | IXA45IF1200HB | IXYS | IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:78A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,35A Pd-功率耗散(Max):325W 开关能量:3.8mJ(开),4.1mJ(关) 输入类型:标准 测试条件:600V,35A,27 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:350ns 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD(HB) |
| 通用MOSFET | IXA20I1200PB | IXYS | IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:38A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,15A Pd-功率耗散(Max):165W 开关能量:1.65mJ(开),1.7mJ(关) 输入类型:标准 测试条件:600V,15A,56 欧姆,15V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | CMA80PD1600NA | IXYS | SCR数，二极管:1 SCR,1 个二极管 电压-断态:1600V 电流-通态（It（AV））（最大值）:80A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:126A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:100mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:1070A,1160A 电流-保持（Ih）（最大值）:200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC |
| 通用MOSFET | STL12N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:8.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:644pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):48W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:530m Ohms@4.25A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:8.5A |
| 通用三极管 | SMBTA42E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 2mA,20mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA,10V 功率:0.36W 频率-跃迁:70MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:300V FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 通用MOSFET | RD3G600GNTL | ROHM(罗姆) | |
| 功率MOSFET | QH8MA3TCR | ROHM(罗姆) | 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7A,5.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:29mΩ@7A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:300pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.5W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT8 |
| 功率MOSFET | PMPB10ENZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1220 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:16mΩ@4.5V,12mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.5V,20V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:840pF 输出电容:155pF 连续漏极电流Id:14A |
| 通用三极管 | Z0107NA 2AL2 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:800V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 功率MOSFET | EFC2J013NUZTDG | ON(安森美) | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37nC @ 4.5V Pd-功率耗散(Max):1.8W(Ta) 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:6-WLCSP(2x1.49) FET类型:N-Channel |
| 通用三极管 | ZTX614STZ | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.25V @ 8mA,800mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 500mA,5V 功率:1W 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:E-Line(TO-92 兼容) 封装/外壳:E-Line FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 通用MOSFET | IXTH40N50L2 | IXYS | 系列:Linear L2™ 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:320nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:10400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):540W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:170m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247AD FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:40A |
| 通用三极管 | APT100GT60JRDQ4 | Microsemi(美高森美) | 系列:Thunderbolt IGBT® IGBT类型:NPT 配置:单一 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:148A 功率:500W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,100A 电流-集电极截止（最大值）:50µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:5.15nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP® |
| 通用MOSFET | BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:SIPMOS® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:150mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 20µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:19.1pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8Ω@150mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT323-3 封装/外壳:SOT-323 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.15A 漏源极电压Vds:60V 封装/外壳:PG-SOT323-3 |
| 通用MOSFET | IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:OptiMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:25A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 90µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2350pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):136W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:60m Ohms@25A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:25A 漏源极电压Vds:250V 封装/外壳:PG-TO220-3-1 |
| 通用MOSFET | IPD60R280P7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ P7 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:761pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):53W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280 毫欧 @ 3.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 190µA 封装/外壳:PG-TO252-3 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:400V |
| 通用MOSFET | IPL60R125P7AUMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ P7 湿气敏感性等级（MSL）:3(168 小时) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:36nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1544pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):111W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:125 毫欧 @ 8.2A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-VSON-4 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:27A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 410µA 封装/外壳:PG-VSON-4 |
| 通用晶闸管 | TT190N16SOFHPSA2 | Infineon(英飞凌) | 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:145mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:200mA 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:BG-PB34SB-1 SCR 数，二极管:2 SCRs 电压 - 断态:1600V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:190A 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:275A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:2.5V 电压 - 断态:1.6KV |
| 通用MOSFET | BD7763EFV-E2 | ROHM(罗姆) | 湿气敏感性等级（MSL）:3(168 小时) 电流 - 输出:2.5A 电压 - 电源:4.3 V ~ 13.2 V 工作温度:-20°C~75°C(TA) 封装/外壳:54-VSSOP 功能:驱动器 接口:逻辑 |
| 通用MOSFET | IPL60R105P7AUMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ P7 湿气敏感性等级（MSL）:3(168 小时) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1952pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):137W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:105 毫欧 @ 10.5A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-VSON-4 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:33A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 530µA 封装/外壳:PG-VSON-4 |