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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | FT7521FHX | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:6-uFDFN FET类型:重置计时器 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 320 ms 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 电路监控 | FT3001MPX | Fairchild(仙童) | FET类型:重置计时器 输出:开路漏极,推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:标准为 400 ms 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MLP(2x2) |
| 未分类 | FT10001FHX | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:6-uFDFN FET类型:重置计时器 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 420 ms 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 电路监控 | FT7522L6X | Fairchild(仙童) | FET类型:重置计时器 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 320 ms 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-MicroPak |
| 未分类 | FTL7522L6X | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:6-uFDFN FET类型:重置计时器 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 320 ms 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | FT7521L6X | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:6-uFDFN FET类型:重置计时器 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 320 ms 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | FT7511L6X | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:6-uFDFN FET类型:重置计时器 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 60 ms 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 电路监控 | FT3001UMX | Fairchild(仙童) | FET类型:重置计时器 输出:开路漏极,推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:标准为 400 ms 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-UMLP(1.8x1.4) |
| 未分类 | FT8010UMX | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:10-uFQFN FET类型:重置计时器 输出:开路漏极,推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:可调节/可选择 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | FTL11639UCX | Fairchild(仙童) | 电压 - 负载:1.2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:4.5A 导通电阻（典型值）:21 毫欧 输入类型:非反相 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:12-uFBGA,WLCSP 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 |
| 未分类 | FT8010MPX | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 FET类型:重置计时器 输出:开路漏极,推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:可调节/可选择 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 电路监控 | FT10001L6X | Fairchild(仙童) | FET类型:重置计时器 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 420 ms 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-MicroPak |
| 未分类 | 1N457A | Fairchild(仙童) | |
| 未分类 | 1N457ATR-CUT TAPE | Fairchild(仙童) | |
| 未分类 | 1N4002 | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:DO-41 平均整流电流Io:1.0A 最大反向电压VR:100V 正向压降VF:1V |
| 未分类 | 1N459A | Fairchild(仙童) | |
| 整流二极管 | 1N4148_T26A | Fairchild(仙童) | FET类型:标准 反向电压Vr:100V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:5µA @ 75V 结电容Cj:4pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-35 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | 1N3595TR | Fairchild(仙童) | FET类型:标准 反向电压Vr:150V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:3µs 反向漏电流Ir:1nA @ 125V 结电容Cj:8pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-35 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | 1N4731A | Fairchild(仙童) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:9 Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 1V 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:4.3V 功率耗散Pd:1W 稳压电流Izt:58mA |
| 未分类 | 2N7000 | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:TO-92 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ohms 功率:5/8W 漏源极电压Vds:0.8V |
| 未分类 | 1N4747A | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:20V 功率:1W 稳压电压(最小值)VZT_Min:19V 稳压电压(最大值)VZT_Max:21V 稳压电流IZT:12.5mA |
| 整流二极管 | 1N5235BTR | Fairchild(仙童) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:5 Ohms 反向漏电流Ir:3µA @ 5V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:6.8V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | 1N4738ATR | Fairchild(仙童) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:4.5 Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 6V 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:8.2V 功率耗散Pd:1W |
| 整流二极管 | 1N4736ATR | Fairchild(仙童) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:3.5 Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 4V 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:6.8V 功率耗散Pd:1W |
| 整流二极管 | 1N5251BTR | Fairchild(仙童) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:29 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 17V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:22V 功率耗散Pd:500mW |
| 未分类 | 1N4754A | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:39V 功率:1W 稳压电压(最小值)VZT_Min:37.05V 稳压电压(最大值)VZT_Max:40.95V 稳压电流IZT:6.5mA |
| 整流二极管 | 1N5227BTR | Fairchild(仙童) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:24 Ohms 反向漏电流Ir:15µA @ 1V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:3.6V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | 1N5263B_T50R | Fairchild(仙童) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:150 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 43V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:56V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | 1N4741ATR | Fairchild(仙童) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:8 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 8.4V 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:11V 功率耗散Pd:1W |
| 未分类 | 1N4740A | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:10V 功率:1W 稳压电压(最小值)VZT_Min:9.5V 稳压电压(最大值)VZT_Max:10.5V 稳压电流IZT:25mA |
| 未分类 | 1N5238B | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:DO-35 稳压电压(标称值)VZT_Nom:8.7V 功率:1/2W 稳压电压(最小值)VZT_Min:8.27V 稳压电压(最大值)VZT_Max:9.14V 稳压电流IZT:20mA |
| 未分类 | 1N4934 | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:DO-41 反向恢复时间trr:200ns 平均整流电流Io:1A 最大反向电压VR:100V 反向漏电流IR:5uA 正向压降VF:1.3V |
| 隔离器 | 4N32M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,100µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:80mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 整流二极管 | 1N916B | Fairchild(仙童) | FET类型:标准 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:5µA @ 75V 结电容Cj:2pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-35 正向电流If:0.2A 反向电压Vr:100V 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:0.025uA 正向电压Vf:1V |
| 通用三极管 | 2N4403TFR | Fairchild(仙童) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:750mV @ 50mA,500mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V 功率:5/8W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 集成电路(芯片) | 74F00SCX | Fairchild(仙童) | 系列:74F 逻辑类型:与非门 电路数:4 输入数:2 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 电流-输出高，低:1mA,20mA 逻辑电平-低:0.8V 逻辑电平-高:2V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:5ns @ 5V,50pF 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 未分类 | 1N4746A | Fairchild(仙童) | |
| 未分类 | 1N4752A | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:33V 功率:1W 稳压电压(最小值)VZT_Min:31.35V 稳压电压(最大值)VZT_Max:34.65V 稳压电流IZT:7.5mA |
| 整流二极管 | 1N5237BTR | Fairchild(仙童) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:8 Ohms 反向漏电流Ir:3µA @ 6.5V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:8.2V 功率耗散Pd:500mW |
| 未分类 | 1N4734A | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:5.6V 功率:1W 稳压电压(最小值)VZT_Min:5.32V 稳压电压(最大值)VZT_Max:5.88V 稳压电流IZT:45mA |
| 未分类 | 1N5231B | Fairchild(仙童) | |
| 未分类 | 2N7000 | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:TO-92 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ohms 功率:5/8W 漏源极电压Vds:0.8V |
| 未分类 | 1N914 | Fairchild(仙童) | |
| 通用三极管 | 2N5551BU | Fairchild(仙童) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:200mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA,5V 功率:5/8W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:160V |
| 通用三极管 | 2N3906BU | Fairchild(仙童) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:200mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 5mA,50mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,1V 功率:5/8W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 未分类 | 1N914B-CUT TAPE | Fairchild(仙童) | |
| 通用MOSFET | 2N7002W | Fairchild(仙童) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:115mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5Ω@50mA,5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70,SOT-323 封装/外壳:SOT-323 FET类型:N_channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.115A Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5Ω Pd-功率耗散(Max):0.2W 漏源极电压Vds:1~2V |
| 通用三极管 | 2N4401TA | Fairchild(仙童) | Current-Collector(Ic)(Max):600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:750mV @ 50mA,500mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,1V Power-Max:625mW 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1V5KE27A | Fairchild(仙童) | 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DO-201AE,轴向 封装/外壳:DO-201AE 反向工作电压Vrwm:23.1V |
| 未分类 | 1N746ATR | Fairchild(仙童) | 封装/外壳:DO-35 稳压电压(标称值)VZT_Nom:3.3V 功率:1/2W |
| 通用三极管 | 2N4401TAR | Fairchild(仙童) | Current-Collector(Ic)(Max):600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:750mV @ 50mA,500mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,1V Power-Max:625mW 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 隔离器 | 4N38SR2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:100mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:80mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 通用MOSFET | 2N7002K | Fairchild(仙童) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:300mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 隔离器 | 4N36SM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | 4N25TVM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | 4N27SR2M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:10% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | 6N136TSR2VM | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:250ns,260ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:20V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 集成电路(芯片) | 74AC00SCX | Fairchild(仙童) | 系列:74AC 逻辑类型:与非门 电路数:4 输入数:2 电压-电源:2 V ~ 6 V Current-Quiescent(Max):2µA 电流-输出高，低:24mA,24mA 逻辑电平-低:0.9 V ~ 1.65 V 逻辑电平-高:2.1 V ~ 3.85 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:8ns @ 5V,50pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 隔离器 | 4N29M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,40µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:80mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 集成电路(芯片) | 74AC04SCX | Fairchild(仙童) | 系列:74AC 逻辑类型:反相器 输入数:6 电压-电源:2 V ~ 6 V 电流-静态（最大值）:2µA 电流-输出高，低:24mA,24mA 逻辑电平-低:0.9 V ~ 1.65 V 逻辑电平-高:2.1 V ~ 3.85 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:7ns @ 5V,50pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 集成电路(芯片) | 74AC04MTCX | Fairchild(仙童) | 系列:74AC 逻辑类型:反相器 输入数:6 电压-电源:2 V ~ 6 V Current-Quiescent(Max):2µA 电流-输出高，低:24mA,24mA 逻辑电平-低:0.9 V ~ 1.65 V 逻辑电平-高:2.1 V ~ 3.85 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:7ns @ 5V,50pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 集成电路(芯片) | 74AC574SCX | Fairchild(仙童) | 系列:74AC 功能:标准 FET类型:D 型 输出类型:三态,非反相 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 时钟频率:153MHz 不同V，最大CL时的最大传播延迟:9.5ns @ 5V,50pF 触发器类型:正边沿 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2 V ~ 6 V 电流-静态:40µA 输入电容:4.5pF 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
| 集成电路(芯片) | 74LCX126MTCX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:缓冲器,非反向 元件数:4 每元件位数:1 Ohms 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | 74LCX04MX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:反相器 输入数:6 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 电流-静态（最大值）:10µA 电流-输出高，低:24mA,24mA 逻辑电平-低:0.7 V ~ 0.8 V 逻辑电平-高:1.7 V ~ 2 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:5.2ns @ 3.3V,50pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 未分类 | 74LCX16245MTD | Fairchild(仙童) | |
| 未分类 | 74LCX08M | Fairchild(仙童) | |
| 集成电路(芯片) | 74AC14SCX | Fairchild(仙童) | 系列:74AC 逻辑类型:反相器 输入数:6 电压-电源:2 V ~ 6 V Current-Quiescent(Max):2µA 电流-输出高，低:24mA,24mA 逻辑电平-低:0.5 V ~ 1.1 V 逻辑电平-高:2.2 V ~ 3.9 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:10ns @ 5V,50pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 隔离器 | 6N139M | Fairchild(仙童) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 1.6mA 电流传输比（最大值）:2600% @ 1.6mA 打开/关闭时间（典型值）:100ns,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:18V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:20mA 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP |
| 未分类 | 74LCX04MTC | Fairchild(仙童) | |
| 集成电路(芯片) | 74ACT74SCX | Fairchild(仙童) | 系列:74ACT 功能:设置(预设)和复位 FET类型:D 型 输出类型:差分 元件数:2 每元件位数:1 Ohms 时钟频率:210MHz 不同V，最大CL时的最大传播延迟:11ns @ 5V,50pF 触发器类型:正边沿 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 电流-静态:20µA 输入电容:4.5pF 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 未分类 | 74LCX07M | Fairchild(仙童) | |
| 集成电路(芯片) | 74ACT14MTCX | Fairchild(仙童) | 系列:74ACT 逻辑类型:反相器 输入数:6 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V Current-Quiescent(Max):2µA 电流-输出高，低:24mA,24mA 逻辑电平-低:0.8V 逻辑电平-高:2V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:10ns @ 5V,50pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 集成电路(芯片) | 74LCX16373MEAX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:D 型透明锁存器 电路:8：8 输出类型:三态 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 独立电路:2 延迟时间-传播:5.4ns 电流-输出高，低:24mA,24mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-SSOP |
| 未分类 | 74LCX125M | Fairchild(仙童) | |
| 集成电路(芯片) | 74LCX157MTCX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX FET类型:多路复用器 电路:4 x 2：1 独立电路:1 Ohms 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压源:单电源 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | 74LCX08MTCX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:与门 电路数:4 输入数:2 电压-电源:2 V ~ 3.6 V Current-Quiescent(Max):10µA 电流-输出高，低:24mA,24mA 逻辑电平-低:0.7 V ~ 0.8 V 逻辑电平-高:1.7 V ~ 2 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:5.5ns @ 3.3V,50pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 集成电路(芯片) | 74LCX125MX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:缓冲器,非反向 元件数:4 每元件位数:1 Ohms 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 74ACT574SC | Fairchild(仙童) | 系列:74ACT 功能:标准 FET类型:D 型 输出类型:三态,非反相 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 时钟频率:110MHz 不同V，最大CL时的最大传播延迟:11ns @ 5V,50pF 触发器类型:正边沿 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 电流-静态:40µA 输入电容:4.5pF 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
| 未分类 | 74LCX16646MTDX-CUT TAPE | Fairchild(仙童) | |
| 集成电路(芯片) | 74LCX08BQX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:与门 电路数:4 输入数:2 电压-电源:2 V ~ 3.6 V Current-Quiescent(Max):10µA 电流-输出高，低:24mA,24mA 逻辑电平-低:0.7 V ~ 0.8 V 逻辑电平-高:1.7 V ~ 2 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:5.5ns @ 3.3V,50pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-WFQFN 裸露焊盘 |
| 集成电路(芯片) | 74LCX16244MTDX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:缓冲器,非反向 每元件位数:4 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | 74LCX244BQX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:缓冲器,非反向 元件数:2 每元件位数:4 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-DQFN(2.5x4.5) |
| 未分类 | 74LCX16374MTD | Fairchild(仙童) | |
| 集成电路(芯片) | 74LCX16373MTDX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:D 型透明锁存器 电路:8：8 输出类型:三态 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 独立电路:2 延迟时间-传播:5.4ns 电流-输出高，低:24mA,24mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | 74LCX244SJ | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:缓冲器,非反向 元件数:2 每元件位数:4 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SOP |
| 集成电路(芯片) | 74LCXR162245MTX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCXR 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:12mA,12mA 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | 74LVX373MTCX | Fairchild(仙童) | 系列:74LVX 逻辑类型:D 型透明锁存器 电路:8：8 输出类型:三态 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 独立电路:1 Ohms 延迟时间-传播:6ns 电流-输出高，低:4mA,4mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP |
| 未分类 | BAT54S | Fairchild(仙童) | |
| 整流二极管 | BAW76 | Fairchild(仙童) | FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:300mA 正向电压Vf:1V @ 100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:100nA @ 50V 结电容Cj:2pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:DO-35 正向电流If:150mA 反向电压Vr:50V 反向漏电流Ir:0.1uA 正向电压Vf:1V |
| 集成电路(芯片) | 74LCX541WM | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:缓冲器,非反向 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SOIC |
| 集成电路(芯片) | 74LVX573MTCX | Fairchild(仙童) | 系列:74LVX 逻辑类型:D 型透明锁存器 电路:8：8 输出类型:三态 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 独立电路:1 Ohms 延迟时间-传播:5.9ns 电流-输出高，低:4mA,4mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | 74VHC139MTCX | Fairchild(仙童) | 系列:74VHC FET类型:解码器/多路分解器 电路:1 x 2：4 独立电路:2 电流-输出高，低:8mA,8mA 电压源:单电源 电压-电源:2 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-TSSOP |
| 未分类 | 74VHC14MTCX-CUT TAPE | Fairchild(仙童) | |
| 未分类 | 74LVX245M | Fairchild(仙童) | |
| 集成电路(芯片) | 74LVX14MTCX | Fairchild(仙童) | 系列:74LVX 逻辑类型:反相器 输入数:6 电压-电源:2 V ~ 3.6 V Current-Quiescent(Max):2µA 电流-输出高，低:4mA,4mA 逻辑电平-低:0.9V 逻辑电平-高:2.2V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:14.1ns @ 3.3V,50pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 集成电路(芯片) | 74LCXR162245MTX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCXR 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:2 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:12mA,12mA 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSSOP |
| 未分类 | 74LVTH125MTC | Fairchild(仙童) | |
| 集成电路(芯片) | 74LCX245MTCX | Fairchild(仙童) | 系列:74LCX 逻辑类型:收发器,非反相 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-TSSOP |
| 未分类 | 74VHC125MTCX-CUT TAPE | Fairchild(仙童) | |
| 未分类 | 74LVX3245MTCX-CUT TAPE | Fairchild(仙童) |