IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率MOSFET | PMCM440VNE/S500Z | ||
| 功率MOSFET | AO3456 | 封装/外壳:SOT23-3 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:3.6A Pd-功率耗散(Max):1.4W Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:70mΩ VGS(th):2.5 Ciss(pF):200 Coss(pF):35 Crss(pF):23 Qg*(nC):2 Qgd(nC):1 Ohms Trr(ns):7.5 Qrr(nC):2.5 | |
| 功率MOSFET | US6M11TR | Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ@1.5A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:110pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TUMT FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V/12V 连续漏极电流Id:1.5A,1.3A | |
| 功率MOSFET | AON6502 | 封装/外壳:DFN 5x6 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:85A Pd-功率耗散(Max):83W Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:2.7mΩ VGS(th):2.2 Ciss(pF):3430 Coss(pF):1327 Crss(pF):175 Qg*(nC):25 Qgd(nC):10.3 Td(on)(ns):7.5 Td(off)(ns):33.8 Trr(ns):22 Ohms Qrr(nC):58 | |
| 功率MOSFET | SUP85N03-3M6P-GE3 | 连续漏极电流Id:85A Pd-功率耗散(Max):78.1W Qg-栅极电荷:100nC Rds On(Max)@Id,Vgs:3mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:10ns 下降时间:10ns 典型关闭延迟时间:35ns 典型接通延迟时间:11ns 宽度:4.7mm 封装/外壳:TO-220-3 正向跨导 - 最小值:110S 系列:SUP 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:10.41mm 高度:15.49mm 工作温度:-55°C~150°C | |
| 功率MOSFET | PSMN8R7-80BS,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:8.7mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):170W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:3346pF 输出电容:296pF 连续漏极电流Id:90A | |
| 功率MOSFET | AON7410 | 封装/外壳:DFN 3x3 EP FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:24A Pd-功率耗散(Max):20W Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:26mΩ VGS(th):2.5 Ciss(pF):550 Coss(pF):110 Crss(pF):55 Qg*(nC):4.6 Qgd(nC):2.2 Td(on)(ns):5 Td(off)(ns):24 Trr(ns):9 Qrr(nC):15 | |
| 功率MOSFET | RQ3E100MNTB1 | 连续漏极电流Id:10A Pd-功率耗散(Max):2W Qg-栅极电荷:9.9nC Rds On(Max)@Id,Vgs:8.8mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:17ns 下降时间:6ns 典型关闭延迟时间:31ns 典型接通延迟时间:7ns 封装/外壳:HSMT-8 FET类型:N-Channel 通道数量:1Channel 配置:Single | |
| 功率MOSFET | ZXMN6A08E6QTA | 连续漏极电流Id:2.5A Pd-功率耗散(Max):8.8W Qg-栅极电荷:5.8nC Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:2.1ns 下降时间:4.6ns 典型关闭延迟时间:12.3ns 典型接通延迟时间:2.6ns 封装/外壳:SOT-26-6 正向跨导 - 最小值:6.6S 系列:ZXMN6 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C | |
| 功率MOSFET | IPI147N12N3GAKSA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):56A(Ta) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14.7 毫欧 @ 56A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 61uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3220pF @ 60V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):49nC @ 10V 功率耗散(最大值):107W(Tc) 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):120V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V | |
| 功率MOSFET | BUK964R8-60E,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4.8mΩ@5V,4.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):234W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:7282pF 输出电容:607pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | DMP6110SSD-13 | Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ@4.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:969pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1.2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.3A | |
| 功率MOSFET | DMP6050SFG-7 | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1293pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.8A | |
| 功率MOSFET | DMP6023LE-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:53.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2569pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:28mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7A | |
| 功率MOSFET | DMP4015SPSQ-13 | 封装/外壳:8-PowerTDFN FET类型:P-Channel | |
| 功率MOSFET | DMP3056L-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:642pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:4.3A Pd-功率耗散(Max):1.38W Qg-栅极电荷:5.8nC Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:4.7ns 下降时间:18.2ns 典型关闭延迟时间:35.2ns 典型接通延迟时间:4.9ns 系列:DMP3056 通道数量:1Channel 配置:Single | |
| 功率MOSFET | DMP3036SSS-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1931pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11.4A | |
| 功率MOSFET | DMP3017SFG-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2246pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI 连续漏极电流Id:11.5A Pd-功率耗散(Max):2.2W Qg-栅极电荷:41nC Rds On(Max)@Id,Vgs:10mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:15.4ns 下降时间:36.8ns 典型关闭延迟时间:45.6ns 典型接通延迟时间:7.5ns 正向跨导 - 最小值:24S 系列:DMP3017 通道数量:1Channel 配置:SingleQuadDrainTripleSource | |
| 功率MOSFET | DMP2160UFDBQ-7 | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:536pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:U-DFN2030-6 连续漏极电流Id:3.8A Pd-功率耗散(Max):1.4W Qg-栅极电荷:6.5nC Rds On(Max)@Id,Vgs:68mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:900mV 上升时间:12.09ns 下降时间:27.54ns 典型关闭延迟时间:55.34ns 典型接通延迟时间:11.51ns 系列:DMP2160 通道数量:2Channel 配置:Dual | |
| 功率MOSFET | DMN10H220L-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:401pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):1.3W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:220mΩ@1.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A | |
| 功率MOSFET | DMN1045UFR4-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:375pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-XFDFN 连续漏极电流Id:3.2A Pd-功率耗散(Max):1.26W Qg-栅极电荷:4.8nC Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ 漏源极电压Vds:12V 栅极电压Vgs:400mV 上升时间:25ns 下降时间:48ns 典型关闭延迟时间:93ns 典型接通延迟时间:7ns 系列:DMN10 通道数量:1Channel 配置:Single | |
| 功率MOSFET | DMN1032UCB4-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:450pF @ 6V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:U-WLB 连续漏极电流Id:4.8A Pd-功率耗散(Max):1.16W Qg-栅极电荷:3.2nC Rds On(Max)@Id,Vgs:38mΩ 漏源极电压Vds:12V 栅极电压Vgs:800mV 上升时间:5.6ns 下降时间:9ns 典型关闭延迟时间:24ns 典型接通延迟时间:3.3ns 系列:DMN10 通道数量:1Channel 配置:Single | |
| 功率MOSFET | SQJ148EP-T1_GE3 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ@7A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 | |
| 功率MOSFET | SUD50P04-09L-E3 | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:150nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4800pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),136W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.4mΩ@24A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:50A | |
| 功率MOSFET | PSMN011-60MSX | 封装/外壳:SOT1210 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:11.3mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):91W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:1368pF 输出电容:191pF 连续漏极电流Id:61A | |
| 功率MOSFET | AONS32311 | ||
| 功率MOSFET | RZR025P01TL | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 6V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:61mΩ@2.5A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:2.5A | |
| 功率MOSFET | AON6232A | 连续漏极电流Id:35A(Ta),85A(Tc) FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:2.9 mΩ @ 20A,10V 栅极电荷Qg:60nC @ 10V 封装/外壳:8-DFN(5x6) Pd-功率耗散(Max):6.2W(Ta),113.5W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds:40V | |
| 功率MOSFET | SI4850EY-T1-GE3 | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.7W(Ta) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:6A Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ | |
| 功率MOSFET | SIHB28N60EF-GE3 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:28A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:120nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2714pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:123mΩ@14A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | |
| 功率MOSFET | AOTF190A60CL | 封装/外壳:TO-220F FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:20*A Pd-功率耗散(Max):32W Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@10V VGS(th):4.6 Ciss(pF):1935 Coss(pF):55 Crss(pF):1.25 Qg*(nC):12 Qgd(nC):8 Td(on)(ns):80 Td(off)(ns):80 Trr(ns):341 Qrr(nC):6800 | |
| 功率MOSFET | AOTF380A60CL | 封装/外壳:TO-220F FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:11*A Pd-功率耗散(Max):27W Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ@10V VGS(th):3.8 Ciss(pF):955 Coss(pF):29 Crss(pF):2.4 Qg*(nC):20 Qgd(nC):6.6 Td(on)(ns):20 Td(off)(ns):43 Trr(ns):251 Qrr(nC):3100 | |
| 功率MOSFET | SUD25N15-52-E3 | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1725pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),136W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:52mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:25A | |
| 功率MOSFET | SUD90330E-GE3 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:35.8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1172pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:37.5mΩ@12.2A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 功率MOSFET | AON6816 | 封装/外壳:DFN 5x6 EP FET类型:N-Channel ESD Diode:Yes Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:16A Pd-功率耗散(Max):21W Rds On(Max)@Id,Vgs:6.2mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:9.6mΩ VGS(th):2.2 Ciss(pF):1540 Coss(pF):485 Crss(pF):448 Qg*(nC):19.7 Qgd(nC):15 Td(on)(ns):7 Td(off)(ns):24 Trr(ns):15.2 Qrr(nC):22.2 | |
| 功率MOSFET | AON7418_001 | ||
| 功率MOSFET | ZXMP10A17GTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:424pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350mΩ@1.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261AA FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.4A | |
| 功率MOSFET | DMPH6050SK3Q-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1377pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@7A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.2A | |
| 功率MOSFET | DMP6110SSD-13 | Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ@4.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:969pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1.2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.3A | |
| 功率MOSFET | DMN6069SFGQ-13 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:18A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1480pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):2.4W Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI3333-8 | |
| 功率MOSFET | ZXMP10A17GTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:424pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350mΩ@1.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261AA FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.4A | |
| 功率MOSFET | DMPH6050SK3Q-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1377pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@7A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.2A | |
| 功率MOSFET | DMP6110SSD-13 | Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ@4.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:969pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1.2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.3A | |
| 功率MOSFET | DMN6069SFGQ-13 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:18A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1480pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):2.4W Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI3333-8 | |
| 功率MOSFET | DMG2305UXQ-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:808pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:4.2A Pd-功率耗散(Max):1.4W Qg-栅极电荷:10.2nC Rds On(Max)@Id,Vgs:52mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:500mV 上升时间:13.7ns 下降时间:34.7ns 典型关闭延迟时间:79.3ns 典型接通延迟时间:10.8ns 封装/外壳:SOT-23-3 系列:DMG230 通道数量:1Channel 配置:Single | |
| 功率MOSFET | ZXMN10A08E6TA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:405pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@3.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:3.5A | |
| 功率MOSFET | ZVP4424ZTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:3.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±40V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:9Ω@200mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:240V 连续漏极电流Id:0.2A | |
| 功率MOSFET | DMT3011LDT-7 | 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8A,10.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@6A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:641pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.9W 工作温度:-55°C~155°C(TJ) 封装/外壳:V-DFN3030-8 | |
| 功率MOSFET | DMP6180SK3Q-13 | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:14A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:984.7pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.7W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:110mΩ@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 功率MOSFET | DMP3050LVT-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:620pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.8W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.5A | |
| 功率MOSFET | DMP3036SSS-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1931pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11.4A | |
| 功率MOSFET | DMP2018LFK-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 200µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:113nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4748pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ@3.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:9.2A | |
| 功率MOSFET | DMP1055UFDB-7 | 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:3.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:59mΩ@3.6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20.8nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1028pF @ 6V Pd-功率耗散(Max):1.36W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:U-DFN2030-6 | |
| 功率MOSFET | DMP1005UFDF-7 | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:26A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:47nC @ 8V 栅极电压Vgs:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2475pF @ 6V Pd-功率耗散(Max):2.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5mΩ@5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-UDFN | |
| 功率MOSFET | DMNH6012LK3-13 | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1926pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ@25A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-5,Dpak,TO-252AD | |
| 功率MOSFET | DMN6013LFGQ-7 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10.3A(Ta),45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:55.4nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2577pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:13mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN | |
| 功率MOSFET | DMN10H220L-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:401pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):1.3W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:220mΩ@1.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A | |
| 功率MOSFET | ZXM62P02E6TA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.7V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:320pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:200mΩ@1.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.3A | |
| 功率MOSFET | DMP4051LK3-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:674pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.14W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:51mΩ@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:10.5A | |
| 功率MOSFET | DMJ7N70SK3-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:351pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):28W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.25Ω@2.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:700V 连续漏极电流Id:3.9A | |
| 功率MOSFET | ZXMP7A17KTC | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:635pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.11W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:160mΩ@2.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:70V 连续漏极电流Id:5.7A | |
| 功率MOSFET | DMP6023LSS-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:53.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2569pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:6.6A | |
| 功率MOSFET | DMT10H010LSS-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.5mΩ@13A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:11.5A | |
| 功率MOSFET | DMN6068SE-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:502pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:68mΩ@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:5.6A | |
| 功率MOSFET | ZXMP6A17GTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:637pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:125mΩ@2.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.3A | |
| 功率MOSFET | DMN6013LFG-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:55.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2577pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:13mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10.3A | |
| 功率MOSFET | DMTH6010LPD-13 | 系列:汽车级,AEC-Q101 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13.1A(Ta),47.6A(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:11mΩ@20A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2615pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):2.8W 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI5060-8 | |
| 功率MOSFET | DMN4034SSD-13 | Rds On(Max)@Id,Vgs:34mΩ@6A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:453pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:6.3A | |
| 功率MOSFET | ZVP0545GTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150Ω@50mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:450V 连续漏极电流Id:0.075A | |
| 功率MOSFET | DMN10H220LE-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:401pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.8W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:220mΩ@1.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.3A | |
| 功率MOSFET | DMN6040SVT-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1287pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:44mΩ@4.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOT-26 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:5A | |
| 功率MOSFET | ZXMN20B28KTC | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.1nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:358pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:750mΩ@2.75A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:2.3A | |
| 功率MOSFET | DMP3010LK3-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:59.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6234pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.7W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:17A | |
| 功率MOSFET | ZXMN6A09GTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24.2nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1407pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@8.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.5A | |
| 功率MOSFET | DMN10H170SVT-7 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1167pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:160mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOT-26 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.6A | |
| 功率MOSFET | DMN3007LSS-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:64.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2714pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:7mΩ@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:16A | |
| 功率MOSFET | DMP6023LE-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:53.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2569pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:28mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7A | |
| 功率MOSFET | DMTH6010LPDQ-13 | 系列:汽车级,AEC-Q101 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13.1A(Ta),47.6A(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:11mΩ@20A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2615pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):2.8W 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI5060-8 | |
| 功率MOSFET | ZXMN10A07ZTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:138pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:700mΩ@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.4A | |
| 功率MOSFET | DMP3035LSS-13 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,20V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1655pF @ 20V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ@8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11A | |
| 功率MOSFET | ZXMP7A17GTA | 系列:ZXMP 高度:1.65 mm 长度:6.7 mm 宽度:3.7 mm 配置:Single Dual Drain 下降时间:8 ns 典型接通延迟时间:2.5 ns 上升时间:3.4 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:27.9 ns 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:635pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:160mΩ@2.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:70V 连续漏极电流Id:3.7A | |
| 功率MOSFET | SIHD1K4N60E-GE3 | ||
| 功率MOSFET | SUP50020EL-GE3 | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:126nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:11113pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:120A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.8mΩ 漏源极电压Vds:1.2V | |
| 功率MOSFET | PSMN1R5-30BLEJ | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.85mΩ@4.5V,1.5mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):401W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:14934pF 输出电容:2741pF 连续漏极电流Id:120A | |
| 功率MOSFET | SIHB100N60E-GE3 | ||
| 功率MOSFET | SIHF16N50C-E3 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:68nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):38W Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ@8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 | |
| 功率MOSFET | SI3440DV-T1-GE3 | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.14W(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOP-6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:375mΩ | |
| 功率MOSFET | SI7434DP-T1-GE3 | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:155mΩ | |
| 功率MOSFET | PSMN3R0-60BS,118 | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3.2mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):306W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:8079pF 输出电容:971pF 连续漏极电流Id:100A | |
| 功率MOSFET | ZXMP4A16GTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1007pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:60mΩ@3.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:6.4A | |
| 功率MOSFET | ZXMP10A18GTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1055pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ@2.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:3.7A | |
| 功率MOSFET | ZXMP10A17GTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:424pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350mΩ@1.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261AA FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.4A | |
| 功率MOSFET | ZXMN6A25KTC | 系列:ZXMN 高度:2.39 mm 长度:6.73 mm 宽度:6.22 mm 配置:Single 下降时间:10.6 ns 典型接通延迟时间:3.8 ns 上升时间:4 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:26.2 ns 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1063pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.11W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@3.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10.7A | |
| 功率MOSFET | ZXMN6A09GTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24.2nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1407pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@8.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.5A | |
| 功率MOSFET | ZXMN6A07ZTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:166pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@1.8A,10V 封装/外壳:SOT-89 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.5A | |
| 功率MOSFET | ZXMN2A03E6TA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:837pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:55mΩ@7.2A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.6A | |
| 功率MOSFET | ZXMN10A07ZTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:138pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:700mΩ@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.4A | |
| 功率MOSFET | ZXMD63C03XTA | Rds On(Max)@Id,Vgs:135mΩ@1.7A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:290pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.04W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:MSOP FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.3A,2A | |
| 功率MOSFET | ZVP0545GTA | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150Ω@50mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:450V 连续漏极电流Id:0.075A | |
| 功率MOSFET | PSMN041-80YLX | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:45mΩ@5V,41mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):64W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:1180pF 输出电容:99pF 连续漏极电流Id:25A |