IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 集成电路(芯片) | MP62551DJ-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:2.5 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.5A 导通电阻（典型值）:100 毫欧 故障保护:限流(可调),超温,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TSOT-23-6 |
| 集成电路(芯片) | MP6205DD-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 导通电阻（典型值）:90 毫欧 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-QFN(2x3) |
| 集成电路(芯片) | MAX869LEEE+T | MAXIM(美信) | 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:2A 导通电阻（典型值）:38 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-QSOP 最高输入电压:5.5 V 系列:MAX869L 输入电压 最小:2.7 V 最大功率消耗:667 mW 最低工作温度:- 40 C 标准包装数量:2500 输出数:1 Ohms 启动电阻 - 最大值:90 m0hms 启动时间 - 最大值:30 us 关闭时间 - 最大值:300 us 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 最高工作温度:+ 85 C |
| 集成电路(芯片) | MAX4831ELT+T | MAXIM(美信) | 功能:限流 电压-输入:2.3 V ~ 5.5 V 电流-输出:50mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-uDFN |
| 集成电路(芯片) | MAX4814EECB+ | MAXIM(美信) | FET类型:视频开关 封装/外壳:64-TQFP |
| 集成电路(芯片) | MP6211DH-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1A 导通电阻（典型值）:90 毫欧 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP-EP |
| 集成电路(芯片) | MP62550DJ-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:2.5 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.5A 导通电阻（典型值）:100 毫欧 故障保护:限流(可调),超温,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TSOT-23-6 |
| 集成电路(芯片) | MAX895LESA+ | MAXIM(美信) | 输出数:2 比率-输入:输出:1：2 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:250mA 导通电阻（典型值）:250 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MP62055EJ-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 导通电阻（典型值）:115 毫欧 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TSOT-23-5 |
| 集成电路(芯片) | MP62041DQFU-1-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压-负载:1.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:2A 导通电阻（典型值）:85 毫欧 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-UTQFN(1.6x1.2) |
| 集成电路(芯片) | MP6205DH-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 导通电阻（典型值）:90 毫欧 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP-EP |
| 集成电路(芯片) | MAX895LESA+T | MAXIM(美信) | 输出数:2 比率-输入:输出:1：2 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:250mA 导通电阻（典型值）:250 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MP62181DD-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:2A 导通电阻（典型值）:75 毫欧 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-QFN(2x3) |
| 集成电路(芯片) | MP6231DH-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:2 比率-输入:输出:1：2 输出配置:高端 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 导通电阻（典型值）:85 毫欧 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP-EP |
| 集成电路(芯片) | MP62131EK-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 导通电阻（典型值）:90 毫欧 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP |
| 集成电路(芯片) | MP62061DH-LF-Z | MPS(美国芯源) | 开关类型:USB 开关 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:700mA 导通电阻（典型值）:80 毫欧 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP-EP |
| 集成电路(芯片) | MP6233DH-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:2 比率-输入:输出:1：2 输出配置:高端 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.5A 导通电阻（典型值）:85 毫欧 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP-EP |
| 集成电路(芯片) | MP62340DH-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:2 比率-输入:输出:1：2 输出配置:高端 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1A 导通电阻（典型值）:85 毫欧 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP-EP |
| 集成电路(芯片) | MP62551DGT-LF-Z | MPS(美国芯源) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:2.5 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.5A 导通电阻（典型值）:88 毫欧 故障保护:限流(可调),超温,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-TQFN(2x2) |
| 集成电路(芯片) | MAX4413EKA+T | MAXIM(美信) | 放大器类型:电压反馈 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:140 V/µs -3db带宽:500MHz 电流-输入偏置:1.6µA 电压-输入失调:400µV 电流-电源:1.7mA 电流-输出/通道:75mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-23-8 |
| 集成电路(芯片) | MAX4495AUD+ | MAXIM(美信) | 电路数:4 输出类型:满摆幅 压摆率:3 V/µs 增益带宽积:5MHz 电流-输入偏置:200nA 电压-输入失调:300µV 电流-电源:770µA 电流-输出/通道:15mA 电压-电源，单/双（±）:4.5 V ~ 11 V,±2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX923CPA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:2 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:7.5µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:12µs 滞后:50mV 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-PDIP 传播延迟时间:12 us 补偿电压（最大值）:10 mV 输出类型:Complementary 通道数量:2 Channels 封装/外壳:Tube 封装/外壳:PDIP-8 功率:0.727W 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.25 V 电源电流（最大值）:4.5 uA |
| 集成电路(芯片) | MAX9650AUA+ | MAXIM(美信) | 输出类型:满摆幅 电路数:1 Ohms -3db带宽:35MHz 压摆率:40 V/µs 电流-电源:3.7mA 电流-输出/通道:1.3A 电压-电源，单/双（±）:9 V ~ 20 V,±4.5 V ~ 10 V 封装/外壳:8-uMax-EP |
| 集成电路(芯片) | MAX971CSA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:1 Ohms 输出类型:开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:4µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 滞后:50mV 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX4383ESD+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:电压反馈 电路数:4 输出类型:满摆幅 压摆率:485 V/µs -3db带宽:210MHz 电流-输入偏置:8.5µA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:7.5mA 电流-输出/通道:75mA 电压-电源，单/双（±）:4.5 V ~ 11 V,±2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX973ESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:2 输出类型:开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:6µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 滞后:50mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX4219EEE+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:缓冲器 电路数:3 输出类型:满摆幅 压摆率:600 V/µs -3db带宽:200MHz 电流-输入偏置:5.4µA 电压-输入失调:4mV 电流-电源:5.5mA 电流-输出/通道:120mA 电压-电源，单/双（±）:3.15 V ~ 11 V,±1.575 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX4019EEE+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:缓冲器 电路数:3 输出类型:满摆幅 压摆率:600 V/µs -3db带宽:200MHz 电流-输入偏置:5.4µA 电压-输入失调:4mV 电流-电源:5.5mA 电流-输出/通道:120mA 电压-电源，单/双（±）:3.15 V ~ 11 V,±1.575 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP |
| 集成电路(芯片) | ICL7611DESA+ | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:1.6 V/µs 增益带宽积:1.4MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:15mV 电流-电源:1mA 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 16 V,±1 V ~ 8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX406BESA+ | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.005 V/µs 增益带宽积:8kHz 电流-输入偏置:0.1pA 电压-输入失调:750µV 电流-电源:1µA 电流-输出/通道:600µA 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 10 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX4487AUD+ | MAXIM(美信) | 电路数:4 输出类型:满摆幅 压摆率:20 V/µs 增益带宽积:7MHz 电流-输入偏置:0.1pA 电压-输入失调:300µV 电流-电源:2.2mA 电流-输出/通道:33mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-TSSOP 通道数量:4 输出电流:27 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装/外壳:Tube 最小工作温度:- 40 C 电源电流:1.9 mA 电压增益 dB:98 dB 共模抑制比（最小值）:67 dB 输入补偿电压:9 mV 输入偏流（最大值）:100 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 封装/外壳:TSSOP-14 转换速度:20 V/us 关闭:No |
| 集成电路(芯片) | MAX919ESA+T | MAXIM(美信) | 系列:Beyond-the-Rails™ 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,推挽式,满摆幅,TTL 电压-电源，单/双（±）:1.8 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:5mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.001µA @ 5V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:1.2µA CMRR，PSRR（典型值）:66.02dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:940µs 滞后:4mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX9022AUA+ | MAXIM(美信) | 元件数:2 输出类型:CMOS,满摆幅,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V,±1.25 V ~ 2.75 V 电压-输入失调（最大值）:1mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.003µA @ 5V 电流-静态（最大值）:5µA CMRR，PSRR（典型值）:100dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:8µs 滞后:4mV 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX972CSA+ | MAXIM(美信) | 元件数:2 输出类型:开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:4µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX409BCSA+ | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.08 V/µs 增益带宽积:150kHz 电流-输入偏置:0.1pA 电压-输入失调:750µV 电流-电源:1µA 电流-输出/通道:600µA 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 10 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX921CPA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:5µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:12µs 滞后:50mV 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-PDIP |
| 集成电路(芯片) | MAX4219ESD+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:缓冲器 电路数:3 输出类型:满摆幅 压摆率:600 V/µs -3db带宽:200MHz 电流-输入偏置:5.4µA 电压-输入失调:4mV 电流-电源:5.5mA 电流-输出/通道:120mA 电压-电源，单/双（±）:3.15 V ~ 11 V,±1.575 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX4222ESD+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:缓冲器 电路数:4 输出类型:满摆幅 压摆率:600 V/µs -3db带宽:200MHz 电流-输入偏置:5.4µA 电压-输入失调:4mV 电流-电源:5.5mA 电流-输出/通道:120mA 电压-电源，单/双（±）:3.15 V ~ 11 V,±1.575 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX4173HESA+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:电流检测 电路数:1 Ohms -3db带宽:1.2MHz 电流-输入偏置:700µA 电压-输入失调:300µV 电流-电源:420µA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 28 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX9034ASD+ | MAXIM(美信) | 元件数:4 输出类型:CMOS,满摆幅,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:1mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.008µA @ 5V 电流-静态（最大值）:55µA CMRR，PSRR（典型值）:100dB CMRR,100dB PSRR 传播延迟（最大值）:228ns 滞后:4mV 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX971ESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:1 Ohms 输出类型:开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:4µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 滞后:50mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX9108EUD+ | MAXIM(美信) | 元件数:4 输出类型:TTL 电压-电源，单/双（±）:4.5 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:1.6mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.125µA @ 5V 电流-静态（最大值）:700µA CMRR，PSRR（典型值）:86.02dB CMRR,86.02dB PSRR 传播延迟（最大值）:25ns 滞后:2mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX954ESA+ | MAXIM(美信) | FET类型:放大器,比较器 封装/外壳:8-SOIC 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）:0.1 mV/V 可用增益调整:10 V/V 输入补偿电压:14 mV 工作电源电压:7 V 电源电流:5 uA 功率:1/3W 封装/外壳:Tube |
| 集成电路(芯片) | MAX4031EEUD+ | MAXIM(美信) | 输出类型:满摆幅 电路数:3 -3db带宽:144MHz 压摆率:115 V/µs 电流-电源:12mA 电流-输出/通道:100mA 电压-电源，单/双（±）:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:14-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX4204EUA+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:缓冲器 电路数:2 压摆率:4200 V/µs -3db带宽:720MHz 电流-输入偏置:800nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:2.2mA 电流-输出/通道:52mA 电压-电源，单/双（±）:±4 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX973CPA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:2 输出类型:开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:6µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 滞后:50mV 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-PDIP |
| 集成电路(芯片) | MAX971CPA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:1 Ohms 输出类型:开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:4µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 滞后:50mV 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-PDIP 最高工作温度:+ 70 C 标准包装数量:50 电源电压 - 最大值:11 V 电源电压 - 最小值:2.5 V 电源电流 - 最大值:3.2 uA 系列:MAX971 输出类型:Open Drain 通道数:1 Channel 偏移电压 - 最大值:± 10 mV 封装/外壳:Tube 最低工作温度:0 C 最大功率消耗:727 mW |
| 集成电路(芯片) | MAX516ACWG+ | MAXIM(美信) | 元件数:4 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:4.75 V ~ 16.5 V 电流-输入偏置（最大值）:0.3µA @ 16.5V 电流-静态（最大值）:10mA 传播延迟（最大值）:1.5µs 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:24-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX901BEPE+ | MAXIM(美信) | 元件数:4 输出类型:TTL 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 10 V,±2.5 V ~ 5 V 电压-输入失调（最大值）:4mV @ ±5V 电流-输入偏置（最大值）:10µA @ ±5V 电流-静态（最大值）:15mA,12mA,6mA CMRR，PSRR（典型值）:82.5dB CMRR,80dB PSRR 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-PDIP |
| 集成电路(芯片) | MAX4019ESD+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:缓冲器 电路数:3 输出类型:满摆幅 压摆率:600 V/µs -3db带宽:200MHz 电流-输入偏置:5.4µA 电压-输入失调:4mV 电流-电源:5.5mA 电流-输出/通道:120mA 电压-电源，单/双（±）:3.15 V ~ 11 V,±1.575 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC 通道数量:3 带宽:200 MHz 最小工作温度:- 40 C 输出电流:120 mA 输入补偿电压:20 mV 转换速度:600 V/us 工作电源电压:3.15 V to 11 V 电源电流:5.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装/外壳:SO-14 封装/外壳:Tube |
| 集成电路(芯片) | MAX410EPA+ | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 压摆率:4.5 V/µs 增益带宽积:28MHz 电流-输入偏置:80nA 电压-输入失调:120µV 电流-电源:2.5mA 电流-输出/通道:35mA 电压-电源，单/双（±）:4.8 V ~ 10.5 V,±2.4 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-PDIP |
| 集成电路(芯片) | MAX516BCWG+ | MAXIM(美信) | 元件数:4 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:4.75 V ~ 16.5 V 电流-输入偏置（最大值）:0.3µA @ 16.5V 电流-静态（最大值）:10mA 传播延迟（最大值）:1.5µs 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:24-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX4128ESA+ | MAXIM(美信) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:25MHz 电流-输入偏置:50nA 电压-输入失调:250µV 电流-电源:725µA 电流-输出/通道:50mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 6.5 V,±1.35 V ~ 3.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX4038EBL+T | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.004 V/µs 增益带宽积:4kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:200µV 电流-电源:1.9µA 电流-输出/通道:13mA 电压-电源，单/双（±）:1.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:9-UCSP |
| 集成电路(芯片) | MAX4125ESA+ | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:25MHz 电流-输入偏置:50nA 电压-输入失调:200µV 电流-电源:725µA 电流-输出/通道:50mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 6.5 V,±1.35 V ~ 3.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX922CUA+ | MAXIM(美信) | 元件数:2 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:5µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:12µs 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-uMAX 最高工作温度:+ 70 C 标准包装数量:50 电源电压 - 最大值:11 V 电源电压 - 最小值:2.5 V 电源电流 - 最大值:1.6 uA 系列:MAX922 输出类型:Push-Pull 通道数:2 Channel 偏移电压 - 最大值:± 10 mV 封装/外壳:Tube 最低工作温度:0 C 最大功率消耗:330 mW |
| 集成电路(芯片) | ICL7611BCPA+ | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:1.6 V/µs 增益带宽积:1.4MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:5mV 电流-电源:1mA 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 16 V,±1 V ~ 8 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-PDIP |
| 集成电路(芯片) | MAX4122EUK+T | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:2 V/µs 增益带宽积:5MHz 电流-输入偏置:50nA 电压-输入失调:350µV 电流-电源:725µA 电流-输出/通道:50mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 6.5 V,±1.35 V ~ 3.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 集成电路(芯片) | MAX971EPA+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:1 Ohms 输出类型:开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:4µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 滞后:50mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-PDIP |
| 集成电路(芯片) | MAX406ACPA+ | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.005 V/µs 增益带宽积:8kHz 电流-输入偏置:0.1pA 电压-输入失调:750µV 电流-电源:1µA 电流-输出/通道:600µA 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 10 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-PDIP |
| 集成电路(芯片) | MAX4495ASD+ | MAXIM(美信) | 电路数:4 输出类型:满摆幅 压摆率:3 V/µs 增益带宽积:5MHz 电流-输入偏置:200nA 电压-输入失调:300µV 电流-电源:770µA 电流-输出/通道:15mA 电压-电源，单/双（±）:4.5 V ~ 11 V,±2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX924EPE+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:4 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:50mA 电流-静态（最大值）:11µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:12µs 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-PDIP |
| 集成电路(芯片) | MAX412CSA+ | MAXIM(美信) | 电路数:2 压摆率:4.5 V/µs 增益带宽积:28MHz 电流-输入偏置:80nA 电压-输入失调:120µV 电流-电源:2.5mA 电流-输出/通道:35mA 电压-电源，单/双（±）:4.8 V ~ 10.5 V,±2.4 V ~ 5.25 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX4491AUA+ | MAXIM(美信) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:10MHz 电流-输入偏置:50pA 电压-输入失调:1.5mV 电流-电源:800µA 电流-输出/通道:50mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX4489ASA+ | MAXIM(美信) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:42MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:70µV 电流-电源:2.5mA 电流-输出/通道:48mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX4123ESA+ | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:2 V/µs 增益带宽积:5MHz 电流-输入偏置:50nA 电压-输入失调:200µV 电流-电源:725µA 电流-输出/通道:50mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 6.5 V,±1.35 V ~ 3.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MAX934EPE+ | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:4 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:8.5µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:12µs 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-PDIP |
| 集成电路(芯片) | MAX4382EEE+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:电压反馈 电路数:3 输出类型:满摆幅 压摆率:485 V/µs -3db带宽:210MHz 电流-输入偏置:8.5µA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:7.5mA 电流-输出/通道:75mA 电压-电源，单/双（±）:4.5 V ~ 11 V,±2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX4020EEE+ | MAXIM(美信) | 电路数:4 输出类型:满摆幅 压摆率:600 V/µs -3db带宽:150MHz 电流-输入偏置:5.4µA 电压-输入失调:4mV 电流-电源:5.5mA 电流-输出/通道:120mA 电压-电源，单/双（±）:3.15 V ~ 11 V,±1.575 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX4124EUK+T | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:25MHz 电流-输入偏置:50nA 电压-输入失调:350µV 电流-电源:725µA 电流-输出/通道:50mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 6.5 V,±1.35 V ~ 3.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 集成电路(芯片) | MAX11158EUB+T | MAXIM(美信) | 位数:18 采样率（每秒）:500k 输入类型:个伪差分 数据接口:SPI,DSP 配置:S/H-ADC 无线电-S/H:ADC:1：1 A/D转换器数:1 Ohms 架构:SAR 参考类型:内部 电压-电源，模拟:5V 电压-电源，数字:2.3 V ~ 5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:10-uMAX |
| 集成电路(芯片) | S1D13A04F00A100 | Epson(爱普生) | FET类型:图形控制器 封装/外壳:128-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | S1D13A04B00B200 | Epson(爱普生) | FET类型:图形控制器 封装/外壳:121-BGA |
| 集成电路(芯片) | S1D13748F00A100 | Epson(爱普生) | FET类型:图形控制器 封装/外壳:144-QFP20(20x20) |
| 集成电路(芯片) | S1D13781F00A100 | Epson(爱普生) | FET类型:图形控制器 封装/外壳:100-QFP15(14x14) |
| 集成电路(芯片) | S1D13706F00A200 | Epson(爱普生) | FET类型:图形控制器 封装/外壳:100-TQFP |
| 集成电路(芯片) | S1D13700F02A100 | Epson(爱普生) | FET类型:图形控制器 封装/外壳:64-TQFP |
| 集成电路(芯片) | S1D13700F01A100 | Epson(爱普生) | FET类型:图形控制器 封装/外壳:64-TQFP |
| 集成电路(芯片) | S1D13513F01A100 | Epson(爱普生) | FET类型:图形控制器 封装/外壳:208-QFP |
| 集成电路(芯片) | S1D13506F00A200 | Epson(爱普生) | 封装/外壳:128-QFP |
| 集成电路(芯片) | S1D13505F00A200 | Epson(爱普生) | FET类型:图形控制器 封装/外壳:128-QFP15(14x14) |
| 集成电路(芯片) | TV100G | AAVID THERMALLOY | 系列:Impedance Track™ 功能:电池监控器 电池化学:锂离子 电池数:1 Ohms 故障保护:超温 接口:I²C 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:12-SON(2.5x4) |
| 集成电路(芯片) | MAX5702BAUB+ | MAXIM(美信) | 位数:12 数模转换器数:2 建立时间:4.5µs(标准) 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:SPI,DSP 参考类型:外部, 内部 电压-电源，数字:2.7 V ~ 5.5 V INL/DNL（LSB）:±0.5,±0.2 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:10-uMAX 系列:MAX5702 |
| 集成电路(芯片) | MAX11618EEE+T | MAXIM(美信) | 位数:10 采样率（每秒）:300k 输入数:4 输入类型:单端 数据接口:SPI 配置:S/H-ADC 无线电-S/H:ADC:1：1 A/D转换器数:1 Ohms 架构:SAR 参考类型:外部, 内部 电压-电源，数字:5V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX5715AAUD+T | MAXIM(美信) | 位数:12 数模转换器数:4 建立时间:4.5µs(标准) 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:SPI,DSP 参考类型:外部, 内部 电压-电源，数字:2.7 V ~ 5.5 V INL/DNL（LSB）:±0.5,±0.2 架构:R-2R 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX545BCSD+T | MAXIM(美信) | 位数:14 数模转换器数:1 Ohms 建立时间:1µs(标准) 输出类型:Voltage - Unbuffered 差分输出:无 数据接口:SPI 参考类型:外部 电压-电源，数字:5V INL/DNL（LSB）:±0.15,±0.15 架构:R-2R 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MX7528KP+ | MAXIM(美信) | 位数:8 数模转换器数:2 建立时间:400ns 输出类型:Current - Unbuffered 差分输出:无 数据接口:并联 参考类型:外部 电压-电源，数字:5 V ~ 15 V INL/DNL（LSB）:±0.5(最大),±1(最大) 架构:R-2R 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:20-PLCC(9x9) |
| 集成电路(芯片) | MAX5156AEEE+T | MAXIM(美信) | 位数:12 数模转换器数:2 建立时间:15µs(标准) 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:SPI 参考类型:外部 电压-电源，数字:5V INL/DNL（LSB）:±0.5(最大),±1(最大) 架构:R-2R 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX5387NAUD+ | MAXIM(美信) | 圆锥:线性 配置:电位计 电路数:2 抽头数:256 电阻:100K Ohms 接口:I²C 存储器类型:易失 电压-电源:2.6 V ~ 5.5 V 偏差:±25% 温度系数（典型值）:35 ppm/°C 电阻- 游标（欧姆）（典型值）:250 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX5152BEEE+T | MAXIM(美信) | 位数:13 数模转换器数:2 建立时间:20µs(标准) 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:SPI 参考类型:外部 电压-电源，数字:5V INL/DNL（LSB）:±1(最大),±1(最大) 架构:R-2R 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX5741EUB+T | MAXIM(美信) | 位数:10 数模转换器数:4 建立时间:10µs 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:SPI,DSP 参考类型:外部 电压-电源，数字:2.7 V ~ 5.5 V INL/DNL（LSB）:±0.5,±1(最大) 架构:电阻串 DAC 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:10-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX507BCWG+T | MAXIM(美信) | 位数:12 数模转换器数:1 Ohms 建立时间:5µs 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:并联 参考类型:内部 电压-电源，模拟:±11.4 V ~ 15.75 V 电压-电源，数字:11.4 V ~ 15.75 V INL/DNL（LSB）:±1(最大),±1(最大) 架构:R-2R 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:24-SOIC |
| 集成电路(芯片) | AT25SF161-SSHD-T | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:16Mb (2M x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间-字，页:5µs,5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | AT25DF011-SSHN-T | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间-字，页:8µs,3.5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | AT25DF081A-SSH-B | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Mb (256 字节 x 4096 页) 时钟频率:100MHz 写周期时间-字，页:7µs,3ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | AT45DB161E-SSHD2B-T | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:16Mb (512 字节 x 4096 页) 时钟频率:85MHz 写周期时间-字，页:8µs,4ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | AT25DN512C-SSHF-T | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间-字，页:8µs,1.75ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | AT45DB161E-SHF-T | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:16Mb (528 字节 x 4096 页) 时钟频率:85MHz 写周期时间-字，页:8µs,4ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | AT45DB161E-SSHD-T | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:16Mb (528 字节 x 4096 页) 时钟频率:85MHz 写周期时间-字，页:8µs,4ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | AT25SF081-SHD-B | Adesto | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Mb (1M x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间-字，页:5µs,5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:8-SOIC |