IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | MCC501-12IO2 | IXYS | |
| 未分类 | IXTQ460P2 | IXYS | |
| 通用MOSFET | IXGH30N60C3D1 | IXYS | 系列:GenX3™ 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):150A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3V @ 15V,20A Pd-功率耗散(Max):220W 开关能量:270µJ(开),90µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:16ns/42ns 测试条件:300V,20A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:25ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD(IXGH) |
| 未分类 | EZ80F92AZ020SG | IXYS | |
| 未分类 | SM141K04LV | IXYS | |
| 未分类 | SM111K04L | IXYS | |
| 未分类 | LCA100LSTR | IXYS | |
| 通用MOSFET | IXTA140P05T | IXYS | 系列:TrenchP™ FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:140A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:200nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V Pd-功率耗散(Max):298W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9m Ohms@70A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:TO-263AA FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:140A |
| 未分类 | IXTK32P60P | IXYS | |
| 未分类 | IXTY02N120P | IXYS | |
| 未分类 | ZY200RM | IXYS | |
| 未分类 | ZY200LM | IXYS | |
| 未分类 | ZY200L460 | IXYS | |
| 未分类 | XTY02N120PTRL | IXYS | |
| 未分类 | XSL600C2WRP | IXYS | |
| 未分类 | XSL600C2R | IXYS | |
| 未分类 | XSL350C2WRP | IXYS | |
| 未分类 | W2052NC360000 | IXYS | |
| 未分类 | W0735SA120NLS | IXYS | |
| 未分类 | VVZB135-16IOXT | IXYS | |
| 未分类 | VUO 86-16N07 | IXYS | |
| 整流二极管 | VUO52-22NO1 | IXYS | FET类型:三相 反向电压Vr:2200V 正向电流If:60A 正向电压Vf:1.13V @ 20A 反向漏电流Ir:40µA @ 2200V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:V1A-PAK |
| 未分类 | VUO35-08NO7 | IXYS | |
| 未分类 | VUO120-12NO2T | IXYS | |
| 未分类 | VUI72-16NOXT | IXYS | |
| 整流二极管 | VUB120-16NOX | IXYS | FET类型:三相(制动) 反向电压Vr:1600V 正向电流If:180A 正向电压Vf:2.75V @ 30A 反向漏电流Ir:100µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PCB,通孔 封装/外壳:模块 |
| 未分类 | VUB116-16NOXT | IXYS | |
| 未分类 | VHFD9-08IO1 | IXYS | |
| 未分类 | TS190-STR | IXYS | |
| 未分类 | SW06PCN075 | IXYS | |
| 未分类 | S03238 | IXYS | |
| 未分类 | PVX-4150 | IXYS | |
| 未分类 | PVM-4210 | IXYS | |
| 未分类 | PCO-6141 | IXYS | |
| 未分类 | NCD1025_DEMO_KIT1 | IXYS | |
| 未分类 | N610CH05 | IXYS | |
| 未分类 | N370CH12 | IXYS | |
| 未分类 | N2367MK200 | IXYS | |
| 未分类 | N0734YS120 | IXYS | |
| 通用三极管 | MWI150-12T8T | IXYS | IGBT类型:沟道 配置:三相反相器 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:215A 功率:690W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,150A 电流-集电极截止（最大值）:6mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:10.77nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:E3 |
| 未分类 | MUBW50-12T8 | IXYS | |
| 未分类 | MUBW25-12T7 | IXYS | |
| 未分类 | MTC120W55GD | IXYS | |
| 未分类 | MPK95-06DA | IXYS | |
| 未分类 | MMIX1Y100N120C3H1 | IXYS | 最大连续集电极电流:92 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±30V 功率:400W 封装/外壳:SMPD FET类型:N-Channel 引脚数目:24 开关速度:20 → 50kHz 晶体管配置:单 长度:25.25mm 宽度:23.25mm 高度:5.7mm 封装/外壳:25.25 x 23.25 x 5.7mm 最高工作温度:+150 °C 栅极电容:6000pF 最低工作温度:-55 °C |
| 未分类 | MMIX1X340N65B4 | IXYS | |
| 未分类 | MMIX1X100N60B3H1 | IXYS | |
| 未分类 | MMIX1T550N055T2 | IXYS | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:550 A 漏源极电压Vds:55 V Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3 m0hms 栅极电压Vgs:3.8V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:SMPD 晶体管配置:单 引脚数目:24 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:830 W 典型接通延迟时间:45 ns 典型关断延迟时间:90 ns 漏源极电压Vds:40000 pF@ 25 V 晶体管材料:Si 系列:GigaMOS, HiperFET 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 宽度:23.25mm 长度:25.25mm 高度:5.7mm 正向跨导:150S 正向二极管电压:1.2V 封装/外壳:25.25 x 23.25 x 5.7mm 最高工作温度:+175 °C |
| 未分类 | MMIX1F230N20T | IXYS | |
| 未分类 | MKH17RP650DCGLB | IXYS | |
| 未分类 | MKE38RK600DFELB-TRR | IXYS | |
| 未分类 | MKE38RK600DFELB | IXYS | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:50A 漏源极电压Vds:600V Rds On(Max)@Id,Vgs:45 m0hms 栅极电压Vgs:3.5V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:SMPD 引脚数目:9 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 典型接通延迟时间:80 ns 典型关断延迟时间:750 ns 漏源极电压Vds:6800 pF @ 100 V 晶体管材料:Si 系列:CoolMOS 正向二极管电压:1V 宽度:23mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:25mm 高度:5.5mm 封装/外壳:25 x 23 x 5.5mm 每片芯片元件数目:1 Ohms |
| 通用MOSFET | MKE11R600DCGFC | IXYS | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 790µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:52nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:165m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:i4-Pac™-5 |
| 未分类 | MIXD600PF650TSF | IXYS | |
| 未分类 | MIXA81WB1200TEH | IXYS | |
| 未分类 | MIXA81H1200EH | IXYS | |
| 未分类 | MIXA80W1200TED | IXYS | |
| 未分类 | MIXA60HU1200VA | IXYS | |
| 未分类 | MIXA600PF650TSF | IXYS | |
| 未分类 | MIXA40W1200TED | IXYS | |
| 未分类 | MIXA30W1200TML | IXYS | |
| 未分类 | MIXA20WB1200TMI | IXYS | |
| 未分类 | MIXA20W1200TML | IXYS | |
| 通用三极管 | MIXA150W1200TEH | IXYS | IGBT类型:PT 配置:三相反相器 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:220A 功率:695W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,150A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:E3 |
| 未分类 | MIXA150R1200VA | IXYS | |
| 未分类 | MIXA10WB1200TED | IXYS | |
| 未分类 | MIXA10W1200TML | IXYS | |
| 未分类 | MIXA101W1200EH | IXYS | |
| 未分类 | MIEB101W1200EH | IXYS | |
| 未分类 | MIAA20WD600TMH | IXYS | |
| 未分类 | MDO600-16N1 | IXYS | |
| 未分类 | MDNA35P2200TG | IXYS | |
| 未分类 | MDMA700P1600CC | IXYS | |
| 未分类 | MDMA25P1200TG | IXYS | |
| 未分类 | MDMA240UB1600ED | IXYS | |
| 未分类 | MDMA140P1800TG | IXYS | |
| 未分类 | MDD710-22N2 | IXYS | |
| 未分类 | MDD200-22N1 | IXYS | |
| 未分类 | MDD19-14N1B | IXYS | |
| 未分类 | MDD175-34N1 | IXYS | |
| 未分类 | MDD175-28N1 | IXYS | |
| 未分类 | MCNA150PD2200YB | IXYS | |
| 未分类 | MCMA700P1600NCA | IXYS | |
| 未分类 | MCMA700P1600CA | IXYS | |
| 未分类 | MCMA35PD1200TB | IXYS | |
| 未分类 | MCMA140P1200TA | IXYS | |
| 通用三极管 | MCMA120UJ1800ED | IXYS | SCR数，二极管:3 SCRs,3 个二极管 电压-断态:1800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.4V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:70mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:500A,540A 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:E2 |
| 未分类 | MCMA110P1200TA | IXYS | |
| 未分类 | MCC501-18IO2 | IXYS | |
| 未分类 | MCC501-16io2 | IXYS | 闸流晶体管类型:SCR 模块 最大栅极触发电压:2.5V 最大栅极触发电流:250mA 最大保持电流:300mA 额定平均通态电流:985A 重复峰值反向电压:1600V 浪涌电流额定值:16kA 引脚数目:7 峰值通态电压:1.5V 重复峰值断态电流:70mA 封装/外壳:150 x 60 x 63mm 最高工作温度:+125 °C 最低工作温度:-40 °C 长度:150mm 高度:63mm 宽度:60mm |
| 未分类 | MCC224-24IO1 | IXYS | |
| 未分类 | MCB55P1200LB | IXYS | |
| 未分类 | MCB40P1200LB | IXYS | |
| 未分类 | M-88L70-01S | IXYS | |
| 未分类 | M-88L70-01P | IXYS | |
| 未分类 | LOC112STR-G | IXYS | |
| 未分类 | LOC111F | IXYS | |
| 未分类 | LOC110 BIN G | IXYS | |
| 未分类 | LDS8846-002-T2 | IXYS | |
| 未分类 | LDS8845-003-T3 | IXYS |