IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率MOSFET | IPD053N06NATMA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Ta),45A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.3 毫欧 @ 45A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.8V @ 36uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2000pF @ 30V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):27nC @ 10V 功率耗散(最大值):3W(Ta),83W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V | |
| 功率MOSFET | MTM231232LBF | ||
| 功率MOSFET | BUK762R0-40E,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):293W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:6250pF 输出电容:1210pF 连续漏极电流Id:120A | |
| 功率MOSFET | NVTFS5116PLTAG | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1258pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V 功率:3.2W(Ta),21W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:52 毫欧 @ 7A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:WDFN 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:6A | |
| 功率MOSFET | NTMFS5C442NLT1G | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V 功率:3.1W(Ta),69W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.8 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:27A(Ta), 130A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) | |
| 功率MOSFET | RCJ160N20TL | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.25V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1370pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta),40W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ@8A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | |
| 功率MOSFET | BUK962R6-40E,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2.8mΩ@5V,2.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):263W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:7713pF 输出电容:1022pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | PSMN034-100BS,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:34.5mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):86W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:1201pF 输出电容:94pF 连续漏极电流Id:32A | |
| 功率MOSFET | BTS244Z E3062A | 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:130nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2660pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):170W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13mΩ@19A,10V 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-5-2 | |
| 功率MOSFET | BUK964R2-60E,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4.2mΩ@5V,3.9mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):263W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:8533pF 输出电容:703pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | FDBL0150N80 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:300A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:188nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12800pF @ 25V 功率:429W(Tj) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4 毫欧 @ 80A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerSFN | |
| 功率MOSFET | FCD850N80Z | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 600µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1315pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):75W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:850mΩ@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 功率MOSFET | FCD1300N80Z | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 400µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:880pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3Ω@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 功率MOSFET | AOWF11S65 | 封装/外壳:TO-262F FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:650V 栅极电压Vgs:30V 连续漏极电流Id:11A Pd-功率耗散(Max):28W Rds On(Max)@Id,Vgs:399mΩ@10V VGS(th):4 Ciss(pF):646 Coss(pF):42 Crss(pF):1.1 Qg*(nC):13.2* Qgd(nC):4.3 Td(on)(ns):25 Td(off)(ns):77 Trr(ns):278 Qrr(nC):4200 | |
| 功率MOSFET | PSMN7R8-100PSEQ | 封装/外壳:SOT78 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:7.8mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):294W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:7110pF 输出电容:450pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | PSMN7R5-30YLDX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:10.2mΩ@4.5V,7.5mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):34W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:655pF 输出电容:578pF 连续漏极电流Id:51A | |
| 功率MOSFET | PSMN7R5-30MLDX | 封装/外壳:SOT1210 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:10.3mΩ@4.5V,7.6mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):45W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:655pF 输出电容:578pF 连续漏极电流Id:57A | |
| 功率MOSFET | PSMN6R5-30MLDX | ||
| 功率MOSFET | PSMN6R4-30MLDX | 封装/外壳:SOT1210 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:8.3mΩ@4.5V,6.3mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):51W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:832pF 输出电容:587pF 连续漏极电流Id:66A | |
| 功率MOSFET | PSMN6R1-30YLDX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:8.35mΩ@4.5V,6mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):47W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.68V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:817pF 输出电容:605pF 连续漏极电流Id:66A | |
| 功率MOSFET | PSMN6R0-30YLDX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:6mΩ@15A,10V Pd-功率耗散(Max):47W 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:832pF 输出电容:587pF 连续漏极电流Id:66A | |
| 功率MOSFET | PSMN2R4-30YLDX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3.1mΩ@4.5V,2.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):106W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:2256pF 输出电容:1175pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | PSMN4R8-100PSEQ | 封装/外壳:SOT78 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):405W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:10665pF 输出电容:674pF 连续漏极电流Id:120A | |
| 功率MOSFET | PSMN4R2-30MLDX | 封装/外壳:SOT1210 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4.3mΩ@25A,10V Pd-功率耗散(Max):65W 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:1197pF 输出电容:848pF 连续漏极电流Id:70A | |
| 功率MOSFET | PSMN3R0-30YLDX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3.1mΩ@10V,4mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):91W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:1959pF 输出电容:1029pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | PSMN1R6-40YLC:115 | ||
| 功率MOSFET | PSMN1R6-60CLJ | ||
| 功率MOSFET | PSMN2R4-30MLDX | 封装/外壳:SOT1210 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3.2mΩ@4.5V,2.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):91W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:2176pF 输出电容:1150pF 连续漏极电流Id:70A | |
| 功率MOSFET | PSMN2R1-60CSJ | ||
| 功率MOSFET | PSMN2R0-30YLDX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):142W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:2969pF 输出电容:1477pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | PSMN1R4-40YLDX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.4mΩ@25A,10V Pd-功率耗散(Max):238W 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:6661pF 输出电容:1543pF 连续漏极电流Id:240A | |
| 功率MOSFET | PSMN1R4-30YLDX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.85mΩ@4.5V,1.42mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):166W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:3840pF 输出电容:1785pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | PSMN1R2-30YLDX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.6mΩ@4.5V,1.24mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):194W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:4616pF 输出电容:2079pF 连续漏极电流Id:250A | |
| 功率MOSFET | PSMN1R0-40YLDX | 封装/外壳:SOT1023 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.1mΩ@25A,10V Pd-功率耗散(Max):198W 工作温度:-55°C ~ 150°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:8845pF 输出电容:1878pF 连续漏极电流Id:280A | |
| 功率MOSFET | PSMN1R0-30YLDX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.3mΩ@4.5V,1.02mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):238W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.75V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:5732pF 输出电容:2424pF 连续漏极电流Id:300A | |
| 功率MOSFET | PSMN0R9-30YLDX | 封装/外壳:SOT1023 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:0.87mΩ@25A,10V Pd-功率耗散(Max):291W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:7668pF 输出电容:2914pF 连续漏极电流Id:300A | |
| 功率MOSFET | PSMN063-150D,118 | 封装/外壳:SOT428 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:63mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):150W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:150V 输入电容:2390pF 输出电容:240pF 连续漏极电流Id:29A | |
| 功率MOSFET | PSMN038-100YLX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:37.5mΩ@10V,38mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):94.9W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:1905pF 输出电容:137pF 连续漏极电流Id:30A | |
| 功率MOSFET | PMPB215ENEAX | 封装/外壳:SOT1220 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:275mΩ@4.5V,230mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):1.6W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.7V,20V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:215pF 输出电容:25pF 连续漏极电流Id:2.8A | |
| 功率MOSFET | PMPB95ENEAX | 封装/外壳:SOT1220 FET类型:N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ@2.8A,10V Pd-功率耗散(Max):1.6W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:504pF 输出电容:43pF 连续漏极电流Id:4.1A | |
| 功率MOSFET | PMPB85ENEAX | 封装/外壳:SOT1220 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:120mΩ@4.5V,95mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):1.6W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.7V,20V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:305pF 输出电容:40pF 连续漏极电流Id:4.4A | |
| 功率MOSFET | PMCM650VNEZ | ||
| 功率MOSFET | PH2230DLSX | ||
| 功率MOSFET | PHM10030DLSX | ||
| 功率MOSFET | PHK04P02T,518 | ||
| 功率MOSFET | BUK9Y7R2-60E,115 | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5.6mΩ@10V,7.2mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):167W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:3769pF 输出电容:341pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | BUK9Y72-80E,115 | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:72mΩ@10V,78mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):45W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:674pF 输出电容:68pF 连续漏极电流Id:15A | |
| 功率MOSFET | BUK9Y59-60E,115 | FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:59mΩ@5V,52mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):37W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:536pF 输出电容:66pF 连续漏极电流Id:16.7A | |
| 功率MOSFET | BUK9Y3R5-40E,115 | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3.8mΩ@5V,3.6mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):167W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:3852pF 输出电容:487pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | BUK9Y14-80E,115 | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:14mΩ@15A,10V Pd-功率耗散(Max):147W 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:±10V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:3479pF 输出电容:236pF 连续漏极电流Id:62A | |
| 功率MOSFET | BUK9Y113-100E,115 | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:110mΩ@10V,113mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):45W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:652pF 输出电容:69pF 连续漏极电流Id:12A | |
| 功率MOSFET | BUK9K6R8-40EX | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:6.1mΩ@10V,7.2mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):64W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:2250pF 输出电容:305pF 连续漏极电流Id:40A | |
| 功率MOSFET | BUK9K5R6-30EX | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4.7mΩ@10V,5.8mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):64W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:1860pF 输出电容:391pF 连续漏极电流Id:40A | |
| 功率MOSFET | BUK9K5R1-30EX | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5.3mΩ@5V,4.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):68W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:2300pF 输出电容:421pF 连续漏极电流Id:40A | |
| 功率MOSFET | BUK9K25-40EX | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:24mΩ@5A,10V Pd-功率耗散(Max):32W 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:±15V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:528pF 输出电容:95pF 连续漏极电流Id:18.2A | |
| 功率MOSFET | BUK9K17-60EX | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:15.6mΩ@10V,17mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):53W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:1646pF 输出电容:161pF 连续漏极电流Id:50A | |
| 功率MOSFET | BUK9880-55,135 | ||
| 功率MOSFET | BUK9K12-60EX | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:10.7mΩ@10V,11.5mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):68W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:2602pF 输出电容:237pF 连续漏极电流Id:35A | |
| 功率MOSFET | BUK9880-55A/CUX | 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:73mΩ@8A,10V Pd-功率耗散(Max):8W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±15V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:438pF 输出电容:87pF 连续漏极电流Id:7A | |
| 功率MOSFET | BUK9880-55/CUF | ||
| 功率MOSFET | BUK9875-100A/CUX | 封装/外壳:SOT223 FET类型:N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:75mΩ@8A,5V Pd-功率耗散(Max):8W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±10V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:1270pF 输出电容:140pF 连续漏极电流Id:7A | |
| 功率MOSFET | BUK9840-55/CUX | ||
| 功率MOSFET | BUK9832-55A/CUX | 封装/外壳:SOT223 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:36mΩ@4.5V,29mΩ@10V,32mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):8W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.5V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:1195pF 输出电容:212pF 连续漏极电流Id:12A | |
| 功率MOSFET | BUK98180-100A/CUX | 封装/外壳:SOT223 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:201mΩ@4.5V,173mΩ@10V,180mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):8W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.5V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:464pF 输出电容:60pF 连续漏极电流Id:4.6A | |
| 功率MOSFET | BUK98150-55A/CUF | 封装/外壳:SOT223 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:161mΩ@4.5V,137mΩ@10V,150mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):8W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.5V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:240pF 输出电容:53pF 连续漏极电流Id:5.5A | |
| 功率MOSFET | BUK98150-55/CUF | ||
| 功率MOSFET | BUK964R2-80E,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4mΩ@10V,4.2mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):349W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:12850pF 输出电容:850pF 连续漏极电流Id:120A | |
| 功率MOSFET | BUK7Y7R2-60EX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:7.2mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):167W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:2596pF 输出电容:351pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | BUK7Y3R5-40E,115 | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3.5mΩ@25A,10V Pd-功率耗散(Max):167W 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:2688pF 输出电容:514pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | BUK7Y25-60EX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:25mΩ@10A,10V Pd-功率耗散(Max):64W 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:784pF 输出电容:123pF 连续漏极电流Id:34A | |
| 功率MOSFET | BUK7Y19-100EX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:19mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):169W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:2593pF 输出电容:242pF 连续漏极电流Id:56A | |
| 功率MOSFET | BUK7Y153-100EX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:153mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):37.3W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:373pF 输出电容:62pF 连续漏极电流Id:9.4A | |
| 功率MOSFET | BUK7K6R2-40EX | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5.8mΩ@20A,10V Pd-功率耗散(Max):68W 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:1657pF 输出电容:354pF 连续漏极电流Id:40A | |
| 功率MOSFET | BUK7K52-60EX | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:45mΩ@5A,10V Pd-功率耗散(Max):32W 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:401pF 输出电容:73pF 连续漏极电流Id:15.4A | |
| 功率MOSFET | BUK7K18-40EX | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:19mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):38W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:606pF 输出电容:134pF 连续漏极电流Id:24.2A | |
| 功率MOSFET | BUK763R8-80E,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3.8mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):349W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:9020pF 输出电容:840pF 连续漏极电流Id:120A | |
| 功率MOSFET | BUK7880-55A/CUX | 封装/外壳:SOT223 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:80mΩ@10A,10V Pd-功率耗散(Max):8W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:374pF 输出电容:92pF 连续漏极电流Id:7A | |
| 功率MOSFET | BUK7880-55/CUF | ||
| 功率MOSFET | BUK78150-55A/CUX | 封装/外壳:SOT223 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:150mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):8W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:170pF 输出电容:54pF 连续漏极电流Id:5.5A | |
| 功率MOSFET | BUK78150-55A/CUF | 封装/外壳:SOT223 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:150mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):8W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:170pF 输出电容:54pF 连续漏极电流Id:5.5A | |
| 功率MOSFET | PSMN040-100MSEX | 封装/外壳:SOT1210 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:36.6mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):91W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3.3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:1470pF 输出电容:110pF 连续漏极电流Id:30A | |
| 功率MOSFET | LN60A01ES-LF | 封装/外壳:8-SOIC | |
| 功率MOSFET | LN60A01EP-LF | 封装/外壳:8-PDIP-7B | |
| 功率MOSFET | LN60A01ES-LF-Z | 封装/外壳:8-SOIC | |
| 功率MOSFET | AUIRFR4292 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:9.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:705pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):100W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:345mΩ@5.6A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK | |
| 功率MOSFET | FDN86246 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:1.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:225pF @ 75V 功率:1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:261 毫欧 @ 1.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:75V | |
| 功率MOSFET | SK8603180L | ||
| 功率MOSFET | SIA527DJ-T1-GE3 | 封装/外壳:SC-70 FET类型:N+P-Channel | |
| 功率MOSFET | IGB50N65H5ATMA1 | 25°C时Td(开/关)值:23ns/173ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A 功率-最大值:270W 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:1.59mJ(开),750uJ(关) 栅极电荷:120nC 测试条件:400V,50A,12 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流-集电极脉冲(Icm):150A 输入类型:标准 | |
| 功率MOSFET | PMPB23XNE,115 | 封装/外壳:SOT1220 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:29mΩ@2.5V,22mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):1.7W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.65V,12V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:1136pF 输出电容:137pF 连续漏极电流Id:10.1A | |
| 功率MOSFET | PSMN1R5-30YL,115 | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.9mΩ@4.5V,1.5mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):109W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:5057pF 输出电容:1082pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | FGY75T120SQDN | ||
| 功率MOSFET | SIHG32N50D-GE3 | 封装/外壳:TO247AC FET类型:N-Channel | |
| 功率MOSFET | AOTF7T60P | 连续漏极电流Id:7A(Tc) FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1 Ω @ 3.5A,10V 栅极电荷Qg:25nC @ 10V 封装/外壳:TO-220-3F Pd-功率耗散(Max):38W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds:600V | |
| 功率MOSFET | IRLR3717TRRPBF | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.45V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:4.5V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2830pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:10V Pd-功率耗散(Max):89W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4mΩ@15A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK | |
| 功率MOSFET | AON6408L | 连续漏极电流Id:14.5A(Ta),25A(Tc) FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5 mΩ @ 20A,10V 栅极电荷Qg:36nC @ 10V 封装/外壳:8-DFN(5x6) Pd-功率耗散(Max):2.4W(Ta),31W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds:30V | |
| 功率MOSFET | BSF024N03LT3GXUMA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):15A(Ta),106A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.4 毫欧 @ 20A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5500pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):71nC @ 10V 功率耗散(最大值):2.2W(Ta),42W(Tc) 封装/外壳:3-WDSON 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V | |
| 功率MOSFET | AON6444 | 连续漏极电流Id:14A(Ta),81A(Tc) FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5 mΩ @ 20A,10V 栅极电荷Qg:96nC @ 10V 封装/外壳:8-DFN(5x6) Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta),83W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds:60V | |
| 功率MOSFET | AON6938 | 连续漏极电流Id:17A,33A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:8.2 mΩ @ 20A,10V 栅极电荷Qg:24nC @ 10V 封装/外壳:8-DFN(5x6) Pd-功率耗散(Max):3.6W,4.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds:30V | |
| 功率MOSFET | PMPB19XP,115 | 封装/外壳:SOT1220 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:27mΩ@2.5V,22.5mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):1.7W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:12V,-0.68V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:2890pF 输出电容:250pF 连续漏极电流Id:-10.3A |