IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 模拟开关 | HEF4067BT,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT137 -3db带宽:13MHz 串扰:-50dB 导通电阻:175Ohms,20Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:29,47 电源电压:3.0 - 15 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | HEF4066BT,652 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT108 -3db带宽:90MHz 串扰:-50dB 导通电阻:175Ohms,20Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:60,102 电源电压:3.0 - 15 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | HEF4052BT,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:70MHz 串扰:-50dB 导通电阻:175Ohms,30Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:39.4,81 电源电压:3.0 - 15 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | 74AHC1G66GW,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT353 -3db带宽:280MHz 导通电阻:40Ohms,14Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:183,312 电源电压:2.0 - 5.5 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | 74AHCT1G66GW,125 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT353 -3db带宽:280MHz 导通电阻:40Ohms,14Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:183,312 电源电压:4.5 - 5.5 逻辑切换水平:TTL |
| 模拟开关 | 74HC4051PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:180MHz 导通电阻:200Ohms,20Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47.8,119 电源电压:2.0 - 10.0 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | 74HC4051D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:180MHz 导通电阻:200Ohms,20Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:86,45 电源电压:2.0 - 10.0 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | 74HC4053PW,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:170MHz 串扰:-dB 导通电阻:200Ohms,20Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:121,49.9 电源电压:2.0 - 10.0 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | 74HC4052D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:180MHz 串扰:-60dB 导通电阻:200Ohms,20Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:86,45 电源电压:2.0 - 10.0 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | 74HC4053PW,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:170MHz 串扰:-dB 导通电阻:200Ohms,20Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:121,49.9 电源电压:2.0 - 10.0 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | 74HC4053PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:170MHz 串扰:-dB 导通电阻:200Ohms,20Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49.9,121 电源电压:2.0 - 10.0 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | 74HC4052D,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:180MHz 串扰:-60dB 导通电阻:200Ohms,20Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:86,45 电源电压:2.0 - 10.0 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | 74HCT4053D,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:160MHz 串扰:-dB 导通电阻:225Ohms,20Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:88,47 电源电压:4.5 - 5.5 逻辑切换水平:TTL |
| 模拟开关 | 74HCT4051PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:170MHz 串扰:-dB 导通电阻:225Ohms,20Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:119,47.8 电源电压:4.5 - 5.5 逻辑切换水平:TTL |
| 模拟开关 | 74HCT4053PW,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:160MHz 串扰:-dB 导通电阻:225Ohms,20Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:121,49.9 电源电压:4.5 - 5.5 逻辑切换水平:TTL |
| 模拟开关 | 74LV4052D,118 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:180MHz 串扰:-60dB 导通电阻:125Ohms,15Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:78,37 电源电压:1.0 - 6.0 逻辑切换水平:TTL |
| 模拟开关 | 74HCT4851BQ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT763 -3db带宽:-MHz 串扰:-dB 导通电阻:240Ohms,-Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:80,47 电源电压:4.5 - 5.5 逻辑切换水平:TTL |
| 模拟开关 | 74LVC1G66GM,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT886 -3db带宽:440MHz 串扰:-dB 导通电阻:15Ohms,1.5Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:152,303 电源电压:1.65 - 5.5 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL |
| 模拟开关 | DG408LEDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 多路复用器/解复用器电路:8:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:23 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:1 欧姆 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 16 V 电压-电源，双（V±）:±3 V ~ 8 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:72ns,47ns 电荷注入:-11pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5.5pF,25pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:1nA 串扰:-98dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 模拟开关 | DG445DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 36 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:250ns,210ns 电荷注入:-1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:4pF,4pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-100dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 模拟开关 | DG412DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:35 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 44 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:9pF,9pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 模拟开关 | MC74HC4051ADTR2G | ON(安森美) | 多路复用器/解复用器电路:8:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:10 欧姆 电压- 电源，单（V+）:2 V ~ 6 V 电压-电源，双（V±）:±2 V ~ 6 V -3db带宽:80MHz 沟道电容（CS(off），CD（off））:130pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:200nA 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 电压 - 电源，双（V±）:±2 V ~ 6 V -3db 带宽:80MHz 沟道电容 （CS(off），CD（off））:130pF 电流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:200nA 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 电压 - 电源，单（V+）:2 V ~ 6 V |
| 模拟开关 | HEF4051BT,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT109 -3db带宽:70MHz 串扰:-50dB 导通电阻:175Ohms,30Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:33.3,75 电源电压:3.0 - 15 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | HEF4053BTT,112 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:70MHz 串扰:-50dB 导通电阻:175Ohms,30Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:44.5,116 电源电压:3.0 - 15 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | HEF4066BT,653 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT108 -3db带宽:90MHz 串扰:-50dB 导通电阻:175Ohms,20Ohms 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:60,102 电源电压:3.0 - 15 逻辑切换水平:CMOS |
| 模拟开关 | DG412DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:35 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 44 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:9pF,9pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 模拟开关 | BU4S66G2-TR | ROHM(罗姆) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:280 欧姆 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 16 V 沟道电容（CS(off），CD（off））:10pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:300nA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP |
| 模拟开关 | DG445DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 36 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:250ns,210ns 电荷注入:-1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:4pF,4pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-100dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |