IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 集成电路(芯片) | CY62137FV30LL-45BVXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:2Mb (128K x 16) 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-VFBGA 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) |
| 集成电路(芯片) | SST25VF016B-50-4C-QAF-T | Microchip | 系列:SST25 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:16Mb (2M x 8) 时钟频率:50MHz 写周期时间-字，页:10µs 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-WSON(6x5) |
| 集成电路(芯片) | SST25VF016B-50-4C-QAF | Microchip | 系列:SST25 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:16Mb (2M x 8) 时钟频率:50MHz 写周期时间-字，页:10µs 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-WSON(6x5) |
| 集成电路(芯片) | 24AA32AT-I/ST | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | AT25SF041-SSHD-T | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间-字，页:5µs,2.5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | M93C76-WMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8,512 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:Microwire 3 线串行 |
| 集成电路(芯片) | 24C02CT-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:1ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 25LC320-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 24C65T-I/SM | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:4.5 V ~ 6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIJ |
| 集成电路(芯片) | 25LC320T-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | M24C32-FMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M95M01-DWDW3TP/K | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:16MHz 写周期时间-字，页:4ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:SPI 串行 |
| 集成电路(芯片) | M24C64-FMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24C64-FDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24128-DFDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | 93LC66BT-I/MC | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (256 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:6ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DFN(2x3) |
| 集成电路(芯片) | 24AA02E48T-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | CY62157ESL-45ZSXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 电压-电源:2.2 V ~ 5.5 V 封装/外壳:44-TSOP II 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.2 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II |
| 集成电路(芯片) | 93LC56CT-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8,128 x 16) 时钟频率:3MHz 写周期时间-字，页:6ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 25C040T/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:3MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MR2A08AYS35 | EVERSPIN | 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP2 |
| 集成电路(芯片) | CY14B104NA-ZS25XI | CYPRESS(赛普拉斯) | 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TSOP II 存储器类型:非易失 存储器格式:NVSRAM 存储容量:4Mb (256K x 16) 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II 存储器大小:4Mbit 组织:256K x 16 位,512K x 8 位 字组数目:256K, 512K 每字组的位元数目:8 bit, 16 bit 最长随机存取时间:25ns 低功率:是 封装/外壳:TSOP 引脚数目:44 封装/外壳:18.517 x 10.262 x 1.044mm 高度:1.044mm 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:3.6 V 长度:18.517mm 宽度:10.262mm 最小工作电源电压:2.7 V |
| 集成电路(芯片) | CY62148ELL-45ZSXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:32-TSOP II 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:32-TSOP II |
| 集成电路(芯片) | FM1808B-SG | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:F-RAM™ 写周期时间-字，页:130ns 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC 存储器类型:非易失 存储器格式:FRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:130ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:28-SOIC 存储器大小:256Kbit 组织:32K x 8 位 接口类型:并行 数据总线宽度:8Bit 最长随机存取时间:70ns 封装/外壳:SOIC 引脚数目:28 封装/外壳:18.11 x 7.62 x 2.37mm 长度:18.11mm 宽度:7.62mm 最大工作电源电压:5.5 V 高度:2.37mm 最高工作温度:+85 °C 字组数目:32K 最低工作温度:-40 °C 最小工作电源电压:4.5 V |
| 集成电路(芯片) | AT25DF081A-SH-T | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Mb (256 字节 x 4096 页) 时钟频率:100MHz 写周期时间-字，页:7µs,3ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MR256A08BCMA35 | EVERSPIN | 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-FBGA(8x8) |
| 集成电路(芯片) | 24LC04BT/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (256 x 8 x 2) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | SST25VF512-20-4C-SAE-T | Microchip | 系列:SST25 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:20MHz 写周期时间-字，页:20µs 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 25C040/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:3MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 25AA010AT-I/MC | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb (128 x 8) 时钟频率:10MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DFN(2x3) |
| 集成电路(芯片) | SST39LF800A-55-4C-B3KE-T | Microchip | 系列:SST39 MPF™ 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间-字，页:20µs 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA |
| 集成电路(芯片) | MR2A08ACMA35 | EVERSPIN | 存储器类型:非易失 存储器格式:RAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-FBGA(8x8) |
| 集成电路(芯片) | AT45DB641E-MHN-Y | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:64Mb (264 字节 x 32K 页) 时钟频率:85MHz 写周期时间-字，页:8µs,5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-UDFN(5x6) |
| 集成电路(芯片) | 23LCV1024T-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储器格式:NVSRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:20MHz 存储器接口:SPI - 双 I/O 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | M24C04-FMC6TG | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFPN(2x3) 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | SST25VF010A-33-4C-SAE-T | Microchip | 系列:SST25 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:33MHz 写周期时间-字，页:20µs 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 25AA160AT-I/MS | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 时钟频率:10MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP |
| 集成电路(芯片) | M24C32-DRDW3TP/K | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:4ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | CY62168EV30LL-45BVXI | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:16Mb (2M x 8,1M x 16) 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-VFBGA 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) |
| 集成电路(芯片) | M95256-DFMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:20MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:SPI 串行 |
| 集成电路(芯片) | CY7C1520KV18-250BZC | CYPRESS(赛普拉斯) | 电压-电源:1.7 V ~ 1.9 V 封装/外壳:165-FBGA(13x15) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:72Mb (2M x 36) 时钟频率:250MHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:165-LBGA 封装/外壳:165-FBGA(13x15) |
| 集成电路(芯片) | CY7C1069G30-10BVXI | CYPRESS(赛普拉斯) | 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:16Mb (2M x 8) 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-VFBGA 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) |
| 集成电路(芯片) | S29PL127J70BFI000 | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:PL-J 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:80-FBGA(8x11) 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:128Mb (8M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:80-VFBGA 封装/外壳:80-FBGA(8x11) |
| 集成电路(芯片) | BA6956AN | ROHM(罗姆) | 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:开/关 电流-输出:1A 电压-负载:6.5 V ~ 15 V 工作温度:-20°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:9-SIP |
| 集成电路(芯片) | 93LC86T-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8,1K x 16) 时钟频率:3MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 6.0 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | AT45DB021E-SSHN-B | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:2Mb (264 字节 x 1024 页) 时钟频率:70MHz 写周期时间-字，页:8µs,3ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | CY7C1399BNL-12ZXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:28-TSOP I 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 封装/外壳:28-TSOP I |
| 集成电路(芯片) | BA5417 | ROHM(罗姆) | FET类型:AB 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:5W x 2 @ 3 欧姆 电压-电源:6 V ~ 15 V 工作温度:-20°C ~ 75°C(TA) 封装/外壳:15-SIP + 接片 |
| 集成电路(芯片) | M95512-DFMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:16MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:5MHz 接口:SPI 串行 |
| 集成电路(芯片) | M95256-DRMN3TP/K | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:20MHz 写周期时间-字，页:4ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:SPI 串行 |
| 集成电路(芯片) | 24FC256T-I/ST | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | M34E02-FMC6TG | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFPN(2x3) 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | AT45DB161E-SHF-B | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:16Mb (528 字节 x 4096 页) 时钟频率:85MHz 写周期时间-字，页:8µs,4ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | XS1-U8A-64-FB96-C5 | XMOS | 系列:XS1 核心处理器:XCore 核心尺寸:32 位 8 核 速度:500MIPS 连接性:可配置 I/O数:38 程序存储容量:64KB(16K x 32) 程序存储器类型:SRAM 电压-电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 4x12b 振荡器类型:内部 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:96-FBGA(10x10) |
| 集成电路(芯片) | XS1-A8A-64-FB96-C5 | XMOS | 系列:XS1 核心处理器:XCore 核心尺寸:32 位 8 核 速度:500MIPS 连接性:可配置 I/O数:42 程序存储容量:64KB(16K x 32) 程序存储器类型:SRAM 电压-电源（Vcc/Vdd）:0.90 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 4x12b 振荡器类型:内部 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:96-FBGA(10x10) |
| 集成电路(芯片) | SST25VF040B-50-4C-S2AF-T | Microchip | 系列:SST25 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:50MHz 写周期时间-字，页:10µs 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | CY62127DV30LL-55BVXI | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-VFBGA 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) 存储器大小:1Mbit 组织:64K x 16 位 字组数目:64K 每字组的位元数目:16Bit 最长随机存取时间:55ns 低功率:是 封装/外壳:VFBGA 引脚数目:48 封装/外壳:6 x 8 x 0.79mm 高度:0.79mm 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:3.6 V 长度:6mm 宽度:8mm 最小工作电源电压:2.2 V |
| 集成电路(芯片) | FM24C04B-GTR | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:F-RAM™ 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SOIC 存储器类型:非易失 存储器格式:FRAM 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:1MHz 访问时间:550ns 存储器接口:I²C 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 25LC040AT-E/OT | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:10MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 集成电路(芯片) | 24VL024/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 23LC1024T-I/SN | Microchip | 存储器类型:易失 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:20MHz 存储器接口:SPI - 四 I/O 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | M95080-RMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 时钟频率:20MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:5MHz 接口:SPI 串行 |
| 集成电路(芯片) | CY62136EV30LL-45BVXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:2Mb (128K x 16) 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-VFBGA 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) |
| 集成电路(芯片) | 24AA256T-I/ST | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | BD9328EFJ-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:4.2V 电压-输入（最大值）:18V 电压-输出（最小值/固定）:0.9V 电压-输出（最大值）:12.6V 电流-输出:2A 频率-开关:380kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-HTSOP-J |
| 集成电路(芯片) | 23K256T-I/SN | Microchip | 存储器类型:易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:20MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | CY7C1021DV33-10BVXI | CYPRESS(赛普拉斯) | 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-VFBGA 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) |
| 集成电路(芯片) | BD9134MUV-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:固定 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:4.5V 电压-输入（最大值）:5.5V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 电流-输出:3A 频率-开关:1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:VQFN020V4040 |
| 集成电路(芯片) | CY7C1354C-200AXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:NoBL™ 电压-电源:3.135 V ~ 3.6 V 封装/外壳:100-TQFP(14x20) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (256K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.2ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x20) |
| 集成电路(芯片) | M95640-DRDW3TP/K | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:20MHz 写周期时间-字，页:4ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:SPI 串行 |
| 集成电路(芯片) | AT45DB081E-SHN2B-T | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Mb (256 字节 x 4096 页) 时钟频率:85MHz 写周期时间-字，页:8µs,4ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | CY7C1049G30-10ZSXI | CYPRESS(赛普拉斯) | 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TSOP II 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II |
| 集成电路(芯片) | CY7C1350G-200AXI | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:NoBL™ 电压-电源:3.135 V ~ 3.6 V 封装/外壳:100-TQFP(14x20) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4.5Mb (128K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:2.8ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x20) |
| 集成电路(芯片) | CY7C09579V-100BBC | CYPRESS(赛普拉斯) | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1.152Mb (32K x 36) 时钟频率:100MHz 访问时间:5ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:172-FBGA(15x15) |
| 集成电路(芯片) | 24FC128T-I/ST | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | 93LC86CT-I/MC | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8,1K x 16) 时钟频率:3MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DFN(2x3) |
| 集成电路(芯片) | M95128-DRMN3TP/K | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:20MHz 写周期时间-字，页:4ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:SPI 串行 |
| 集成电路(芯片) | 25C160T-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 时钟频率:3MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | M24512-DFDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | 24LC22AT-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:10ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | SST39VF200A-70-4I-EKE | Microchip | 系列:SST39 MPF™ 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:2Mb (128K x 16) 写周期时间-字，页:20µs 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSOP |
| 集成电路(芯片) | 93LC66C-I/P | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8,256 x 16) 时钟频率:3MHz 写周期时间-字，页:6ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-PDIP |
| 集成电路(芯片) | 24AA512T-I/MF | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DFN-S(6x5) |
| 集成电路(芯片) | AT25SF081-SHD-T | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Mb (1M x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间-字，页:5µs,5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | AT25DL161-SSHN-B | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:16Mb (256 字节 x 8192 页) 时钟频率:100MHz 写周期时间-字，页:8µs,3ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.65 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | SST39VF800A-70-4I-MAQE | Microchip | 系列:SST39 MPF™ 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间-字，页:20µs 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-WFBGA(6x4) |
| 集成电路(芯片) | 93LC86BT-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (1K x 16) 时钟频率:3MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | SST26VF016-80-5I-S2AE | Microchip | 系列:SST26 SQI® 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:16Mb (2M x 8) 时钟频率:80MHz 写周期时间-字，页:1.5ms 存储器接口:SPI - 四 I/O 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 93LC46BT-I/MS | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb (64 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:6ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP |
| 集成电路(芯片) | CY14B104NA-BA25XI | CYPRESS(赛普拉斯) | 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-FBGA(6x10) 存储器类型:非易失 存储器格式:NVSRAM 存储容量:4Mb (256K x 16) 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-FBGA(6x10) |
| 集成电路(芯片) | 93LC66BT-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (256 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:6ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 25LC040T-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | CY7C1512KV18-250BZXI | CYPRESS(赛普拉斯) | 电压-电源:1.7 V ~ 1.9 V 封装/外壳:165-FBGA(13x15) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:72Mb (4M x 18) 时钟频率:250MHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:165-LBGA 封装/外壳:165-FBGA(13x15) |
| 集成电路(芯片) | CY62256VNLL-70ZXC | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:28-TSOP I 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 封装/外壳:28-TSOP I |
| 集成电路(芯片) | 24LC32AT-I/SM | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIJ |
| 集成电路(芯片) | CY7C1512KV18-250BZC | CYPRESS(赛普拉斯) | 电压-电源:1.7 V ~ 1.9 V 封装/外壳:165-FBGA(13x15) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:72Mb (4M x 18) 时钟频率:250MHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:165-LBGA 封装/外壳:165-FBGA(13x15) |
| 集成电路(芯片) | CY7C1518KV18-250BZI | CYPRESS(赛普拉斯) | 电压-电源:1.7 V ~ 1.9 V 封装/外壳:165-FBGA(13x15) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:72Mb (4M x 18) 时钟频率:250MHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:165-LBGA 封装/外壳:165-FBGA(13x15) |
| 集成电路(芯片) | 93LC56BT/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (128 x 16) 时钟频率:2MHz 写周期时间-字，页:6ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 25AA160CT-I/MS | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 时钟频率:10MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP |
| 集成电路(芯片) | 25LC040AT-I/SN | Microchip | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:10MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |