IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 隔离器 | PS2561L-1-F3-H-A | CALIFORNIA EASTERN | 系列:NEPOC 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:3µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.17V 电流-DC正向（If）:80mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH617A-2X001 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | SFH610A-1X016 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | 4N38-X007 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 20mA 打开/关闭时间（典型值）:10µs,10µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | 4N35-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:10µs,10µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | SFH618A-4X016 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 1mA 电流传输比（最大值）:320% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | VO2601-X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | VO615A-7X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.43V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | K844P | Vishay(威世) | 通道数:4 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | VOS618A-3X001T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 电流传输比（最大值）:200% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,8µs 上升/下降时间（典型值）:5µs,7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP |
| 隔离器 | CNY65ST | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:13900VDC 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2.4µs,2.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:32V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.32V 电流-DC正向（If）:75mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 85°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | VO615A-9 | Vishay(威世) | 封装/外壳:4-DIP 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.43V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C |
| 隔离器 | 4N25 | Everlight(亿光) | 电压-隔离:5000Vrms 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 工作温度:-55°C ~ 100°C 通道数:1 Ohms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:500mV 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | VO2601-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 Current-Output/Channel:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | VOW3120-X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:500ns,500ns 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns,100ns 电流-输出高，低:2.5A,2.5A 电流-峰值输出:2.5A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.36V Current-DCForward(If)(Max):25mA 电压-电源:15 V ~ 32 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 认可:CQC,cUR,UR VDE |