IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 整流二极管 | DPG80C300HB | IXYS | 系列:HiPerFRED²™ 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:40A 正向电压Vf:1.36V @ 40A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:1µA @ 300V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 未分类 | IXYH25N250CHV | IXYS | 最大连续集电极电流:95 A 最大集电极-发射极电压:2500 V 晶体管数:1 Ohms 功率:937 W 封装/外壳:TO247HV 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:16.2mm 宽度:5.1mm 高度:23mm 封装/外壳:16.2 x 5.1 x 23mm 最高工作温度:+175 °C 最低工作温度:-55 °C |
| 整流二极管 | GUO40-16NO1 | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:40A 正向电压Vf:1.28V @ 30A 反向漏电流Ir:40µA @ 1600V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:5-SIP 反向电压Vr:1600V 正向电流If:6A |
| 通用MOSFET | IXXH30N65B4 | IXYS | 系列:GenX4™,XPT™ IGBT类型:PT 电压-集射极击穿（最大值）:650V 电流-集电极（Ic）（最大值）:65A 脉冲电流-集电极(Icm):146A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 15V,30A Pd-功率耗散(Max):230W 开关能量:1.55mJ(开),480µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:32ns/170ns 测试条件:400V,30A,15 欧姆,15V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247(IXXH) |
| 整流二极管 | FUO50-16N | IXYS | FET类型:三相 正向电压Vf:1.15V @ 15A 反向漏电流Ir:20µA @ 1600V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS i4-PAC™ 反向电压Vr:1600V 正向电流If:50A |
| 整流二极管 | FUO22-16N | IXYS | FET类型:三相 正向电流If:28A 正向电压Vf:1.62V @ 30A 反向漏电流Ir:10µA @ 1600V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS i4-PAC™ 反向电压Vr:1600V 正向电流If:30A |
| 整流二极管 | FBS16-06SC | IXYS | FET类型:单相 正向电流If:11A 正向电压Vf:1.8V @ 6A 反向漏电流Ir:200µA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS i4-PAC™ 反向电压Vr:600V 正向电流If:5A |
| 整流二极管 | FBS10-06SC | IXYS | FET类型:单相 正向电流If:6.6A 反向漏电流Ir:200µA @ 600V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS i4-PAC™ 反向电压Vr:600V 正向电流If:3A |
| 整流二极管 | FBO40-12N | IXYS | FET类型:单相 正向电流If:40A 正向电压Vf:1.17V @ 20A 反向漏电流Ir:40µA @ 1200V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS i4-PAC™ 反向电压Vr:1200V 正向电流If:20A |
| 未分类 | IXFB300N10P | IXYS | |
| 通用三极管 | FII30-06D | IXYS | IGBT类型:NPT 配置:半桥 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:30A 功率:100W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,20A 电流-集电极截止（最大值）:600µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:1.1nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS i4-PAC™ |
| 未分类 | IXTH6N50D2 | IXYS | |
| 通用MOSFET | IXTH16N20D2 | IXYS | 连续漏极电流Id:16A(Tc) 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:208nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V FET类型:耗尽模式 Pd-功率耗散(Max):695W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:73m Ohms@8A,0V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:16A |
| 未分类 | DSA60C150PB | IXYS |