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    固体SMD(MnO2) T493X477K010BC6320 KEMET(基美) 温度系数(材质):MnO2 Tantalum 容值:470uF 偏差:±10% 电压:10V
    固体SMD(MnO2) T491A476K004AT KEMET(基美) 偏差:±10% 封装/外壳:1206 电压:4V 容值:47uF
    固体SMD(MnO2) TPSC336K020R0300 AVX ESR:300m Ohms 封装/外壳:2312 容值:33uF 偏差:±10% 电压:20V
    固体SMD(MnO2) 293D105X9035B2TE3 Vishay(威世) ESR:5 Ohms 封装/外壳:1411 容值:1uF 偏差:±10% 电压:35V 封装/外壳:1411/3.5*2.8mm
    固体SMD(MnO2) 293D106X9035D2TE3 Vishay(威世) ESR:800m Ohms 封装/外壳:2917 容值:10uF 偏差:±10% 电压:35V
    固体SMD(MnO2) 293D227X0010D2TE3 Vishay(威世) ESR:600m Ohms 封装/外壳:2917 容值:220uF 偏差:±20% 电压:10V
    固体SMD(MnO2) T495C156K016ATE400 KEMET(基美) ESR:400m Ohms 偏差:±10% 封装/外壳:2412 电压:16V 容值:15uF
    固体SMD(MnO2) T495C106K025ATE300 KEMET(基美) ESR:300m Ohms 偏差:±10% 封装/外壳:2412 电压:25V 容值:10uF
    固体SMD(MnO2) T498C335K035ATE1K7 KEMET(基美) ESR:1.7 Ohms 偏差:±10% 封装/外壳:2412 电压:35V 容值:3.3uF
    固体SMD(MnO2) T495D336K025ATE100 KEMET(基美) ESR:100m Ohms 偏差:±10% 封装/外壳:2917 电压:25V 容值:33uF
    固体SMD(MnO2) T495C686M010ATE225 KEMET(基美) ESR:225m Ohms 偏差:±20% 封装/外壳:2412 电压:10V 容值:68uF
    固体SMD(MnO2) T495B686K006ATE500 KEMET(基美) 温度系数(材质):MnO2 Tantalum 电压:6.3V 偏差:±10% 容值:68uF
    固体SMD(MnO2) T495C107K010ATE150 KEMET(基美) ESR:150m Ohms 偏差:±10% 封装/外壳:2412 电压:10V 容值:100uF
    固体SMD(MnO2) TAJC227M010RNJ AVX ESR:500m Ohms 封装/外壳:2312 容值:220uF 偏差:±20% 电压:10V
    固体SMD(MnO2) TCTP0G476M8R ROHM(罗姆) ESR:4 Ohms 封装/外壳:0805 容值:47uF 偏差:±20% 电压:4V
    固体SMD(MnO2) TCA1D105M8R ROHM(罗姆) 封装/外壳:1206 容值:1uF 偏差:±20% 电压:20V
    固体SMD(MnO2) TCA1D105M8R ROHM(罗姆) 封装/外壳:1206 容值:1uF 偏差:±20% 电压:20V
    固体SMD(MnO2) TCTAL1A476M8R ROHM(罗姆) 封装/外壳:1206 容值:47uF 偏差:±20% 电压:10V
    固体SMD(MnO2) T491D336K016AN KEMET(基美) 偏差:±10% 电压:16V 容值:33uF
    固体SMD(MnO2) 293D106X96R3B2TE3 Vishay(威世) ESR:2.9 Ohms 封装/外壳:1411 容值:10uF 偏差:±10% 电压:6.3V
    固体SMD(MnO2) 293D106X9035C2TE3 Vishay(威世) ESR:1.6 Ohms 封装/外壳:2312 容值:10uF 偏差:±10% 电压:35V
    固体SMD(MnO2) 293D107X9016D2TE3 Vishay(威世) ESR:600m Ohms 封装/外壳:2917 容值:100uF 偏差:±10% 电压:16V
    固体SMD(MnO2) 293D107X9010C2TE3 Vishay(威世) ESR:900m Ohms 封装/外壳:2312 容值:100uF 偏差:±10% 电压:10V
    固体SMD(MnO2) 293D106X9016A2TE3 Vishay(威世) ESR:3 Ohms 封装/外壳:1206 容值:10uF 偏差:±10% 电压:16V
    固体SMD(MnO2) 293D107X9016D2TE3 Vishay(威世) ESR:600m Ohms 封装/外壳:2917 容值:100uF 偏差:±10% 电压:16V
    固体SMD(MnO2) 293D226X9035E2TE3 Vishay(威世) ESR:600m Ohms 容值:22uF 偏差:±10% 电压:35V 封装/外壳:2917
    固体SMD(MnO2) 293D227X9010D2TE3 Vishay(威世) ESR:600m Ohms 封装/外壳:2917 容值:220uF 偏差:±10% 电压:10V
    固体SMD(MnO2) 593D107X9010C2TE3 Vishay(威世) 封装/外壳:2312 容值:100uF 偏差:±10% 电压:10V ESR:200m Ohms
    固体SMD(MnO2) 293D337X9010E2TE3 Vishay(威世) ESR:500m Ohms 封装/外壳:2917 容值:330uF 偏差:±10% 电压:10V
    固体SMD(MnO2) T495X106M035ATA260 KEMET(基美) ESR:260m Ohms 偏差:±20% 封装/外壳:2917 电压:35V 容值:10uF
    固体SMD(MnO2) 293D104X9035A2TE3 Vishay(威世) ESR:20 Ohms 封装/外壳:1206 容值:100nF 偏差:±10% 电压:35V
    固体SMD(MnO2) T510X337K010CH631B KEMET(基美) 偏差:±10% 电压:10V 容值:330uF
    固体SMD(MnO2) T495C107K010ATE1007280 KEMET(基美) 偏差:±10% 电压:10V 容值:100uF
    固体SMD(MnO2) T499D685K035ATE1K3 KEMET(基美) ESR:1.3 Ohms 偏差:±10% 封装/外壳:2917 电压:35V 容值:6.8uF
    固体SMD(MnO2) 293D226X9035D2TE3 Vishay(威世) ESR:600m Ohms 封装/外壳:2917 容值:22uF 偏差:±10% 电压:35V
    固体SMD(MnO2) 293D475X9016B2TE3 Vishay(威世) 封装/外壳:1411 容值:4.7uF 偏差:±10% 电压:16V ESR:2.9 Ohms
    固体SMD(MnO2) 293D475X9016B2TE3 Vishay(威世) 封装/外壳:1411 容值:4.7uF 偏差:±10% 电压:16V ESR:2.9 Ohms
    固体SMD(MnO2) 293D476X9010B2TE3 Vishay(威世) ESR:1.8 Ohms 容值:47uF 偏差:±10% 电压:10V 封装/外壳:1411
    固体SMD(MnO2) T499C685K025ATE1K9 KEMET(基美) ESR:1.9 Ohms 偏差:±10% 封装/外壳:2412 电压:25V 容值:6.8uF
    固体SMD(MnO2) T493D106K035BC6110 KEMET(基美) ESR:1 Ohms 偏差:±10% 封装/外壳:2917 电压:35V 容值:10uF
    固体SMD(MnO2) T498B225K020ATE3K67280 KEMET(基美) 偏差:±10% 电压:20V 容值:2.2uF
    固体SMD(MnO2) T493X107K016CH621B KEMET(基美) 偏差:±10% 电压:16V 容值:100uF
    固体SMD(MnO2) 293D226X0020D2TE3 Vishay(威世) 容值:22µF 偏差:±20% 电压:20V 封装/外壳:2917
    固体SMD(MnO2) 293D227X9010D2TE3 Vishay(威世) ESR:600m Ohms 封装/外壳:2917 容值:220uF 偏差:±10% 电压:10V
    固体SMD(MnO2) 293D227X9010D2TE3 Vishay(威世) ESR:600m Ohms 封装/外壳:2917 容值:220uF 偏差:±10% 电压:10V
    固体SMD(MnO2) 293D475X9010A2TE3 Vishay(威世) ESR:5 Ohms 封装/外壳:1206 容值:4.7uF 偏差:±10% 电压:10V
    固体SMD(MnO2) 293D477X9010E2TE3 Vishay(威世) ESR:500m Ohms 封装/外壳:2917 容值:470uF 偏差:±10% 电压:10V
    固体SMD(MnO2) 593D107X9010D2TE3 Vishay(威世) 容值:100µF 偏差:±10% 电压:10V 封装/外壳:2917
    固体SMD(MnO2) TAJE157M020RNJ AVX ESR:300m Ohms 封装/外壳:2917 容值:150uF 偏差:±20% 电压:20V
    固体SMD(MnO2) T495X336M025ATE100 KEMET(基美) ESR:100m Ohms 偏差:±20% 封装/外壳:2917 电压:25V 容值:33uF
    固体SMD(MnO2) T499A685K016ATE7K0 KEMET(基美) ESR:7 Ohms 偏差:±10% 封装/外壳:1206 电压:16V 容值:6.8uF
    固体SMD(MnO2) T496D336M010ATE1K0 KEMET(基美) ESR:1 Ohms 偏差:±20% 封装/外壳:2917 电压:10V 容值:33uF
    固体SMD(MnO2) T494C336M016AT KEMET(基美) ESR:300m Ohms 偏差:±20% 封装/外壳:2412 电压:16V 容值:33uF
    固体SMD(MnO2) T499C106K020ATE1K8 KEMET(基美) ESR:1.8 Ohms 偏差:±10% 封装/外壳:2412 电压:20V 容值:10uF
    固体SMD(MnO2) TR3D107M016C0100 Vishay(威世) 封装/外壳:2917 容值:100uF 偏差:±20% 电压:16V ESR:100m Ohms

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