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    通用MOSFET HTNFET-DC
    通用MOSFET ARF477FL FET类型:2N沟道(双)共源 频率:65MHz 增益:16dB 电压-测试:150V 额定电流:15A 功率-输出:400W 电压:500V
    通用MOSFET SPB12N50C3ATMA1 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:11.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 500µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:49nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380 毫欧 @ 7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:PG-TO263-3
    通用MOSFET SIHU6N62E-GE3 连续漏极电流Id:6A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:900 mOhms @ 3A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):78W(Tc) 封装/外壳:TO-251AA 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:620V
    通用MOSFET STB13N80K5 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:870pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:450m Ohms@6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:12A
    通用MOSFET SI7964DP-T1-E3 连续漏极电流Id:6.1A FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:23 mOhms @ 9.6A,10V Vgs(th):4.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):1.4W 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 双 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:60V
    通用MOSFET ZXMS6005DGTA 系列:汽车级,AEC-Q101,INTELLIFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:60V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:3.3 V ~ 5 V 电流-输出（最大值）:2A 导通电阻（典型值）:150 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C~125°C(TA) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V
    通用MOSFET ZXMP10A17E6QTA FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:1.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:424pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:350mΩ@1.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.6A 封装/外壳:4-SMD
    通用MOSFET DMP3068L-7 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:3.3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:708pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:72m Ohms@4.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.3A
    通用MOSFET DMP3017SFG-13 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:11.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2246pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):940mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:10m Ohms@11.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:PowerDI FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11.5A
    通用MOSFET DMP2006UFG-7 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:17.5A(Ta),40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:140nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5404pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):2.3W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.2m Ohms@15A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:PowerDI FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:17.5A
    通用MOSFET DMN62D0U-7 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:380mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:32pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):380mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2 Ohms@100mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.38A 封装/外壳:SOT-23
    通用MOSFET DMN61D8LQ-7 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.47A
    通用MOSFET DMN55D0UTQ-7 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:160mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4Ω@100mA,4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523
    通用MOSFET DMN4020LFDE-7 封装/外壳:DFN2020-6
    通用MOSFET DMC3400SDW-7 电路:SPST-NO 开关功能:关-瞬时 不同电压时的触头额定电流:0.05A @ 12VDC 致动器 PCB 高度，垂直:7.00mm 致动器方向:顶部触动 端子类型:鸥翼 外形:6.20mm x 6.20mm 照明:不发光 作用力:360gf 工作温度:-40°C ~ 85°C 致动器材料:液晶聚合物(LCP) 开关行程:0.25mm 机械寿命:200,000 次循环 FET类型:标准 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:650mA,450mA Rds On(Max)@Id,Vgs:400mΩ@590mA,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:55pF @ 15V 功率:0.31W 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    通用MOSFET DMC2041UFDB-7 FET类型:N+P-Channel FET类型:标准 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.7A,3.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@4.2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:713pF @ 10V 功率:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
    通用MOSFET SVF3878PN FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SVD640T FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SVD540T FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SM8404CSQC-TRG FET类型:N+P-Channel
    通用MOSFET SM6041CSKC-TRG FET类型:N+P-Channel
    通用MOSFET SM4844NHKC-TRG 封装/外壳:SOP-8 FET类型:N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:6.8mΩ@9A,4.5V Pd-功率耗散(Max):1.6W 工作温度:-55℃~150℃ 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:15.5A
    通用MOSFET SM4603CSKC-TRG 封装/外壳:SOP-8 FET类型:N+P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@5A,4.5V Pd-功率耗散(Max):2.4W,2.4W 工作温度:-55℃~150℃ 栅极电压Vgs:±20V,±20V 漏源极电压Vds:30V,-30V 连续漏极电流Id:8.7A,-8.2A
    通用MOSFET SM3113NSUC-TRG FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SM1A23NSUC-TRG FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SM1A16PSUC-TRG FET类型:P-Channel
    通用MOSFET APM4500AKC-TRG 封装/外壳:SOP-8 FET类型:N+P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:115mΩ@-2A,-2.5V Pd-功率耗散(Max):2W 工作温度:-55℃~150℃ 栅极电压Vgs:±12V,±12V 漏源极电压Vds:20V,-20V 连续漏极电流Id:8A,-4.3A
    通用MOSFET APM2701ACC-TRG FET类型:N+P-Channel
    通用MOSFET APM2301CAC-TRG FET类型:N-Channel
    通用MOSFET APM2300CAC-TRG FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SM2307PSAC-TRG FET类型:P-Channel
    通用MOSFET SVF3878PN FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SVD640T FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SVD540T FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SM8404CSQC-TRG FET类型:N+P-Channel
    通用MOSFET SM6041CSKC-TRG FET类型:N+P-Channel
    通用MOSFET SM4844NHKC-TRG 封装/外壳:SOP-8 FET类型:N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:6.8mΩ@9A,4.5V Pd-功率耗散(Max):1.6W 工作温度:-55℃~150℃ 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:15.5A
    通用MOSFET SM4603CSKC-TRG 封装/外壳:SOP-8 FET类型:N+P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@5A,4.5V Pd-功率耗散(Max):2.4W,2.4W 工作温度:-55℃~150℃ 栅极电压Vgs:±20V,±20V 漏源极电压Vds:30V,-30V 连续漏极电流Id:8.7A,-8.2A
    通用MOSFET SM3113NSUC-TRG FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SM1A23NSUC-TRG FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SM1A16PSUC-TRG FET类型:P-Channel
    通用MOSFET APM4500AKC-TRG 封装/外壳:SOP-8 FET类型:N+P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:115mΩ@-2A,-2.5V Pd-功率耗散(Max):2W 工作温度:-55℃~150℃ 栅极电压Vgs:±12V,±12V 漏源极电压Vds:20V,-20V 连续漏极电流Id:8A,-4.3A
    通用MOSFET APM2701ACC-TRG FET类型:N+P-Channel
    通用MOSFET APM2301CAC-TRG FET类型:N-Channel
    通用MOSFET APM2300CAC-TRG FET类型:N-Channel
    通用MOSFET VAM8004X FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SIHG28N65E-GE3 FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SI1330EDL-T1-E3 连续漏极电流Id:240mA(Ta) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5 Ohms @ 250mA,10V Vgs(th):2.5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):280mW(Ta) 封装/外壳:SOT-323 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:60V
    通用MOSFET PJT7801_R1_00001 FET类型:P-Channel 封装/外壳:SOT-363 通道数:Dual 栅极电压Vgs:8V Rds On(max)@Id,Vgs:325mΩ@4.5V
    通用MOSFET VAM3010D FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SIHA240N60E-GE3 FET类型:N-Channel
    通用MOSFET VIC3213-30DJ FET类型:N-Channel
    通用MOSFET VIC3214-40DK FET类型:N-Channel
    通用MOSFET VIC3212-39DJ FET类型:N-Channel
    通用MOSFET PJA3457_R1_00001 FET类型:N-Channel 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 栅极电压Vgs:10V Rds On(max)@Id,Vgs:33mΩ@4.5V
    通用MOSFET SQJA76EP-T1_GE3 FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SQS944ENW-T1_GE3 FET类型:N-Channel
    通用MOSFET PJA3435-AU_R1_000A1 FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SQJ208EP-T1_GE3 FET类型:N-Channel
    通用MOSFET PJA3406-AU_R1_000A1 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):1.25W Rds On(Max)@Id,Vgs:48mΩ@4.4A,10V 工作温度:-55°C~150℃ 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.4A
    通用MOSFET STD11N65M2 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:410pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):85W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:670m Ohms@3.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:7A
    通用MOSFET DMN4035LQ-7 FET类型:N-Channel
    通用MOSFET DMTH6016LK3Q-13
    通用MOSFET DMT3009LDT-7-55
    通用MOSFET DMP4025SFGQ-7 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:7.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33.7nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1643pF @ 20V 功率:0.81W Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@3A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI3333-8
    通用MOSFET DMC2450UV-7-55
    通用MOSFET DMC2041UFDB-7 FET类型:N+P-Channel FET类型:标准 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.7A,3.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@4.2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:713pF @ 10V 功率:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
    通用MOSFET DMTH6016LK3Q-13
    通用MOSFET DMT3009LDT-7-55
    通用MOSFET DMP4025SFGQ-7 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:7.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33.7nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1643pF @ 20V 功率:0.81W Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@3A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI3333-8
    通用MOSFET DMC2450UV-7-55
    通用MOSFET DMC2041UFDB-7 FET类型:N+P-Channel FET类型:标准 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.7A,3.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@4.2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:713pF @ 10V 功率:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘
    通用MOSFET DMP2305UQ-7
    通用MOSFET ZXMS6004FFTA 系列:汽车级,AEC-Q101,INTELLIFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:60V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:3.3V,5V 电流-输出（最大值）:1.3A 导通电阻（典型值）:350 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23F FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V
    通用MOSFET BSS123Q-13 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.17A
    通用MOSFET STL200N45LF7 系列:STripFET™ F7 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5170pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.8m Ohms@18A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:45V 连续漏极电流Id:120A
    通用MOSFET PJD15P06A_L2_00001 FET类型:P-Channel 封装/外壳:TO-252AA 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:68mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:85mΩ@4.5V
    通用MOSFET STP26NM60ND 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:21A(Tc) 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:54.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1817pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:175m Ohms@10.5A,10V 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:22A
    通用MOSFET R6547KNZ4C13 连续漏极电流Id:47A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V RdsOn(Max)@Id,Vgs:80mOhms@25.8A,10V 栅极电压Vgs:5V@1.72mA 栅极电荷Qg:100nC@10V Pd-功率耗散(Max):480W(Tc) 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:150℃(TJ) 漏源极电压Vds:650V
    通用MOSFET SIHP240N60E-GE3 FET类型:N-Channel
    通用MOSFET SIHB065N60E-GE3 FET类型:N-Channel
    通用MOSFET LP8615DT1AG-HW 封装/外壳:DFN3030-8B FET类型:P-Channel 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:-60V 连续漏极电流Id:-7A Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ@-3.2A,-4.5V Pd-功率耗散(Max):2.9W
    通用MOSFET PJQ5446-AU_R2_000A1 FET类型:N-Channel 封装/外壳:DFN5060-8L 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:9.5mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:14mΩ@4.5V
    通用MOSFET ZXMS6005DGTA 系列:汽车级,AEC-Q101,INTELLIFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:60V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:3.3 V ~ 5 V 电流-输出（最大值）:2A 导通电阻（典型值）:150 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C~125°C(TA) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V
    通用MOSFET ZXMS6004FFTA 系列:汽车级,AEC-Q101,INTELLIFET® 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:60V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:3.3V,5V 电流-输出（最大值）:1.3A 导通电阻（典型值）:350 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23F FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V
    通用MOSFET ZXMC4A16DN8TA FET类型:N+P-Channel 连续漏极电流Id:4A,3.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA(最小) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:770pF @ 40V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SOIC FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:5.2A/4.7A
    通用MOSFET STL57N65M5 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:4.3A(Ta),22.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:110nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):2.8W(Ta),189W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:69m Ohms@20A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:4-PowerFlat™ HV 封装/外壳:Power FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:4.3A
    通用MOSFET BD63006MUV-E2 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 电流 - 输出:1.5A 电压 - 电源:8 V ~ 28 V 工作温度:-40°C~85°C(TA) 封装/外壳:24-VFQFN 电机类型 - AC，DC:无刷 DC(BLDC) 功能:驱动器 输出配置:前置驱动器 - 半桥(3) 接口:逻辑
    通用MOSFET SUP85N10-10-E3 连续漏极电流Id:85A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:10.5 mOhms @ 30A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.75W(Ta),250W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V
    通用MOSFET NTMFS4852NT1G 连续漏极电流Id:16A(Ta),155A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:71.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4970pF @ 12V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta),86.2W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.1m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线 封装/外壳:SO-FL FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:40A
    通用MOSFET VS-FC420SA15 连续漏极电流Id:400A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:2.75 mOhms @ 200A,10V Vgs(th):5.4V @ 1mA Pd-功率耗散(Max):909W(Tc) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:150V
    通用MOSFET VP3203N8-G 连续漏极电流Id:1.1A(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 10mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:600m Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.1A
    通用MOSFET VP2450N8-G 连续漏极电流Id:160mA(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:30 Ohms@100mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:0.16A
    通用MOSFET VP2110K1-G 连续漏极电流Id:120mA(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:60pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):360mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12 Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.12A
    通用MOSFET VP0808L-G 连续漏极电流Id:280mA(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):1W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5 Ohms@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:0.28A
    通用MOSFET VP0104N3-G 连续漏极电流Id:250mA(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:60pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8 Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:0.25A
    通用MOSFET VN3205N8-G 连续漏极电流Id:1.5A(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 10mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:300m Ohms@1.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:1.5A
    通用MOSFET VN3205N3-G FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.2A(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 10mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:300m Ohms@3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 封装/外壳:TO-92 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:1.2A
    通用MOSFET VN2460N8-G 连续漏极电流Id:200mA(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 2mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.6W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:20 Ohms@100mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:0.2A

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