参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	ZXMC3A17DN8TA
说明	通用MOSFET   8-SO SOIC
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	0
最小包	0
现货	199 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N+P-Channel
连续漏极电流Id	4.1A,3.4A
Rds On(Max)@Id,Vgs	50m Ohms@7.8A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA(最小)
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	600pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	1.25W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	SOIC
FET类型	N+P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	5.4A/4.4A