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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | IXTP110N055T2 | IXYS | 系列:TrenchT2™ 连续漏极电流Id:110A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:57nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3060pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):180W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.6m Ohms@25A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:110A |
| 未分类 | IXTH300N04T2 | IXYS | |
| 通用MOSFET | IXKH24N60C5 | IXYS | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:24A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 790µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:52nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:165m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3 整包 |
| 整流二极管 | DSEP12-12B | IXYS | 系列:HiPerFRED™ FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:15A 正向电压Vf:3.25V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:100µA @ 1200V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 通用三极管 | CS22-08IO1M | IXYS | 电压-断态:800V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.3V 电流-通态（It（AV））（最大值）:16A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:300A,325A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220 隔离的标片 |
| 整流二极管 | DSB60C45PB | IXYS | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:30A 正向电压Vf:630mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10mA @ 45V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 未分类 | IXYX40N250CHV | IXYS | |
| 未分类 | IXXH80N65B4 | IXYS | |
| 未分类 | M4X8 | IXYS | |
| 未分类 | LAA100PL | IXYS | |
| 未分类 | LAA100P | IXYS | |
| 未分类 | PAA140P | IXYS | |
| 整流二极管 | DLA40IM800PC | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:40A 正向电压Vf:1.3V @ 40A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 800V 结电容Cj:10pF @ 400V,1MHz 封装/外壳:TO-263(D²Pak) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 通用继电器 | PAA140STR | IXYS | 系列:PAA,OptoMOS® 电路:DPST(2 A 形) 输出类型:AC,DC 导通电阻（最大值）:8 欧姆 负载电流:250mA 电压-输入:1.2VDC 电压-负载:0 ~ 400 V 端子类型:鸥翼型 封装/外壳:8-SMD 继电器类型:继电器 |
| 未分类 | MCB60I1200TZ | IXYS | |
| 通用三极管 | VHF28-16IO5 | IXYS | SCR数，二极管:2 SCRs,2 个二极管 电压-断态:1600V 电流-通态（It（AV））（最大值）:28A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:65mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:300A,330A 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:X118 |
| 未分类 | VBO72-16NO7 | IXYS | 电桥类型:单相 峰值平均正向电流:72A 峰值反向重复电压:1600V 封装/外壳:PWS D 引脚数目:4 二极管技术:硅结型 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:820A 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40°C 峰值正向电压:1.6V 峰值反向电流:300µA 长度:72mm 封装/外壳:72 x 42 x 30mm 高度:30mm 宽度:42mm |
| 未分类 | VBO50-16NO7 | IXYS | 电桥类型:单相 峰值平均正向电流:50A 峰值反向重复电压:1600V 封装/外壳:PWS A 引脚数目:4 二极管技术:硅结型 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:820A 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40°C 峰值正向电压:1.6V 峰值反向电流:300µA 长度:55mm 封装/外壳:55 x 45 x 24mm 高度:24mm 宽度:45mm |
| 未分类 | VBO40-16NO6 | IXYS | 电桥类型:单相 峰值平均正向电流:40A 峰值反向重复电压:1600V 封装/外壳:SOT-227B 引脚数目:4 二极管技术:硅结型 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:320A 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C 峰值正向电压:1.15V 峰值反向电流:300µA 长度:38.3mm 封装/外壳:38.3 x 25.07 x 9.6mm 高度:9.6mm 宽度:25.07mm |
| 整流二极管 | VBO40-12NO6 | IXYS | FET类型:单相 正向电压Vf:1.15V @ 20A 反向漏电流Ir:40µA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227B 反向电压Vr:1200V 正向电流If:40A |
| 整流二极管 | VBO40-08NO6 | IXYS | FET类型:单相 正向电压Vf:1.15V @ 20A 反向漏电流Ir:300µA @ 800V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227B 反向电压Vr:800V 正向电流If:40A |
| 整流二极管 | VBO30-16NO7 | IXYS | FET类型:单相 正向电压Vf:2.2V @ 150A 反向漏电流Ir:300µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-A 反向电压Vr:1600V 正向电流If:35A |
| 未分类 | VBO25-16NO2 | IXYS | 电桥类型:单相 峰值平均正向电流:38A 峰值反向重复电压:1600V 安装类型:螺丝安装 封装/外壳:FO-A 引脚数目:4 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:390A 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C 峰值正向电压:1.36V 峰值反向电流:5mA 长度:28.9mm 高度:14.5mm 封装/外壳:28.9 x 28.9 x 14.5mm |
| 整流二极管 | VBO25-12NO2 | IXYS | FET类型:单相 正向电压Vf:1.36V @ 55A 反向漏电流Ir:300µA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:QC 端子 封装/外壳:FO-A 反向电压Vr:1200V 正向电流If:38A |
| 整流二极管 | VBO25-08NO2 | IXYS | FET类型:单相 正向电压Vf:1.36V @ 55A 反向漏电流Ir:300µA @ 800V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:QC 端子 封装/外壳:FO-A 反向电压Vr:800V 正向电流If:38A |
| 整流二极管 | VBO22-16NO8 | IXYS | FET类型:单相 正向电流If:21A 正向电压Vf:2.2V @ 150A 反向漏电流Ir:300µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:QC 端子 封装/外壳:FO-B 反向电压Vr:1600V 正向电流If:14A |
| 未分类 | VBO20-16NO2 | IXYS | 电桥类型:单相 峰值平均正向电流:31A 峰值反向重复电压:1600V 安装类型:螺丝安装 封装/外壳:FO-A 引脚数目:4 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:315A 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C 峰值正向电压:1.8V 峰值反向电流:5mA 长度:28.9mm 高度:14.5mm 封装/外壳:28.9 x 28.9 x 14.5mm |
| 未分类 | VBO20-12NO2 | IXYS | 电桥类型:单相 峰值平均正向电流:31A 峰值反向重复电压:1200V 安装类型:螺丝安装 封装/外壳:FO-A 引脚数目:4 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:315A 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C 峰值正向电压:1.8V 峰值反向电流:5mA 长度:28.9mm 高度:14.5mm 封装/外壳:28.9 x 28.9 x 14.5mm |
| 未分类 | VBO20-08NO2 | IXYS | 电桥类型:单相 峰值平均正向电流:31A 峰值反向重复电压:800V 安装类型:螺丝安装 封装/外壳:FO-A 引脚数目:4 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:315A 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C 峰值正向电压:1.8V 峰值反向电流:5mA 长度:28.9mm 高度:14.5mm 封装/外壳:28.9 x 28.9 x 14.5mm |
| 未分类 | VBO125-16NO7 | IXYS | 电桥类型:单相 峰值平均正向电流:124A 峰值反向重复电压:1600V 封装/外壳:PWS C 引脚数目:4 二极管技术:硅结型 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:1.95kA 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C 峰值正向电压:1.3V 峰值反向电流:300µA 长度:67mm 封装/外壳:67 x 50 x 31mm 高度:31mm 宽度:50mm |
| 未分类 | VBO125-12NO7 | IXYS | 电桥类型:单相 峰值平均正向电流:124A 峰值反向重复电压:1200V 封装/外壳:PWS C 引脚数目:4 二极管技术:硅结型 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:1.95kA 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40°C 峰值正向电压:1.3V 峰值反向电流:300µA 长度:67mm 封装/外壳:67 x 50 x 31mm 高度:31mm 宽度:50mm |
| 整流二极管 | VBO105-16NO7 | IXYS | FET类型:单相 正向电压Vf:1.6V @ 150A 反向漏电流Ir:300µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-C 反向电压Vr:1600V 正向电流If:107A |
| 未分类 | VBO105-12NO7 | IXYS | 电桥类型:单相 峰值平均正向电流:107A 峰值反向重复电压:1200V 封装/外壳:PWS C 引脚数目:4 二极管技术:硅结型 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:1.65kA 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40°C 峰值正向电压:1.6V 峰值反向电流:300µA 长度:67mm 宽度:50mm 高度:31mm 封装/外壳:67 x 50 x 31mm |
| 通用三极管 | MIXA450PF1200TSF | IXYS | IGBT类型:PT 配置:半桥 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:650A 功率:2100W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,450A 电流-集电极截止（最大值）:1mA 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:模块 |
| 未分类 | W1263YC250 | IXYS | 最大连续正向电流:1.2kA 二极管配置:单路 整流器类型:高电压 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:2500V 安装类型:膜盒 二极管类型:硅结型 引脚数目:2 最大正向电压降:2.12V 长度:42mm 高度:15.1mm 峰值反向回复时间:17µs 峰值非重复正向浪涌电流:12.9kA 峰值反向电流:30mA 最高工作温度:+175 °C 封装/外壳:15.1 x 42 x 42mm 最低工作温度:-40 °C |
| 未分类 | W1185LC450 | IXYS | 最大连续正向电流:1.2kA 二极管配置:单路 整流器类型:高电压 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:4500V 安装类型:膜盒 封装/外壳:DO-200AB 二极管技术:硅结型 引脚数目:2 最大正向电压降:2.4V 长度:58.5mm 高度:27mm 峰值非重复正向浪涌电流:10.6kA 峰值反向电流:30mA 最高工作温度:+160 °C 封装/外壳:27 x 58.5 x 58.5mm 最低工作温度:-55 °C |
| 未分类 | W0944WC150 | IXYS | 最大连续正向电流:945A 二极管配置:单路 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:1500V 安装类型:膜盒 封装/外壳:DO-200AA 二极管技术:硅结型 引脚数目:2 最大正向电压降:400mV 高度:14.4mm 直径:42mm 峰值反向电流:15mA 峰值非重复正向浪涌电流:9kA 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+190 °C 封装/外壳:42 (Dia.) x 14.4mm |
| 未分类 | W0944WC120 | IXYS | 最大连续正向电流:945A 二极管配置:单路 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:1200V 安装类型:膜盒 封装/外壳:DO-200AA 二极管技术:硅结型 引脚数目:2 最大正向电压降:1V 高度:14.4mm 直径:42mm 峰值反向电流:15mA 峰值非重复正向浪涌电流:9kA 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+190 °C 封装/外壳:42 (Dia.) x 14.4mm |
| 未分类 | W0735SA150 | IXYS | 最大连续正向电流:735A 二极管配置:螺柱阴极 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:1500V 安装类型:螺纹安装 二极管类型:硅结型 高度:230.5mm 直径:28.3mm 封装/外壳:28.3 (Dia.) x 230.5mm 峰值非重复正向浪涌电流:10kA 最低工作温度:-40 °C 峰值反向电流:15mA 最高工作温度:+190 °C |
| 未分类 | W0735SA120 | IXYS | 最大连续正向电流:735A 二极管配置:螺柱阴极 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:1200V 安装类型:螺纹安装 二极管类型:硅结型 高度:230.5mm 直径:28.3mm 封装/外壳:28.3 (Dia.) x 230.5mm 峰值非重复正向浪涌电流:10kA 最低工作温度:-40 °C 峰值反向电流:15mA 最高工作温度:+190 °C |
| 未分类 | W0735RA150 | IXYS | 最大连续正向电流:735A 二极管配置:螺柱阳极 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:1500V 安装类型:螺纹安装 二极管类型:硅结型 高度:230.5mm 直径:28.3mm 封装/外壳:28.3 (Dia.) x 230.5mm 峰值非重复正向浪涌电流:10kA 最低工作温度:-40 °C 峰值反向电流:15mA 最高工作温度:+190 °C |
| 未分类 | W0735RA120 | IXYS | 最大连续正向电流:735A 二极管配置:螺柱阳极 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:1200V 安装类型:螺纹安装 二极管类型:硅结型 高度:230.5mm 直径:28.3mm 封装/外壳:28.3 (Dia.) x 230.5mm 峰值非重复正向浪涌电流:10kA 最低工作温度:-40 °C 峰值反向电流:15mA 最高工作温度:+190 °C |
| 未分类 | W0642WC240 | IXYS | 最大连续正向电流:1kA 二极管配置:单路 整流器类型:高电压 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:2400V 安装类型:膜盒 二极管技术:硅结型 引脚数目:2 最大正向电压降:2.37V 长度:42mm 高度:14.4mm 峰值反向回复时间:15µs 峰值反向电流:15mA 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+180 °C 封装/外壳:14.4 x 42 x 42mm 峰值非重复正向浪涌电流:6.1kA |
| 未分类 | W0503SC160 | IXYS | 最大连续正向电流:735A 二极管配置:螺柱阴极 每片芯片元件数目:1 Ohms 整流器类型:高电压 峰值反向重复电压:1600V 安装类型:螺纹安装 二极管技术:硅结型 高度:230.5mm 直径:27.4mm 峰值反向电流:15mA 峰值非重复正向浪涌电流:6.1kA 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+180 °C 封装/外壳:27.4 (Dia.) x 230.5mm |
| 未分类 | W0503RC160 | IXYS | 最大连续正向电流:735A 二极管配置:螺柱阳极 每片芯片元件数目:1 Ohms 整流器类型:高电压 峰值反向重复电压:1600V 安装类型:螺纹安装 二极管技术:硅结型 高度:230.5mm 直径:27.4mm 峰值反向电流:15mA 峰值非重复正向浪涌电流:6.1kA 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+180 °C 封装/外壳:27.4 (Dia.) x 230.5mm |
| 未分类 | VUO86-16NO7 | IXYS | 峰值反向重复电压:1700V 封装/外壳:ECO-PAC1 引脚数目:5 峰值非重复正向浪涌电流:595A 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C 峰值反向电流:1.5mA 长度:47mm 结电容:18pF 高度:9mm 封装/外壳:47 x 30.3 x 9mm 宽度:30.3mm |
| 整流二极管 | VUO86-12NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:86A 正向电压Vf:1.14V @ 30A 反向漏电流Ir:40µA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ECO-PAC1 反向电压Vr:1200V 正向电流If:90A |
| 整流二极管 | VUO82-16NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:88A 正向电压Vf:1.6V @ 150A 反向漏电流Ir:300µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-D 反向电压Vr:1600V 正向电流If:90A |
| 整流二极管 | VUO82-12NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:88A 正向电压Vf:1.6V @ 150A 反向漏电流Ir:300µA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-D 反向电压Vr:1200V 正向电流If:90A |
| 整流二极管 | VUO80-16NO1 | IXYS | FET类型:三相 正向电压Vf:1.14V @ 30A 反向漏电流Ir:40µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:V1-A 反向电压Vr:1600V 正向电流If:82A |
| 整流二极管 | VUO70-16NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电压Vf:1.7V @ 150A 反向漏电流Ir:500µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:FO-T-A 反向电压Vr:1600V 正向电流If:70A |
| 整流二极管 | VUO62-16NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:63A 正向电压Vf:1.8V @ 150A 反向漏电流Ir:300µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-D 反向电压Vr:1600V 正向电流If:60A |
| 整流二极管 | VUO62-12NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:63A 正向电压Vf:1.8V @ 150A 反向漏电流Ir:300µA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-D 反向电压Vr:1200V 正向电流If:60A |
| 整流二极管 | VUO55-16NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电压Vf:1.03V @ 20A 反向漏电流Ir:100µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-B 反向电压Vr:1600V 正向电流If:58A |
| 整流二极管 | VUO52-16NO1 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:54A 正向电压Vf:1.13V @ 20A 反向漏电流Ir:40µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:V1-A 反向电压Vr:1600V 正向电流If:60A |
| 整流二极管 | VUO36-16NO8 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:27A 正向电压Vf:1.04V @ 15A 反向漏电流Ir:40µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:QC 端子 封装/外壳:FO-B 反向电压Vr:1600V 正向电流If:35A |
| 整流二极管 | VUO36-12NO8 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:27A 正向电压Vf:1.04V @ 15A 反向漏电流Ir:40µA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:QC 端子 封装/外壳:FO-B 反向电压Vr:1200V 正向电流If:35A |
| 整流二极管 | VUO35-16NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电压Vf:1.1V @ 15A 反向漏电流Ir:40µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-A 反向电压Vr:1600V 正向电流If:38A |
| 整流二极管 | VUO30-16NO3 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:37A 正向电压Vf:2.55V @ 150A 反向漏电流Ir:300µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:FO-F-B 反向电压Vr:1600V 正向电流If:50A |
| 整流二极管 | VUO25-16NO8 | IXYS | FET类型:三相 正向电压Vf:2.2V @ 150A 反向漏电流Ir:300µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:QC 端子 封装/外壳:PWS-E1 反向电压Vr:1600V 正向电流If:25A |
| 未分类 | VUO25-12NO8 | IXYS | 电桥类型:三相 峰值平均正向电流:25A 峰值反向重复电压:1200V 安装类型:螺丝安装 封装/外壳:FO B B 引脚数目:5 二极管技术:硅结型 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:400A 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40°C 峰值正向电压:2.2V 峰值反向电流:300µA 长度:28.5mm 封装/外壳:28.5 x 28.5 x 10mm 高度:10mm |
| 整流二极管 | VUO160-16NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电压Vf:1.1V @ 60A 反向漏电流Ir:200µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-E1 反向电压Vr:1600V 正向电流If:175A |
| 整流二极管 | VUO160-12NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电压Vf:1.1V @ 60A 反向漏电流Ir:200µA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-E1 反向电压Vr:1200V 正向电流If:175A |
| 未分类 | VUO125-16N07 | IXYS | 电桥类型:三相 峰值平均正向电流:166A 峰值反向重复电压:1600V 封装/外壳:PWS C 引脚数目:5 二极管技术:硅结型 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:1.95kA 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C 峰值正向电压:1.3V 峰值反向电流:300µA 长度:67mm 封装/外壳:67 x 50 x 31mm 高度:31mm 宽度:50mm |
| 整流二极管 | VUO125-12NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电压Vf:1.07V @ 50A 反向漏电流Ir:200µA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-C 反向电压Vr:1200V 正向电流If:166A |
| 整流二极管 | VUO122-16NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:117A 正向电压Vf:1.13V @ 50A 反向漏电流Ir:100µA @ 1400V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ECO-PAC2 反向电压Vr:1600V 正向电流If:125A |
| 整流二极管 | VUO110-16NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:127A 正向电压Vf:1.13V @ 50A 反向漏电流Ir:100µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-E1 反向电压Vr:1600V 正向电流If:125A |
| 整流二极管 | VUO110-12NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:127A 正向电压Vf:1.13V @ 50A 反向漏电流Ir:100µA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-E1 反向电压Vr:1200V 正向电流If:125A |
| 整流二极管 | VUO105-16NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电压Vf:1.09V @ 40A 反向漏电流Ir:100µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-C 反向电压Vr:1600V 正向电流If:140A |
| 整流二极管 | VUO105-12NO7 | IXYS | FET类型:三相 正向电压Vf:1.09V @ 40A 反向漏电流Ir:100µA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PWS-C 反向电压Vr:1200V 正向电流If:140A |
| 通用三极管 | CLA30E1200HB | IXYS | 电压-断态:1200V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:28mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.56V 电流-通态（It（AV））（最大值）:30A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:47A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:300A,325A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 整流二极管 | DS2-08A | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:3.6A 正向电压Vf:1.25V @ 7A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:2mA @ 800V 封装/外壳:轴向 工作温度-结:-40°C ~ 180°C |
| 未分类 | CS19-12HO1 | IXYS | |
| 未分类 | CMA20E1600PB | IXYS | |
| 未分类 | C-0010-375-501N211A-00 | IXYS | |
| 通用三极管 | CMA30E1600PN | IXYS | 电压-断态:1600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:28mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:30A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:50A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:260A,280A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220ABFP |
| 整流二极管 | DNA30E2200PA | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:2200V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.26V @ 30A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:40µA @ 2200V 结电容Cj:7pF @ 700V,1MHz 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | DSS2X121-0045B | IXYS | 配置:2 个独立式 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:120A 正向电压Vf:620mV @ 120A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:120mA @ 45V 封装/外壳:SOT-227B |
| 整流二极管 | DSAI35-16A | IXYS | FET类型:雪崩 反向电压Vr:1600V 正向电流If:49A 正向电压Vf:1.55V @ 150A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4mA @ 1600V 封装/外壳:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB 工作温度-结:-40°C ~ 180°C |
| 通用三极管 | CS30-12IO1 | IXYS | 电压-断态:1200V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:55mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.63V 电流-通态（It（AV））（最大值）:30A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:49A 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 电流-断态（最大值）:50µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,430A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 整流二极管 | DSEI2X61-10B | IXYS | 系列:FRED 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:60A 正向电压Vf:2.3V @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:3mA @ 1000V 封装/外壳:SOT-227B |
| 整流二极管 | DSEP8-12A | IXYS | 系列:HiPerFRED™ FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:2.94V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:40ns 反向漏电流Ir:60µA @ 1200V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | DSEE15-12CC | IXYS | 系列:HiPerDynFRED™ 配置:1 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:15A 正向电压Vf:2.04V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:100µA @ 600V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:ISOPLUS220™ |
| 整流二极管 | DSI75-12B | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:110A 正向电压Vf:1.17V @ 150A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:6mA @ 1200V 封装/外壳:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB 工作温度-结:-40°C ~ 180°C |
| 整流二极管 | DSEP29-06A | IXYS | 系列:HiPerFRED™ FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.61V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:250µA @ 600V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | DSEI12-10A | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:12A 正向电压Vf:2.7V @ 12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:250µA @ 1000V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | DSP25-16A | IXYS | 配置:1 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:1600V 正向电流If:28A 正向电压Vf:1.6V @ 55A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:2mA @ 1600V 工作温度-结:-40°C ~ 180°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 整流二极管 | DSEI12-10A | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:12A 正向电压Vf:2.7V @ 12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:250µA @ 1000V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | DSEP15-12CR | IXYS | 系列:HiPerDynFRED™ FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:15A 正向电压Vf:4.04V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:100µA @ 1200V 封装/外壳:ISOPLUS247™ 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | DSEP2X91-03A | IXYS | 系列:HiPerFRED™ 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:90A 正向电压Vf:1.54V @ 90A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:40ns 反向漏电流Ir:1mA @ 300V 封装/外壳:SOT-227B |
| 整流二极管 | DSEI60-10A | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:60A 正向电压Vf:2.3V @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:3mA @ 1000V 封装/外壳:TO-247AD 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | DSS2X61-0045A | IXYS | 配置:2 个独立式 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:60A 正向电压Vf:740mV @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:2mA @ 45V 封装/外壳:SOT-227B |
| 整流二极管 | DSEP30-12A | IXYS | 系列:HiPerFRED™ FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:30A 正向电压Vf:2.74V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:40ns 反向漏电流Ir:250µA @ 1200V 封装/外壳:TO-247AD 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 通用MOSFET | IXFH10N80P | IXYS | 系列:HiPerFET™,PolarHT™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:10A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 2.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2050pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1Ω@5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 整流二极管 | DSS6-015AS | IXYS | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:6A 正向电压Vf:780mV @ 6A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:300µA @ 150V 封装/外壳:TO-252AA 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 集成电路(芯片) | IXCY10M90S | IXYS | 系列:IXC 功能:稳流器 电压-输入:900V 电流-输出:100mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-252AA |
| 通用MOSFET | IXBH42N170 | IXYS | 系列:BIMOSFET™ 电压-集射极击穿（最大值）:1700V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流-集电极(Icm):300A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,42A Pd-功率耗散(Max):360W 输入类型:标准 反向恢复时间（trr）:1.32µs 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD(IXBH) |
| 整流二极管 | DSSK40-008B | IXYS | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:80V 正向电流If:20A 正向电压Vf:580mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20mA @ 80V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 通用MOSFET | IXA45IF1200HB | IXYS | IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:78A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,35A Pd-功率耗散(Max):325W 开关能量:3.8mJ(开),4.1mJ(关) 输入类型:标准 测试条件:600V,35A,27 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:350ns 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD(HB) |
| 整流二极管 | FBO16-12N | IXYS | FET类型:单相 正向电流If:22A 正向电压Vf:1.43V @ 20A 反向漏电流Ir:10µA @ 1200V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS i4-PAC™ 反向电压Vr:1200V 正向电流If:10A |