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    通用三极管 BD676G ON(安森美) FET类型:PNP - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA,1.5A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A,3V 功率:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA 封装/外壳:TO-225 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V
    通用三极管 BD17610STU ON(安森美) FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA,2V 功率:30W 频率 - 跃迁:3MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-126
    通用三极管 BCX71K,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:380,630 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BCX71J,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:460,250 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BCX71H,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:310,180 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BCX70K Nexperia(安世)
    通用三极管 BCX70J Nexperia(安世)
    通用三极管 BCX70H,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:310,180 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BCX56-16,115 Nexperia(安世) FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:100,250 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX56-10,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:63,160 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX56,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:40,250 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX55-16,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:250,100 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX55-10,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:63,160 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX55,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:250,40 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX54-16,135 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:100,250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX54-16,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:100,250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX54-10,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:160,63 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX54,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:40,250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX53-16,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT-89-3
    通用三极管 BCX53-10,115 Nexperia(安世) FET类型:P-Channel 功率:1.35W 特征频率fT:145MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:160,63 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX53,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率:1.35W 特征频率fT:145MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:250,40 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX52-16,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率:1.35W 特征频率fT:145MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:100,250 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX52-10,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率:1.35W 特征频率fT:145MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:63,160 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX52,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率:1.35W 特征频率fT:145MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:250,40 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX51-16,135 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率:1.35W 特征频率fT:145MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:250,100 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX51-16,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率:1.35W 特征频率fT:145MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:250,100 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX51,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率:1.35W 特征频率fT:145MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:40,250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:1000A
    通用三极管 BCX19,235 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:100,600 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BCX19,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:100,600 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BCW89,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:260,120 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BCW72,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BCW71,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:110,220 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BCW70,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:215,500 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BCW69 Nexperia(安世)
    通用三极管 BCW61C Nexperia(安世)
    通用三极管 BCW60D,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:630,380 集电极-发射极最大电压VCEO:32V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BCW60C Nexperia(安世)
    通用三极管 BCW60B,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:180,310 集电极-发射极最大电压VCEO:32V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BCW33,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:420,800 集电极-发射极最大电压VCEO:32V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BCW32,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:32V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BCW31 Nexperia(安世)
    通用三极管 BCW30,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:500,215 集电极-发射极最大电压VCEO:-32V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BCW29 Nexperia(安世)
    通用三极管 BC856BS,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT363 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:200mW 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:-65V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BC856B,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:TO-236AB FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:220,475 集电极-发射极最大电压VCEO:-65V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BC856A,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:250,125 集电极-发射极最大电压VCEO:-65V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BC856,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:475,125 集电极-发射极最大电压VCEO:-65V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BC850CW,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SC-70 FET类型:NPN 功率:1/5W 噪声系数:4dB 特征频率fT:100MHz 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:800,420 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC850C,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 噪声系数:4dB 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:420,800 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC850B,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 噪声系数:4dB 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC849CW,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率:1/5W 噪声系数:4dB 特征频率fT:100MHz 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:800,420 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC849C,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 噪声系数:4dB 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:420,800 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC849B Nexperia(安世)
    通用三极管 BC848W Nexperia(安世)
    通用三极管 BC848B,235 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC848B,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847W Nexperia(安世)
    通用三极管 BC847CW,135 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:420,800 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847C,235 Nexperia(安世) FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:800,420 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847C,215 Nexperia(安世) FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:420,800 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847BW,135 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:450,200 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847BW,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847BVN,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT666 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:200mW 特征频率fT:100MHz 尺寸:1.6 x 1.2 x 0.55 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847BV,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT666 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 特征频率fT:100MHz 尺寸:1.6 x 1.2 x 0.55 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847BS,115 Nexperia(安世) FET类型:NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847BPN,135 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BC847BPN,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:TSSOP FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100A
    通用三极管 BC847BMB Nexperia(安世)
    通用三极管 BC847BM Nexperia(安世)
    通用三极管 BC847B,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:TO-236AB FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847AW,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:220,110 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847AM,315 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT883 FET类型:NPN 功率耗散Pd:430mW 尺寸:1.0 x 0.6 x 0.48 直流电流增益hFE:220,110 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847A,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:110,220 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847,235 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:110,800 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC847,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:800,110 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC846W Nexperia(安世)
    通用三极管 BC846S,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:110,450 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC846DS Nexperia(安世)
    通用三极管 BC846BW,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:450,200 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC846BS,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT363 FET类型:NPN 功率耗散Pd:300mW 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC846BPN,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率耗散Pd:200mW 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:450,200 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC846BMB,315 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT883B FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 特征频率fT:100MHz 尺寸:1.0 x 0.6 x 0.37 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC846B,235 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:450,200 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC846B,215 Nexperia(安世) FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC846A,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:110,220 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC846,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:110,450 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A
    通用三极管 BC817W,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:600,100 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BC817DS,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT457 FET类型:NPN 功率耗散Pd:370mW 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.9 x 1.5 x 1 直流电流增益hFE:160,400 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BC817DPN Nexperia(安世)
    通用三极管 BC817-40W,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SC-70 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:250,600 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BC817-40,235 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:600,250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BC817-40,215 Nexperia(安世) FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:600,250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BC817-25W,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:160,400 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BC817-25,235 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:160,400 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BC817-25,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:TO-236AB FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:400,160 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BC817-16,235 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:100,250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BC817-16,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:100,250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
    通用三极管 BC817,215 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:370mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:100,600 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A
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    通用三极管 BC807DS,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT457 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:370mW 特征频率fT:80MHz 尺寸:2.9 x 1.5 x 1 直流电流增益hFE:160,400 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-500A

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