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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 集成电路(芯片) | STM32F417VET6 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F4 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:168MHz 连接性:CAN,DCMI,EBI/EMI,以太网,I²C,IrDA,LIN,SPI,ART/USART,USB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT I/O数:82 程序存储容量:512KB(512K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:192K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | MAX9945AUA+ | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:2.2 V/µs 增益带宽积:3MHz 电流-输入偏置:0.05pA 电压-输入失调:600µV 电流-电源:400µA 电流-输出/通道:25mA 电压-电源，单/双（±）:4.75 V ~ 38 V,±2.4 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX9943AUA+ | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.35 V/µs 增益带宽积:2.4MHz 电流-输入偏置:4nA 电压-输入失调:20µV 电流-电源:550µA 电流-输出/通道:20mA 电压-电源，单/双（±）:6 V ~ 38 V,±3 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX9939AUB+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:可编程增益 电路数:2 输出类型:差分 压摆率:9 V/µs 增益带宽积:2.15MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:1.5mV 电流-电源:3.4mA 电流-输出/通道:70mA 电压-电源，单/双（±）:2.9 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:10-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX9929FAUA+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:电流检测 电路数:1 Ohms -3db带宽:150kHz 电流-输入偏置:1.6µA 电压-输入失调:6mV 电流-电源:20µA 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX9928FAUA+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:电流检测 电路数:1 Ohms -3db带宽:150kHz 电流-输入偏置:1.6µA 电压-输入失调:600µV 电流-电源:20µA 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX9920ASA+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:电流检测 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:1.5 V/µs -3db带宽:230kHz 电流-输入偏置:175µA 电压-输入失调:480µV 电流-电源:1mA 电流-输出/通道:44mA 电压-电源，单/双（±）:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX9919NASA+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:电流检测 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:3 V/µs -3db带宽:120kHz 电流-输入偏置:175µA 电压-输入失调:400µV 电流-电源:1mA 电压-电源，单/双（±）:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 集成电路(芯片) | MAX9919FASA+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:电流检测 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.9 V/µs -3db带宽:250kHz 电流-输入偏置:175µA 电压-输入失调:400µV 电流-电源:1mA 电压-电源，单/双（±）:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 集成电路(芯片) | MAX9918ASA+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:电流检测 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.6 V/µs -3db带宽:75kHz 电流-输入偏置:175µA 电压-输入失调:400µV 电流-电源:1mA 电压-电源，单/双（±）:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 集成电路(芯片) | MAX9914EXK+T | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.5 V/µs 增益带宽积:1MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:200µV 电流-电源:20µA 电流-输出/通道:15mA 电压-电源，单/双（±）:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SC-70-5 共模抑制比（最小值）:70 dB 关闭:No 电压增益 dB:120 dB 电源电流:20 uA 转换速度:0.5 V/us 输入偏流（最大值）:10 pA 输入补偿电压:1 mV 输出电流:15 mA 通道数量:1 Ohms 封装/外壳:SC-70 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C |
| 集成电路(芯片) | MAX990EUA+ | MAXIM(美信) | 元件数:2 输出类型:CMOS,开漏极,轨至轨,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V,±1.25 V ~ 2.75 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 5.5V 电流-输入偏置（最大值）:1pA @ 5.5V 电流-静态（最大值）:24µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:450ns 滞后:±3mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-uMAX 比较器类型:低功耗 封装/外壳:μMAX 电源类型:单 输出类型:漏极开路 每片芯片通道数目:2 引脚数目:8 典型单电源电压:2.5 → 5.5 V 封装/外壳:3.1 x 3.1 x 0.95mm 长度:3.1mm 高度:0.95mm 典型CMRR:80dB 最高工作温度:+85 °C 最低工作温度:-40 °C |
| 集成电路(芯片) | MAX990ESA+ | MAXIM(美信) | 元件数:2 输出类型:CMOS,开漏极,轨至轨,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V,±1.25 V ~ 2.75 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 5.5V 电流-输入偏置（最大值）:1pA @ 5.5V 电流-静态（最大值）:24µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:450ns 滞后:±3mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX9850ETI+ | MAXIM(美信) | 系列:DirectDrive® FET类型:AB 类 输出类型:耳机,2-通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:95mW x 2 @ 16 欧姆 电压-电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-WFQFN 裸露焊盘 |
| 集成电路(芯片) | STM32F417IET6 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F4 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:168MHz 连接性:CAN,DCMI,EBI/EMI,以太网,I²C,IrDA,LIN,SPI,ART/USART,USB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT I/O数:140 程序存储容量:512KB(512K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:192K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 24x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:176-LQFP |
| 集成电路(芯片) | LV8804FV-TRM-H | ON(安森美) | 电机类型-AC，DC:无刷 DC(BLDC) 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(3) 接口:开/关 电流-输出:1.2A 电压-负载:6 V ~ 15 V 工作温度:-30°C ~ 95°C(TA) 封装/外壳:20-SSOPJ |
| 集成电路(芯片) | LV8772-E | ON(安森美) | 电机类型-步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 步进分辨率:1,1/2,1/4,1/16 电流-输出:2.5A 电压-电源:0 V ~ 5.5 V 电压-负载:9 V ~ 32 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-HDIP |
| 集成电路(芯片) | LV8771VH-TLM-H | ON(安森美) | 电机类型-步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 步进分辨率:1,1/2,1/4 电流-输出:1.5A 电压-电源:0 V ~ 5.5 V 电压-负载:9 V ~ 32 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-HSOP |
| 集成电路(芯片) | LV8762T-TLM-H | ON(安森美) | 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:并联 电流-输出:1A 电压-电源:0 V ~ 5.5 V 电压-负载:9 V ~ 32 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | LV8761V-TLM-E | ON(安森美) | 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:并联 电流-输出:3A 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 电压-负载:9 V ~ 35 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:36-SSOPJ |
| 集成电路(芯片) | LV8746V-TLM-E | ON(安森美) | 电机类型-步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 步进分辨率:1,1/2,1/4 电流-输出:1A 电压-电源:0 V ~ 5.5 V 电压-负载:9 V ~ 35 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-SSOP |
| 集成电路(芯片) | LV8731V-TLM-H | ON(安森美) | 电机类型-步进:双极性 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 步进分辨率:1,1/2,1/4,1/16 电流-输出:2A 电压-电源:0 V ~ 5.5 V 电压-负载:9 V ~ 32 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-SSOP |
| 集成电路(芯片) | LV8712T-TLM-H | ON(安森美) | 电机类型-步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 电流-输出:800mA 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 电压-负载:4 V ~ 16 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | LV8413GP-H | ON(安森美) | 电机类型-步进:双极性 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 电流-输出:400mA 电压-负载:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-VCT(2.6x2.6) |
| 集成电路(芯片) | LV8402GP-TE-L-H | ON(安森美) | 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 电流-输出:1.4A 电压-电源:2.8 V ~ 5.5 V 电压-负载:1.5 V ~ 15 V 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-VCT(3.5x3.5) |
| 集成电路(芯片) | LV8402GP-H | ON(安森美) | 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 电流-输出:1.4A 电压-电源:2.8 V ~ 5.5 V 电压-负载:1.5 V ~ 15 V 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-VCT(3.5x3.5) |
| 集成电路(芯片) | LV8400V-TLM-E | ON(安森美) | 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:并联 电流-输出:1.2A 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 电压-负载:4 V ~ 15 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SSOP |
| 集成电路(芯片) | LV8075LP-TE-L-E | ON(安森美) | 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:并联 电流-输出:500mA 电压-负载:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-VCT(2.6x2.6) |
| 集成电路(芯片) | LV8044LP-TLM-E | ON(安森美) | 电机类型-步进:双极性 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(12) 接口:串行 电流-输出:400mA 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:40-VQLP(5x5) |
| 集成电路(芯片) | LV11961HA-AH | ON(安森美) | 输出配置:半桥(2) 接口:逻辑 负载类型:电感 电流-输出/通道:1A 电压-负载:3.6 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 故障保护:超温,过压,UVLO 封装/外壳:14-HSSOP |
| 集成电路(芯片) | M24C32-WMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 集成电路(芯片) | M24C32-RMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 集成电路(芯片) | M24C16-RDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24C08-WMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24C08-WBN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-PDIP |
| 集成电路(芯片) | M24C04-WMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24C02-WMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24C02-WDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24C02-RMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 集成电路(芯片) | M24C01-WMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb (128 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24C01-WBN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb (128 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-PDIP |
| 集成电路(芯片) | M24C01-RDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb (128 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24512-WMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 集成电路(芯片) | M24512-RMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 集成电路(芯片) | M24512-DFMC6TG | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFPN(2x3) 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24256-BWMN6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24256-BWMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24256-BFDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24128-BWMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | M24128-BWDW6TP | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:450ns 存储器接口:I²C 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 |
| 集成电路(芯片) | ST1L08SPUR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:可调式 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:5.5V 电压-输出（最小值/固定）:0.5V 电压-输出（最大值）:4V 压降（最大值）:0.09V @ 800mA 电流-输出:800mA PSRR:80dB ~ 50dB(100Hz ~ 1MHz) 控制特性:使能,电源良好 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-DFN(2x3) 电流-电源:10µA 稳压器拓扑:正,可调式 电压 - 输出:0.5 V ~ 4 V 电压 - 跌落（典型值）:0.7V @ 800mA 电压 - 输入:1 V ~ 5.5 V |
| 集成电路(芯片) | AS1326A-BTDR | AMS | 输出配置:正 拓扑:升压 输出类型:可调(固定) 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:0.7V 电压-输出（最小值/固定）:2.5V(3.3V) 电压-输出（最大值）:5V 电流-输出:1.25A(开关) 频率-开关:1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-TDFN |
| 集成电路(芯片) | SIC780CD-T1-GE3 | Vishay(威世) | 输出配置:半桥 接口:PWM 负载类型:电感 电流-输出/通道:50A 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 电压-负载:4.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 故障保护:超温,击穿,UVLO 封装/外壳:PowerPAK® MLP66-40 |
| 集成电路(芯片) | SIC779CD-T1-GE3 | Vishay(威世) | 输出配置:半桥 接口:PWM 负载类型:电感 电流-输出/通道:40A 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 电压-负载:3 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 故障保护:超温,击穿,UVLO 封装/外壳:PowerPAK® MLP66-40 |
| 集成电路(芯片) | SIC401BCD-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:microBUCK® 拓扑:降压同步(1),线性(LDO)(1) 功能:任何功能 输出数:2 频率-开关:200kHz ~ 1MHz 电压/电流-输出1:0.6 V ~ 5.5 V,15A 电压/电流-输出2:可调至 0.75V,200mA 带定序器:无 电压-电源:3 V ~ 17 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:PowerPAK® MLP55-32 |
| 集成电路(芯片) | SIP32461DB-T2-GE1 | Vishay(威世) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:1.2 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.2A 导通电阻（典型值）:50 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:反向电流 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:4-WCSP(0.79x0.79) |
| 集成电路(芯片) | SIP32431DNP3-T1GE4 | Vishay(威世) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压-负载:1.5 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.4A 导通电阻（典型值）:105 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:反向电流 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-TDFN(1.2x1.6) |
| 集成电路(芯片) | LDK120PU30R | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:5.5V 电压-输出（最小值/固定）:3V 电流-输出:200mA 电流-电源:60µA ~ 100µA PSRR:55dB(120Hz ~ 10kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:6-DFN(1.2x1.3) 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输入:最高 5.5V |
| 集成电路(芯片) | MCP8025-115E/MP | Microchip | 系列:汽车级,AEC-Q100 电机类型-AC，DC:无刷 DC(BLDC) 功能:控制器 - 换向,方向管理 输出配置:前置驱动器 - 半桥(3) 接口:PWM 电压-电源:6 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TA) 封装/外壳:40-QFN(5x5) |
| 集成电路(芯片) | STC3115AIQT | ST(意法半导体) | 系列:OptimGauge™ 功能:电池监控器 接口:I²C 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-DFN(3x2) |
| 集成电路(芯片) | STC3115IQT | ST(意法半导体) | 系列:OptimGauge™ 功能:电池监控器 接口:I²C 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-DFN(3x2) |
| 集成电路(芯片) | MCP8025-115E/PT | Microchip | 系列:汽车级,AEC-Q100 电机类型-AC，DC:无刷 DC(BLDC) 功能:控制器 - 换向,方向管理 输出配置:前置驱动器 - 半桥(3) 接口:PWM 电压-电源:6 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TA) 封装/外壳:48-TQFP-EP(7x7) |
| 集成电路(芯片) | AS431BZTR-E1 | Diodes(达尔（美台）) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.5V 电压-输出（最大值）:36V Current-Output:100mA 偏差:±1% 温度系数:20ppm/℃ Current-Cathode:1mA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 集成电路(芯片) | MAX9814ETD+T | MAXIM(美信) | FET类型:AB 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-WFDFN 裸露焊盘 |
| 集成电路(芯片) | MAX976ESA+ | MAXIM(美信) | 元件数:2 输出类型:CMOS,满摆幅,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.075µA @ 5.5V 电流-静态（最大值）:650µA CMRR，PSRR（典型值）:95dB CMRR,100dB PSRR 传播延迟（最大值）:28ns 滞后:4mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX9768ETG+ | MAXIM(美信) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:10W x 1 @ 8 欧姆 电压-电源:4.5 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘 |
| 集成电路(芯片) | MAX9768BETG+ | MAXIM(美信) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:10W x 1 @ 8 欧姆 电压-电源:4.5 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘 |
| 集成电路(芯片) | MAX975ESA+ | MAXIM(美信) | 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,满摆幅,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.25 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.1µA @ 5.25V 电流-静态（最大值）:500µA CMRR，PSRR（典型值）:90dB CMRR,90dB PSRR 传播延迟（最大值）:820ns 滞后:4mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX9759ETE+ | MAXIM(美信) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:4.3W x 1 @ 3 欧姆 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-WQFN 裸露焊盘 |
| 集成电路(芯片) | MAX9722BEUE+ | MAXIM(美信) | 系列:DirectDrive® FET类型:AB 类 输出类型:耳机,2-通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:130mW x 2 @ 32 欧姆 电压-电源:2.4 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 集成电路(芯片) | MAX9718AEUB+ | MAXIM(美信) | FET类型:AB 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:1.4W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 |
| 集成电路(芯片) | MAX9714ETJ+ | MAXIM(美信) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:8W x 2 @ 16 欧姆 电压-电源:10 V ~ 25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-WQFN 裸露焊盘 |
| 集成电路(芯片) | MAX9713ETJ+ | MAXIM(美信) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:8W x 1 @ 16 欧姆 电压-电源:10 V ~ 25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 集成电路(芯片) | MAX9709ETN+D | MAXIM(美信) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道)或 2-通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:50W x 1 @ 4 欧姆;29W x 2 @ 8 欧姆 电压-电源:10 V ~ 22 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:56-WFQFN 裸露焊盘 |
| 集成电路(芯片) | MAX9704ETJ+ | MAXIM(美信) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:16W x 2 @ 16 欧姆 电压-电源:10 V ~ 25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-WQFN 裸露焊盘 最高工作温度:+ 85 C 标准包装数量:43 电源电流:24 mA 系列:MAX9704 输出功率:10 W 音频负载电阻:8 0hms 共模抑制比 - 最小值:60 dB 封装/外壳:Tube 总谐波失真加噪音:0.07 % 最低工作温度:- 40 C |
| 集成电路(芯片) | MAX9703ETJ+ | MAXIM(美信) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:18W x 1 @ 16 欧姆 电压-电源:10 V ~ 25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 集成电路(芯片) | MAX9700AEUB+ | MAXIM(美信) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:1.6W x 1 @ 6 欧姆 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
| 集成电路(芯片) | MAX9691ESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带锁销 元件数:1 Ohms 输出类型:补充型,ECL 电压-输入失调（最大值）:6.5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:20µA @ 5V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:26mA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,60dB PSRR 传播延迟（最大值）:1.8ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX964EEE+ | MAXIM(美信) | 系列:Beyond-the-Rails™ 元件数:4 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:1.5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:15µA @ 5V 电流-静态（最大值）:9mA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,86.02dB PSRR 传播延迟（最大值）:7ns 滞后:3.5mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX9636AXT+T | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.9 V/µs 增益带宽积:1.5MHz 电流-输入偏置:0.1pA 电压-输入失调:300µV 电流-电源:36µA 电流-输出/通道:55mA 电压-电源，单/双（±）:2.1 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 通道数量:1 Ohms 输出电流:40 mA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 电源电流:36 uA 共模抑制比（最小值）:68 dB 输入补偿电压:3.5 mV 输入偏流（最大值）:800 pA 工作电源电压:2.1 V to 5.5 V 封装/外壳:SC-70-6 转换速度:0.9 V/us 关闭:Yes |
| 集成电路(芯片) | MAX962EUA+ | MAXIM(美信) | 系列:Beyond-the-Rails™ 元件数:2 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:1.5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:15µA @ 5V 电流-静态（最大值）:9mA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,86.02dB PSRR 传播延迟（最大值）:7ns 滞后:3.5mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX962ESA+ | MAXIM(美信) | 系列:Beyond-the-Rails™ 元件数:2 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:1.5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:15µA @ 5V 电流-静态（最大值）:9mA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,86.02dB PSRR 传播延迟（最大值）:7ns 滞后:3.5mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX961EUA+ | MAXIM(美信) | 系列:Beyond-the-Rails™ 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,补充型,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:1.5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:15µA @ 5V 电流-静态（最大值）:11mA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,86.02dB PSRR 传播延迟（最大值）:7ns 滞后:3.5mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-uMAX 传播延迟时间:4.5 ns 输出类型:Complementary 通道数量:1 Channel 封装/外壳:Tube 封装/外壳:uMax-8 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.7 V 电源电流（最大值）:11 mA |
| 集成电路(芯片) | MAX961ESA+ | MAXIM(美信) | 系列:Beyond-the-Rails™ 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,补充型,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:1.5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:15µA @ 5V 电流-静态（最大值）:11mA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,86.02dB PSRR 传播延迟（最大值）:7ns 滞后:3.5mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:SOIC 电源类型:单 输出类型:补码 每片芯片通道数目:1 Ohms 引脚数目:8 典型单电源电压:3 V 5 V 封装/外壳:5 x 4 x 1.5mm 长度:5mm 宽度:4mm 高度:1.50mm 典型CMRR:80dB 最高工作温度:+85°C 典型PSRR:86.02dB 最低工作温度:-40°C |
| 集成电路(芯片) | MAX9615AXA+T | MAXIM(美信) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:1.3 V/µs 增益带宽积:2.8MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:23µV 电流-电源:220µA 电流-输出/通道:275mA 电压-电源，单/双（±）:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SC-70-8 |
| 集成电路(芯片) | MAX9601EUP+ | MAXIM(美信) | FET类型:带锁销 元件数:2 输出类型:补充型,差分,PECL 电压-输入失调（最大值）:5mV @ -5.2V,5V 电流-输入偏置（最大值）:6µA @ -5.2V,5V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:27mA CMRR，PSRR（典型值）:70dB CMRR,65dB PSRR 传播延迟（最大值）:0.5ns 滞后:30mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX954ESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:放大器,比较器 封装/外壳:8-SOIC 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）:0.1 mV/V 可用增益调整:10 V/V 输入补偿电压:14 mV 工作电源电压:7 V 电源电流:5 uA 功率:1/3W 封装/外壳:Tube |
| 集成电路(芯片) | MAX951ESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:放大器,比较器,参考 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX944ESD+ | MAXIM(美信) | 元件数:4 输出类型:CMOS,推挽式,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 5.5V 电流-输入偏置（最大值）:0.15µA @ 5.5V 电流-静态（最大值）:600µA CMRR，PSRR（典型值）:81.94dB CMRR,81.94dB PSRR 传播延迟（最大值）:80ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC 比较器类型:低功耗 封装/外壳:SOIC 电源类型:单 输出类型:推挽式 每片芯片通道数目:4 引脚数目:14 典型单电源电压:2.7 → 5.5 V 封装/外壳:8.75 x 4 x 1.5mm 长度:8.75mm 宽度:4mm 高度:1.50mm 典型CMRR:80µV/V 最高工作温度:+85 °C 最低工作温度:-40 °C |
| 集成电路(芯片) | MAX942EUA+ | MAXIM(美信) | 元件数:2 输出类型:CMOS,推挽式,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:3mV @ 5.5V 电流-输入偏置（最大值）:0.15µA @ 5.5V 电流-静态（最大值）:600µA CMRR，PSRR（典型值）:81.94dB CMRR,81.94dB PSRR 传播延迟（最大值）:80ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX942ESA+ | MAXIM(美信) | 元件数:2 输出类型:CMOS,推挽式,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 5.5V 电流-输入偏置（最大值）:0.15µA @ 5.5V 电流-静态（最大值）:600µA CMRR，PSRR（典型值）:81.94dB CMRR,81.94dB PSRR 传播延迟（最大值）:80ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:SOIC 电源类型:单 输出类型:推挽式 每片芯片通道数目:2 引脚数目:8 典型单电源电压:2.7 → 5.5 V 封装/外壳:5 x 4 x 1.5mm 长度:5mm 宽度:4mm 高度:1.50mm 典型CMRR:80µV/V 最高工作温度:+85°C 最低工作温度:-40°C |
| 集成电路(芯片) | MAX942EPA+ | MAXIM(美信) | 元件数:2 输出类型:CMOS,推挽式,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 5.5V 电流-输入偏置（最大值）:0.15µA @ 5.5V 电流-静态（最大值）:600µA CMRR，PSRR（典型值）:81.94dB CMRR,81.94dB PSRR 传播延迟（最大值）:80ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-PDIP 比较器类型:高速 封装/外壳:PDIP 电源类型:单 输出类型:CMOS、TTL 每片芯片通道数目:2 引脚数目:8 典型单电源电压:2.7 → 5.5 V 封装/外壳:9.91 x 7.87 x 4.45mm 长度:9.91mm 宽度:7.87mm 高度:4.45mm 典型CMRR:80µV/V 最高工作温度:+85 °C 最低工作温度:-40 °C |
| 集成电路(芯片) | MAX942CSA+ | MAXIM(美信) | 元件数:2 输出类型:CMOS,推挽式,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 5.5V 电流-输入偏置（最大值）:0.15µA @ 5.5V 电流-静态（最大值）:600µA CMRR，PSRR（典型值）:81.94dB CMRR,81.94dB PSRR 传播延迟（最大值）:80ns 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:SOIC 电源类型:单 每片芯片通道数目:2 引脚数目:8 典型单电源电压:3 V 5 V 封装/外壳:5 x 4 x 1.5mm 长度:5mm 宽度:4mm 高度:1.50mm 典型CMRR:81.94dB 最高工作温度:+70 °C 最低工作温度:0 °C |
| 集成电路(芯片) | MAX942CPA+ | MAXIM(美信) | 元件数:2 输出类型:CMOS,推挽式,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 5.5V 电流-输入偏置（最大值）:0.15µA @ 5.5V 电流-静态（最大值）:600µA CMRR，PSRR（典型值）:81.94dB CMRR,81.94dB PSRR 传播延迟（最大值）:80ns 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-PDIP 封装/外壳:PDIP 电源类型:单 每片芯片通道数目:2 引脚数目:8 典型单电源电压:3 V 5 V 封装/外壳:9.91 x 7.87 x 4.45mm 长度:9.91mm 宽度:7.87mm 高度:4.45mm 典型CMRR:81.94dB 最高工作温度:+70 °C 最低工作温度:0 °C |
| 集成电路(芯片) | MAX941ESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带锁存器,关机 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,推挽式,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 5.5V 电流-输入偏置（最大值）:0.15µA @ 5.5V 电流-静态（最大值）:700µA CMRR，PSRR（典型值）:81.94dB CMRR,81.94dB PSRR 传播延迟（最大值）:80ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX941CPA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带锁存器,关机 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,推挽式,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:2mV @ 5.5V 电流-输入偏置（最大值）:0.15µA @ 5.5V 电流-静态（最大值）:700µA CMRR，PSRR（典型值）:81.94dB CMRR,81.94dB PSRR 传播延迟（最大值）:80ns 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-PDIP |
| 集成电路(芯片) | MAX934ESE+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:4 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:8.5µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:12µs 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX933ESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:2 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:6µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:12µs 滞后:50mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:SOIC 电源类型:双,单 输出类型:CMOS、TTL 每片芯片通道数目:2 典型响应时间:12µs 引脚数目:8 典型单电源电压:2.5 → 11 V 封装/外壳:5 x 4 x 1.5mm 长度:5mm 宽度:4mm 高度:1.50mm 典型CMRR:0.2mV/V 典型PSRR:0.1mV/V 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+85°C 典型双电源电压:±1.25 → ±5.5V |
| 集成电路(芯片) | MAX932ESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:2 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:6µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:12µs 滞后:50mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX932CPA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:2 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:6µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:12µs 滞后:50mV 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-PDIP 比较器类型:低功耗 封装/外壳:PDIP 电源类型:双,单 每片芯片通道数目:2 典型响应时间:12µs 引脚数目:8 典型单电源电压:3 → 9 V 封装/外壳:9.91 x 7.87 x 4.45mm 长度:9.91mm 宽度:7.87mm 高度:4.45mm 典型CMRR:80dB 最低工作温度:0 °C 最高工作温度:+70 °C 典型双电源电压:±3 V, ±5 V |