IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率MOSFET | SPP12N50C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 配置:Single Pd-功率耗散(Max):125W 高度:15.65mm 长度:10mm 系列:CoolMOSC3 宽度:4.4mm 下降时间:8ns 上升时间:8ns 典型关闭延迟时间:45ns 典型接通延迟时间:10ns Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:11.6A 封装/外壳:TO-220 Rth:1.0K/W QG:49.0nC Budgetary Price €/1k:0.82 Ptot max:125.0W FET类型:N-Channel RthJA max:62.0K/W 栅极电压Vgs:2.1V,3.9V 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SPD07N60S5 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 350µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:970pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@4.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3 |
| 功率MOSFET | SPD07N20 G | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel Qg-栅极电荷:31.5nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):40W 高度:2.3mm 长度:6.5mm 系列:SPD07N20 宽度:6.22mm 正向跨导 - 最小值:3S 下降时间:30ns 上升时间:40ns 典型关闭延迟时间:55ns 典型接通延迟时间:10ns Moisture Level:1 Ohms Rds On(Max)@Id,Vgs:400mΩ 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:7A QG (typ @10V):21.0 nC 封装/外壳:DPAK (TO-252) Rth:3.1 K/W Budgetary Price €/1k:0.32 Ptot max:40.0W FET类型:N-Channel Coss:85.0 pF Ciss:400.0pF 栅极电压Vgs:3V,2.1V,4V 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SPD04N60S5 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 200µA 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:950mΩ@2.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22.9nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:580pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 功率MOSFET | SPD02N50C3 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:1.8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 80µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω@1.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 功率MOSFET | SPB16N50C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:16A Rds On(Max)@Id,Vgs:280mΩ 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):160W 高度:4.4mm 长度:10mm 系列:CoolMOSC3 FET类型:N-Channel 宽度:9.25mm 下降时间:8ns 典型关闭延迟时间:50ns 典型接通延迟时间:10ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SPB12N50C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:11.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):125W 高度:4.4mm 长度:10mm 系列:CoolMOSC3 FET类型:N-Channel 宽度:9.25mm 下降时间:8ns 典型关闭延迟时间:45ns 典型接通延迟时间:10ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SPB04N60S5 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:950mΩ 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):50W 高度:4.4mm 长度:10mm 系列:CoolMOSS5 FET类型:N-Channel 宽度:9.25mm 下降时间:15ns 上升时间:30ns 典型关闭延迟时间:60ns 典型接通延迟时间:55ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SPB03N60C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:3.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4Ω 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):38W 高度:4.4mm 长度:10mm 系列:CoolMOSC3 FET类型:N-Channel 宽度:9.25mm 下降时间:12ns 上升时间:3ns 典型关闭延迟时间:64ns 典型接通延迟时间:7ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | ZXMP10A18KTC | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1055pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.17W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ@2.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:5.9A |
| 功率MOSFET | ZXMP10A17GTA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:424pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350mΩ@1.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261AA FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.4A |
| 功率MOSFET | ZXMN6A08E6TA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:459pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:80mΩ@4.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.5A |
| 功率MOSFET | ZXMN6A07ZTA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:166pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@1.8A,10V 封装/外壳:SOT-89 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.5A |
| 功率MOSFET | ZXMN20B28KTC | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.1nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:358pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:750mΩ@2.75A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:2.3A |
| 功率MOSFET | ZXMN10A08E6TA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:405pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@3.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:3.5A |
| 功率MOSFET | ZVP4424ZTA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:3.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±40V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:9Ω@200mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:240V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 功率MOSFET | DMTH4004SPSQ-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:31A(Ta),100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:68.6nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4305pF @ 25V 功率:3.6W(Ta), 167W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7 毫欧 @ 90A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI5060-8 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 功率MOSFET | DMT32M5LFG-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:67.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4066pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN 连续漏极电流Id:100A Pd-功率耗散(Max):50W Qg-栅极电荷:67.7nC Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:13.2ns 下降时间:23.9ns 典型关闭延迟时间:37.4ns 典型接通延迟时间:7.2ns 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | DMT31M6LPS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:123nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7019pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:35.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:123nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7019pF @ 15V Rds On(Max)@Id,Vgs:1.35mΩ@20A,10V |
| 功率MOSFET | DMT6002LPS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:130.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6555pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.3W Rds On(Max)@Id,Vgs:2mΩ@50A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 功率MOSFET | DMT3011LDT-7 | Diodes(达尔（美台）) | 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8A,10.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@6A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:641pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.9W 工作温度:-55°C~155°C(TJ) 封装/外壳:V-DFN3030-8 |
| 功率MOSFET | DMT10H015LPS-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:7.3A(Ta),44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33.3nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1871pF @ 50V 功率:1.3W(Ta), 46W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:16 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 功率MOSFET | DMPH6050SK3Q-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1377pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@7A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.2A |
| 功率MOSFET | DMP6180SK3Q-13 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:14A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:984.7pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.7W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:110mΩ@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 |
| 功率MOSFET | DMP4051LK3-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:674pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.14W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:51mΩ@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:10.5A |
| 功率MOSFET | DMP3130LQ-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:864pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 连续漏极电流Id:3.5A Pd-功率耗散(Max):1.3W Qg-栅极电荷:12nC Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1.3V 上升时间:6.5ns 下降时间:15ns 典型关闭延迟时间:27.8ns 典型接通延迟时间:4.6ns 正向跨导 - 最小值:8S 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | DMP3050LVT-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:620pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.8W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.5A |
| 功率MOSFET | DMP2066LSD-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:820pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOP 连续漏极电流Id:5.8A Pd-功率耗散(Max):2W Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:12V 上升时间:9.9ns 下降时间:23.4ns 典型关闭延迟时间:28ns 典型接通延迟时间:4.4ns 宽度:4.1mm 系列:DMP2066 通道数量:2Channel 配置:Dual 长度:5.3mm 高度:1.50mm FET类型:P-Channel |
| 功率MOSFET | DMP2018LFK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 200µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:113nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4748pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ@3.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:9.2A |
| 功率MOSFET | DMP1055UFDB-7 | Diodes(达尔（美台）) | 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:3.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:59mΩ@3.6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20.8nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1028pF @ 6V Pd-功率耗散(Max):1.36W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:U-DFN2030-6 |
| 功率MOSFET | DMP1005UFDF-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:26A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:47nC @ 8V 栅极电压Vgs:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2475pF @ 6V Pd-功率耗散(Max):2.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5mΩ@5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-UDFN |
| 功率MOSFET | DMNH6012LK3-13 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1926pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ@25A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-5,Dpak,TO-252AD |
| 功率MOSFET | DMN80H2D0SCTI | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1253pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 连续漏极电流Id:7A Pd-功率耗散(Max):41W Qg-栅极电荷:35.4nC Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4Ω 漏源极电压Vds:800V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:35.8ns 下降时间:42.6ns 典型关闭延迟时间:104ns 典型接通延迟时间:20.5ns 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | DMN6069SFGQ-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:18A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1480pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):2.4W Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI3333-8 |
| 功率MOSFET | DMN6013LFGQ-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10.3A(Ta),45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:55.4nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2577pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:13mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN |
| 功率MOSFET | DMN6017SK3-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2711pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 连续漏极电流Id:43A Pd-功率耗散(Max):50W Qg-栅极电荷:55nC Rds On(Max)@Id,Vgs:18mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:5.4ns 下降时间:11ns 典型关闭延迟时间:38.2ns 典型接通延迟时间:4.9ns 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | DMN4800LSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.47nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:798pF @ 10V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.46W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8.6A |
| 功率MOSFET | DMN4034SSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:5.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:453pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:34mΩ@6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:7.2A |
| 功率MOSFET | DMN3110LCP3-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.52nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-XFDFN 连续漏极电流Id:3.2A Pd-功率耗散(Max):1.38W Qg-栅极电荷:1.09nC Rds On(Max)@Id,Vgs:52mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:650mV 上升时间:2.8ns 下降时间:9.5ns 典型关闭延迟时间:16.5ns 典型接通延迟时间:4.8ns 正向跨导 - 最小值:3.3S 通道数量:1Channel 配置:Single FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | DMN3009SK3-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 连续漏极电流Id:80A Pd-功率耗散(Max):44W Qg-栅极电荷:42nC Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:4.1ns 下降时间:15ns 典型关闭延迟时间:31ns 典型接通延迟时间:3.9ns 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | DMN2058U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:281pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.13W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:281pF @ 10V Rds On(Max)@Id,Vgs:35mΩ@6A,10V |
| 功率MOSFET | DMN2009LSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:58.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2555pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOP 连续漏极电流Id:12A Pd-功率耗散(Max):2W Rds On(Max)@Id,Vgs:8mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:12V 宽度:4.25mm 系列:DMN2009 通道数量:1Channel 配置:SingleQuadDrainTripleSource 长度:4.6mm 高度:0.56mm FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | DMG4822SSD-13 | Diodes(达尔（美台）) | 连续漏极电流Id:10A Pd-功率耗散(Max):1.42W Qg-栅极电荷:10.5nC Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:25V 上升时间:7.9ns 下降时间:3.1ns 典型关闭延迟时间:14.6ns 典型接通延迟时间:2.9ns 封装/外壳:SO-8 正向跨导 - 最小值:200mS 系列:DMG4822 通道数量:2Channel 配置:Dual 工作温度:-55°C~150°C FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | DMG2305UXQ-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:808pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:4.2A Pd-功率耗散(Max):1.4W Qg-栅极电荷:10.2nC Rds On(Max)@Id,Vgs:52mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:500mV 上升时间:13.7ns 下降时间:34.7ns 典型关闭延迟时间:79.3ns 典型接通延迟时间:10.8ns 封装/外壳:SOT-23-3 系列:DMG230 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | DMC4050SSD-13 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:45mΩ@3A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37.56nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1790.8pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:5.8A |
| 功率MOSFET | SI4116DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:56nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1925pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),5W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:12.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:8.6mΩ |
| 功率MOSFET | AON2812 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 2x2 FET类型:N-Channel ESD Diode:Yes Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:12V 连续漏极电流Id:4.5A Pd-功率耗散(Max):2.5W Rds On(Max)@Id,Vgs:37mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:45mΩ Rds On(Max)@2.5V:70mΩ VGS(th):1.4 Ciss(pF):235 Coss(pF):75 Crss(pF):15 Qg*(nC):2.2 Qgd(nC):0.7 Td(on)(ns):3 Td(off)(ns):24 Trr(ns):7.2 Qrr(nC):1.3 |
| 功率MOSFET | PJA3449_R1_00001 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:160mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:230mΩ@4.5V FET类型:P-Channel |
| 功率MOSFET | AO4840 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:SO-8 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:6A Pd-功率耗散(Max):2W Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:38mΩ VGS(th):3 Ciss(pF):516 Coss(pF):82 Crss(pF):43 Qg*(nC):4.3 Qgd(nC):1.4 Td(on)(ns):6.4 Td(off)(ns):16.2 Trr(ns):18 Qrr(nC):10 |
| 功率MOSFET | SUM90N04-3M3P-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:131nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5286pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.1W(Ta),125W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:90A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7mΩ 漏源极电压Vds:2.5V |
| 功率MOSFET | SQM120N06-3M5L_GE3 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:330nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:14700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5mΩ@29A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:120A |
| 功率MOSFET | SQJ431AEP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:-200V 连续漏极电流Id:-9.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:305mΩ 栅极电压Vgs:-10V Qg-栅极电荷:55nC 配置:Single FET类型:N-Channel 正向跨导 - 最小值:15S 下降时间:5ns 上升时间:5ns 典型关闭延迟时间:35ns 典型接通延迟时间:16ns Pd-功率耗散(Max):68W 电压:-200V 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SIHFR9024-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SIH Pd-功率耗散(Max):42W 电压:-60V |
| 功率MOSFET | PJD25N04_L2_00001 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:TO-252AA 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:32mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:40mΩ@4.5V FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | IRF7304 | Infineon(英飞凌) | 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:90mΩ@2.2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:610pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO |
| 功率MOSFET | IRF7201 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:28nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@7.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO8 |
| 功率MOSFET | IRF6215S | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:66nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:290mΩ@6.6A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 功率MOSFET | VAM75N75D | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:TO252 Pd-功率耗散(Max):50W |
| 功率MOSFET | VAM75N75P | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:TO220 Pd-功率耗散(Max):125W |
| 功率MOSFET | VAM80N80P | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:TO220 Pd-功率耗散(Max):125W |
| 功率MOSFET | AON1634 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 1.6x1.6A FET类型:N-Channel ESD Diode:Yes Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:12V 连续漏极电流Id:4A Pd-功率耗散(Max):1.8W Rds On(Max)@Id,Vgs:54mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:62mΩ Rds On(Max)@2.5V:82mΩ VGS(th):1.5 Ciss(pF):245 Coss(pF):35 Crss(pF):20 Qg*(nC):2.6 Qgd(nC):1 Ohms Td(on)(ns):2 Td(off)(ns):22 Ohms Trr(ns):6.5 Qrr(nC):7.5 |
| 功率MOSFET | IPD031N03L G | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:90A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.6mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:33nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):94W 高度:2.3mm 长度:6.5mm 系列:OptiMOS3 FET类型:N-Channel 宽度:6.22mm 正向跨导 - 最小值:50S 下降时间:5ns 上升时间:6ns 典型关闭延迟时间:34ns 典型接通延迟时间:9ns 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | VAT3407AT | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1W |
| 功率MOSFET | AO8808A | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TSSOP-8 FET类型:N-Channel ESD Diode:Yes Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:12V 连续漏极电流Id:8A Pd-功率耗散(Max):1.4W Rds On(Max)@Id,Vgs:14mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:15mΩ Rds On(Max)@2.5V:20mΩ Rds On(Max)@1.8V:28mΩ VGS(th):1 Ohms Ciss(pF):1160 Coss(pF):232 Crss(pF):146 Qg*(nC):16 Qgd(nC):3.8 Td(on)(ns):6.2 Td(off)(ns):51.7 Trr(ns):20.2 Qrr(nC):8 |
| 功率MOSFET | AON7421 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 3.3x3.3 EP FET类型:P-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:-20V 栅极电压Vgs:12V 连续漏极电流Id:-50A Pd-功率耗散(Max):83W Rds On(Max)@Id,Vgs:4.6mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:5.8mΩ Rds On(Max)@2.5V:9mΩ VGS(th):-1.2 Ciss(pF):4550 Coss(pF):823 Crss(pF):563 Qg*(nC):44 Qgd(nC):14 Td(on)(ns):7 Td(off)(ns):134 Trr(ns):30 Qrr(nC):75 |
| 功率MOSFET | SQM50P04-09L_GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:145nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6045pF @ 10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 连续漏极电流Id:50A Pd-功率耗散(Max):150W Qg-栅极电荷:145nC Rds On(Max)@Id,Vgs:7.8mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:13ns 下降时间:18ns 典型关闭延迟时间:61ns 典型接通延迟时间:12ns 宽度:9.65mm 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:10.67mm 高度:4.83mm |
| 功率MOSFET | VAM75N75X | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:TO263 Pd-功率耗散(Max):125W |
| 功率MOSFET | VAP1N50T | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1.5W |
| 功率MOSFET | VAM3400CT | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1.28W |
| 功率MOSFET | IRF530NS | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:920pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:90mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 功率MOSFET | IRF520NS | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:9.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:330pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),48W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:200mΩ@5.7A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 功率MOSFET | IRF2804 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:75A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:240nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6450pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):330W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.3mΩ@75A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO220 |
| 功率MOSFET | IRF1407S | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:250nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),200W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.8mΩ@78A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 功率MOSFET | IRF1405S | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:131A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:260nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5480pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):200W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.3mΩ@101A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 功率MOSFET | BSC0910NDI | Infineon(英飞凌) | 通道数量:2Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:40A Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2mΩ,4.6mΩ 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:5nC,23nC 配置:Dual Pd-功率耗散(Max):2.5W 高度:1.27mm 长度:5.9mm FET类型:2N-Channel 宽度:5.15mm 正向跨导 - 最小值:42S,85S 下降时间:2.4ns,4.1ns 上升时间:3.6ns,5.6ns 典型关闭延迟时间:13ns,28ns 典型接通延迟时间:2.4ns,5.6ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | ZXMP7A17GTA | Diodes(达尔（美台）) | 系列:ZXMP 高度:1.65 mm 长度:6.7 mm 宽度:3.7 mm 配置:Single Dual Drain 下降时间:8 ns 典型接通延迟时间:2.5 ns 上升时间:3.4 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:27.9 ns 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:635pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:160mΩ@2.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:70V 连续漏极电流Id:3.7A |
| 功率MOSFET | ZXMN10A08E6TA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:405pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@3.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:3.5A |
| 功率MOSFET | ZXMD63N02XTA | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:130mΩ@1.7A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:700pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.04W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:MSOP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A |
| 功率MOSFET | ZXMD63N02XTA | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:130mΩ@1.7A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:700pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.04W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:MSOP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A |
| 功率MOSFET | ZXMP10A17GTA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:424pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350mΩ@1.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261AA FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.4A |
| 功率MOSFET | BSS127S-7 | Diodes(达尔（美台）) | 配置:Single 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.08nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:21.8pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:70mA Pd-功率耗散(Max):1.25W Rds On(Max)@Id,Vgs:160Ω 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:3V 上升时间:7.2ns 下降时间:168ns 典型关闭延迟时间:28.7ns 典型接通延迟时间:5ns FET类型:N-Channel 系列:BSS127 通道数量:1Channel |
| 功率MOSFET | DMC3025LSD-13 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@7.4A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:501pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.5A,4.2A |
| 功率MOSFET | DMN3067LW-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:447pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 连续漏极电流Id:2.6A Pd-功率耗散(Max):1.1W Qg-栅极电荷:4.6nC Rds On(Max)@Id,Vgs:67mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:5.2ns 下降时间:6.1ns 典型关闭延迟时间:15ns 典型接通延迟时间:3.8ns 系列:DMN3067 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | DMHC3025LSD-13 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:590pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.5W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6A,4.2A |
| 功率MOSFET | DMN3033LSN-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:DMN 高度:1.1 mm 长度:3 mm 宽度:1.6 mm 配置:Single 典型接通延迟时间:11 ns 上升时间:7 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:63 ns 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.5nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:755pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-59 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6A |
| 功率MOSFET | DMN3404L-7 | Diodes(达尔（美台）) | 配置:Single 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:3V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:386pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:4.6A Pd-功率耗散(Max):1.4W Qg-栅极电荷:11.3nC Rds On(Max)@Id,Vgs:28mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:6.18ns 下降时间:2.84ns 典型关闭延迟时间:13.92ns 典型接通延迟时间:3.41ns 宽度:1.3mm FET类型:N-Channel 系列:DMN3404 通道数量:1Channel 长度:2.9mm 高度:1mm |
| 功率MOSFET | DMN6066SSD-13 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:66mΩ@4.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:502pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.4A |
| 功率MOSFET | DMN6066SSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:502pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:66mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:5A |
| 功率MOSFET | DMP2066LSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:820pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@5.8A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6.5A |
| 功率MOSFET | DMN6068LK3-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:502pF @ 30V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK 连续漏极电流Id:8.5A Pd-功率耗散(Max):8.49W Qg-栅极电荷:10.3nC Rds On(Max)@Id,Vgs:68mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:10.8ns 下降时间:8.7ns 典型关闭延迟时间:11.9ns 典型接通延迟时间:3.6ns 正向跨导 - 最小值:19.7S 系列:DMN6068 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | DMP2035U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1610pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:4.9A Pd-功率耗散(Max):1.2W Qg-栅极电荷:15.4nC Rds On(Max)@Id,Vgs:35mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:400mV 上升时间:12.4ns 下降时间:42.4ns 典型关闭延迟时间:94.1ns 典型接通延迟时间:16.8ns 正向跨导 - 最小值:14S 系列:DMP2035 通道数量:1Channel 配置:Single FET类型:P-Channel |
| 功率MOSFET | SQ4946AEY-T1_GE3 | Vishay(威世) | 系列:SQ 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:750pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):4W 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ 漏源极电压Vds:2.5V |
| 功率MOSFET | DMP3130LQ-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:864pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 连续漏极电流Id:3.5A Pd-功率耗散(Max):1.3W Qg-栅极电荷:12nC Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:1.3V 上升时间:6.5ns 下降时间:15ns 典型关闭延迟时间:27.8ns 典型接通延迟时间:4.6ns 正向跨导 - 最小值:8S 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | DMT31M6LPS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:123nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7019pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:35.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:123nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7019pF @ 15V Rds On(Max)@Id,Vgs:1.35mΩ@20A,10V |
| 功率MOSFET | DMPH6050SK3Q-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1377pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@7A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.2A |
| 功率MOSFET | DMP6023LE-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:53.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2569pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:28mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7A |
| 功率MOSFET | DMN2050L-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.7nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:532pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:29mΩ@5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5.9A |
| 功率MOSFET | DMC3018LSD-13 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@6.9A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:631pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):2.5W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOP FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:9.1A,6A |
| 功率MOSFET | DMG2305UX-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:808pF @ 15V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:52mΩ@4.2A、4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.2A |
| 功率MOSFET | DMN3033LDM-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:755pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ@6.9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.9A |