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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | MMIX1T600N04T2 | IXYS | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:600 A 漏源极电压Vds:40 V Rds On(Max)@Id,Vgs:3.28 0hms 栅极电压Vgs:3.5V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:SMPD 晶体管配置:单 引脚数目:24 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:830 W 典型接通延迟时间:40 ns 典型关断延迟时间:90 ns 漏源极电压Vds:40000 pF@ 25 V 晶体管材料:Si 最高工作温度:+175 °C 高度:5.7mm 最低工作温度:-55 °C 宽度:23.25mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 长度:25.25mm 正向跨导:150S 正向二极管电压:1.2V 封装/外壳:25.25 x 23.25 x 5.7mm 系列:GigaMOS, HiperFET |
| 未分类 | MCC94-24IO1B | IXYS | |
| 通用三极管 | IXYN82N120C3H1 | IXYS | 电流-集电极截止（最大值）:50µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:4060pF @ 25V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 系列:XPT™,GenX3™ 配置:单一 Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):1200V Current-Collector(Ic)(Max):105A Power-Max:500W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.2V @ 15V,82A 输入:标准 NTC热敏电阻:无 封装/外壳:SOT-227B |
| 未分类 | IXYN80N90C3H1 | IXYS | 最大连续集电极电流:340 A 最大集电极-发射极电压:900 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:500W 封装/外壳:SOT-227B FET类型:N-Channel 引脚数目:4 开关速度:50kHz 晶体管配置:单 长度:38.23mm 宽度:25.07mm 高度:9.6mm 封装/外壳:38.23 x 25.07 x 9.6mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C |
| 未分类 | IXYH8N250CHV | IXYS | |
| 未分类 | IXFX64N60P3 | IXYS | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:64 A 漏源极电压Vds:600V Rds On(Max)@Id,Vgs:95 m0hms 栅极电压Vgs:5V 栅极电压Vgs:±30V 封装/外壳:PLUS247 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:1.13 kW 最低工作温度:-55 °C 长度:16.13mm 封装/外壳:16.13 x 5.21 x 21.34mm 系列:HiperFET, Polar3 晶体管材料:Si 高度:21.34mm 典型接通延迟时间:43 ns 漏源极电压Vds:9900 pF@ 25 V 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:5.21mm 最高工作温度:+150 °C 典型关断延迟时间:66 ns |
| 未分类 | IXFN50N120SK | IXYS | |
| 未分类 | IXFN170N25X3 | IXYS | |
| 未分类 | IXA20I1200PZ | IXYS | |
| 未分类 | DSP45-12AZ | IXYS | |
| 整流二极管 | DSA80C100PB | IXYS | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:40A 正向电压Vf:910mV @ 40A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:700µA @ 100V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 未分类 | DSA70C200HB | IXYS | 最大连续正向电流:35A 二极管配置:共阴极 整流器类型:软恢复 每片芯片元件数目:2 峰值反向重复电压:200V 封装/外壳:TO-247AD 二极管类型:肖特基 引脚数目:3 最大正向电压降:1.07V 长度:16.24mm 宽度:5.3mm 高度:21.45mm 最低工作温度:-55 °C 峰值非重复正向浪涌电流:550A 峰值反向电流:7mA 最高工作温度:+150 °C 封装/外壳:16.24 x 5.3 x 21.45mm 功率:250W |
| 未分类 | DSA60C45HB | IXYS | |
| 整流二极管 | DSA30I150PA | IXYS | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:30A 正向电压Vf:930mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:900µA @ 150V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | DPG20C400PB | IXYS | 系列:HiPerFRED²™ 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.32V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:1µA @ 400V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | DPG15I300PA | IXYS | 系列:HiPerFRED™ FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.26V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:1µA @ 300V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | DLA60I1200HA | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:60A 正向电压Vf:1.19V @ 60A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:30µA @ 1200V 结电容Cj:33pF @ 400V,1MHz 封装/外壳:TO-247AD 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 未分类 | DLA10IM800UC | IXYS | |
| 未分类 | CLA15E1200NPZ | IXYS | |
| 未分类 | Z8FS040BHH20EG | IXYS | |
| 通用三极管 | CS30-12IO1 | IXYS | 电压-断态:1200V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:55mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.63V 电流-通态（It（AV））（最大值）:30A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:49A 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 电流-断态（最大值）:50µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,430A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 整流二极管 | DH2X61-18A | IXYS | 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:1800V 正向电流If:60A 正向电压Vf:2.01V @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:230ns 反向漏电流Ir:200µA @ 1800V 封装/外壳:SOT-227B |
| 未分类 | CSM400A | IXYS | |
| 通用三极管 | CS60-16IO1 | IXYS | 电压-断态:1600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:100mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.4V 电流-通态（It（AV））（最大值）:48A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:75A 电流-保持（Ih）（最大值）:200mA 电流-断态（最大值）:10mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:1500A,1600A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 140°C 封装/外壳:PLUS247™-3 |
| 通用三极管 | CS20-16IO1 | IXYS | 电压-断态:1600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:65mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.1V 电流-通态（It（AV））（最大值）:19A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:30A 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 电流-断态（最大值）:2mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:200A,215A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 整流二极管 | DH60-14A | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:1400V 正向电流If:60A 正向电压Vf:2.04V @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:230ns 反向漏电流Ir:200µA @ 1200V 结电容Cj:32pF @ 1200V,1MHz 封装/外壳:TO-247AD 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | DMA90U1800LB-TRR | IXYS | 系列:ISOPLUS™ FET类型:单相 正向电压Vf:1.26V @ 30A 反向漏电流Ir:40µA @ 1800V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS-SMPD™.B 反向电压Vr:1800V 正向电流If:90A |
| 通用三极管 | CS45-16IO1R | IXYS | 电压-断态:1600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.64V 电流-通态（It（AV））（最大值）:48A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:75A 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 电流-断态（最大值）:5mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:520A,560A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 140°C 封装/外壳:ISOPLUS247™ |
| 整流二极管 | DSEC60-12A | IXYS | 系列:HiPerFRED™ 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:30A 正向电压Vf:2.74V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:40ns 反向漏电流Ir:250µA @ 1200V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 整流二极管 | DSS16-0045AS-TUB | IXYS | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:16A 正向电压Vf:670mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 45V 封装/外壳:TO-263AB 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | DPG15I300PA | IXYS | 系列:HiPerFRED™ FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.26V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:1µA @ 300V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | DSA35-16A | IXYS | FET类型:雪崩 反向电压Vr:1600V 正向电流If:49A 正向电压Vf:1.55V @ 150A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4mA @ 1600V 封装/外壳:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB 工作温度-结:-40°C ~ 180°C |
| 整流二极管 | DPG60C400HB | IXYS | 系列:HiPerFRED™ 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.41V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:1µA @ 400V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 整流二极管 | DPG30C400HB | IXYS | 系列:HiPerFRED™ 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.38V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:1µA @ 400V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 整流二极管 | DSA9-18F | IXYS | FET类型:雪崩 反向电压Vr:1800V 正向电流If:11A 正向电压Vf:1.4V @ 36A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3mA @ 1800V 封装/外壳:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA 工作温度-结:-40°C ~ 180°C |
| 整流二极管 | DSEI60-06A | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:60A 正向电压Vf:1.8V @ 70A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:200µA @ 600V 封装/外壳:TO-247AD 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | DSB60C45HB | IXYS | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:30A 正向电压Vf:620mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10mA @ 45V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-247AD(HB) |
| 整流二极管 | DSAI35-16A | IXYS | FET类型:雪崩 反向电压Vr:1600V 正向电流If:49A 正向电压Vf:1.55V @ 150A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4mA @ 1600V 封装/外壳:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB 工作温度-结:-40°C ~ 180°C |
| 整流二极管 | DSEC30-06B | IXYS | 系列:HiPerFRED™ 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:15A 正向电压Vf:2.58V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:100µA @ 600V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 整流二极管 | DSEI30-12A | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:26A 正向电压Vf:2.55V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:750µA @ 1200V 封装/外壳:TO-247AD 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | DSEI60-02A | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:69A 正向电压Vf:1.08V @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:50µA @ 200V 封装/外壳:TO-247AD 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | DPG60C300HB | IXYS | 系列:HiPerFRED²™ 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.34V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:1µA @ 300V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247AD(HB) |
| 整流二极管 | DSEP2X61-03A | IXYS | 系列:HiPerFRED™ 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:60A 正向电压Vf:1.68V @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:650µA @ 300V 封装/外壳:SOT-227B |
| 整流二极管 | DSEI30-06A | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:37A 正向电压Vf:1.6V @ 37A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:100µA @ 600V 封装/外壳:TO-247AD 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | DSI2X55-12A | IXYS | 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:56A 正向电压Vf:1.2V @ 60A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:300µA @ 1200V 封装/外壳:SOT-227B |
| 整流二极管 | DSAI35-12A | IXYS | FET类型:雪崩 反向电压Vr:1200V 正向电流If:49A 正向电压Vf:1.55V @ 150A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4mA @ 1200V 封装/外壳:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB 工作温度-结:-40°C ~ 180°C |
| 整流二极管 | DSEP12-12A | IXYS | 系列:HiPerFRED™ FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:15A 正向电压Vf:2.75V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:40ns 反向漏电流Ir:100µA @ 1200V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | DSI45-16A | IXYS | 正向电流If:45A 正向电压Vf:1.28V @ 45A 反向漏电流Ir:20µA @ 1600V 封装/外壳:TO-247AD FET类型:标准 反向电压Vr:1600V 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | DSI45-08A | IXYS | FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:45A 正向电压Vf:1.28V @ 45A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20µA @ 800V 封装/外壳:TO-247AD 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 通用MOSFET | IXFH20N80P | IXYS | 系列:HiPerFET™,PolarHT™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:86nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4685pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):500W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:520m Ohms@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 整流二极管 | DSSK60-015A | IXYS | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:30A 正向电压Vf:810mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:2mA @ 150V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 整流二极管 | DSP45-16A | IXYS | 配置:1 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:1600V 正向电流If:45A 正向电压Vf:1.28V @ 45A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20µA @ 1600V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 整流二极管 | DSI2X55-16A | IXYS | 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:1600V 正向电流If:56A 正向电压Vf:1.2V @ 60A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:300µA @ 1600V 封装/外壳:SOT-227B |
| 整流二极管 | FBS16-06SC | IXYS | FET类型:单相 正向电流If:11A 正向电压Vf:1.8V @ 6A 反向漏电流Ir:200µA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS i4-PAC™ 反向电压Vr:600V 正向电流If:5A |
| 整流二极管 | DSSK20-0045B | IXYS | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:510mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5mA @ 45V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用MOSFET | IXFH24N80P | IXYS | 系列:HiPerFET™,PolarHT™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:24A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:105nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):650W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:400m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 整流二极管 | DSSK80-006B | IXYS | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:40A 正向电压Vf:550mV @ 40A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20mA @ 60V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 通用MOSFET | IXFH60N50P3 | IXYS | 系列:HiPerFET™,Polar3™ 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:96nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6250pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):1040W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247AD FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:60A |
| 通用MOSFET | FID60-06D | IXYS | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:65A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 15V,30A Pd-功率耗散(Max):200W 开关能量:1mJ(开),1.4mJ(关) 输入类型:标准 测试条件:300V,30A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS i4-PAC™ |
| 稳压(齐纳)二极管 | IXBOD1-10 | IXYS | 封装/外壳:FP 壳 |
| 整流二极管 | DSSK60-015AR | IXYS | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:30A 正向电压Vf:810mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:2mA @ 150V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:ISOPLUS247™ |
| 整流二极管 | DSSK60-02A | IXYS | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:30A 正向电压Vf:850mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:2mA @ 200V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 通用MOSFET | IXBH40N160 | IXYS | 系列:BIMOSFET™ 电压-集射极击穿（最大值）:1600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:33A 脉冲电流-集电极(Icm):40A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:7.1V @ 15V,20A Pd-功率耗散(Max):350W 输入类型:标准 测试条件:960V,20A,22 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD(IXBH) |
| 通用MOSFET | IXFB44N100Q3 | IXYS | 系列:HiPerFET™ 连续漏极电流Id:44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:6.5V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:264nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):1560W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:220m Ohms@22A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 封装/外壳:PLUS FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:44A |
| 通用MOSFET | IXDH30N120D1 | IXYS | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):76A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.9V @ 15V,30A Pd-功率耗散(Max):300W 开关能量:4.6mJ(开),3.4mJ(关) 输入类型:标准 测试条件:600V,30A,47 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:40ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD(IXDH) |
| 通用MOSFET | IXFH26N50P3 | IXYS | 系列:HiPerFET™,Polar3™ 连续漏极电流Id:26A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:42nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2220pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):500W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:230m Ohms@132A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247AD FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:26A |
| 通用MOSFET | IXDH30N120 | IXYS | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):76A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.9V @ 15V,30A Pd-功率耗散(Max):300W 开关能量:4.6mJ(开),3.4mJ(关) 输入类型:标准 测试条件:600V,30A,47 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD(IXDH) |
| 通用MOSFET | IXFH50N20 | IXYS | 系列:HiPerFET™ 连续漏极电流Id:50A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:220nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45mΩ@25A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247AD FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:50A |
| 通用MOSFET | IXFH52N30Q | IXYS | 系列:HiPerFET™ 连续漏极电流Id:52A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:150nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):360W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:60m Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247AD FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:52A |
| 通用MOSFET | IXFK48N50 | IXYS | 系列:HiPerFET™ 连续漏极电流Id:48A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:270nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@24A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 封装/外壳:TO-264AA FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:48A |
| 通用MOSFET | IXFK32N100P | IXYS | 系列:HiPerFET™,PolarP2™ 连续漏极电流Id:32A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:6.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:225nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:14200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):960W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:320m Ohms@16A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 封装/外壳:TO-264 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:32A |
| 通用MOSFET | IXFH74N20P | IXYS | 系列:PolarHT™ HiPerFET™ 连续漏极电流Id:74A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:107nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):480W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:34m Ohms@37A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:74A |
| 通用MOSFET | IXFK160N30T | IXYS | 系列:GigaMOS™ 连续漏极电流Id:160A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:335nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:28000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1390W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:19m Ohms@60A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 封装/外壳:TO-264 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:160A |
| 通用MOSFET | IXFL60N80P | IXYS | 系列:HiPerFET™,PolarHT™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:18000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:150m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS264™ |
| 通用MOSFET | IXFR36N50P | IXYS | 系列:HiPerFET™,PolarHT™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:19A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:93nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):156W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190m Ohms@18A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS247™ |
| 通用MOSFET | IXFN180N20 | IXYS | 系列:HiPerFET™ 连续漏极电流Id:180A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:660nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:22000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):700W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10m Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 封装/外壳:SOT-227B FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:180A |
| 通用MOSFET | IXFN80N50P | IXYS | 系列:PolarHV™ 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:195nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:12700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:65m Ohms@500mA,10V 连续漏极电流Id:66A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V Pd-功率耗散(Max):700W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 封装/外壳:SOT-227B FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:66A |
| 通用MOSFET | IXFR80N50P | IXYS | 系列:HiPerFET™,PolarHT™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:197nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:12700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):360W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:72m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS247™ |
| 通用MOSFET | IXFN36N100 | IXYS | 系列:HiPerFET™ 连续漏极电流Id:36A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:380nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):700W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:240m Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 封装/外壳:SOT-227B FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:36A |
| 通用MOSFET | IXFR180N15P | IXYS | 系列:HiPerFET™,PolarHT™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:240nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13m Ohms@90A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS247™ |
| 通用MOSFET | IXFX44N60 | IXYS | 系列:HiPerFET™ 连续漏极电流Id:44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:330nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8900pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):560W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ohms@22A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:PLUS FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:44A |
| 通用MOSFET | IXGH50N90B2D1 | IXYS | 系列:HiPerFAST™ IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:900V 电流-集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流-集电极(Icm):200A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,50A Pd-功率耗散(Max):400W 开关能量:4.7mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:20ns/350ns 测试条件:720V,50A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:200ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AD(IXGH) |
| 通用MOSFET | IXFX80N50Q3 | IXYS | 系列:HiPerFET™ 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:6.5V @ 8mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:200nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:10000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):1250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:65m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:PLUS FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:80A |
| 通用MOSFET | IXGT60N60C3D1 | IXYS | 系列:GenX3™ IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流-集电极(Icm):300A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,40A Pd-功率耗散(Max):380W 开关能量:800µJ(开),450µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:21ns/70ns 测试条件:480V,40A,3 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:25ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-268 |
| 通用三极管 | IXGN120N60A3D1 | IXYS | 系列:GenX3™ IGBT类型:PT 配置:单一 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:200A 功率:595W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.35V @ 15V,100A 电流-集电极截止（最大值）:650µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:14.8nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227B |
| 通用MOSFET | IXKH70N60C5 | IXYS | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:70A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:190nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@44A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 通用MOSFET | IXGX120N60A3 | IXYS | 系列:GenX3™ IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:200A 脉冲电流-集电极(Icm):600A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.35V @ 15V,100A Pd-功率耗散(Max):780W 开关能量:2.7mJ(开),6.6mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:39ns/295ns 测试条件:480V,100A,1.5 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PLUS247™-3 |
| 未分类 | DMA50P1200HR | IXYS | |
| 通用MOSFET | IXKN45N80C | IXYS | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:360nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):380W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:74m Ohms@44A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC |
| 通用MOSFET | IXTA2R4N120P | IXYS | 系列:Polar™ 连续漏极电流Id:2.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1207pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:2.4A |
| 通用MOSFET | IXTA26P20P | IXYS | 系列:PolarP™ 连续漏极电流Id:26A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:56nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2740pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:170m Ohms@13A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:26A |
| 未分类 | IXTA36P15P-TRL | IXYS | |
| 通用MOSFET | IXTA05N100 | IXYS | 连续漏极电流Id:750mA(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:260pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):40W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:17 Ohms@375mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:TO-263AA FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:0.75A |
| 通用MOSFET | IXTA5N60P | IXYS | 系列:PolarHV™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:750pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):100W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.7 Ohms@2.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
| 通用MOSFET | IXTA75N10P | IXYS | 系列:PolarHT™ 连续漏极电流Id:75A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:74nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2250pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):360W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:25m Ohms@500mA,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:75A |
| 通用MOSFET | IXTH2N170D2 | IXYS | 连续漏极电流Id:2A(Tj) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:0V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:110nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3650pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V FET类型:耗尽模式 Pd-功率耗散(Max):568W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5 Ohms@1A,0V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247AD FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1700V 连续漏极电流Id:2A |
| 通用MOSFET | IXTA96P085T | IXYS | 系列:TrenchP™ 连续漏极电流Id:96A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V Pd-功率耗散(Max):298W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13m Ohms@48A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB 封装/外壳:TO-263AA FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:85V 连续漏极电流Id:96A |
| 通用MOSFET | IXTA96P085TTRL | IXYS | 系列:TrenchP™ FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:85V 连续漏极电流Id:96A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V Pd-功率耗散(Max):298W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13m Ohms@48A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
| 通用MOSFET | IXTA96P085TTRL | IXYS | 系列:TrenchP™ FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:85V 连续漏极电流Id:96A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±15V Pd-功率耗散(Max):298W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13m Ohms@48A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
| 通用MOSFET | IXTH16N20D2 | IXYS | 连续漏极电流Id:16A(Tc) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:208nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V FET类型:耗尽模式 Pd-功率耗散(Max):695W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:73m Ohms@8A,0V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:16A |