IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 隔离器 | MAX14850ASE+T | 隔离式电源:无 通道数:6 输入-输入侧1/输入侧2:4/4 FET类型:双向,单向 电压-隔离:600Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:1.5KV/µs 数据速率:2Mbps,50Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | LTV-208 | 电压-隔离:3750Vrms 打开/关闭时间（典型值）:5µs,4µs 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:30mA Vce饱和值（最大值）:400mV 通道数:2 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:5µs,4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:30mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOP | |
| 隔离器 | MAX14936FAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:7.5ns,7.4ns 脉宽失真（最大）:1ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936EAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14937AWE+T | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14937AWE+ | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936EAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936DAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936DAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936BAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936BAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936AAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14936AAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932EAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14933AWE+T | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14933AWE+ | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14933ASE+T | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14933ASE+ | FET类型:I²C 隔离式电源:无 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:双向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 脉宽失真（最大）:65ns,95ns 电压-电源:2.25 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932FAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:7.5ns,7.4ns 脉宽失真（最大）:1ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932EAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932DAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932DAWE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC 最高数据速率:1Mbit/s 通道数目:4 封装/外壳:SOIC 最大输入电流:18.6 mA 隔离电压:2.75 KVrms 上升时间:2ns 针数目:16 安装类型:表面安装 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125°C 长度:10.5mm 深度:2.35mm 宽度:7.6mm | |
| 隔离器 | MAX14932BASE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14932BASE+ | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC 最高数据速率:25Mbit/s 通道数目:4 封装/外壳:SOIC 最大输入电流:18.6 mA 隔离电压:2.75 KVrms 上升时间:2ns 针数目:16 安装类型:表面安装 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125°C 长度:10mm 深度:1.5mm 宽度:4mm | |
| 隔离器 | MAX14932AAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:2/2 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14931DAWE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:3/1 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:1Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:54.1ns,55.3ns 脉宽失真（最大）:4.5ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14931CASE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:3/1 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:7.5ns,7.4ns 脉宽失真（最大）:1ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14930FASE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:4/0 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:150Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:7.5ns,7.4ns 脉宽失真（最大）:1ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14930BASE+T | 隔离式电源:无 通道数:4 输入-输入侧1/输入侧2:4/0 FET类型:单向 电压-隔离:2750Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs(标准) 数据速率:25Mbps 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:27.5ns,28.8ns 脉宽失真（最大）:2.6ns 上升/下降时间（典型值）:2ns, 2ns 电压-电源:1.71 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC | |
| 隔离器 | MAX14850AEE+T | 隔离式电源:无 通道数:6 输入-输入侧1/输入侧2:4/4 FET类型:双向,单向 电压-隔离:600Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:1.5KV/µs 数据速率:2Mbps,50Mbps 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SSOP | |
| 隔离器 | SFH691AT | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP | |
| 隔离器 | VO0631T | 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/0 电压-隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:15mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC | |
| 隔离器 | TCMT4600 | 通道数:4 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SOP | |
| 隔离器 | TCLT1006 | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP | |
| 隔离器 | SFH691AT | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP | |
| 隔离器 | SFH6286-4T | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 1mA 电流传输比（最大值）:500% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD | |
| 隔离器 | SFH6206-3T | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD | |
| 隔离器 | SFH610A-3 | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP | |
| 隔离器 | SFH6106-4T | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD | |
| 隔离器 | PC367N2J000F | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 500µA 电流传输比（最大值）:400% @ 500µA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V Current-DCForward(If)(Max):10mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat | |
| 隔离器 | PC357N2J000F | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-Mini-Flat | |
| 隔离器 | LTV-205 | 通道数:2 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:30mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:8-SOP 通道数:2 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:5µs,4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:30mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOP | |
| 隔离器 | IL300-F-X007 | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出（最大值）:500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD | |
| 隔离器 | CPC1001NTR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:1500Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 200µA 电流传输比（最大值）:800% @ 200µA 打开/关闭时间（典型值）:1µs,30µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:200µA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-SOP |
| 隔离器 | LDA100STR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:33% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:7µs,20µs 输入类型:AC,DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:1mA Vce饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | LDA110STR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 1mA 电流传输比（最大值）:30000% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:8µs,345µs 输入类型:AC,DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:100mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | LDA200STR | IXYS | 通道数:2 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:33% @ 1mA 电流传输比（最大值）:1000% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:7µs,20µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:1mA Vce饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | LDA111STR | IXYS | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 1mA 电流传输比（最大值）:30000% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:8µs,345µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:1mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | PS2561L-1-F3-H-A | CALIFORNIA EASTERN | 系列:NEPOC 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:3µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.17V 电流-DC正向（If）:80mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | SFH617A-2X001 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | SFH610A-1X016 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | 4N38-X007 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 20mA 打开/关闭时间（典型值）:10µs,10µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | 4N35-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:10µs,10µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | SFH618A-4X016 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 1mA 电流传输比（最大值）:320% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | VO2601-X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | VO615A-7X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.43V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | K844P | Vishay(威世) | 通道数:4 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-DIP |
| 隔离器 | VOS618A-3X001T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 电流传输比（最大值）:200% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,8µs 上升/下降时间（典型值）:5µs,7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP |
| 隔离器 | CNY65ST | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:13900VDC 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2.4µs,2.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:32V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.32V 电流-DC正向（If）:75mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 85°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | VO615A-9 | Vishay(威世) | 封装/外壳:4-DIP 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.43V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C |
| 隔离器 | 4N25 | Everlight(亿光) | 电压-隔离:5000Vrms 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 工作温度:-55°C ~ 100°C 通道数:1 Ohms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:500mV 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | VO2601-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 Current-Output/Channel:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | VOW3120-X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:25KV/µs 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:500ns,500ns 脉宽失真（最大）:300ns 上升/下降时间（典型值）:100ns,100ns 电流-输出高，低:2.5A,2.5A 电流-峰值输出:2.5A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.36V Current-DCForward(If)(Max):25mA 电压-电源:15 V ~ 32 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD 认可:CQC,cUR,UR VDE |
| 隔离器 | CNY17-3M-V | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:10µs,9µs 上升/下降时间（典型值）:6µs,8µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V(最大) 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-DIP |
| 隔离器 | 6N138S-L | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 1.6mA 电流传输比（最大值）:2600% @ 1.6mA 打开/关闭时间（典型值）:1.6µs,10µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:7V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:20mA 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | SFH6106-4T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | IL300-F-X007 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出（最大值）:500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | SFH6286-4T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 1mA 电流传输比（最大值）:500% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | TCMT4600 | Vishay(威世) | 通道数:4 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SOP |
| 隔离器 | PS2833-4-F3-A | CALIFORNIA EASTERN | 系列:NEPOC 通道数:4 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:400% @ 1mA 电流传输比（最大值）:4500% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:20µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:350V 电流-输出/通道:60mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SSOP |
| 隔离器 | H11D1-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,6µs 上升/下降时间（典型值）:2.5µs,5.5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-输出/通道:100mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 隔离器 | SFH6106-1X001T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | VO2611-X017T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | SFH617A-4X006 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | VO0661T | Vishay(威世) | 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/0 电压-隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:15mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | SFH615A-3X008T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | VO610A-3X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | TCLT1100 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SOP,5 引脚 |
| 隔离器 | VO2601 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5300Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | PS8502L2-AX | CALIFORNIA EASTERN | 系列:NEPOC 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:15% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:220ns,350ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.7V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | VOL618A-2T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 1mA 电流传输比（最大值）:125% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.16V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-LSOP |
| 隔离器 | 2287598-3 | TE(泰科) | 系列:ARISO 隔离式电源:无 通道数:8 FET类型:单向 电压-电源:24V 工作温度:-20°C ~ 55°C 封装/外壳:模块 |
| 隔离器 | 2287598-5 | TE(泰科) | 系列:ARISO 隔离式电源:无 通道数:8 FET类型:单向 电压-电源:24V 工作温度:-20°C ~ 55°C 封装/外壳:模块 |
| 隔离器 | 2287598-1 | TE(泰科) | 系列:ARISO 隔离式电源:无 通道数:2 FET类型:单向 电压-电源:24V 工作温度:-20°C ~ 55°C 封装/外壳:模块 |
| 隔离器 | CU4S0506AC-876-00 | TDK | Function:Circulators Direction of Circulation:Clock-Wise Mounting Method:SMD 长度:5.20mm±0.30mm Length (Min.) / mm:4.9 Length (Nom.) / mm:5.2 Length (Max.) / mm:5.5 宽度:5.00mm±0.30mm Width (Min.) / mm:4.7 Width (Nom.) / mm:5 Width (Max.) / mm:5.3 厚度:2.00mm ±0.20mm 厚度Min:1.8mm 厚度Max:2mm Thickness (Max.) / mm:2.2 宽度:5mm Cellular Band:Band 26 Start/Stop Frequency:859 to 894MHz 频率:876500000Hz 插入损耗Max:0.95dB Isolation [Min.] / dB:12 VSWR:1.7 带宽:35000000Hz 功率:5W Application Grade:Commercial Grade AEC-Q200:No Packing:Embossed (Plastic)Taping [330mm Reel, Tape width 16mm] Weight / g:0.2 工作温度Min:-35℃ 工作温度Max:85℃ |
| 隔离器 | CU4S0506AC-875-00 | TDK | Function:Circulators Direction of Circulation:Clock-Wise Mounting Method:SMD 长度:5.20mm±0.30mm Length (Min.) / mm:4.9 Length (Nom.) / mm:5.2 Length (Max.) / mm:5.5 宽度:5.00mm±0.30mm Width (Min.) / mm:4.7 Width (Nom.) / mm:5 Width (Max.) / mm:5.3 厚度:2.00mm ±0.20mm 厚度Min:1.8mm 厚度Max:2mm Thickness (Max.) / mm:2.2 宽度:5mm Cellular Band:Band 18/19 Start/Stop Frequency:860 to 890MHz 频率:875000000Hz 插入损耗Max:1.2dB Isolation [Min.] / dB:11 VSWR:1.8 带宽:30000000Hz 功率:5W Application Grade:Commercial Grade AEC-Q200:No Packing:Embossed (Plastic)Taping [330mm Reel, Tape width 16mm] Weight / g:0.2 工作温度Min:-35℃ 工作温度Max:85℃ |
| 隔离器 | CU4S0506AC-867-00 | TDK | Function:Circulators Direction of Circulation:Clock-Wise Mounting Method:SMD 长度:5.20mm±0.30mm Length (Min.) / mm:4.9 Length (Nom.) / mm:5.2 Length (Max.) / mm:5.5 宽度:5.00mm±0.30mm Width (Min.) / mm:4.7 Width (Nom.) / mm:5 Width (Max.) / mm:5.3 厚度:2.00mm ±0.20mm 厚度Min:1.8mm 厚度Max:2mm Thickness (Max.) / mm:2.2 宽度:5mm Cellular Band:Band 18 Start/Stop Frequency:860 to 875MHz 频率:867500000Hz 插入损耗Max:0.8dB Isolation [Min.] / dB:14 VSWR:1.6 带宽:15000000Hz 功率:5W Application Grade:Commercial Grade AEC-Q200:No Packing:Embossed (Plastic)Taping [330mm Reel, Tape width 16mm] Weight / g:0.2 工作温度Min:-35℃ 工作温度Max:85℃ |
| 隔离器 | IL300-X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出（最大值）:500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 隔离器 | 2287598-4 | TE(泰科) | 系列:ARISO 隔离式电源:无 通道数:8 FET类型:单向 电压-电源:24V 工作温度:-20°C ~ 55°C 封装/外壳:模块 |
| 隔离器 | 2287598-2 | TE(泰科) | 系列:ARISO 隔离式电源:无 通道数:2 FET类型:单向 电压-电源:24V 工作温度:-20°C ~ 55°C 封装/外壳:模块 |
| 隔离器 | TCLT1004 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 隔离器 | VO0631T | Vishay(威世) | 通道数:2 输入-输入侧1/输入侧2:2/0 电压-隔离:4000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:5KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路漏极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:10MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:100ns,100ns 上升/下降时间（典型值）:23ns,7ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:15mA 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 隔离器 | MOC3020-V | Lite-On(光宝) | 输出类型:Triac 过零电路:无 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电压-断态:400V 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:30mA 电流-保持（Ih）:100µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-DIP 认可:IEC/EN/DIN,UL |
| 隔离器 | LTV-3150M | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:400ns,400ns 电流-输出高，低:800mA,800mA 电流-峰值输出:1A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.37V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:15 V ~ 30 V 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15KV/µs 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:400ns,400ns 脉宽失真（最大）:120ns 上升/下降时间（典型值）:42ns,50ns 电流 - 输出高，低:800mA,800mA 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.37V 电流 - DC 正向（If）:25mA 电压 - 电源:15 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-DIP(0.400",10.16mm) 封装/外壳:8-DIP 认可:cUR,IEC/EN/DIN,UR |
| 隔离器 | LTV-3150-L-M | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:400ns,400ns 电流-输出高，低:1A,1A 电流-峰值输出:1A 电压-正向（Vf）（典型值）:1.37V 电流-DC正向（If）:25mA 电压-电源:10 V ~ 30 V 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:15KV/µs 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:400ns,400ns 脉宽失真（最大）:120ns 上升/下降时间（典型值）:42ns,50ns 电流 - 输出高，低:1A,1A 电流 - 峰值输出:1A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.37V 电流 - DC 正向（If）:25mA 电压 - 电源:10 V ~ 30 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-DIP(0.400",10.16mm) 封装/外壳:8-DIP 认可:cUL,IEC/EN/DIN,UR |
| 隔离器 | PS2581L2-F3-A | CALIFORNIA EASTERN | 系列:NEPOC 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:3µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.17V 电流-DC正向（If）:80mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | 6N138-L | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 1.6mA 电流传输比（最大值）:2600% @ 1.6mA 打开/关闭时间（典型值）:1.6µs,10µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:7V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:20mA 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP |
| 隔离器 | PS2561DL1-1Y-A | CALIFORNIA EASTERN | 系列:NEPOC 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:3µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:40mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 隔离器 | PS2561AL-1-F3-H-A | CALIFORNIA EASTERN | 系列:NEPOC 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:3µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:30mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 隔离器 | PS2381-1Y-F3-L-AX | CALIFORNIA EASTERN | 系列:NEPOC 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 115°C 封装/外壳:4-LSOP |