参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIR422DP-T1-GE3
说明	功率MOSFET   SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6793 [库存更新时间：2025-04-06]
系列	SIR
零件号别名	SIR422DP-GE3
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	48nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1785pF @ 20V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOIC-8
连续漏极电流Id	20.5A
Pd-功率耗散(Max)	34.7W
Qg-栅极电荷	48nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.6mΩ
漏源极电压Vds	40V
栅极电压Vgs	1.2V
上升时间	84ns
下降时间	11ns
典型关闭延迟时间	28ns
典型接通延迟时间	19ns
正向跨导 - 最小值	70S
通道数量	1Channel
配置	Single