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    模拟开关 DG9233DY Vishay(威世) 串扰:-90dB @ 1MHz 多路复用器/解复用器电路:1:1 导通电阻(最大值):30 欧姆 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 开关时间 (Ton,Toff)(最大值):75ns,50ns 开关电路:SPST - 常开 沟道电容(CS(off),CD(off)):7pF,13pF 电压- 电源,单(V+):2.7V ~ 12V 电流-漏泄(IS(off))(最大值):100pA 电荷注入:2pC 电路数:2 通道至通道匹配(ΔRon):400 毫欧
    模拟开关 DG202BAK-E3 Vishay(威世) 串扰:-95dB @ 100kHz 多路复用器/解复用器电路:1:1 导通电阻(最大值):85 欧姆 封装/外壳:16-CDIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 开关时间 (Ton,Toff)(最大值):300ns,200ns 开关电路:SPST - 常开 沟道电容(CS(off),CD(off)):5pF,5pF 电压- 电源,单(V+):4.5V ~ 25V 电压-供电,双 (V±):±4.5V ~ 22V 电流-漏泄(IS(off))(最大值):500pA 电荷注入:1pC 电路数:4 通道至通道匹配(ΔRon):2 欧姆
    模拟开关 DG306BDJ Vishay(威世) 串扰:-74dB @ 500kHz 多路复用器/解复用器电路:2:1 导通电阻(最大值):50 欧姆 封装/外壳:14-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 开关时间 (Ton,Toff)(最大值):110ns,70ns(标准) 开关电路:DPST - 常开 沟道电容(CS(off),CD(off)):14pF,14pF 电压-供电,双 (V±):±15V 电流-漏泄(IS(off))(最大值):5nA 电荷注入:30pC 电路数:2
    模拟开关 74HCT4067D-Q100J Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT137 导通电阻:225Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:62,45 电源电压:4.5 - 5.5 逻辑切换水平:TTL
    模拟开关 74LVC1G3157GXZ Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT1255 -3db带宽:300MHz 串扰:-dB 导通电阻:1.5Ohms,15Ohms 工作温度:-40~125℃ 电源电压:1.65 - 5.5 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL
    模拟开关 SJM181BCC01 Vishay(威世)
    模拟开关 AOZ6238QT AOS(万代) 封装/外壳:10-TQFN(1.4x1.8)
    模拟开关 DG405BDJ Vishay(威世) 串扰:-94.8dB @ 1MHz 多路复用器/解复用器电路:1:1 导通电阻(最大值):45 欧姆 封装/外壳:16-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 开关时间 (Ton,Toff)(最大值):150ns,100ns 开关电路:SPST - 常开 沟道电容(CS(off),CD(off)):12pF,12pF 电压-供电,双 (V±):±15V 电流-漏泄(IS(off))(最大值):500pA 电荷注入:60pC 电路数:4
    模拟开关 PI5L200WEX Diodes(达尔(美台)) 封装/外壳:16-SOIC
    模拟开关 74HCT4052PW-Q100,1 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:17ns 导通电阻:225Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:119,48 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 逻辑切换水平:TTL
    模拟开关 74HCT4052PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 -3db带宽:170MHz 串扰:-60dB 导通电阻:20Ohms,225Ohms 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47.8,119 电源电压:4.5 - 5.5 逻辑切换水平:TTL
    模拟开关 PI2DBS212ZHEX Diodes(达尔(美台)) 封装/外壳:28-VFQFN

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