型号参数与资料
- 型号
- DMN63D8LDW-7
- 品牌
- Diodes(达尔（美台）)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | 2N-Channel |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 220mA |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.8Ω@250mA,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 870nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 22pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 300mW |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/外壳 | SOT-363 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 0.26A |
通用MOSFET 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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