IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | CKR06BX104KSVTR1 | AVX | |
| 未分类 | ISL6613BIBZ | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | LTC-4627B | Lite-On(光宝) | 电压 - 正向（Vf）（典型值）:3V 电流 - 测试:5mA 毫烛光等级:13mcd 波长 - 峰值:468nm 功率:0.115W 封装/外壳:16-DIP(0.400",10.16mm),14 引线 字符数:4 封装/外壳:0.504" 高 x 1.582" 宽 x 0.276" 直径(12.80mm x 40.18mm x 7.00mm) 数字/字母大小:0.39"(10.00mm) 显示类型:7 段显示时钟 通用引脚:共阳极 颜色:蓝色 字符数:4 封装/外壳:0.504" 高 x 1.582" 宽 x 0.276" 直径(12.80mm x 40.18mm x 7.00mm) 数字/字母大小:0.39"(10.00mm) 显示类型:7 段显示时钟 通用引脚:共阳极 颜色:蓝色 电压 - 正向（Vf）（典型值）:3V 电流 - 测试:5mA 毫烛光等级:13mcd 波长 - 峰值:468nm 功率:0.115W 封装/外壳:16-DIP(0.400",10.16mm),14 引线 |
| 未分类 | CKR06BX104KSTR2 | AVX | |
| 未分类 | ISL6613BIRZ-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 未分类 | TPS65120RGTR | TI(德州仪器) | 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 电压 - 输入:2.5 V ~ 5.5 V 输出数:4 电压 - 输出:3V ~ 5.6V,最高可调至 20V,最低可调至 -18V 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 输入:2.5 V ~ 5.5 V 输出数:4 电压 - 输出:3V ~ 5.6V,最高可调至 20V,最低可调至 -18V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | CKR06BX104KSTR1 | AVX | |
| 未分类 | ISL6613BIR | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 未分类 | HDM16216L-5-Y10S | HANTRONIX | |
| 未分类 | CKR06BX104KRVTR2 | AVX | |
| 未分类 | ISL6613CBZ-TR5214 | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | HDM16216L-7-Z10S | HANTRONIX | |
| 未分类 | CKR06BX104KRVTR1 | AVX | |
| 未分类 | ISL6613CBZ-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | CKR06BX104KMVTR2 | AVX | |
| 未分类 | ISL6613CB | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | PHE450MF6560JR20LL2 | KEMET(基美) | |
| 未分类 | ISL6613CB-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | SC10-21CGKWA | KINGBRIGHT | 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.1V 电流 - 测试:20mA 毫烛光等级:95mcd 波长 - 峰值:574nm 功率:3/40W 封装/外壳:10-DIP(1.197",30.40mm) 字符数:1 Ohms 封装/外壳:1.339" 高 x 0.551" 宽 x 0.413" 直径(34.00mm x 14.00mm x 10.50mm) 数字/字母大小:1.00"(25.40mm) 显示类型:7 段显示 通用引脚:共阴极 颜色:绿色 |
| 未分类 | ISL6613BIRZ | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 未分类 | ISL6613BIR-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 未分类 | ACDC03-41CGKWA-F01 | KINGBRIGHT | 字符数:2 封装/外壳:0.394" 高 x 0.583" 宽 x 0.148" 直径(10.00mm x 14.80mm x 3.75mm) 数字/字母大小:0.30"(7.62mm) 显示类型:7 段显示 通用引脚:共阴极 颜色:绿色 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.1V 电流 - 测试:20mA 毫烛光等级:12mcd 波长 - 峰值:574nm 功率:3/40W 封装/外壳:20-SMD,无引线 |
| 未分类 | ISL6613BECB | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | NHD-12864WG-BTMI-V#N | NEWHAVEN | 点像素:128 x 64 接口:并联,8 位 点尺寸:0.39mm 宽 x 0.39mm 高 点间距:0.43mm 宽 x 0.43mm 高 显示类型:STN - 超扭转向列 显示模式:可传导的 可视范围:60.00mm 宽 x 31.26mm 高 背光:LED - 白 |
| 未分类 | KHB221KN24CGDWA | KEMET(基美) | |
| 未分类 | ISL6613BCRZ | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 |
| 未分类 | DA56-11CGKWA | KINGBRIGHT | 字符数:2 封装/外壳:0.984" 高 x 0.750" 宽 x 0.268" 直径(25.00mm x 19.05mm x 6.80mm) 数字/字母大小:0.56"(14.22mm) 显示类型:7 段显示 通用引脚:共阳极 颜色:绿色 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.1V 电流 - 测试:20mA 毫烛光等级:35mcd 波长 - 峰值:574nm 功率:3/40W 封装/外壳:18-DIP |
| 未分类 | C44UQET6170F7SJ | KEMET(基美) | |
| 未分类 | ISL6613BECB-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | DC04-11CGKWA | KINGBRIGHT | 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.1V 电流 - 测试:20mA 毫烛光等级:25mcd 波长 - 峰值:574nm 功率:3/40W 封装/外壳:16-DIP(0.500",12.70mm) 字符数:2 封装/外壳:0.795" 高 x 0.630" 宽 x 0.276" 直径(20.20mm x 16.00mm x 7.00mm) 数字/字母大小:0.39"(10.00mm) 显示类型:7 段显示 通用引脚:共阴极 颜色:绿色 |
| 未分类 | 1.5SMC27CA HE3 TRTB | Fagor Electronica | |
| 未分类 | ISL6613BIBZ-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | DC08-11CGKWA | KINGBRIGHT | 字符数:2 封装/外壳:1.400" 高 x 1.010" 宽 x 0.394" 直径(35.80mm x 25.85mm x 10.00mm) 数字/字母大小:0.80"(20.32mm) 显示类型:7 段显示 通用引脚:共阴极 颜色:绿色 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.1V 电流 - 测试:20mA 毫烛光等级:38mcd 波长 - 峰值:574nm 功率:3/40W 封装/外壳:18-DIP(0.866",22.00mm) |
| 未分类 | FES1DW HE3 TRTB | Fagor Electronica | |
| 未分类 | ISL6613BIB | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | BA56-12CGKWA | KINGBRIGHT | 字符数:3 封装/外壳:1.480" 高 x 0.748" 宽 x 0.319" 直径(37.60mm x 19.00mm x 8.10mm) 数字/字母大小:0.56"(14.22mm) 显示类型:7 段显示 通用引脚:共阳极 颜色:绿色 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.1V 电流 - 测试:20mA 毫烛光等级:35mcd 波长 - 峰值:574nm 功率:3/40W 封装/外壳:12-DIP(0.600",15.24mm) |
| 未分类 | 1.5SMC36CA HE3 TRTB | Fagor Electronica | |
| 未分类 | ISL6613BIB-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | SA08-12CGKWA | KINGBRIGHT | 字符数:1 Ohms 封装/外壳:1.091" 高 x 0.787" 宽 x 0.331" 直径(27.70mm x 20.00mm x 8.40mm) 数字/字母大小:0.80"(20.32mm) 显示类型:7 段显示 通用引脚:共阳极 颜色:绿色 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.1V 电流 - 测试:20mA 毫烛光等级:25mcd 波长 - 峰值:574nm 功率:3/40W 封装/外壳:16-DIP(0.600",15.24mm) |
| 未分类 | DME6P82K-F | CDE(美国大D) | 容值:820nF 偏差:±10% 额定电压 - AC:250V 额定电压 - DC:630V 介电材料:聚酯,金属化 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:径向 封装/外壳:1.220" 长 x 0.453" 宽(31.00mm x 11.50mm) 高度 - 安装（最大值）:0.807"(20.50mm) 端接:PC 引脚 引线间距:1.083"(27.50mm) |
| 未分类 | ISL6613BEIBZ | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | LDS-A404RE | LUMEX | |
| 未分类 | C115371-5611 | C&K | |
| 未分类 | ISL6613BEIBZ-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | TLC5958RTQR | TI(德州仪器) | 电压 - 输出:10V 电流 - 输出/通道:25mA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) FET类型:线性 拓扑:移位寄存器 内部开关:是 输出数:48 电压 - 供电（最低）:3V 电压 - 供电（最高）:5.5V FET类型:线性 拓扑:移位寄存器 内部开关:是 输出数:48 电压 - 供电（最低）:3V 电压 - 供电（最高）:5.5V 电压 - 输出:10V 电流 - 输出/通道:25mA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | C115371-5605 | C&K | |
| 未分类 | ISL6613BEIB | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | TPS65145RGER | TI(德州仪器) | 电流 - 电源:700µA 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘 电流 - 电源:700µA 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:24-VQFN(4x4) |
| 未分类 | C115366-9225C | C&K | |
| 未分类 | ISL6613BEIB-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | TPS65162RGZR | TI(德州仪器) | 电压 - 电源:8 V ~ 14.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFQFN 裸露焊盘 电压 - 电源:8 V ~ 14.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:48-VQFN(7x7) |
| 未分类 | C115370-6001 | C&K | |
| 未分类 | ISL6613BECBZ | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | TPS65140IPWPRQ1 | TI(德州仪器) | 电流 - 电源:700µA 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘 |
| 未分类 | 5810160011 | BEL | |
| 未分类 | ISL6613BECBZ-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | LCM-S01602DTR/C | LUMEX | 外形尺寸 L x W x H:85.00mm x 30.00mm x 8.90mm 可视范围:66.00mm 长 x 16.00mm 宽 背光:无背光 电压 - 电源:5V 点尺寸:0.56mm 宽 x 0.66mm 高 接口:并联 工作温度:0°C ~ 50°C 背景颜色:绿色 字符数:32 显示格式:16 x 2 字符格式:5 x 8 点 显示类型:TN - 扭曲向列 显示模式:反射 字符大小:5.56mm 高 x 2.96mm 宽 |
| 未分类 | CX3225GA10000D0PTWZ1 | AVX | |
| 未分类 | ISL6613BCRZ-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 |
| 未分类 | BLF898SU | AMPLEON | FET类型:LDMOS 频率:470MHz ~ 800MHz 增益:18dB 电压 - 测试:50V 电流 - 测试:900mA 功率 - 输出:900W 电压:120V 封装/外壳:SOT539B 封装/外壳:SOT539B |
| 未分类 | ISL6613BCR | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 未分类 | LCM-S04004DSF | LUMEX | 外形尺寸 L x W x H:190.00mm x 54.00mm x 14.50mm 可视范围:149.00mm 长 x 29.50mm 宽 背光:LED - 黄/绿 电压 - 电源:5V 点尺寸:0.50mm 宽 x 0.55mm 高 接口:并联 工作温度:0°C ~ 50°C 背景颜色:绿色 字符数:160 显示格式:40 x 4 字符格式:5 x 8 点 显示类型:STN - 超扭转向列 显示模式:穿透/反射式 字符大小:4.89mm 高 x 2.78mm 宽 |
| 未分类 | NDEELV-H104 | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613BCR-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 未分类 | NHD-0108CZ-FSW-GBW-33V3 | NEWHAVEN | 外形尺寸 L x W x H:69.00mm x 27.00mm x 13.00mm 可视范围:45.00mm 长 x 13.50mm 宽 背光:LED - 白 电压 - 电源:3.3V 点尺寸:0.80mm 宽 x 0.92mm 高 接口:并联 工作温度:-20°C ~ 70°C 文字颜色:蓝色 背景颜色:灰色 字符数:8 显示格式:8 x 1 字符格式:5 x 8 点 显示类型:STN - 超扭转向列 显示模式:穿透/反射式 字符大小:7.71mm 高 x 4.20mm 宽 |
| 未分类 | JX43450001 | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613BCBZ | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | NHD-0220GZ-FSW-GBW-L | NEWHAVEN | 外形尺寸 L x W x H:80.00mm x 36.00mm x 13.50mm 可视范围:64.50mm 长 x 16.40mm 宽 背光:LED - 白 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 点尺寸:0.46mm 宽 x 0.53mm 高 接口:并联 工作温度:-20°C ~ 70°C 文字颜色:蓝色 背景颜色:白色 字符数:40 显示格式:20 x 2 字符格式:5 x 8 点 显示类型:STN - 超扭转向列 显示模式:穿透/反射式 字符大小:4.62mm 高 x 2.49mm 宽 |
| 未分类 | JX43450002 | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613BCBZ-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | NHD-0108CZ-RN-GBW | NEWHAVEN | 外形尺寸 L x W x H:69.00mm x 27.00mm x 8.50mm 可视范围:45.20mm 长 x 13.80mm 宽 背光:无背光 电压 - 电源:4.7 V ~ 5.5 V 点尺寸:0.80mm 宽 x 0.92mm 高 接口:并联 工作温度:-20°C ~ 70°C 文字颜色:蓝色 背景颜色:灰色 字符数:8 显示格式:8 x 1 字符格式:5 x 8 点 显示类型:STN - 超扭转向列 显示模式:反射 字符大小:7.71mm 高 x 4.20mm 宽 |
| 未分类 | JX31050495 | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613AEIB | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | JX31050413 | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613AEIB-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | JX31050494 | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613AECBZ | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | LDS-A303RI | LUMEX | 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.1V 电流 - 测试:10mA 毫烛光等级:2.5mcd 波长 - 峰值:585nm 功率:0.105W 封装/外壳:14-DIP(0.300",7.62mm),10 引线 字符数:1 Ohms 封装/外壳:0.752" 高 x 0.401" 宽 x 0.240" 直径(19.10mm x 10.18mm x 6.10mm) 数字/字母大小:0.31"(7.87mm) 显示类型:7 段显示 通用引脚:共阳极 颜色:黄色 |
| 未分类 | JX61250009 | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613BCB | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | LK202-25-WB-V | MATRIX | |
| 未分类 | JX31050441 | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613BCB-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:7 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | LK204-25-GW-VPT | MATRIX | |
| 未分类 | FKFZ-174U-FKFZ9-19-01 | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613AIRZ | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 未分类 | LK204-7T-1U-GW | MATRIX | |
| 未分类 | FKFZ-174U-FKFZ6-19-02 | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613AIRZ-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 未分类 | LK204-25GW-E | MATRIX | |
| 未分类 | 923301E80H | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613AIR | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 未分类 | LK204-25-USB-WB | MATRIX | |
| 未分类 | 9243245509 | Amphenol(安费诺) | |
| 未分类 | ISL6613AIR-T | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:10-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 未分类 | LK204-7T-1U-USB-GW-E | MATRIX | |
| 未分类 | LTC2634IUD-LZ10#TRPBF | Analog Devices(亚德诺) | 位数:10 数模转换器数:4 建立时间:3.8µs(标准) 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:SPI 参考类型:外部, 内部 电压 - 电源，模拟:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，数字:2.7 V ~ 5.5 V INL/DNL（LSB）:±0.2,±0.5(最大) 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-WFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:16-QFN-EP(3x3) |
| 未分类 | ISL6613AIBZ | INTERSIL | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.8 V ~ 13.2 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36V 上升/下降时间（典型值）:26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | LK204-7T-1U-WB-V | MATRIX | |
| 未分类 | LT5400BCMS8E-3#TRPBF | Analog Devices(亚德诺) | 电阻:10KOhms,100KOhms 偏差:±15% 电阻器数:4 电阻匹配比:±0.025% 电阻匹配比漂移:±0.2 ppm/°C 引脚数:8 功率:4/5W 温度系数:±25ppm/°C 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-MSOP-EP 封装/外壳:0.118" 长 x 0.118" 宽(3.00mm x 3.00mm) 高度 - 安装（最大值）:0.043"(1.10mm) |