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    电路监控 NCP300LSN44T1G ON(安森美) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压-阈值:4.4V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:5-TSOP
    电路监控 NCV303LSN27T1G ON(安森美) 系列:汽车级,AEC-Q100 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压-阈值:2.7V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:5-TSOP
    电路监控 TC1232COA713 Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压-阈值:4.37V,4.62V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 TC1270ATVRCTR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-143
    电路监控 TC32MCZB Microchip 系列:ECONOMONITOR™ FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 500 ms 电压-阈值:4.375V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3
    电路监控 TCM809LENB713 Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP809T-450I/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:4.375V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MIC1232MY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压-阈值:4.37V,4.62V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 MIC2776L-YM5-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:补充型 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:可调节/可选择 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    电路监控 MIC2774L-31YM5-TR Microchip FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:补充型 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.09V,可调 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    电路监控 MIC2778-2YM5-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:可调节/可选择 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    电路监控 MIC2774L-44YM5-TR Microchip FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:补充型 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.43V,可调 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    电路监控 MIC2778-1YM5-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:可调节/可选择 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    电路监控 MIC2776N-YM5-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:可调节/可选择 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    电路监控 MIC706SMY Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 MIC803-31D3VC3-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SC-70-3
    电路监控 MIC803-31D4VM3-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 1.12 s 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MIC6315-26D4UY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 1.1 s 电压-阈值:2.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-143
    电路监控 MIC810SYC3-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-3
    电路监控 MIC706RMY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 MIC812MUY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-143
    电路监控 MIC803-31D3VM3-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MIC803-29D2VM3-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 20 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MIC826WYMT-T5 Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:1.665V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:6-TDFN(1.6x1.6)
    电路监控 MAX1232CWE+T MAXIM(美信) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压-阈值:4.37V,4.62V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC
    电路监控 TC1271ALVRCTR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.63V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-143
    电路监控 TCM809JVNB713 Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 TC54VN4302ECB713 Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3
    电路监控 TC54VC2102ECB713 Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压-阈值:2.1V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3
    电路监控 TC51N2702ECBTR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小 50 ms 电压-阈值:2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3
    电路监控 TC54VN3002ECB713 Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3
    电路监控 TCM810MENB713 Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 TCM809TENB713 Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 TCM809SVNB713 Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 TCM809ZVLB713 Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.32V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-70-3
    电路监控 MAX16029TG+ MAXIM(美信) FET类型:序列发生器 受监控电压数:4 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:140 ms/可调最小值 电压-阈值:9 种可选阀值组合 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:24-TQFN(4x4)
    电路监控 MP6400DJ-01-LF-Z MPS(美国芯源) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压-阈值:0.4V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TSOT-23-6
    电路监控 XC61CN1602MR-G Torex(特瑞仕) 封装/外壳:SOT-23 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 电压 - 阈值:1.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    电路监控 NJU7701F06-TE1 NEW JAPAN RADIO FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压-阈值:6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5(MTP5)
    电路监控 BU4944F-TR ROHM(罗姆) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 电压-阈值:4.4V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-SOP
    电路监控 MAX16029TG+T MAXIM(美信) FET类型:序列发生器 受监控电压数:4 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:140 ms/可调最小值 电压-阈值:9 种可选阀值组合 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:24-TQFN(4x4)
    电路监控 MAX16035PLB29+T MAXIM(美信) FET类型:备用电池电路 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-uDFN(2x2)
    电路监控 BD48K35G-TL ROHM(罗姆) 系列:BD48xxx FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:3.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:3-SSOP
    电路监控 RT9807-30GB Richtek(立锜) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压-阈值:3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    电路监控 BA6162F-E2 ROHM(罗姆) FET类型:备用电池电路 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4.2V 工作温度:-20°C ~ 75°C(TA) 封装/外壳:8-SOP
    电路监控 BD48K35G-TL ROHM(罗姆) 系列:BD48xxx FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:3.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:3-SSOP
    电路监控 BD5227G-TR ROHM(罗姆) 系列:BD FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:2.7V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP
    电路监控 BD5244FVE-TR ROHM(罗姆) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4.4V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:5-VSOF
    电路监控 BU4845G-TR ROHM(罗姆) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 电压-阈值:4.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP
    电路监控 BU4827G-TR ROHM(罗姆) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 电压-阈值:2.7V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP
    电路监控 BU4228G-TR ROHM(罗姆) 重置延迟时间:Adjustable 准确性:1% FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压-阈值:2.8V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP 功率:0.54W 人工复位:NoManualReset 工作电源电流(mA):0.55uA 电池备用开关:NoBackup 电源电压-最大:7V 电源电压-最小:0.9V 看门狗计时器:NoWatchdog 系列:BU42 被监测输入数:1Input 输出类型:OpenDrain 阈值电压:2.8V
    电路监控 ICL7665SACBAZ INTERSIL FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效 电压-阈值:可调节/可选择 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 ISL88001IE23Z-T7A INTERSIL FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.32V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-3
    电路监控 X5323S8IZT1 INTERSIL FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 100 ms 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 ISL88002IE31Z-T7A INTERSIL FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.075V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-3
    电路监控 ISL88002IE29Z-T7A INTERSIL FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.925V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-3
    电路监控 ISL88003IH26Z-T7A INTERSIL FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 X5043S8IZ-4.5AT1 INTERSIL FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 100 ms 电压-阈值:4.62V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 MAX809JEUR+T MAXIM(美信) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MC33160DWG ON(安森美) FET类型:稳压器/监控器 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4.55V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC
    电路监控 MIC809JYC3-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-3
    电路监控 MIC6315-42D3UY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-143
    电路监控 MIC706TMY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 MIC809MUY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MIC6315-40D2UY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 20 ms 电压-阈值:4V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-143
    电路监控 MIC705MY Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.65V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 MIC706RMY Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 MIC6315-29D3UY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-143
    电路监控 MIC705MY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.65V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 MIC708SMY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:补充型 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 MIC803-31D3VM3-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MIC811RUY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-143
    电路监控 MCP100T-475I/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:4.625V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP101-475DI/TO Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:4.625V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3
    电路监控 MCP111T-195I/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP101-450HI/TO Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:4.375V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3
    电路监控 MCP100T-270I/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:2.625V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP1321T-29LE/OT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极,推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.9V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    电路监控 MCP1321T-20LI/OT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极,推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    电路监控 MCP100T-450I/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:4.375V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP120T-460I/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:4.475V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP102T-195I/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 80 ms 电压-阈值:1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP121-450E/TO Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 80 ms 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3
    电路监控 MCP102T-270E/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 80 ms 电压-阈值:2.63V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP1320T-29LE/OT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.9V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    电路监控 MCP120T-315I/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:3.075V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP100T-450I/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:4.375V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP111T-450E/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP131T-300E/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 80 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MCP1319MT-46LE/OT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极,推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5
    电路监控 BD48K29G-TL ROHM(罗姆) 系列:BD48xxx FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:2.9V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:3-SSOP
    电路监控 BD4743G-TR ROHM(罗姆) 系列:BD47xx FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4.3V 工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP
    电路监控 BD5230G-TR ROHM(罗姆) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:3V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 功率:0.54W 人工复位:No Manual Reset 准确性:1 % 封装/外壳:SSOP-5 工作电源电流(mA):0.95uA 电池备用开关:No Backup 电源电压-最大:10 V 电源电压-最小:0.95V 看门狗计时器:No Watchdog 系列:BD52 被监测输入数:1 Input 输出类型:Open Drain 重置延迟时间:Programmable 阈值电压:3 V
    电路监控 BD4828G-TR ROHM(罗姆) 系列:BD48xxx FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:2.8V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP
    电路监控 BU4245G-TR ROHM(罗姆) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压-阈值:4.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:5-SSOP
    电路监控 BU4937F-TR ROHM(罗姆) FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 电压-阈值:3.7V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-SOP
    电路监控 MCP809T-270I/TT Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:2.625V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3
    电路监控 MIC1232MY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压-阈值:4.37V,4.62V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 MIC1832MY-TR Microchip FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压-阈值:2.55V,2.88V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC
    电路监控 MIC2772-M2M3YML-TR Microchip FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 20 ms,140 ms 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MLF®(2x2)

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