IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | SIB900EDK-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:1.5A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:225 mOhms @ 1.6A,4.5V Vgs(th):1V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.1W 封装/外壳:PowerPAK® SC-75-6L 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 通用MOSFET | APT50GP60B2DQ2G | 系列:POWER MOS 7® IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:150A 脉冲电流-集电极(Icm):190A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,50A Pd-功率耗散(Max):625W 开关能量:465µJ(开),635µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:19ns/85ns 测试条件:400V,50A,4.3 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 变式 | |
| 通用MOSFET | SFT1342-TL-W | 连续漏极电流Id:12A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta),15W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:62m Ohms@6A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用MOSFET | STD4N80K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:175pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):60W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:3A | |
| 通用MOSFET | NVTFS4C13NTWG | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:14A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:770pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),26W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.4m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:40A | |
| 通用MOSFET | NVTFS4C08NTWG | 连续漏极电流Id:17A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1113pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.1W(Ta),31W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.9m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:55A | |
| 通用MOSFET | NVTFS4C05NTAG | 连续漏极电流Id:22A(Ta),102A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1988pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.2W(Ta),68W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.6m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:22A | |
| 通用MOSFET | NVR5198NLT1G | 连续漏极电流Id:1.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:182pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:155m Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.2A | |
| 通用MOSFET | NVMFS5113PLT1G | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:10A(Ta),64A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:83nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:14m Ohms@17A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:SO-FL FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10A | |
| 通用MOSFET | NVMFD5873NLWFT1G | FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:13m Ohms@15A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1560pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):3.1W 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-DFN(5x6) 双标记(SO8FL-双通道-非对称) 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10A | |
| 通用MOSFET | NVMFD5853NT1G | FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:10mΩ@15A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:24nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1225pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):3.1W 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-DFN(5x6) 双标记(SO8FL-双通道-非对称) 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用MOSFET | NVGS5120PT1G | 连续漏极电流Id:1.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:942pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):600mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:111m Ohms@2.9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:TSOP FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.5A | |
| 通用MOSFET | NVD6416ANLT4G-VF01 | Rds On(Max)@Id,Vgs:74m Ohms@19A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:19A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):71W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 | |
| 通用MOSFET | NVD4808NT4G | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:10A(Ta),63A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,11.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1538pF @ 12V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.4W(Ta),54.6W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13.8A | |
| 通用MOSFET | NTTFS4C13NTWG | 连续漏极电流Id:7.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:770pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):780mW(Ta),21.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.4m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11.7A | |
| 通用MOSFET | NTTFS4C10NTAG | 连续漏极电流Id:8.2A(Ta),44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:993pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):790mW(Ta),23.6W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.4m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13.3A | |
| 通用MOSFET | NTTFS4C10NTWG | 连续漏极电流Id:8.2A(Ta),44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:993pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):790mW(Ta),23.6W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.4m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13.3A | |
| 通用MOSFET | NTMFS4931NT3G | 连续漏极电流Id:23A(Ta),246A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:128nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9821pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):950mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:SO-FL FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:40A | |
| 通用MOSFET | NTMFS4931NT1G | 连续漏极电流Id:23A(Ta),246A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:128nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9821pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):950mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:SO-FL FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:40A | |
| 通用MOSFET | NTLUS3C18PZTAG | 连续漏极电流Id:4.4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1570pF @ 6V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):660mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:24m Ohms@7A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-PoweruFDFN 封装/外壳:UDFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:7A | |
| 通用MOSFET | NTMD5838NLR2G | FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@7A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:785pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):2.1W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:SOIC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:7.4A | |
| 通用MOSFET | NTLLD4901NFTWG | FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:5.5A,6.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:17.4m Ohms@9A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:605pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):800mW,810mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-WDFN(3x3) 封装/外壳:WDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11A/13A | |
| 通用MOSFET | SQM40081EL_GE3 | 连续漏极电流Id:50A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5 mOhms @ 25A,10V Vgs(th):2.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):107W(Tc) 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:40V | |
| 通用MOSFET | SIE832DF-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:50A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:5.5 mOhms @ 14A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):5.2W(Ta),104W(Tc) 封装/外壳:10-PolarPAK®(S) 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:40V | |
| 通用MOSFET | NGTB50N65FL2WG | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:650V 电流-集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流-集电极(Icm):200A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 15V,50A Pd-功率耗散(Max):417W 开关能量:1.5mJ(开),460µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:100ns/237ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:94ns 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 通用MOSFET | NDT02N40T1G | 连续漏极电流Id:400mA(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:121pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.5Ω@220mA,10V 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:400V 连续漏极电流Id:0.4A | |
| 通用MOSFET | NDDP010N25AZT4H | 连续漏极电流Id:10A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:980pF @ 20V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta),52W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:420m Ohms@5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:10A | |
| 通用MOSFET | NDD60N900U1T4G | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:5.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:360pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):74W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:900mΩ@2.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:5.7A | |
| 通用MOSFET | NDD03N80ZT4G | 连续漏极电流Id:2.9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:440pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):96W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5 Ohms@1.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:2.9A | |
| 通用MOSFET | NDD02N40T4G | 连续漏极电流Id:1.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:121pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):39W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.5Ω@220mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:400V 连续漏极电流Id:1.7A | |
| 通用MOSFET | MCH6662-TL-W | FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:160m Ohms@1A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:128pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):800mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-88FL/ MCPH6 封装/外壳:MCPH FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2A | |
| 通用MOSFET | MCH3484-TL-W | 连续漏极电流Id:4.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:0.9V,2.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11nC @ 2.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:630pF @ 10V 栅极电压Vgs:±5V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@2A,2.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:3-SMD 封装/外壳:MCPH FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.5A | |
| 通用MOSFET | MCH3475-TL-W | 连续漏极电流Id:1.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:88pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:180m Ohms@900mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-SMD 封装/外壳:MCPH FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.8A | |
| 通用MOSFET | STS1DN45K3 | 系列:SuperMESH3™ FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:500mA Rds On(Max)@Id,Vgs:3.8 Ohms@500mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.3W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:450V 连续漏极电流Id:0.5A | |
| 通用MOSFET | SIHF18N50D-E3 | 连续漏极电流Id:18A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:280 mOhms @ 9A,10V Vgs(th):5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):39W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:500V | |
| 通用MOSFET | EFC4627R-TR | FET类型:2N-Channel 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13.4nC @ 4.5V Pd-功率耗散(Max):1.4W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:4-EFCP (1.01x1.01) FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:6A | |
| 通用MOSFET | ECH8690-TL-H | 连续漏极电流Id:4.7A,3.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:55m Ohms@2A,10V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:955pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):1.5W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-ECH 封装/外壳:SOT-28FL FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.7A/3.5A | |
| 通用MOSFET | CPH6442-TL-W | 连续漏极电流Id:6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1040pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:43m Ohms@3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:CPH FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:6A | |
| 通用MOSFET | CPH6445-TL-W | 连续漏极电流Id:3.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:310pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:117m Ohms@1.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:CPH FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.5A | |
| 通用MOSFET | CPH6354-TL-W | 连续漏极电流Id:4A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@2A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 封装/外壳:CPH FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4A | |
| 通用MOSFET | CPH3356-TL-W | 连续漏极电流Id:2.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.3nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:137m Ohms@1A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:CPH FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A | |
| 通用MOSFET | CPH3351-TL-W | 连续漏极电流Id:1.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:262pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@1A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:CPH FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.8A | |
| 通用MOSFET | BBL4001-1E | 连续漏极电流Id:74A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:135nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6900pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),35W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.1m Ohms@37A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:74A | |
| 通用MOSFET | 5LN01C-TB-E | 连续漏极电流Id:100mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.57nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6.6pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):250mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.8 Ohms@50mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:CP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.1A | |
| 通用MOSFET | 2SK3747-1E | 连续漏极电流Id:2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:380pF @ 30V 栅极电压Vgs:±35V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13 Ohms@1A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-94 封装/外壳:TO-3PF FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1500V 连续漏极电流Id:2A | |
| 通用MOSFET | SIHP5N50D-GE3 | 连续漏极电流Id:5.3A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5 Ohms @ 2.5A,10V Vgs(th):5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):104W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:500V | |
| 通用MOSFET | SI4622DY-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:8A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:16 mOhms @ 9.6A,10V Vgs(th):2.5V @ 1mA Pd-功率耗散(Max):3.3W,3.1W 封装/外壳:8-SOIC 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | STB85NF55LT4 | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:110nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4050pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:80A | |
| 通用MOSFET | PHDMI2F4X | 封装/外壳:SOT1176 二极管电容:0.5pF 反向工作电压Vrwm:5.5V 极限放电电压:10/15KV 通道数:4 FET类型:N-Channel | |
| 通用MOSFET | SI7923DN-T1-E3 | 连续漏极电流Id:4.3A FET类型:2P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:47 mOhms @ 6.4A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):1.3W 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | STI6N80K5 | 系列:SuperMESH5™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:255pF @ 100V 栅极电压Vgs:30V Pd-功率耗散(Max):85W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.6 Ohms@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 封装/外壳:I2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:4.5A Ciss - 输入电容:255 pF 连续漏极电流Id:4.5A FET类型:N-Channel 最低工作温度:- 55 C 最高工作温度:+ 150 C 配置:Single Pd - 功率消耗:110 W Qg - 闸极充电:7.5 nC Rds On(Max)@Id,Vgs:1.6Ω 漏源极电压Vds:800V 栅极电压Vgs:±30V 栅极电压Vgs:4V | |
| 通用MOSFET | IRLIZ24GPBF | 连续漏极电流Id:14A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±10V Rds On(Max)@Id,Vgs:100 mOhms @ 8.4A,5V Vgs(th):2V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):37W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 通用MOSFET | IRLIZ24G | 连续漏极电流Id:14A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±10V Rds On(Max)@Id,Vgs:100 mOhms @ 8.4A,5V Vgs(th):2V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):37W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 通用MOSFET | IRFR9214TR | 连续漏极电流Id:2.7A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:3 Ohms @ 1.7A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):50W 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:250V | |
| 通用MOSFET | IRFL210TR | 连续漏极电流Id:960mA(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5 Ohms @ 580mA,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),3.1W(Tc) 封装/外壳:SOT-223 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:200V | |
| 通用MOSFET | IRFI9640G | 连续漏极电流Id:6.1A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:500 mOhms @ 3.7A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):40W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:200V | |
| 通用MOSFET | IRFI9520G | 连续漏极电流Id:5.2A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:600 mOhms @ 3.1A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):37W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | IRFI630G | 连续漏极电流Id:5.9A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:400 mOhms @ 3.5A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):35W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:200V | |
| 通用MOSFET | IRFI530G | 连续漏极电流Id:9.7A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:160 mOhms @ 5.8A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):42W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | IRF644NSTRL | 连续漏极电流Id:14A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:240 mOhms @ 8.4A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):150W 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:250V | |
| 通用MOSFET | IRF520STRL | 连续漏极电流Id:9.2A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:270 mOhms @ 5.5A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.7W(Ta),60W(Tc) 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | SIR800DP-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:50A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±12V Rds On(Max)@Id,Vgs:2.3 mOhms @ 15A,10V Vgs(th):1.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):5.2W(Ta),69W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 通用MOSFET | SUP50N03-5M1P-GE3 | 连续漏极电流Id:50A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:5.1 mOhms @ 22A,10V Vgs(th):2.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):2.7W(Ta),59.5W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | SI7956DP-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:2.6A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:105 mOhms @ 4.1A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):1.4W 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:150V | |
| 通用MOSFET | IRFH5303TRPBF | 系列:HEXFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:23A(Ta),82A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.35V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2190pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.6W(Ta),46W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2m Ohms@49A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TDSON-8 封装/外壳:QFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:23A 漏源极电压Vds:30V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2190pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:15V 封装/外壳:PQFN(5x6) | |
| 通用MOSFET | SISS40DN-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:36.5A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:21 mOhms @ 10A,10V Vgs(th):3.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.7W(Ta),52W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® 1212-8S 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | STD7N52DK3 | 系列:SuperFREDmesh3™ 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:870pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):90W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.15 Ohms@3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:525V 连续漏极电流Id:6A | |
| 通用MOSFET | STB20N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:18A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:36nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1434pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):130W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@9A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:18A | |
| 通用MOSFET | APTMC60TLM14CAG | FET类型:4个N通道(三级反相器) 漏源极电压Vds:1.2KV 连续漏极电流Id:219A Rds On(Max)@Id,Vgs:12m Ohms@150A,20V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA(标准) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:483nC @ 20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8400pF @ 1000V Pd-功率耗散(Max):925W 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SP6 | |
| 通用MOSFET | APT40SM120B | 连续漏极电流Id:41A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:20V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA(标准) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:130nC @ 20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2560pF @ 1000V 栅极电压Vgs:+25V,-10V Pd-功率耗散(Max):273W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@20A,20V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:41A | |
| 通用MOSFET | SQ3427EEV-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:5.5A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:82 mOhms @ 4.5A,10V Vgs(th):2.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):5W(Tc) 封装/外壳:TSOT-23-6 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 通用MOSFET | IRF6633ATRPBF | 系列:HEXFET® FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:16A(Ta),69A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1410pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta),42W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.6m Ohms@16A,10V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DirectFET™ 等距 MU 封装/外壳:Direct-FET FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:16V 连续漏极电流Id:20A 漏源极电压Vds:20V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1410pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:10V 封装/外壳:DIRECTFET™ MU | |
| 通用MOSFET | STS9P2UH7 | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2390pF @ 16V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):2.7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:22.5m Ohms@4.5A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:9A | |
| 通用MOSFET | APT20GN60BDQ1G | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):60A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.9V @ 15V,20A Pd-功率耗散(Max):136W 开关能量:230µJ(开),580µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:9ns/140ns 测试条件:400V,20A,4.3 欧姆,15V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 [B] | |
| 通用MOSFET | SI4464DY-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:1.7A(Ta) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:240 mOhms @ 2.2A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):1.5W 封装/外壳:8-SOIC 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:200V | |
| 通用MOSFET | PD85006L-E | FET类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压-测试:13.6V 额定电流:2A 电流-测试:200mA 功率-输出:5W 电压:40V 封装/外壳:PowerFLAT™(5x5) | |
| 通用MOSFET | SI7469DP-T1-E3 | 连续漏极电流Id:28A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:25 mOhms @ 10.2A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):5.2W(Ta),83.3W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:80V | |
| 通用MOSFET | SH8M14TB1 | 工作温度:150°C(TJ) 功率-最大值:2W FET功能:逻辑电平门 FET类型:N+P-Channel 漏源电压(Vdss):30V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):630pF @ 10V 封装/外壳:8-SOP 25°C时电流-连续漏极(Id):9A,7A 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.5nC @ 5V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):21 毫欧 @ 9A,10V | |
| 通用MOSFET | SI1067X-T1-E3 | 连续漏极电流Id:1.06A (Ta) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±8V Rds On(Max)@Id,Vgs:150 mOhms @ 1.06A,4.5V Vgs(th):950mV @ 250uA Pd-功率耗散(Max):236mW(Ta) 封装/外壳:SOT-563 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 通用MOSFET | STB40NF20 | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:75nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:40A | |
| 通用MOSFET | SIR438DP-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:60A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:1.8 mOhms @ 20A,10V Vgs(th):2.3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):5.4W(Ta),83W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:25V | |
| 通用MOSFET | SI3948DV-T1-E3 | FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:105 mOhms @ 2.5A,10V Vgs(th):1V @ 250uA(最小) Pd-功率耗散(Max):1.15W 封装/外壳:TSOT-23-6 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | SI3446ADV-T1-E3 | 连续漏极电流Id:6A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±12V Rds On(Max)@Id,Vgs:37 mOhms @ 5.8A,4.5V Vgs(th):1.8V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),3.2W(Tc) 封装/外壳:TSOT-23-6 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 通用MOSFET | SI2312BDS-T1-E3 | 连续漏极电流Id:3.9A(Ta) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±8V Rds On(Max)@Id,Vgs:31 mOhms @ 5A,4.5V Vgs(th):850mV @ 250uA Pd-功率耗散(Max):750mW(Ta) 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 通用MOSFET | SUD50N03-09P-E3 | 连续漏极电流Id:63A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:9.5 mOhms @ 20A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):7.5W(Ta),65.2W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | SIR401DP-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:50A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±12V Rds On(Max)@Id,Vgs:3.2 mOhms @ 15A,10V Vgs(th):1.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):5W(Ta),39W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 通用MOSFET | SI5471DC-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:6A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±12V Rds On(Max)@Id,Vgs:20 mOhms @ 9.1A,4.5V Vgs(th):1.1V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta),6.3W(Tc) 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 通用MOSFET | STB80N20M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:61A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:104nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4329pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:23m Ohms@30.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:61A | |
| 通用MOSFET | SI7459DP-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:13A(Ta) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±25V Rds On(Max)@Id,Vgs:6.8 mOhms @ 22A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):1.9W 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:30V | |
| 通用MOSFET | SIR870ADP-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:60A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:6.6 mOhms @ 20A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):6.25W(Ta),104W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | STF11NM65N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:455m Ohms@5.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用MOSFET | STL42N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:4A(Ta),34A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:100nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4650pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):3W(Ta),208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:79m Ohms@16.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:4-PowerFlat™ HV 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:34A | |
| 通用MOSFET | NTMFS4899NFT1G | 连续漏极电流Id:10.4A(Ta),75A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 12V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):920mW(Ta),48W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线 封装/外壳:SO-FL FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:29.1A | |
| 通用MOSFET | SIR410DP-T1-GE3 | 连续漏极电流Id:35A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:4.8 mOhms @ 20A,10V Vgs(th):2.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):4.2W(Ta),36W(Tc) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:20V | |
| 通用MOSFET | STD8N80K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:450pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:950m Ohms@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:6A | |
| 通用MOSFET | SPP16N50C3XKSA1 | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 675µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:66nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:16 A 漏源极电压Vds:560 V Rds On(Max)@Id,Vgs:280 m0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:TO-220 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):160W 宽度:4.57mm 典型接通延迟时间:10 ns 典型关断延迟时间:50 ns 漏源极电压Vds:1600 pF @ 25 V 晶体管材料:Si 系列:CoolMOS C3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:10.36mm 高度:15.95mm 封装/外壳:10.36 x 4.57 x 15.95mm 最低工作温度:-55 °C | |
| 通用MOSFET | IRGP6690D-EPBF | 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:140A 脉冲电流-集电极(Icm):225A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,75A Pd-功率耗散(Max):483W 开关能量:2.4mJ(开),2.2mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:85ns/222ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:90ns 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK 封装/外壳:TO-247AD | |
| 通用MOSFET | IRFHE4250DTRPBF | 系列:FASTIRFET™ FET类型:2N-Channel 连续漏极电流Id:86A,303A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.75m Ohms@27A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1735pF @ 13V Pd-功率耗散(Max):156W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:32-PQFN 封装/外壳:QFN FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:86A/303A 漏源极电压Vds:25V 封装/外壳:32-PowerWFQFN 封装/外壳:32-PQFN(6x6) | |
| 通用MOSFET | IPW60R330P6FKSA1 | 系列:CoolMOS™ P6 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 370µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1010pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):93W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:330m Ohms@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:12A 漏源极电压Vds:600V 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| 通用MOSFET | IPW60R230P6FKSA1 | 系列:CoolMOS™ P6 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:16.8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 530µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1450pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):126W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:230m Ohms@6.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:16.8A 漏源极电压Vds:600V 封装/外壳:PG-TO247-3 |