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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | STP20NF06 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:20A |
| 未分类 | STP18NM60N | ST(意法半导体) | 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:13A |
| 通用MOSFET | STP120NF10 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:110A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:233nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):312W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10.5m Ohms@60A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:110A |
| 通用MOSFET | STP25N10F7 | ST(意法半导体) | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VII 连续漏极电流Id:25A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:920pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:35m Ohms@12.5A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:25A |
| 通用MOSFET | STP40N65M2 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ M2 连续漏极电流Id:32A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:56.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2355pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:99m Ohms@16A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:32A |
| 通用MOSFET | STP20N95K5 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:17.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:330m Ohms@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:17.5A |
| 通用MOSFET | STP2NK100Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:1.85A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:499pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5 Ohms@900mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:2A |
| LED驱动器 | STP16CPC26TTR | ST(意法半导体) | FET类型:线性 拓扑:移位寄存器 内部开关:是 输出数:16 电压-供电（最低）:3V 电压- 供电（最高）:5.5V 电压-输出:20V 电流-输出/通道:90mA 频率:30MHz 调光:模拟 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:24-TSSOP |
| 通用MOSFET | STP30NF20 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:38nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1597pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:75m Ohms@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:30A |
| 通用MOSFET | STP170N8F7 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ F7 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:120nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8710pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.9m Ohms@60A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:120A |
| 通用MOSFET | STP20NM60 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:54nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):192W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:290m Ohms@10A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A |
| 未分类 | STP12NK80Z | ST(意法半导体) | 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:10.5A |
| 通用MOSFET | STP18N60M2 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:791pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280m Ohms@6.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:13A |
| 通用MOSFET | STP150N10F7 | ST(意法半导体) | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VII 连续漏极电流Id:110A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:117nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8115pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2m Ohms@55A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:90A |
| 通用MOSFET | STP42N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:33A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:100nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4650pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:79m Ohms@16.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:33A |
| 通用MOSFET | STP2N80K5 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:95pF @ 100V 栅极电压Vgs:30V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5 Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:2A |
| 通用MOSFET | STP45NF06 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:38A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:58nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:980pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):80W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:28m Ohms@19A,10V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:38A |
| 通用MOSFET | STP80NF10FP | ST(意法半导体) | 连续漏极电流Id:38A(Tc) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:189nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4300pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 系列:STripFET™ II 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:15m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | STP4NK50ZD | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:310pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:3A |
| 未分类 | STP36NF06 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:30A |
| 通用MOSFET | STP50NF25 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:68.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2670pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:69m Ohms@22A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:45A |
| 通用MOSFET | STP45N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:91nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3375pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):210W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:78m Ohms@19.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:35A |
| 通用MOSFET | STP4NK80Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:575pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):80W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:3A |
| 通用MOSFET | STP4NK80Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:575pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):80W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:3A |
| 未分类 | STP80NF55-08 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | STP8N90K5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ K5 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 栅极电压Vgs:±30V FET类型:电流感测 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 整流二极管 | STPS1045DEE-TR | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:590mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 45V 封装/外壳:PowerFlat™(3.3x3.3) 工作温度-结:175°C(最大) |
| 未分类 | STPS15L60CB-TR-CUT TAPE | ST(意法半导体) | |
| 功率MOSFET | STP40NF03L | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:770pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:40A |
| 未分类 | STPS160U-CUT TAPE | ST(意法半导体) | |
| 通用MOSFET | STP8NK100Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:6.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:102nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2180pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.85 Ohms@3.15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:6.5A |
| 整流二极管 | STPS10L25D | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:25V 正向电流If:10A 正向电压Vf:460mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:800µA @ 25V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS120L15TV | ST(意法半导体) | 配置:2 个独立式 FET类型:肖特基 反向电压Vr:15V 正向电流If:60A 正向电压Vf:430mV @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:22mA @ 12V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:ISOTOP® |
| 未分类 | STP7NK80Z | ST(意法半导体) | 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:5.2A |
| 通用MOSFET | STP7NK40Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:5.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:535pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1 Ohms@2.7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:400V 连续漏极电流Id:5.4A |
| 通用MOSFET | STP40NF10L | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:64nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±17V Rds On(Max)@Id,Vgs:33m Ohms@20A,10V 工作温度:175°C(TJ) Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:40A |
| 整流二极管 | STPS1045B-TR | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:630mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 45V 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS1150A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:1A 正向电压Vf:820mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1µA @ 150V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:175°C(最大) |
| 未分类 | STPS10L25G-TR-CUT TAPE | ST(意法半导体) | |
| 整流二极管 | STPS20170CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:170V 正向电流If:10A 正向电压Vf:900mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15µA @ 170V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | STPS120M | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:1A 正向电压Vf:490mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3.9µA @ 20V 封装/外壳:STmite 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS1545D | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:840mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 45V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS140A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:1A 正向电压Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:12µA @ 40V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS160U | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:670mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4µA @ 60V 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS16170CG-TR | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:170V 正向电流If:8A 正向电压Vf:920mV @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15µA @ 170V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D2PAK |
| 整流二极管 | STPS160A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:670mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4µA @ 60V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS1150A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:1A 正向电压Vf:820mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1µA @ 150V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS20150CG-TR | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:10A 正向电压Vf:920mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 150V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D²PAK |
| 整流二极管 | STPS2045CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:570mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 45V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | STPS20200CFP | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:860mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15µA @ 200V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220FPAB |
| 整流二极管 | STPS1545D | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:840mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 45V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS20200CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:860mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15µA @ 200V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | STPS1H100A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:770mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4µA @ 100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 未分类 | STPS1H100A-CUT TAPE | ST(意法半导体) | |
| 整流二极管 | STPS30M100DJF-TR | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:30A 正向电压Vf:960mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 100V 封装/外壳:PowerFlat™(5x6) 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS20M60CG-TR | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:10A 正向电压Vf:570mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:65µA @ 60V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:D²PAK |
| 未分类 | STPS20H100CG | ST(意法半导体) | |
| 整流二极管 | STPS41H100CGY-TR | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:20A 正向电压Vf:800mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:D²PAK |
| 整流二极管 | STPSC4H065B-TR | ST(意法半导体) | FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.75V @ 4A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:40µA @ 650V 结电容Cj:200pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STPS2L40U | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:2A 正向电压Vf:430mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:220µA @ 40V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS20L15G-TR | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:15V 正向电流If:20A 正向电压Vf:410mV @ 19A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:6mA @ 15V 封装/外壳:D2PAK 工作温度-结:125°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS20M60D | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:20A 正向电压Vf:580mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:125µA @ 60V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS2150A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:2A 正向电压Vf:820mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1.5µA @ 150V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS2L25U | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:25V 正向电流If:2A 正向电压Vf:450mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:90µA @ 25V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS30H100CW | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:15A 正向电压Vf:800mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247-3 |
| 整流二极管 | STPS3045CW | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:570mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 45V 工作温度-结:200°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Through Hole 封装/外壳:TO-247 反向电压Vr:45 V 正向电流If:30 A 正向浪涌电流Ifsm:220 A 配置:Dual Common Cathode 正向电压Vf:0.84 V 反向漏电流Ir:200 uA 工作温度:+ 175 C |
| 整流二极管 | STPS20S100CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:850mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3.5µA @ 100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:Through Hole 反向电压Vr:100 V 正向电流If:20 A 正向浪涌电流Ifsm:180 A 配置:Dual Common Cathode 正向电压Vf:0.94 V 反向漏电流Ir:3.5 uA 工作温度:+ 175 C |
| 整流二极管 | STPS30170DJF-TR | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:170V 正向电流If:30A 正向电压Vf:950mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15µA @ 170V 封装/外壳:PowerFlat™(6x5) 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS2L60A | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:600mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 60V 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS30H60CKY-TR | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:15A 正向电压Vf:580mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150µA @ 60V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PowerSO-20 |
| 整流二极管 | STPS2L60 | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:2A 正向电压Vf:600mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 60V 封装/外壳:DO-41 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS60L45CW | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:30A 正向电压Vf:550mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1.5mA @ 45V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 整流二极管 | STPS60SM200CW | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:60A 正向电压Vf:830mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50µA @ 200V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247 |
| 整流二极管 | STPS8H100D | ST(意法半导体) | 正向电压Vf:710mV @ 8A 封装/外壳:TO-220AC FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5µA @ 100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPSC12C065DY | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q101,ECOPACK®2 FET类型:肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:12A 正向电压Vf:1.75V @ 12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:120µA @ 650V 结电容Cj:530pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STPS30M100DJF-TR | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:30A 正向电压Vf:960mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 100V 封装/外壳:PowerFlat™(5x6) 工作温度-结:150°C(最大) |
| 未分类 | STS26N3LLH6-CUT TAPE | ST(意法半导体) | |
| 未分类 | STPSC20H12D | ST(意法半导体) | |
| 稳压(齐纳)二极管 | STRVS142X02F | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-201 反向工作电压Vrwm:102V |
| 整流二极管 | STPS60SM200CW | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:60A 正向电压Vf:830mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50µA @ 200V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247 |
| 整流二极管 | STPS60L30CW | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:30A 正向电压Vf:460mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4mA @ 30V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 整流二极管 | STPSC20H065CWY | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q101,ECOPACK®2 配置:1 对共阴极 FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.75V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 650V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247 |
| 整流二极管 | STPSC406B-TR | ST(意法半导体) | FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:600V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.9V @ 4A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:50µA @ 600V 结电容Cj:200pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STPS8H100DEE-TR | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:8A 正向电压Vf:820mV @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5µA @ 100V 封装/外壳:PowerFlat™(3.3x3.3) 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS340B-TR | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:3A 正向电压Vf:630mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20µA @ 40V 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS41H100CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:20A 正向电压Vf:800mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
| 集成电路(芯片) | STR710FZ2H6 | ST(意法半导体) | 系列:STR7 核心处理器:ARM7® 核心尺寸:32-位 速度:66MHz 连接性:CAN,EBI/EMI,HDLC,I²C,智能卡,SPI,UART/USART,USB 外设:PWM,WDT I/O数:48 程序存储容量:256KB(256K x 8 + 16K) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:64K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 4x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:144-LFBGA |
| 整流二极管 | STPSC6H065B-TR | ST(意法半导体) | FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:6A 正向电压Vf:1.75V @ 6A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:60µA @ 650V 结电容Cj:300pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STPS5045SG-TR | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:50A 正向电压Vf:610mV @ 50A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:360µA @ 45V 封装/外壳:D²PAK 工作温度-结:200°C(最大) |
| 整流二极管 | STPS5H100BY-TR | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:5A 正向电压Vf:730mV @ 5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3.5µA @ 100V 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STPS60170CT | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:170V 正向电流If:30A 正向电压Vf:940mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:35µA @ 170V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用MOSFET | STS10P4LLF6 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ F6 连续漏极电流Id:10A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3525pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.7W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:15m Ohms@3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:10A |
| 通用三极管 | STR1550 | ST(意法半导体) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 6mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:10µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA,10V 功率:1/2W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:500V |
| 通用MOSFET | STS7NF60L | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:7.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:19.5m Ohms@3.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.5A |
| 整流二极管 | STPSC6H065DI | ST(意法半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:6A 正向电压Vf:1.75V @ 6A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:60µA @ 650V 封装/外壳:TO-220AC ins 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STPS61170CW | ST(意法半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:170V 正向电流If:30A 正向电压Vf:840mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:60µA @ 170V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 集成电路(芯片) | STR750FV1T6 | ST(意法半导体) | 系列:STR7 核心处理器:ARM7® 核心尺寸:32-位 速度:60MHz 连接性:CAN,I²C,SPI,SSI,SSP,UART/USART,USB 外设:DMA,PWM,WDT I/O数:72 程序存储容量:128KB(128K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:16K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 16x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP |
| 未分类 | STR911FAW44X6 | ST(意法半导体) | |
| 整流二极管 | STPSC10H12B-TR1 | ST(意法半导体) | 系列:ECOPACK® FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:1200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.5V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:60µA @ 1200V 结电容Cj:725pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DPAK 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | STPS41H100CTY | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q101 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:20A 正向电压Vf:670mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220AB |