型号参数与资料
- 型号
- IPD80R360P7ATMA1
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 800V |
| 连续漏极电流Id | 13A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 280µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 930pF @ 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 84W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 360 毫欧 @ 5.6A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | PG-TO252-3 |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 500V |
通用MOSFET PG-TO252-3 PG-TO252-3
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。