IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | CPC3703CTR | IXYS | 连续漏极电流Id:360mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:0V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V FET类型:耗尽模式 Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4 Ohms@200mA,0V 工作温度:-55°C~125°C(TA) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V |
| 通用MOSFET | SUD23N06-31-T4-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:21.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:670pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):5.7W(Ta),31.25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:31m Ohms@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:TO-252-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:9.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:31mΩ |
| 通用MOSFET | SPD02N60C3 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms Rds On(Max)@Id,Vgs:2700mΩ 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:1.8A RthJC max:5.0 K/W QG (typ @10V):9.5 nC 封装/外壳:DPAK (TO-252) Budgetary Price €/1k:0.31 Ptot max:25.0W FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:2.1V,3.9V Mounting:SMT |
| 通用MOSFET | SPD01N60C3 | Infineon(英飞凌) | Rds On(Max)@Id,Vgs:6000mΩ 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:0.8A RthJC max:11.0 K/W QG (typ @10V):3.9 nC 封装/外壳:DPAK (TO-252) Budgetary Price €/1k:0.3 Ptot max:11.0W FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:2.1V,3.9V Mounting:SMT |
| 通用MOSFET | CMUDM8005 TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:650mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:100pF @ 16V 栅极电压Vgs:8V Pd-功率耗散(Max):300mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:360m Ohms@350mA,4.5V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 |
| 通用MOSFET | BLF647,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS(双),共源 频率:600MHz 增益:14.5dB 电压-测试:28V 额定电流:18A 功率-输出:120W 电压:65V 封装/外壳:LDMOST |
| 通用MOSFET | BLF888A,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS(双),共源 频率:860MHz 增益:21dB 电压-测试:50V 电流-测试:1.3A 功率-输出:600W 电压:110V 封装/外壳:SOT539A |
| 通用MOSFET | BLF878,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS(双),共源 频率:860MHz 增益:21dB 电压-测试:40V 电流-测试:1.4A 功率-输出:300W 电压:89V 封装/外壳:CDFM2 |
| 通用MOSFET | BLF404,115 | AMPLEON | FET类型:N通道 频率:500MHz 增益:11.5dB 电压-测试:12.5V 额定电流:1.5A 电流-测试:50mA 功率-输出:4W 电压:40V 封装/外壳:8-CDIP |
| 通用MOSFET | BLF573S,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS 频率:225MHz 增益:27.2dB 电压-测试:50V 额定电流:42A 电流-测试:900mA 功率-输出:300W 电压:110V 封装/外壳:SOT502B |
| 通用MOSFET | BLF245B,112 | AMPLEON | FET类型:2N沟道(双)共源 频率:175MHz 增益:18dB 电压-测试:28V 额定电流:4.5A 电流-测试:25mA 功率-输出:30W 电压:65V 封装/外壳:CDFM4 |
| 通用MOSFET | BLF2043F,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS 频率:2.2GHz 增益:11dB 电压-测试:26V 额定电流:2.2A 电流-测试:85mA 功率-输出:10W 电压:65V 封装/外壳:SOT467C |
| 通用MOSFET | BLF574,112 | AMPLEON | FET类型:LDMOS(双),共源 频率:225MHz 增益:26.5dB 电压-测试:50V 额定电流:56A 电流-测试:1A 功率-输出:400W 电压:110V 封装/外壳:SOT539A |
| 通用MOSFET | NGB8245NT4G | Littelfuse(美国力特) | 电压-集射极击穿（最大值）:500V 电流-集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流-集电极(Icm):50A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 4V,15A Pd-功率耗散(Max):150W 输入类型:逻辑 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用MOSFET | NE3517S03-T1C-A | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:HFET 频率:20GHz 增益:13.5dB 电压-测试:2V 额定电流:15mA 噪声系数:0.7dB 电流-测试:10mA 电压:4V 封装/外壳:S03 |
| 通用MOSFET | CMLDM5757 TR | Central(中央半导体) | FET类型:2P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:430mA Rds On(Max)@Id,Vgs:900mΩ@430mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:175pF @ 16V Pd-功率耗散(Max):350mW 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563 |
| 通用MOSFET | CTLDM7120-M621H TR | Central(中央半导体) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:220pF @ 10V 栅极电压Vgs:8V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ@500mA,4.5V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 |
| 通用MOSFET | ZXMS6004FFTA | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101,INTELLIFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:60V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:3.3V,5V 电流-输出（最大值）:1.3A 导通电阻（典型值）:350 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23F FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V |
| 通用MOSFET | ZXMP6A18DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2P-Channel 连续漏极电流Id:3.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:55mΩ@3.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1580pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.8A |
| 通用MOSFET | ZXMP6A17N8TC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:2.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:637pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:125mΩ@2.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.42A |
| 通用MOSFET | ZXMP6A17KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:637pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.11W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:125mΩ@2.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:6.6A |
| 通用MOSFET | ZXMP6A17DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2P-Channel 连续漏极电流Id:2.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:125mΩ@2.3A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:637pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1.81W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.42A |
| 通用MOSFET | ZXMP6A16KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:5.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1021pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.11W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:85m Ohms@2.9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:8.2A |
| 通用MOSFET | ZXMP6A16DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2P-Channel 连续漏极电流Id:2.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:85m Ohms@2.9A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1021pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1.81W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.9A |
| 通用MOSFET | ZXMP4A57E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:2.9A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:833pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:80m Ohms@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:3.7A |
| 通用MOSFET | ZXMP4A16KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:6.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:965pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.15W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:60mΩ@3.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:9.9A |
| 通用MOSFET | ZXMP3A17E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:70m Ohms@3.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用MOSFET | ZXMP3A17DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2P-Channel 连续漏极电流Id:3.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:70m Ohms@3.2A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.4A |
| 通用MOSFET | ZXMP3A16N8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:5.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1022pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@4.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.7A |
| 通用MOSFET | ZXMP3A16DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2P-Channel 连续漏极电流Id:4.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:45mΩ@4.2A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1022pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.5A |
| 通用MOSFET | ZXMP2120G4TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:200mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25 Ohms@150mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 通用MOSFET | ZXMP2120FFTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:137mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:28 Ohms@150mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线 封装/外壳:SOT-23F FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:0.137A |
| 通用MOSFET | ZXMP2120E5TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:122mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):750mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:28 Ohms@150mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:0.122A |
| 通用MOSFET | ZXMP10A17E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:1.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.1nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:424pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350mΩ@1.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A |
| 通用MOSFET | ZXMP10A16KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:717pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.15W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:235m Ohms@2.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:4.6A |
| 通用MOSFET | ZXMN7A11KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:298pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.11W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ohms@4.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:70V 连续漏极电流Id:6.1A |
| 通用MOSFET | ZXMN7A11GTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:298pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ohms@4.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:70V 连续漏极电流Id:3.8A |
| 通用MOSFET | ZXMN6A25N8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1063pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@3.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:5.7A |
| 通用MOSFET | ZXMN6A25GTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1063pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@3.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:6.7A |
| 通用MOSFET | ZXMN6A11DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:2.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ@2.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:330pF @ 40V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.2A |
| 通用MOSFET | ZXMN6A09KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1426pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.15W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@7.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:11.8A |
| 通用MOSFET | ZXMN6A08KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:5.36A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:459pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.12W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:80mΩ@4.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.9A |
| 通用MOSFET | ZXMN6A08GTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:3.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:459pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:80mΩ@4.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:5.3A |
| 通用MOSFET | ZXMN4A06KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:827pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.15W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:10.9A |
| 通用MOSFET | ZXMN4A06GTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:770pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:7A |
| 通用MOSFET | ZXMN3F30FHTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:3.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:318pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):950mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:47m Ohms@3.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.6A |
| 通用MOSFET | ZXMN3G32DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:5.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:28mΩ@6A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:472pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7.1A |
| 通用MOSFET | ZXMN3F31DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:5.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:24m Ohms@7A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:608pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7.3A |
| 通用MOSFET | ZXMN3B04N8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2480pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25m Ohms@7.2A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8.9A |
| 通用MOSFET | ZXMN3B01FTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.93nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:258pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):625mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150m Ohms@1.7A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2A |
| 通用MOSFET | ZXMN3A14FTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:3.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:448pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:65m Ohms@3.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.9A |
| 通用MOSFET | ZXMN3A06DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:4.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:35m Ohms@9A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:796pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.2A |
| 通用MOSFET | ZXMN3A04KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:12A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:36.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1890pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.15W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:20m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:18.4A |
| 通用MOSFET | ZXMN3A04DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:6.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:20m Ohms@12.6A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:36.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1890pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.81W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8.5A |
| 通用MOSFET | ZXMN3A03E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:3.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50m Ohms@7.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.6A |
| 通用MOSFET | ZXMN3A02X8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:5.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 封装/外壳:MSOP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.7A |
| 通用MOSFET | ZXMN2F30FHTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:452pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):960mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@2.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.9A |
| 通用MOSFET | ZXMN3A01E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ@2.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3A |
| 通用MOSFET | ZXMN2B03E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1160pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@4.3A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5.4A |
| 通用MOSFET | ZXMN2B01FTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:370pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):625mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@2.4A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.4A |
| 通用MOSFET | ZXMN2A04DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:5.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:25m Ohms@5.9A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22.1nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1880pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.7A |
| 通用MOSFET | ZXMN2A01FTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.9A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:303pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):625mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:120m Ohms@4A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.2A |
| 通用MOSFET | ZXMN2A02N8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:8.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.9nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:20m Ohms@11A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:10.2A |
| 通用MOSFET | ZXMN2A01E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:303pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:120m Ohms@4A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.1A |
| 通用MOSFET | ZXMN15A27KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:169pF @ 25V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):2.2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:650m Ohms@2.15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:2.55A |
| 通用MOSFET | ZXMN10B08E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.3V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:497pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:230m Ohms@1.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.9A |
| 通用MOSFET | ZXMN10A25KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.16nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:859pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.11W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:125m Ohms@2.9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:6.4A |
| 通用MOSFET | ZXMN10A25GTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.9A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:859pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:125m Ohms@2.9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用MOSFET | ZXMN10A11KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:274pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.11W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350m Ohms@2.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:3.5A |
| 通用MOSFET | ZXMN10A11GTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:274pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350m Ohms@2.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.4A |
| 通用MOSFET | ZXMN10A09KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1313pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.15W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:85m Ohms@4.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:7.7A |
| 通用MOSFET | ZXMN10A08E6TC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:405pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@3.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-26 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:3.5A |
| 通用MOSFET | ZXMN10A08DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:1.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@3.2A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:405pF @ 50V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.1A |
| 通用MOSFET | ZXMN0545G4TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:140mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:70pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50Ω@100mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:450V 连续漏极电流Id:0.14A |
| 通用MOSFET | ZXMHC6A07T8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2个N通道和2个P通道(H桥) 连续漏极电流Id:1.6A,1.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:300m Ohms@1.8A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:166pF @ 40V Pd-功率耗散(Max):1.3W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SM8 封装/外壳:SM FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.8A/1.5A |
| 通用MOSFET | ZXMHC6A07N8TC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2个N通道和2个P通道(H桥) 连续漏极电流Id:1.39A,1.28A Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@1.8A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:166pF @ 40V Pd-功率耗散(Max):870mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.8A/1.42A |
| 通用MOSFET | ZXMHC3A01T8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2个N通道和2个P通道(H桥) 连续漏极电流Id:2.7A,2A Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ@2.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.3W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SM8 封装/外壳:SM FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.1A/2.3A |
| 通用MOSFET | ZXMHC10A07T8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2个N通道和2个P通道(H桥) 连续漏极电流Id:1A,800mA Rds On(Max)@Id,Vgs:700mΩ@1.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:138pF @ 60V Pd-功率耗散(Max):1.3W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223-8 封装/外壳:SM8 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.1A/0.9A |
| 通用MOSFET | ZXMHC10A07N8TC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2个N通道和2个P通道(H桥) 连续漏极电流Id:800mA,680mA Rds On(Max)@Id,Vgs:700mΩ@1.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:138pF @ 60V Pd-功率耗散(Max):870mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1A/0.85A |
| 通用MOSFET | ZXMD63P02XTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:270mΩ@1.2A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.25nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:290pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.04W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-MSOP 封装/外壳:MSOP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.7A |
| 通用MOSFET | ZXMD63N03XTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:135mΩ@1.7A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:290pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.04W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-MSOP 封装/外壳:MSOP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.3A |
| 通用MOSFET | ZXMD63C02XTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N+P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:130mΩ@1.7A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1.04W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-MSOP 封装/外壳:MSOP FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.4A,1.7A |
| 通用MOSFET | ZXMC6A09DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N+P-Channel 连续漏极电流Id:3.9A,3.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@8.2A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1407pF @ 40V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:5.1A/4.8A |
| 通用MOSFET | ZXMC4A16DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N+P-Channel 连续漏极电流Id:4A,3.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:770pF @ 40V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:5.2A/4.7A |
| 通用MOSFET | ZXMC4559DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N+P-Channel 连续漏极电流Id:3.6A,2.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:55m Ohms@4.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1063pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SOIC FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.7A/3.5A |
| 通用MOSFET | ZXMC3AMCTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N+P-Channel 连续漏极电流Id:2.9A,2.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ@2.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.7W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-DFN 封装/外壳:DFN FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.7A/2.7A |
| 通用MOSFET | ZXMC3A17DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N+P-Channel 连续漏极电流Id:4.1A,3.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:50m Ohms@7.8A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.4A/4.4A |
| 通用MOSFET | ZXMC3A16DN8TC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N+P-Channel 连续漏极电流Id:4.9A,4.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:35m Ohms@9A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:796pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.4A/5.5A |
| 通用MOSFET | ZXMC3A16DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N+P-Channel 连续漏极电流Id:4.9A,4.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:35m Ohms@9A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:796pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.4A/5.5A |
| 通用MOSFET | ZXM66P03N8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:6.25A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:36nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1979pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25m Ohms@5.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7.9A |
| 通用MOSFET | ZXMC10A816N8TC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N+P-Channel 连续漏极电流Id:2A Rds On(Max)@Id,Vgs:230m Ohms@1A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:497pF @ 50V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.1A/2.2A |
| 通用MOSFET | ZXM64P03XTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:46nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:825pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:75m Ohms@2.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 封装/外壳:MSOP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.8A |
| 通用MOSFET | ZXM64P02XTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.7V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.9nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:900pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:90m Ohms@2.4A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 封装/外壳:MSOP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V |
| 通用MOSFET | ZXM64N02XTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:5.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.7V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@3.8A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 封装/外壳:MSOP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5.4A |
| 通用MOSFET | ZXM62P03E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:1.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:330pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):625mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150m Ohms@1.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.5A |
| 通用MOSFET | ZXM62N03GTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:3.4A(Ta),4.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:380pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@2.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.7A |
| 通用MOSFET | ZXM61P03FTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:1.1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:140pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):625mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350mΩ@600mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V |
| 通用MOSFET | ZVP4525ZTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:205mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:3.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:73pF @ 25V 栅极电压Vgs:±40V Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:14 Ohms@200mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:0.205A |
| 通用MOSFET | ZVP4525GTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:265mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:3.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:73pF @ 25V 栅极电压Vgs:±40V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:14 Ohms@200mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:0.265A |
| 通用MOSFET | ZVP4525E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:197mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:3.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:73pF @ 25V 栅极电压Vgs:±40V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:14 Ohms@200mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:0.197A |