IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率MOSFET | PMCM440VNE/S500Z | ||
| IGBT模块 | F4150R17ME4B11BPSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):12nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,150A 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1700V 电流-集电极(Ic)(最大值):230A 电流-集电极截止(最大值):3mA 输入:标准 配置:全桥 | |
| 通用MOSFET | HTNFET-DC | ||
| 通用三极管 | PBSS5330PA,135 | 封装/外壳:DFN2020-3 功率耗散Pd:2.1W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-30V 集电极连续电流:-3A 集电极-射极饱和电压:-320mV 直流电流增益hFE:175 特征频率fT:165MHz VEBO:-6V VCBO:-30V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2*2*0.65 | |
| IGBT模块 | FF600R12ME4B72BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):37nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,600A 功率-最大值:20mW 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):1200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| TVS晶闸管/半导体放电管 | P0084UBLRP | ||
| 功率MOSFET | AO3456 | 封装/外壳:SOT23-3 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:3.6A Pd-功率耗散(Max):1.4W Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:70mΩ VGS(th):2.5 Ciss(pF):200 Coss(pF):35 Crss(pF):23 Qg*(nC):2 Qgd(nC):1 Ohms Trr(ns):7.5 Qrr(nC):2.5 | |
| 通用MOSFET | ARF477FL | FET类型:2N沟道(双)共源 频率:65MHz 增益:16dB 电压-测试:150V 额定电流:15A 功率-输出:400W 电压:500V | |
| 通用MOSFET | SPB12N50C3ATMA1 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:11.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 500µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:49nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380 毫欧 @ 7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:PG-TO263-3 | |
| 通用三极管 | PBSS5240XF | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:500mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-2A 集电极-射极饱和电压:-140mV 直流电流增益hFE:300 特征频率fT:150MHz VEBO:-5V VCBO:-40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:4.5*2.5*1.5 | |
| 功率MOSFET | US6M11TR | Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ@1.5A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:110pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TUMT FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V/12V 连续漏极电流Id:1.5A,1.3A | |
| 通用三极管 | DMC566000R | ||
| 功率MOSFET | AON6502 | 封装/外壳:DFN 5x6 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:85A Pd-功率耗散(Max):83W Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:2.7mΩ VGS(th):2.2 Ciss(pF):3430 Coss(pF):1327 Crss(pF):175 Qg*(nC):25 Qgd(nC):10.3 Td(on)(ns):7.5 Td(off)(ns):33.8 Trr(ns):22 Ohms Qrr(nC):58 | |
| 通用MOSFET | SIHU6N62E-GE3 | 连续漏极电流Id:6A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:900 mOhms @ 3A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):78W(Tc) 封装/外壳:TO-251AA 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:620V | |
| 通用三极管 | JANTX2N720A | 系列:军用,MIL-PRF-19500/182 FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压-集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:5V @ 15mA,150mA 电流-集电极截止（最大值）:10µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18(TO-206AA) | |
| 通用MOSFET | STB13N80K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:870pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:450m Ohms@6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用三极管 | MPSA92-AP | 电流-集电极（Ic）（最大值）:300mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 2mA,20mA 电流-集电极截止（最大值）:250nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA,10V 功率:5/8W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:300V | |
| IGBT晶体管 | AIKW50N60CTXKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:26ns/299ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A 功率-最大值:333W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:1.2mJ(开),1.4mJ(关) 栅极电荷:310nC 测试条件:400V,50A,7 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流-集电极脉冲(Icm):150A 输入类型:标准 | |
| 通用MOSFET | SI7964DP-T1-E3 | 连续漏极电流Id:6.1A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:23 mOhms @ 9.6A,10V Vgs(th):4.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):1.4W 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 通用三极管 | PBSS4580PA,115 | 封装/外壳:SOT-1061 功率耗散Pd:2.1W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:5.6A 集电极-射极饱和电压:320mV 直流电流增益hFE:150 特征频率fT:155MHz VEBO:6V VCBO:80V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2*2*0.65 | |
| 功率MOSFET | SUP85N03-3M6P-GE3 | 连续漏极电流Id:85A Pd-功率耗散(Max):78.1W Qg-栅极电荷:100nC Rds On(Max)@Id,Vgs:3mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:10ns 下降时间:10ns 典型关闭延迟时间:35ns 典型接通延迟时间:11ns 宽度:4.7mm 封装/外壳:TO-220-3 正向跨导 - 最小值:110S 系列:SUP 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:10.41mm 高度:15.49mm 工作温度:-55°C~150°C | |
| 通用三极管 | PBSS4320TVL | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:540mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:2A 集电极-射极饱和电压:310mV 直流电流增益hFE:220 特征频率fT:100MHz VEBO:5V VCBO:20V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| SCR(可控硅) | VS-16RIA20M | SCR类型:标准恢复型 封装/外壳:TO-208AA,TO-48-3,接线柱 工作温度:-65°C ~ 125°C 电压-断态:200V 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):2V 电压-通态(Vtm)(最大值):1.75V 电流-保持(Ih)(最大值):130mA 电流-断态(最大值):10mA 电流-栅极触发(Igt)(最大值):60mA 电流-通态(It(AV))(最大值):16A 电流-通态(It(RMS))(最大值):35A 电流-非重复浪涌50、60Hz(Itsm):285A,300A | |
| 功率MOSFET | PSMN8R7-80BS,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:8.7mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):170W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:3346pF 输出电容:296pF 连续漏极电流Id:90A | |
| 功率MOSFET | AON7410 | 封装/外壳:DFN 3x3 EP FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:24A Pd-功率耗散(Max):20W Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:26mΩ VGS(th):2.5 Ciss(pF):550 Coss(pF):110 Crss(pF):55 Qg*(nC):4.6 Qgd(nC):2.2 Td(on)(ns):5 Td(off)(ns):24 Trr(ns):9 Qrr(nC):15 | |
| 功率MOSFET | RQ3E100MNTB1 | 连续漏极电流Id:10A Pd-功率耗散(Max):2W Qg-栅极电荷:9.9nC Rds On(Max)@Id,Vgs:8.8mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:17ns 下降时间:6ns 典型关闭延迟时间:31ns 典型接通延迟时间:7ns 封装/外壳:HSMT-8 FET类型:N-Channel 通道数量:1Channel 配置:Single | |
| 通用三极管 | PBSS302PDH | 封装/外壳:SOT-457 功率耗散Pd:2.5W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-4A 集电极-射极饱和电压:-450mV 直流电流增益hFE:175 特征频率fT:110MHz VEBO:-5V VCBO:-40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.5*1 | |
| 通用三极管 | BCR 114T E6327 | 封装/外壳:SOT-416 功率耗散Pd:250mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:30 特征频率fT:160MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ R1:4.7k Ohms R2:10k Ohms | |
| 通用三极管 | ZXTP03200BGTA | 集电极-射极饱和电压:275mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-223-3 功率耗散Pd:1.25W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:200V 集电极连续电流:2A 特征频率fT:105MHz | |
| 通用三极管 | ZXTN04120HKTC | 集电极-射极饱和电压:1.5V 直流电流增益hFE:2000 封装/外壳:TO-252-3 功率耗散Pd:1.5W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN-达林顿 集电极-发射极最大电压VCEO:120V 集电极连续电流:1.5A 特征频率fT:150MHz | |
| 通用三极管 | ZXTN25100DGQTA | 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:300 封装/外壳:SOT-223-3 功率耗散Pd:1.2W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:3A 特征频率fT:175MHz | |
| 通用三极管 | ZXTN04120HP5TC | 集电极-射极饱和电压:1.5V 直流电流增益hFE:2000 封装/外壳:PowerDI™ 5 功率耗散Pd:3.2W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN-达林顿 集电极-发射极最大电压VCEO:120V 集电极连续电流:1.5A 特征频率fT:150MHz | |
| 通用MOSFET | ZXMS6005DGTA | 系列:汽车级,AEC-Q101,INTELLIFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:60V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:3.3 V ~ 5 V 电流-输出（最大值）:2A 导通电阻（典型值）:150 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C~125°C(TA) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V | |
| 通用MOSFET | ZXMP10A17E6QTA | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:1.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:424pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350mΩ@1.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A 封装/外壳:4-SMD | |
| 功率MOSFET | ZXMN6A08E6QTA | 连续漏极电流Id:2.5A Pd-功率耗散(Max):8.8W Qg-栅极电荷:5.8nC Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:2.1ns 下降时间:4.6ns 典型关闭延迟时间:12.3ns 典型接通延迟时间:2.6ns 封装/外壳:SOT-26-6 正向跨导 - 最小值:6.6S 系列:ZXMN6 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C | |
| 通用三极管 | ZTX956STZ | 集电极-射极饱和电压:250mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:E-Line(TO-92 兼容) 功率耗散Pd:1.58W 工作温度:-55℃~200℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:200V 集电极连续电流:2A 特征频率fT:110MHz | |
| 通用三极管 | ZX5T851ASTZ | 集电极-射极饱和电压:210mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:E-Line(TO-92 兼容) 功率耗散Pd:1W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:4.5A 特征频率fT:130MHz | |
| SCR(可控硅) | VS-ST1000C22K1L | SCR类型:标准恢复型 封装/外壳:TO-200AC,K-PUK,A-24 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-断态:2.2kV 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):3V 电压-通态(Vtm)(最大值):1.8V 电流-保持(Ih)(最大值):600mA 电流-断态(最大值):100mA 电流-栅极触发(Igt)(最大值):200mA 电流-通态(It(AV))(最大值):1473A 电流-通态(It(RMS))(最大值):2913A 电流-非重复浪涌50、60Hz(Itsm):17000A,18100A | |
| 通用三极管 | UMC5N-7 | 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:30 封装/外壳:SOT-353 功率耗散Pd:150mW 晶体管类型:NPN/PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA R2:47k/10k Ohms R1:47k/4.7k Ohms 特征频率fT:250MHz | |
| 功率MOSFET | IPI147N12N3GAKSA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):56A(Ta) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14.7 毫欧 @ 56A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 61uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3220pF @ 60V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):49nC @ 10V 功率耗散(最大值):107W(Tc) 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):120V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V | |
| TRIAC(双向可控硅) | L6X8E8RP | ||
| 功率MOSFET | BUK964R8-60E,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4.8mΩ@5V,4.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):234W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:7282pF 输出电容:607pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 通用三极管 | MMST3904Q-7-F | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:200mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:300MHz VEBO:6V VCBO:60V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | MJD32CQ-13 | 集电极-射极饱和电压:1.2V 直流电流增益hFE:10 封装/外壳:TO-252-3 功率耗散Pd:15W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:3A 特征频率fT:3MHz | |
| 通用三极管 | MMBTA56Q-7-F | 集电极-射极饱和电压:250mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:350mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:500mA 特征频率fT:50MHz | |
| 通用三极管 | MMBTA56Q-13-F | 集电极-射极饱和电压:250mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:310mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:500mA 特征频率fT:50MHz | |
| 通用三极管 | MMBT3906FZ-7B | 集电极-射极饱和电压:400mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:X2-DFN0606-3 功率耗散Pd:435mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:200mA 特征频率fT:280MHz | |
| 通用三极管 | MMBT3904FZ-7B | 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:X2-DFN0606-3 功率耗散Pd:435mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:200mA 特征频率fT:300MHz | |
| 通用三极管 | IMT17-7 | FET类型:2 PNP(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA,3V 功率:3/10W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-26 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 通用三极管 | 2SA1576AT106Q | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:200mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-150mA 集电极-射极饱和电压:-500mV 直流电流增益hFE:180 特征频率fT:140MHz VEBO:-6V VCBO:-60V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | FZT751QTA | 集电极-射极饱和电压:600mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-223-3 功率耗散Pd:3W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:3A 特征频率fT:140MHz | |
| 通用三极管 | FMMT720QTA | 集电极-射极饱和电压:330mV 直流电流增益hFE:180 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:625mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:1.5A 特征频率fT:180MHz | |
| 通用三极管 | FMMT593QTA | 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:100 功率耗散Pd:500mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:50MHz | |
| 通用三极管 | FMMT591AQTA | 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:300 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:500mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:150MHz | |
| 通用三极管 | FMMT560QTA | 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:80 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:500mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:500V 集电极连续电流:150mA 特征频率fT:60MHz | |
| 通用三极管 | FMMT493QTA | 集电极-射极饱和电压:600mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:500mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:150MHz | |
| 通用三极管 | DXTN26070CY-13 | 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:200 封装/外壳:SOT-89-3 功率耗散Pd:700mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:70V 集电极连续电流:2A 特征频率fT:220MHz | |
| 通用三极管 | FMMT491QTA | 集电极-射极饱和电压:250mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:500mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:150MHz | |
| 通用三极管 | FMMT459QTA | 集电极-射极饱和电压:90mV 直流电流增益hFE:50 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:806mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:450V 集电极连续电流:150mA 特征频率fT:50MHz | |
| 通用三极管 | DXT696BK-13 | 集电极-射极饱和电压:250mV 直流电流增益hFE:150 封装/外壳:TO-252-3 功率耗散Pd:3.9W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:180V 集电极连续电流:500mA 特征频率fT:70MHz | |
| 通用三极管 | DXT690BP5Q-13 | 集电极-射极饱和电压:350mV 直流电流增益hFE:400 封装/外壳:PowerDI™ 5 功率耗散Pd:740mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:3A 特征频率fT:150MHz | |
| 通用三极管 | DXT3906-13 | 集电极-射极饱和电压:400mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-89-3 功率耗散Pd:1W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:200mA 特征频率fT:250MHz | |
| 通用三极管 | DXT3904-13 | 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-89-3 功率耗散Pd:1W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:200mA 特征频率fT:300MHz | |
| 通用三极管 | DXT13003DK-13 | 集电极-射极饱和电压:400mV 直流电流增益hFE:16 封装/外壳:TO-252-3 功率耗散Pd:1.6W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:450V 集电极连续电流:1.5A 特征频率fT:4MHz | |
| 通用三极管 | DSS5320T-7 | 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:200 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:600mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:2A 特征频率fT:180MHz | |
| 通用三极管 | DSS5540X-13 | 集电极-射极饱和电压:375mV 直流电流增益hFE:150 封装/外壳:SOT-89-3 功率耗散Pd:900mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:4A 特征频率fT:60MHz | |
| 通用三极管 | DSS9110Y-7 | 集电极-射极饱和电压:320mV 直流电流增益hFE:150 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:625mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:100MHz | |
| 通用三极管 | DSS8110Y-7 | 集电极-射极饱和电压:200mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:625mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:100MHz | |
| 通用三极管 | DSS5240TQ-7 | 集电极-射极饱和电压:350mV 直流电流增益hFE:210 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:730mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:2A 特征频率fT:100MHz | |
| 通用三极管 | DSS4160TQ-7 | 集电极-射极饱和电压:280mV 直流电流增益hFE:200 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:725mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:150MHz | |
| 通用三极管 | DP0150BLP4-7 | 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:200 封装/外壳:X2-DFN1006-3 功率耗散Pd:450mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 特征频率fT:80MHz | |
| 小信号MOSFET | DMP6110SSS-13 | 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.5A | |
| 功率MOSFET | DMP6110SSD-13 | Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ@4.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:969pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1.2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.3A | |
| 功率MOSFET | DMP6050SFG-7 | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1293pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.8A | |
| 功率MOSFET | DMP6023LE-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:53.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2569pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:28mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7A | |
| 功率MOSFET | DMP4015SPSQ-13 | 封装/外壳:8-PowerTDFN FET类型:P-Channel | |
| 通用MOSFET | DMP3068L-7 | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:708pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:72m Ohms@4.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.3A | |
| 功率MOSFET | DMP3056L-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:642pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:4.3A Pd-功率耗散(Max):1.38W Qg-栅极电荷:5.8nC Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:4.7ns 下降时间:18.2ns 典型关闭延迟时间:35.2ns 典型接通延迟时间:4.9ns 系列:DMP3056 通道数量:1Channel 配置:Single | |
| 功率MOSFET | DMP3036SSS-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1931pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11.4A | |
| 功率MOSFET | DMP3017SFG-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2246pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI 连续漏极电流Id:11.5A Pd-功率耗散(Max):2.2W Qg-栅极电荷:41nC Rds On(Max)@Id,Vgs:10mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:15.4ns 下降时间:36.8ns 典型关闭延迟时间:45.6ns 典型接通延迟时间:7.5ns 正向跨导 - 最小值:24S 系列:DMP3017 通道数量:1Channel 配置:SingleQuadDrainTripleSource | |
| 通用MOSFET | DMP3017SFG-13 | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:11.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2246pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):940mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:10m Ohms@11.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:PowerDI FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11.5A | |
| 功率MOSFET | DMP2160UFDBQ-7 | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:536pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:U-DFN2030-6 连续漏极电流Id:3.8A Pd-功率耗散(Max):1.4W Qg-栅极电荷:6.5nC Rds On(Max)@Id,Vgs:68mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:900mV 上升时间:12.09ns 下降时间:27.54ns 典型关闭延迟时间:55.34ns 典型接通延迟时间:11.51ns 系列:DMP2160 通道数量:2Channel 配置:Dual | |
| 小信号MOSFET | DMP2200UDW-7 | Rds On(Max)@Id,Vgs:260mΩ@880mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:184pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):450mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.9A | |
| 小信号MOSFET | DMP2200UDW-13 | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:184pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 连续漏极电流Id:900mA Pd-功率耗散(Max):600mW Qg-栅极电荷:2.1nC Rds On(Max)@Id,Vgs:260mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:400mV 上升时间:88ns 下降时间:45ns 典型关闭延迟时间:24.4ns 典型接通延迟时间:9.8ns 系列:DMP2200 通道数量:2Channel 配置:Dual | |
| 通用MOSFET | DMP2006UFG-7 | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:17.5A(Ta),40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:140nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5404pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.2m Ohms@15A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:PowerDI FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:17.5A | |
| 通用MOSFET | DMN62D0U-7 | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:380mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:32pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):380mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2 Ohms@100mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.38A 封装/外壳:SOT-23 | |
| 通用MOSFET | DMN61D8LQ-7 | 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.47A | |
| 小信号MOSFET | DMN6140LQ-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:315pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:140mΩ@1.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.3A | |
| 小信号MOSFET | DMN6075S-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:606pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:85mΩ@3.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.5A | |
| 通用MOSFET | DMN55D0UTQ-7 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:160mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4Ω@100mA,4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 | |
| 小信号MOSFET | DMN53D0U-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:37.1pF @ 25V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):520mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@50mA,5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.3A | |
| 通用MOSFET | DMN4020LFDE-7 | 封装/外壳:DFN2020-6 | |
| 小信号MOSFET | DMN3042L-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):720mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:26.5mΩ@5.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.8A | |
| 小信号MOSFET | DMN3023L-7 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:873pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 小信号MOSFET | DMN3016LFDE-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1415pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10A | |
| 小信号MOSFET | DMN3016LFDE-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1415pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10A | |
| 小信号MOSFET | DMN2046U-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:292pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):760mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:72mΩ@3.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.4A | |
| 小信号MOSFET | DMN2028UFU-7 | 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:20.2mΩ@4.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.4nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:887pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):900mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:U-DFN2030-6 | |
| 功率MOSFET | DMN10H220L-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:401pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):1.3W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:220mΩ@1.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A | |
| 功率MOSFET | DMN1045UFR4-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:375pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-XFDFN 连续漏极电流Id:3.2A Pd-功率耗散(Max):1.26W Qg-栅极电荷:4.8nC Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ 漏源极电压Vds:12V 栅极电压Vgs:400mV 上升时间:25ns 下降时间:48ns 典型关闭延迟时间:93ns 典型接通延迟时间:7ns 系列:DMN10 通道数量:1Channel 配置:Single |