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    未分类 ATS-18F-48-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:0.984"(25.00mm) 宽度:0.984"(25.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:1.378"(35.00mm) 不同强制气流时的热阻:7.51°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 1812Y5K00271JXT 容值:270pF 偏差:±5% 电压:5KV 温度系数:X7R(2R1) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-46-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:0.984"(25.00mm) 宽度:0.984"(25.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.984"(25.00mm) 不同强制气流时的热阻:11.50°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICRF229YQS-TR 安装:SMD 封装/外壳:QSOP16 带:400...450MHz 接口:serial 接口:透明 接收器灵敏度:-112dBm 电压:3.3...5.5VDC 调制种类:ASK 调制种类:OOK 集成电路特性:RSSI 集成电路特性:Squelch 集成电路类型:RF 接收器
    未分类 1812Y5K00271JXR 容值:270pF 偏差:±5% 电压:5KV 温度系数:X7R(2R1) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-43-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:0.984"(25.00mm) 宽度:0.984"(25.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.394"(10.00mm) 不同强制气流时的热阻:28.78°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICRF229YQS-T5 安装:SMD 封装/外壳:QSOP16 带:400...450MHz 接口:serial 接口:透明 接收器灵敏度:-112dBm 电压:3.3...5.5VDC 调制种类:ASK 调制种类:OOK 集成电路特性:RSSI 集成电路特性:Squelch 集成电路类型:RF 接收器
    未分类 RTD-0515/P-R FET类型:隔离模块 输出数:2 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出 1:15V 电压 - 输出 2:-15V 电流 - 输出（最大值）:66mA,66mA 功率:2W 电压 - 隔离:1KV 工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:85% 封装/外壳:10-SMD 模块,6 引线 封装/外壳:15.2mm x 9.3mm x 9.0mm
    未分类 ATS-18F-47-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:0.984"(25.00mm) 宽度:0.984"(25.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:1.181"(30.00mm) 不同强制气流时的热阻:9.30°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICRF229YQS
    未分类 1812Y5K00270KCT 容值:27pF 偏差:±10% 电压:5KV 温度系数:C0G(NP0) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-45-C3-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:0.984"(25.00mm) 宽度:0.984"(25.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.790"(20.00mm) 不同强制气流时的热阻:15.29°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 SG-310SCF 8.0000MB FET类型:XO(标准) 频率:8MHz 功能:待机 (断电) 输出:CMOS 电压 - 电源:3.3V 频率稳定度:±50ppm 工作温度:-20°C ~ 70°C 电流 - 电源（最大值）:2mA 封装/外壳:4-SMD,无引线 封装/外壳:3.20mm x 2.50mm
    未分类 ATS-18F-45-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:0.984"(25.00mm) 宽度:0.984"(25.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.790"(20.00mm) 不同强制气流时的热阻:14.95°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICRF221AYQS
    未分类 1812Y5K00270KCR 容值:27pF 偏差:±10% 电压:5KV 温度系数:C0G(NP0) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-44-C3-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:0.984"(25.00mm) 宽度:0.984"(25.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.590"(15.00mm) 不同强制气流时的热阻:20.62°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 SG-9101CG-D15PHDCC FET类型:XO(标准) 可编程类型:由 Digi-Key 编程(请在网站订购单中输入您需要的频率) 可用频率范围:670kHz ~ 170MHz 功能:启用/禁用 输出:CMOS 电压 - 电源:1.62 V ~ 3.63 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 扩频带宽:-1.50%,向下扩展 封装/外壳:4-SMD,无引线 封装/外壳:2.50mm x 2.00mm 高度:0.031"(0.80mm) 电流 - 电源（禁用）（最大值）:3.7mA
    未分类 ATS-18F-42-C3-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:2.400"(60.96mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.900"(22.86mm) 不同强制气流时的热阻:7.35°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 1812Y5K00270JCT 容值:27pF 偏差:±5% 电压:5KV 温度系数:C0G(NP0) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 LCA710
    未分类 ATS-18F-42-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:2.400"(60.96mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.900"(22.86mm) 不同强制气流时的热阻:7.31°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICRF219AYQS-TR 安装:SMD 封装/外壳:QSOP16 带:300M...450MHz 接口:serial 接口:透明 接收器灵敏度:-110dBm 电压:3...3.6VDC 调制种类:ASK 调制种类:OOK 集成电路特性:auto-poll 集成电路特性:RSSI 集成电路类型:RF 接收器
    未分类 Y006024K6000B0L 电阻:24.6K Ohms 偏差:±0.1% 功率:1/4W 温度系数:±8ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:6.60mm x 9.04mm
    未分类 ATS-18F-42-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:2.400"(60.96mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.900"(22.86mm) 不同强制气流时的热阻:7.30°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 1812Y5K00270GCT 容值:27pF 偏差:±2% 电压:5KV 温度系数:C0G(NP0) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-33-C3-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:1.450"(36.83mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.700"(17.78mm) 不同强制气流时的热阻:17.50°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 Y0926100R000T0L 电阻:100 Ohms 偏差:±0.01% 功率:8W 温度系数:±2ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220-4 封装/外壳:TO-220 封装/外壳:10.16mm x 3.81mm
    未分类 ATS-18F-33-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:1.450"(36.83mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.700"(17.78mm) 不同强制气流时的热阻:17.40°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 ATS-18F-40-C3-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:2.400"(60.96mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.450"(11.43mm) 不同强制气流时的热阻:14.61°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICRF114T-I/OT 发射器输出功率, dBm:10dBm 安装:SMD 封装/外壳:SOT23-6 带:300M...450MHz 接口:serial 接口:透明 电压:1.8...3.6VDC 调制种类:OOK 集成电路类型:发射器 RF
    未分类 D1210-10
    未分类 0740622544 连接器类型:接头,公引脚 连接器样式:VHDM®,右侧导轨 针脚数:200 加载的针脚数:全部 间距:0.079"(2.00mm) 排数:8 列数:25 端接:压配式 触头镀层:金 触头镀层厚度:30.0µin(0.76µm) 颜色:黑色 额定电流:3A 材料可燃性等级:UL94 V-0 工作温度:-55°C ~ 105°C 额定电压:120V
    未分类 ATS-18F-40-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:2.400"(60.96mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.450"(11.43mm) 不同强制气流时的热阻:14.56°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 LCB110
    未分类 1812Y5K00270JCR 容值:27pF 偏差:±5% 电压:5KV 温度系数:C0G(NP0) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-40-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:2.400"(60.96mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.450"(11.43mm) 不同强制气流时的热阻:14.55°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 1812Y5K00270FCT 容值:27pF 偏差:±1% 电压:5KV 温度系数:C0G(NP0) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-39-C3-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:2.400"(60.96mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.230"(5.84mm) 不同强制气流时的热阻:18.98°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 09032966824222
    未分类 1812Y5K00221JXR 容值:220pF 偏差:±5% 电压:5KV 温度系数:X7R(2R1) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-38-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:1.450"(36.83mm) 宽度:2.267"(57.60mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.900"(22.86mm) 不同强制气流时的热阻:6.42°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICC-R82M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:230MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:0.5A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.82uH 电感器类型:电线 电阻:550m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 2225HA560JAT1A 容值:56pF 偏差:±5% 电压:3KV 温度系数:C0G(NP0) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:2225 封装/外壳:5.72mm x 6.35mm 厚度（最大值）:0.100"(2.54mm)
    未分类 ATS-18F-37-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:1.450"(36.83mm) 宽度:2.267"(57.60mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.700"(17.78mm) 不同强制气流时的热阻:9.10°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICC-R68M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:240MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:0.53A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.68uH 电感器类型:电线 电阻:480m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 1812Y5K00270FCR 容值:27pF 偏差:±1% 电压:5KV 温度系数:C0G(NP0) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-36-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:1.450"(36.83mm) 宽度:2.267"(57.60mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.450"(11.43mm) 不同强制气流时的热阻:14.81°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICC-R56M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:260MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:0.7A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.56uH 电感器类型:电线 电阻:280m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 1405099 FET类型:馈通式 针脚数:2 级别数:1 Ohms 端子 - 宽度:5.0mm 端子类型:螺钉,焊接 电流 - IEC:15A 电压 - IEC:400V 线规或范围 - AWG:14-24 AWG 线规或范围 - mm²:0.2-2.5mm² 颜色:蓝色 材料 - 绝缘:聚酰胺(PA),尼龙 材料可燃性等级:UL94 V-2 剥线长度:8mm
    未分类 ATS-18F-35-C3-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:1.450"(36.83mm) 宽度:2.267"(57.60mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.230"(5.84mm) 不同强制气流时的热阻:22.55°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICC-R47M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:280MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:0.75A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.47uH 电感器类型:电线 电阻:250m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 1812Y5K00221MXT 容值:220pF 偏差:±20% 电压:5KV 温度系数:X7R(2R1) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-35-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:1.450"(36.83mm) 宽度:2.267"(57.60mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.230"(5.84mm) 不同强制气流时的热阻:22.48°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICC-R39M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:300MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:0.79A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.39uH 电感器类型:电线 电阻:220m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 4232R-223G FET类型:绕线 材料 - 磁芯:铁 电感:22uH 偏差:±2% 额定电流:161mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):8 Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:30 @ 2.5MHz 频率 - 自谐振:15MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:2.5MHz 封装/外壳:2-SMD 封装/外壳:3.51mm x 2.67mm
    未分类 ATS-18F-34-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:1.450"(36.83mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.900"(22.86mm) 不同强制气流时的热阻:14.31°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICC-R33M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:330MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:0.83A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.33uH 电感器类型:电线 电阻:200m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 1812Y5K00221MXR 容值:220pF 偏差:±20% 电压:5KV 温度系数:X7R(2R1) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-32-C3-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:1.450"(36.83mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.450"(11.43mm) 不同强制气流时的热阻:21.54°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICC-R27M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:380MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:0.91A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.27uH 电感器类型:电线 电阻:170m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 1812Y5K00221KXT 容值:220pF 偏差:±10% 电压:5KV 温度系数:X7R(2R1) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-32-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:1.450"(36.83mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.450"(11.43mm) 不同强制气流时的热阻:21.46°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 CPC1030N
    未分类 MICC-R22M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:420MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:0.99A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.22uH 电感器类型:电线 电阻:160m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 ATS-18F-32-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:1.450"(36.83mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.450"(11.43mm) 不同强制气流时的热阻:21.45°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 LCA710S
    未分类 MICC-R18M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:460MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:1A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.18uH 电感器类型:电线 电阻:140m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 61500058096
    未分类 ATS-18F-31-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:1.450"(36.83mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.230"(5.84mm) 不同强制气流时的热阻:25.25°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 LCB127S
    未分类 MICC-R15M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:500MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:1.02A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.15uH 电感器类型:电线 电阻:130m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 ASA00BB36-LS FET类型:隔离模块 输出数:2 电压 - 输入（最小值）:18V 电压 - 输入（最大值）:75V 电压 - 输出 1:12V 电压 - 输出 2:-12V 电流 - 输出（最大值）:250mA,250mA 功率:6W 电压 - 隔离:1.5KV 工作温度:-40°C ~ 71°C 效率:81% 封装/外壳:8-DIP 模块 封装/外壳:31.8mm x 20.3mm x 10.2mm 输出电压:±12V 直流 输入电压范围:18 → 75 V 直流 输入电压额定值:48 V 直流 隔离电压:1.5KV dc 功率:6W 输出电流:250mA 输出数目:2 封装/外壳:DIP 效能:81% 最低温度:-40°C 最高温度:+71°C 负载调节:<2% 系列:ASA 重量:20g 纹波和噪声:100mV 峰峰值 长度:31.75mm 平均故障间隔时间:>1000000h 深度:10.16mm
    未分类 ATS-18F-31-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:矩形,鳍片 长度:2.280"(57.90mm) 宽度:1.450"(36.83mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.230"(5.84mm) 不同强制气流时的热阻:25.23°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 PLA140
    未分类 MICC-R12M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:570MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:1.08A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.12uH 电感器类型:电线 电阻:120m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 1812Y5K00221KXR 容值:220pF 偏差:±10% 电压:5KV 温度系数:X7R(2R1) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-30-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:2.756"(70.00mm) 宽度:2.756"(70.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.984"(25.00mm) 不同强制气流时的热阻:5.31°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 PS1201
    未分类 MICC-R10M-02 Q 系数:35 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:600MHz 安装:THT 容差:±20% 工作电流:1.1A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:0.1uH 电感器类型:电线 电阻:110m Ohms 芯材料:苯酚
    未分类 9EPRS525AGLF PLL:是 主要用途:Intel CPU 服务器 输入:晶体 输出:时钟 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：19 差分 - 输入:输出:无/是 频率 - 最大值:400MHz 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:56-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) 封装/外壳:56-TSSOP
    未分类 ATS-18F-30-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:2.756"(70.00mm) 宽度:2.756"(70.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.984"(25.00mm) 不同强制气流时的热阻:5.30°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICC-8R2K-02 Q 系数:50 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:65MHz 安装:THT 容差:±10% 工作电流:0.24A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:8.2uH 电感器类型:电线 电阻:1.6 Ohms 芯材料:铁
    未分类 1812Y5K00220KCT 容值:22pF 偏差:±10% 电压:5KV 温度系数:C0G(NP0) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 ATS-18F-28-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:2.756"(70.00mm) 宽度:2.756"(70.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.590"(15.00mm) 不同强制气流时的热阻:10.58°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 1812Y5K00181JXT 容值:180pF 偏差:±5% 电压:5KV 温度系数:X7R(2R1) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 MICC-821K-02 Q 系数:60 主体尺寸:Ø3x7mm 共振频率:1.8MHz 安装:THT 容差:±10% 工作电流:0.06A 引线:轴向 测试频率:0.02MHz 电感:820uH 电感器类型:电线 电阻:25 Ohms 芯材料:铁
    未分类 ATS-18F-27-C3-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:2.756"(70.00mm) 宽度:2.756"(70.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.500"(12.70mm) 不同强制气流时的热阻:12.28°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICC-820K-02 Q 系数:60 主体尺寸:Ø3x7mm 共振频率:5.5MHz 安装:THT 容差:±10% 工作电流:0.175A 引线:轴向 测试频率:0.02MHz 电感:82uH 电感器类型:电线 电阻:3.2 Ohms 芯材料:铁
    未分类 ATS-18F-29-C1-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:2.756"(70.00mm) 宽度:2.756"(70.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.790"(20.00mm) 不同强制气流时的热阻:7.56°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 1812Y5K00181KCR 容值:180pF 偏差:±10% 电压:5KV 温度系数:C0G(NP0) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 MICC-6R8K-02 Q 系数:45 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:70MHz 安装:THT 容差:±10% 工作电流:0.25A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:6.8uH 电感器类型:电线 电阻:1.45 Ohms 芯材料:铁
    未分类 ATS-18F-25-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:2.362"(60.00mm) 宽度:2.362"(60.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.984"(25.00mm) 不同强制气流时的热阻:6.26°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 C300K1R0 电阻:1 Ohms 偏差:±10% 功率:300W 温度系数:±400ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 400°C 涂层，外壳类型:搪瓷涂层 安装特性:支架(不包括) 封装/外壳:28.58mm x 215.90mm 引线形式:焊片 封装/外壳:径向,管状
    未分类 MICC-681K-02 Q 系数:60 主体尺寸:Ø3x7mm 共振频率:2MHz 安装:THT 容差:±10% 工作电流:0.065A 引线:轴向 测试频率:0.02MHz 电感:680uH 电感器类型:电线 电阻:22 Ohms 芯材料:铁
    未分类 ATS-18F-27-C2-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:2.756"(70.00mm) 宽度:2.756"(70.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.500"(12.70mm) 不同强制气流时的热阻:12.24°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 1812Y5K00220KCR 容值:22pF 偏差:±10% 电压:5KV 温度系数:C0G(NP0) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:1812 封装/外壳:4.50mm x 3.20mm 厚度（最大值）:0.098"(2.50mm)
    未分类 MICC-680K-02 Q 系数:60 主体尺寸:Ø3x7mm 共振频率:5.7MHz 安装:THT 容差:±10% 工作电流:0.185A 引线:轴向 测试频率:0.02MHz 电感:68uH 电感器类型:电线 电阻:2.9 Ohms 芯材料:铁
    未分类 ATS-18F-26-C3-R0 FET类型:顶部安装 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:推脚 形状:方形,鳍片 长度:2.756"(70.00mm) 宽度:2.756"(70.00mm) 离基底高度（鳍片高度）:0.394"(10.00mm) 不同强制气流时的热阻:14.24°C/W @ 100 LFM 材料镀层:蓝色阳极氧化处理
    未分类 MICC-5R6K-02 Q 系数:45 主体尺寸:Ø3.3x7mm 共振频率:75MHz 安装:THT 容差:±10% 工作电流:0.26A 引线:轴向 测试频率:1MHz 电感:5.6uH 电感器类型:电线 电阻:1.3 Ohms 芯材料:铁

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