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> Nexperia(安世)
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率MOSFET | PMPB20ENZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1220 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:19.5mΩ@10V,24.5mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):1.7W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.5V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:435pF 输出电容:90pF 连续漏极电流Id:10.4A |
| 通用三极管 | PMST6429,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:500,1250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A |
| 未分类 | IP4771CZ16,118 | Nexperia(安世) | |
| 未分类 | 74ABT162240DGG,518 | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | PHPT60610PY | Nexperia(安世) | |
| 未分类 | PH4030DLV | Nexperia(安世) | |
| TVS二极管 | PTVS26VS1UR/8X | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOD123W 反向击穿电压Vbr:31.9V,28.9V 工作温度:150℃ 钳位电压Vc:42.1V |
| TVS二极管 | PESD42VS2UTR | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 反向工作电压Vrwm:42V |
| 总线收发器 | 74LVCH16245ADGV-QJ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT480 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:104 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:175MHz |
| 锁存器 | 74LVCH16373ADGV-QJ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT480 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:104,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 通用逻辑电路 | 74LVCH16244ADGV-QJ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT480 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:175MHz |
| 锁存器 | 74LVC16373ADGV-Q1J | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT480 传播延迟时间:2.4ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 锁存器 | 74LVC16373ADGVJ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT480 传播延迟时间:3.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:TTL |
| 总线收发器 | 74LVC16245ADGV-Q1J | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT480 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:104 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:175MHz |
| 通用逻辑电路 | 74LVC16244ADGV-Q1J | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT480 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:175MHz |
| 通用逻辑电路 | 74LVC16244ADGVJ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT480 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,37 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 24mA 通道数:16 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:175MHz |
| 总线收发器 | 74LVC162245ADGV-QJ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT480 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:82,36 电源电压:1.2 - 3.6 输出电流:± 12mA 通道数:16 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:175MHz |
| 小信号MOSFET | 2N7002/HAMR | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5300mΩ@4.5V,5000mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.83W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:2V,30V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:31pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.3A |
| 功率MOSFET | PMPB10ENZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1220 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:16mΩ@4.5V,12mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.5V,20V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:840pF 输出电容:155pF 连续漏极电流Id:14A |
| 未分类 | PLVA2656A/HP,235 | Nexperia(安世) | |
| 未分类 | PDTB123YT/APGR | Nexperia(安世) | |
| 未分类 | PBSS5140T/DG,215 | Nexperia(安世) | |
| TVS二极管 | IP4285CZ6-TD,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT457 反向工作电压Vrwm:5.5V |
| 通用逻辑电路 | 74AUP1G885DC,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT765 传播延迟时间:7.6ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:113,203 电源电压:1.1 - 3.6 输出电流:± 1.9mA 通道数:1 Ohms 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:70MHz |
| 未分类 | HEC4001BT,118 | Nexperia(安世) | |
| 未分类 | BUK753R5-60E,127 | Nexperia(安世) | |
| 通用逻辑电路 | 74HC04PW-Q100,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT402 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:142,68 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:6 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:36MHz |
| 通用三极管 | PIMC31F | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT457 尺寸:2.9 x 1.5 x 1 |
| 通用三极管 | PDTC143XUF | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 电阻器-发射极基底:10K Ohms 电阻器-基底:4.7KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100A |
| 小信号MOSFET | NX3008NBKVL | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1400mΩ@4.5V,2100mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.9V,8V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:34pF 输出电容:6.5pF 连续漏极电流Id:0.4A |
| 未分类 | I74F161AN,112 | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BCM847BV,315 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT666 尺寸:1.6 x 1.2 x 0.55 |
| 总线收发器 | 74LVCH245ADB,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT339 传播延迟时间:2.9ns 工作热阻:136 输出电流:+/- 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:175MHz |
| 未分类 | 74ALVCH16501DGG,11 | Nexperia(安世) | 逻辑类型:通用总线收发器 电路数:18 位 电流 - 输出高，低:24mA,24mA 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:56-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) 封装/外壳:56-TSSOP |