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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率MOSFET | SI2337DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:500pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):760mW(Ta),2.5W(Tc) 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:1.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:270mΩ |
| 功率MOSFET | SI1967DH-T1-GE3 | Vishay(威世) | 高度:1 mm 长度:2.1 mm 宽度:1.25 mm 零件号别名:SI1903DL-T1-GE3 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:110pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:490mΩ |
| 功率MOSFET | SI2303CDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SI 高度:1.45 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.6 mm 零件号别名:SI2303BDS-T1-E3-S 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:155pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta),2.3W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ |
| 功率MOSFET | SI2324DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.9V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta),2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:234m Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A |
| 功率MOSFET | SI2308BDS-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:SI 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.09W(Ta),1.66W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:156mΩ |
| 功率MOSFET | SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SI 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:405pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):860mW(Ta),1.6W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:112mΩ |
| 功率MOSFET | SI2356DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:370pF @ 20V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):960mW(Ta),1.7W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:56mΩ 漏源极电压Vds:1.5V |
| 功率MOSFET | SI2347DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:705pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta),1.7W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:68mΩ |
| 功率MOSFET | SI3457CDV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:5.1A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:450pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),3W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:74mΩ@4.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOP-6 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:74mΩ 漏源极电压Vds:3V |
| 功率MOSFET | SI4062DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3175pF @ 30V 连续漏极电流Id:32.1A Pd-功率耗散(Max):7.8W Qg-栅极电荷:40nC Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1.4V 上升时间:6ns 下降时间:8ns 典型关闭延迟时间:34ns 典型接通延迟时间:16ns 封装/外壳:SO-8 正向跨导 - 最小值:80S 系列:SI4 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35nC @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta),1.7W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.8A Rds On(Max)@Id,Vgs:45mΩ |
| 功率MOSFET | SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:118nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4085pF @ 50V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):4.2W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:21mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:8A |
| 功率MOSFET | SI3932DV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:235pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.4W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOP-6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:47mΩ |
| 功率MOSFET | SI4116DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:56nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1925pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),5W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:12.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:8.6mΩ |
| 功率MOSFET | SI4904DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:85nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2390pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):3.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:8A Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ |
| 功率MOSFET | SI7232DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 高度:1.04 mm 宽度:3.3 mm 零件号别名:SI7232DN-GE3 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1220pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):23W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:10A Rds On(Max)@Id,Vgs:16.4mΩ |
| 功率MOSFET | SI7115DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:8.9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1190pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.7W(Ta),52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:295mΩ@4A,10V 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:295mΩ |
| 功率MOSFET | SI7137DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:585nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:20000pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):6.25W(Ta),104W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:42A Rds On(Max)@Id,Vgs:1.95mΩ |
| 功率MOSFET | SI7288DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:565pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):15.6W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20A Rds On(Max)@Id,Vgs:15.6mΩ |
| 功率MOSFET | SI7224DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:570pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):17.8W,23W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6A Rds On(Max)@Id,Vgs:27mΩ,22mΩ |
| 功率MOSFET | SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:455pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):3.1W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:ChipFET-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ |
| 功率MOSFET | SI7454DDP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):4.1W(Ta),29.7W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:21A Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ 漏源极电压Vds:3V |
| 功率MOSFET | SI7454DDP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):4.1W(Ta),29.7W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:21A Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ 漏源极电压Vds:3V |
| 功率MOSFET | SI7848BDP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):4.2W(Ta),36W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:16A Rds On(Max)@Id,Vgs:9mΩ |
| 功率MOSFET | SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:58A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:77nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3540pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):4.6W(Ta),46W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@16A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:18.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ |
| 功率MOSFET | SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.5W(Ta),19.2W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:12A Rds On(Max)@Id,Vgs:13.5mΩ |
| 功率MOSFET | SI9407BDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.4W(Ta),5W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ |
| 功率MOSFET | SIR422DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SIR 零件号别名:SIR422DP-GE3 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:48nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1785pF @ 20V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 连续漏极电流Id:20.5A Pd-功率耗散(Max):34.7W Qg-栅极电荷:48nC Rds On(Max)@Id,Vgs:6.6mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:1.2V 上升时间:84ns 下降时间:11ns 典型关闭延迟时间:28ns 典型接通延迟时间:19ns 正向跨导 - 最小值:70S 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | SIHP22N65E-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:110nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2415pF @ 100V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 连续漏极电流Id:22A Pd-功率耗散(Max):227W Qg-栅极电荷:73nC Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ 漏源极电压Vds:650V 栅极电压Vgs:4V 上升时间:33ns 下降时间:38ns 典型关闭延迟时间:73ns 典型接通延迟时间:22ns 宽度:4.7mm 系列:E 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:10.41mm 高度:15.49mm |
| 功率MOSFET | SIHF15N60E-GE3 | Vishay(威世) | 系列:E 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:78nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):34W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:15A Rds On(Max)@Id,Vgs:280mΩ 漏源极电压Vds:4V |
| 功率MOSFET | SIHP33N60E-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:150nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3508pF @ 100V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 连续漏极电流Id:33A Pd-功率耗散(Max):278W Qg-栅极电荷:100nC Rds On(Max)@Id,Vgs:99mΩ 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:4V 上升时间:60ns 下降时间:54ns 典型关闭延迟时间:99ns 典型接通延迟时间:28ns 宽度:4.7mm 系列:E 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:10.41mm 高度:15.49mm |
| 功率MOSFET | SIR158DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:130nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4980pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):5.4W(Ta),83W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:40A Rds On(Max)@Id,Vgs:1.8MΩ 宽度:5.15mm 系列:SIR 长度:6.15mm 高度:1.04mm |
| 功率MOSFET | SIR662DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SIR 高度:1.04 mm 长度:6.15 mm 宽度:5.15 mm 零件号别名:SIR662DP-GE3 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:96nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4365pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):6.25W(Ta),104W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:60A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7mΩ |
| 功率MOSFET | SIRA72DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® Gen IV FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3240pF @ 20V 栅极电压Vgs:+20V,-16V Pd-功率耗散(Max):56.8W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK®SO-8 |
| 功率MOSFET | SIR878ADP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1275pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):5W(Ta),44.5W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:40A Rds On(Max)@Id,Vgs:14mΩ 漏源极电压Vds:2.8V |
| 功率MOSFET | SIS407ADN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:168nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5875pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):3.7W(Ta),39.1W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9mΩ@15A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:16.7A |
| 功率MOSFET | SIR484DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:830pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.9W(Ta),29.8W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:20A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.5mΩ |
| 功率MOSFET | SQJ443EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:57nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2030pF @ 20V 工作温度:-55°C~175°C(TA) 连续漏极电流Id:40A Pd-功率耗散(Max):83W Qg-栅极电荷:38nC Rds On(Max)@Id,Vgs:29mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:14ns 下降时间:29ns 典型关闭延迟时间:45ns 典型接通延迟时间:7ns 封装/外壳:PowerPAK-SO-8L-4 正向跨导 - 最小值:30S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:100nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4660pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak-6 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:75A Rds On(Max)@Id,Vgs:3.4mΩ 漏源极电压Vds:2V |
| 功率MOSFET | SQJ463EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:150nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5875pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:30A Rds On(Max)@Id,Vgs:10mΩ 漏源极电压Vds:2V |
| 功率MOSFET | SUD50P04-08-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SUD 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:159nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5380pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),73.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.1mΩ@22A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:50A |
| 功率MOSFET | SUD50P04-08-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SUD 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:159nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5380pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),73.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.1mΩ@22A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:50A |
| 功率MOSFET | SUP90P06-09L-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:240nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.4W(Ta),250W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:90A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.3mΩ |
| 功率MOSFET | STN1NK60Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:94pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):3.3W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:15Ω@400mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:0.3A |
| 功率MOSFET | BUK768R1-100E,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:8.1mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):263W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:5535pF 输出电容:521pF 连续漏极电流Id:100A |
| 功率MOSFET | BUK9640-100A,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:40mΩ@5V,39mΩ@10V,43mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):158W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.5V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:2304pF 输出电容:222pF 连续漏极电流Id:39A |
| 功率MOSFET | BUK7Y6R0-60EX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:6mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):195W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:3015pF 输出电容:392pF 连续漏极电流Id:100A |
| 功率MOSFET | BUK9277-55A,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT428 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:77mΩ@5V,69mΩ@10V,86mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):51W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.5V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:440pF 输出电容:90pF 连续漏极电流Id:18A |
| 功率MOSFET | BUK9K35-60E,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:35mΩ@5V,32mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):38W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:811pF 输出电容:98pF 连续漏极电流Id:22A |
| 功率MOSFET | BUK9880-55A/CUX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:80mΩ@5V,73mΩ@10V,89mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):8W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.5V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:438pF 输出电容:87pF 连续漏极电流Id:7A |
| 功率MOSFET | BUK9880-55A/CUX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:80mΩ@5V,73mΩ@10V,89mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):8W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.5V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:438pF 输出电容:87pF 连续漏极电流Id:7A |
| 功率MOSFET | BUK9Y104-100B,115 | Nexperia(安世) | FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:104mΩ@5V,99mΩ@10V,107mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):59W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.65V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:854pF 输出电容:87pF 连续漏极电流Id:14.8A |
| 功率MOSFET | BUK9K18-40E,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1205 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:19.5mΩ@5V,16mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):38W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:796pF 输出电容:137pF 连续漏极电流Id:30A |
| 功率MOSFET | BUK9Y104-100B,115 | Nexperia(安世) | FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:104mΩ@5V,99mΩ@10V,107mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):59W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.65V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:854pF 输出电容:87pF 连续漏极电流Id:14.8A |
| 功率MOSFET | BUK9Y19-55B,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:19mΩ@5V,17.3mΩ@10V,21mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):85W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.5V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:1494pF 输出电容:217pF 连续漏极电流Id:46A |
| 功率MOSFET | BUK9Y107-80EX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:107mΩ@5V,98mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):37W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:530pF 输出电容:55pF 连续漏极电流Id:11.8A |
| 功率MOSFET | BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3mΩ@5V,2.5mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):194W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:4471pF 输出电容:563pF 连续漏极电流Id:100A |
| 功率MOSFET | PHP18NQ11T,127 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT78 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:90mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):79W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:110V 输入电容:633pF 输出电容:103pF 连续漏极电流Id:18A |
| 功率MOSFET | PHD9NQ20T,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT428 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:400mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):88W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:200V 输入电容:959pF 输出电容:93pF 连续漏极电流Id:8.7A |
| 功率MOSFET | PSMN4R0-30YL,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4mΩ@10V,5.25mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):69W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:2090pF 输出电容:469pF 连续漏极电流Id:100A |
| 功率MOSFET | PSMN059-150Y,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:LFPAK FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:59mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):113W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:150V 输入电容:1529pF 输出电容:208pF 连续漏极电流Id:43A |
| 功率MOSFET | PSMN3R0-30YLDX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3.1mΩ@10V,4mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):91W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:1959pF 输出电容:1029pF 连续漏极电流Id:100A |
| 功率MOSFET | PSMN1R5-40PS,127 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT78 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.6mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):338W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:9710pF 输出电容:2042pF 连续漏极电流Id:150A |
| 功率MOSFET | PSMN8R5-60YS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:8mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):106W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:2370pF 输出电容:307pF 连续漏极电流Id:76A |
| 功率MOSFET | PSMN5R8-40YS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5.7mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):89W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:1703pF 输出电容:384pF 连续漏极电流Id:90A |
| 功率MOSFET | PSMN021-100YLX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:22mΩ@5V,21.5mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):147W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:3480pF 输出电容:212pF 连续漏极电流Id:49A |
| 功率MOSFET | PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:8.6mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):74W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:1215pF 输出电容:270pF 连续漏极电流Id:70A |
| 功率MOSFET | PSMN7R0-60YS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:6.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):117W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:2712pF 输出电容:366pF 连续漏极电流Id:89A |
| 功率MOSFET | PSMN1R0-30YLC,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.15mΩ@10V,1.4mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):272W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.41V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:6645pF 输出电容:1210pF 连续漏极电流Id:100A |
| 功率MOSFET | PSMN015-100B,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:15mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):300W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:4900pF 输出电容:390pF 连续漏极电流Id:75A |
| 功率MOSFET | PSMN3R8-100BS,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3.9mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):306W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:9900pF 输出电容:660pF 连续漏极电流Id:120A |
| 功率MOSFET | PSMN075-100MSEX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1210 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:71mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):65W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3.3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:773pF 输出电容:66pF 连续漏极电流Id:18A |
| 功率MOSFET | PSMN9R0-25MLC,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1210 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:8.65mΩ@10V,11.3mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):45W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.5V 漏源极电压Vds:25V 输入电容:705pF 输出电容:206pF 连续漏极电流Id:55A |
| 功率MOSFET | BUK9624-55A,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:24mΩ@5V,21.7mΩ@10V,26mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):105W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.5V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:1361pF 输出电容:239pF 连续漏极电流Id:46A |
| 功率MOSFET | BUK9615-100E,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:15mΩ@5V,14mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):182W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:5110pF 输出电容:307pF 连续漏极电流Id:66A |
| 功率MOSFET | BUK7610-100B,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:10mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):300W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:5080pF 输出电容:677pF 连续漏极电流Id:110A |
| 功率MOSFET | BUK9Y3R5-40E,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3.8mΩ@5V,3.6mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):167W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:3852pF 输出电容:487pF 连续漏极电流Id:100A |
| 功率MOSFET | BUK7227-100B,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT428 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:27mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):167W 工作温度:185℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:2092pF 输出电容:241pF 连续漏极电流Id:48A |
| 功率MOSFET | BUK9Y40-55B,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:40mΩ@5V,36mΩ@10V,45mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):59W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.5V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:765pF 输出电容:123pF 连续漏极电流Id:26A |
| 功率MOSFET | RSJ250P10TL | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:25A Pd-功率耗散(Max):50W Qg-栅极电荷:60nC Rds On(Max)@Id,Vgs:45mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:67ns 下降时间:180ns 典型关闭延迟时间:310ns 典型接通延迟时间:30ns 封装/外壳:TO-263-3 系列:RSJ250P10 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | RSH070P05GZETB | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:45V 连续漏极电流Id:7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:47.6nC @ 5V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4100pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:27mΩ@7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC |
| 功率MOSFET | RQ5A030APTL | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:-8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 6V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:62mΩ@3A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-96 |
| 功率MOSFET | R8008ANX | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:39nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1080pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.03Ω@4A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | R8005ANX | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:485pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):40W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.08Ω@2.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 功率MOSFET | IRFBE30PBF | Vishay(威世) | 系列:IRF 高度:15.49 mm 长度:10.41 mm 宽度:4.7 mm 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:78nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:4.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω |
| 功率MOSFET | IRFP31N50LPBF | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:31A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:210nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):460W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:180m Ohms@19A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:31A Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ |
| 功率MOSFET | IRFP264PBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:210nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5400pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC 连续漏极电流Id:38A Pd-功率耗散(Max):280W Qg-栅极电荷:210nC Rds On(Max)@Id,Vgs:75mΩ 漏源极电压Vds:250V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:99ns 下降时间:92ns 典型关闭延迟时间:110ns 典型接通延迟时间:22ns 正向跨导 - 最小值:20S 系列:IRFP 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | IRFP460APBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:105nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3100pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:20A Pd-功率耗散(Max):280W Qg-栅极电荷:105nC Rds On(Max)@Id,Vgs:270mΩ 漏源极电压Vds:500V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:55ns 下降时间:39ns 典型关闭延迟时间:45ns 典型接通延迟时间:18ns 宽度:5.31mm 封装/外壳:TO-247-3 正向跨导 - 最小值:11S 系列:IRFP 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:15.87mm 高度:20.82mm |
| 功率MOSFET | IRFP460PBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:210nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:20A Pd-功率耗散(Max):280W Qg-栅极电荷:210nC Rds On(Max)@Id,Vgs:270mΩ 漏源极电压Vds:500V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:59ns 下降时间:58ns 典型关闭延迟时间:110ns 典型接通延迟时间:18ns 封装/外壳:TO-247-3 正向跨导 - 最小值:13S 系列:IRFP 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | IRFPF50PBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:200nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2900pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:6.7A Pd-功率耗散(Max):190W Qg-栅极电荷:200nC Rds On(Max)@Id,Vgs:1.6Ω 漏源极电压Vds:900V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:34ns 下降时间:37ns 典型关闭延迟时间:130ns 典型接通延迟时间:20ns 封装/外壳:TO-247AC-3 正向跨导 - 最小值:4.9S 系列:IRFPF 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 功率MOSFET | IRFR9214TRPBF | Vishay(威世) | 系列:IRF 高度:2.38 mm 长度:6.73 mm 宽度:6.22 mm 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:220pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω@1.7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:2.7A |
| 功率MOSFET | PMPB20XPE,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1220 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:23.5mΩ@4.5V,29mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):1.7W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:12V,-0.68V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:2945pF 输出电容:245pF 连续漏极电流Id:-10.3A |
| 功率MOSFET | PSMN030-60YS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:24.7mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):56W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:686pF 输出电容:109pF 连续漏极电流Id:29A |
| 功率MOSFET | PSMN039-100YS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:39.5mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):74W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:1847pF 输出电容:86pF 连续漏极电流Id:28.1A |
| 功率MOSFET | PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4.4mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):211W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:4426pF 输出电容:567pF 连续漏极电流Id:100A |
| 功率MOSFET | PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4.8mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):405W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:10665pF 输出电容:674pF 连续漏极电流Id:120A |
| 功率MOSFET | PSMN7R6-60PS,127 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT78 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:7.8mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):149W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:2651pF 输出电容:342pF 连续漏极电流Id:92A |
| 功率MOSFET | PSMN4R5-30YLC,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4.8mΩ@10V,6.1mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):61W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.54V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:1324pF 输出电容:288pF 连续漏极电流Id:84A |
| 功率MOSFET | PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT669 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.8mΩ@10V,2.1mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):272W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.45V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:6680pF 输出电容:825pF 连续漏极电流Id:100A |
| 功率MOSFET | PSMN7R0-100BS,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT404 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:6.8mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):269W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:6686pF 输出电容:438pF 连续漏极电流Id:100A |