IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率MOSFET | STF13N60M2 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II Plus 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:580pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ@5.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11A |
| 功率MOSFET | STF14NM50N | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:816pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:320mΩ@6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:12A |
| 功率MOSFET | STF14NM50N | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:816pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:320mΩ@6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:12A |
| 功率MOSFET | STP140NF75 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ III 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:218nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):310W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@70A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:120A |
| 功率MOSFET | RQ6E050ATTCR | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20.8nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:940pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:27mΩ@5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 |
| 功率MOSFET | STP24N60DM2 | ST(意法半导体) | 系列:FDmesh™ II Plus 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1055pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:200mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:18A |
| 功率MOSFET | STD3NK60ZT4 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:311pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.6Ω@1.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:2.4A |
| 功率MOSFET | QS5K2TR | ROHM(罗姆) | Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ@2A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.9nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:175pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2A |
| 功率MOSFET | R6047ENZ1C9 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:145nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3850pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):120W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:72mΩ@25.8A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:47A |
| 功率MOSFET | SCT2160KEC | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:62nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF @ 800V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 连续漏极电流Id:22A Pd-功率耗散(Max):165W Qg-栅极电荷:62nC Rds On(Max)@Id,Vgs:208mΩ 漏源极电压Vds:1.2KV 栅极电压Vgs:1.6V 上升时间:25ns 下降时间:27ns 典型关闭延迟时间:67ns 典型接通延迟时间:23ns 正向跨导 - 最小值:2.4S 系列:SCT2x 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | SCT2280KEC | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 1.4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:36nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:667pF @ 800V 栅极电压Vgs:+22V,-6V Pd-功率耗散(Max):108W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:364mΩ@4A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:14A |
| 功率MOSFET | SCT3040KLGC11 | ROHM(罗姆) | 零件号别名:SCT3040KLC11 FET类型:N-Channel 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 10mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:107nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1337pF @ 800V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 连续漏极电流Id:55A Pd-功率耗散(Max):262W Qg-栅极电荷:107nC Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ 漏源极电压Vds:1.2KV 栅极电压Vgs:5.6V 上升时间:39ns 下降时间:24ns 典型关闭延迟时间:49ns 典型接通延迟时间:21ns 系列:SCT3x 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | TT8M2TR | ROHM(罗姆) | Rds On(Max)@Id,Vgs:90mΩ@2.5A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:180pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSST FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V/20V 连续漏极电流Id:2.5A |
| 功率MOSFET | SH8J66TB1 | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:9A Rds On(Max)@Id,Vgs:18.5mΩ@9A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):2W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 漏源极电压Vds:4V |
| 功率MOSFET | SCT3160KLGC11 | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 2.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:398pF @ 800V 栅极电压Vgs:+22V,-4V Pd-功率耗散(Max):103W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:208mΩ@5A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 功率MOSFET | RZR025P01TL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 6V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:61mΩ@2.5A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:2.5A |
| 功率MOSFET | SCT3080ALGC11 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:48nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:571pF @ 500V 栅极电压Vgs:+22V,-4V Pd-功率耗散(Max):134W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:104mΩ@10A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247N FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:30A |
| 功率MOSFET | FDS4141 | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:10.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:49nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2670pF @ 20V 功率:5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:13 毫欧 @ 10.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 功率MOSFET | FDPF5N60NZ | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 10V 栅极电压Vgs:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 25V 功率:33W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2 欧姆 @ 2.25A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 整包 |
| 功率MOSFET | FDPF13N50FT | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:39nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1930pF @ 25V 功率:42W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:540 毫欧 @ 6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 整包 |
| 功率MOSFET | FDP61N20 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:61A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:75nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3380pF @ 25V 功率:417W Rds On(Max)@Id,Vgs:41 毫欧 @ 30.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | FDP51N25 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:51A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3410pF @ 25V 功率:320W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:60 毫欧 @ 25.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | FDP3652 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:9A(Ta),61A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:53nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2880pF @ 25V 功率:150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:16 毫欧 @ 61A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | FDN86246 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:1.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:225pF @ 75V 功率:1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:261 毫欧 @ 1.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:75V |
| 功率MOSFET | FDMS86500L | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:25A(Ta),80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:165nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12530pF @ 30V 功率:2.5W(Ta),104W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:30V |
| 功率MOSFET | FDMS86200 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:9.6A(Ta),35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:46nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2715pF @ 75V 功率:2.5W(Ta),104W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:18 毫欧 @ 9.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:75V |
| 功率MOSFET | FDMS86102LZ | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:7A(Ta),22A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1305pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:50V 功率:2.5W(Ta),69W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 功率MOSFET | FDMS8320L | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:36A(Ta),100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:170nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11110pF @ 20V 功率:2.5W(Ta),104W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1 毫欧 @ 32A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 功率MOSFET | FDMQ86530L | ON(安森美) | 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:8A Rds On(Max)@Id,Vgs:17.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2295pF @ 30V 功率:1.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:12-MLP(5x4.5) FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | FDD8647L | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:14A(Ta),42A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:28nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1640pF @ 20V 功率:3.1W(Ta),43W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9 毫欧 @ 13A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 功率MOSFET | FDD770N15A | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:18A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:765pF @ 75V 功率:56.8W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:77 毫欧 @ 12A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 功率MOSFET | FDD6685 | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11A(Ta),40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 5V 栅极电压Vgs:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1715pF @ 15V 功率:52W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:20 毫欧 @ 11A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 功率MOSFET | FDD6637 | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:35V 连续漏极电流Id:13A(Ta),55A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC @ 10V 栅极电压Vgs:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2370pF @ 20V 功率:3.1W(Ta),57W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:11.6 毫欧 @ 14A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 功率MOSFET | FDC640P | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:890pF @ 10V 功率:1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:53 毫欧 @ 4.5A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 功率MOSFET | FDC637AN | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1125pF @ 10V 功率:1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:24 毫欧 @ 6.2A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 功率MOSFET | FDC610PZ | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.9A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 10V 栅极电压Vgs:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1005pF @ 15V 功率:1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:42 毫欧 @ 4.9A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 功率MOSFET | FDB52N20TM | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:52A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2900pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:357W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:49 毫欧 @ 26A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 功率MOSFET | STF13N60M2 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II Plus 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:580pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ@5.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11A |
| 功率MOSFET | STF13NM60N | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:790pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:360mΩ@5.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11A |
| 功率MOSFET | STF22NM60N | ST(意法半导体) | 连续漏极电流Id:16A Pd-功率耗散(Max):30W Qg-栅极电荷:44nC Rds On(Max)@Id,Vgs:220mΩ 漏源极电压Vds:650V 栅极电压Vgs:3V 上升时间:18ns 下降时间:38ns 典型关闭延迟时间:74ns 典型接通延迟时间:11ns 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:N-Channel 系列:STF22NM60N 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | STFW3N150 | ST(意法半导体) | 系列:PowerMESH™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:939pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):63W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9Ω@1.3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-3PF FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.5A 漏源极电压Vds:1.5KV |
| 功率MOSFET | FDB035N10A | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:116nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7295pF @ 25V 功率:333W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5 毫欧 @ 75A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V |
| 功率MOSFET | FDA18N50 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:19A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2860pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:239W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:265 毫欧 @ 9.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 |
| 功率MOSFET | FCPF850N80Z | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 600µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1315pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):28.4W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:850mΩ@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | FCP067N65S3 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 4.4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:78nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3090pF @ 400V 功率:312W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:67 毫欧 @ 22A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | FCH067N65S3-F155 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 4.4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:78nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3090pF @ 400V 功率:312W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:67 毫欧 @ 22A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 功率MOSFET | FCD900N60Z | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:720pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:900mΩ@2.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 |
| 功率MOSFET | FCB36N60NTM | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:36A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:112nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4785pF @ 100V 功率:312W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:90 毫欧 @ 18A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:100V |
| 功率MOSFET | STP13NM60N | ST(意法半导体) | 连续漏极电流Id:11A Pd-功率耗散(Max):90W Rds On(Max)@Id,Vgs:360mΩ 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:25V 上升时间:8ns 下降时间:10ns 典型关闭延迟时间:30ns 典型接通延迟时间:3ns 封装/外壳:TO-220-3 系列:STP13NM60N 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | STP7NK80ZFP | ST(意法半导体) | Pd-功率耗散(Max):30W(Tc) 系列:SuperMESH™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:56nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1138pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:1.8Ω@2.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:5.2A |
| 功率MOSFET | FQU2N60CTU | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:1.9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:235pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),44W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.7Ω@950mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 ,IPak,TO-251AA |
| 功率MOSFET | FQT4N25TF | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:830mA(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:200pF @ 25V 功率:2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.75 欧姆 @ 415mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA |
| 功率MOSFET | FQPF2N60C | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:235pF @ 25V 功率:23W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.7 欧姆 @ 1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 整包 |
| 功率MOSFET | FQP70N10 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:57A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:110nC @ 10V 栅极电压Vgs:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3300pF @ 25V 功率:160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:23 毫欧 @ 28.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | FQP6N90C | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1770pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:167W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.3 欧姆 @ 3A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | FQP4N90C | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:960pF @ 25V 功率:140W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2 欧姆 @ 2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | FQP3N80C | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:705pF @ 25V 功率:107W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.8 欧姆 @ 1.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | FQB8N60CTM | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:7.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:36nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1255pF @ 25V 功率:3.13W(Ta),147W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2 欧姆 @ 3.75A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 功率MOSFET | FQB55N10TM | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:55A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 栅极电压Vgs:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2730pF @ 25V 功率:3.75W(Ta),155W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:26 毫欧 @ 27.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 功率MOSFET | FQA9N90C-F109 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:58nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2730pF @ 25V 功率:280W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4 欧姆 @ 4.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 |
| 功率MOSFET | FQA70N15 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:70A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:175nC @ 10V 栅极电压Vgs:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5400pF @ 25V 功率:330W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:28 毫欧 @ 35A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 |
| 功率MOSFET | HS8K11TB | ROHM(罗姆) | Rds On(Max)@Id,Vgs:17.9mΩ@7A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:500pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):2W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:HSML FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7A,11A |
| 功率MOSFET | RF4E080BNTR | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:660pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:17.6mΩ@8A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:HUML FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8A |
| 功率MOSFET | SCT3040KLGC11 | ROHM(罗姆) | 零件号别名:SCT3040KLC11 FET类型:N-Channel 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 10mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:107nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1337pF @ 800V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 连续漏极电流Id:55A Pd-功率耗散(Max):262W Qg-栅极电荷:107nC Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ 漏源极电压Vds:1.2KV 栅极电压Vgs:5.6V 上升时间:39ns 下降时间:24ns 典型关闭延迟时间:49ns 典型接通延迟时间:21ns 系列:SCT3x 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | RTR040N03TL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.3nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:475pF @ 10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT 连续漏极电流Id:4A Pd-功率耗散(Max):1W Rds On(Max)@Id,Vgs:48mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:12V 上升时间:18ns 下降时间:19ns 典型关闭延迟时间:37ns 典型接通延迟时间:10ns 宽度:1.60mm 系列:RTR040N03 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:0.85mm FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | SCT3060ALGC11 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 6.67mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:58nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:852pF @ 500V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 连续漏极电流Id:39A Pd-功率耗散(Max):165W Qg-栅极电荷:58nC Rds On(Max)@Id,Vgs:60mΩ 漏源极电压Vds:650V 栅极电压Vgs:5.6V 上升时间:37ns 下降时间:21ns 典型关闭延迟时间:34ns 典型接通延迟时间:19ns 系列:SCT3x 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | IRF610PBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:140pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):36W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:3.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5Ω |
| 功率MOSFET | IRF740PBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 连续漏极电流Id:10A Pd-功率耗散(Max):125W Qg-栅极电荷:63nC Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ 漏源极电压Vds:400V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:27ns 下降时间:24ns 典型关闭延迟时间:50ns 典型接通延迟时间:14ns 宽度:4.7mm 正向跨导 - 最小值:5.8S 系列:IRF 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:10.41mm 高度:15.49mm |
| 功率MOSFET | IRFPF50PBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:200nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2900pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:6.7A Pd-功率耗散(Max):190W Qg-栅极电荷:200nC Rds On(Max)@Id,Vgs:1.6Ω 漏源极电压Vds:900V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:34ns 下降时间:37ns 典型关闭延迟时间:130ns 典型接通延迟时间:20ns 封装/外壳:TO-247AC-3 正向跨导 - 最小值:4.9S 系列:IRFPF 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | IRFL110TRPBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:180pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223-3 连续漏极电流Id:1.5A Pd-功率耗散(Max):3.1W Qg-栅极电荷:8.3nC Rds On(Max)@Id,Vgs:540mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:16ns 下降时间:9.4ns 典型关闭延迟时间:15ns 典型接通延迟时间:6.9ns 宽度:3.5mm 正向跨导 - 最小值:1.1S 系列:IRFL 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:6.5mm 高度:1.8mm |
| 功率MOSFET | IRFP460APBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:105nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3100pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:20A Pd-功率耗散(Max):280W Qg-栅极电荷:105nC Rds On(Max)@Id,Vgs:270mΩ 漏源极电压Vds:500V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:55ns 下降时间:39ns 典型关闭延迟时间:45ns 典型接通延迟时间:18ns 宽度:5.31mm 封装/外壳:TO-247-3 正向跨导 - 最小值:11S 系列:IRFP 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:15.87mm 高度:20.82mm |
| 功率MOSFET | IRFRC20TRPBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),42W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.4Ω@1.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:2A |
| 功率MOSFET | IRFRC20TRPBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),42W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.4Ω@1.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:2A |
| 功率MOSFET | IRFP22N50APBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:120nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3450pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):277W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:22A Rds On(Max)@Id,Vgs:230mΩ |
| 功率MOSFET | IRFL110TRPBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:180pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223-3 连续漏极电流Id:1.5A Pd-功率耗散(Max):3.1W Qg-栅极电荷:8.3nC Rds On(Max)@Id,Vgs:540mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:16ns 下降时间:9.4ns 典型关闭延迟时间:15ns 典型接通延迟时间:6.9ns 宽度:3.5mm 正向跨导 - 最小值:1.1S 系列:IRFL 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:6.5mm 高度:1.8mm |
| 功率MOSFET | IRFR9024PBF | Vishay(威世) | 类别:分立半导体产品 小类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态:在售 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:570pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),42W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280mΩ@5.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:8.8A |
| 功率MOSFET | IRFPF40PBF | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:120nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5 Ohms@2.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:4.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5Ω |
| 功率MOSFET | ZXMP6A13GTA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:219pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:390mΩ@900mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.3A |
| 功率MOSFET | ZXMP6A18KTC | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1580pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.15W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:55mΩ@3.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10.4A |
| 功率MOSFET | DMP3056LDM-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:948pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:45mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.3A |
| 功率MOSFET | DMN3010LSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:43.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2096pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:9mΩ@16A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:16A |
| 功率MOSFET | ZXMP6A17E6TA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:637pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:125mΩ@2.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3A |
| 功率MOSFET | IRFM120ATF | Fairchild(仙童) | 系列:IRFM 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:480pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:200mΩ@1.15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.3A |
| 功率MOSFET | SQ2319ADS-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:4.6A Pd-功率耗散(Max):2.5W Qg-栅极电荷:10.5nC Rds On(Max)@Id,Vgs:75mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:18ns 下降时间:17ns 典型关闭延迟时间:17ns 典型接通延迟时间:4ns 宽度:1.60mm 封装/外壳:SOT-23-3 正向跨导 - 最小值:8S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:1.45mm 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SI7117DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SI 零件号别名:SI7117DN-GE3 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:510pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.2W(Ta),12.5W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:1.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2Ω |
| 功率MOSFET | SI2324DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.9V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta),2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:234m Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A |
| 功率MOSFET | DMN3030LSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:741pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:18mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:9A |
| 功率MOSFET | IPP65R280E6 | Infineon(英飞凌) | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:950pF @ 100V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 漏源极电压Vds:650V 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 440µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45nC @ 10V 通道数量:1Channel 连续漏极电流Id:13.8A Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):104W 高度:15.65mm 长度:10mm 系列:CoolMOSE6 FET类型:N-Channel 宽度:4.4mm |
| 功率MOSFET | R6076ENZ1C9 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:260nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):120W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:42mΩ@44.4A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:76A |
| 功率MOSFET | SIR688DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:66nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3105pF @ 30V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK 连续漏极电流Id:60A Pd-功率耗散(Max):83W Qg-栅极电荷:66nC Rds On(Max)@Id,Vgs:2.9mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1.3V 上升时间:8ns 下降时间:8ns 典型关闭延迟时间:31ns 典型接通延迟时间:15ns 宽度:5.15mm 正向跨导 - 最小值:70S 系列:SIR 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:6.15mm 高度:1.04mm |
| 功率MOSFET | RUR040N02TL | ROHM(罗姆) | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:680pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:35mΩ@4A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-96 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA |
| 功率MOSFET | STD13NM60N | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:790pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):90W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:360mΩ@5.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:11A |
| 功率MOSFET | SCT2080KEC | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 4.4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:106nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2080pF @ 800V 栅极电压Vgs:+22V,-6V Pd-功率耗散(Max):262W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:117mΩ@10A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:35A |
| 功率MOSFET | RZR040P01TL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2350pF @ 6V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT 连续漏极电流Id:4A Pd-功率耗散(Max):1W Qg-栅极电荷:30nC Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ 漏源极电压Vds:12V 栅极电压Vgs:300mV 上升时间:70ns 下降时间:210ns 典型关闭延迟时间:380ns 典型接通延迟时间:11ns 系列:RZR040P01 通道数量:1Channel 配置:Single FET类型:P-Channel |
| 功率MOSFET | RTR020N05TL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:200pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ@2A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:45V 连续漏极电流Id:2A |
| 功率MOSFET | RTR025N03TL | ROHM(罗姆) | 系列:RTR 高度:0.85 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.6 mm 配置:Single 下降时间:10 ns 典型接通延迟时间:9 ns 上升时间:15 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:25 ns 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:220pF @ 10V 栅极电压Vgs:12V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:92mΩ@2.5A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.5A |
| 功率MOSFET | SIHP12N50C-E3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:48nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1375pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:12A Pd-功率耗散(Max):208W Qg-栅极电荷:32nC Rds On(Max)@Id,Vgs:555mΩ 漏源极电压Vds:500V 栅极电压Vgs:5V 上升时间:35ns 下降时间:6ns 典型关闭延迟时间:23ns 典型接通延迟时间:18ns 宽度:4.7mm 封装/外壳:TO-220AB-3 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:10.41mm 高度:15.49mm |
| 功率MOSFET | RTR025N03TL | ROHM(罗姆) | 系列:RTR 高度:0.85 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.6 mm 配置:Single 下降时间:10 ns 典型接通延迟时间:9 ns 上升时间:15 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:25 ns 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:220pF @ 10V 栅极电压Vgs:12V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:92mΩ@2.5A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.5A |
| 功率MOSFET | SQ4917EY-T1_GE3 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® Rds On(Max)@Id,Vgs:48mΩ@4.3A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:65nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1910pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):5W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TA) 封装/外壳:SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:8A |
| 功率MOSFET | DMP2215L-7 | Diodes(达尔（美台）) | 配置:Single 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.3nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:2.7A Pd-功率耗散(Max):1.08W Qg-栅极电荷:4.3nC Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:450mV 宽度:1.3mm FET类型:P-Channel 系列:DMP22 通道数量:1Channel 长度:2.9mm 高度:1mm |