IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用三极管 | FZT605TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:10µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A,5V Power-Max:2W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:120V |
| 通用三极管 | FMMT491TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA,5V Power-Max:500mW 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | LBC846BWT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V 电流放大倍数最小值hFE_Min:200 电流放大倍数最大值hFE_Max:450 封装/外壳:SC-70 Ic(mA):100 VCEO(V):65 hFEMin/Max:200/450 Ft(MHz):100 FET类型:NPN |
| 通用三极管 | LBC847BWT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 电流放大倍数最小值hFE_Min:200 电流放大倍数最大值hFE_Max:450 封装/外壳:SC-70 Ic(mA):100 VCEO(V):45 hFEMin/Max:200/450 Ft(MHz):100 FET类型:NPN |
| 通用三极管 | LBC857BTT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 电流放大倍数最小值hFE_Min:220 电流放大倍数最大值hFE_Max:475 封装/外壳:SC-89 Ic(mA):100 VCEO(V):45 hFEMin/Max:220/475 Ft(MHz):100 FET类型:P-Channel |
| 通用三极管 | LBC848CWT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电流放大倍数最小值hFE_Min:420 电流放大倍数最大值hFE_Max:800 封装/外壳:SC-70 Ic(mA):100 VCEO(V):30 hFEMin/Max:420/800 Ft(MHz):100 FET类型:NPN |
| 通用三极管 | 2SAR293P5T100 | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:350mV @ 25mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA,2V 功率:1/2W 频率-跃迁:320MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 通用三极管 | 2SD1766T100R | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:800mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA,3V 功率:2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:32V |
| 通用三极管 | MMBTA06-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA,1V Power-Max:300mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | BCX56TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,2V Power-Max:1W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | BCX53TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,2V 功率:1W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | LBC846ALT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V 电流放大倍数最小值hFE_Min:110 电流放大倍数最大值hFE_Max:220 封装/外壳:SOT-23 Ic(mA):100 VCEO(V):65 hFEMin/Max:110/220 Ft(MHz):100 FET类型:NPN |
| 通用三极管 | LMBT4413DW1T1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:600mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V 电流放大倍数最小值hFE_Min:100 电流放大倍数最大值hFE_Max:300 封装/外壳:SC-88 IC(mA):600 VCEO(V):40 hFE(Min/Max):100/300 IC/Vce(mA)/(Volts):150/1.0 FT(MHz):250 |
| 通用三极管 | BSS123Q-13 | Diodes(达尔（美台）) | 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.17A |
| 通用三极管 | ZXTP2012ZQTA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4.3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | ZXTN2010ZQTA | Diodes(达尔（美台）) | 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V FET类型:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:80V 集电极—基极电压 VCBO:190V 发射极 - 基极电压 VEBO:8.1V 集电极—射极饱和电压:230mV 最大直流电集电极电流:20A 特征频率fT:130MHz 直流电流增益 hFE 最大值:300 集电极连续电流:5A 功率:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| 通用三极管 | LBC807-40WT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 电流放大倍数最小值hFE_Min:250 电流放大倍数最大值hFE_Max:600 封装/外壳:SC-70 Ic(mA):500 VCEO(V):45 hFEMin/Max:250/600 Ft(MHz):100 FET类型:P-Channel |
| 通用三极管 | LBC858CLT1G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电流放大倍数最小值hFE_Min:420 电流放大倍数最大值hFE_Max:800 封装/外壳:SOT-23 Ic(mA):100 VCEO(V):30 hFEMin/Max:420/800 Ft(MHz):100 FET类型:P-Channel |
| 通用三极管 | S-LMUN5335DW1T1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SC88 功率:0.38W |
| 通用三极管 | S-LMUN5213DW1T1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SC88 功率:0.38W |
| 通用三极管 | S-LBC857AWT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SC-70 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 电流放大倍数最小值hFE_Min:120 电流放大倍数最大值hFE_Max:250 |
| 通用三极管 | FMMT497TA | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 25mA,250mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA,10V Power-Max:500mW 频率-跃迁:75MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:300V |
| 通用三极管 | FZT753QTA | Diodes(达尔（美台）) | 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 通用三极管 | 2SB1188T100R | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:800mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA,3V 功率:2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:32V |
| 通用三极管 | BC 847C E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:45V 集电极—基极电压 VCBO:50V 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:200mV 最大直流电集电极电流:200mA 特征频率fT:250MHz 系列:BC847C 直流电流增益 hFE 最大值:800 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 集电极连续电流:100mA 直流集电极/Base Gain hfe Min:420 功率:1/3W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 通用三极管 | BC 857B E6327 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:45V 集电极—基极电压 VCBO:50V 发射极 - 基极电压 VEBO:5V 集电极—射极饱和电压:250mV 最大直流电集电极电流:200mA 特征频率fT:250MHz 系列:BC857 直流电流增益 hFE 最大值:450 高度:1mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 集电极连续电流:100mA 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 功率:1/3W 工作温度:-65°C ~ 150°C |
| 通用三极管 | DPLS350E-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 2A,2V 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 功率:1W 发射极 - 基极电压 VEBO:-6V 特征频率fT:100MHz 宽度:3.7mm FET类型:P-Channel 最大直流电集电极电流:-5A 系列:DPLS350 配置:Single 长度:6.7mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:-50V 集电极—基极电压 VCBO:-60V 集电极—射极饱和电压:-300mV 高度:1.65mm |
| 通用三极管 | 2SA2094MGTLQ | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | 2SA2094TLQ | ROHM(罗姆) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA,2V Power-Max:500mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | 2SC2412KT146R | ROHM(罗姆) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:150mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 1mA,6V 功率:1/5W 频率-跃迁:180MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DTC143EKAT146 | ROHM(罗姆) | 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:4.7k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:SMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DTB143EKT146 | ROHM(罗姆) | 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:4.7k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:47 @ 50mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:200MHz Power-Max:200mW 封装/外壳:SMT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DCX143EU-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 电阻器-基底（R1）（欧姆）:4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA,5V / 40 @ 10mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | UMD9NTR | ROHM(罗姆) | 电阻器-基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:68 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:3/20W 封装/外壳:UMT FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | S-LDTD123YLT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 基底电阻R1:2.2K 发射极基底电阻R2:10K 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 电流放大倍数最小值hFE_Min:56 |
| 通用三极管 | MMBT5401-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):150V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,5V Power-Max:300mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 功率:3/10W 发射极 - 基极电压 VEBO:-5V 特征频率fT:300MHz 宽度:1.4mm FET类型:P-Channel 最大直流电集电极电流:0.2A 直流电流增益 hFE 最大值:240 直流集电极/Base Gain hfe Min:60 系列:MMBT5401 配置:Single 长度:3.05mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:-150V 集电极—基极电压 VCBO:-160V 集电极—射极饱和电压:-0.5V 集电极连续电流:-0.2A 高度:1mm |
| 通用三极管 | FZT560TA | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):150mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 10mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 50mA,10V Power-Max:2W 频率-跃迁:60MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:500V |
| 通用三极管 | MMDT3946-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:200mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,1V 频率-跃迁:300MHz,250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 集电极最大允许电流Ic:0.2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V 功率:1/5W 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 特征频率fT:300MHz 宽度:1.35mm FET类型:NPN,PNP 最大直流电集电极电流:0.2A 直流电流增益 hFE 最大值:300 系列:MMDT39 配置:Dual 长度:2.2mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:40V 集电极—基极电压 VCBO:40V 集电极—射极饱和电压:0.3V 集电极连续电流:0.2A 高度:1mm |
| 通用三极管 | DCX123JU-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 电阻器-基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | LMBT3904N3T5G | LRC(乐山无线电) | 集电极最大允许电流Ic:200mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V 电流放大倍数最小值hFE_Min:100 电流放大倍数最大值hFE_Max:300 封装/外壳:SOT883 IC(mA):200 VCEO(V):60 hFE(Min/Max):100/300 IC/Vce(mA)/(Volts):10/1.0 FT(MHz):300 td(ns):35 tr tr(ns):35 ts ts(ns):200 tf tn(ns):50 FET类型:NPN |
| 通用三极管 | 2SC4081FRAT106R | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | PBSS4220V,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT666 FET类型:NPN 功率:3/10W 特征频率fT:210MHz 尺寸:1.6 x 1.2 x 0.55 最大直流电集电极电流:4 直流电流增益hFE:480,220 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极-射极电阻:140mOhms 集电极-射极饱和电压:355mV 集电极连续电流:2A |
| 通用三极管 | BLW96/01,112 | AMPLEON | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:55V 频率-跃迁:235MHz 功率:340W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 7A,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:12A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:CRFM4 |
| 通用三极管 | MZ0912B50Y,114 | AMPLEON | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:20V 频率-跃迁:1.215GHz 增益:8dB 功率:150W 电流-集电极（Ic）（最大值）:3A 封装/外壳:CDFM2 |
| 通用三极管 | NE461M02-T1-AZ | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:15V 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:8.3dB 功率:2W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 50mA, 10V 电流-集电极（Ic）（最大值）:250mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 |
| 通用三极管 | NESG2101M05-A | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:5V 频率-跃迁:17GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:11dB ~ 19dB 功率:1/2W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:130 @ 15mA,2V 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:M05 |
| 通用三极管 | 2N2925 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:25V 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 频率-跃迁:160MHz 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | 2N4410 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:250mA 电压-集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:200mV @ 100µA,1mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,1V 功率:5/8W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | CEN-U45 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 2mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:25000 @ 200mA,5V 功率:2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-202 长接片 封装/外壳:TO-202 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | BFY90 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:1.4GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:5.5dB @ 800MHz 增益:23dB 功率:1/5W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 25mA,1V 电流-集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-72 |
| 通用三极管 | 2N6099 | Central(中央半导体) | 功率:75W 频率-跃迁:5MHz 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:10A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | CMPT5401 TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):150V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,5V Power-Max:350mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CMUT2222A TR | Central(中央半导体) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V Power-Max:250mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 |
| 通用三极管 | CMPTA92 TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):500mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):300V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 2mA,20mA 电流-集电极截止（最大值）:250nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 30mA,10V Power-Max:350mW 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | MPQ6502 | Central(中央半导体) | FET类型:2 NPN,2 PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压-集射极击穿（最大值）:30V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.4V @ 30mA,300mA 电流-集电极截止（最大值）:30nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 300mA,10V 功率:13/20W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-116 |
| 通用三极管 | BLW96/01,112 | AMPLEON | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:55V 频率-跃迁:235MHz 功率:340W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 7A,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:12A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:CRFM4 |
| 通用三极管 | F1892SDK1200 | CRYDOM | SCR数，二极管:2 SCRs 电压-断态:1200V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:90A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:1950A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | F1827HD1200 | CRYDOM | SCR数，二极管:1 SCR,1 个二极管 电压-断态:1200V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | F1842SDK600 | CRYDOM | SCR数，二极管:2 SCRs 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:1000A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | BLS2731-110,114 | AMPLEON | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:75V 频率-跃迁:3.1GHz 增益:7dB 功率:500W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 3A,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:12A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:CDFM2 |
| 通用三极管 | 2DD1664Q-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA,3V 功率:1W 频率-跃迁:280MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:32V |
| 通用三极管 | 2DD2656-7 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:350mV @ 25mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA,2V Power-Max:300mW 频率-跃迁:270MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70,SOT-323 封装/外壳:SOT-323 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 通用三极管 | 2DB1188R-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:800mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA,3V 功率:1W 频率-跃迁:120MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:32V |
| 通用三极管 | 2DB1184Q-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA,3V Power-Max:15W 频率-跃迁:110MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | 2DA1774R-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):150mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 1mA,6V Power-Max:150mW 频率-跃迁:140MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | 2DA1213O-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA,2V 功率:1W 频率-跃迁:160MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DTC123JCAHZGT116 | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | BC857BLP-7 | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V Power-Max:250mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:3-DFN1006 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BCP5616TC | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V 功率:2W 频率-跃迁:125MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | BC848BW-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:20nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:1/5W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70,SOT-323 封装/外壳:SOT-323 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 通用三极管 | BC807-25W-7 | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA,1V 功率:1/5W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70,SOT-323 封装/外壳:SOT-323 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC807-25-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 100mA,1V Power-Max:310mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BCP5116TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):1A Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):45V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V Power-Max:2W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | BC847CW-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:20nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V Power-Max:200mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70,SOT-323 封装/外壳:SOT-323 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC857BW-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V Power-Max:200mW 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70,SOT-323 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC817-16-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 系列:BC 高度:1 mm 长度:3.05 mm 宽度:1.4 mm 配置:Single 功率:0.31W 直流集电极/BaseGainhfeMin:60 at 300 mA, 1 V 特征频率fT:100 MHz 发射极-基极电压VEBO:5 V 集电极—发射极最大电压VCEO:45 V 最大直流电集电极电流:1:00 AM FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):800mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):45V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA,1V Power-Max:310mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 通用三极管 | BC846BLP4-7B | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:0.41W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DFN FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V |
| 通用三极管 | BC847BS-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:20nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:1/5W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC847PN-7-F | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:NPN,PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压-集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V / 220 @ 2mA,5V 功率:1/5W 频率-跃迁:300MHz,200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 |
| 通用三极管 | BC857AT-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA,5V 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 功率:3/20W 发射极 - 基极电压 VEBO:5V 特征频率fT:100MHz 宽度:0.80mm 封装/外壳:SOT-523-3 FET类型:P-Channel 最大直流电集电极电流:0.1A 直流集电极/Base Gain hfe Min:125 系列:BC857A 配置:Single 长度:1.60mm 集电极—发射极最大电压 VCEO:45V 集电极—基极电压 VCBO:50V 高度:0.75mm |
| 通用三极管 | BC857BT-7-F | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V Power-Max:150mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BCX5516TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V 功率:1W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | BCX5410TA | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:1A 电压-集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA,2V 功率:1W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 |
| 通用三极管 | BCW66HTA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:20nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100mA,1V 功率:1/3W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BCW68HTA | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):800mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:20nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100mA,1V Power-Max:330mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BCX56TA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,2V Power-Max:1W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | BCX5616TC | Diodes(达尔（美台）) | 封装/外壳:SOT-89 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | DCX144EH-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:68 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:3/20W 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 封装/外壳:SOT-563 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DDTA144WCA-7-F | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:PNP - 预偏压 电阻器-基底（R1）（欧姆）:47K Ohms 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:56 @ 10mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz Power-Max:200mW 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DCX114YU-7-F | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:68 @ 10mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DDTA143EUA-7-F | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:PNP - 预偏压 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:4.7k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:SC-70,SOT-323 封装/外壳:SOT-323 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DCX143EU-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 电阻器-基底（R1）（欧姆）:4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA,5V / 40 @ 10mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DDTC114ECA-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz Power-Max:200mW 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DDA114EU-7-F | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 频率-跃迁:250MHz 功率:1/5W 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DMG3415UQ-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:DMG 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4A |
| 通用三极管 | DSS4160V-7 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA,5V 功率:3/5W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 封装/外壳:SOT-563 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | DXT2014P5-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:360mV @ 300mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:20nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A,5V 功率:3.2W 频率-跃迁:120MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:140V |
| 通用三极管 | DSL12AW-7 | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:290mV @ 20mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 800mA,1.5 V 功率:0.45W 频率-跃迁:180MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:12V |
| 通用三极管 | DNBT8105-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:DNBT 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA,5V 功率:3/5W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | FCX591TA | Diodes(达尔（美台）) | 系列:FCX 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA,5V 功率:1W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |