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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用三极管 | 2PB1424,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率:2W 特征频率fT:125MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 最大直流电集电极电流:-5 直流电流增益hFE:180 集电极-发射极最大电压VCEO:-20V 集电极-射极饱和电压:-500mV 集电极连续电流:-3A |
| 通用三极管 | CS20-12IO1 | IXYS | 电压-断态:1200V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:65mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.1V 电流-通态（It（AV））（最大值）:19A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:30A 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 电流-断态（最大值）:2mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:200A,215A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-247AD |
| 通用三极管 | CS35-08IO4 | IXYS | 电压-断态:800V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:100mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.5V 电流-通态（It（AV））（最大值）:69A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:120A 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 电流-断态（最大值）:10mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:1200A,1340A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:TO-208AC(TO-65) |
| 通用三极管 | CS60-12IO1 | IXYS | 电压-断态:1200V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:100mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.4V 电流-通态（It（AV））（最大值）:48A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:75A 电流-保持（Ih）（最大值）:200mA 电流-断态（最大值）:10mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:1500A,1600A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 140°C 封装/外壳:PLUS247™-3 |
| 通用三极管 | DMA204010R | Panasonic(松下) | FET类型:2 PNP(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:210 @ 2mA,10V 功率:3/10W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:迷你型6-G4-B 封装/外壳:Mini6-G4-B FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | BCR10PNH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 频率-跃迁:130MHz 功率:1/4W 封装/外壳:SOT363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧 封装/外壳:PG-SOT363-6 |
| 通用三极管 | BC847BE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:1/3W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 通用三极管 | BCR505E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:NPN - 预偏压 电阻器-基底（R1）（欧姆）:2.2k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 频率-跃迁:100MHz Power-Max:330mW 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 kOhms 功率:1/3W 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 通用三极管 | BCR35PNH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-基底（R1）（欧姆）:10k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47K Ohms 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 500µA,10mA 频率-跃迁:150MHz 功率:1/4W 封装/外壳:SOT363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:10 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧 封装/外壳:PG-SOT363-6 |
| 通用三极管 | BCR523UE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电阻器-基底（R1）（欧姆）:1k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA,50mA 频率-跃迁:100MHz 功率:1/3W 封装/外壳:SC74 封装/外壳:SC-74 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:1 千欧 电阻器 - 发射极基底（R2）:10 千欧 封装/外壳:PG-SC74-6 |
| 通用三极管 | BC847BS-TP | MICRO COMMERCIAL | FET类型:2 NPN(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC857C-TP | MICRO COMMERCIAL | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 功率:0.31W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | C106D1G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流-通态（It（AV））（最大值）:2.55A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电流-保持（Ih）（最大值）:3mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:20A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-225AA |
| 通用三极管 | SMBTA06E6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA,1V 功率:1/3W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT23 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V FET类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 封装/外壳:PG-SOT23-3 |
| 通用三极管 | C106D1G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流-通态（It（AV））（最大值）:2.55A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电流-保持（Ih）（最大值）:3mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:20A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-225AA |
| 通用三极管 | L6004D5RP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:33A,40A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 110°C(TJ) 封装/外壳:TO-252,(D-Pak) |
| 通用三极管 | L601E3 | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16.7A,20A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 配置:单一 工作温度:-65°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | MKP1V120RLG | Littelfuse(美国力特) | 电压-导通:110 ~ 130V 电流-击穿:35µA 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 电流-峰值输出:900mA 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:轴向 |
| 通用三极管 | MAC08MT1G | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):800mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:2V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A @ 60Hz 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 110°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | Q6008DH4RP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:80A,85A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-252,(D-Pak) |
| 通用三极管 | Q4025L6TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:400V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:208A,250A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 |
| 通用三极管 | Q6X3RP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8.3A,10A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DO-214(Compak) |
| 通用三极管 | Q4008L4TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:400V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:83A,100A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220 |
| 通用三极管 | Q4010LH5TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:400V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:10A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:110A,120A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB-L |
| 通用三极管 | S6004DS2RP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:2.5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:2µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:25A,30A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-252,(D-Pak) |
| 通用三极管 | Q6004L3TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:46A,55A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB-L |
| 通用三极管 | Q6016LH3TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:167A,200A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:20mA 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB-L |
| 通用三极管 | Q8025N5RP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:167A,200A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-263(D2Pak) |
| 通用三极管 | Q6025K6TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:208A,250A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-218 隔离的标片 |
| 通用三极管 | S402ESAP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:950mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:5µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:12.5A,15A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | Q6016NH4RP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:167A,200A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-263(D2Pak) |
| 通用三极管 | S4040RTP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:40mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流-通态（It（AV））（最大值）:25A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:430A,520A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220(非隔离式)标片 |
| 通用三极管 | S8055RTP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:40mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流-通态（It（AV））（最大值）:35A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:55A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:20µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:550A,650A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220(非隔离式)标片 |
| 通用三极管 | SK040RTP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:1000V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:40mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流-通态（It（AV））（最大值）:25A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:30µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:430A,520A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB-R |
| 通用三极管 | BCP55-16F | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:250,100 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1000A |
| 通用三极管 | BC847AW,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:220,110 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BC817-40W,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SC-70 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:250,600 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A |
| 通用三极管 | BC817-25W,135 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:400,160 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A |
| 通用三极管 | BC807-16W,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:250,100 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-500A |
| 通用三极管 | BC846A,235 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:220,110 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BC849CW,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率:1/5W 噪声系数:4dB 特征频率fT:100MHz 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:800,420 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BC847,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:800,110 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BC817DS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT457 FET类型:NPN 功率耗散Pd:370mW 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.9 x 1.5 x 1 直流电流增益hFE:160,400 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A |
| 通用三极管 | BC847BM,315 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT883 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:1.0 x 0.6 x 0.48 直流电流增益hFE:200,450 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BC847C,215 | Nexperia(安世) | FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:420,800 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BC817-16,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:100,250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A |
| 通用三极管 | BCP56-16,115 | Nexperia(安世) | FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:100,250 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1000A |
| 通用三极管 | BC817-40,215 | Nexperia(安世) | FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:600,250 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A |
| 通用三极管 | BCM62B,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT143 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 |
| 通用三极管 | BC856A,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:250,125 集电极-发射极最大电压VCEO:-65V 集电极连续电流:-100A |
| 通用三极管 | BC807-25W,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:400,160 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-500A |
| 通用三极管 | BC817W,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:600,100 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A |
| 通用三极管 | BC850C,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 噪声系数:4dB 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:420,800 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BCM857BV,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT666 尺寸:1.6 x 1.2 x 0.55 |
| 通用三极管 | BC846W,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:NPN 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:110,450 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BC846A,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:110,220 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BC856BW,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:220,475 集电极-发射极最大电压VCEO:-65V 集电极连续电流:-100A |
| 通用三极管 | BCX17,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:100,600 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-500A |
| 通用三极管 | BC869,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率:1.35W 特征频率fT:140MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:375,40 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:1000A |
| 通用三极管 | BC856,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:475,125 集电极-发射极最大电压VCEO:-65V 集电极连续电流:-100A |
| 通用三极管 | BC857BS,135 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:300mW 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:450,200 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100A |
| 通用三极管 | BCX71H,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:310,180 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100A |
| 通用三极管 | BC869,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率:1.35W 特征频率fT:140MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:375,40 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:1000A |
| 通用三极管 | BCW31,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:220,110 集电极-发射极最大电压VCEO:32V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BCX19,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:100,600 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500A |
| 通用三极管 | BC856B,235 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:475,220 集电极-发射极最大电压VCEO:-65V 集电极连续电流:-100A |
| 通用三极管 | BCW60B,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:180,310 集电极-发射极最大电压VCEO:32V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BCX55-16,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:250,100 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1000A |
| 通用三极管 | BCP69-25,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:P-Channel 功率:1.35W 特征频率fT:140MHz 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:375,160 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:1000A |
| 通用三极管 | BFS20,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:1/4W 特征频率fT:450MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:>85,40 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:25A |
| 通用三极管 | BC856W,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:125,475 集电极-发射极最大电压VCEO:-65V 集电极连续电流:-100A |
| 通用三极管 | BCM857DS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT457 尺寸:2.9 x 1.5 x 1 |
| 通用三极管 | BCX56,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:1.35W 特征频率fT:180MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:40,250 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1000A |
| 通用三极管 | BC857CW,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:200mW 尺寸:2 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:800,420 集电极-发射极最大电压VCEO:-45V 集电极连续电流:-100A |
| 通用三极管 | BC859B,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率:1/4W 噪声系数:4dB 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 直流电流增益hFE:475,220 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BCM847BV,315 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT666 尺寸:1.6 x 1.2 x 0.55 |
| 通用三极管 | BSP19,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 功率耗散Pd:1200mW 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:40 集电极-发射极最大电压VCEO:350V 集电极连续电流:100A |
| 通用三极管 | BF620,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:1.25W 特征频率fT:60MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:>50,50 集电极-发射极最大电压VCEO:300V 集电极连续电流:50A |
| 通用三极管 | BSS87,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3000mΩ@10V,4000mΩ@4.5V 功率耗散(最大值):0.58W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V 漏源极电压Vds:200V 输入电容:100pF 输出电容:20pF 连续漏极电流Id:0.7A |
| 通用三极管 | DMPH6250SQ-7 | Diodes(达尔（美台）) | 封装/外壳:SOT-23-3 通道数量:1 Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:155mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:8.3 nC 配置:Single 功率:0.92W FET类型:Enhancement 工作温度:-55°C ~ 175°C |
| 通用三极管 | 2SCR375P5T100Q | ROHM(罗姆) | 功率:1/2W 发射极 - 基极电压 VEBO:6V 特征频率fT:200MHz 封装/外壳:SC-62-3 FET类型:NPN 最大直流电集电极电流:1.5A 直流电流增益 hFE 最大值:390at200mA,5V 直流集电极/Base Gain hfe Min:120 系列:2SxR 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:120V 集电极—基极电压 VCBO:120V 集电极—射极饱和电压:100mV 集电极连续电流:1.5A 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| 通用三极管 | MMBT4403-TP | MICRO COMMERCIAL | Current-Collector(Ic)(Max):600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:750mV @ 50mA,500mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V Power-Max:350mW 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | MMBT3906-TP | MICRO COMMERCIAL | 电流-集电极（Ic）（最大值）:200mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,1V 功率:3/10W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | MMBTA56-TP | MICRO COMMERCIAL | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA,1V 功率:0.225W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | MMSS8050-L-TP | MICRO COMMERCIAL | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压-集射极击穿（最大值）:25V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 80mA,800mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA,1V 功率:5/8W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | MMDT5551-TP | MICRO COMMERCIAL | FET类型:2 NPN(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:200mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:150mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA,5V 功率:1/5W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:160V |
| 通用三极管 | 2SCR375P5T100R | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | PBSS4032NZ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 功率:7/10W 特征频率fT:145MHz 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 最大直流电集电极电流:10 直流电流增益hFE:500,300 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极-射极电阻:45mOhms 集电极-射极饱和电压:375mV 集电极连续电流:4.9A |
| 通用三极管 | PBSS4032NZ,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 功率:7/10W 特征频率fT:145MHz 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 最大直流电集电极电流:10 直流电流增益hFE:500,300 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极-射极电阻:45mOhms 集电极-射极饱和电压:375mV 集电极连续电流:4.9A |
| 通用三极管 | PBSS4112PANP,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1118 FET类型:N+P-Channel 功率:1.04W 特征频率fT:120MHz 尺寸:2 x 2 x 0.65 直流电流增益hFE:240 集电极-发射极最大电压VCEO:120V 集电极-射极饱和电压:220mV 集电极-射极饱和电压(PNP):-480mV 集电极连续电流:1A |
| 通用三极管 | PBSS302NX,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:3/5W 特征频率fT:140MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 最大直流电集电极电流:10.6 直流电流增益hFE:570,300 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极-射极饱和电压:220mV 集电极连续电流:5.3A |
| 通用三极管 | PBLS1504Y,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率:3/10W 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:60 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极-射极电阻:300mOhms 集电极-射极饱和电压:-150mV,-250mV |
| 通用三极管 | PBHV8215Z,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 功率:0.73W 特征频率fT:33MHz 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 直流电流增益hFE:100 集电极-发射极最大电压VCEO:150V 集电极-射极饱和电压:280mV 集电极连续电流:2A |
| 通用三极管 | PBSS304NX,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:3/5W 特征频率fT:130MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 最大直流电集电极电流:9.4 直流电流增益hFE:300,520 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极-射极电阻:0.0370.048mOhms 集电极-射极饱和电压:290mV 集电极连续电流:4.7A |
| 通用三极管 | PBSS305NZ,135 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:NPN 功率:7/10W 特征频率fT:110MHz 尺寸:6.5 x 3.5 x 1.65 最大直流电集电极电流:10.2 直流电流增益hFE:470,300 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极-射极电阻:0.040.056mOhms 集电极-射极饱和电压:340mV 集电极连续电流:5.1A |
| 通用三极管 | PBHV9115X,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:P-Channel 功率:0.52W 特征频率fT:115MHz 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 直流电流增益hFE:100 集电极-发射极最大电压VCEO:-150V 集电极-射极饱和电压:-300mV 集电极连续电流:-1A |
| 通用三极管 | PBSS4021NT,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:0.39W 特征频率fT:165MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 最大直流电集电极电流:8 直流电流增益hFE:300,550 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极-射极电阻:36mOhms 集电极-射极饱和电压:265mV 集电极连续电流:4.3A |
| 通用三极管 | PBSS4350X,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT89 FET类型:NPN 功率:11/20W 尺寸:4.5 x 2.5 x 1.5 最大直流电集电极电流:5 直流电流增益hFE:300 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极-射极饱和电压:370mV 集电极连续电流:3A |
| 通用三极管 | PDTB123ET,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel 功率耗散Pd:250mW 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 电阻器-发射极基底:2.2KOhms 电阻器-基底:2.2KOhms 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500A |
| 通用三极管 | PBSS4240T,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:NPN 功率:3/10W 特征频率fT:230MHz 尺寸:2.9 x 1.3 x 1 最大直流电集电极电流:3 直流电流增益hFE:470,350 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极-射极电阻:140mOhms 集电极-射极饱和电压:320mV 集电极连续电流:2A |