IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 18923485199
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 接口 | CA91C142D-33CE | INTEGRATED | 系列:Universe IID™ 接口:IEEE 1149.1 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:313-PBGA(35x35) |
| 接口 | QS4A205QG | INTEGRATED | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:17 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:6ns,6ns -3db带宽:830MHz 电荷注入:1.5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5.6pF,7.4pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:2nA 串扰:-100dB @ 5MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-QSOP |
| 接口 | CP82C55AZ | INTERSIL | I/O数:24 接口:并联 中断输出:无 输出类型:开路漏极 电流-灌/拉输出:2.5mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:40-DIP |
| 接口 | CP82C59AZ | INTERSIL | 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-PDIP |
| 接口 | DG445DYZ | INTERSIL | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 34 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 22 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:250ns,210ns 电荷注入:-1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:4pF,4pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-100dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG406DJZ | INTERSIL | 通道至通道匹配（ΔRon）:5 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 34 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 电荷注入:40pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,160pF 多路复用器/解复用器电路:16:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:100 欧姆 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:200ns,150ns 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-PDIP |
| 接口 | DG412DYZ | INTERSIL | 导通电阻（最大值）:35 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 44 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:100pA 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:9pF,9pF 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 接口 | MAX24287ETK+ | Microsemi(美高森美) | 接口:以太网 电压-电源:1.14 V ~ 3.465 V 封装/外壳:68-TQFN-EP(8x8) |
| 接口 | LE9641PQCT | Microsemi(美高森美) | 系列:miSLIC™ 功能:用户线路接口概念(SLIC) 接口:PCM,SPI 电路数:1 Ohms 电压-电源:3.135 V ~ 3.465 V 电流-电源:25mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-QFN(7x7) |
| 接口 | LE792388TVC | Microsemi(美高森美) | 接口:2 线 电路数:1 Ohms 封装/外壳:176-LQFP |
| 接口 | LE9530DETCT | Microsemi(美高森美) | 功能:用户线路接口概念(SLIC) 接口:并联 电路数:2 电压-电源:3.3V 电流-电源:40mA 封装/外壳:48-eTQFP |
| 接口 | HI9P0548-5Z | INTERSIL | 多路复用器/解复用器电路:8:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:1.8 千欧 通道至通道匹配（ΔRon）:126 欧姆 电压-电源，双（V±）:±15V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:300ns,300ns(标准) 沟道电容（CS(off），CD（off））:10pF,25pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:30pA(标准) 工作温度:0°C ~ 75°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | HIN232ECBNZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:230kbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | ICL3232CBZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:300mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | ICL3221CAZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:300mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SSOP |
| 接口 | HIN232CPZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:120Kbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | HIN232ACBNZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:230kbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | HIN211ECAZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:4/5 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:230kbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:28-SSOP |
| 接口 | HIN232ACBZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:230kbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | ICL3221ECAZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SSOP |
| 接口 | ICL3225ECAZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:20-SSOP |
| 接口 | ICL3232CVZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:300mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | ICL3221EIAZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SSOP |
| 接口 | ICL3232ECAZ-T7A | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SSOP |
| 接口 | ICL3232ECAZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SSOP |
| 接口 | ICL3232ECAZ-T7A | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SSOP |
| 接口 | ICL3232IBNZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:300mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | ICL3243EIAZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:3/5 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-SSOP |
| 接口 | ICL3232ECAZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SSOP |
| 接口 | ICL3232IBZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:2/2 双工:全 接收器滞后:300mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | ICL3241ECVZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:3/5 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:28-TSSOP |
| 接口 | ICL3245EIAZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:3/5 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:1Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-SSOP |
| 接口 | ICL3241ECAZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232 驱动器/接收器数:3/5 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:28-SSOP |
| 接口 | ISL3159EFBZ-T7A | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:28mV 数据速率:40Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | ISL3172EIBZ-T7A | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:15mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | ISL3155EIBZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:20mV 数据速率:1Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | ISL3177EIBZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:15mV 数据速率:20Mbps 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | ISL3172EIUZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:15mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 接口 | MT88L89ASR1 | Microsemi(美高森美) | 功能:DTMF 收发器 电路数:1 Ohms 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 电流-电源:3.1mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-SOIC |
| 接口 | MT8880CE1 | Microsemi(美高森美) | 功能:DTMF 收发器 电路数:1 Ohms 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:7mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-PDIP |
| 接口 | MT3271BE1 | Microsemi(美高森美) | 功能:DTMF 接收器 接口:并联 电路数:1 Ohms 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:3mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-PDIP |
| 接口 | MT8870DE1 | Microsemi(美高森美) | 功能:DTMF 接收器 电路数:1 Ohms 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:3mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:18-PDIP |
| 接口 | MT8888CN1 | Microsemi(美高森美) | 功能:DTMF 收发器 电路数:1 Ohms 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:7mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-SSOP |
| 接口 | MT88L70AN1 | Microsemi(美高森美) | 功能:DTMF 接收器 电路数:1 Ohms 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 电流-电源:2mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-SSOP |
| 接口 | VSC8531XMW-03 | Microsemi(美高森美) | 功能:以太网 接口:RMII 电路数:1 Ohms 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:48-QFN(6x6) |
| 接口 | MT3270BE1 | Microsemi(美高森美) | 功能:DTMF 接收器 接口:并联 电路数:1 Ohms 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:3mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-PDIP |
| 接口 | MT093APR1 | Microsemi(美高森美) | 多路复用器/解复用器电路:8:12 通道数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:65 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4.5 V ~ 14.5 V -3db带宽:45MHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:44-PLCC |
| 接口 | MT90866AG2 | Microsemi(美高森美) | 功能:开关 电路数:1 Ohms 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 电流-电源:480mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:344-PBGA(27x27) |
| 接口 | MT8964AE1 | Microsemi(美高森美) | 功能:PCM CODEC 接口:PCM 电路数:1 Ohms 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:3mA 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:18-PDIP |
| 接口 | MT8880CSR1 | Microsemi(美高森美) | 功能:DTMF 收发器 电路数:1 Ohms 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:7mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-SOIC |
| 接口 | MT88L70AS1 | Microsemi(美高森美) | 功能:DTMF 接收器 电路数:1 Ohms 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 电流-电源:2mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:18-SOIC |
| 接口 | 74LVC1G53GD,125 | Nexperia(安世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:10 欧姆 电压- 电源，单（V+）:1.65 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:3.8ns,3.8ns -3db带宽:300MHz 电荷注入:7.5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:6pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:5µA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-XSON,SOT996-2(2x3) |
| 接口 | ISL32493EIUZ-T7A | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:25mV 数据速率:1Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:10-MSOP |
| 接口 | ISL32458EIBZ-T7A | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:30mV 数据速率:20Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | ISL32498EIBZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:25mV 数据速率:15Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | ISL32483EIBZ-T7A | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:25mV 数据速率:1Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 接口 | ISL33357EIRZ-T7A | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS232,RS485 驱动器/接收器数:3/3 双工:全 接收器滞后:500mV 数据速率:20Mbps 电压-电源:5V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:40-QFN(6x6) |
| 接口 | ISL43141IVZ-T | INTERSIL | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:65 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:2 欧姆 电压- 电源，单（V+）:2.7 V ~ 12 V 电压-电源，双（V±）:±2.6 V ~ 6 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:80ns,30ns 电荷注入:1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:7pF,7pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:1nA 串扰:-90dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | ISL4491EIBZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:70mV 数据速率:15Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 接口 | ISL83071EIBZA-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:15mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | ISL83075EIBZA | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:15mV 数据速率:500kbps 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | ISL83488IBZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:50mV 数据速率:250kbps 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | ISL83491IBZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:50mV 数据速率:10Mbps 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 接口 | ISL83491IBZ-T7A | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:50mV 数据速率:10Mbps 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 接口 | ISL8485EIBZ-T | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:70mV 数据速率:10Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | ISL88694IH5Z-TK | INTERSIL | FET类型:加速计 输出:2 线式总线 通道数:2 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 电流-电源:80µA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-5 |
| 接口 | ISL8491EIBZ | INTERSIL | FET类型:收发器 协议:RS422,RS485 驱动器/接收器数:1/1 双工:全 接收器滞后:70mV 数据速率:10Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC |
| 接口 | ISL84541IBZ | INTERSIL | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:60 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:800 毫欧 电压- 电源，单（V+）:2.7 V ~ 12 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:100ns,75ns 电荷注入:1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:100pA 串扰:-90dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | ISL84544IHZ-T | INTERSIL | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:60 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:800 毫欧 电压- 电源，单（V+）:2.7 V ~ 12 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:100ns,75ns 电荷注入:1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:100pA 串扰:-90dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 接口 | VSC8540XMV-03 | Microsemi(美高森美) | 功能:以太网 接口:RMII 电路数:1 Ohms 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:68-QFN(8x8) |
| 接口 | VSC8221XHH | Microsemi(美高森美) | FET类型:收发器 协议:千兆位以太网 驱动器/接收器数:1/1 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:100-TFBGA(9x9) |
| 接口 | VSC7512XMY | Microsemi(美高森美) | 通道数:10 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) |
| 接口 | VSC8488YJU-15 | Microsemi(美高森美) | |
| 接口 | VSC8552XKS-01 | Microsemi(美高森美) | 功能:以太网 电路数:1 Ohms 电压-电源:1V 封装/外壳:256-BGA(17x17) |
| 接口 | ISL99227IRZ | INTERSIL | 功能:控制器 电压-电源:4.5 V ~ 18 V 电流-电源:4.75mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-PQFN(5x5)双重冷却 |
| 接口 | TW9900-TA1-GR | INTERSIL | FET类型:NTSC/PAL/SECAM 视频解码器 电压-电源，数字:1.8V,3.3V 封装/外壳:32-TQFP |
| 接口 | TW9990AT-NA1-GR | INTERSIL | FET类型:视频解码器 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 接口 | 73M1902-IVT/F | MAXIM(美信) | 功能:直接存取装置(DAA) 接口:串行 电路数:1 Ohms 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP |
| 接口 | 78P2351-IGT/F | MAXIM(美信) | 电路数:1 Ohms 电压-电源:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP(16x16) 工作电源电压:3.15 V to 3.45 V 电源电流:160 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装/外壳:LQFP-100 最小工作温度:- 40 C 封装/外壳:Tube |
| 接口 | 78Q2123/F | MAXIM(美信) | FET类型:收发器 协议:IEEE 802.3 驱动器/接收器数:4/4 双工:全 接收器滞后:125mV 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:32-QFN-EP(5x5) |
| 接口 | DG406EWI+T | MAXIM(美信) | 多路复用器/解复用器电路:16:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:1.5 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 30 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:200ns,150ns 电荷注入:2pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,130pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-92dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-SOIC |
| 接口 | DG301ACJ+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:50 欧姆 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 18 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:300ns,250ns 电荷注入:12pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:14pF,14pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:5nA 串扰:-74dB @ 500kHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:14-PDIP 开关数量:Single 功率:0.47W 最小工作温度:0 C 封装/外壳:Tube 电源电流:0.23 mA 电源电流（最大值）:0.5 mA 电源电压-最大:25 V 开关电流（最大值）:0.23 mA at 15 V, - 0.000001 mA at - 15 V 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:50 0hms 开启时间（最大值）:300 ns 关闭时间（最大值）:250 ns 工作电源电压:5 V to 18 V 最大工作温度:+ 70 C 封装/外壳:PDIP-14 |
| 接口 | DG211DY+T | MAXIM(美信) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:175 欧姆 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 18 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:1µs,500ns 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:5nA 串扰:-90dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SO |
| 接口 | DG212EUE+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:175 欧姆 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 18 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:1µs,500ns 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:5nA 串扰:-90dB @ 100kHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | DG403CJ+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:500 毫欧 电压- 电源，单（V+）:10 V ~ 30 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,100ns 电荷注入:10pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-90dB @ 1MHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | 73S8014RN-ILR/F | MAXIM(美信) | 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 封装/外壳:20-SOIC |
| 接口 | DG509ADY+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SP4T 多路复用器/解复用器电路:4:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:450 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:27 欧姆 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 18 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:1.5µs,1µs 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:1nA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SO |
| 接口 | 73S8024RN-ILR/F | MAXIM(美信) | 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC |
| 接口 | DG413CY+T | MAXIM(美信) | 开关电路:SPST - 常开/常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:3 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:10 V ~ 30 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:9pF,9pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:16-SO |
| 接口 | DG418CY+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:35 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:3 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:10 V ~ 30 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:3pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 接口 | DG442CY+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:4 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:10 V ~ 30 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:250ns,170ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:4pF,4pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-100dB @ 1MHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:16-SO |
| 接口 | DG411CUE+ | MAXIM(美信) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:3 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:10 V ~ 30 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:175ns,145ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:9pF,9pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:250pA 串扰:-85dB @ 1MHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:16-TSSOP |
| 接口 | DG407CWI+ | MAXIM(美信) | 多路复用器/解复用器电路:8:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:1.5 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 30 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:200ns,150ns 电荷注入:2pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,65pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-92dB @ 100kHz 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:28-SOIC |
| 接口 | DS1878T+ | MAXIM(美信) | FET类型:SFP+ 控制器 输入类型:模拟,数字 输出类型:数字 接口:I²C,LDD,串行 电流-电源:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 95°C 封装/外壳:28-TQFN(5x5) |
| 接口 | DS2155LN+ | MAXIM(美信) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 功能:单芯片收发器 接口:E1,HDLC,J1,T1 电路数:1 Ohms 电压-电源:3.14 V ~ 3.47 V 电流-电源:75mA 封装/外壳:100-LQFP(14x14) 包括:BERT 发生器和检测器,CMI 编码器和解码器,HDLC 控制器 |
| 接口 | DS2484R+T | MAXIM(美信) | 协议:1-Wire® 功能:控制器 接口:I²C 电压-电源:1.71 V ~ 5.25 V 电流-电源:300µA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 接口 | DG201BDY-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:2 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4.5 V ~ 25 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 22 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:300ns,200ns 电荷注入:1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-95dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 接口 | DG406DW-E3 | Vishay(威世) | 多路复用器/解复用器电路:16:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:100 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:5 欧姆 电压- 电源，单（V+）:12V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:200ns,150ns 电荷注入:15pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF,130pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-SOIC |
| 接口 | DG211BDJ-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:4 导通电阻（最大值）:85 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:2 欧姆 电压- 电源，单（V+）:4.5 V ~ 25 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 22 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:300ns,200ns 电荷注入:1pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:5pF,5pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-95dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-PDIP |
| 接口 | DG403DY-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPST - 常开/常闭 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:3 欧姆 电压- 电源，单（V+）:5 V ~ 34 V 电压-电源，双（V±）:±5 V ~ 17 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:150ns,100ns 电荷注入:60pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:12pF,12pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-90dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |