IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | SQ2389ES-T1_GE3 | Vishay(威世) | 系列:SQ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:420pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:94m Ohms@10A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:4.1A Pd-功率耗散(Max):3W 电压:-40V |
| 通用MOSFET | SiA517DJ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SI 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:500pF @ 6V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:4.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:24mΩ,50mΩ Pd-功率耗散(Max):6.5W 电压:12V |
| 通用MOSFET | SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SI 零件号别名:SI2308BDS-GE3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.09W(Ta),1.66W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:156m Ohms@1.9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:156mΩ |
| 通用MOSFET | MBR30H150CT-E3/45 | Vishay(威世) | 系列:MBR 工作温度:-65°C~175°C 高度:8.89 mm 长度:10.54 mm 宽度:4.7 mm 配置:Dual Common Cathode Ir-反向电流:5 uA 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）:150V 电流-平均整流（Io）（每二极管）:15A 不同If时的电压-正向（Vf）:900mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr时的电流-反向漏电流:5µA @ 150V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220-3 平均整流电流Io:30 A 最大反向电压VR:150 V 正向压降VF:0.99 V 正向浪涌电流Ifsm:260 A |
| 通用MOSFET | IRFL110PBF | Vishay(威世) | 系列:IRF 高度:1.8 mm 长度:6.5 mm 宽度:3.5 mm 封装/外壳:SOT-223 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.5A |
| 通用MOSFET | JANTXV2N6849 | Infineon(英飞凌) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/564 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:6.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34.8nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta),25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:320m Ohms@6.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-205AF |
| 通用MOSFET | XP162A12A6PRN | Torex(特瑞仕) | 系列:XP162A 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A |
| 通用MOSFET | XP162A12A6PR | Torex(特瑞仕) | 系列:XP162A 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A |
| 通用MOSFET | XP152A12C0MRN | Torex(特瑞仕) | 系列:XP152A 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel |
| 通用MOSFET | XP151A13A0MRN | Torex(特瑞仕) | 系列:XP151A 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel |
| 通用MOSFET | NCV2903DR2G | ON(安森美) | 系列:NCV 元件数:2 输出类型:CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 30V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:16mA @ 5V 电流-静态（最大值）:2.5mA 工作温度:-40°C~125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 通用MOSFET | IPA60R099P7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ P7 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1952pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):29W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:99 毫欧 @ 10.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:31A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 530µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45nC @ 10V 封装/外壳:PG-TO220 整包 |
| 通用MOSFET | DMN53D0U-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:300mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:37.1pF @ 25V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):520mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@50mA,5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.3A |
| 通用MOSFET | DMN33D8LT-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:115mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.55nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:48pF @ 5V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):240mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:5 Ohms@10mA,4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.115A |
| 通用MOSFET | DMN1054UCB4-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:8V 连续漏极电流Id:2.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:908pF @ 6V 栅极电压Vgs:±5V Pd-功率耗散(Max):740mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:42m Ohms@1A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:4-XFBGA,WLBGA |
| 通用MOSFET | DMG6968UTS-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:23m Ohms@6.5A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:143pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSSOP 封装/外壳:TSSOP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5.2A |
| 通用MOSFET | LP3443LT1G | LRC(乐山无线电) | 系列:LP 连续漏极电流Id:4.7A 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:0.6V Rds On(Max)@Id,Vgs:70 @VGS(V)/IDS(A):4.5/4.7 FET类型:P-Channel |
| 通用MOSFET | LP3407LT1G | LRC(乐山无线电) | 系列:LP 连续漏极电流Id:4.1A 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:30V Rds On(Max)@Id,Vgs:70 @VGS(V)/IDS(A):10/4.1 FET类型:P-Channel |
| 通用MOSFET | LP3401LT1G | LRC(乐山无线电) | 系列:LP 连续漏极电流Id:4.2A 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:0.7V Rds On(Max)@Id,Vgs:120 @VGS(V)/IDS(A):2.5/1.0 FET类型:P-Channel |
| 通用MOSFET | LP2305LT1G | LRC(乐山无线电) | 系列:LP 连续漏极电流Id:4.2A 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:0.7V Rds On(Max)@Id,Vgs:130 @VGS(V)/IDS(A):2,5/1.0 FET类型:P-Channel |
| 通用MOSFET | LP2301LT1G | LRC(乐山无线电) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:0.1Ω 漏源极电压Vds:0.4V 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:.4 Rds On(Max)@Id,Vgs:.9 Rds On(Max)@Id,Vgs:100 @VGS(V)/IDS(A):4.5/2.8 |
| 通用MOSFET | LNTA4001NT1G | LRC(乐山无线电) | 连续漏极电流Id:0.238A Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω 漏源极电压Vds:0.5V 封装/外壳:SC-89 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:.5 Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5 Rds On(Max)@Id,Vgs:3000 @VGS(V)/IDS(A):4.5/0.01 FET类型:N-Channel(ESD) |
| 通用MOSFET | LN4501LT1G | LRC(乐山无线电) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:3.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:0.08Ω 漏源极电压Vds:0.6V 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:.6 Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2 Rds On(Max)@Id,Vgs:80 @VGS(V)/IDS(A):4.5/3.6 |
| 通用MOSFET | LN2306LT1G | LRC(乐山无线电) | 系列:LN 连续漏极电流Id:5.8A 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:0.7V Rds On(Max)@Id,Vgs:38 @VGS(V)/IDS(A):10/5.8 FET类型:N-Channel |
| 通用MOSFET | LN2302LT1G | LRC(乐山无线电) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:0.06Ω 漏源极电压Vds:0.6V 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:.6 Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2 Rds On(Max)@Id,Vgs:60 @VGS(V)/IDS(A):4.5/2.8 |
| 通用MOSFET | DMP4015SPSQ-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:8.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:47.5nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4234pF @ 20V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):1.3W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:11mΩ@9.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:11A |
| 通用MOSFET | DMP3017SFGQ-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:11.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2246pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):940mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:10m Ohms@11.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V |
| 通用MOSFET | DMP3017SFGQ-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:11.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2246pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):940mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:10m Ohms@11.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V |
| 通用MOSFET | DMP3015LSSQ-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2748pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:11m Ohms@13A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 通用MOSFET | DMP2035UFCL-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:6.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2200pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):740mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:24m Ohms@8A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-uFDFN 裸露焊盘 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V |
| 通用MOSFET | DMN63D8LW-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:380mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:23.2pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.8Ω@250mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70,SOT-323 |
| 通用MOSFET | DMG4N60SK3-13 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:3.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:532pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):48W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.3 Ohms@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,Dpak,SC-63 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V |
| 通用MOSFET | DMG2301L-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:476pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ@2.8A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 通用MOSFET | IPAN80R360P7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 280µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:930pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:500V Pd-功率耗散(Max):30W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:360 毫欧 @ 5.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220 整包 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | IPA60R600P7SXKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 80µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:363pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):21W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600 毫欧 @ 1.7A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220 整包 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | IPA60R080P7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:37A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 590µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:51nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2180pF @ 400V Pd-功率耗散(Max):29W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:80 毫欧 @ 11.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220 整包 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | IPP60R120P7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:26A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 410µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:36nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1544pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:400V Pd-功率耗散(Max):95W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:120 毫欧 @ 8.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | DF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2N-Channel 漏源极电压Vds:1.2KV 连续漏极电流Id:30A Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@25A,15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:620nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 800V Pd-功率耗散(Max):20mW 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:AG-EASY1BM-2 |
| 通用MOSFET | IPA60R120P7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:26A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 410µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:36nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1544pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:400V Pd-功率耗散(Max):28W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:120 毫欧 @ 8.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220 整包 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | IPB110N20N3LFATMA1 | Infineon(英飞凌) | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:88A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.2V @ 260µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:76nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:650pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:11 毫欧 @ 88A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3 封装/外壳:PG-TO263-3 |
| 通用MOSFET | LN2308LT1G | LRC(乐山无线电) | 连续漏极电流Id:2.6A 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:82 @VGS(V)/IDS(A):10/2.6 FET类型:N-Channel |