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    集成电路(芯片) MX29F200CBMI-70G MACRONIX 系列:MX29F 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:2Mb (256K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-SOP
    集成电路(芯片) VN540-12-E ST(意法半导体) 系列:VIPower™ 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1:1 输出配置:高端 接口:开/关 电压-负载:10 V ~ 36 V 电压-电源(Vcc/Vdd):不需要 电流-输出(最大值):2.8A 导通电阻(典型值):50 毫欧(最大) 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温 工作温度:-25°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:5-PENTAWATT
    集成电路(芯片) MP24943DN-LF MPS(美国芯源) 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入(最小值):4.5V 电压-输入(最大值):55V 电压-输出(最小值/固定):0.8V 电压-输出(最大值):45V 电流-输出:3A 频率-开关:100kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC-EP
    集成电路(芯片) 6EDL04N06PTXUMA1 Infineon(英飞凌) 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 17.5 V 逻辑电压 - VIL,VIH:1.1V,1.7V 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):620V 上升/下降时间(典型值):60ns,26ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:PG-DSO-28 封装/外壳:PG-TSSOP-28
    集成电路(芯片) NCV890101MWTXG ON(安森美) 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入(最小值):4.5V 电压-输入(最大值):36V 电压-输出(最小值/固定):0.8V 电压-输出(最大值):34V 电流-输出:1.2A 频率-开关:2MHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:10-DFN(3x3)
    集成电路(芯片) RT9059GQW Richtek(立锜) 稳压器数:1 Ohms 电流-输出:3A 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-WDFN(3x3)
    集成电路(芯片) PIC32MK1024GPE064-I/MR Microchip 系列:PIC® 32MK 核心处理器:MIPS32® microAptiv™ 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 连接性:CAN, IrDA, LIN, PMP, QEI, SPI, UART/USART, USB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,电机控制 PWM,WDT I/O数:48 程序存储容量:1MB(1M x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:256K x 8 电压-电源(Vcc/Vdd):2.2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 26x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-QFN(9x9)
    集成电路(芯片) 1EDI20N12AFXUMA1 Infineon(英飞凌) 系列:EiceDriver™ 驱动配置:高压侧或低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压-电源:10 V ~ 35 V 逻辑电压 -VIL,VIH:1.5V,3.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):4A,3.5A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压-最大值(自举):1200V 上升/下降时间(典型值):10ns,9ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-DSO-8 封装/外壳:PG-DSO-8-51
    集成电路(芯片) PIC32MZ2064DAB169-I/HF Microchip 系列:PIC® 32MZ DA 核心处理器:MIPS32® microAptiv™ 核心尺寸:32-位 速度:200MHz 连接性:CAN,EBI/EMI,以太网,I²C,IrDA,LIN,PMP,SPI,SQI,UART/USART,USB OTG 外设:断电检测/复位,DMA,HLVD,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:120 程序存储容量:2MB(2M x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:640K x 8 电压-电源(Vcc/Vdd):1.7 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 45x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:169-LFBGA(11x11)
    集成电路(芯片) SC4431CSK-2TRT SEMTECH 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出(最小值/固定):1.224V 电压-输出(最大值):13.776V 电流-输出:40mA 偏差:±2% 电压-输入:1.5 V ~ 15 V 电流-阴极:110µA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    集成电路(芯片) LV8805SV-TLM-H ON(安森美) 电机类型-AC,DC:无刷 DC(BLDC) 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(3) 接口:PWM 电流-输出:1.2A 电压-负载:6 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TA) 封装/外壳:20-SSOPJ
    集成电路(芯片) CY7C64215-56LTXIT CYPRESS(赛普拉斯) 系列:enCoRe™ III RAM容量:1K x 8 I/O数:50 电压-电源:3 V ~ 5.25 V 封装/外壳:56-QFN-EP(8x8) 核心处理器:M8C 程序存储器类型:闪存(16 kB) 控制器系列:CY7C642xx RAM 容量:1K x 8 接口:I²C,USB I/O 数:50 电压 - 电源:3 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:56-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:56-QFN-EP(8x8)
    集成电路(芯片) CY7C25652KV18-450BZXC CYPRESS(赛普拉斯) 电压-电源:1.7 V ~ 1.9 V 封装/外壳:165-FBGA(13x15) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:72Mb (2M x 36) 时钟频率:450MHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:165-LBGA 封装/外壳:165-FBGA(13x15)
    集成电路(芯片) TC1017-3.3VLTTR Microchip 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入(最大值):6V 电压-输出(最小值/固定):3.3V 压降(最大值):0.5V @ 150mA 电流-输出:150mA 电流-电源:90µA PSRR:58dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SC-70-5
    集成电路(芯片) CY7C1313KV18-250BZXC CYPRESS(赛普拉斯) 电压-电源:1.7 V ~ 1.9 V 封装/外壳:165-FBGA(13x15) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:18Mb (1M x 18) 时钟频率:250MHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:165-LBGA 封装/外壳:165-FBGA(13x15)
    集成电路(芯片) DS2460S+ MAXIM(美信) 存储器类型:非易失 存储容量:896b (112 x 8) 时钟频率:400kHz 存储器接口:I²C 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO
    集成电路(芯片) CY62146G-45ZSXI CYPRESS(赛普拉斯) 系列:MoBL® 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:44-TSOP II 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4Mb (256K x 16) 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II
    集成电路(芯片) L4963W ST(意法半导体) 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入(最小值):9V 电压-输入(最大值):46V 电压-输出(最小值/固定):5.1V 电压-输出(最大值):36V 电流-输出:1.5A 频率-开关:42kHz ~ 83kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:18-DIP
    集成电路(芯片) MAX4460ESA+ MAXIM(美信) 放大器类型:仪表 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.5 V/µs 增益带宽积:2.5MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:50µV 电流-电源:800µA 电流-输出/通道:150mA 电压-电源,单/双(±):2.85 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 通道数量:1 Ohms 封装/外壳:Tube 功率:0.47W 输入补偿电压:0.425 mV 最大输入电阻:2000 M0hms 共模抑制比(最小值):90 dB 工作电源电压:3 V, 5 V 电源电流:1.1 mA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装/外壳:SOIC-8 Narrow
    集成电路(芯片) MAX1951ESA+ MAXIM(美信) 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入(最小值):2.6V 电压-输出(最小值/固定):0.8V 电压-输出(最大值):5.5V 电流-输出:2A 频率-开关:800kHz ~ 1.1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    集成电路(芯片) FAN3226CMX Fairchild(仙童) 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压-电源:4.5 V ~ 18 V 电流-峰值输出(灌入,拉出):3A,3A 输入类型:反相 上升/下降时间(典型值):12ns,9ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC
    集成电路(芯片) LCMXO2-7000HC-4BG256I Lattice(莱迪思) 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-CABGA(14x14)
    集成电路(芯片) LCMXO2-7000HE-6BG256I Lattice(莱迪思) 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:206 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-CABGA(14x14)
    集成电路(芯片) LCMXO2-7000HC-6FTG256I Lattice(莱迪思) 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17)
    集成电路(芯片) PIC32MM0256GPM064-I/PT Microchip 系列:PIC® 32MM 核心处理器:MIPS32® microAptiv™ 核心尺寸:32-位 速度:25MHz 连接性:IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB,USB OTG 外设:断电检测/复位,DMA,HLVD,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:52 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:32K x 8 电压-电源(Vcc/Vdd):2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 20x10/12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-TQFP
    集成电路(芯片) MCP1703A-1202E/DB Microchip 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入(最大值):16V 电压-输出(最小值/固定):1.2V 电流-输出:200mA 电流-电源:5µA PSRR:35dB(100Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-223-3
    集成电路(芯片) TC2117-3.3VDBTR Microchip 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入(最大值):6V 电压-输出(最小值/固定):3.3V 压降(最大值):1.2V @ 800mA 电流-输出:800mA 电流-电源:130µA PSRR:55dB(1kHz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223-3
    集成电路(芯片) FT245BL-REEL FTDI Chip 封装/外壳:32-LQFP
    集成电路(芯片) PIC32MX695F512L-80V/PF Microchip 系列:PIC® 32MX 核心处理器:MIPS32® M4K™ 核心尺寸:32-位 速度:80MHz 连接性:以太网,I²C,SPI,UART/USART,USB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT I/O数:85 程序存储容量:512KB(512K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:128K x 8 电压-电源(Vcc/Vdd):2.3 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:100-TQFP(14x14)
    集成电路(芯片) MCP19115-E/MQ Microchip 系列:汽车级,AEC-Q100 输出类型:晶体管驱动器 功能:升压,升压/降压 输出配置:正 拓扑:升压,Cuk,反激,SEPIC 输出阶段:1 Ohms 电压-电源(Vcc/Vdd):4.5 V ~ 42 V 频率-开关:31.25kHz ~ 2MHz 时钟同步:无 串行接口:I²C 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:28-QFN(5x5)
    集成电路(芯片) MCP1703AT-4002E/CB Microchip 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入(最大值):16V 电压-输出(最小值/固定):4V 压降(最大值):0.725V @ 250mA 电流-输出:250mA 电流-电源:5µA PSRR:35dB(100Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23A-3
    集成电路(芯片) MCP1703AT-3302E/MB Microchip 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入(最大值):16V 电压-输出(最小值/固定):3.3V 压降(最大值):0.725V @ 250mA 电流-输出:250mA 电流-电源:5µA PSRR:35dB(100Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-89-3
    集成电路(芯片) PIC32MK1024MCF064-I/PT Microchip 系列:PIC® 32MK 核心处理器:MIPS32® microAptiv™ 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 连接性:CAN, IrDA, LIN, PMP, QEI, SPI, UART/USART, USB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,电机控制 PWM,WDT I/O数:49 程序存储容量:1MB(1M x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:256K x 8 电压-电源(Vcc/Vdd):2.2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 27x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-TQFP
    集成电路(芯片) MCP1703AT-5002E/CB Microchip 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入(最大值):16V 电压-输出(最小值/固定):5V 压降(最大值):0.65V @ 250mA 电流-输出:250mA 电流-电源:5µA PSRR:35dB(100Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23A-3
    集成电路(芯片) PIC32MK1024GPD064-I/PT Microchip 系列:PIC® 32MK 核心处理器:MIPS32® microAptiv™ 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 连接性:IrDA, LIN, PMP, QEI, SPI, UART/USART, USB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,电机控制 PWM,WDT I/O数:48 程序存储容量:1MB(1M x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:256K x 8 电压-电源(Vcc/Vdd):2.2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 26x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-TQFP
    集成电路(芯片) L6228DTR ST(意法半导体) 电机类型-步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 步进分辨率:1,1/2 电流-输出:1.4A 电压-负载:8 V ~ 52 V 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:24-SO
    集成电路(芯片) MCP1703AT-3302E/DB Microchip 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入(最大值):16V 电压-输出(最小值/固定):3.3V 压降(最大值):0.725V @ 250mA 电流-输出:250mA 电流-电源:5µA PSRR:35dB(100Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223-3
    集成电路(芯片) LCMXO3L-2100C-6BG256C Lattice(莱迪思) 系列:MachXO3 LAB/CLB数:264 逻辑元件/单元数:2112 总RAM位数:75776 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-CABGA(14x14)
    集成电路(芯片) MCP1703AT-3302E/CB Microchip 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入(最大值):16V 电压-输出(最小值/固定):3.3V 压降(最大值):0.725V @ 250mA 电流-输出:250mA 电流-电源:5µA PSRR:35dB(100Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23A-3
    集成电路(芯片) PIC32MK1024GPE064-I/PT Microchip 系列:PIC® 32MK 核心处理器:MIPS32® microAptiv™ 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 连接性:CAN, IrDA, LIN, PMP, QEI, SPI, UART/USART, USB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,电机控制 PWM,WDT I/O数:48 程序存储容量:1MB(1M x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:256K x 8 电压-电源(Vcc/Vdd):2.2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 26x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-TQFP
    集成电路(芯片) MAX1714BEEE+ MAXIM(美信) 输出类型:晶体管驱动器 输出配置:正 拓扑:降压 电压-电源(Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 频率-开关:200kHz,300kHz,450kHz,600kHz 占空比(最大):1 Ohms 同步整流器:是 时钟同步:无 控制特性:限流,使能,导通时间控制,电源良好 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-QSOP
    集成电路(芯片) AM4962GHTR-G1 Diodes(达尔(美台)) 电机类型-AC,DC:无刷 DC(BLDC) 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:PWM 电流-输出:1A 电压-负载:3.5 V ~ 16 V 工作温度:-30°C ~ 90°C(TA) 封装/外壳:14-HTSSOP
    集成电路(芯片) LCMXO2-4000HC-6FTG256I Lattice(莱迪思) 系列:MachXO2 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17)
    集成电路(芯片) MCP1703A-5002E/DB Microchip 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入(最大值):16V 电压-输出(最小值/固定):5V 压降(最大值):0.65V @ 250mA 电流-输出:250mA 电流-电源:5µA PSRR:35dB(100Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-223-3
    集成电路(芯片) ICE40HX8K-CB132 Lattice(莱迪思) 系列:HX LAB/CLB数:960 逻辑元件/单元数:7680 总RAM位数:131072 I/O数:95 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:132-CSPBGA(8x8)
    集成电路(芯片) LCMXO2-2000HC-5FTG256C Lattice(莱迪思) 系列:MachXO2 LAB/CLB数:264 逻辑元件/单元数:2112 总RAM位数:75776 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17)
    集成电路(芯片) LCMXO2-7000HC-6FTG256C Lattice(莱迪思) 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17)
    集成电路(芯片) LCMXO2-2000HC-5FTG256I Lattice(莱迪思) 系列:MachXO2 LAB/CLB数:264 逻辑元件/单元数:2112 总RAM位数:75776 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17)
    集成电路(芯片) ATTINY1614-SSNR Microchip 系列:tinyAVR™ 1 核心处理器:AVR 核心尺寸:8-位 速度:20MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT I/O数:12 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:256 x 8 RAM容量:2K x 8 电压-电源(Vcc/Vdd):1.8 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 14x10b,D/A 3x8b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:14-SOIC
    集成电路(芯片) MAX6495ATT+T MAXIM(美信) FET类型:过压保护控制器 封装/外壳:6-TDFN-EP(3x3)
    集成电路(芯片) PIC32MM0256GPM036-I/M2 Microchip 系列:PIC® 32MM 核心处理器:MIPS32® microAptiv™ 核心尺寸:32-位 速度:25MHz 连接性:IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB,USB OTG 外设:断电检测/复位,DMA,HLVD,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:27 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:32K x 8 电压-电源(Vcc/Vdd):2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 15x10/12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:36-VQFN(6x6)
    集成电路(芯片) DSPIC30F2023-30I/ML Microchip 系列:dsPIC™ 30F 核心处理器:dsPIC 核心尺寸:16-位 速度:30 MIP 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT I/O数:35 程序存储容量:12KB(4K x 24) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:512 x 8 电压-电源(Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 12x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-QFN(8x8)
    集成电路(芯片) 8910整机 Leadcore Technology(联芯)
    集成电路(芯片) FT800Q-R FTDI Chip 系列:EVE FET类型:控制器 封装/外壳:48-VQFN(7x7)
    集成电路(芯片) FT245BL-REEL FTDI Chip 封装/外壳:32-LQFP
    集成电路(芯片) ISL6845IBZ INTERSIL 输出类型:晶体管驱动器 功能:升压,升压/降压 输出配置:正,可提供隔离 拓扑:反激,升压 输出阶段:1 Ohms 电压-电源(Vcc/Vdd):9 V ~ 16 V 频率-开关:最高 2MHz 占空比(最大):0.48 同步整流器:是 时钟同步:无 控制特性:限流,频率控制 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    集成电路(芯片) ISL6740IBZ INTERSIL 输出类型:晶体管驱动器 功能:升压/降压 输出配置:正,可提供隔离 拓扑:全桥,半桥,推挽 输出数:2 输出阶段:1 Ohms 电压-电源(Vcc/Vdd):9 V ~ 16 V 频率-开关:最高 1MHz 占空比(最大):0.83 时钟同步:是 控制特性:使能,频率控制,软启动 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC
    集成电路(芯片) LCMXO3LF-1300E-6MG121C Lattice(莱迪思) 系列:MachXO3 LAB/CLB数:160 逻辑元件/单元数:1280 总RAM位数:65536 I/O数:100 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:121-CSFBGA(6x6)
    集成电路(芯片) CAP1188-1-CP-TR Microchip FET类型:按钮 接近探测:是 LED驱动器通道:8 接口:I²C,SMBus,SPI 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 电流-电源:500µA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:24-QFN(4x4)
    集成电路(芯片) MTCH102-I/MS Microchip FET类型:按钮 接近探测:是 LED驱动器通道:最高 2 接口:开漏 电压-电源:2.05 V ~ 3.6 V 电流-电源:80mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP
    集成电路(芯片) CAP1203-1-AC3-TR Microchip 系列:RightTouch™ FET类型:按钮 接近探测:无 输入数:3 接口:I²C,SMBus 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 电流-电源:500µA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-TDFN(3x3)
    集成电路(芯片) CAP1298-1-A4-TR Microchip FET类型:按钮 接近探测:是 输入数:8 接口:I²C,SMBus 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 电流-电源:500µA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-QFN
    集成电路(芯片) CAP1208-1-A4-TR Microchip FET类型:按钮 接近探测:无 输入数:8 接口:I²C,SMBus 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 电流-电源:500µA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-QFN
    集成电路(芯片) CAP1206-1-SL-TR Microchip FET类型:按钮 接近探测:无 输入数:6 接口:I²C,SMBus 分辨率:8 b 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 电流-电源:750µA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SOIC
    集成电路(芯片) CAP1126-1-AP-TR Microchip FET类型:按钮 接近探测:是 输入数:6 LED驱动器通道:2 接口:I²C,SMBus,SPI 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 电流-电源:500µA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-TQFN(4x4)
    集成电路(芯片) CAP1206-1-AIA-TR Microchip FET类型:按钮 接近探测:无 输入数:6 接口:I²C,SMBus 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 电流-电源:500µA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:10-DFN(3x3)
    集成电路(芯片) AT42QT1010-MAHR Microchip 系列:QTouch™ FET类型:按钮 接近探测:是 输入数:1 Ohms 分辨率:14 b 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 电流-电源:378.5µA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-UDFN,USON
    集成电路(芯片) CAP1114-1-EZK-TR Microchip FET类型:按钮,滑块 接近探测:是 输入数:最高 14 LED驱动器通道:11 接口:SMBus 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 电流-电源:550µA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:32-QFN
    集成电路(芯片) MCP2036-I/MG Microchip FET类型:传感器接口 封装/外壳:16-QFN-EP(3x3)
    集成电路(芯片) F600整机 Leadcore Technology(联芯)
    集成电路(芯片) VND5T100AJTR-E ST(意法半导体) 系列:VIPower™ 输出数:2 比率-输入:输出:1:1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:8 V ~ 36 V 电压-电源(Vcc/Vdd):不需要 电流-输出(最大值):16A 导通电阻(典型值):100 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PowerSSO-12™
    集成电路(芯片) ISL22323WFV14Z INTERSIL 系列:XDCP™ 圆锥:线性 配置:电位计 电路数:2 抽头数:256 电阻:10K Ohms 接口:I²C 存储器类型:非易失 电压-电源:±2.25 V ~ 5.5 V 偏差:±20% 温度系数(典型值):±85 ppm/°C 电阻- 游标(欧姆)(典型值):70 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-TSSOP
    集成电路(芯片) NCP6334BMTAATBG ON(安森美) 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入(最小值):2.3V 电压-输出(最小值/固定):0.6V 电压-输出(最大值):5.5V 电流-输出:2A 频率-开关:3MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-WDFN(2x2)
    集成电路(芯片) VIPER06LN ST(意法半导体) 系列:VIPer™ plus 输出隔离:任意一种 内部开关:是 电压-击穿:800V 拓扑:降压,反激 电压-启动:13V 电压-电源(Vcc/Vdd):11.5 V ~ 23.5 V 占空比:70% 频率-开关:60kHz 功率:8W 故障保护:限流,开环,超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:7-DIP
    集成电路(芯片) XRP7724ILBTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 频率-开关:105kHz ~ 1.23MHz 电压/电流-输出3:控制器 电压-电源:4.75 V ~ 25 V 封装/外壳:44-TQFN-EP(7x7) 拓扑:降压(4),线性(LDO)(2) 功能:任何功能 输出数:6 频率 - 开关:105kHz ~ 1.23MHz 电压/电流 - 输出 1:控制器 电压/电流 - 输出 2:控制器 电压/电流 - 输出 3:控制器 带 LED 驱动器:无 带监控器:无 带定序器:是 电压 - 电源:4.75 V ~ 25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:44-WFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:44-TQFN-EP(7x7)
    集成电路(芯片) XRP7714ILB-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 系列:PowerXR 频率-开关:1.5MHz 电压/电流-输出3:控制器 电压-电源:4.75 V ~ 25 V 封装/外壳:40-TQFN(6x6) 拓扑:降压同步(4),线性(LDO)(1) 功能:任何功能 输出数:5 频率 - 开关:1.5MHz 电压/电流 - 输出 1:控制器 电压/电流 - 输出 2:控制器 电压/电流 - 输出 3:控制器 带 LED 驱动器:无 带监控器:无 带定序器:是 电压 - 电源:4.75 V ~ 25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:40-WFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:40-TQFN(6x6)
    集成电路(芯片) XRP7713ILB-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 系列:PowerXR 频率-开关:300kHz ~ 1.5MHz 电压/电流-输出3:0.9 V ~ 5.1 V,- 电压-电源:4.75 V ~ 25 V 封装/外壳:32-TQFN(5x5) 拓扑:降压(3),线性(LDO)(1) 功能:任何功能 输出数:4 频率 - 开关:300kHz ~ 1.5MHz 电压/电流 - 输出 1:0.9 V ~ 5.1 V,- 电压/电流 - 输出 2:0.9 V ~ 5.1 V,- 电压/电流 - 输出 3:0.9 V ~ 5.1 V,- 带 LED 驱动器:无 带监控器:无 带定序器:是 电压 - 电源:4.75 V ~ 25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:32-TQFN(5x5)
    集成电路(芯片) ICL7612DCPAZ INTERSIL 电路数:1 Ohms 压摆率:1.6 V/µs 增益带宽积:1.4MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:15mV 电流-电源:1mA 电流-输出/通道:40mA 电压-电源,单/双(±):2 V ~ 16 V,±1 V ~ 8 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-PDIP
    集成电路(芯片) XRP7675IDBTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最小值):4.5V 电压-输入(最大值):18V 电压-输出(最小值/固定):0.925V 电压-输出(最大值):16V 电流-输出:3A 频率-开关:340kHz 封装/外壳:8-SOIC-EP 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入(最小值):4.5V 电压 - 输入(最大值):18V 电压 - 输出(最小值/固定):0.925V 电压 - 输出(最大值):16V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:340kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP
    集成电路(芯片) XRP7674IDTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最小值):4.5V 电压-输入(最大值):18V 电压-输出(最小值/固定):0.925V 电压-输出(最大值):16V 电流-输出:2A 频率-开关:340kHz 封装/外壳:8-SOIC 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入(最小值):4.5V 电压 - 输入(最大值):18V 电压 - 输出(最小值/固定):0.925V 电压 - 输出(最大值):16V 电流 - 输出:2A 频率 - 开关:340kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC
    集成电路(芯片) XRP7665IDBTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最小值):4.5V 电压-输入(最大值):18V 电压-输出(最小值/固定):0.925V 电压-输出(最大值):16V 电流-输出:3A 频率-开关:340kHz 封装/外壳:8-SOIC-EP 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入(最小值):4.5V 电压 - 输入(最大值):18V 电压 - 输出(最小值/固定):0.925V 电压 - 输出(最大值):16V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:340kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC-EP
    集成电路(芯片) XRP7664IDTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最小值):4.5V 电压-输入(最大值):18V 电压-输出(最小值/固定):0.925V 电压-输出(最大值):16V 电流-输出:2A 频率-开关:340kHz 封装/外壳:8-SOIC 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入(最小值):4.5V 电压 - 输入(最大值):18V 电压 - 输出(最小值/固定):0.925V 电压 - 输出(最大值):16V 电流 - 输出:2A 频率 - 开关:340kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC
    集成电路(芯片) XRP7659ISTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最小值):4.5V 电压-输入(最大值):18V 电压-输出(最小值/固定):0.81V 电压-输出(最大值):15V 电流-输出:1.5A 频率-开关:1.4MHz 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入(最小值):4.5V 电压 - 输入(最大值):18V 电压 - 输出(最小值/固定):0.81V 电压 - 输出(最大值):15V 电流 - 输出:1.5A 频率 - 开关:1.4MHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23-6
    集成电路(芯片) XRP6670EHTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最小值):2.6V 电压-输入(最大值):5.5V 电压-输出(最小值/固定):0.8V 电压-输出(最大值):5V 电流-输出:3A 频率-开关:300kHz ~ 2.5MHz 封装/外壳:10-DFN(3x3) 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入(最小值):2.6V 电压 - 输入(最大值):5.5V 电压 - 输出(最小值/固定):0.8V 电压 - 输出(最大值):5V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:300kHz ~ 2.5MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3)
    集成电路(芯片) XRP6668IDBTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最小值):2.5V 电压-输入(最大值):5.5V 电压-输出(最小值/固定):0.6V 电压-输出(最大值):5V 电流-输出:1A 频率-开关:1.5MHz 封装/外壳:8-SOIC-EP 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:2 电压 - 输入(最小值):2.5V 电压 - 输入(最大值):5.5V 电压 - 输出(最小值/固定):0.6V 电压 - 输出(最大值):5V 电流 - 输出:1A 频率 - 开关:1.5MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP
    集成电路(芯片) XRP6658ISTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最小值):2.5V 电压-输入(最大值):5.5V 电压-输出(最小值/固定):0.6V 电压-输出(最大值):5V 电流-输出:1A 频率-开关:1.5MHz 封装/外壳:SOT-23-5 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入(最小值):2.5V 电压 - 输入(最大值):5.5V 电压 - 输出(最小值/固定):0.6V 电压 - 输出(最大值):5V 电流 - 输出:1A 频率 - 开关:1.5MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 封装/外壳:SOT-23-5
    集成电路(芯片) XRP6272ITC5TR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最大值):6V 电压-输出(最小值/固定):0.7V (5V) 电压-输出(最大值):5.4V 电流-输出:2A 电流-电源:50µA 封装/外壳:TO-252-5 输出配置:正 输出类型:可调(固定) 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入(最大值):6V 电压 - 输出(最小值/固定):0.7V (5V) 电压 - 输出(最大值):5.4V 压降(最大值):0.6V @ 2A 电流 - 输出:2A 电流 - 静态(Iq):50µA PSRR:70dB(1kHz) 控制特性:使能,电源良好 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:TO-252-6,DPak(5 引线 + 接片) 封装/外壳:TO-252-5
    集成电路(芯片) XRP6657IHBTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最小值):2.5V 电压-输出(最小值/固定):0.6V 电压-输出(最大值):5.5V 电流-输出:1.5A 频率-开关:1.3MHz 封装/外壳:6-DFN 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入(最小值):2.5V 电压 - 输入(最大值):5.5V 电压 - 输出(最小值/固定):0.6V 电压 - 输出(最大值):5.5V 电流 - 输出:1.5A 频率 - 开关:1.3MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 封装/外壳:6-DFN(3x3)
    集成电路(芯片) XRP6275EHMTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最大值):2.625V 电压-输出(最小值/固定):0.6V 电压-输出(最大值):2.4V 电流-输出:3A 电流-电源:6mA 输出配置:正 输出类型:可调式 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入(最大值):2.625V 电压 - 输出(最小值/固定):0.6V 电压 - 输出(最大值):2.4V 电流 - 输出:3A 电流 - 静态(Iq):6mA 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
    集成电路(芯片) XRP6124HVES0.5-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-电源(Vcc/Vdd):4.5 V ~ 30 V 频率-开关:100kHz ~ 1MHz 封装/外壳:SOT-23-5 输出类型:晶体管驱动器 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出数:1 Ohms 输出阶段:1 Ohms 电压 - 电源(Vcc/Vdd):4.5 V ~ 30 V 频率 - 开关:100kHz ~ 1MHz 同步整流器:无 时钟同步:无 控制特性:使能 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 封装/外壳:SOT-23-5
    集成电路(芯片) XRP6124ESTR0.5-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-电源(Vcc/Vdd):3 V ~ 18 V 频率-开关:200kHz ~ 833kHz 封装/外壳:SOT-23-5 输出类型:晶体管驱动器 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出数:1 Ohms 输出阶段:1 Ohms 电压 - 电源(Vcc/Vdd):3 V ~ 18 V 频率 - 开关:200kHz ~ 833kHz 同步整流器:无 时钟同步:无 控制特性:使能 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 封装/外壳:SOT-23-5
    集成电路(芯片) XRP6272IDBTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入(最大值):6V 电压-输出(最小值/固定):0.7V (5V) 电压-输出(最大值):5.4V 电流-输出:2A 电流-电源:50µA 封装/外壳:8-HSOICN 输出配置:正 输出类型:可调(固定) 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入(最大值):6V 电压 - 输出(最小值/固定):0.7V (5V) 电压 - 输出(最大值):5.4V 压降(最大值):0.6V @ 2A 电流 - 输出:2A 电流 - 静态(Iq):50µA PSRR:70dB(1kHz) 控制特性:使能,电源良好 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-HSOICN
    集成电路(芯片) XRP6124HVESTR0.5-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-电源(Vcc/Vdd):4.5 V ~ 30 V 频率-开关:100kHz ~ 1MHz 封装/外壳:SOT-23-5 输出类型:晶体管驱动器 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出数:1 Ohms 输出阶段:1 Ohms 电压 - 电源(Vcc/Vdd):4.5 V ~ 30 V 频率 - 开关:100kHz ~ 1MHz 同步整流器:无 时钟同步:无 控制特性:使能 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 封装/外壳:SOT-23-5
    集成电路(芯片) XRP2997IDBTR-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电压-输入:1.1 V ~ 5.5 V 电压-输出:可调 封装/外壳:8-SOIC-EP 电压 - 输入:1.1 V ~ 5.5 V 输出数:1 Ohms 电压 - 输出:可调 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP
    集成电路(芯片) XRP29302AETBTR-L Exar-MaxLinear(艾科嘉) 电流-输出:3A 封装/外壳:TO-263-6 稳压器数:1 Ohms 电流 - 输出:3A 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA 封装/外壳:TO-263-5
    集成电路(芯片) XRP2528IHBTR-1-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 比率-输入:输出:1:2 电压-负载:1.8 V ~ 5.5 V 电压-电源(Vcc/Vdd):不需要 电流-输出(最大值):1A 封装/外壳:10-TDFN 开关类型:USB 开关 输出数:2 比率 - 输入:输出:1:2 输出配置:高端 接口:开/关 电压 - 负载:1.8 V ~ 5.5 V 电压 - 电源(Vcc/Vdd):不需要 电流 - 输出(最大值):1A 导通电阻(典型值):80 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:10-WFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-TDFN(3x3)
    集成电路(芯片) XRP2527IHBTR-1-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 比率-输入:输出:1:1 电压-负载:1.8 V ~ 5.5 V 电压-电源(Vcc/Vdd):不需要 电流-输出(最大值):1A 封装/外壳:8-TDFN(3x3) 开关类型:USB 开关 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1:1 输出配置:高端 接口:开/关 电压 - 负载:1.8 V ~ 5.5 V 电压 - 电源(Vcc/Vdd):不需要 电流 - 输出(最大值):1A 导通电阻(典型值):80 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-TDFN(3x3)
    集成电路(芯片) XRP2525IDTR-1-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 比率-输入:输出:1:1 电压-负载:1.8 V ~ 5.5 V 电压-电源(Vcc/Vdd):不需要 电流-输出(最大值):900mA 封装/外壳:8-SOIC 开关类型:USB 开关 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1:1 输出配置:高端 接口:开/关 电压 - 负载:1.8 V ~ 5.5 V 电压 - 电源(Vcc/Vdd):不需要 电流 - 输出(最大值):900mA 导通电阻(典型值):80 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC
    集成电路(芯片) XRP2526IDTR-2-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 比率-输入:输出:1:2 电压-负载:1.8 V ~ 5.5 V 电压-电源(Vcc/Vdd):不需要 电流-输出(最大值):900mA 封装/外壳:8-SOIC 开关类型:USB 开关 输出数:2 比率 - 输入:输出:1:2 输出配置:高端 接口:开/关 电压 - 负载:1.8 V ~ 5.5 V 电压 - 电源(Vcc/Vdd):不需要 电流 - 输出(最大值):900mA 导通电阻(典型值):80 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC
    集成电路(芯片) XRP2526IDTR-1-F Exar-MaxLinear(艾科嘉) 比率-输入:输出:1:2 电压-负载:1.8 V ~ 5.5 V 电压-电源(Vcc/Vdd):不需要 电流-输出(最大值):900mA 封装/外壳:8-SOIC 开关类型:USB 开关 输出数:2 比率 - 输入:输出:1:2 输出配置:高端 接口:开/关 电压 - 负载:1.8 V ~ 5.5 V 电压 - 电源(Vcc/Vdd):不需要 电流 - 输出(最大值):900mA 导通电阻(典型值):80 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC

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