IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | MBRF30L60CTG | ON(安森美) | 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:620mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:350µA @ 60V 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220-3 整包 封装/外壳:TO-220FP |
| 未分类 | FAN48610BUC45X | ON(安森美) | 功能:升压 输出配置:正 拓扑:升压 输出类型:固定 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.5V 电压 - 输入（最大值）:4.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:4.5V 电流 - 输出:1A(开关) 频率 - 开关:2.5MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | 2SB1203S-TL-H | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:550mV @ 150mA,3A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 500mA,2V 功率:1W 频率 - 跃迁:130MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 封装/外壳:2-TP-FA |
| 未分类 | NTST20120CTG | ON(安森美) | 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:120V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:700µA 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB |
| 未分类 | NTSJ20U100CTG | ON(安森美) | 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:790mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:800µA @ 100V 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220-3 整包 封装/外壳:TO-220FP |
| 未分类 | 2SB1216S-E | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 500mA,5V 功率:1W 频率 - 跃迁:130MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 封装/外壳:TP |
| 未分类 | NTSJ30U80CTG | ON(安森美) | 系列:NTSJ30U80CTG 封装/外壳:TO-220-3 FP 峰值反向电压:80 V 最大冲击电流:60 A 标准包装数量:50 正向连续电流:30 A 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:800mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 80V 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220-3 整包 封装/外壳:TO-220FP |
| 未分类 | MBRF10L60CTG | ON(安森美) | 正向电压下降:0.66 V 正向连续电流:10 A 配置:Dual Common Anode 封装/外壳:Rail 封装/外壳:TO-220FP 峰值反向电压:60 V 工作温度:- 55 C to + 150 C 最大反向漏泄电流:220 uA 最大浪涌电流:200 A 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:570mV @ 5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:220µA @ 60V 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220-3 整包 封装/外壳:TO-220FP |
| 未分类 | MBRF20L60CTG | ON(安森美) | 正向电压下降:0.73 V 正向连续电流:20 A 配置:Dual Common Anode 封装/外壳:Rail 封装/外壳:TO-220FP 峰值反向电压:60 V 工作温度:- 55 C to + 150 C 最大反向漏泄电流:380 uA 最大浪涌电流:240 A 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:570mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:380µA @ 60V 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220-3 整包 封装/外壳:TO-220FP |
| 未分类 | LM2901EDR2G | ON(安森美) | 元件数:4 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V 电压 - 输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流 - 输入偏置（最大值）:250nA @ 5V 电流 - 输出（典型值）:16mA @ 5V 电流 - 静态（最大值）:2mA 工作温度:-40°C ~ 105°C |
| 功率MOSFET | FDMC9430L-F085 | ON(安森美) | FET类型:2N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:12A Rds On(Max)@Id,Vgs:8 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:984pF @ 20V 功率:11.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-MLP(3x3) |
| 功率MOSFET | FDMS86102LZ | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:7A(Ta),22A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1305pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:50V 功率:2.5W(Ta),69W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 未分类 | FAN73895MX | ON(安森美) | 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:350mA,650mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:50ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:28-SOIC |
| 未分类 | VEC2315-TL-W | ON(安森美) | FET类型:2 个 P 沟道(双) FET类型:逻辑电平栅极,4V 驱动 连续漏极电流Id:2.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:137 毫欧 @ 1.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:420pF @ 20V 功率:1W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-28FL/VEC8 封装/外壳:SOT-28FL FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:10A |
| 未分类 | FSL336LRDN | ON(安森美) | 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm),7 引线 封装/外壳:7-DIP |
| 未分类 | NHPM120T3G | ON(安森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:25ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 封装/外壳:DO-216AA 封装/外壳:Powermite 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C |
| 未分类 | NTND3184NZTAG | ON(安森美) | |
| 未分类 | FDB9409L-F085 | ON(安森美) | |
| 未分类 | NCP3170AGEVB | ON(安森美) | 主要用途:DC/DC,步降 输出和类型:1,非隔离 电流-输出:3A 电压-输入:4.5 V ~ 18 V 稳压器拓扑:降压 频率-开关:500kHz 板类型:完全填充 所含物品:板 使用的IC/零件:NCP3170 频率 - 开关:500kHz 使用的 IC/零件:NCP3170 电流 - 输出:3A 电压 - 输入:4.5 V ~ 18 V |
| 未分类 | FGH12040WD-F155 | ON(安森美) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.9V @ 15V,40A 功率:428W 开关能量:4.1mJ(开),1mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/560ns 测试条件:600V,40A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:71ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247-3 |
| 未分类 | MT9J003I12STCVH-GEVB | ON(安森美) | 所含物品:板 |
| 未分类 | MT9F002I12STCVH-GEVB | ON(安森美) | 所含物品:板 |
| 未分类 | MT9V124EBKSTCH-GEVB | ON(安森美) | 所含物品:板 |
| 未分类 | NTMFS5C645NLT1G | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:22A(Ta),100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2200pF @ 50V 功率:3.7W(Ta),79W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线 |
| 未分类 | MT9T112PACSTCH-GEVB | ON(安森美) | 所含物品:板 |
| 未分类 | NCP4308DMNTWG | ON(安森美) | 电压 - 电源:35V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 未分类 | MT9P006I12STCUD3-GEVK | ON(安森美) | |
| 未分类 | NVMFS5C673NLWFAFT1G | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:50A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 35µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.5nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:880pF @ 25V 功率:46W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.2 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线 |
| 未分类 | NVMFS5C426NAFT1G | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:41A(Ta), 235A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:65nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4300pF @ 25V 功率:3.8W(Ta), 128W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线 |
| 未分类 | MT9P006I12STCUH-GEVB | ON(安森美) | 所含物品:板 |
| 未分类 | NVMFS5C404NT1G | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:128nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:8400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V 功率:3.9W(Ta),200W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:0.7 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:SO-FL FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:53A |
| 未分类 | VEC2616-TL-W | ON(安森美) | FET类型:N+P-Channel FET类型:逻辑电平栅极,4V 驱动 连续漏极电流Id:3A,2.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:80 毫欧 @ 1.5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:505pF @ 20V 功率:1W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-28FL/VEC8 封装/外壳:SOT-28FL FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3A/2.5A |
| 未分类 | LV56351HAGEVB | ON(安森美) | 主要用途:DC/DC,LDO 步升 输出和类型:1,非隔离 电压 - 输入:8 V ~ 23 V 稳压器拓扑:升压 频率 - 开关:425kHz 板类型:完全填充 所含物品:板 使用的 IC/零件:LV56351 |
| 未分类 | FDMS3602AS | ON(安森美) | FET类型:2 N 沟道(双)非对称型 FET类型:逻辑电平门 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:15A,26A Rds On(Max)@Id,Vgs:5.6 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1770pF @ 13V 功率:2.2W,2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:Power56 |
| 未分类 | FDMS86369-F085 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:65A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:46nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2470pF @ 40V 功率:107W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5 毫欧 @ 65A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:Power56 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 未分类 | NCS20081SN2T1G | ON(安森美) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.4 V/µs 增益带宽积:1.2MHz 电流 - 输入偏置:1pA 电压 - 输入失调:500µV 电流 - 电源:48µA 电流 - 输出/通道:15mA 电压 - 电源，单/双（±）:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 未分类 | NVMFS4C01NT1G | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:49A(Ta),319A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:139nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:10144pF @ 15V 功率:3.84W(Ta), 161W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:0.9 毫欧 @ 30A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 未分类 | FDD86580-F085 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:50A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1430pF @ 30V 功率:75W(Tj) Rds On(Max)@Id,Vgs:19 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 未分类 | FCH041N65F-F085 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:76A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:304nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13566pF @ 25V 功率:595W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:41 毫欧 @ 38A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 封装/外壳:TO-247-3 |
| LDO(低压差线性稳压器) | NCP781BMNADJTAG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:可调式 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:150V 电压 - 输出（最小值/固定）:1.23V 电压 - 输出（最大值）:15V 压降（最大值）:9.5V @ 100mA 电流 - 输出:100mA 电流 - 静态（Iq):55µA 电流 - 电源（最大值）:400µA PSRR:83dB ~ 56dB(1kHz ~ 100kHz) 保护功能:超温,短路 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:6-DFN(3.3x3.3) |
| 未分类 | NCP81080DR2G | ON(安森美) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | NRVB2045EMFST1G | ON(安森美) | 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:640mV @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:400µA @ 45V 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C |
| 未分类 | FDB86366-F085 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:110A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:112nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6280pF @ 40V 功率:176W(Tj) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.6 毫欧 @ 80A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D²PAK(TO-263AB) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 未分类 | NCP781BMN033TAG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:150V 电压 - 输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:9.5V @ 100mA 电流 - 输出:100mA 电流 - 静态（Iq):55µA 电流 - 电源（最大值）:400µA PSRR:83dB ~ 56dB(1kHz ~ 100kHz) 保护功能:超温,短路 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘 封装/外壳:6-DFN(3.3x3.3) |
| 未分类 | NL3S22UHMUTAG | ON(安森美) | 开关电路:DPDT 通道数:2 导通电阻（最大值）:5.4 欧姆 电压 - 电源，单（V+）:2.7 V ~ 3.6 V -3db 带宽:811MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-uFQFN 封装/外壳:10-UQFN(1.8x1.4) |
| 未分类 | MT9P001I12STCH-B-GEVB | ON(安森美) | 所含物品:板 |
| 未分类 | FDMS86580-F085 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:50A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1430pF @ 30V 功率:75W(Tj) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.6 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:Power56 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 未分类 | FDMS86255ET150 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:10A(Ta),63A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4480pF @ 75V 功率:3.3W(Ta),136W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:12.4 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:Power56 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 未分类 | NCP1076AAP100G | ON(安森美) | 输出隔离:隔离 内部开关:是 电压 - 击穿:700V 拓扑:反激 电压 - 启动:8.4V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:6.5 V ~ 20 V 占空比:68% 频率 - 开关:100kHz 功率:31W 故障保护:限流,超功率,超温,过压,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm),7 引线 封装/外壳:8-PDIP |
| 未分类 | SSRD8620CTRG | ON(安森美) | |
| 未分类 | BAS16M3T5G | ON(安森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 100V 不同 Vr，F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOT-723 封装/外壳:SOT-723 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C |
| 未分类 | NCP1013ADAPGEVB | ON(安森美) | 稳压器拓扑:回扫 板类型:完全填充 所含物品:板 使用的 IC/零件:NCP1013 主要用途:AC/DC,主面 输出和类型:1,隔离 功率 - 输出:6W 电压 - 输出:12V 电流 - 输出:850mA 电压 - 输入:230VAC |
| 未分类 | MT9M031I12STCH-GEVB | ON(安森美) | 所含物品:板 |
| 未分类 | NCP2990FCT2GEVB | ON(安森美) | 所含物品:板 放大器类型:AB 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:1.35W x 1 @ 8 欧姆 电压 - 电源:2.2 V ~ 5.5 V 板类型:完全填充 使用的 IC/零件:NCP2990 |
| 未分类 | MT9V114EBKSTC5H-GEVB | ON(安森美) | 所含物品:板 |
| 未分类 | NCP103AMX280TCG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:5.5V 电压-输出（最小值/固定）:2.8V 压降（最大值）:0.125V @ 150mA 电流-输出:150mA 电流-电源:95µA PSRR:75dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-UDFN(1.0x1.0) 电流 - 限制（最小值）:150mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:2.8V 电压 - 跌落（典型值）:0.75V @ 150mA 电压 - 输入:最高 5.5V |
| 未分类 | 2SC4027S-H | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 100mA,5V 功率:1W 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 封装/外壳:TP |
| 未分类 | NCP1076AAP065G | ON(安森美) | 输出隔离:隔离 内部开关:是 电压 - 击穿:700V 拓扑:反激 电压 - 启动:8.4V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:6.5 V ~ 20 V 占空比:68% 频率 - 开关:65kHz 功率:31W 故障保护:限流,超功率,超温,过压,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm),7 引线 封装/外壳:8-PDIP |
| 未分类 | FGA20S125P-SN00336 | ON(安森美) | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,20A 功率:250W 开关能量:740µJ(开),500µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/400ns 测试条件:600V,20A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 封装/外壳:TO-3PN |
| 未分类 | FFSH30120ADN-F155 | ON(安森美) | 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:15A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.75V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 1200V 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 长引线 |
| 未分类 | 2SC3649T-TD-H | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA,5V 功率:1/2W 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:PCP |
| 未分类 | CAT28F001HI-12T | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字，页:120ns 访问时间:120ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:32-TSOP |
| 未分类 | MMSD914 | ON(安森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr，F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOD-123 工作温度 - 结:150°C(最大) |
| 未分类 | NCN1154MUTGEVB | ON(安森美) | 工作电源电压:3.6 V 接口类型:USB 描述/功能:DP3T USB high speed audio switch FET类型:Analog Switches 评估工具:NCN1154 运作供电电流:35 uA 主要用途:接口,USB 2.0 开关 嵌入式:否 使用的 IC/零件:NCN1154 所含物品:板 |
| 未分类 | 2SC4027T-E | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA,5V 功率:1W 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 封装/外壳:TP |
| 未分类 | FAN48630BUC31JX | ON(安森美) | 功能:升压 输出配置:正 拓扑:升压 输出类型:可编程 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.35V 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电流 - 输出:1.5A(开关) 频率 - 开关:2.5MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-WLCSP |
| 未分类 | FL77904MX | ON(安森美) | FET类型:交直流离线开关 内部开关:是 输出数:4 电压 - 供电（最低）:90VAC 电压 - 供电（最高）:305VAC 电压 - 输出:18V 电流 - 输出/通道:28.6mA,53.6mA,93.8mA,104.2mA 调光:Triac 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SOIC-EP |
| 未分类 | MMSZ5255B | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:28V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:44 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 封装/外壳:SOD-123 |
| 未分类 | LV8773GEVB | ON(安森美) | 主要用途:电源管理,电机控制,步进控制器 使用的 IC/零件:LV8773 所含物品:板 |
| 功率MOSFET | FGY160T65SPD-F085 | ON(安森美) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:240A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):480A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,160A 功率:882W 开关能量:12.4mJ(开),5.7mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:53ns/98ns 测试条件:400V,160A,15V 反向恢复时间（trr）:132ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 |
| 未分类 | NVD5C434NT4G | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:163A (Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80.6nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5400pF @ 25V 功率:117W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.1 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 未分类 | 2SD1803T-H | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 150mA,3A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA,2V 功率:1W 频率 - 跃迁:180MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 封装/外壳:TP |
| 未分类 | FDMS3606AS | ON(安森美) | FET类型:2 N 沟道(双)非对称型 FET类型:逻辑电平门 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:13A,27A Rds On(Max)@Id,Vgs:8 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1695pF @ 15V 功率:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:Power56 |
| 未分类 | CPH3455-TL-H | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:3A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:186pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V 功率:1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:104 毫欧 @ 1.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-96 封装/外壳:CPH FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:35V 连续漏极电流Id:3A |
| 未分类 | UD0506T-H | ON(安森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V @ 5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 600V 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 封装/外壳:TP 工作温度 - 结:150°C(最大) |
| 未分类 | 2SD1801T-E | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA,2V 功率:4/5W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 封装/外壳:2-TP-FA |
| 未分类 | NRVBS3201T3G | ON(安森美) | 二极管类型:肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）:200V 电流-平均整流（Io）:3A 不同If时的电压-正向（Vf）:840mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1mA @ 200V 封装/外壳:SMC 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 未分类 | PCP1103-TD-H | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:375mV @ 15mA,750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA,2V 功率:1.3W 频率 - 跃迁:450MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:PCP |
| 未分类 | FDD9409L_F085 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:90A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:68nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3360pF @ 20V 功率:150W(Tj) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.6 毫欧 @ 80A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 未分类 | PCP1203-TD-H | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:225mV @ 15mA,750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA,2V 功率:1.3W 频率 - 跃迁:500MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:PCP |
| 未分类 | EFC4619R-TR | ON(安森美) | FET类型:2N-Channel FET类型:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21.7nC @ 4.5V 功率:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:4-XFBGA,FCBGA 封装/外壳:EFCP1616-4CE-022 |
| 未分类 | NVD5490NLT4G | ON(安森美) | 14 nC:Qg - 闸极充电 49 W:Pd - 功率消耗 互导 - 最小值:15 S FET类型:N-Channel 最低工作温度:- 55 C 最高工作温度:+ 175 C 标准包装数量:2500 连续漏极电流Id:17 A 标准断开延迟时间:24 ns 系列:NVD5490NL 配置:Single Rds On(Max)@Id,Vgs:66 m0hms 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:20V 栅极电压Vgs:2.5 V 上升时间:57 ns 下降时间:35 ns FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:17 A 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:85 m0hms 栅极电压Vgs:2.5V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:49 W 典型接通延迟时间:9.4 ns 典型关断延迟时间:24 ns 漏源极电压Vds:365 pF @ 25 V 晶体管材料:Si 宽度:6.22mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+175 °C 长度:6.73mm 高度:2.38mm 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.38mm 每片芯片元件数目:1 Ohms |
| 未分类 | FDBL0090N40 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:240A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:188nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12000pF @ 25V 功率:357W(Tj) Rds On(Max)@Id,Vgs:0.9 毫欧 @ 80A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:8-PSOF 封装/外壳:8-PowerSFN |
| 未分类 | PZT3904T1G | ON(安森美) | Current-Collector(Ic)(Max):200mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 5mA,50mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,1V Power-Max:1.5W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 未分类 | NVMFD5485NLWFT1G | ON(安森美) | FET类型:2N-Channel FET类型:逻辑电平门 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:5.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:44 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:560pF @ 25V 功率:2.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerTDFN 封装/外壳:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道) |
| 未分类 | 2SB1215T-H | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 150mA,1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA,5V 功率:1W 频率 - 跃迁:130MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 封装/外壳:TP |
| 未分类 | FDMA86108LZ | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:163pF @ 50V 功率:2.4W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:243 毫欧 @ 2.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-MicroFET(2x2) 封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘 |
| 未分类 | NCP103AMX105TCG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:5.5V 电压-输出（最小值/固定）:1.05V 电流-输出:150mA 电流-电源:95µA PSRR:75dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-UDFN(1.0x1.0) 电流 - 限制（最小值）:150mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-UDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.05V 电压 - 输入:1.7 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | MC34063SMDBGEVB | ON(安森美) | 稳压器拓扑:升压 频率 - 开关:100kHz 板类型:完全填充 所含物品:板 使用的 IC/零件:MC34063 主要用途:DC/DC,步升 输出和类型:1,非隔离 电压 - 输出:12V 电流 - 输出:50mA 电压 - 输入:3.3V |
| 未分类 | NCP81074BDR2G | ON(安森美) | 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 20 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:10A,10A 输入类型:反相,非反相 上升/下降时间（典型值）:4ns,4ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | KAC-12040-CBA-JD-BA | ON(安森美) | |
| 未分类 | NCP5006EVB | ON(安森美) | 使用的 IC/零件:NCP5006 电流 - 输出/通道:15mA 输出和类型:1,非隔离 电压 - 输出:22V 电压 - 输入:3.6V 所含物品:板 |
| 未分类 | UC3843AD1 | ON(安森美) | |
| 未分类 | NV890201MWTXGEVB | ON(安森美) | 稳压器拓扑:降压 频率 - 开关:2MHz 板类型:完全填充 所含物品:板 使用的 IC/零件:NV890201 主要用途:DC/DC,步降 输出和类型:1,非隔离 电压 - 输出:3.3V 电流 - 输出:2A 电压 - 输入:4.5 V ~ 36 V |
| 未分类 | NCP1406V25GEVB | ON(安森美) | 稳压器拓扑:升压 频率 - 开关:1MHz 板类型:完全填充 所含物品:板 使用的 IC/零件:NCP1406 主要用途:DC/DC,步升 输出和类型:1,非隔离 电压 - 输出:25V 电流 - 输出:25mA 电压 - 输入:1.8 V ~ 5 V |
| 未分类 | FDMS86202 | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:120V 连续漏极电流Id:13.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:64nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4250pF @ 60V 功率:2.7W(Ta),156W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.2 毫欧 @ 13.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:Power56 封装/外壳:8-PowerTDFN |
| 未分类 | NVTFS5C471NLWFTAG | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:41A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.5nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:660pF @ 25V 功率:30W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:8-WDFN(3.3x3.3) 封装/外壳:8-PowerWDFN |
| 未分类 | NRVTS245ESFT3G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q101 二极管类型:肖特基 Voltage-DCReverse(Vr)(Max):45V 电流-平均整流（Io）:2A 不同If时的电压-正向（Vf）:650mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr时的电流-反向漏电流:75µA @ 45V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 未分类 | NGTB40N65FL2WG | ON(安森美) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,40A 功率:366W 开关能量:970µJ(开),440µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/177ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:72ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 |
| 未分类 | RHRG1560CC-F085 | ON(安森美) | 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2.3V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 600V 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247-3 |