IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | VNI4140K | ST(意法半导体) | |
| 集成电路(芯片) | VNI4140KTR | ST(意法半导体) | 系列:VIPower™ 输出数:4 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:10.5 V ~ 36 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:700mA 导通电阻（典型值）:80 毫欧(最大) 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:PowerSSO-24 |
| 集成电路(芯片) | VNI4140KTR-32 | ST(意法半导体) | 系列:VIPower™ 输出数:4 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:10.5 V ~ 36 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1A 导通电阻（典型值）:80 毫欧(最大) 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:PowerSO-24 裸露底部焊盘 |
| 未分类 | BZW50-82 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:Case 反向工作电压VRWM:82V 最大峰值脉冲功率Ppp:5000W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:2600pF @ 1MHz 封装/外壳:R6,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 击穿电压VBR(min):91V 箝位电压VCL(max):189V 峰值脉冲电流Ipp:317A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW50-56B | ST(意法半导体) | 封装/外壳:R-6 |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW50-33BRL | ST(意法半导体) | 封装/外壳:R-6 封装/外壳:Case |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW50-33B | ST(意法半导体) | 封装/外壳:R-6 |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW50-27B | ST(意法半导体) | 封装/外壳:R-6 |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW50-180 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:R-6 |
| 未分类 | BZW50-12B | ST(意法半导体) | 电源线路保护:无 不同频率时的电容:9250pF @ 1MHz 封装/外壳:R6,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13.3V 箝位电压VCL(max):28V 峰值脉冲电流Ipp:2143A(2.143kA)(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 封装/外壳:R-6 |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW50-120B | ST(意法半导体) | 封装/外壳:R-6 |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW06-5V8B | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW06-5V8 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 反向漏电流Ir:10.5uA |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW06-33B | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW06-33 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 反向漏电流Ir:53.9uA |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW06-28B | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW06-28 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 反向漏电流Ir:45.7uA |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW06-15B | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 |
| 未分类 | BZW04-28B | ST(意法半导体) | FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:28.2V 击穿电压VBR(min):31.4V 箝位电压VCL(max):45.7V 峰值脉冲电流Ipp:8.8A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:255pF @ 1MHz 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZW04-13B | ST(意法半导体) | 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 封装/外壳:DO-15 |
| 通用三极管 | BUX87 | ST(意法半导体) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 20mA,200mA 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:12 @ 40mA,5V 功率:40W 频率-跃迁:20MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-32-3 封装/外壳:SOT-32 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:450V |
| 通用三极管 | BUV48A | ST(意法半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:15A 电压-集射极击穿（最大值）:450V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:5V @ 2.4A,12A 电流-集电极截止（最大值）:200µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 8A,5V 功率:125W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 通用三极管 | BUT30V | ST(意法半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:900mV @ 10A,100A 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:27 @ 100A,5V 功率:250W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP® 封装/外壳:ISOTOP FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:100A 集电极_发射极击穿电压VCEO:125V |
| 通用三极管 | BUL39D | ST(意法半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.1V @ 500mA,2.5A 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 10mA,5V 功率:70W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:TO-220 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:450V |
| 通用三极管 | BUL38D | ST(意法半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.1V @ 750mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:250µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 10mA,5V 功率:80W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:TO-220 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:450V |
| 通用三极管 | BUL381D | ST(意法半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.1V @ 750mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:250µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A,5V 功率:70W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| 通用三极管 | BU931T | ST(意法半导体) | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:10A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA,10A 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 5A,10V 功率:125W 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:TO-220 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V 300:直流电最大增益hFE 系列:BU931 连续集电极电流:10 A 最大功率消耗:125 W 最低工作温度:- 65 C 标准包装数量:1000 配置:Single 集电极-发射极最大电压VCEO:400 V 发射机-基极电压VEBO:5 V 集电极-发射极饱和电压:1.8 V 集电极最大直流电流:20 A 最高工作温度:+ 175 C |
| 通用三极管 | BU931P | ST(意法半导体) | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA,10A 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 5A,10V 功率:135W 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| 通用三极管 | BU508AW | ST(意法半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:8A 电压-集射极击穿（最大值）:700V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 1.6A,4.5A 电流-集电极截止（最大值）:200µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 100mA,5V 功率:125W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 通用三极管 | BTW69-800RG | ST(意法半导体) | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.9V 电流-通态（It（AV））（最大值）:32A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:50A 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:580A,610A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTW69-600RG | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.9V 电流-通态（It（AV））（最大值）:32A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:50A 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:580A,610A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTW69-200RG | ST(意法半导体) | 电压-断态:200V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.9V 电流-通态（It（AV））（最大值）:32A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:50A 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:580A,610A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTW69-1200RG | ST(意法半导体) | 电压-断态:1200V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.9V 电流-通态（It（AV））（最大值）:32A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:50A 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:580A,610A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TOP3 |
| 未分类 | BTW69-1000RG | ST(意法半导体) | 电流 - 保持（Ih）（最大值）:150mA 电流 - 断态（最大值）:10µA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:580A,610A SCR 类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TOP-3 电压 - 断态:1000V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:1.9V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:32A 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:50A 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTW68-800RG | ST(意法半导体) | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.1V 电流-通态（It（AV））（最大值）:19A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:30A 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 电流-断态（最大值）:20µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTW68-1200RG | ST(意法半导体) | 电压-断态:1200V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.1V 电流-通态（It（AV））（最大值）:19A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:30A 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 电流-断态（最大值）:20µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTW67-600 | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.9V 电流-通态（It（AV））（最大值）:32A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:50A 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:580A,610A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:RD91 |
| 通用三极管 | BTW67-1000 | ST(意法半导体) | 电压-断态:1000V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.9V 电流-通态（It（AV））（最大值）:32A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:50A 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:580A,610A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:RD91 |
| 通用三极管 | BTB41-800BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTB41-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTB26-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTB24-800BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB24-600BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB24-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB24-800BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB24-800BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 最高工作温度:+ 125 C 最大转折电流IBO:260 A 系列:BTB24 最低工作温度:- 40 C 标准包装数量:50 重复关断状态的额定电压VDRM:800 V 关断状态泄露电流@ VDRM IDRM:5 uA 关断状态电压:1.55 V 保持电流 Ih 最大:80 mA 闸极触发器电压 - Vgt:1.3 V 闸极触发器电流 - Igt:100 mA |
| 通用三极管 | BTB24-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTB16-800CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB16-800BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB16-800BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB16-700BWRG | ST(意法半导体) | |
| 通用三极管 | BTB16-600SWRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB16-600CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB16-600BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB16-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB12-600BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB12-800CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 未分类 | BTB12-600CWRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压 - 断态:600V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB12-600CRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB10-600BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:10A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:100A,105A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB08-600SRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:80A,84A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB08-600BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:80A,84A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTB06-600TRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:60A,63A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 系列:BTB06 标准包装数量:50 非重复通态电流:63 A 重复关断状态的额定电压VDRM:600 V 关断状态泄露电流@ VDRM IDRM:5 uA 关断状态电压:1.65 V 保持电流 Ih 最大:15 mA 闸极触发器电压 - Vgt:1.5 V 闸极触发器电流 - Igt:5 mA |
| 通用三极管 | BTB06-600BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:60A,63A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTB04-600SL | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:35A,38A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA41-800BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTA41-700BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:700V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA41-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTA40-800B | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:RD91 |
| 通用三极管 | BTA40-700B | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:700V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:RD91 |
| 通用三极管 | BTA40-600B | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:RD91 |
| 未分类 | BTA26/800BWRG | ST(意法半导体) | |
| 通用三极管 | BTA26-800CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTA26-800BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| 未分类 | BTA26-800BRGT | ST(意法半导体) | |
| 通用三极管 | BTA26-700BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:700V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 不重复通态电流:260 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:700 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压:1.7 V 保持电流（Ih 最大值）:80 mA 栅触发电压 (Vgt):1.5 V 栅触发电流 (Igt):100 mA |
| 通用三极管 | BTA26-600BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA26-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| 通用三极管 | BTA25-800BW | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) Voltage-OffState:800V Current-OnState(It(RMS))(Max):25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 配置:单一 封装/外壳:RD91 |
| 通用三极管 | BTA25-600BW | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:RD91 |
| 未分类 | BTA25-600B | ST(意法半导体) | 电流 - 保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:RD91-3(绝缘型) 三端双向可控硅类型:标准 电压 - 断态:600V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:50mA |
| 通用三极管 | BTA24-800CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA24-800BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA24-600CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA24-600BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 未分类 | BTA20-700BWRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压 - 断态:700V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:20A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:210A,200A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:75mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA20-600CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:20A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:210A,200A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA16-800CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-800BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA16-800BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 未分类 | BTA16-700BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压 - 断态:700V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600SWRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA16-600CRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA12-800CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | BTA12-800BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 未分类 | BTA12-800BRG | ST(意法半导体) | 电流 - 保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220-3 三端双向可控硅类型:标准 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:120A,126A 封装/外壳:TO-220AB |
| 未分类 | BTA12-700SWRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:700V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 110°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB |