IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 集成电路(芯片) | MAX8971EWP+T | 电池化学:锂离子 电池数:1 Ohms 电流-充电:恒流 - 可编程 可编程特性:电流 故障保护:过压,电池反向 充电电流-最大值:1.55A 电池组电压:4.2V 电压- 供电（最高）:7.5V 接口:I²C,USB 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-WLP(2.17x1.61) | |
| 集成电路(芯片) | 74FCT16245ATPVG | 系列:74FCT 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:32mA,64mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-SSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74LVCH16245APVG8 | 系列:74LVCH 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-SSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74ALVCH32245BFG | 系列:74ALVCH 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:4 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:96-CABGA(13.5x5.5) | |
| 集成电路(芯片) | 74FCT2245ATSOG8 | 系列:74FCT 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:15mA,12mA 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SOIC | |
| 集成电路(芯片) | DS1245ABP-70+ | 存储器类型:非易失 存储器格式:NVSRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:34-PowerCap 模块 | |
| 集成电路(芯片) | MAX505BCAG+T | 位数:8 数模转换器数:4 建立时间:6µs(标准) 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:并联 参考类型:外部 电压-电源，模拟:±5V 电压-电源，数字:5V INL/DNL（LSB）:-,±1(最大) 架构:R-2R 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:24-SSOP 输出类型:Voltage 封装/外壳:SSOP-24 接口类型:Parallel 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 电压参考:External 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 稳定时间:6 us | |
| 集成电路(芯片) | MAX4490AUK+T | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:10 V/µs 增益带宽积:10MHz 电流-输入偏置:50pA 电压-输入失调:1.5mV 电流-电源:800µA 电流-输出/通道:50mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V,±1.35 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-5 | |
| 集成电路(芯片) | MAX6934AQH+D | 显示类型:真空荧光(VF) 接口:4 线串行 电流-电源:2mA 电压-电源:8 V ~ 76 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:44-PLCC(16.59x16.59) | |
| 集成电路(芯片) | A54SX32-2PQ208I | 系列:SX LAB/CLB数:2880 I/O数:174 栅极数:48000 电压-电源:3 V ~ 3.6 V,4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:208-PQFP(28x28) | |
| 集成电路(芯片) | LDK130C12R | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:5.5V 电压-输出（最小值/固定）:1.2V 压降（最大值）:0.4V @ 300mA 电流-输出:300mA 电流-静态:60µA 电流-电源（最大值）:120µA PSRR:55dB(120Hz ~ 10kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-5 电流-电源:60µA ~ 120µA | |
| 集成电路(芯片) | 74LVC16245APAG | 系列:74LVC 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74FCT162245ATPVG8 | 系列:74FCT 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-SSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74LVC16245APVG8 | 系列:74LVC 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-SSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74FCT2245ATQG | 系列:74FCT 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:15mA,12mA 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | DS1868BS-100+T/R | 圆锥:线性 配置:电位计 电路数:2 抽头数:256 电阻:100K Ohms 接口:串行 存储器类型:易失 电压-电源:2.7 V ~ 3.3 V,5V 偏差:±20% 温度系数（典型值）:750 ppm/°C 电阻- 游标（欧姆）（典型值）:900 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SO 系列:DS1868BS 零件号别名:90-1868V+10I DS1868BS | |
| 集成电路(芯片) | 74LVCHR162245APAG8 | 系列:74LVCHR 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:12mA,12mA 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74LVCH16543APAG | 系列:74LVCH 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:56-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74ALVCH16245PAG | 系列:74ALVCH 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | MAX8743EEI+ | 输出类型:晶体管驱动器 输出配置:正 拓扑:降压 输出数:2 输出阶段:1 Ohms 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 28 V 频率-开关:200kHz,300kHz,420kHz,540kHz 同步整流器:是 时钟同步:无 控制特性:限流,使能,导通时间控制,电源良好,脉冲跳频 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74FCT16245ATPAG8 | 系列:74FCT 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:32mA,64mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74FCT162245ATPAG | 系列:74FCT 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | LFE3-95EA-8LFN672I | 系列:ECP3 LAB/CLB数:11500 逻辑元件/单元数:92000 总RAM位数:4526080 I/O数:380 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:672-FPBGA(27x27) | |
| 集成电路(芯片) | 74LVC16245APVG | 系列:74LVC 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-SSOP | |
| 集成电路(芯片) | MAX1243ACSA+ | 位数:10 采样率（每秒）:73k 输入类型:单端 数据接口:SPI 配置:S/H-ADC 无线电-S/H:ADC:1：1 A/D转换器数:1 Ohms 架构:SAR 参考类型:外部 电压-电源，数字:2.7 V ~ 5.25 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC ADC 输入端数量:1 Ohms 信噪比:66 dB 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 电压参考:5.25 V 电源电压-最大:6 V 电源电压-最小:- 0.3 V 转换速率:73 KSPs 输入类型:Single Ended 分辨率:10 bit 封装/外壳:Tube 封装/外壳:SOIC-8 工作电源电压:3.3 V, 5 V 接口类型:QSPI, Serial (SPI, Microwire) 功率:471 mW | |
| 集成电路(芯片) | PI74LPT16245AAE | 系列:74LPT 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74LVCH16245APAG | 系列:74LVCH 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | 54FCT245TDB | 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:12mA,48mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:20-CDIP | |
| 集成电路(芯片) | PI5C3384QEX | FET类型:总线开关 电路:5 x 1：1 独立电路:2 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | QS3251QG8 | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:1 x 8：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | QS3384QG | FET类型:总线开关 电路:5 x 1：1 独立电路:2 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | STK672-432BN-E | 电机类型-步进:单极 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:并联 步进分辨率:1,1/2,1/4,1/8,1/16 电流-输出:2A 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电压-负载:0 V ~ 46 V 工作温度:0°C ~ 105°C(TC) 封装/外壳:19-SIP | |
| 集成电路(芯片) | QS3VH253QG8 | 系列:3VH FET类型:总线开关 电路:2 x 4：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | QS3306AS1G8 | FET类型:总线开关 电路:1 x 1：1 独立电路:2 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 集成电路(芯片) | QS3245SOG8 | FET类型:总线开关 电路:8 x 1：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-SOIC | |
| 集成电路(芯片) | QS3245QG | FET类型:总线开关 电路:8 x 1：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | QS34XVH245Q3G8 | 系列:34XVH FET类型:总线开关 电路:1 x 8：1 独立电路:4 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:80-QVSOP | |
| 集成电路(芯片) | QS3VH125S1G | 系列:3VH FET类型:总线开关 电路:1 x 4：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC | |
| 集成电路(芯片) | QS3VH253QG | 系列:3VH FET类型:总线开关 电路:2 x 4：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | PI5C3253QEX | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:2 x 4：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | MAX1081BEUP+ | 位数:10 采样率（每秒）:300k 输入数:4,8 输入类型:个伪差分,单端 数据接口:SPI 配置:MUX-S/H-ADC 无线电-S/H:ADC:1：1 A/D转换器数:1 Ohms 架构:SAR 参考类型:外部, 内部 电压-电源，数字:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | LNBH26PQR | 电压-输入:8 V ~ 16 V 输出数:2 电压-输出:13V,18.15V 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:24-QFN(4x4) | |
| 集成电路(芯片) | R1EX25064ASA00I#S0 | 写周期时间-字，页:5ms 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SOP 存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
| 集成电路(芯片) | NSVC2050JBT3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 功能:稳流器 感应方法:高/低端 电压-输入:120V 电流-输出:50mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:SMB | |
| 集成电路(芯片) | NSVC2020JBT3G | 系列:汽车级,AEC-Q101 功能:稳流器 感应方法:高/低端 电压-输入:120V 电流-输出:20mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:SMB | |
| 集成电路(芯片) | PI5C3306LEX | FET类型:总线开关 电路:1 x 1：1 独立电路:2 电压源:单电源 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | PI3C3306LE | FET类型:总线开关 电路:1 x 1：1 独立电路:2 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | NSV45025AZT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 功能:稳流器 感应方法:高/低端 偏差:±10% 电压-输入:45V 电流-输出:25mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-223(TO-261) | |
| 集成电路(芯片) | PI5C3257LEX | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:4 x 2：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | NSV45020JZT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 功能:稳流器 感应方法:高/低端 偏差:±15% 电压-输入:45V 电流-输出:40mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-223(TO-261) | |
| 集成电路(芯片) | QS3VH245PAG8 | 系列:3VH FET类型:总线开关 电路:1 x 8：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74CBTLV3257QG | 系列:74CBTLV FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:4 x 2：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | QS3VH257QG8 | 系列:3VH FET类型:总线开关 电路:4 x 2：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | NLX2G14AMUTCG | 系列:MiniGate™ 逻辑类型:反相器 输入数:2 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V Current-Quiescent(Max):1µA 电流-输出高，低:32mA,32mA 逻辑电平-低:0.2 V ~ 1.2 V 逻辑电平-高:1.4 V ~ 3.6 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:4.9ns @ 5V,50pF 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:6-uFDFN | |
| 集成电路(芯片) | NLX1G332AMUTCG | 逻辑类型:或门 电路数:1 Ohms 输入数:3 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）:1µA 电流-输出高，低:32mA,32mA 不同V，最大CL时的最大传播延迟:7ns @ 5V,50pF 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:6-uFDFN | |
| 集成电路(芯片) | NLVU1GT125AMUTCG | 系列:汽车级,AEC-Q100 逻辑类型:缓冲器,非反向 每元件位数:1 Ohms 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:8mA,8mA 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:6-UDFN(1.45x1) | |
| 集成电路(芯片) | LM4040AIM3-3.0+T | 参考类型:分流器 输出类型:固定 电压-输出（最小值/固定）:3V Current-Output:15mA 偏差:±0.1% 温度系数:±100ppm/°C 噪声-10Hz至10Hz:45µVrms Current-Cathode:67µA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 集成电路(芯片) | PI5C3257QEX | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:4 x 2：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | PI3B3257QEX | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:4 x 2：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | CY8C3866LTI-030 | 系列:PSOC® 3 CY8C38xx I/O数:38 EEPROM容量:2K x 8 RAM容量:8K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 5.5 V 封装/外壳:68-QFN(8x8) 核心处理器:8051 核心尺寸:8-位 速度:67MHz 连接性:EBI/EMI,I²C,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:电容感应,DMA,LCD,POR,PWM,WDT I/O 数:38 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:2K x 8 RAM 容量:8K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 1x20b,D/A 4x8b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:68-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:68-QFN(8x8) | |
| 集成电路(芯片) | NLV74HC138ADTR2G | 系列:汽车级,AEC-Q100,74HC FET类型:解码器/多路分解器 电路:1 x 3：8 独立电路:1 Ohms 电流-输出高，低:5.2mA,5.2mA 电压源:单电源 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:16-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | NLV74AC14DTR2G | 系列:汽车级,AEC-Q100,74AC 逻辑类型:反相器 输入数:6 电压-电源:2 V ~ 6 V 电流-静态（最大值）:4µA 电流-输出高，低:24mA,24mA 不同V，最大CL时的最大传播延迟:10ns @ 5V,50pF 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | |
| 集成电路(芯片) | NLV27WZ04DFT2G | 系列:汽车级,AEC-Q100 逻辑类型:反相器 输入数:2 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）:1µA 电流-输出高，低:32mA,32mA 不同V，最大CL时的最大传播延迟:3.6ns @ 5V,50pF 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | |
| 集成电路(芯片) | NLV17SZ17DFT2G | 系列:汽车级,AEC-Q100,17SZ 逻辑类型:缓冲器,非反向 每元件位数:1 Ohms 输入类型:施密特触发器 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:32mA,32mA 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-88A(SC-70-5 / SOT-353) | |
| 集成电路(芯片) | MX7543KCWE+ | 位数:12 数模转换器数:1 Ohms 建立时间:2µs 输出类型:Current - Unbuffered 差分输出:是 数据接口:串行 参考类型:外部 电压-电源，数字:5V INL/DNL（LSB）:±0.5(最大),±1(最大) 架构:R-2R 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 集成电路(芯片) | NLV17SZ07DFT2G | 系列:汽车级,AEC-Q100 逻辑类型:缓冲器,非反向 每元件位数:1 Ohms 输出类型:开路漏极 电流-输出高，低:-,32mA 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-88A(SC-70-5 / SOT-353) | |
| 集成电路(芯片) | NLU2G17CMUTCG | 系列:MiniGate™ 逻辑类型:缓冲器,非反向 元件数:2 每元件位数:1 Ohms 输入类型:施密特触发器 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:8mA,8mA 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:6-UDFN(1x1) | |
| 集成电路(芯片) | NLU2G17AMUTCG | 系列:MiniGate™ 逻辑类型:反相器 输入数:2 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）:1µA 电流-输出高，低:8mA,8mA 逻辑电平-低:0.9 V ~ 1.65 V 逻辑电平-高:2.2 V ~ 3.85 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:10.6ns @ 5V,50pF 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:6-uFDFN | |
| 集成电路(芯片) | NLU1GT14AMUTCG | 系列:MiniGate™ 逻辑类型:反相器 输入数:1 Ohms 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）:1µA 电流-输出高，低:8mA,8mA 逻辑电平-低:0.35 V ~ 0.6 V 逻辑电平-高:1.6 V ~ 2.1 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:10.6ns @ 5V,50pF 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:6-uFDFN | |
| 集成电路(芯片) | NLSV2T244DR2G | 转换器类型:电压电平 FET类型:单向 电路数:1 Ohms 每个电路的通道数:2 电压 -VCCB:0.9V ~ 4.5V 输出类型:三态,非反相 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC | |
| 集成电路(芯片) | NLSX0102FCT2G | 转换器类型:电压电平 FET类型:双向 电路数:1 Ohms 每个电路的通道数:2 电压 -VCCB:1.5V ~ 5.5V 输出类型:非反相 数据速率:24Mbps 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-覆晶 | |
| 集成电路(芯片) | NLSV8T244MUTAG | 转换器类型:电压电平 FET类型:单向 电路数:1 Ohms 每个电路的通道数:8 电压 -VCCB:0.9V ~ 4.5V 输出类型:三态,非反相 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-UDFN(4x2) | |
| 集成电路(芯片) | NLSV4T244DTR2G | 转换器类型:电压电平 FET类型:单向 电路数:1 Ohms 每个电路的通道数:4 电压 -VCCB:0.9V ~ 4.5V 输出类型:三态,非反相 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | NL7SB3257CMX1TCG | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:1 x 2：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:6-ULLGA(1x1) | |
| 集成电路(芯片) | R5F10WLCGFB#50 | 系列:RL78/L13 I/O数:42 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:1.5K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.6 V ~ 5.5 V 核心处理器:RL78 核心尺寸:16-位 速度:24MHz 连接性:CSI,I²C,LIN,UART/USART 外设:DMA,LCD,LVD,POR,PWM,WDT I/O 数:42 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:1.5K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.6 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 9x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP 封装/外壳:64-LQFP(10x10) | |
| 集成电路(芯片) | NL17SG07P5T5G | 逻辑类型:缓冲器,非反向 每元件位数:1 Ohms 输出类型:开路漏极 电流-输出高，低:-,8mA 电压-电源:0.9 V ~ 3.6 V 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-953 | |
| 集成电路(芯片) | NCP4587DMX18TCG | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:5.25V 电压-输出（最小值/固定）:1.8V 压降（最大值）:0.25V @ 150mA 电流-输出:150mA 电流-电源:4µA PSRR:70dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-XDFN(1.2x1.2) | |
| 集成电路(芯片) | NIS5132MN2TXG | 功能:电子保险丝 感应方法:高端 电压-输入:9 V ~ 18 V 电流-输出:3.6A 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:10-DFN(3x3) | |
| 集成电路(芯片) | PI3CH480QEX | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:4 x 2：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:2.25 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | PI3B3257QE | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:4 x 2：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | NCV8716MT33TBG | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:24V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:0.56V @ 80mA 电流-输出:80mA 电流-电源:5.8µA PSRR:60dB(100kHz) 保护功能:过流,超温,欠压锁定(UVLO) 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:6-WDFN | |
| 集成电路(芯片) | PI5C3306LE | FET类型:总线开关 电路:1 x 1：1 独立电路:2 电压源:单电源 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | PI5C3245QE | FET类型:总线开关 电路:8 x 1：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | PI3B3257LE | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:4 x 2：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | QS3VH125QG8 | 系列:3VH FET类型:总线开关 电路:1 x 4：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | QS3384QG8 | FET类型:总线开关 电路:5 x 1：1 独立电路:2 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | QS3VH16210PAG | 系列:3VH FET类型:总线开关 电路:10 x 1：1 独立电路:2 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | NCV8560SNADJT1G | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:可调式 电压-输入（最大值）:6V 电压-输出（最小值/固定）:1.25V 电压-输出（最大值）:5V 压降（最大值）:0.125V @ 150mA 电流-输出:150mA 电流-电源:135µA PSRR:62dB ~ 38dB(120Hz ~ 10kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:5-TSOP | |
| 集成电路(芯片) | 74CBTLV3384QG8 | 系列:74CBTLV FET类型:总线开关 电路:5 x 1：1 独立电路:2 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | NCV8664CST33T3G | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:45V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 电流-输出:150mA 电流-电源:29µA ~ 30µA PSRR:67dB(100Hz) 保护功能:过流,超温,反极性,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223(TO-261) | |
| 集成电路(芯片) | NCV8535MN500R2G | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:12V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.34V @ 500mA 电流-输出:500mA 电流-电源:190µA ~ 14mA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:10-DFN(3x3) | |
| 集成电路(芯片) | PI5C3253QE | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:2 x 4：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | PI5C3251QEX | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:1 x 8：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | QS3VH257PAG8 | 系列:3VH FET类型:总线开关 电路:4 x 2：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-TSSOP | |
| 集成电路(芯片) | NCV8450ASTT3G | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:4.5 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 导通电阻（典型值）:1 欧姆 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 | |
| 集成电路(芯片) | QS3125S1G8 | FET类型:总线开关 电路:1 x 1：1 独立电路:4 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC | |
| 集成电路(芯片) | QS3253QG8 | FET类型:多路复用器/多路分解器 电路:2 x 4：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP | |
| 集成电路(芯片) | NCV8403ASTT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:42V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:14A 导通电阻（典型值）:53 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:42V | |
| 集成电路(芯片) | NCV8402ASTT1G | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:42V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 导通电阻（典型值）:165 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:42V 连续漏极电流Id:2A | |
| 集成电路(芯片) | MAX5523EUA+T | 位数:10 数模转换器数:2 建立时间:660µs(标准) 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:SPI 参考类型:内部 电压-电源，数字:1.8 V ~ 5.5 V INL/DNL（LSB）:±1,±0.2 架构:电流源 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-uMAX |