IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | BD6726FU-E2 | ROHM(罗姆) | 电机类型 - AC，DC:有刷直流 功能:控制器 - 速度 输出配置:前置驱动器 - 半桥(2) 接口:PWM 电压 - 电源:5 V ~ 17 V 工作温度:-40°C~100°C(TA) 封装/外壳:20-SSOP-C |
| 通用MOSFET | BD6701F-E2 | ROHM(罗姆) | 电机类型 - AC，DC:无刷 DC(BLDC) 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:低端(2) 接口:并联 电流 - 输出:800mA 电压 - 电源:6 V ~ 28 V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP |
| 通用MOSFET | BD6237FM-E2 | ROHM(罗姆) | 电机类型 - AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:开/关 电流 - 输出:2A 电压 - 电源:6 V ~ 32 V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:28-HSOP-M |
| 通用MOSFET | BD6236FP-E2 | ROHM(罗姆) | 电机类型 - AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:开/关 电流 - 输出:1A 电压 - 电源:6 V ~ 32 V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:25-HSOP |
| 通用MOSFET | BD6236FM-E2 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:28-HSOP-M 电机类型 - AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:开/关 电流 - 输出:1A 电压 - 电源:6 V ~ 32 V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) |
| 通用MOSFET | BD62321HFP-TR | ROHM(罗姆) | 电机类型 - AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:开/关 电流 - 输出:3A 电压 - 电源:6 V ~ 32 V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:HRP7 |
| 通用MOSFET | BD6230F-E2 | ROHM(罗姆) | 电机类型 - AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:开/关 电流 - 输出:500mA 电压 - 电源:6 V ~ 32 V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP |
| 通用MOSFET | BD6225FP-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:半桥(4) 接口:逻辑 负载类型:电感 导通电阻（典型值）:1.5 欧姆 电流 - 输出/通道:500mA 电压 - 电源:6 V ~ 15 V 工作温度:-40°C~85°C(TA) 故障保护:限流,超温,过压,UVLO 封装/外壳:25-HSOP |
| 通用MOSFET | BD6212FP-E2 | ROHM(罗姆) | 电机类型 - AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:开/关 电流 - 输出:2A 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:25-HSOP |
| 通用MOSFET | BD68715EFV-E2 | ROHM(罗姆) | 步进分辨率:1,1/2,1/4 电流 - 输出:1.2A 电压 - 负载:19 V ~ 28 V 工作温度:-25°C~85°C(TA) 封装/外壳:28-VSSOP 电机类型 - 步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 |
| 通用MOSFET | BD63610AEFV-E2 | ROHM(罗姆) | 步进分辨率:1,1/2 电流 - 输出:600mA 电压 - 负载:19 V ~ 28 V 工作温度:-25°C~85°C(TA) 封装/外壳:20-VSSOP 电机类型 - 步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 |
| 通用MOSFET | BD68720EFV-E2 | ROHM(罗姆) | 步进分辨率:1,1/2,1/4 电流 - 输出:1.7A 电压 - 负载:19 V ~ 28 V 工作温度:-25°C~85°C(TA) 封装/外壳:28-VSSOP 电机类型 - 步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 |
| 通用MOSFET | BD68710EFV-E2 | ROHM(罗姆) | 步进分辨率:1,1/2,1/4 电流 - 输出:700mA 电压 - 负载:19 V ~ 28 V 工作温度:-25°C~85°C(TA) 封装/外壳:28-VSSOP 电机类型 - 步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 |
| 通用MOSFET | BD68620EFV-E2 | ROHM(罗姆) | 步进分辨率:1,1/2,1/4 电流 - 输出:1.4A 电压 - 负载:19 V ~ 28 V 工作温度:-25°C~85°C(TA) 封装/外壳:24-VSSOP 电机类型 - 步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 |
| 通用MOSFET | BD68610EFV-E2 | ROHM(罗姆) | 步进分辨率:1,1/2,1/4 电流 - 输出:600mA 电压 - 负载:19 V ~ 28 V 工作温度:-25°C~85°C(TA) 封装/外壳:20-VSSOP 电机类型 - 步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 |
| 通用MOSFET | IRHNJ597034 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SMD-0.5 Circuit:Discrete FET类型:P-Channel DLA Qualified:QPL JEDEC Part Number:2N7520U3 连续漏极电流Id:-16 BVDSS:-60 Generation:R5 Die Size:3 Total Dose:100 Optional Total Dose Ratings:300 Rds On(Max)@Id,Vgs:0.085 |
| 通用MOSFET | IXGA30N120B3 | IXYS | 系列:GenX3™ IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):150A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.5V @ 15V,30A Pd-功率耗散(Max):300W 开关能量:3.47mJ(开),2.16mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:16ns/127ns 测试条件:960V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263(IXGA) |
| 通用MOSFET | IPN70R600P7SATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:700V 连续漏极电流Id:8.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 90µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.5nC @ 10V 栅极电压Vgs:±16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:364pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):6.9W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600 毫欧 @ 1.8A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT223 封装/外壳:PG-SOT223-3 |
| 通用MOSFET | BD67929EFV-E2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输出:2.5A 电压 - 负载:19 V ~ 28 V 工作温度:-25°C~150°C(TJ) 封装/外壳:28-VSSOP 电机类型 - AC，DC:无刷 DC(BLDC) 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(3) 接口:并联 |
| 通用MOSFET | JANTXV2N6782 | Infineon(英飞凌) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/556 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:3.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.1nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta),15W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:610m Ohms@3.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-205AF |
| 通用MOSFET | JANTX2N6796U | Infineon(英飞凌) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/557 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:28.51nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta),25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:195m Ohms@8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:18-pin LCC |
| 通用MOSFET | NGD15N41CLT4G | Littelfuse(美国力特) | 电压-集射极击穿（最大值）:440V 电流-集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流-集电极(Icm):50A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.2V @ 4V,10A Pd-功率耗散(Max):107W 输入类型:逻辑 25°C时Td（开/关）值:-/4µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK-3 |
| 通用MOSFET | DMP6023LFGQ-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:53.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2569pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@5A,10V 工作温度:-55°C~155°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN |
| 通用MOSFET | DMT3003LFG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:22A(Ta),100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2370pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.4W(Ta),62W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.2m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V |
| 通用MOSFET | FDMC8884 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:9A(Ta),15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:685pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta),18W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:19m Ohms@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:9A |
| 通用MOSFET | FDD8445_F085 | Fairchild(仙童) | 系列:汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® 连续漏极电流Id:70A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:59nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4050pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):79W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.7m Ohms@50A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:70A |
| 通用MOSFET | SIHF22N60E-GE3 | Vishay(威世) | 系列:E 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:86nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1920pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):35W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:21A Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ 漏源极电压Vds:4V |
| 通用MOSFET | HUF76629D3ST_F085 | Fairchild(仙童) | 系列:汽车级, AEC-Q101, UltraFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:43nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1280pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:52m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:20A |
| 通用MOSFET | FDP020N06B_F102 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:268nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:20930pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):333W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2mΩ@100A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:313A |
| 通用MOSFET | 2N7000_D74Z | Fairchild(仙童) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:200mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):400mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 封装/外壳:TO-92Ammo FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 通用MOSFET | FDD6N50TM_WS | Fairchild(仙童) | 系列:UniFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):89W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:900m Ohms@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:6A |
| 通用MOSFET | FDH50N50_F133 | Fairchild(仙童) | 系列:UniFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:48A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:137nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6460pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:105m Ohms@24A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:48A |
| 通用MOSFET | NDS7002A | Fairchild(仙童) | 连续漏极电流Id:280mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@500mA,10V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.28A |
| 通用MOSFET | FDH45N50F_F133 | Fairchild(仙童) | 系列:UniFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:137nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6630pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:120m Ohms@22.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:45A |
| 通用MOSFET | STS7NF60L | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:7.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:19.5m Ohms@3.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.5A |
| 通用MOSFET | STP11NM60ND | ST(意法半导体) | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:10A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:850pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):90W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:450m Ohms@5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:10A |
| 通用MOSFET | STP75NF75 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:11mΩ@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | STP57N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:42A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:63m Ohms@21A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:42A |
| 通用MOSFET | STD15NF10T4 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:23A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:870pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:65m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:23A 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:13V |
| 通用MOSFET | STB40N60M2 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:34A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:57nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2500pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:88m Ohms@17A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:34A |
| 通用MOSFET | STL3NM60N | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:650mA(Ta),2.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:188pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),22W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.8 Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN |
| 通用MOSFET | STB45N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:91nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3375pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):210W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:78m Ohms@19.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:35A |
| 通用MOSFET | BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:OptiMOS™ FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:500pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:80m Ohms@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2A 漏源极电压Vds:30V 封装/外壳:PG-SOT23-3 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:15V |
| 通用MOSFET | NDS331N | Fairchild(仙童) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.7V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:162pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:160m Ohms@1.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SuperSOT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.3A |
| 通用MOSFET | SI2342DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1070pF @ 4V 栅极电压Vgs:±5V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:17m Ohms@7.2A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:8V 连续漏极电流Id:6A |
| 通用MOSFET | FDC658AP | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.1nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:470pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用MOSFET | NDS352AP | Fairchild(仙童) | 连续漏极电流Id:900mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:135pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:300m Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.9A |
| 通用MOSFET | SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:865pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta),2.1W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:31.8mΩ@5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6A Rds On(Max)@Id,Vgs:26.5mΩ |
| 通用MOSFET | BSZ160N10NS3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:OptiMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:8A(Ta),40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 12µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.1W(Ta),63W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TSDSON-8 封装/外壳:TSDSON FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:8A 漏源极电压Vds:100V 封装/外壳:PG-TSDSON-8 |
| 通用MOSFET | NDT3055L | Fairchild(仙童) | 连续漏极电流Id:4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:345pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@4A,10V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用MOSFET | ZVN4525E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:230mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.65nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:72pF @ 25V 栅极电压Vgs:±40V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:0.23A |
| 通用MOSFET | SIS862DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1320pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.7W(Ta),52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:40A Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5mΩ |
| 通用MOSFET | FDMC3612 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:3.3A(Ta),16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:880pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta),35W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@3.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:3.3A |
| 通用MOSFET | FDMC8651 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:15A(Ta),20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3365pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta),41W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.1m Ohms@15A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:15A |
| 通用MOSFET | FDS4465 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® 连续漏极电流Id:13.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:120nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8237pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5m Ohms@13.5A,4.5V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:13.5A |
| 通用MOSFET | FQB55N10TM | Fairchild(仙童) | 系列:QFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:55A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2730pF @ 25V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):3.75W(Ta),155W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:26m Ohms@27.5A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:55A |
| 通用MOSFET | IPD90P04P4L04ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:OptiMOS™ FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:90A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:176nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:11570pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.3m Ohms@90A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:90A 漏源极电压Vds:40V 封装/外壳:PG-TO252-3-313 |
| 通用MOSFET | FDPF51N25 | Fairchild(仙童) | 系列:UniFET™ 连续漏极电流Id:51A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3410pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):38W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:60m Ohms@25.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220F FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:51A |
| 通用MOSFET | FDMC7660 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20A(Ta),40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:86nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4830pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta),41W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:20A |
| 通用MOSFET | SPD06N80C3ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 连续漏极电流Id:6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:785pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:900m Ohms@3.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:6A 漏源极电压Vds:800V 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | FDMS86200 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:9.6A(Ta),35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:46nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2715pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),104W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:18m Ohms@9.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:9.6A |
| 通用MOSFET | IRF9640STRLPBF | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:500mΩ@6.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:11A |
| 通用MOSFET | IPW65R045C7FKSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4340pF @ 400V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):227W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45 毫欧 @ 24.9A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:46A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1.25mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:93nC @ 10V 漏源极电压Vds:650V 封装/外壳:TO-247-3 |
| 通用MOSFET | FDB047N10 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:210nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15265pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.7m Ohms@75A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:164A |
| 通用MOSFET | BSC046N10NS3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:OptiMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:17A(Ta),100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 120µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4500pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):156W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.6m Ohms@50A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TDSON-8 封装/外壳:TDSON FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:17A 漏源极电压Vds:100V 封装/外壳:PG-TDSON-8 |
| 通用MOSFET | FDMS86255 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:10A(Ta),45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4480pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.7W(Ta),113W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:12.4m Ohms@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:QFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:10A |
| 通用MOSFET | SI7463DP-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:11A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:140nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.2mΩ@18.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:11A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.2mΩ |
| 通用MOSFET | FDMS86200DC | Fairchild(仙童) | 系列:Dual Cool™,PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:9.3A(Ta),28A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2955pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.2W(Ta),125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:17m Ohms@9.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:9.3A |
| 通用MOSFET | SUD50P10-43L-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:37.1A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4600pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):8.3W(Ta),136W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:43m Ohms@9.2A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:9.2A |
| 通用MOSFET | FQP30N06 | Fairchild(仙童) | 系列:QFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:945pF @ 25V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):79W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@15A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:30A |
| 通用MOSFET | FDT3N40TF | Fairchild(仙童) | 系列:UniFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:225pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):2W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.4 Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:400V 连续漏极电流Id:2A |
| 通用MOSFET | FCP11N60F | Fairchild(仙童) | 系列:SuperFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:52nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1490pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ@5.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11A |
| 通用MOSFET | STF6N95K5 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:450pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.25 Ohms@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:9A |
| 通用MOSFET | STP40NF20 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:75nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:40A |
| 通用MOSFET | STF8NK100Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:6.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:102nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2180pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):40W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.85 Ohms@3.15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:6.5A 漏源极电压Vds:1KV |
| 通用MOSFET | DMP2240UW-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:1.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:320pF @ 16V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):250mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ@2A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70,SOT-323 封装/外壳:SOT-323 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A |
| 通用MOSFET | SI3473CDV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:65nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2010pF @ 6V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),4.2W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:22m Ohms@8.1A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:TSOP-6 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:8A Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ |
| 通用MOSFET | STW18NM80 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2070pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:295m Ohms@8.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:17A |
| 通用MOSFET | NDS0605 | Fairchild(仙童) | 连续漏极电流Id:180mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:79pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):360mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.18A |
| 通用MOSFET | STP75NF75FP | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:11mΩ@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | STD5NK40Z-1 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:305pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.8 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 ,IPak,TO-251AA 封装/外壳:IPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:400V 连续漏极电流Id:3A |
| 通用MOSFET | SI7818DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:2.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:135m Ohms@3.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:2.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:135mΩ |
| 通用MOSFET | SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:846pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.5W(Ta),27.7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13.5mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:16A Rds On(Max)@Id,Vgs:13.5mΩ |
| 通用MOSFET | IRF9540PBF | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:19A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:61nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:200m Ohms@11A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:19A Rds On(Max)@Id,Vgs:200mΩ |
| 通用MOSFET | STP32NM50N | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:22A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:62.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1973pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ohms@11A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:22A |
| 通用MOSFET | FDP083N15A_F102 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® 连续漏极电流Id:83A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:84nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6040pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):294W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.3m Ohms@75A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:105A |
| 通用MOSFET | FDP036N10A | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:116nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7295pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):333W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.6m Ohms@75A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:214A |
| 通用MOSFET | SCT30N120 | ST(意法半导体) | 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:20V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA(标准) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:105nC @ 20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 400V 栅极电压Vgs:+25V,-10V Pd-功率耗散(Max):270W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@20A,20V 工作温度:-55°C~200°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:HIP-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:45A 漏源极电压Vds:1.2KV |
| 通用MOSFET | FQP17P06 | Fairchild(仙童) | 系列:QFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:900pF @ 25V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):79W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:120m Ohms@8.5A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:17A |
| 通用MOSFET | FDB5800 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:14A(Ta),80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:135nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6625pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):242W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6m Ohms@80A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | STV300NH02L | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ III 连续漏极电流Id:200A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V,5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:109nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7055pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1m Ohms@80A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘 封装/外壳:PowerSO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:24V 连续漏极电流Id:200A |
| 通用MOSFET | IRFP26N60LPBF | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:26A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5020pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):470W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:250m Ohms@16A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:26A Rds On(Max)@Id,Vgs:210mΩ |
| 通用MOSFET | FDP75N08A | Fairchild(仙童) | 系列:UniFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:75A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:104nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4468pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):137W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:11m Ohms@37.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:75A |
| 通用MOSFET | FCB20N60TM | Fairchild(仙童) | 系列:SuperFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3080pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A |
| 通用MOSFET | STP18NM80 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2070pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:295m Ohms@8.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:17A |
| 通用MOSFET | IRFDC20PBF | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:320mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.4 Ohms@190mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:4-DIP 封装/外壳:HVMDIP-4 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:320mA Rds On(Max)@Id,Vgs:4.4 Ohms |
| 通用MOSFET | SI3499DV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:5.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:750mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±5V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:23m Ohms@7A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:TSOP-6 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:8V 连续漏极电流Id:5.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:23mΩ |
| 通用MOSFET | STP40NF10L | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:64nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±17V Rds On(Max)@Id,Vgs:33m Ohms@20A,10V 工作温度:175°C(TJ) Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:40A |
| 通用MOSFET | SI7431DP-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:2.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:135nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:174m Ohms@3.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:2.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:174m Ohms |
| 通用MOSFET | SI4386DY-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:11A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.47W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:7m Ohms@16A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11A Rds On(Max)@Id,Vgs:7mΩ |