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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | STP4N90K5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ K5 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:173pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V FET类型:电流感测 Pd-功率耗散(Max):60W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.1 Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 连续漏极电流Id:3A |
| 通用MOSFET | STP8N90K5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ K5 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 栅极电压Vgs:±30V FET类型:电流感测 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 通用MOSFET | IPD80R360P7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 280µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:930pF @ 500V Pd-功率耗散(Max):84W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:360 毫欧 @ 5.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:500V |
| 通用MOSFET | SI1012R-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:500mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.75nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±6V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:700m Ohms@600mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-75A 封装/外壳:SC-75-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:600mA Rds On(Max)@Id,Vgs:700mΩ |
| 通用MOSFET | SI1035X-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:180mA,145mA Rds On(Max)@Id,Vgs:5 Ohms@200mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:400mV @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.75nC @ 4.5V Pd-功率耗散(Max):250mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 封装/外壳:SC-89-6 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:180mA Rds On(Max)@Id,Vgs:8 Ohms |
| 通用MOSFET | SI1029X-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:305mA,190mA Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4 Ohms@500mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.75nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:30pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):250mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 封装/外壳:SC-89-6 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:305mA Rds On(Max)@Id,Vgs:3 Ohms,8 Ohms |
| 通用MOSFET | SI1021R-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:190mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.7nC @ 15V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:23pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):250mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4 Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-75A 封装/外壳:SC-75-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:190mA Rds On(Max)@Id,Vgs:8 Ohms |
| 通用MOSFET | SI1400DL-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:1.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):568mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150m Ohms@1.7A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363-6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ |
| 功率MOSFET | SI2337DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:500pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):760mW(Ta),2.5W(Tc) 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:1.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:270mΩ |
| 通用MOSFET | SI1411DH-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:420mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.3nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.6 Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SC-70-6 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:420mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7Ω |
| 通用MOSFET | SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:2.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:375pF @ 6V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@2.8A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ |
| 通用MOSFET | SI1902DL-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:660mA Rds On(Max)@Id,Vgs:385m Ohms@660mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V Pd-功率耗散(Max):270mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6(SOT-363) 封装/外壳:SOT-363-6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:700mA Rds On(Max)@Id,Vgs:385mΩ |
| 通用MOSFET | SI1471DH-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:2.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:445pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta),2.78W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363-6 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.8A Rds On(Max)@Id,Vgs:175mΩ |
| 功率MOSFET | SI1967DH-T1-GE3 | Vishay(威世) | 高度:1 mm 长度:2.1 mm 宽度:1.25 mm 零件号别名:SI1903DL-T1-GE3 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:110pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:490mΩ |
| 通用MOSFET | SI1473DH-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:2.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:365pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta),2.78W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363-6 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.8A Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ |
| 功率MOSFET | SI2303CDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SI 高度:1.45 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.6 mm 零件号别名:SI2303BDS-T1-E3-S 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:155pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta),2.3W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ |
| 功率MOSFET | SI2324DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.9V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta),2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:234m Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A |
| 小信号MOSFET | SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.5nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):710mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:57mΩ 漏源极电压Vds:0.85V |
| 功率MOSFET | SI2308BDS-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:SI 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.09W(Ta),1.66W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:156mΩ |
| 通用MOSFET | SI2319DS-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:2.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:470pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):750mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:82m Ohms@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:82mΩ |
| 功率MOSFET | SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SI 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:405pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):860mW(Ta),1.6W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:112mΩ |
| 通用MOSFET | SI3407DV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1670pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),4.2W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:24m Ohms@7.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:TSOP-6 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:24mΩ |
| 通用MOSFET | SI3475DV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:950mA(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:500pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),3.2W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.61 Ohms@900mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:TSOP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:0.75A |
| 功率MOSFET | SI2356DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:370pF @ 20V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):960mW(Ta),1.7W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:56mΩ 漏源极电压Vds:1.5V |
| 功率MOSFET | SI2347DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:705pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta),1.7W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:68mΩ |
| 通用MOSFET | SI2328DS-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:1.15A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250m Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ |
| 功率MOSFET | SI3457CDV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:5.1A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:450pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),3W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:74mΩ@4.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOP-6 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:74mΩ 漏源极电压Vds:3V |
| 通用MOSFET | SI1965DH-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2P-Channel 连续漏极电流Id:1.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:390mΩ@1A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.2nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:120pF @ 6V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6(SOT-363) 封装/外壳:SC-70-6 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:1.14A Rds On(Max)@Id,Vgs:390mΩ 漏源极电压Vds:1V |
| 功率MOSFET | SI4062DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3175pF @ 30V 连续漏极电流Id:32.1A Pd-功率耗散(Max):7.8W Qg-栅极电荷:40nC Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1.4V 上升时间:6ns 下降时间:8ns 典型关闭延迟时间:34ns 典型接通延迟时间:16ns 封装/外壳:SO-8 正向跨导 - 最小值:80S 系列:SI4 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 通用MOSFET | SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:4.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21nC @ 8V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta),1.8W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:61m Ohms@3.2A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ |
| 通用MOSFET | SI3443BDV-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:3.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:60m Ohms@4.7A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:TSOP-6 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:60mΩ |
| 通用MOSFET | SI2323DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:3.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1020pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):750mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:39m Ohms@4.7A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:39mΩ |
| 功率MOSFET | SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35nC @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta),1.7W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.8A Rds On(Max)@Id,Vgs:45mΩ |
| 功率MOSFET | SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:118nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4085pF @ 50V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):4.2W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:21mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:8A |
| 功率MOSFET | SI3932DV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:235pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.4W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOP-6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:47mΩ |
| 通用MOSFET | SI1922EDH-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:198m Ohms@1A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.5nC @ 8V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6(SOT-363) 封装/外壳:SOT-363-6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:198m Ohms 漏源极电压Vds:1V |
| 通用MOSFET | SI3499DV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:5.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:750mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±5V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:23m Ohms@7A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:TSOP-6 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:8V 连续漏极电流Id:5.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:23mΩ |
| 通用MOSFET | SI4800BDY-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:6.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 5V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.3W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:18.5mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:18.5m Ohms |
| 通用MOSFET | SI3900DV-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:125m Ohms@2.4A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4nC @ 4.5V Pd-功率耗散(Max):830mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSOP 封装/外壳:TSOP-6 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2A Rds On(Max)@Id,Vgs:125mΩ |
| 通用MOSFET | SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:65nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1960pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),5.6W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:18m Ohms@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:18mΩ |
| 通用MOSFET | SI4804CDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:8A Rds On(Max)@Id,Vgs:22m Ohms@7.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:865pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):3.1W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ |
| 通用MOSFET | SI4442DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:15A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5m Ohms@22A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:22A Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5mΩ |
| 通用MOSFET | SI4559ADY-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:5.3A,3.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:58m Ohms@4.3A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:665pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):3.1W,3.4W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:46m Ohms,100m Ohms |
| 通用MOSFET | SI4838BDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:34A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:84nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5760pF @ 6V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),5.7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7m Ohms@15A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:34A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7mΩ |
| 通用MOSFET | SI4686DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:18.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1220pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),5.2W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.5m Ohms@13.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13.8A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.5mΩ |
| 功率MOSFET | SI4116DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:56nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1925pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),5W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:12.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:8.6mΩ |
| 通用MOSFET | SI4434DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:2.1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:155m Ohms@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:3A Rds On(Max)@Id,Vgs:155mΩ |
| 通用MOSFET | SI4890DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 5V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11A Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ |
| 通用MOSFET | SI4154DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:36A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:105nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4230pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.5W(Ta),7.8W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.3mΩ@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:36A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7mΩ |
| 通用MOSFET | SI4532ADY-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:3.7A,3A Rds On(Max)@Id,Vgs:53m Ohms@4.9A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.13W,1.2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:44m Ohms,62m Ohms |
| 通用MOSFET | SI4848DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:2.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:85m Ohms@3.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:3.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:85mΩ |
| 通用MOSFET | SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:19.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2610pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),5.7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.8m Ohms@13A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.8mΩ |
| 通用MOSFET | SI5906DU-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:31m Ohms@4.8A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:300pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):10.4W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® ChipFet 双 封装/外壳:PowerPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6A |
| 通用MOSFET | SI4532ADY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:3.7A,3A Rds On(Max)@Id,Vgs:53m Ohms@4.9A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.13W,1.2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:80mΩ |
| 通用MOSFET | SI4403CDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:13.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:90nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2380pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:15.5m Ohms@9A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:13.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:15.5mΩ 漏源极电压Vds:1V |
| 通用MOSFET | SI4931DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:18mΩ@8.9A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 350µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:52nC @ 4.5V Pd-功率耗散(Max):1.1W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:6.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:18mΩ |
| 功率MOSFET | SI4904DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:85nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2390pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):3.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:8A Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ |
| 通用MOSFET | SI4866BDY-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:21.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5020pF @ 6V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),4.45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.3m Ohms@12A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:16.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:5.3mΩ |
| 通用MOSFET | SI5476DU-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.1W(Ta),31W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:34m Ohms@4.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN 封装/外壳:PowerPak-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7A Rds On(Max)@Id,Vgs:34mΩ |
| 通用MOSFET | SI5406CDC-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 6V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta),5.7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@6.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SMD 封装/外壳:ChipFET-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:6A Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ |
| 通用MOSFET | SI4932DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:15m Ohms@7A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:48nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1750pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):3.2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8A Rds On(Max)@Id,Vgs:15mΩ |
| 通用MOSFET | SI5476DU-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.1W(Ta),31W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:34m Ohms@4.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN 封装/外壳:PowerPak-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7A Rds On(Max)@Id,Vgs:34mΩ |
| 通用MOSFET | SI7328DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2610pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):3.78W(Ta),52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.6m Ohms@18.9A,10V 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:18.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:6.6mΩ |
| 通用MOSFET | SI7322DN-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:18A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:750pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:58m Ohms@5.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:5.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:58mΩ |
| 通用MOSFET | SI6466ADQ-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 5V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.05W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:14m Ohms@8.1A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 功率MOSFET | SI7232DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 高度:1.04 mm 宽度:3.3 mm 零件号别名:SI7232DN-GE3 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1220pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):23W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:10A Rds On(Max)@Id,Vgs:16.4mΩ |
| 通用MOSFET | SI5475DDC-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 6V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta),5.7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:32m Ohms@5.4A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SMD 封装/外壳:ChipFET-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:6A Rds On(Max)@Id,Vgs:32mΩ |
| 通用MOSFET | SI7143DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2230pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):4.2W(Ta),35.7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10m Ohms@16.1A,10V 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:35A Rds On(Max)@Id,Vgs:8.3mΩ |
| 通用MOSFET | SI7104DN-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2800pF @ 6V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.7m Ohms@26.1A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:26.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:3.7mΩ |
| 功率MOSFET | SI7115DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:8.9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1190pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.7W(Ta),52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:295mΩ@4A,10V 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:295mΩ |
| 通用MOSFET | SI5933CDC-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2P-Channel 连续漏极电流Id:3.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:144m Ohms@2.5A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.8nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:276pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):2.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:1206-8 ChipFET™ 封装/外壳:ChipFET-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:144mΩ |
| 通用MOSFET | SI6968BEDQ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:5.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ@6.5A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 4.5V Pd-功率耗散(Max):1W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSSOP 封装/外壳:TSSOP-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ |
| 通用MOSFET | SI6415DQ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:19m Ohms@6.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 封装/外壳:TSSOP-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:19mΩ |
| 通用MOSFET | SI7434DP-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:2.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:155m Ohms@3.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:155mΩ |
| 通用MOSFET | SI6423DQ-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:8.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 400µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:110nC @ 5V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.05W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5m Ohms@9.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 封装/外壳:TSSOP-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:8.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5mΩ |
| 通用MOSFET | SI7252DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:18m Ohms@15A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1170pF @ 50V Pd-功率耗散(Max):46W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 Dual 封装/外壳:PowerPak-Dual-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:36.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ |
| 功率MOSFET | SI7137DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:585nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:20000pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):6.25W(Ta),104W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:42A Rds On(Max)@Id,Vgs:1.95mΩ |
| 通用MOSFET | SI7336ADP-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:30A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):5.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3m Ohms@25A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:30A Rds On(Max)@Id,Vgs:3mΩ |
| 通用MOSFET | SI7812DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:840pF @ 35V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:37m Ohms@7.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:7.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:37mΩ |
| 功率MOSFET | SI7288DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:565pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):15.6W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20A Rds On(Max)@Id,Vgs:15.6mΩ |
| 功率MOSFET | SI7224DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:570pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):17.8W,23W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6A Rds On(Max)@Id,Vgs:27mΩ,22mΩ |
| 通用MOSFET | SI7170DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:100nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4355pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):5W(Ta),48W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.4m Ohms@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:40A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7mΩ |
| 功率MOSFET | SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:455pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):3.1W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:ChipFET-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ |
| 通用MOSFET | SI7405BDN-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:115nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 6V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):3.6W(Ta),33W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13m Ohms@13.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:13.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:13mΩ |
| 通用MOSFET | SI7106DN-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:12.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.2m Ohms@19.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:12.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:6.2mΩ |
| 功率MOSFET | SI7454DDP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):4.1W(Ta),29.7W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:21A Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ 漏源极电压Vds:3V |
| 通用MOSFET | SI7489DP-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:28A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4600pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):5.2W(Ta),83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:41m Ohms@7.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:7.8A Rds On(Max)@Id,Vgs:41mΩ |
| 功率MOSFET | SI7454DDP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):4.1W(Ta),29.7W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:21A Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ 漏源极电压Vds:3V |
| 通用MOSFET | SI7820DN-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:1.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:240m Ohms@2.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:1.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:240mΩ |
| 通用MOSFET | SI7463DP-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:11A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:140nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.2mΩ@18.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:11A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.2mΩ |
| 通用MOSFET | SI7900AEDN-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:26m Ohms@8.5A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 4.5V Pd-功率耗散(Max):1.5W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 Dual 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6A Rds On(Max)@Id,Vgs:26mΩ |
| 通用MOSFET | SI7862ADP-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:18A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7340pF @ 8V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3m Ohms@29A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:16V 连续漏极电流Id:18A Rds On(Max)@Id,Vgs:3mΩ |
| 通用MOSFET | SI8401DB-T1-E1 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:3.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.47W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:65m Ohms@1A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:4-XFBGA,CSPBGA 封装/外壳:MicroFoot-4 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:65mΩ |
| 通用MOSFET | SI7489DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:28A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4600pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):5.2W(Ta),83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:41m Ohms@7.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:7.8A Rds On(Max)@Id,Vgs:41mΩ |
| 通用MOSFET | SI7923DN-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:47m Ohms@6.4A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21nC @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.3W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 Dual 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:47mΩ |
| 通用MOSFET | SI8424CDB-T1-E1 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2340pF @ 4V 栅极电压Vgs:±5V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta),2.7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:20m Ohms@2A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:4-uFBGA,WLCSP 封装/外壳:MicroFoot-4 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:8V 连续漏极电流Id:10A Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ 漏源极电压Vds:800mV |
| 通用MOSFET | SI7913DN-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:2P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:37m Ohms@7.4A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 4.5V Pd-功率耗散(Max):1.3W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 Dual 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5A Rds On(Max)@Id,Vgs:37mΩ |
| 通用MOSFET | SI7866ADP-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:125nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5415pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):5.4W(Ta),83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:40A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4mΩ |
| 功率MOSFET | SI7848BDP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):4.2W(Ta),36W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:16A Rds On(Max)@Id,Vgs:9mΩ |
| 功率MOSFET | SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:58A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:77nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3540pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):4.6W(Ta),46W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ@16A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:18.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5mΩ |