IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | STP120NF10 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:110A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:233nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):312W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10.5m Ohms@60A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:110A |
| 通用MOSFET | STP25N10F7 | ST(意法半导体) | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VII 连续漏极电流Id:25A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:920pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:35m Ohms@12.5A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:25A |
| 通用MOSFET | STP40N65M2 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ M2 连续漏极电流Id:32A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:56.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2355pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:99m Ohms@16A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:32A |
| 通用MOSFET | STP20N95K5 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:17.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:330m Ohms@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:17.5A |
| 通用MOSFET | STP2NK100Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:1.85A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:499pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5 Ohms@900mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:2A |
| 通用MOSFET | STP30NF20 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:38nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1597pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:75m Ohms@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:30A |
| 通用MOSFET | STP170N8F7 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ F7 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:120nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8710pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.9m Ohms@60A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:120A |
| 通用MOSFET | STP20NM60 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:54nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):192W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:290m Ohms@10A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A |
| 通用MOSFET | STP18N60M2 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:791pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280m Ohms@6.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:13A |
| 通用MOSFET | STP150N10F7 | ST(意法半导体) | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VII 连续漏极电流Id:110A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:117nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8115pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2m Ohms@55A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:90A |
| 通用MOSFET | STP42N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:33A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:100nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4650pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:79m Ohms@16.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:33A |
| 通用MOSFET | STP2N80K5 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:95pF @ 100V 栅极电压Vgs:30V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5 Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:2A |
| 通用MOSFET | STP45NF06 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:38A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:58nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:980pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):80W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:28m Ohms@19A,10V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:38A |
| 通用MOSFET | STP80NF10FP | ST(意法半导体) | 连续漏极电流Id:38A(Tc) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:189nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4300pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 系列:STripFET™ II 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:15m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | STP4NK50ZD | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:310pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:3A |
| 通用MOSFET | STP50NF25 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:68.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2670pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:69m Ohms@22A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:45A |
| 通用MOSFET | STP45N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:91nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3375pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):210W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:78m Ohms@19.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:35A |
| 通用MOSFET | STP4NK80Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:575pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):80W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:3A |
| 通用MOSFET | STP4NK80Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:575pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):80W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5 Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:3A |
| 通用MOSFET | STP8N90K5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ K5 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 栅极电压Vgs:±30V FET类型:电流感测 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 |
| 通用MOSFET | STP8NK100Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:6.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:102nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2180pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.85 Ohms@3.15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:6.5A |
| 通用MOSFET | STP7NK40Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:5.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:535pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1 Ohms@2.7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:400V 连续漏极电流Id:5.4A |
| 通用MOSFET | STP40NF10L | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:64nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±17V Rds On(Max)@Id,Vgs:33m Ohms@20A,10V 工作温度:175°C(TJ) Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:40A |
| 通用MOSFET | SIHP22N60E-E3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:86nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1920pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):227W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:21A Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ |
| 通用MOSFET | TP2510N8-G | Microchip | 连续漏极电流Id:480mA(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:125pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5 Ohms@750mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.48A |
| 通用MOSFET | VN2222LL-G-P003 | Microchip | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:230mA(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:60pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):400mW(Ta),1W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) |
| 通用MOSFET | TN2510N8-G | Microchip | 连续漏极电流Id:730mA(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:3V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:125pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5 Ohms@750mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.73A |
| 通用MOSFET | TP2104N3-G | Microchip | 连续漏极电流Id:175mA(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:60pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):740mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:6 Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:0.25A |
| 通用MOSFET | STS10P4LLF6 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ F6 连续漏极电流Id:10A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3525pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.7W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:15m Ohms@3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:10A |
| 通用MOSFET | STS7NF60L | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:7.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:19.5m Ohms@3.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:7.5A |
| 通用MOSFET | STQ1NK80ZR-AP | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:300mA(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):3W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:16 Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 封装/外壳:TO-92Ammo FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:0.3A |
| 通用MOSFET | STS8DNF3LL | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:20m Ohms@4A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):1.6W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8A |
| 通用MOSFET | APT10M11JVRU2 | Microsemi(美高森美) | 连续漏极电流Id:142A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:300nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8600pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):450W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:11m Ohms@71A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 封装/外壳:SOT-227 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:142A |
| 通用MOSFET | APT25GR120BSCD10 | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流-集电极(Icm):100A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.2V @ 15V,25A Pd-功率耗散(Max):521W 开关能量:434µJ(开),466µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:16ns/122ns 测试条件:600V,25A,4.3 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 |
| 通用MOSFET | APT37M100L | Microsemi(美高森美) | 连续漏极电流Id:37A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:305nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9835pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):1135W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:330m Ohms@18A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 封装/外壳:TO-264 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:37A |
| 通用MOSFET | APT34N80B2C3G | Microsemi(美高森美) | 连续漏极电流Id:34A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:355nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4510pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):417W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:145m Ohms@22A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 变式 封装/外壳:T-MAX FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:34A |
| 通用MOSFET | APT53F80J | Microsemi(美高森美) | 系列:POWER MOS 8™ 连续漏极电流Id:57A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:570nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:17550pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):960W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@43A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 封装/外壳:SOT-227 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:57A |
| 通用MOSFET | STT7P2UH7 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2390pF @ 16V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:22.5m Ohms@3.5A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7A |
| 通用MOSFET | MIC94052YC6-TR | Microchip | 连续漏极电流Id:2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA Pd-功率耗散(Max):270mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:84m Ohms@100mA,4.5V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SC-70 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:6V 连续漏极电流Id:2A |
| 通用MOSFET | MIC94050YM4-TR | Microchip | 系列:SymFET™ 连续漏极电流Id:1.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 5.5V Pd-功率耗散(Max):568mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:160m Ohms@100mA,4.5V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 封装/外壳:SOT-143 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:6V 连续漏极电流Id:1.8A |
| 通用MOSFET | ARF466BG | Microsemi(美高森美) | FET类型:N通道 频率:40.68MHz 增益:16dB 电压-测试:150V 额定电流:13A 功率-输出:150W 电压:1KV 封装/外壳:TO-264 |
| 通用MOSFET | ARF463AP1G | Microsemi(美高森美) | FET类型:N通道 频率:81.36MHz 增益:15dB 电压-测试:125V 额定电流:9A 功率-输出:100W 电压:500V 封装/外壳:TO-247 |
| 通用MOSFET | STU7N105K5 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:380pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 ,IPak,TO-251AA 封装/外壳:IPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1050V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用MOSFET | STW12N120K5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ K5 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1370pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:690m Ohms@6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:12A |
| 通用MOSFET | STW20N90K5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ K5 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V FET类型:电流感测 Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:250m Ohms@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 通用MOSFET | STW23N80K5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ K5 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280m Ohms@8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:16A |
| 通用MOSFET | STU11N65M2 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:410pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):85W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:670m Ohms@3.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 ,IPak,TO-251AA 封装/外壳:IPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:7A |
| 通用MOSFET | STW13NK60Z | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:92nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2030pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:550m Ohms@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:13A |
| 通用MOSFET | STW18N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1240pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:220m Ohms@7.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:15A |
| 通用MOSFET | STV300NH02L | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ III 连续漏极电流Id:200A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V,5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:109nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7055pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1m Ohms@80A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘 封装/外壳:PowerSO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:24V 连续漏极电流Id:200A |
| 通用MOSFET | STW28NM50N | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1735pF @ 25V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:158m Ohms@10.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:21A |
| 通用MOSFET | STW70N60M2 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:68A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:118nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5200pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):450W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@34A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:68A |
| 通用MOSFET | STW75NF30 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:164nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5930pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):320W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:60A |
| 通用MOSFET | STWA40N95K5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:38A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:93nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3300pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):450W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ohms@19A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:38A |
| 通用MOSFET | STW75NF30 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:164nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5930pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):320W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:60A |
| 通用MOSFET | STW45N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:91nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3375pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):210W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:78m Ohms@19.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:35A |
| 通用MOSFET | STW77N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:69A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:200nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9800pF @ 100V 栅极电压Vgs:25V Pd-功率耗散(Max):400W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:38m Ohms@34.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:69A |
| 通用MOSFET | STY139N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:130A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:363nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15600pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:17m Ohms@65A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:130A |
| 通用MOSFET | STW45N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:91nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3375pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):210W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:78m Ohms@19.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:35A |
| 通用MOSFET | PD55015-E | ST(意法半导体) | FET类型:LDMOS 频率:500MHz 增益:14dB 电压-测试:12.5V 额定电流:5A 电流-测试:150mA 功率-输出:15W 电压:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF(成形引线) |
| 通用MOSFET | PD85004 | ST(意法半导体) | FET类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压-测试:13.6V 额定电流:2A 电流-测试:50mA 功率-输出:4W 电压:40V 封装/外壳:SOT-89 |
| 通用MOSFET | PD84001 | ST(意法半导体) | FET类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15dB 电压-测试:7.5V 额定电流:1.5A 电流-测试:50mA 功率-输出:30dBm 电压:18V 封装/外壳:SOT-89 |
| 通用MOSFET | PD57006-E | ST(意法半导体) | FET类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:15dB 电压-测试:28V 额定电流:1A 电流-测试:70mA 功率-输出:6W 电压:65V 封装/外壳:PowerSO-10RF(成形引线) 最小工作温度:- 65 C 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:0.58 S 漏源极电压Vds:65V 连续漏极电流Id:1A 输出功率:6 W 配置:Single 漏源极电压Vds:±20V Pd-功率耗散(Max):20W 封装/外壳:PowerSO-10RF (Formed Lead) FET类型:N-Channel 最大工作温度:+ 150 C |
| 通用MOSFET | PD20015-E | ST(意法半导体) | FET类型:LDMOS 频率:2GHz 增益:11dB 电压-测试:13.6V 额定电流:7A 电流-测试:350mA 功率-输出:15W 电压:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF(成形引线) |
| 通用MOSFET | PD85035-E | ST(意法半导体) | FET类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17dB 电压-测试:13.6V 额定电流:8A 电流-测试:350mA 功率-输出:15W 电压:40V 封装/外壳:PowerSO-10RF(成形引线) |
| 通用MOSFET | SD57030-01 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:M250 FET类型:LDMOS 频率:945MHz 增益:15dB 电压-测试:28V 额定电流:4A 电流-测试:50mA 功率-输出:30W 电压:65V |
| 通用MOSFET | STB75NF75LT4 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:75A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:90nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:11m Ohms@37.5A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:75A |
| 通用MOSFET | STB155N3LH6 | ST(意法半导体) | 系列:DeepGATE™,STripFET™ VI 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3800pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | STB25NM60ND | ST(意法半导体) | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:160m Ohms@10.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:21A |
| 通用MOSFET | STB36NM60ND | ST(意法半导体) | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:29A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2785pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@14.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:29A |
| 通用MOSFET | STB75NF20 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:75A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:84nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3260pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:34m Ohms@37A,10V 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 下降时间:29 ns 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:40 S 最小工作温度:- 50 C Pd-功率耗散(Max):190W 上升时间:33 ns 典型关闭延迟时间:75 ns FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 漏源极电压Vds:±20V 连续漏极电流Id:75A Rds On(Max)@Id,Vgs:34mΩ 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C |
| 通用MOSFET | STB230NH03L | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:72nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4700pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | STB36NF06LT4 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:660pF @ 25V 栅极电压Vgs:±18V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:40m Ohms@15A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:30A |
| 通用MOSFET | STB40NF20 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:75nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:40A |
| 通用MOSFET | STB20N95K5 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:17.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:330m Ohms@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:17.5A |
| 通用MOSFET | STB70NF03LT4 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:70A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1440pF @ 25V 栅极电压Vgs:±18V Pd-功率耗散(Max):100W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.5m Ohms@35A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:70A |
| 通用MOSFET | STB10N60M2 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:7.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:400pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):85W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600m Ohms@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:7.5A |
| 通用MOSFET | STB57N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:42A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:63m Ohms@21A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:42A |
| 通用MOSFET | STB35N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:27A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:83nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3750pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:98m Ohms@13.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:27A |
| 通用MOSFET | STB38N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:95mΩ@15A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:30A |
| 通用MOSFET | STB36NM60ND | ST(意法半导体) | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:29A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2785pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@14.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:29A |
| 通用MOSFET | STB18NF25 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:165m Ohms@8.5A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:17A |
| 通用MOSFET | STB200NF04T4 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:210nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):310W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.7m Ohms@90A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:120A |
| 通用MOSFET | STB35N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:27A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:83nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3750pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:98m Ohms@13.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:27A |
| 通用MOSFET | STB6NK60ZT4 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:46nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:905pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2 Ohms@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:6A |
| 通用MOSFET | STB38N65M5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:95mΩ@15A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:30A |
| 通用MOSFET | STB6NK60Z-1 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:46nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:905pF @ 25V 栅极电压Vgs:30V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2 Ohms@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 封装/外壳:I2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:6A |
| 通用MOSFET | STB4NK60Z-1 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:510pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@2A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 封装/外壳:I2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用MOSFET | STB7NK80ZT4 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:5.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:56nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1138pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.8Ω@2.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:5.2A |
| 通用MOSFET | NCV2903DR2G | ON(安森美) | 系列:NCV 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C~125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 通用MOSFET | STD28P3LLH6AG | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET™ H6 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1480pF @ 25V 栅极电压Vgs:±18V Pd-功率耗散(Max):33W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@6A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:12A |
| 通用MOSFET | STB8N90K5 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ K5 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 栅极电压Vgs:±30V FET类型:电流感测 Pd-功率耗散(Max):130W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:800m Ohms@1.17A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 连续漏极电流Id:8A |
| 通用MOSFET | STD10NM60N | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:10A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:540pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:10A |
| 通用MOSFET | STD2N95K5 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:105pF @ 100V 栅极电压Vgs:30V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5 Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:2A |
| 通用MOSFET | STD15NF10T4 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:23A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:870pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:65m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:23A 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:13V |
| 通用MOSFET | STD5N52K3 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:4.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:545pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5Ω@2.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:525V 连续漏极电流Id:4.4A |
| 通用MOSFET | STD1NK60-1 | ST(意法半导体) | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:1A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:156pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):30W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 ,IPak,TO-251AA 封装/外壳:IPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:1A |
| 通用MOSFET | STD65N55LF3 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ III 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8.5m Ohms@32A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | STD11N50M2 | ST(意法半导体) | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:395pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):85W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:530m Ohms@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:8A |
| 通用MOSFET | STD60NF06T4 | ST(意法半导体) | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:66nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1810pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:16m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:60A |