IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率MOSFET | AOTF8T50P_001 | AOS(万代) | 连续漏极电流Id:8A(Tc) FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:810 mΩ @ 4A,10V 栅极电荷Qg:19nC @ 10V 封装/外壳:TO-220F Pd-功率耗散(Max):38W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds:500V |
| 功率MOSFET | IRFSL7787PBF | Infineon(英飞凌) | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 100µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:109nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4020pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 系列:HEXFET®,StrongIRFET™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:109nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4020pF @ 25V Rds On(Max)@Id,Vgs:8.4mΩ@46A,10V FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:76A 封装/外壳:TO-262 |
| 功率MOSFET | IPU80R2K0P7AKMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):3A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2 欧姆 @ 940mA,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 50uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):175pF @ 500V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):9nC @ 10V 功率耗散(最大值):24W(Tc) 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):800V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V |
| 功率MOSFET | SI4497DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:285nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9685pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 连续漏极电流Id:36A Pd-功率耗散(Max):7.8W Qg-栅极电荷:285nC Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:13ns 下降时间:25ns 典型关闭延迟时间:115ns 典型接通延迟时间:19ns 正向跨导 - 最小值:75S 系列:SI4 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:850pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.6W,1.7W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSSOP-8 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:18mΩ,24mΩ |
| 功率MOSFET | PSMN2R2-40BS,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2.2mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):306W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:8423pF 输出电容:1671pF 连续漏极电流Id:100A |
| 功率MOSFET | BSC022N03S | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):28A(Ta),100A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.2 毫欧 @ 50A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 100uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7490pF @ 15V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):58nC @ 5V 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),104W(Tc) 封装/外壳:8-PowerTDFN 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V |
| 功率MOSFET | RF4E110BNTR | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:11A Pd-功率耗散(Max):2W Qg-栅极电荷:24nC Rds On(Max)@Id,Vgs:11.1mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:12ns 下降时间:11ns 典型关闭延迟时间:43ns 典型接通延迟时间:14ns 封装/外壳:DFN2020-8 FET类型:N-Channel 正向跨导 - 最小值:6S 系列:RF4E110BN 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SUD90330E-GE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:35.8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1172pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:37.5mΩ@12.2A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 |
| 功率MOSFET | AON7232 | AOS(万代) | 封装/外壳:DFN 3.3x3.3 EP FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:37A Pd-功率耗散(Max):39W Rds On(Max)@Id,Vgs:13.5mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:16.5mΩ VGS(th):2.5 Ciss(pF):1770 Coss(pF):145 Crss(pF):10 Qg*(nC):12 Qgd(nC):4.5 Td(on)(ns):7.8 Td(off)(ns):37.8 Trr(ns):23 Qrr(nC):96 |
| 功率MOSFET | SQJA88EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:30A Pd-功率耗散(Max):48W Qg-栅极电荷:35nC Rds On(Max)@Id,Vgs:7mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:4ns 下降时间:6ns 典型关闭延迟时间:25ns 典型接通延迟时间:12ns 封装/外壳:PowerPAK-SO-8L-4 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQJA20EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:22.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):68W Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 |
| 功率MOSFET | SQJ460AEP-T2_GE3 | Vishay(威世) | 封装/外壳:PowerPAK SO-8 FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | SQ4064EY-T1_GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2096pF @ 25V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 连续漏极电流Id:12A Qg-栅极电荷:43nC Rds On(Max)@Id,Vgs:16.5mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:9.5ns 下降时间:13ns 典型关闭延迟时间:33ns 典型接通延迟时间:16ns 宽度:3.9mm 正向跨导 - 最小值:85S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:4.9mm 高度:1.75mm 封装/外壳:SO-8 Pd-功率耗散(Max):6.8W 电压:60V |
| 功率MOSFET | AOK5N100L | AOS(万代) | 连续漏极电流Id:4A(Tc) FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2 Ω @ 2.5A,10V 栅极电荷Qg:23nC @ 10V 封装/外壳:TO-247 Pd-功率耗散(Max):195W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds:1000V |
| 功率MOSFET | SI4491EDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:17.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:153nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4620pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:15V Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5mΩ@13A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO-8 Pd-功率耗散(Max):6.9W 电压:-30V |
| 功率MOSFET | BSM120D12P2C005 | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:120A Pd-功率耗散(Max):780W 漏源极电压Vds:1200V 栅极电压Vgs:2.7V 宽度:45.6mm 系列:BSMx 通道数量:1Channel 配置:Half-Bridge 长度:122mm 高度:21.1mm 工作温度:-40°C~150°C |
| 功率MOSFET | AUIRFR6215 | Infineon(英飞凌) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V Rds On(Max)@Id,Vgs:295mΩ@6.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:13A 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:66nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 封装/外壳:D-Pak |
| 功率MOSFET | BUK766R0-60E,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:6mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):182W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:3390pF 输出电容:447pF 连续漏极电流Id:75A |
| 功率MOSFET | SI8483DB-T2-E1 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:16A Pd-功率耗散(Max):13W Qg-栅极电荷:65nC Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ 漏源极电压Vds:12V 栅极电压Vgs:800mV 上升时间:25ns 下降时间:10ns 典型关闭延迟时间:40ns 典型接通延迟时间:20ns 封装/外壳:MicroFoot-6 正向跨导 - 最小值:10S 系列:SI8 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C FET类型:P-Channel |
| 功率MOSFET | SUD50P10-43L-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4600pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):8.3W(Ta),136W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-2 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:37.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:43mΩ |
| 功率MOSFET | AOD242 | AOS(万代) | 封装/外壳:TO-252 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:54A Pd-功率耗散(Max):53.5W Rds On(Max)@Id,Vgs:5.8mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:8.2mΩ VGS(th):2.3 Ciss(pF):1350 Coss(pF):405 Crss(pF):26 Qg*(nC):8 Qgd(nC):2.3 Td(on)(ns):6 Td(off)(ns):23 Trr(ns):15.5 Qrr(nC):31 |
| 功率MOSFET | SIR870ADP-T1-RE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2866pF @ 50V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK®SO-8 连续漏极电流Id:60A Qg-栅极电荷:80nC Rds On(Max)@Id,Vgs:5.5mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:14ns 下降时间:9ns 典型关闭延迟时间:35ns 典型接通延迟时间:13ns 正向跨导 - 最小值:68S 系列:SIR 通道数量:1Channel 配置:Single Pd-功率耗散(Max):104W 电压:100V |
| 功率MOSFET | BSC022N04LSATMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):100A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.2 毫欧 @ 50A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2600pF @ 20V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):37nC @ 10V 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),69W(Tc) 封装/外壳:8-PowerTDFN 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V |
| 功率MOSFET | SIHP17N80E-GE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:122nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2408pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):208W Rds On(Max)@Id,Vgs:290mΩ@8.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | SIHP065N60E-GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:40A Pd-功率耗散(Max):250W Qg-栅极电荷:98nC Rds On(Max)@Id,Vgs:57mΩ 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:3V 上升时间:46ns 下降时间:13ns 典型关闭延迟时间:54ns 典型接通延迟时间:28ns 封装/外壳:TO-220AB-3 系列:E 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SIHG17N80E-GE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:122nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2408pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:290mΩ@8.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 功率MOSFET | SIHFR9024-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SIH Pd-功率耗散(Max):42W 电压:-60V |
| 功率MOSFET | SI4850EY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.7W(Ta) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:6A Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ |
| 功率MOSFET | SIHD9N60E-GE3 | Vishay(威世) | 系列:E FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:52nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:778pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):78W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:368mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,DPak,SC-63 |
| 功率MOSFET | SIHD2N80E-GE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:2.8A(Tc) 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19.6nC 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:315pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:100V Pd-功率耗散(Max):62.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.75Ω@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V |
| 功率MOSFET | BUK962R8-60E,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2.8mΩ@5V,2.5mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):324W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:11701pF 输出电容:925pF 连续漏极电流Id:120A |
| 功率MOSFET | AON2406 | AOS(万代) | 封装/外壳:DFN 2x2B FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:±8V 连续漏极电流Id:8A Pd-功率耗散(Max):2.8W Rds On(Max)@Id,Vgs:12.5mΩ@8A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | PH3120L,115 | Nexperia(安世) | |
| 功率MOSFET | PH3030AL,115 | Nexperia(安世) | |
| 功率MOSFET | SK8403160L | Panasonic(松下) | |
| 功率MOSFET | BUK9K30-80EX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:30mΩ@5V,26mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):53W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:1727pF 输出电容:126pF 连续漏极电流Id:17A |
| 功率MOSFET | BUK9K22-80EX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:19mΩ@10A,10V Pd-功率耗散(Max):64W 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:±10V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:2342pF 输出电容:170pF 连续漏极电流Id:21A |
| 功率MOSFET | BUK9K20-80EX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:19.4mΩ@5V,17mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):68W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:2603pF 输出电容:193pF 连续漏极电流Id:23A |
| 功率MOSFET | BUK7Y3R0-40EX | Nexperia(安世) | |
| 功率MOSFET | BUK7Y1R4-40HX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.4mΩ@25A,10V Pd-功率耗散(Max):395W 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:-10V,20V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:5436pF 输出电容:1314pF 连续漏极电流Id:190A |
| 功率MOSFET | BUK7Y15-100EX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:15mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):195W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:2968pF 输出电容:283pF 连续漏极电流Id:68A |
| 功率MOSFET | BUK7K23-80EX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:23mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):53W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:1159pF 输出电容:130pF 连续漏极电流Id:17A |
| 功率MOSFET | AON2880 | AOS(万代) | 连续漏极电流Id:7A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:21.5 mΩ @ 5A,4.5V 栅极电荷Qg:9nC @ 4.5V 封装/外壳:8-DFN-EP(2x2) Pd-功率耗散(Max):2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 漏源极电压Vds:20V |
| 功率MOSFET | AUIRLR3410TR | Infineon(英飞凌) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 通道数量:1Channel 连续漏极电流Id:17A Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ 栅极电压Vgs:16V 配置:SingleQuintSource Pd-功率耗散(Max):79W 高度:2.3mm 长度:6.5mm FET类型:N-Channel 宽度:6.22mm 正向跨导 - 最小值:7.7S 下降时间:26ns 上升时间:53ns 典型关闭延迟时间:30ns 典型接通延迟时间:7.2ns 漏源极电压Vds:100V Qg-栅极电荷:34nC |
| 功率MOSFET | STP24N60DM2 | ST(意法半导体) | 系列:FDmesh™ II Plus 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1055pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:200mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:18A |
| 功率MOSFET | STP160N3LL | ST(意法半导体) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):136W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.2mΩ@60A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | STP110N8F6 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ F6 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:150nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9130pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):200W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5mΩ@55A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:110A |
| 功率MOSFET | STP100N8F6 | ST(意法半导体) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5955pF @ 25V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 连续漏极电流Id:100A Pd-功率耗散(Max):176W Qg-栅极电荷:100nC Rds On(Max)@Id,Vgs:8mΩ 漏源极电压Vds:80V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:46ns 下降时间:21ns 典型关闭延迟时间:103ns 典型接通延迟时间:33ns 系列:STP100N8F6 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | STL4N10F7 | ST(意法半导体) | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VII 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:408pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.9W(Ta),50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70mΩ@2.25A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:4.5A |
| 功率MOSFET | STL160NS3LLH7 | ST(意法半导体) | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VII 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3245pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):84W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.1mΩ@18A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:160A |
| 功率MOSFET | STL140N6F7 | ST(意法半导体) | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VII 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):4.8W(Ta),125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5mΩ@16A,10V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:140A |
| 功率MOSFET | STL130N6F7 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ F7 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):4.8W(Ta),125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5mΩ@13A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:130A |
| 功率MOSFET | STGF7H60DF | ST(意法半导体) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):28A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,7A Pd-功率耗散(Max):24W 开关能量:99µJ(开),100µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/160ns 测试条件:400V,7A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:136ns 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP |
| 功率MOSFET | PMN40UPE,115 | Nexperia(安世) | |
| 功率MOSFET | PSMN9R5-30YLC,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:12.1mΩ@4.5V,9.8mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):34W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.66V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:681pF 输出电容:169pF 连续漏极电流Id:44A |
| 功率MOSFET | BUK753R8-80E,127 | Nexperia(安世) | |
| 功率MOSFET | BUK7610-55AL,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:10mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):300W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:4710pF 输出电容:980pF 连续漏极电流Id:75A |
| 功率MOSFET | BUK9K89-100E,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:85mΩ@10V,89mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):38W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:831pF 输出电容:81pF 连续漏极电流Id:12.5A |
| 功率MOSFET | IPA60R120P7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):26A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 8.2A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 410uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1544pF @ 400V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):36nC @ 10V 功率耗散(最大值):28W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 整包 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V |
| 功率MOSFET | IPI80N06S3-07 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):80A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.8 毫欧 @ 51A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 80uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7768pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):170nC @ 10V 功率耗散(最大值):135W(Tc) 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V |
| 功率MOSFET | IPD50N04S309ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):50A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9 毫欧 @ 50A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 28uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1750pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):26nC @ 10V 功率耗散(最大值):63W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V |
| 功率MOSFET | IPI029N06NAKSA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):24A(Ta),100A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.9 毫欧 @ 100A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.8V @ 75uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4100pF @ 30V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):56nC @ 10V 功率耗散(最大值):3W(Ta),136W(Tc) 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V |
| 功率MOSFET | PMZ420UNYL | Nexperia(安世) | |
| 功率MOSFET | SI3457CDV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:5.1A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:450pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),3W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:74mΩ@4.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOP-6 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:74mΩ 漏源极电压Vds:3V |
| 功率MOSFET | FDB035N10A | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:116nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7295pF @ 25V 功率:333W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5 毫欧 @ 75A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V |
| 功率MOSFET | BUK9Y25-80E,115 | Nexperia(安世) | FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:27mΩ@5V,25mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):95W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:2032pF 输出电容:147pF 连续漏极电流Id:37A 封装/外壳:SOT-669 |
| 功率MOSFET | IPP60R199CPXKSA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):16A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):199 毫欧 @ 9.9A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 660uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1520pF @ 100V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):43nC @ 10V 功率耗散(最大值):139W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):650V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V |
| 功率MOSFET | IPP60R165CPXKSA1 | Infineon(英飞凌) | 25°C时电流-连续漏极(Id):21A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):165 毫欧 @ 12A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 790uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2000pF @ 100V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):52nC @ 10V 功率耗散(最大值):192W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V |
| 功率MOSFET | PSMN1R8-30PL,127 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT78 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2.3mΩ@4.5V,1.8mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):270W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:10180pF 输出电容:2000pF 连续漏极电流Id:100A |
| 功率MOSFET | TT8K11TCR | ROHM(罗姆) | 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3A Rds On(Max)@Id,Vgs:71mΩ@3A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1A 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:140pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSST |
| 功率MOSFET | TT8K1TR | ROHM(罗姆) | 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:72mΩ@2.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:260pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSST |
| 功率MOSFET | TT8U2TR | ROHM(罗姆) | 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.7nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:850pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ@2.4A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SMD |
| 功率MOSFET | TT8M3TR | ROHM(罗姆) | 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A,2.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:72mΩ@2.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:260pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSST |
| 功率MOSFET | TT8M1TR | ROHM(罗姆) | Rds On(Max)@Id,Vgs:72mΩ@2.5A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:260pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSST FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A |
| 功率MOSFET | SH8M41GZETB | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:3.4A,2.6A Pd-功率耗散(Max):2W Qg-栅极电荷:9.2 nC, 11.5 nC Rds On(Max)@Id,Vgs:90mΩ,165mΩ 漏源极电压Vds:80V 栅极电压Vgs:1V,2.5V 上升时间:15ns,12ns 下降时间:12ns,20ns 典型关闭延迟时间:40ns,60ns 典型接通延迟时间:12ns,14ns 封装/外壳:SOP-8 通道数量:2 Channel 配置:Dual 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SH8K41GZETB | ROHM(罗姆) | 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:3.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:130mΩ@3.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.4W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP |
| 功率MOSFET | RT1E050RPTR | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 5V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:36mΩ@5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SMD |
| 功率MOSFET | RSJ151P10TL | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:15A 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:64nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3800pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.35W Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ@15A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3 |
| 功率MOSFET | RS1G260MNTB | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:26A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2988pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),35W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.3mΩ@26A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 功率MOSFET | RS1G150MNTB | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:15A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:930pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10.6mΩ@15A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 功率MOSFET | RS1G120MNTB | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:12A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.4nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:570pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:16.2mΩ@12A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 功率MOSFET | RS1E280GNTB | ROHM(罗姆) | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),31W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.6mΩ@28A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:28A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA |
| 功率MOSFET | RS1E200GNTB | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:20A Pd-功率耗散(Max):3W Qg-栅极电荷:16.8nC Rds On(Max)@Id,Vgs:4.6mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:7.2ns 下降时间:8.4ns 典型关闭延迟时间:34.7ns 典型接通延迟时间:13.2ns 封装/外壳:HSOP-8 FET类型:N-Channel 正向跨导 - 最小值:18S 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | RS1E240GNTB | ROHM(罗姆) | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),27.4W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.3mΩ@24A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:24A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA |
| 功率MOSFET | RS1E240BNTB | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:24A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3900pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),30W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.2mΩ@24A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 功率MOSFET | RS1E200BNTB | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:20A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:59nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3100pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.9mΩ@20A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 功率MOSFET | RS1E170GNTB | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:17A Pd-功率耗散(Max):3W Qg-栅极电荷:12nC Rds On(Max)@Id,Vgs:6.7mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:4.8ns 下降时间:3.7ns 典型关闭延迟时间:27ns 典型接通延迟时间:10ns 封装/外壳:HSOP-8 FET类型:N-Channel 正向跨导 - 最小值:13S 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | RS1E130GNTB | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:13A Pd-功率耗散(Max):3W Qg-栅极电荷:7.9nC Rds On(Max)@Id,Vgs:11.7mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:4.3ns 下降时间:3.1ns 典型关闭延迟时间:22.4ns 典型接通延迟时间:8.4ns 封装/外壳:HSOP-8 FET类型:N-Channel 正向跨导 - 最小值:8S 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | RRH140P03GZETB | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:14A Pd-功率耗散(Max):2W Qg-栅极电荷:150 nC Rds On(Max)@Id,Vgs:5mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:80ns 下降时间:200ns 典型关闭延迟时间:360ns 典型接通延迟时间:32ns 封装/外壳:SOP-8 正向跨导 - 最小值:20S 通道数量:1 Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | RQ6E050ATTCR | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20.8nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:940pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:27mΩ@5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 |
| 功率MOSFET | RQ6E045BNTCR | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.4nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:330pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@4.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 |
| 功率MOSFET | RQ6E035ATTCR | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:475pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@3.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 |
| 功率MOSFET | RQ6C050UNTR | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:900pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@5A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 功率MOSFET | RQ5L015SPTL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:500pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:280mΩ@1.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.5A |
| 功率MOSFET | RQ5E035ATTCL | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:475pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@3.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-96 |
| 功率MOSFET | RQ5E035BNTCL | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.5A 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1W Rds On(Max)@Id,Vgs:37mΩ@3.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C 封装/外壳:SC-96 |
| 功率MOSFET | RQ5A030APTL | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:-8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 6V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:62mΩ@3A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-96 |
| 功率MOSFET | RQ3E150GNTB | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:15A Pd-功率耗散(Max):2W Qg-栅极电荷:15.3nC Rds On(Max)@Id,Vgs:6.1mΩ@15A,10V 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:±20V 上升时间:5.8ns 下降时间:7.8ns 典型关闭延迟时间:34.4ns 典型接通延迟时间:11.6ns 封装/外壳:HSMT-8 FET类型:N-Channel 正向跨导 - 最小值:13.5S 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | RQ3E180GNTB | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:18A Pd-功率耗散(Max):2W Qg-栅极电荷:22.4nC Rds On(Max)@Id,Vgs:4.3mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:6.9ns 下降时间:10.2ns 典型关闭延迟时间:56.8ns 典型接通延迟时间:16.5ns 封装/外壳:HSMT-8 FET类型:N-Channel 正向跨导 - 最小值:17S 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |