IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | DSL02-005SC5 | ST(意法半导体) | 电源线路保护:无 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6V 箝位电压VCL(max):18V 峰值脉冲电流Ipp:24A(8/20µs) 封装/外壳:SOT-23-5L |
| 未分类 | STM32WB55CGU6TR | ST(意法半导体) | |
| 电路保护 | LBP01-0803SC5 | ST(意法半导体) | 系列:LBP 电压:15V 电路数:1 Ohms 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路保护 | LBP01-0810B | ST(意法半导体) | 系列:LBP 电压:15V 电路数:1 Ohms 封装/外壳:SMB |
| 未分类 | STGAP2SM | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | CLP30-200B1RL | ST(意法半导体) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 峰值脉冲电流Ipp:30A 元件数:1 Ohms |
| 未分类 | HDMI05-CL01F3 | ST(意法半导体) | 电压 - 工作:3V 电路数:5 封装/外壳:8-uFBGA,FCBGA 封装/外壳:8-覆晶 |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESDAULC5-1BF4 | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:0201 |
| 滤波器 | EMIF06-1005M12 | ST(意法半导体) | 系列:IPAD™ FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:6 衰减值:-34dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 电阻-通道（欧姆）:100 数值:R = 100 欧姆,C = 45pF(总计) ESD保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:12-uFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:0.098" 长 x 0.059" 宽(2.50mm x 1.50mm) 高度:0.024"(0.60mm) |
| 滤波器 | EMIF08-LCD04M16 | ST(意法半导体) | 系列:IPAD™ FET类型:低通 滤波器阶数:3rd 通道数:8 中心/截止频率:400MHz(截止值) 衰减值:-35dB @ 900MHz ~ 2GHz 电阻-通道（欧姆）:12.5 数值:L = 12nH,C = 18pF ESD保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-uFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:0.130" 长 x 0.053" 宽(3.30mm x 1.35mm) 高度:0.022"(0.55mm) |
| 稳压(齐纳)二极管 | LCP02-150B1RL | ST(意法半导体) | 封装/外壳:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) |
| 未分类 | DSL02-010SC5 | ST(意法半导体) | 电源线路保护:无 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:10V 击穿电压VBR(min):11V 箝位电压VCL(max):24V 峰值脉冲电流Ipp:24A(8/20µs) 封装/外壳:SOT-23-5L |
| 未分类 | LCP3121RL | ST(意法半导体) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 峰值脉冲电流Ipp:100A 电流 - 保持（Ih）:100mA 元件数:1 Ohms |
| 滤波器 | EMIF04-1005M8 | ST(意法半导体) | 系列:IPAD™ FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:4 衰减值:-34dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 电阻-通道（欧姆）:100 电流:10mA 数值:R = 100 欧姆,C = 45pF ESD保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-uFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:0.067" 长 x 0.059" 宽(1.70mm x 1.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) |
| 稳压(齐纳)二极管 | LCP1521SRL | ST(意法半导体) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 滤波器 | EMIF06-VID01F2 | ST(意法半导体) | 系列:EMIF FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:6 衰减值:40dB @ 900MHz 电阻-通道（欧姆）:100 电流:10mA 数值:R = 100 欧姆,C = 16pF(总计) ESD保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:15-WFBGA,FCBGA 封装/外壳:0.115" 长 x 0.051" 宽(2.92mm x 1.29mm) 高度:0.028"(0.70mm) |
| 未分类 | DSILC6-4SC6 | ST(意法半导体) | 电源线路保护:是 不同频率时的电容:2.5pF @ 1MHz 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 FET类型:转向装置(轨至轨) 单向通道:4 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6V 功率 - 峰值脉冲:90W 封装/外壳:SOT-666 |
| 未分类 | EMIF08-VID01F2 | ST(意法半导体) | FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:8 衰减值:-33dB @ 900MHz 电阻 - 通道（欧姆）:100 电流:10mA 数值:R = 100 欧姆,C = 16pF(总计) ESD 保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-WFBGA,FCBGA 封装/外壳:0.154" 长 x 0.051" 宽(3.92mm x 1.29mm) 高度:0.028"(0.70mm) |
| 稳压(齐纳)二极管 | LCP12-150B1RL | ST(意法半导体) | 封装/外壳:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) |
| 未分类 | STM32L4R5AII6P | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STM32WB55RGV7 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | EVAL-L99SM81 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STM32F302RCT7TR | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STA8089FGBTR | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | L9916-EVB | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | ST33HTPH2E32AHC2 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | ST33HTPH2E28AHC2 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | RHFAC244K04V | ST(意法半导体) | |
| 32位MCU | STM32G071CBT6 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STEVAL-MKIT01V1 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | AEK-USB-2TYPEC1 | ST(意法半导体) | |
| 稳压(齐纳)二极管 | DVIULC6-2M6 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:6-µQFN(1.45x1.0) |
| 滤波器 | EMIF06-MSD04F3 | ST(意法半导体) | 系列:IPAD™ FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:6 中心/截止频率:550MHz(截止值) 电阻-通道（欧姆）:40 数值:R = 40 欧姆,C = 7.5pF(总计) ESD保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-WFBGA,FCBGA 封装/外壳:0.061" 长 x 0.061" 宽(1.54mm x 1.54mm) 高度:0.026"(0.65mm) |
| 稳压(齐纳)二极管 | USBULC6-3F3 | ST(意法半导体) | 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-覆晶 |
| 稳压(齐纳)二极管 | HSP062-2M6 | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-uQFN(1.45x1) |
| 稳压(齐纳)二极管 | HDMI05-CL02F3 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:9-覆晶 |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESDA12-1K | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOD-523 |
| 稳压(齐纳)二极管 | HSP061-4M10Y | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:10-UQFN(2.5x1) |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESDALC5-1BF4 | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:0201 |
| 未分类 | DSL02-008SC5 | ST(意法半导体) | 电源线路保护:无 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:8V 击穿电压VBR(min):10V 箝位电压VCL(max):22V 峰值脉冲电流Ipp:24A(8/20µs) 封装/外壳:SOT-23-5L |
| 集成电路(芯片) | HDMI2C1-5DIJ | ST(意法半导体) | FET类型:信号调节器 封装/外壳:16-QFN(4x5) |
| 稳压(齐纳)二极管 | HSP061-2M6 | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-uQFN(1.45x1) |
| 稳压(齐纳)二极管 | HSP061-2N4 | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:4-uQFN(1x0.8) |
| 稳压(齐纳)二极管 | HSP051-4N10 | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:10-uQFN(1.9x1) |
| 未分类 | HDMI2C1-14HD | ST(意法半导体) | FET类型:信号调节器 |
| 滤波器 | EMIF04-EAR02M8 | ST(意法半导体) | 系列:EMIF FET类型:低通 滤波器阶数:第二,第三 通道数:4 中心/截止频率:60MHz,70MHz(截止值) 衰减值:-30dB @ 900MHz 电流:50mA 数值:R = 68 欧姆,C = 76pF,105pF,L = 1.5nH ESD保护:是 工作温度:-30°C ~ 125°C 封装/外壳:8-uFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:0.067" 长 x 0.059" 宽(1.70mm x 1.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) |
| 未分类 | STBP112CVDJ6F | ST(意法半导体) | 电压 - 工作:28V 电路数:1 Ohms 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-TDFN(2x2) |
| 稳压(齐纳)二极管 | USBULC6-2M6 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:6-µQFN(1.45x1.0) |
| 滤波器 | KBMF01SC6 | ST(意法半导体) | 系列:IPAD™ FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:2 电阻-通道（欧姆）:39 数值:R = 39 欧姆,C = 120pF ESD保护:是 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:0.115" 长 x 0.064" 宽(2.93mm x 1.63mm) 高度:0.057"(1.45mm) |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESDA18-1K | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOD-523 |
| 未分类 | EMIF08-1005M16 | ST(意法半导体) | 电流:10mA 数值:R = 100 欧姆,C = 45pF(总计) ESD 保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-uFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:0.130" 长 x 0.059" 宽(3.30mm x 1.50mm) 高度:0.024"(0.60mm) FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:8 中心/截止频率:100MHz(截止值) 衰减值:-34dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 电阻 - 通道（欧姆）:100 |
| 未分类 | X-NUCLEO-EEPRMA1 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STEVAL-POE002V1 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STEVAL-MKI196V1 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STEVAL-MKI192V1 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STEVAL-MKI191V1 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STEVAL-IPMNM2S | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STEVAL-IPMNM1S | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STEVAL-GMBL02V1 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STEVAL-DRONE01 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STEVAL-CTM009V1 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STM32F401VET6TR | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STA5635 | ST(意法半导体) | |
| 滤波器 | EMIF06-MSD01F2 | ST(意法半导体) | 系列:IPAD™ FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:6 电阻-通道（欧姆）:40 数值:R = 40 欧姆,C = 17pF(总计) ESD保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-WFBGA,FCBGA 封装/外壳:0.076" 长 x 0.076" 宽(1.92mm x 1.92mm) 高度:0.028"(0.70mm) |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESDA25LY | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 未分类 | EMIF03-SIM02C2 | ST(意法半导体) | 数值:R = 47 欧姆,100 欧姆,C = 20pF ESD 保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-WFBGA,FCBGA 封装/外壳:0.056" 长 x 0.056" 宽(1.42mm x 1.42mm) 高度:0.030"(0.76mm) FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:3 电阻 - 通道（欧姆）:47,100 |
| 滤波器 | EMIF03-SIM02M8 | ST(意法半导体) | 系列:IPAD™ FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:3 电阻-通道（欧姆）:47,100 数值:R = 47 欧姆,100 欧姆,C = 17pF ESD保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-uFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:0.067" 长 x 0.059" 宽(1.70mm x 1.50mm) 高度:0.024"(0.60mm) |
| 未分类 | ESDALC14-1BF4 | ST(意法半导体) | 电源线路保护:无 不同频率时的电容:22pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:0201 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):13V 箝位电压VCL(max):18V(标准) 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:100W 封装/外壳:0201 |
| 稳压(齐纳)二极管 | RBO40-40G-TR | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 未分类 | EMIF10-COM01F2 | ST(意法半导体) | 数值:R = 200 欧姆,C = 45pF(总计) ESD 保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:25-WFBGA,FCBGA 封装/外壳:0.094" 长 x 0.094" 宽(2.39mm x 2.39mm) 高度:0.028"(0.70mm) FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:10 电阻 - 通道（欧姆）:200 |
| 稳压(齐纳)二极管 | ESDALC8-1BF4 | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:0201 |
| 未分类 | EMIF04-1502M8 | ST(意法半导体) | 数值:R = 170 欧姆,C = 14pF ESD 保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-uFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:0.067" 长 x 0.059" 宽(1.70mm x 1.50mm) 高度:0.026"(0.65mm) FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:4 电阻 - 通道（欧姆）:170 |
| 未分类 | EMIF08-1502M16 | ST(意法半导体) | 电流:10mA 数值:R = 170 欧姆,C = 14pF(总计) ESD 保护:是 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-uFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:0.130" 长 x 0.059" 宽(3.30mm x 1.50mm) 高度:0.024"(0.60mm) FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:8 中心/截止频率:300MHz(截止值) 衰减值:30dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 电阻 - 通道（欧姆）:170 |
| 未分类 | ESDALC5-4BN4 | ST(意法半导体) | 电源线路保护:无 不同频率时的电容:13pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:4-XFDFN 裸露焊盘 FET类型:齐纳 双向通道:4 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):5.5V 箝位电压VCL(max):14.5V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:60W 封装/外壳:4-uQFN(1x0.8) |
| 滤波器 | EMIF06-MSD02N16 | ST(意法半导体) | 系列:IPAD™ FET类型:低通 滤波器阶数:2nd 通道数:6 电阻-通道（欧姆）:45 数值:R = 45 欧姆,C = 20pF(总计) ESD保护:是 工作温度:-30°C ~ 85°C 封装/外壳:16-uFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:0.138" 长 x 0.047" 宽(3.50mm x 1.20mm) 高度:0.022"(0.55mm) |
| 未分类 | TS431BIYLT | ST(意法半导体) | 电流 - 阴极:60µA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压 - 输出（最小值/固定）:1.24V 电压 - 输出（最大值）:6V 电流 - 输出:30mA 偏差:±0.5% 温度系数:±100ppm/°C 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 未分类 | STM32L433CCY3TR | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STPMIC1APQR | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STM32MP157AAC3T | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STM32MP157AAC3 | ST(意法半导体) | |
| 32位MCU | STM32L010RBT6 | ST(意法半导体) | |
| 32位MCU | STM32L010R8T6 | ST(意法半导体) | |
| 32位MCU | STM32L010K8T6 | ST(意法半导体) | |
| 32位MCU | STM32L010K4T6 | ST(意法半导体) | |
| 32位MCU | STM32L010F4P6 | ST(意法半导体) | |
| 32位MCU | STM32L010C6T6 | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | TS431AIYLT | ST(意法半导体) | 电流 - 阴极:60µA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压 - 输出（最小值/固定）:1.24V 电压 - 输出（最大值）:6V 电流 - 输出:30mA 偏差:±1% 温度系数:±100ppm/°C 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 集成电路(芯片) | TL431CZ-AP | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.495V 电压-输出（最大值）:36V Current-Output:100mA 偏差:±2.21% Current-Cathode:1mA 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 集成电路(芯片) | TL431IZT | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.495V 电压-输出（最大值）:36V 电流-输出:100mA 偏差:±2.21% 电流-阴极:1mA 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 未分类 | TS824AILT-2.5 | ST(意法半导体) | 温度系数:±50ppm/°C 电流 - 阴极:60µA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 参考类型:分流器 输出类型:固定 电压 - 输出（最小值/固定）:2.5V 电流 - 输出:15mA 偏差:±0.5% 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 集成电路(芯片) | TL431CL5T | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.495V 电压-输出（最大值）:36V 电流-输出:100mA 偏差:±2.21% 电流-阴极:1mA 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 未分类 | TL431IZ-AP | ST(意法半导体) | 电流 - 阴极:1mA 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC) 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压 - 输出（最小值/固定）:2.495V 电压 - 输出（最大值）:36V 电流 - 输出:100mA 偏差:±2.21% 封装/外壳:TO-92-3 |
| 集成电路(芯片) | TL1431AIDT | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.5V 电压-输出（最大值）:36V Current-Output:100mA 偏差:±0.25% 温度系数:±100ppm/°C Current-Cathode:700µA 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 集成电路(芯片) | TS4436AICT | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:0.6V 电压-输出（最大值）:1.8V 电流-输出:20mA 偏差:±0.5% 温度系数:±150ppm/°C 电流-阴极:250µA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-5 |
| 未分类 | TL1431ACZ-AP | ST(意法半导体) | 温度系数:±90ppm/°C 电流 - 阴极:600µA 工作温度:-20°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC) 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压 - 输出（最小值/固定）:2.5V 电压 - 输出（最大值）:36V 电流 - 输出:100mA 偏差:±0.25% 封装/外壳:TO-92-3 |
| 集成电路(芯片) | TL431CZ | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.495V 电压-输出（最大值）:36V 电流-输出:100mA 偏差:±2.21% 电流-阴极:1mA 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 集成电路(芯片) | TL431ACZT | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.495V 电压-输出（最大值）:36V 电流-输出:100mA 偏差:±1% 电流-阴极:600µA 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 集成电路(芯片) | TL431IL3T | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.495V 电压-输出（最大值）:36V 电流-输出:100mA 偏差:±2.21% 电流-阴极:1mA 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 集成电路(芯片) | TS3431BILT | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:1.24V 电压-输出（最大值）:24V 电流-输出:100mA 偏差:±0.5% 温度系数:±100ppm/°C 电流-阴极:500µA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 集成电路(芯片) | TL431IZ | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.495V 电压-输出（最大值）:36V 电流-输出:100mA 偏差:±2.21% 电流-阴极:1mA 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3 |