IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 隔离器 | VO615A-4X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.43V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | VO2611-X016 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | VO615A-6X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.43V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | VO0661T | Vishay(威世) | 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/0 电压-隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:15mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | VO617A-4X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 5mA 电流传输比（最大值）:320% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | VOM3053T | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电压-断态:600V 静态dV/dt（最小值）:1.5KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:70mA 电流-保持（Ih）:300µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP 认可:CQC,cUR,UR |
| 隔离器 | VOL617A-1T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 5mA 电流传输比（最大值）:80% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.16V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-LSOP |
| 隔离器 | VO3063 | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:600V 静态dV/dt（最小值）:1.5KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:100mA 电流-保持（Ih）:200µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP 认可:cUR,UR |
| 隔离器 | MOC8102-X017 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:73% @ 10mA 电流传输比（最大值）:117% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | MOC8104-X019T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:256% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | MOC8101-X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | SFH615AGR | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:2µs,25µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | SFH6156-2X001T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH6186-3X001T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 电流传输比（最大值）:200% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH617A-4 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | SFH6186-3T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 电流传输比（最大值）:200% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH617A-3X006 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | SFH6186-5X001T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:250% @ 1mA 电流传输比（最大值）:500% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH6721T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs,10KV/µs 输入类型:DC 输出类型:推挽式/图腾柱 电流-输出/通道:25mA 数据速率:5MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:300ns,300ns 上升/下降时间（典型值）:40ns,10ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.6V 电流-DC正向（If）:10mA 电压-电源:4.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | SFH6916 | Vishay(威世) | 通道数:4 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,4µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SOP |
| 隔离器 | SFH610A-2 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | SFH6286-3T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 电流传输比（最大值）:320% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH618A-5X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:250% @ 1mA 电流传输比（最大值）:500% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH6286-4T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 1mA 电流传输比（最大值）:500% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH6316T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4000Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:250ns,500ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.6V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | TCMT1103 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:9.5µs,8.5µs 上升/下降时间（典型值）:5.5µs,7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 隔离器 | TCLT1113 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SOP,5 引脚 |
| 隔离器 | TCET1102G | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | TCLD1000 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:600% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:-, 250µs 上升/下降时间（典型值）:300µs, - 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电流-输出/通道:80mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 隔离器 | TCDT1122G | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | VO3063 | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:600V 静态dV/dt（最小值）:1.5KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:100mA 电流-保持（Ih）:200µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP 认可:cUR,UR |
| 隔离器 | VO3120-X019T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:400ns,400ns 脉宽失真（最大）:200ns 上升/下降时间（典型值）:100ns,100ns 电流-输出高，低:2.5A,2.5A 电流-峰值输出:2.5A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.6V(最大) 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:15 V ~ 32 V 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:8-SMD 认可:cUR,UR,VDE |
| 隔离器 | VO4258H-X007T | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:800V 静态dV/dt（最小值）:5KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:2mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:300mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD 认可:BSI,cUR,FIMKO,UR |
| 隔离器 | LTV-846S | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 通道数:4 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SMD,鸥翼 封装/外壳:16-SMD |
| 隔离器 | LTV-846 | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 通道数:4 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | LTV-844S | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 通道数:4 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 1mA 电流传输比（最大值）:300% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SMD,鸥翼 封装/外壳:16-SMD |
| 隔离器 | VO3053-X007T | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms Voltage-OffState:600V 静态dV/dt（最小值）:1.5KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA Current-OnState(It(RMS))(Max):100mA 电流-保持（Ih）:200µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD 认可:cUR,UR |
| 隔离器 | LTV-844 | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 通道数:4 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 1mA 电流传输比（最大值）:300% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | VO2611-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | LTV-826 | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 通道数:2 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | VO4661-X007T | Vishay(威世) | 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:15mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | LTV-824 | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 通道数:2 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 1mA 电流传输比（最大值）:300% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | VOS628A-3T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 电流传输比（最大值）:200% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,8µs 上升/下降时间（典型值）:5µs,7µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.16V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP |
| 隔离器 | VOL618A-3T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 电流传输比（最大值）:200% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.16V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-LSOP |
| 隔离器 | LTV-357T | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:3750Vrms 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 封装/外壳:4-SOP 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 封装/外壳:4-SOP(2.54mm) |
| 隔离器 | LTV-3150M | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:400ns,400ns 电流-输出高，低:800mA,800mA 电流-峰值输出:1A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.37V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:15 V ~ 30 V 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15KV/µs 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:400ns,400ns 脉宽失真（最大）:120ns 上升/下降时间（典型值）:42ns,50ns 电流 - 输出高，低:800mA,800mA 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.37V 电流 - DC 正向（If）:25mA 电压 - 电源:15 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-DIP(0.400",10.16mm) 封装/外壳:8-DIP 认可:cUR,IEC/EN/DIN,UR |
| 隔离器 | VOD205T | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:4000Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V Current-DCForward(If)(Max):30mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | LTV-3150-L-M | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:400ns,400ns 电流-输出高，低:1A,1A 电流-峰值输出:1A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.37V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:10 V ~ 30 V 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15KV/µs 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:400ns,400ns 脉宽失真（最大）:120ns 上升/下降时间（典型值）:42ns,50ns 电流 - 输出高，低:1A,1A 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.37V 电流 - DC 正向（If）:25mA 电压 - 电源:10 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-DIP(0.400",10.16mm) 封装/外壳:8-DIP 认可:cUL,IEC/EN/DIN,UR |
| 隔离器 | VOD206T | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:4000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:30mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | MAX14948EWE+ | MAXIM(美信) | FET类型:RS422,RS485 隔离式电源:无 通道数:3 输入-输入侧1/输入侧2:2/1 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs(标准) 数据速率:500kbps 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V,4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC 发送器数目:1 Ohms 封装/外壳:SOIC 引脚数目:16 典型单电源电压:1.71 → 5.5 V 数据速率:500kbit/s 接口标准:1993/ RS-485, EIA RS-422 发送器信号类型:差分 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+85 °C 宽度:7.6mm 电源类型:单 封装/外壳:10.5 x 7.6 x 2.35mm 长度:10.5mm 高度:2.35mm |
| 隔离器 | MAX14945EWE+ | MAXIM(美信) | FET类型:RS422,RS485 隔离式电源:无 通道数:3 输入-输入侧1/输入侧2:2/1 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs(标准) 数据速率:500kbps 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V,4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC 发送器数目:1 Ohms 封装/外壳:SOIC 引脚数目:16 典型单电源电压:1.71 → 5.5 V 数据速率:500kbit/s 接口标准:1993/ RS-485, EIA RS-422 发送器信号类型:差分 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+85 °C 宽度:7.6mm 封装/外壳:10.5 x 7.6 x 2.35mm 高度:2.35mm 长度:10.5mm 电源类型:单 |
| 隔离器 | MAX14942GWE+ | MAXIM(美信) | FET类型:RS485 隔离式电源:无 通道数:3 输入-输入侧1/输入侧2:2/1 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs(标准) 数据速率:20Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:68ns,68ns 上升/下降时间（典型值）:15ns,15ns(最大) 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V,4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:16-SOIC 发送器数目:1 Ohms 封装/外壳:SOIC 引脚数目:16 典型单电源电压:1.71 → 5.5 V 数据速率:20Mbit/s 接口标准:1993/ RS-485 发送器信号类型:差分 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+105 °C 电源类型:单 长度:10.5mm 高度:2.35mm 宽度:7.6mm 封装/外壳:10.5 x 7.6 x 2.35mm |
| 隔离器 | MAX14941GWE+ | MAXIM(美信) | FET类型:RS485 隔离式电源:无 通道数:3 输入-输入侧1/输入侧2:2/1 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs(标准) 数据速率:20Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:68ns,68ns 上升/下降时间（典型值）:15ns,15ns(最大) 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V,4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:16-SOIC 发送器数目:1 Ohms 封装/外壳:SOIC 引脚数目:16 典型单电源电压:1.71 → 5.5 V 数据速率:20Mbit/s 接口标准:1993/ RS-485 发送器信号类型:差分 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+105 °C 电源类型:单 长度:10.5mm 高度:2.35mm 宽度:7.6mm 封装/外壳:10.5 x 7.6 x 2.35mm |
| 隔离器 | MAX14939GWE+ | MAXIM(美信) | FET类型:RS485 隔离式电源:无 通道数:3 输入-输入侧1/输入侧2:2/1 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs(标准) 数据速率:20Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:68ns,68ns 上升/下降时间（典型值）:15ns,15ns(最大) 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V,4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:16-SOIC 发送器数目:1 Ohms 封装/外壳:SOIC 引脚数目:16 典型单电源电压:1.71 → 5.5 V 数据速率:20Mbit/s 接口标准:1993/ RS-485 发送器信号类型:差分 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+105 °C 电源类型:单 长度:10.5mm 高度:2.35mm 宽度:7.6mm 封装/外壳:10.5 x 7.6 x 2.35mm |
| 隔离器 | MAX14938GWE+ | MAXIM(美信) | FET类型:RS485 隔离式电源:无 通道数:3 输入-输入侧1/输入侧2:2/1 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:35KV/µs(标准) 数据速率:20Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:68ns,68ns 上升/下降时间（典型值）:15ns,15ns(最大) 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V,4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:16-SOIC 发送器数目:1 Ohms 封装/外壳:SOIC 引脚数目:16 典型单电源电压:1.71 → 5.5 V 数据速率:20Mbit/s 接口标准:1993/ RS-485 发送器信号类型:差分 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+105 °C 电源类型:单 长度:10.5mm 高度:2.35mm 宽度:7.6mm 封装/外壳:10.5 x 7.6 x 2.35mm |
| 隔离器 | MAX14932EAWE+ | MAXIM(美信) | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 隔离器 | MAX14932DAWE+ | MAXIM(美信) | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC 最高数据速率:1Mbit/s 通道数目:4 封装/外壳:SOIC 最大输入电流:18.6 mA 隔离电压:2.75 KVrms 上升时间:2ns 针数目:16 安装类型:表面安装 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125°C 长度:10.5mm 深度:2.35mm 宽度:7.6mm |
| 隔离器 | MAX14932BASE+ | MAXIM(美信) | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC 最高数据速率:25Mbit/s 通道数目:4 封装/外壳:SOIC 最大输入电流:18.6 mA 隔离电压:2.75 KVrms 上升时间:2ns 针数目:16 安装类型:表面安装 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125°C 长度:10mm 深度:1.5mm 宽度:4mm |
| 隔离器 | MAX14130FAEE+ | MAXIM(美信) | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:4/0 FET类型:单向 电压-隔离:1000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:7.5ns,7.4ns 脉宽失真（最大）:1ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-QSOP 最高数据速率:150Mbit/s 通道数目:4 封装/外壳:QSOP 最大输入电流:35.4 mA 隔离电压:1 KVrms 上升时间:2ns 针数目:16 安装类型:表面安装 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125°C 长度:4.98mm 深度:1.651mm 宽度:3.99mm |
| 隔离器 | MAX12931BAWE+ | MAXIM(美信) | 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:1/1 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:50KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:32.5ns,33.6ns 脉宽失真（最大）:4ns 上升/下降时间（典型值）:1.6ns,1.4ns(最大) 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC 最高数据速率:25Mbit/s 通道数目:2 封装/外壳:SOIC 最大输入电流:3.87 mA 隔离电压:5 KVrms 上升时间:4.5ns 针数目:16 安装类型:表面安装 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125°C 长度:10.5mm 深度:2.35mm 宽度:7.6mm |
| 隔离器 | MAX12930FASA+ | MAXIM(美信) | 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/0 FET类型:单向 电压-隔离:3750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:50KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:9.2ns,9.4ns 脉宽失真（最大）:2ns 上升/下降时间（典型值）:1.6ns,1.4ns(最大) 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC 最高数据速率:150Mbit/s 通道数目:2 封装/外壳:SOIC 最大输入电流:4.99 mA 隔离电压:3 KVrms 上升时间:4.5ns 针数目:8 安装类型:表面安装 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125°C 长度:5mm 深度:1.5mm 宽度:4mm |
| 隔离器 | 6N139-X009 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 1.6mA 打开/关闭时间（典型值）:600ns,1.5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:18V 电流-输出/通道:60mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | 6N136-X019T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,200ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:15V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | BRT12H | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:600V 静态dV/dt（最小值）:10KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:2mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:300mA 电流-保持（Ih）:500µA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:20mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP 认可:CQC,UL |
| 隔离器 | CNY17F-3X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | CNY17-3X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | CNY17-4X006 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | H11AA1-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 输入类型:AC,DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | IL207AT | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | IL217AT | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | IL420-X017T | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:600V 静态dV/dt（最小值）:10KV/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:2mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:300mA 电流-保持（Ih）:500µA 接通时间:35µs 电压-正向（Vf）（典型值）:1.16V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD 认可:CQC,CSA,cUR,UR,VDE |
| 隔离器 | IL251-X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 输入类型:AC,DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | IL300-DEFG-X007 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出（最大值）:500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | IL300-X016 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出（最大值）:500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | IL217AT | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | ILD217T | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:4000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:30mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | ILQ615-3X009T | Vishay(威世) | 通道数:4 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SMD |
| 隔离器 | ILD615-3 | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | ILQ620GB | Vishay(威世) | 通道数:4 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:20µs,2µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | K3011P | Vishay(威世) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电压-断态:250V 静态dV/dt（最小值）:10KV/µs(标准) 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:10mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:100mA 电流-保持（Ih）:100µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:80mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP 认可:BSI,CQC,UR,VDE |
| 隔离器 | 4N38-X007 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 20mA 打开/关闭时间（典型值）:10µs,10µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | 4N37-X009 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:10µs,10µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | 6N137-X006 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:1KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | 6N139-X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 1.6mA 打开/关闭时间（典型值）:600ns,1.5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:18V 电流-输出/通道:60mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | 6N136-X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,200ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:15V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | CNY17-2 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | CNY17F-2X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | CNY17-3X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | CNY17F-3X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | CNY74-2H | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | SFH619A-X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:4.5µs,29µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,14.5µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-输出/通道:125mA 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:1.2V 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH6106-4 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH628A-3X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 电流传输比（最大值）:320% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH620A-3 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | SFH610A-2X001 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | SFH617A-2X016 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | SFH6326-X007T | Vishay(威世) | 通道数:2 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,500ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | SFH600-3 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3.2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2.5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | SFH600-3 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3.2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2.5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | SFH6345-X019T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:300ns,300ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V 电流-DC正向（If）:25mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |