IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 小信号MOSFET | PMCM650CUNEZ | 封装/外壳:NAX000 FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):0.556W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.7V,8V 输出电容:2pF | |
| 通用MOSFET | IRLR014TR | 连续漏极电流Id:7.7A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±10V Rds On(Max)@Id,Vgs:200 mOhms @ 4.6A,5V Vgs(th):2V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),25W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 功率MOSFET | IPI50R399CPXKSA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):399 毫欧 @ 4.9A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 330uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):890pF @ 100V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):23nC @ 10V 功率耗散(最大值):83W(Tc) 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):500V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V | |
| 通用MOSFET | IRFS9N60ATRLPBF | 连续漏极电流Id:9.2A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:750 mOhms @ 5.5A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):170W(Tc) 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:600V | |
| 通用MOSFET | IRLI630GPBFn: 0 | 连续漏极电流Id:6.2A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±10V Rds On(Max)@Id,Vgs:400 mOhms @ 3.7A,5V Vgs(th):2V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):35W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:200V | |
| 通用MOSFET | IRF9Z14PBFn: 0 | 连续漏极电流Id:6.7A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:500 mOhms @ 4A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):43W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 通用MOSFET | TK7S10N1Z,LQn: | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:48 毫欧 @ 3.5A,10V Vgs(th):4V @ 100uA Vgs(最大值):±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):470 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):7.1 nC @ 10 V 产品状态:在售 封装/外壳:DPAK+ 工作温度:175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压Vds:100 V 连续漏极电流Id:7A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V | |
| 通用MOSFET | STD4NK50ZT4n: 0 | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:310pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:3A | |
| 通用MOSFET | FDPF5N60NZn: 0 | 系列:UniFET-II™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 25V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):33W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2 Ohms@2.25A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220F FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4.5A | |
| 通用MOSFET | IPI70N04S4-06n: | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:70A Rds On(Max)@Id,Vgs:6.2mΩ 配置:Single 高度:9.45mm 长度:10.2mm 系列:OptiMOS-T2 FET类型:N-Channel 宽度:4.5mm | |
| 通用MOSFET | FDG327NZp | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:412pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):420mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:90m Ohms@1.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SC-70 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A | |
| 通用MOSFET | STGP6NC60HDn: 0 | 系列:PowerMESH™ 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流-集电极(Icm):21A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,3A Pd-功率耗散(Max):56W 开关能量:20µJ(开),68µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:12ns/76ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:21ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB | |
| 通用MOSFET | FGP10N60UNDFn: | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流-集电极(Icm):30A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.45V @ 15V,10A Pd-功率耗散(Max):139W 开关能量:150µJ(开),50µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:8ns/52.2ns 测试条件:400V,10A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37.7ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 | |
| 功率MOSFET | IPD50R380CEBTMA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):9.9A(Tc) FET功能:超级结 FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):380 毫欧 @ 3.2A,13V 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 260uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):584pF @ 100V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):24.8nC @ 10V 功率耗散(最大值):73W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):500V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):13V | |
| 功率MOSFET | STD86N3LH5n: 0 | 系列:STripFET™ V 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1850pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK 70 W:Pd - 功率消耗 下降时间:10.8 ns 上升时间:14 ns 标准包装数量:2500 标准断开延迟时间:23.6 ns FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:22V 连续漏极电流Id:80A Rds On(Max)@Id,Vgs:5mΩ 配置:Single | |
| 通用MOSFET | STGP8NC60KDn: 0 | 反向恢复时间（trr）:23.5ns 系列:PowerMESH™ Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):600V Current-Collector(Ic)(Max):15A Current-CollectorPulsed(Icm):30A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.75V @ 15V,3A Power-Max:65W 开关能量:55µJ(开),85µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:17ns/72ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB | |
| 通用MOSFET | FDP8880px | 系列:PowerTrench® 连续漏极电流Id:11A(Ta),54A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1240pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):55W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:11.6m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11A | |
| 通用MOSFET | STP5NK80ZFPn: 0 | 系列:PowerMESH™ 连续漏极电流Id:4.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:910pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):30W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4 Ohms@2.15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:4.3A | |
| 通用MOSFET | STL12N65M2n: 0 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:410pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):48W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:750m Ohms@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:5A | |
| 通用MOSFET | SIR818DP-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:50A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:2.8 mOhms @ 20A,10V Vgs(th):2.4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):5.2W(Ta),69W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | FQP7P06px | 系列:QFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:295pF @ 25V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:410m Ohms@3.5A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7A | |
| 小信号MOSFET | BSS138DW-7-Fn: | 系列:BSS 高度:1 mm 长度:2.2 mm 宽度:1.35 mm 配置:Dual 栅极电压Vgs:20V 通道数量:2 Channel 典型关闭延迟时间:20 ns Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5Ω@220mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):200mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A | |
| 通用MOSFET | TK100S04N1L,LQn | FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):100W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs:2.3 毫欧 @ 50A,10V Vgs(th):2.5V @ 500uA Vgs(最大值):±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5490 pF @ 10 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):76 nC @ 10 V 产品状态:在售 封装/外壳:DPAK+ 工作温度:175°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源极电压Vds:40 V 连续漏极电流Id:100A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V | |
| 通用MOSFET | FQB19N20LTMn: 0 | 系列:QFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.13W(Ta),140W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:140m Ohms@10.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:21A | |
| 通用MOSFET | FQP13N06L | 系列:QFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:13.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.4nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@6.8A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13.6A | |
| 通用MOSFET | SI2367DS-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:3.8A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±8V Rds On(Max)@Id,Vgs:66 mOhms @ 2.5A,4.5V Vgs(th):1V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):960mW(Ta),1.7W(Tc) 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 功率MOSFET | IPD50R800CEBTMA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):5A(Tc) FET功能:超级结 FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):800 毫欧 @ 1.5A,13V 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 130uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):280pF @ 100V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):12.4nC @ 10V 功率耗散(最大值):40W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):500V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):13V | |
| 通用MOSFET | STF80N10F7n: 0 | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VII 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3100pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):30W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:40A | |
| 功率MOSFET | IPU60R600C6BKMA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):7.3A(Tc) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):600 毫欧 @ 2.4A,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 200uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):440pF @ 100V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):20.5nC @ 10V 功率耗散(最大值):63W(Tc) 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V | |
| 通用MOSFET | STF15N95K5n: 0 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:900pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):30W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:500m Ohms@6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用MOSFET | STGW40H65FBn: 0 | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:650V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流-集电极(Icm):160A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,40A Pd-功率耗散(Max):283W 开关能量:498mJ(开),363mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:40ns/142ns 测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 | |
| 通用MOSFET | IRFI9520GPBFn: | 连续漏极电流Id:5.2A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:600 mOhms @ 3.1A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):37W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 功率MOSFET | SI4126DY-T1-GE3 | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:105nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4405pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.5W(Ta),7.8W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:39A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7mΩ | |
| 功率MOSFET | STF10NM60Nn: 0 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:10A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19nC @ 10V 栅极电压Vgs:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:540pF @ 50V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 | |
| 通用MOSFET | SI7218DN-T1-E3n | 连续漏极电流Id:24A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:25 mOhms @ 8A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):23W 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | IRF510STRRPBFn: | 连续漏极电流Id:5.6A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:540 mOhms @ 3.4A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.7W(Ta),43W(Tc) 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | STGP10NB60Sn: 0 | 系列:PowerMESH™ 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:29A 脉冲电流-集电极(Icm):80A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.75V @ 15V,10A Pd-功率耗散(Max):80W 开关能量:600µJ(开),5mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:700ns/1.2µs 测试条件:480V,10A,1 千欧,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB | |
| 通用MOSFET | IRFP9140PBFn: 0 | 连续漏极电流Id:21A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:200 mOhms @ 13A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):180W(Tc) 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | FDMS3686S | 系列:PowerTrench® FET类型:2N沟道(双)非对称型 连续漏极电流Id:13A,23A Rds On(Max)@Id,Vgs:8m Ohms@13A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1785pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:Power56 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13A/23A | |
| 通用MOSFET | FDS6890Ap | 系列:PowerTrench® FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:18m Ohms@7.5A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2130pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):900mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.5A | |
| 通用MOSFET | STQ3N45K3-APn: | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:600mA(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):3W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.8 Ohms@500mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 封装/外壳:TO-92Ammo FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:450V 连续漏极电流Id:0.6A | |
| 功率MOSFET | RCJ330N25TLn: 0 | 连续漏极电流Id:33A Pd-功率耗散(Max):211W Qg-栅极电荷:80nC Rds On(Max)@Id,Vgs:77mΩ 漏源极电压Vds:250V 栅极电压Vgs:3V 上升时间:200ns 下降时间:140ns 典型关闭延迟时间:120ns 典型接通延迟时间:50ns 封装/外壳:TO-263-3 系列:RCJ330N25 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C | |
| 通用MOSFET | STGB15H60DFn: 0 | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流-集电极(Icm):60A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 15V,15A 开关能量:136µJ(开),207µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:24.5ns/118ns 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:103ns 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK 栅极/发射极最大电压:± 20 V 栅极—射极漏泄电流:250 nA 系列:STGB15H60DF 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.6 V Pd-功率耗散(Max):115W 在25 C的连续集电极电流:30 A 最大工作温度:+ 175 C 最小工作温度:- 55 C | |
| 功率MOSFET | SI1062X-T1-GE3n | 封装/外壳:SC-89 FET类型:N-Channel | |
| 通用MOSFET | SH8M41TB1 | 工作温度:150°C(TJ) 功率-最大值:2W FET功能:逻辑电平门 FET类型:N+P-Channel 漏源电压(Vdss):80V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):600pF @ 10V 封装/外壳:8-SOP 25°C时电流-连续漏极(Id):3.4A,2.6A 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):9.2nC @ 5V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):130 毫欧 @ 3.4A,10V | |
| 通用MOSFET | STP80N70F6n: 0 | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VI 连续漏极电流Id:96A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:99nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5850pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8m Ohms@48A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:68V 连续漏极电流Id:96A | |
| 通用MOSFET | STGB18N40LZT4n: | 系列:PowerMESH™ Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):420V Current-Collector(Ic)(Max):30A Current-CollectorPulsed(Icm):40A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.7V @ 4.5V,10A Power-Max:150W 输入类型:逻辑 25°C时Td（开/关）值:650ns/13.5µs 测试条件:300V,10A,5V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK | |
| 小信号MOSFET | DMN2014LHAB-7n: | Rds On(Max)@Id,Vgs:13mΩ@4A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1550pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):800mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:9A | |
| 通用MOSFET | STGD14NC60KT4n: | 系列:PowerMESH™ 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:25A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,7A Pd-功率耗散(Max):80W 开关能量:82µJ(开),155µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:22.5ns/116ns 测试条件:390V,7A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak | |
| 通用MOSFET | STL8N65M2 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 栅极电压Vgs:±25V 工作温度:-55°C~150°C(TA) FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:5A | |
| 通用MOSFET | STF19NF20 | 系列:MESH OVERLAY™ 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:160m Ohms@7.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:15A | |
| 通用MOSFET | MMBF5486p | FET类型:N通道JFET 频率:400MHz 电压-测试:15V 额定电流:20mA 噪声系数:4dB 电压:25V 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 通用MOSFET | STP90N6F6 | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VI 连续漏极电流Id:84A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:74.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4295pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):136W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.8m Ohms@38.5A,10V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel Ciss-输入电容:4295 pF 连续漏极电流Id:84A 典型关闭延迟时间:73 ns FET类型:N-Channel 最大工作温度:+ 175 C 最小工作温度:- 55 C Pd-功率耗散(Max):136W 配置:Single Qg-栅极电荷:74.9 nC Rds On(Max)@Id,Vgs:6.8mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:4V Vgs-栅源极击穿电压:± 20 V 上升时间:42 ns 下降时间:16 ns | |
| 功率MOSFET | SI4909DY-T1-GE3 | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):3.2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:8A Rds On(Max)@Id,Vgs:27mΩ | |
| 通用MOSFET | FCU850N80Zn: 0 | 系列:SuperFET® II FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 600µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1315pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):75W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:850mΩ@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 ,IPak,TO-251AA 封装/外壳:IPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:6A | |
| 通用MOSFET | FQA32N20C | 系列:QFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:32A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:110nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2220pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):204W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:82m Ohms@16A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 封装/外壳:TO-3PN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:32A | |
| 通用MOSFET | STB155N3H6n: 0 | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VI 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:62nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3650pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:80A | |
| 通用MOSFET | IRF9Z24SPBFn: 0 | 连续漏极电流Id:11A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:280 mOhms @ 6.6A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.7W(Ta),60W(Tc) 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 通用MOSFET | SIZ790DT-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:16A,35A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:9.3 mOhms @ 15A,10V Vgs(th):2.2V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):27W,48W 封装/外壳:6-PowerPair™ 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | SI4202DY-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:12.1A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:14 mOhms @ 8A,10V Vgs(th):2.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.7W 封装/外壳:8-SOIC 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | FQPF2N60C | 系列:QFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:235pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):23W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.7 Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220F FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:2A | |
| 通用MOSFET | STL10N65M2n: 0 | 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:315pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):48W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1 Ohms@2.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V | |
| 功率MOSFET | RCX100N25 | 连续漏极电流Id:10A Pd-功率耗散(Max):40W Rds On(Max)@Id,Vgs:320mΩ 漏源极电压Vds:250V 封装/外壳:TO-220FP-3 FET类型:N-Channel 系列:RCX100N25 | |
| 通用MOSFET | STF6N65K3 | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:5.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:35nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:880pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):30W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3 Ohms@2.8A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:5.4A | |
| 通用MOSFET | STD5N95K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:3.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:220pF @ 100V 栅极电压Vgs:30V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:3.5A | |
| 通用MOSFET | IPW50R190CEFKSA1 | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:18.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:13V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 510µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:47.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1137pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):127W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@6.2A,13V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:18.5A 漏源极电压Vds:500V 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| 通用MOSFET | SIA910EDJ-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:4.5A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:28 mOhms @ 5.2A,4.5V Vgs(th):1V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):7.8W 封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:12V | |
| 通用MOSFET | SI4936CDY-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:5.8A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:40 mOhms @ 5A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):2.3W 封装/外壳:8-SOIC 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | HGTG30N60C3Dn: | 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:63A 脉冲电流-集电极(Icm):252A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,30A Pd-功率耗散(Max):208W 开关能量:1.05mJ(开),2.5mJ(关) 输入类型:标准 反向恢复时间（trr）:60ns 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 | |
| 通用MOSFET | FGH30N60LSDTUn: | 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):90A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.4V @ 15V,30A Pd-功率耗散(Max):480W 开关能量:1.1mJ(开), 21mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:18ns/250ns 测试条件:400V,30A,6.8 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:35ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 | |
| 通用MOSFET | STW7N95K3 | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:7.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1031pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.35 Ohms@3.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:7.2A | |
| 通用MOSFET | SIHP28N65E-GE3n | 连续漏极电流Id:29A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:112 mOhms @ 14A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):250W 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:650V | |
| 通用MOSFET | STGD10NC60KDT4n | 系列:PowerMESH™ Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):600V Current-Collector(Ic)(Max):20A Current-CollectorPulsed(Icm):30A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,5A Power-Max:62W 开关能量:55µJ(开),85µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:17ns/72ns 测试条件:390V,5A,10欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:22ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak | |
| 通用MOSFET | STP5N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:3.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:165pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4 Ohms@1.85A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:3.7A | |
| 通用MOSFET | STP45N10F7n: 0 | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VII 连续漏极电流Id:45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1640pF @ 50V 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):60W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:18m Ohms@22.5A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:45A | |
| 通用MOSFET | ZXMD63P02XTAn: | FET类型:2P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:270mΩ@1.2A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.25nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:290pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.04W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-MSOP 封装/外壳:MSOP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.7A | |
| 通用MOSFET | SIR172DP-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:20A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:8.9 mOhms @ 16.1A,10V Vgs(th):2.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):29.8W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | SIR402DP-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:35A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:6 mOhms @ 20A,10V Vgs(th):2.2V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):4.2W(Ta),36W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | SI7900AEDN-T1-E3 | 连续漏极电流Id:6A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:26 mOhms @ 8.5A,4.5V Vgs(th):900mV @ 250uA Pd-功率耗散(Max):1.5W 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 通用MOSFET | SUD35N10-26P-GE3 | 系列:TrenchFET® FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:47nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 12V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):8.3W(Ta),83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:26m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 通用MOSFET | SI7923DN-T1-E3n | 连续漏极电流Id:4.3A FET类型:2P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:47 mOhms @ 6.4A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):1.3W 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 功率MOSFET | SC8673040Ln: 0 | ||
| 通用MOSFET | IRFI530GPBFn: 0 | 连续漏极电流Id:9.7A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:160 mOhms @ 5.8A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):42W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | FDS6898AZ | 系列:PowerTrench® FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:14m Ohms@9.4A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1821pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):900mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:9.4A | |
| 通用MOSFET | SI5459DU-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:8A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±12V Rds On(Max)@Id,Vgs:52 mOhms @ 6.7A,4.5V Vgs(th):1.4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.5W(Ta),10.9W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® CHIPFET™ 单 工作温度:-50℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 功率MOSFET | SI7224DN-T1-GE3 | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:570pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):17.8W,23W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6A Rds On(Max)@Id,Vgs:27mΩ,22mΩ | |
| 通用MOSFET | STL13DP10F6n: 0 | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VI FET类型:2P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:180m Ohms@1.7A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:864pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):62.5W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerFlat™(5x6) 封装/外壳:Power FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:13A | |
| 通用MOSFET | STE88N65M5n: 0 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:88A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:204nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8825pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):494W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:29m Ohms@42A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:88A | |
| 通用MOSFET | SI5997DU-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:6A FET类型:2P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:54 mOhms @ 3A,10V Vgs(th):2.4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):10.4W 封装/外壳:PowerPAK® CHIPFET™ 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | STS10DN3LH5n: 0 | 系列:STripFET™ V FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:21m Ohms@5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.6nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:475pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):2.5W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10A | |
| 通用MOSFET | FGA20S140Pn: 0 | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:1400V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):60A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,20A Pd-功率耗散(Max):272W 输入类型:标准 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-3PN | |
| 通用MOSFET | STF5N62K3 | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:4.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:680pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.6 Ohms@2.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:620V 连续漏极电流Id:4.2A | |
| 功率MOSFET | IPI50R299CPn: 0 | 104 W:Pd - 功率消耗 系列:IPI50R299 下降时间:12 nS 上升时间:14 nS 标准包装数量:500 公司名称:CoolMOS 标准断开延迟时间:80 nS 配置:Single 23 nC:Qg - 闸极充电 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:12A Rds On(Max)@Id,Vgs:270mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:31nC Pd-功率耗散(Max):104W 高度:9.45mm 长度:10.2mm FET类型:N-Channel 宽度:4.5mm 典型关闭延迟时间:80ns 典型接通延迟时间:35ns 工作温度:-55°C~150°C | |
| 功率MOSFET | SI4134DY-T1-GE3 | 系列:SI 高度:1.75 mm 长度:4.9 mm 宽度:3.9 mm 零件号别名:SI4134DY-GE3 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:846pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),5W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:14A Rds On(Max)@Id,Vgs:14mΩ | |
| 通用MOSFET | SIA431DJ-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:12A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±8V Rds On(Max)@Id,Vgs:25 mOhms @ 6.5A,4.5V Vgs(th):850mV @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.5W(Ta),19W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 通用MOSFET | SI3585CDV-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:3.9A,2.1A FET类型:N+P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:58 mOhms @ 2.5A,4.5V Vgs(th):1.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):1.4W,1.3W 封装/外壳:TSOT-23-6 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 通用MOSFET | SIA922EDJ-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:4.5A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:64 mOhms @ 3A,4.5V Vgs(th):1.4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):7.8W 封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 功率MOSFET | BSZ120P03NS3E G | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:40A Rds On(Max)@Id,Vgs:9mΩ 栅极电压Vgs:25V Qg-栅极电荷:45nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):52W 高度:1.10mm 长度:3.3mm 系列:OptiMOSP3 FET类型:P-Channel 正向跨导 - 最小值:22S 下降时间:5ns 上升时间:11ns 典型关闭延迟时间:23ns 典型接通延迟时间:13ns 工作温度:-55°C~150°C | |
| 功率MOSFET | IPB47N10SL-26n: | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:47A Rds On(Max)@Id,Vgs:26mΩ 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):175W 高度:4.4mm 长度:10mm FET类型:N-Channel 宽度:9.25mm 下降时间:70ns 上升时间:100ns 典型关闭延迟时间:50ns 工作温度:-55°C~175°C | |
| 通用MOSFET | STD11N65M2n: 0 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:410pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):85W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:670m Ohms@3.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:7A |