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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用三极管 | PDTA115ET,215 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-20mA 集电极-射极饱和电压:-150mV 直流电流增益hFE:80 VEBO:-10V VCBO:-50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | SD1013 | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:35V 频率-跃迁:150MHz 增益:10dB 功率:13W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 200mA,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:1A 工作温度:200°C(TJ) 封装/外壳:M113 | |
| 通用三极管 | PBSS4240XX | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:500mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:2A 集电极-射极饱和电压:140mV 直流电流增益hFE:300 特征频率fT:150MHz VEBO:5V VCBO:40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:4.5*2.5*1.5 | |
| 通用三极管 | SPZT651T1G | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:800mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:2A 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:75 特征频率fT:75MHz VEBO:5V VCBO:80V 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 通用三极管 | SMUN5311DW1T3G | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:0.187W 封装/外壳:SOT-363 封装/外壳:SC-88 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 通用三极管 | SMUN5115T1G | ||
| 通用三极管 | SMMBT2222ALT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 Current-Collector(Ic)(Max):600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V Power-Max:225mW 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V | |
| 通用三极管 | NSVMUN5111DW1T3G | FET类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:1/4W 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 通用三极管 | NSVMUN5215DW1T1G | FET类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压-集射极击穿（最大值）:50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:1/4W 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| 通用三极管 | NSVMUN5211DW1T3G | FET类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:35 @ 5mA,10V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA 功率:1/4W 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 通用三极管 | NSVJ3557SA3T1G | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:15V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:10mA @ 5V 漏极电流（Id）-最大值:50mA 不同Id时的电压-截止（VGS关）:300mV @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:10pF @ 5V 功率:1/5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-59-3/CP3 | |
| 通用三极管 | NSVBC848BWT1G | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:1/5W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-3(SOT323) 封装/外壳:SC-70 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V | |
| 通用三极管 | NSV40501UW3T2G | 封装/外壳:3-WDFN 功率耗散Pd:875mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:5A 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:150MHz VEBO:6V VCBO:40V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | NSV1C300ET4G-VF01 | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:3A 电压-集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 300mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A,2V 功率:2.1W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK | |
| 通用三极管 | NSV1C201LT1G | Current-Collector(Ic)(Max):2A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:150mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA,2V Power-Max:490mW 频率-跃迁:110MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V | |
| 通用三极管 | NSV1C200LT1G | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA,2V 功率:490mW 频率-跃迁:120MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V | |
| 通用三极管 | NJVMJD32CT4G-VF01 | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):3A Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):100V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:20µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 3A,4V Power-Max:1.56W 频率-跃迁:3MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK | |
| 通用三极管 | NJVMJD31CRLG | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:50µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 3A,4V 功率:1.56W 频率-跃迁:3MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 封装/外壳:DPAK FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V | |
| 通用三极管 | NJD35N04T4G | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 20mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:50µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A,2V 功率:45W 频率-跃迁:90MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK-3 封装/外壳:DPAK FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:350V | |
| 通用三极管 | BC847RAPNZ | 封装/外壳:DFN1412-6 功率耗散Pd:325mW FET类型:N+P-Channel 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:100MHz VEBO:6V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:1.4*1.2*0.47 | |
| 通用三极管 | BCX71J | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:550mV @ 1.25mA,50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 2mA,5V 功率:7/20W 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 通用三极管 | BCX70G | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:550mV @ 1.25mA,50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA,5V 功率:7/20W 频率 - 跃迁:125MHz 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 通用三极管 | 2SA2127-AE | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 50mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA,2V 功率:1W 频率-跃迁:420MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-MP 封装/外壳:Case FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 通用三极管 | PUMD17,115 | 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:300mW FET类型:N+P-Channel 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:60 VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.1*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PUMH15,115 | 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:300mW FET类型:NPN/NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:30 特征频率fT:230MHz VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.1*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PUMD3,165 | 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:300mW FET类型:N+P-Channel 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:30 特征频率fT:230MHz,180MHz VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.1*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | BCM856SH6778XTSA1 | 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:250mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-65V 集电极连续电流:-100mA 集电极-射极饱和电压:-650mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:250MHz VEBO:-5V VCBO:-80V 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 通用三极管 | PMST5551,115 | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:160V 集电极连续电流:300mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:300MHz VEBO:6V VCBO:180V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PMBTA06,235 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:250mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:100MHz VEBO:4V VCBO:80V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PMBT4403Z | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-600mA 集电极-射极饱和电压:-750mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:200MHz VEBO:-5V VCBO:-40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PMBT6428,215 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:600mV 直流电流增益hFE:250 特征频率fT:700MHz VEBO:6V VCBO:60V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PMBT3906M,315 | 封装/外壳:SOT-883 功率耗散Pd:260mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-200mA 集电极-射极饱和电压:-400mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:-6V VCBO:-40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:1.0*0.6*0.48 | |
| 通用三极管 | PMBT4401,235 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:600mA 集电极-射极饱和电压:750mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:6V VCBO:60V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PMBT3946YPN,125 | 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:350mW FET类型:N+P-Channel 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:200mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:300MHz VEBO:6V VCBO:60V,-40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.1*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PMBT3946VPN,115 | 封装/外壳:SOT-666 功率耗散Pd:240mW FET类型:N+P-Channel 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:200mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:300MHz VEBO:6V VCBO:60V,-40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:1.6*1.2*0.55 | |
| 通用三极管 | PMBT3906,235 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-200mA 集电极-射极饱和电压:-400mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:-6V VCBO:-40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PMBT2907A,235 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-600mA 集电极-射极饱和电压:-1.6V 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:200MHz VEBO:-5V VCBO:-60V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PHPT61010PYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.5W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-100V 集电极连续电流:-10A 集电极-射极饱和电压:-800mV 直流电流增益hFE:180 特征频率fT:90MHz VEBO:-8V VCBO:-100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT61010NYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.5W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:10A 集电极-射极饱和电压:370mV 直流电流增益hFE:150 特征频率fT:145MHz VEBO:7V VCBO:100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT61006PYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.3W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-100V 集电极连续电流:-6A 集电极-射极饱和电压:-1.6V 直流电流增益hFE:170 特征频率fT:116MHz VEBO:-8V VCBO:-100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT61006NYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.3W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:6A 集电极-射极饱和电压:340mV 直流电流增益hFE:140 特征频率fT:170MHz VEBO:7V VCBO:100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT61003NYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.25W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:3A 集电极-射极饱和电压:330mV 直流电流增益hFE:150 特征频率fT:140MHz VEBO:7V VCBO:100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT610035PKX | 封装/外壳:SOT1205 功率耗散Pd:1.25W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-100V 集电极连续电流:-3A 集电极-射极饱和电压:-360mV 直流电流增益hFE:150 特征频率fT:125MHz VEBO:-8V VCBO:-100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT610035NKX | 封装/外壳:SOT1205 功率耗散Pd:1.25W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:3A 集电极-射极饱和电压:330mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:140MHz VEBO:7V VCBO:100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT610030PKX | 封装/外壳:SOT1205 功率耗散Pd:1W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-100V 集电极连续电流:-3A 集电极-射极饱和电压:-360mV 直流电流增益hFE:150 特征频率fT:125MHz VEBO:-8V VCBO:-100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT610030NPKX | 封装/外壳:SOT1205 功率耗散Pd:1W FET类型:N+P-Channel 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:3A 集电极-射极饱和电压:330mV,-360mV 直流电流增益hFE:150,150 特征频率fT:140MHz,125MHz VEBO:7V VCBO:100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT610030NKX | 封装/外壳:SOT1205 功率耗散Pd:1W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:3A 集电极-射极饱和电压:330mV 直流电流增益hFE:150 特征频率fT:140MHz VEBO:7V VCBO:100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT61002PYCX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.25W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-100V 集电极连续电流:-2A 集电极-射极饱和电压:-400mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:125MHz VEBO:-8V VCBO:-100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT61002NYCX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.25W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:2A 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:140MHz VEBO:7V VCBO:100V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT60606PYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.35W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-6A 集电极-射极饱和电压:-525mV 直流电流增益hFE:120 特征频率fT:110MHz VEBO:-8V VCBO:-60V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT60606NYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.35W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:6A 集电极-射极饱和电压:360mV 直流电流增益hFE:240 特征频率fT:180MHz VEBO:7V VCBO:60V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT60603PYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.25W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-3A 集电极-射极饱和电压:-360mV 直流电流增益hFE:150 特征频率fT:110MHz VEBO:-8V VCBO:-60V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT60410PYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.3W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-10A 集电极-射极饱和电压:-800mV 直流电流增益hFE:240 特征频率fT:97MHz VEBO:-8V VCBO:-40V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT60410NYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.3W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:10A 集电极-射极饱和电压:460mV 直流电流增益hFE:230 特征频率fT:128MHz VEBO:7V VCBO:40V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT60406PYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.35W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-6A 集电极-射极饱和电压:-540mV 直流电流增益hFE:210 特征频率fT:110MHz VEBO:-8V VCBO:-40V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PHPT60406NYX | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.35W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:6A 集电极-射极饱和电压:380mV 直流电流增益hFE:230 特征频率fT:153MHz VEBO:7V VCBO:40V 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 通用三极管 | PDTD143XUX | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:225MHz VEBO:7V VCBO:50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTD143XUF | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:225MHz VEBO:7V VCBO:50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTD143XTVL | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:320mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:225MHz VEBO:7V VCBO:50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PDTD143XTR | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:320mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:225MHz VEBO:7V VCBO:50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PDTD143EUX | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:60 特征频率fT:225MHz VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTD143ETR | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:320mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:60 特征频率fT:225MHz VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PDTD143EUF | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:60 特征频率fT:225MHz VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTD114ETVL | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:320mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:225MHz VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-65℃~175℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PDTD114EUF | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:425mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:225MHz VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTB143EUF | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-500mA 集电极-射极饱和电压:-100mV 直流电流增益hFE:60 特征频率fT:140MHz VEBO:-10V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTD113ZUX | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:70 VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTB143ETR | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:460mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-500mA 集电极-射极饱和电压:-100mV 直流电流增益hFE:60 特征频率fT:140MHz VEBO:-10V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PDTB143ETVL | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:460mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-500mA 集电极-射极饱和电压:-100mV 直流电流增益hFE:60 特征频率fT:140MHz VEBO:-10V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PDTD113EUF | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:33 VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTD113ET,215 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:33 VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PDTC144ETVL | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:230MHz VEBO:10V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PDTC143ZM,315 | 封装/外壳:SOT-883 功率耗散Pd:250mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:230MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:1.0*0.6*0.48 | |
| 通用三极管 | PDTB123YUX | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-500mA 集电极-射极饱和电压:-100mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:140MHz VEBO:-5V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTB123EUF | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-500mA 集电极-射极饱和电压:-100mV 直流电流增益hFE:40 特征频率fT:140MHz VEBO:-10V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTB114ETVL | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:460mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-500mA 集电极-射极饱和电压:-100mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:140MHz VEBO:-10V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PDTB113ZUX | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-500mA 集电极-射极饱和电压:-100mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:140MHz VEBO:-5V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTB113ZUF | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-500mA 集电极-射极饱和电压:-100mV 直流电流增益hFE:70 特征频率fT:140MHz VEBO:-5V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTB113EUF | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:320mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-500mA 集电极-射极饱和电压:-100mV 直流电流增益hFE:33 特征频率fT:140MHz VEBO:-10V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~175℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTA144EU,115 | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:200mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-100mA 集电极-射极饱和电压:-150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:180MHz VEBO:-10V VCBO:-50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | PDTA123YT,215 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-100mA 集电极-射极饱和电压:-150mV 直流电流增益hFE:35 VEBO:-5V VCBO:-50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PDTA123JTVL | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-100mA 集电极-射极饱和电压:-100mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:180MHz VEBO:-10V VCBO:-50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | PBSS5240ZX | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:650mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-2A 集电极-射极饱和电压:-650mV 直流电流增益hFE:300 特征频率fT:150MHz VEBO:-7V VCBO:-40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:6.5*3.5*1.65 | |
| 通用三极管 | PBSS5260QAZ | 封装/外壳:DFN1010D-3 功率耗散Pd:325mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-1.7A 集电极-射极饱和电压:-400mV 直流电流增益hFE:30 特征频率fT:150MHz VEBO:-7V VCBO:-60V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:1.1*1*0.37 | |
| 通用三极管 | PBHV9040X,115 | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:1.5W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-400V 集电极连续电流:-250mA 集电极-射极饱和电压:-200mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:55MHz VEBO:-6V VCBO:-500V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:4.5*2.5*1.5 | |
| 通用三极管 | PBHV8115X,115 | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:1.5W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:150V 集电极连续电流:1A 集电极-射极饱和电压:350mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:30MHz VEBO:6V VCBO:400V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:4.5*2.5*1.5 | |
| 通用三极管 | PBHV8540X,115 | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:520mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:400V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:250mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:30MHz VEBO:6V VCBO:500V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:4.5*2.5*1.5 | |
| 通用三极管 | PBSS5240ZF | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:650mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-2A 集电极-射极饱和电压:-650mV 直流电流增益hFE:300 特征频率fT:150MHz VEBO:-7V VCBO:-40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:6.5*3.5*1.65 | |
| 通用三极管 | PBSS5130QAZ | 封装/外壳:DFN1010D-3 功率耗散Pd:325mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-30V 集电极连续电流:-1A 集电极-射极饱和电压:-240mV 直流电流增益hFE:130 特征频率fT:170MHz VEBO:-7V VCBO:-30V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:1.1*1*0.37 | |
| 通用三极管 | PBSS4260QAZ | 封装/外壳:DFN1010D-3 功率耗散Pd:325mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:2A 集电极-射极饱和电压:190mV 直流电流增益hFE:40 特征频率fT:180MHz VEBO:7V VCBO:60V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:1.1*1*0.37 | |
| 通用三极管 | PBSS4240ZX | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:650mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:2A 集电极-射极饱和电压:550mV 直流电流增益hFE:300 特征频率fT:150MHz VEBO:7V VCBO:40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:6.5*3.5*1.65 | |
| 通用三极管 | PBSS4240ZF | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:650mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:2A 集电极-射极饱和电压:550mV 直流电流增益hFE:300 特征频率fT:150MHz VEBO:7V VCBO:40V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:6.5*3.5*1.65 | |
| 通用三极管 | BCX56-16,147 | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:1.35W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1A 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:180MHz VEBO:5V VCBO:100V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:4.5*2.5*1.5 | |
| 通用三极管 | BCX55-16,135 | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:1.35W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1A 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:180MHz VEBO:5V VCBO:60V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:4.5*2.5*1.5 | |
| 通用三极管 | BCW61D,215 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:250mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-32V 集电极连续电流:-100mA 集电极-射极饱和电压:-550mV 直流电流增益hFE:380 特征频率fT:100MHz VEBO:-5V VCBO:-32V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 | |
| 通用三极管 | BCP56-16,135 | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:1.35W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1A 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:180MHz VEBO:5V VCBO:100V 工作温度:-55℃~+150℃ | |
| 通用三极管 | BCP53-16,135 | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:1.35W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-80V 集电极连续电流:-1A 集电极-射极饱和电压:-500mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:145MHz VEBO:-5V VCBO:-100V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:6.5*3.5*1.65 | |
| 通用三极管 | BC857QASZ | 封装/外壳:DFN1010B-6 功率耗散Pd:230mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100mA 集电极-射极饱和电压:-300mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:100MHz VEBO:-5V VCBO:-50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:1.1*1.0*0.37 | |
| 通用三极管 | BC857BW,135 | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:200mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100mA 集电极-射极饱和电压:-600mV 直流电流增益hFE:220 特征频率fT:100MHz VEBO:-5V VCBO:-50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2*1.25*0.95 | |
| 通用三极管 | BC857BS,135 | 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:300mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100mA 集电极-射极饱和电压:-400mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:100MHz VEBO:-5V VCBO:-50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.1*1.25*0.95 |