IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | IXTM20N60 | IXYS | |
| 未分类 | CPC1219Y | IXYS | |
| 通用继电器 | CPC1390GRTR | IXYS | 系列:CPC,OptoMOS® 电路:SPST-NO(1 A 形) 输出类型:AC,DC 导通电阻（最大值）:22 欧姆 负载电流:140mA 电压-输入:1.2VDC 电压-负载:0 ~ 400 V 端子类型:鸥翼型 封装/外壳:4-SMD(0.300",7.62mm) 继电器类型:继电器 |
| 通用继电器 | CPC1963GSTR | IXYS | 系列:CPC 电路:SPST-NO(1 A 形) 输出类型:AC,过零 负载电流:500mA 电压-输入:1.2VDC 电压-负载:0 ~ 600 V 端子类型:鸥翼型 封装/外壳:6-SMD 继电器类型:继电器 |
| 未分类 | LDA202 | IXYS | |
| 未分类 | CPC1560GS | IXYS | |
| 通用继电器 | LAA110PLTR | IXYS | 系列:LAA,OptoMOS® 电路:DPST(2 A 形) 输出类型:AC,DC 导通电阻（最大值）:35 欧姆 负载电流:120mA 电压-输入:1.2VDC 电压-负载:0 ~ 350 V 端子类型:鸥翼型 封装/外壳:8-扁平封装 继电器类型:继电器 |
| TS120S | IXYS | 负载电压额定值:350 A 负载电流额定值:120 mA 封装/外壳:SIP-8 封装/外壳:Tube 系列:TS | |
| PAA193S | IXYS | ||
| MIAA20WB600TMH | IXYS | ||
| 通用三极管 | MIXA40WB1200TED | IXYS | IGBT类型:PT 配置:三相反相器,带制动器 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 功率:195W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,35A 电流-集电极截止（最大值）:2.1mA 输入:三相桥式整流器 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:E2 |
| 未分类 | DSEP2x31-03A | IXYS | 二极管配置:隔离式 最大连续正向电流:2 x 30A 每片芯片元件数目:2 峰值反向重复电压:300V 封装/外壳:SOT-227B 引脚数目:4 最大正向电压降:1.4V 长度:38.23mm 宽度:25.25mm 高度:12.22mm 功率:100W 封装/外壳:38.23 x 25.25 x 12.22mm 峰值反向电流:10 (25 °C) A, 12.5 (100 °C) A 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 峰值非重复正向浪涌电流:300A |
| 整流二极管 | DPG60IM300PC | IXYS | 系列:HiPerFRED²™ FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:60A 正向电压Vf:1.43V@60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:1uA@300V 封装/外壳:TO-263(D²Pak) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 通用三极管 | MWI50-12T7T | IXYS | IGBT类型:沟道 配置:三相反相器 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80A 功率:270W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,50A 电流-集电极截止（最大值）:4mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:3.5nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:E2 |
| 整流二极管 | DPG60C300PC | IXYS | 系列:HiPerFRED™ 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.35V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:1uA@300V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-263(D²Pak) |
| 未分类 | IXFK24N100F | IXYS | |
| 未分类 | CPC1832N | IXYS | |
| 未分类 | Z8E00110PEG | IXYS | |
| 未分类 | MDMA110P1600TG | IXYS | 二极管配置:串行 最大连续正向电流:110A 每片芯片元件数目:2 峰值反向重复电压:1600V 封装/外壳:TO-240 二极管技术:硅结型 引脚数目:7 最大正向电压降:1.42V 长度:92mm 宽度:20.8mm 高度:30mm 封装/外壳:92 x 20.8 x 30mm 峰值反向电流:3mA 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C 峰值非重复正向浪涌电流:2.16kA |
| 通用三极管 | IXA40PG1200DHGLB-TRR | IXYS | IGBT类型:PT 配置:半桥 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:63A 功率:230W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,35A 电流-集电极截止（最大值）:150µA 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ISOPLUS-SMPD™.B |
| 未分类 | IXA40RG1200DHGLB-TRR | IXYS | |
| 未分类 | IX4340UE | IXYS | |
| 未分类 | IXFB132N50P3 | IXYS | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:132 A 漏源极电压Vds:500 V Rds On(Max)@Id,Vgs:39 m0hms 栅极电压Vgs:5V 栅极电压Vgs:±30V 封装/外壳:PLUS264 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:1.89 kW 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 每片芯片元件数目:1 Ohms 长度:20.29mm 高度:26.59mm 系列:HiperFET, Polar3 宽度:5.31mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:18600 pF@ 25 V 典型关断延迟时间:72 ns 典型接通延迟时间:44 ns 封装/外壳:20.29 x 5.31 x 26.59mm |
| 未分类 | CPC1217Y | IXYS | 封装/外壳:Tube |
| 未分类 | CPC1390GR | IXYS | |
| 未分类 | LDA111 | IXYS | |
| 未分类 | DSEP29-03A | IXYS | |
| 未分类 | CPC1560G | IXYS | |
| 未分类 | CPC1963GS | IXYS | |
| 未分类 | LAA110PL | IXYS | |
| 未分类 | VUB72-16NOXT | IXYS | |
| 未分类 | LDA213 | IXYS | |
| 通用继电器 | PAA191STR | IXYS | 系列:PAA,OptoMOS® 电路:DPST(2 A 形) 输出类型:AC,DC 导通电阻（最大值）:8 欧姆 负载电流:250mA 电压-输入:1.2VDC 电压-负载:0 ~ 400 V 端子类型:鸥翼型 封装/外壳:8-SMD 继电器类型:继电器 |