IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用三极管 | SBC847BWT1G | ON(安森美) | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:600mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:100MHz VEBO:6V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ |
| 通用三极管 | APT150GN120J | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:215A 功率:625W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,150A 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:9.5nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP® |
| 通用三极管 | BCW67BE6327HTSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:330mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-32V 集电极连续电流:-800mA 集电极-射极饱和电压:-700mV 直流电流增益hFE:160 特征频率fT:200MHz VEBO:-5V VCBO:-45V 工作温度:-65℃~150℃ |
| 通用三极管 | EMX26T2R | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-563 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:150mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:820 特征频率fT:250MHz VEBO:12V VCBO:60V 工作温度:-55℃~150℃ |
| 通用三极管 | PBSS305PZ,135 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:2W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-80V 集电极连续电流:-4.5A 集电极-射极饱和电压:-450mV 直流电流增益hFE:120 特征频率fT:100MHz VEBO:-5V VCBO:-80V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:6.5*3.5*1.65 |
| 通用三极管 | GP1S096HCZ0F | SHARP | 感应距离:0.039"(1mm) 感应方法:可传导的 输出配置:光电晶体管 电流-DC正向（If）:50mA 电流-集电极（Ic）（最大值）:20mA 电压-集射极击穿（最大值）:35V 响应时间:50µs,50µs 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:PCB 安装 FET类型:无放大 |
| 通用三极管 | BC847B/DG/B3,215 | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | QSZ2TR | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-25T 功率耗散Pd:1.25W FET类型:PNP/NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:-30V,30V 集电极连续电流:-1.5A,1.5A 集电极-射极饱和电压:-370mV,350mV 直流电流增益hFE:270,270 特征频率fT:280MHz,300MHz VEBO:-6V,6V VCBO:-30V,30V 工作温度:-55℃~150℃ |
| 通用三极管 | DMA961040R | Panasonic(松下) | |
| 通用三极管 | DMC564020R | Panasonic(松下) | |
| 通用三极管 | PBSS4160PANP,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:DFN2020-6 功率耗散Pd:510mW FET类型:N+P-Channel 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1A 集电极-射极饱和电压:120mV 直流电流增益hFE:150 特征频率fT:175MHz VEBO:7V VCBO:60V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2*2*0.65 |
| 通用三极管 | 2SB1732TL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323T 功率耗散Pd:400mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-12V 集电极连续电流:-1.5A 集电极-射极饱和电压:-200mV 直流电流增益hFE:270 特征频率fT:400MHz VEBO:-6V VCBO:-15V 工作温度:-55℃~150℃ |
| 通用三极管 | PBSS4021SP,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT-96 功率耗散Pd:2.3W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-20V 集电极连续电流:-6.3A 集电极-射极饱和电压:-375mV 直流电流增益hFE:150 特征频率fT:105MHz VEBO:-5V VCBO:-20V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:4.9*3.9*1.75 |
| 通用三极管 | DRC5115G0L | Panasonic(松下) | |
| 通用三极管 | BC53PA,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT-1061 功率耗散Pd:1.65W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-80V 集电极连续电流:-1A 集电极-射极饱和电压:-500mV 直流电流增益hFE:40 特征频率fT:145MHz VEBO:-5V VCBO:-100V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2*2*0.65 |
| 通用三极管 | DTC043EEBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-416FL 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:20 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:4.7K Ohms R2:4.7K Ohms |
| 通用三极管 | MMBT3906LT3G | ON(安森美) | Current-Collector(Ic)(Max):200mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 5mA,50mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,1V Power-Max:300mW 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | BULD118D-1 | ST(意法半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 400mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:250µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 500mA,5V 功率:20W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251 封装/外壳:IPAK FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| 通用三极管 | PDTC143ZU/ZLX | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BUK9C07-65BIT,118 | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BCM857BS/ZLF | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC856S/ZLF | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC856BS/ZLF | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC856B/DG/B3,215 | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC847C/DG/B3,215 | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC847BS/ZLX | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC847BS/ZLF | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC847BPN/ZLX | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC847BPN/ZLF | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC846S/DG/B4X | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC846S/DG/B3X | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC846BPN/ZLX | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC846B/DG/B4R | Nexperia(安世) | |
| 通用三极管 | BC817K-25R | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:775mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:700mV 直流电流增益hFE:160 特征频率fT:100MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ 尺寸:2.9*1.3*1 |
| 通用三极管 | DRC5123J0L | Panasonic(松下) | |
| 通用三极管 | TS110-8UF | ST(意法半导体) | Voltage-OffState:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:100µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:800mA Current-OnState(It(RMS))(Max):1.25A 电流-保持（Ih）（最大值）:12mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:20A,21A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SMBflat-3L |
| 通用三极管 | TS110-8A2-AP | ST(意法半导体) | Voltage-OffState:800V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:100µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:800mA Current-OnState(It(RMS))(Max):1.25A 电流-保持（Ih）（最大值）:12mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:20A,21A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用三极管 | TMMDB3TG | ST(意法半导体) | 电压-导通:30 ~ 34V 电流-击穿:15µA 电流-峰值输出:2A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:迷你型 MELF |
| 通用三极管 | T2550-12T | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:1.2KV 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:240A,252A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | T2550-12G | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:1.2KV 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:240A,252A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | T810T-8T | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:60A,63A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | T810T-8FP | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:60A,63A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FPAB |
| 通用三极管 | T610T-8T | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:45A,47A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | T610T-8FP | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:45A,47A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FPAB |
| 通用三极管 | T2550-12G-TR | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:1.2KV 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:240A,252A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| 通用三极管 | STN93003 | ST(意法半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 100mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:1mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:16 @ 350mA,5V 功率:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V |
| 通用三极管 | STD1802T4 | ST(意法半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:400mV @ 150mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA,2V Power-Max:15W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:DPAK 封装/外壳:TO-252 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | P0102AL 5AA4 | ST(意法半导体) | Voltage-OffState:100V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:160mA Current-OnState(It(RMS))(Max):250mA 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:6A,7A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 通用三极管 | BC850BWH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:250mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:600mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:250MHz VEBO:6V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ |
| 通用三极管 | ACS110-7SN | ST(意法半导体) | 系列:ASD™ 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:700V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,11A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:-30°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | ACS108-8SA-AP | ST(意法半导体) | 系列:ACS™/A.S.D® 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:450mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:13A,13.7A 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-30°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | XN0F25600L | Panasonic(松下) | |
| 通用三极管 | T410-800B-TR | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:800V Current-OnState(It(RMS))(Max):4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,31A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| 通用三极管 | BC560CG | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:380 @ 2mA,5V 功率:5/8W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BCV27 | ON(安森美) | FET类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100µA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:7/20W 频率 - 跃迁:220MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 通用三极管 | DMG264040R | Panasonic(松下) | |
| 通用三极管 | PHPT60603NYX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT-669 功率耗散Pd:1.25W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:3A 集电极-射极饱和电压:270mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:140MHz VEBO:7V VCBO:60V 工作温度:-65℃~175℃ |
| 通用三极管 | SMBT 3906 E6767 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:330mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 集电极连续电流:-200mA 集电极-射极饱和电压:-400mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:-6V VCBO:-40V 工作温度:-65℃~150℃ |
| 通用三极管 | DRC2144G0L | Panasonic(松下) | |
| 通用三极管 | FMW3T148 | ROHM(罗姆) | |
| 通用三极管 | FMS1AT148 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SMT FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | FMC6AT148 | ROHM(罗姆) | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压-集射极击穿（最大值）:50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）:100k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 5mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 5mA,250µA 频率-跃迁:250MHz 功率:3/10W 封装/外壳:SMT5 |
| 通用三极管 | FMC5AT148 | ROHM(罗姆) | FET类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电阻器-基底（R1）（欧姆）:47k,4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）:47k,10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:68 @ 5mA,5V,30 @ 10mA,5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 10mA,500µA 频率-跃迁:250MHz 功率:3/10W 封装/外壳:SMT5 封装/外壳:SMT FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:100mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 通用三极管 | DTC943TUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:400mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:820 特征频率fT:35MHz VEBO:40V VCBO:40V 工作温度:-55℃~150℃ R1:4.7K Ohms |
| 通用三极管 | DTC923TUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:400mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:820 特征频率fT:35MHz VEBO:40V VCBO:40V 工作温度:-55℃~150℃ R1:2.2K Ohms |
| 通用三极管 | DTC914TUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:400mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:820 特征频率fT:35MHz VEBO:40V VCBO:40V 工作温度:-55℃~150℃ R1:10K Ohms |
| 通用三极管 | DTC044TUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:60mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTC044TEBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-416FL 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:60mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTC044EUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:30mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:47K Ohms R2:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTC044EMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:30mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:47K Ohms R2:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTC043ZEBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-416FL 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:4.7K Ohms R2:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTC043ZMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:4.7K Ohms R2:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTC043EUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:20 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:4.7K Ohms R2:4.7K Ohms |
| 通用三极管 | DTC043TMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:4.7K Ohms |
| 通用三极管 | DTC043TEBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-416FL 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:4.7K Ohms |
| 通用三极管 | DTC043EMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:20 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:4.7K Ohms R2:4.7K Ohms |
| 通用三极管 | DTC024EUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:30mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:60 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:22K Ohms R2:22K Ohms |
| 通用三极管 | DTC024EMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:30mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:60 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:22K Ohms R2:22K Ohms |
| 通用三极管 | DTC023YEBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-416FL 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:35 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:2.2K Ohms R2:10K Ohms |
| 通用三极管 | DTC023JUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:2.2K Ohms R2:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTC023JMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:2.2K Ohms R2:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTC023EEBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-416FL 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:200mV 直流电流增益hFE:20 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:2.2K Ohms R2:2.2K Ohms |
| 通用三极管 | DTC015EUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:20mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:100K Ohms R2:100K Ohms |
| 通用三极管 | DTC015TUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:100K Ohms |
| 通用三极管 | DTC015TMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:100K Ohms |
| 通用三极管 | DTC015TEBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-416FL 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:100K Ohms |
| 通用三极管 | DTC014TUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:10K Ohms |
| 通用三极管 | DTC015EMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:20mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:100K Ohms R2:100K Ohms |
| 通用三极管 | DTC015EEBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-416FL 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:20mA 集电极-射极饱和电压:100mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:100K Ohms R2:100K Ohms |
| 通用三极管 | DTC014YUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:70mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:10K Ohms R2:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTC014YMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:70mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:10K Ohms R2:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTC014TMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:10K Ohms |
| 通用三极管 | DTC014TEBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-416FL 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:10K Ohms |
| 通用三极管 | DTC014EMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:35 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:10K Ohms R2:10K Ohms |
| 通用三极管 | DTA044TUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-60mA 集电极-射极饱和电压:-150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:-5V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTA044EUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-30mA 集电极-射极饱和电压:-150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:47K Ohms R2:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTA044EMT2L | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-723 功率耗散Pd:150mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-30mA 集电极-射极饱和电压:-150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:47K Ohms R2:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTA044EEBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-416FL 功率耗散Pd:150mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-30mA 集电极-射极饱和电压:-150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:47K Ohms R2:47K Ohms |
| 通用三极管 | DTA043TEBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-416FL 功率耗散Pd:150mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-100mA 集电极-射极饱和电压:-150mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:250MHz VEBO:-5V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~150℃ R1:4.7K Ohms |
| 通用三极管 | DTA043ZUBTL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-100mA 集电极-射极饱和电压:-150mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:4.7K Ohms R2:47K Ohms |