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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | IPD60R360P7S | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:3 Rds On(Max)@Id,Vgs:360mΩ 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:9A 封装/外壳:DPAK (TO-252) Rth:3.04K/W QG:13.0nC Ptot max:41.0W FET类型:N-Channel Qgd:4.0nC Pin Count:3.0Pins 工作温度:-40°C~150°C RthJA max:62.0K/W Mounting:SMT RthJC max:3.04K/W 栅极电压Vgs:3V,4V |
| 通用MOSFET | DMG6301UDW-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:240mA Rds On(Max)@Id,Vgs:4Ω@400mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.36nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:27.9pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):300mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:0.24A |
| 通用MOSFET | DMG4468LFG-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.62A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.85nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:867pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):990mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:15m Ohms@11.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerUDFN 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7.62A |
| 通用MOSFET | IPW60R099P7 | Infineon(英飞凌) | Rds On(Max)@Id,Vgs:99mΩ 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:34A 封装/外壳:TO-247 Rth:1.07K/W QG:45.0nC Ptot max:117.0W FET类型:N-Channel Qgd:13.0nC Pin Count:3.0Pins 工作温度:-55°C~150°C RthJA max:62.0K/W Mounting:THT RthJC max:1.07K/W 栅极电压Vgs:3V,4V |
| 通用MOSFET | DMG3402L-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:464pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:52m Ohms@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用MOSFET | DMG2301LK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:156pF @ 6V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):840mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:160m Ohms@1A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 通用MOSFET | DMG4496SSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:10A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:493.5pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.42W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:21.5mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10A |
| 通用MOSFET | DMN33D8LT-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:115mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.55nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:48pF @ 5V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):240mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:5 Ohms@10mA,4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.115A |
| 通用MOSFET | DMN63D8LDW-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:220mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.8Ω@250mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:870nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:22pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):300mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.26A |
| 通用MOSFET | DMN2600UFB-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.85nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:70.13pF @ 15V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350m Ohms@200mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-uFDFN 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:1.3A |
| 通用MOSFET | DMN10H220L-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:401pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):1.3W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:220mΩ@1.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A |
| 通用MOSFET | DMP22D4UFA-7B | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:330mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:28.7pF @ 15V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):400mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.9 Ohms@100mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-XFDFN 封装/外壳:X2-DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.33A |
| 通用MOSFET | DMN4020LFDE-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1060pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):660mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:20mΩ@8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-UDFN 封装/外壳:UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:8A |
| 通用MOSFET | DMP4025SFG-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.65A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1643pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):810mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:PowerDI FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:7.2A |
| 通用MOSFET | DMP2066UFDE-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:6.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1537pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):660mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:36m Ohms@4.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-UDFN 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6.2A |
| 通用MOSFET | DMN65D8LFB-7B | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:260mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):430mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω@115mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-uFDFN 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.4A |
| 通用MOSFET | DMP2066LSN-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:820pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@4.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SC-59 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.6A |
| 通用MOSFET | DMP2104V-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:860mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:320pF @ 16V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):850mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ@950mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 封装/外壳:SOT-563 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.9A |
| 通用MOSFET | DMN3018SSS-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:697pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:21m Ohms@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7.3A |
| 通用MOSFET | DMP2066LDM-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:820pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.25W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@4.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.6A |
| 通用MOSFET | DMN2005LP4K-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:200mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:41pF @ 3V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):400mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5Ω@10mA,4V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-XFDFN 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.3A |
| 通用MOSFET | DMP2100U-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:216pF @ 15V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:38m Ohms@3.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.3A |
| 通用MOSFET | DMP3030SN-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:700mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@400mA,10V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SC-59 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.7A |
| 通用MOSFET | DMP3099L-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:563pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.08W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:65m Ohms@3.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.8A |
| 通用MOSFET | DMTH10H015LPS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:7.3A(Ta),44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1871pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.3W(Ta),46W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 通用MOSFET | DMP3030SN-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:700mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@400mA,10V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SC-59 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.7A |
| 通用MOSFET | DMP3025LK3-13-01 | Diodes(达尔（美台）) | 工作温度:-55°C~150°C(TJ) |
| 通用MOSFET | DMT3003LFG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:22A(Ta),100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2370pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.4W(Ta),62W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.2m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V |
| 通用MOSFET | DMP6110SVT-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:969pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:TSOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.3A |
| 通用MOSFET | DMTH6010LPSQ-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:13.5A(Ta),100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2090pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.6W(Ta),136W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:PowerDI FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:13.5A |
| 通用MOSFET | IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ CFD7 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:807pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280 毫欧 @ 3.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 180µA 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | IML3160AK-TR | Exar-MaxLinear(艾科嘉) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:1.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:170pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):20W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8 Ohms@750mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA |
| 通用MOSFET | BSC350N20NSFDATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:OptiMOS™ 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2410pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:35 毫欧 @ 35A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TDSON-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2410pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:100V 封装/外壳:PG-TDSON-8 |
| 通用MOSFET | VN10LFTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:150mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:60pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):330mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.15A |
| 通用MOSFET | ZVN2110GTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:500mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4Ω@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.5A |
| 通用MOSFET | ZVN4206A | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:600mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 封装/外壳:E-Line FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.6A |
| 通用MOSFET | ZVN4206GTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1A |
| 通用MOSFET | ZXMC3A17DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N+P-Channel 连续漏极电流Id:4.1A,3.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:50m Ohms@7.8A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.25W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.4A/4.4A |
| 通用MOSFET | ZXMC4A16DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N+P-Channel 连续漏极电流Id:4A,3.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:770pF @ 40V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:5.2A/4.7A |
| 通用MOSFET | ZXMP4A57E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:2.9A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:833pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:80m Ohms@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:3.7A |
| 通用MOSFET | ZXMN2A02N8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:8.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.9nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:20m Ohms@11A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:10.2A |
| 通用MOSFET | ZXMN0545G4TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:140mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:70pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50Ω@100mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:450V 连续漏极电流Id:0.14A |
| 通用MOSFET | ZXMS6004FFTA | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101,INTELLIFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:60V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:3.3V,5V 电流-输出（最大值）:1.3A 导通电阻（典型值）:350 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23F FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V |
| 通用MOSFET | ZXMP2120G4TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:200mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25 Ohms@150mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 通用MOSFET | ZXMP6A18DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2P-Channel 连续漏极电流Id:3.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:55mΩ@3.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1580pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.8A |
| 通用MOSFET | ZXMN2B01FTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:370pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):625mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@2.4A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.4A |
| 通用MOSFET | ZXMN6A25N8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1063pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.56W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@3.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:5.7A |
| 通用MOSFET | ZXMP6A18DN8TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2P-Channel 连续漏极电流Id:3.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:55mΩ@3.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1580pF @ 30V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP 封装/外壳:SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.8A |
| 通用MOSFET | ZXMP6A17KTC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:637pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.11W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:125mΩ@2.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:6.6A |
| 通用MOSFET | ZXMP4A57E6TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:2.9A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:833pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:80m Ohms@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:3.7A |
| 通用MOSFET | 2N7002K | Fairchild(仙童) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:300mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 通用MOSFET | 50LET | EATON | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:49A(Ta),300A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:219nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:16590pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.33W(Ta),125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:0.85m Ohms@47A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 通用MOSFET | FDA032N08 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:220nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15160pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.2mΩ@75A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 封装/外壳:TO-3PN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:235A |
| 通用MOSFET | FCP20N60 | Fairchild(仙童) | 系列:SuperFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3080pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A |
| 通用MOSFET | FCP190N65F | Fairchild(仙童) | 系列:FRFET®,SuperFET® II FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 2mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:78nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3225pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:20.6A |
| 通用MOSFET | FDB8896 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:19A(Ta),93A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:67nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2525pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):80W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.7m Ohms@35A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:19A |
| 通用MOSFET | FCD1300N80Z | Fairchild(仙童) | 系列:SuperFET® II FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 400µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:880pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3Ω@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用MOSFET | FDB047N10 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:210nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15265pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.7m Ohms@75A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:164A |
| 通用MOSFET | FDB3682 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:6A(Ta),32A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:28nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1250pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):95W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:36m Ohms@32A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:6A |
| 通用MOSFET | FCA47N60_F109 | Fairchild(仙童) | 系列:SuperFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:47A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:270nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):417W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70m Ohms@23.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 封装/外壳:TO-3PN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:47A |
| 通用MOSFET | FCD7N60TM_WS | Fairchild(仙童) | 系列:SuperFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:920pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600m Ohms@3.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:7A |
| 通用MOSFET | FDA032N08 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:220nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15160pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.2mΩ@75A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 封装/外壳:TO-3PN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:235A |
| 通用MOSFET | FDB2614 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:62A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:99nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7230pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):260W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:27m Ohms@31A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:62A |
| 通用MOSFET | FCH072N60F | Fairchild(仙童) | 系列:FRFET®,SuperFET® II FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:52A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:215nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8660pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):481W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:72m Ohms@26A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:52A |
| 通用MOSFET | FDB28N30TM | Fairchild(仙童) | 系列:UniFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:28A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2250pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:129m Ohms@14A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:28A |
| 通用MOSFET | FCA20N60_F109 | Fairchild(仙童) | 系列:SuperFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3080pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 封装/外壳:TO-3PN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A |
| 通用MOSFET | FDBL0120N40 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:240A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:107nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7735pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300W(Tj) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2m Ohms@80A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerSFN 封装/外壳:HPSOF FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:240A |
| 通用MOSFET | FCH47N60F_F133 | Fairchild(仙童) | 系列:SuperFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:47A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:270nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):417W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70m Ohms@23.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:47A |
| 通用MOSFET | FDB8160_F085 | Fairchild(仙童) | 系列:汽车级,AEC-Q101,PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:243nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:11825pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):254W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.8m Ohms@80A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | FCPF13N60NT | Fairchild(仙童) | 系列:SuperMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:39.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1765pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):33.8W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:258m Ohms@6.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220F FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:13A |
| 通用MOSFET | FDB050AN06A0 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:18A(Ta),80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3900pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):245W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5m Ohms@80A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:18A |
| 通用MOSFET | FCB20N60TM | Fairchild(仙童) | 系列:SuperFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3080pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A |
| 通用MOSFET | FDB024N08BL7 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:178nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13530pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):246W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4mΩ@100A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-7,D²Pak 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:229A |
| 通用MOSFET | FDB070AN06A0 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® 连续漏极电流Id:15A(Ta),80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:66nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):175W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7m Ohms@80A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | FDA59N30 | Fairchild(仙童) | 系列:UniFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:59A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:100nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4670pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):500W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:56m Ohms@29.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 封装/外壳:TO-3PN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:59A |
| 通用MOSFET | FDC2512 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:344pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:425m Ohms@1.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:1.4A |
| 通用MOSFET | FDB035N10A | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:116nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7295pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):333W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5m Ohms@75A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:214A |
| 通用MOSFET | FDC2612 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:234pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:725mΩ@1.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:1.1A |
| 通用MOSFET | FDB52N20TM | Fairchild(仙童) | 系列:UniFET™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:52A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2900pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):357W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:49m Ohms@26A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:52A |
| 通用MOSFET | FDC365P | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:705pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:55m Ohms@4.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:35V 连续漏极电流Id:4.3A |
| 通用MOSFET | FDC634P | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:779pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:80m Ohms@3.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.5A |
| 通用MOSFET | FDC6302P | Fairchild(仙童) | FET类型:2P-Channel 连续漏极电流Id:120mA Rds On(Max)@Id,Vgs:10 Ohms@200mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.31nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:11pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):700mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SuperSOT™-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:0.12A |
| 通用MOSFET | FDC3535 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:2.1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:880pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:183m Ohms@2.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:2.1A |
| 通用MOSFET | FDC6306P | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:2P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:170m Ohms@1.9A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.2nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:441pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):700mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SuperSOT™-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.9A |
| 通用MOSFET | FDC8886 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:6.5A(Ta),8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:465pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:23m Ohms@6.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SSOT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.5A |
| 通用MOSFET | FDC637BNZ | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:6.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:895pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:24m Ohms@6.2A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6.2A |
| 通用MOSFET | FDC658P | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:750pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用MOSFET | FDD10AN06A0 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:11A(Ta),50A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1840pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):135W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10.5m Ohms@50A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:11A |
| 通用MOSFET | FDC634P | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:779pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:80m Ohms@3.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.5A |
| 通用MOSFET | FDC5614P | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:759pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:105m Ohms@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3A |
| 通用MOSFET | FDC658AP | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.1nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:470pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用MOSFET | FDC3612 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® 连续漏极电流Id:2.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:660pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:125m Ohms@2.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.6A |
| 通用MOSFET | FDD86250 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:8A(Ta),50A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2110pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.1W(Ta),132W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:22m Ohms@8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:8A |
| 通用MOSFET | FDD3706 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:14.7A(Ta),50A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1882pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),44W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9m Ohms@16.2A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:14.7A |
| 通用MOSFET | FDFM2P110 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:280pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:140m Ohms@3.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-MLP,Power33 封装/外壳:MLP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.5A |
| 通用MOSFET | FDD390N15ALZ | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:26A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:39nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1760pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):63W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:42m Ohms@26A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:26A |
| 通用MOSFET | FDC8601 | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:210pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:109m Ohms@2.7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:SuperSOT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.7A |
| 通用MOSFET | FDG1024NZ | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:175m Ohms@1.2A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):300mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6 封装/外壳:SC-70 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.2A |
| 通用MOSFET | FDMA520PZ | Fairchild(仙童) | 系列:PowerTrench® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:7.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1645pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):2.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:30m Ohms@7.3A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:MLP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.7A |
| 通用MOSFET | FDMC2523P | Fairchild(仙童) | 系列:QFET® 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:270pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):42W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:MLP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:1.8A |