IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | CAT93C66VI-G | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8,256 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | CAT24C03WI-GT3 | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | CAT24C128YIGT3JN | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 封装/外壳:8-TSSOP |
| 未分类 | CAT24C04C4ATR | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-XFBGA,WLCSP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:400kHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 封装/外壳:4-WLCSP(0.84x0.86) |
| 未分类 | CAT24C256YIGT3JN | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:500ns 存储器接口:I²C 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | CAT93C66YI-GT3 | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8,256 x 16) 时钟频率:2MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | MC74ACT374DWR2 | ON(安森美) | |
| 未分类 | CAT34C02YI-GT5A | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | CAT24C32YI-GT3JN | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 速度:1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 封装/外壳:8-TSSOP |
| 未分类 | CAT24C16C4ATR | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-XFBGA,WLCSP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:400kHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 封装/外壳:4-WLCSP(0.84x0.86) |
| 未分类 | CAT24C512HU5IGT3 | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-UDFN(2x3) 封装/外壳:8-uFDFN 裸露焊盘 格式 - 存储器:EEPROM 速度:100kHz,400kHz,1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | CAT25040VI-GT3 | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 时钟频率:20MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 速度:20MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | CAT25040VI-GT3JN | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (512 x 8) 速度:20MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:20MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | CAT24C64WI-GT3JN | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | BDX54CTU | ON(安森美) | FET类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA,3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A,3V 功率:60W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 |
| 未分类 | BDX54CG | ON(安森美) | FET类型:PNP - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2V @ 12mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A,3V 功率:65W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 未分类 | BDX53CTU | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA,3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A,3V 功率:60W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 |
| 未分类 | BDX53CG | ON(安森美) | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2V @ 12mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A,3V 功率:65W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V 最大集电极截止电流:500 uA 最小工作温度:- 65 C 直流集电极/Base Gain hfe Min:750 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V 集电极连续电流:4 A 功率:40W 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 封装/外壳:Tube FET类型:NPN 最大工作温度:+ 150 C 最大直流电集电极电流:8 A |
| 未分类 | BDX34CG | ON(安森美) | 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) FET类型:PNP - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.5V @ 6mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A,3V Power-Max:70W 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:10A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 未分类 | BDX33CG | ON(安森美) | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.5V @ 6mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A,3V 功率:70W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:10A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 未分类 | BDW94CFTU | ON(安森美) | FET类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA,10A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 5A,3V 功率:80W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 整包 封装/外壳:TO-220F |
| 未分类 | BDW93CTU | ON(安森美) | FET类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA,10A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 5A,3V 功率:80W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 |
| 未分类 | BDW42G | ON(安森美) | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:3V @ 50mA,10A 电流-集电极截止（最大值）:2mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A,4V 功率:85W 频率-跃迁:4MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 未分类 | BD809G | ON(安森美) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.1V @ 300mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:1mA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 4A,2V 功率:90W 频率-跃迁:1.5MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:10A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 未分类 | BD682STU | ON(安森美) | FET类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA,1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A,3V 功率:14W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 |
| 未分类 | BD681G | ON(安森美) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA,1.5A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A,3V Power-Max:40W 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-225 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 未分类 | CAT24M01YI-GT3 | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 速度:100kHz,400kHz,1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | BD680ASTU | ON(安森美) | FET类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA,2A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A,3V 功率:14W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 |
| 未分类 | BD679ASTU | ON(安森美) | FET类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA,2A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A,3V 功率:40W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 |
| 未分类 | BD679AG | ON(安森美) | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A,3V 功率:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA 封装/外壳:TO-225 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 未分类 | BD678AG | ON(安森美) | FET类型:PNP - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A,3V 功率:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA 封装/外壳:TO-225 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | BD676G | ON(安森美) | FET类型:PNP - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA,1.5A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A,3V 功率:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA 封装/外壳:TO-225 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 未分类 | BD675G | ON(安森美) | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.5V @ 30mA,1.5A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A,3V 功率:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA 封装/外壳:TO-225 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 未分类 | BD675AG | ON(安森美) | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:2.8V @ 40mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A,3V 功率:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA 封装/外壳:TO-225 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 未分类 | BD243CG | ON(安森美) | 频率-跃迁:3MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 1A,6A 电流-集电极截止（最大值）:700µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 3A,4V Power-Max:65W 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 未分类 | BD241CTU | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 600mA,3A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A,4V 功率:40W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 |
| 未分类 | BD239CTU | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 200mA,1A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 1A,4V 功率:30W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 |
| 未分类 | CAT24M01YI-GT3JN | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:1Mb (128K x 8) 速度:100kHz,400kHz,1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 封装/外壳:8-TSSOP |
| 未分类 | BD239BTU | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 200mA,1A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 1A,4V 功率:30W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 |
| 未分类 | CAT93C46LI-G | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb(128 x 8,64 x 16) 时钟频率:2MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-PDIP 封装/外壳:8-DIP 格式 - 存储器:EEPROM 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | BD238STU | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A,2V 功率:25W 频率 - 跃迁:3MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 |
| 未分类 | BD237STU | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A,2V 功率:25W 频率 - 跃迁:3MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 |
| 未分类 | BD180G | ON(安森美) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:800mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:1mA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,2V 功率:30W 频率-跃迁:3MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA 封装/外壳:TO-225 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 通用三极管 | BD17610STU | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA,2V 功率:30W 频率 - 跃迁:3MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-126 |
| 未分类 | BD14016STU | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V 功率:1.25W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 |
| 未分类 | BD14010STU | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA,2V 功率:1.25W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126-3 |
| 未分类 | BD139G | ON(安森美) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,2V 功率:1.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA 封装/外壳:TO-225 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V |
| 未分类 | BD1396STU | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,2V 功率:1.25W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 |
| 未分类 | BD13916STU | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V 功率:1.25W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 |
| 未分类 | BD13910STU | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA,2V 功率:1.25W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 |
| 未分类 | BD13816STU | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V 功率:1.25W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126-3 |
| 未分类 | CAV25160YE-GT3 | ON(安森美) | 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 速度:10MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 存储器格式:EEPROM 时钟频率:20MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 封装/外壳:8-TSSOP |
| 未分类 | LE25U40CMC-AH-2 | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:非易失 存储容量:4Mb (512K x 8) 速度:40MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V 存储器格式:闪存 时钟频率:40MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 封装/外壳:8-SOP-J |
| 未分类 | N25S830HAT22IT | ON(安森美) | 存储器类型:易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:20MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 格式 - 存储器:SRAM 速度:20MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V |
| 未分类 | N25S830HAS22IT | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:SRAM 存储器类型:易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 速度:20MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 存储器格式:SRAM 时钟频率:20MHz 存储器接口:SPI 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | CAT25020VI-GT3JN | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 速度:20MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:20MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | CAT24AA08TDI-GT3 | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TSOT-23-5 封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 格式 - 存储器:EEPROM 速度:1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | CAT24C32LI-G | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DIP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 速度:1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 封装/外壳:8-PDIP |
| 未分类 | NVMFS5C450NAFT3G | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:24A(Ta), 102A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 65µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 25V 功率:3.6W(Ta), 68W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.3 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线 |
| 未分类 | NVMFS5C430NLAFT1G | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:38A(Ta),200A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4300pF @ 20V 功率:3.8W(Ta),110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线 |
| 未分类 | NVMFS5C430NAFT3G | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:35A(Ta),185A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:47nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3300pF @ 25V 功率:3.8W(Ta), 106W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.7 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线 |
| 未分类 | N01S830HAT22IT | ON(安森美) | 存储器类型:易失 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:20MHz 存储器接口:SPI 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 格式 - 存储器:SRAM 速度:20MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | CAT25AM02C8ATR | ON(安森美) | 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-XFBGA,WLCSP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Mb (256K x 8) 速度:5MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.6 V ~ 3.6 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:5MHz 写周期时间 - 字，页:10ms 存储器接口:SPI 封装/外壳:8-WLCSP(3.12x2.04) |
| 未分类 | CAT25020LI-G | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DIP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 速度:20MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:20MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 封装/外壳:8-PDIP |
| 未分类 | CAT24C64LI-G | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-PDIP 封装/外壳:8-DIP 格式 - 存储器:EEPROM 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | CAT24C01LI-G | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb (128 x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间-字，页:5ms 访问时间:900ns 存储器接口:I²C 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-PDIP 封装/外壳:8-DIP 格式 - 存储器:EEPROM 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | CAT25010VI-G | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb (128 x 8) 速度:20MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | BC856BMTF | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:0.31W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 未分类 | BC856BM3T5G | ON(安森美) | Current-Collector(Ic)(Max):100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V Power-Max:265mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-723 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V |
| 未分类 | BC856BLT3G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V |
| 通用三极管 | BC856BLT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V |
| 未分类 | BC856BDW1T3G | ON(安森美) | 功率:0.38W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 FET类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 未分类 | BC856BDW1T1G | ON(安森美) | FET类型:2 PNP(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳:SC-88 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V 频率 - 跃迁:100MHz 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA,5V |
| 未分类 | BC856ALT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:65V |
| 未分类 | BC850CLT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 功率:0.225W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 未分类 | BC850BLT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:0.225W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 100 MHz:增益带宽积 fT 最高工作温度:+ 150 C 封装/外壳:SOT-23-3 系列:BC850BL 连续集电极电流:0.1 A 200:直流集电极/增益 hfe 最小值 最大功率消耗:225 mW 最低工作温度:- 55 C 标准包装数量:3000 配置:Single FET类型:NPN 集电极-基极电压VCBO:50 V 集电极-发射极最大电压VCEO:45 V 发射机-基极电压VEBO:6 V 集电极-发射极饱和电压:0.6 V |
| 未分类 | BC850AMTF | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA,5V 功率:0.31W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 未分类 | BC848CWT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 功率:3/20W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-3(SOT323) 封装/外壳:SC-70 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 未分类 | BC848CDW1T1G | ON(安森美) | FET类型:2 NPN(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳:SC-88 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 频率 - 跃迁:100MHz 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V |
| 未分类 | BC848BWT1G | ON(安森美) | Current-Collector(Ic)(Max):100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V Power-Max:150mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-3(SOT323) 封装/外壳:SC-70 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 未分类 | BC848BMTF | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:0.31W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 未分类 | BC848BLT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 未分类 | BC848ALT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V |
| 通用三极管 | BC847S | ON(安森美) | FET类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SC-70-6 |
| 通用三极管 | BC847CWT1G | ON(安森美) | Current-Collector(Ic)(Max):100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V Power-Max:150mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 功率:3/20W 频率 - 跃迁:100MHz FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V |
| 未分类 | CAV24C128YE-GT3 | ON(安森美) | 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 速度:100kHz,400kHz,1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 存储器格式:EEPROM 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:400ns 存储器接口:I²C 封装/外壳:8-TSSOP |
| 未分类 | BC847CMTF | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 功率:0.31W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 未分类 | BC847CLT3G | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) |
| 未分类 | CAT25M01XI-T2 | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:1Mb (128K x 8) 速度:10MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:10MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | BC847CLT1G | ON(安森美) | Current-Collector(Ic)(Max):100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V Power-Max:300mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC847CDXV6T1G | ON(安森美) | FET类型:2 NPN(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 功率:1/2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 封装/外壳:SOT-563 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 未分类 | BC847CDW1T1G | ON(安森美) | FET类型:2 NPN(双) 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳:SC-88 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 频率 - 跃迁:100MHz 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA,5V |
| 未分类 | BC847BWT1G | ON(安森美) | Current-Collector(Ic)(Max):100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V Power-Max:150mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-3(SOT323) 封装/外壳:SC-70 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V 功率:3/20W 频率 - 跃迁:100MHz 封装/外壳:SC-70,SOT-323 FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V |
| 未分类 | BC847BTT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:0.225W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-75,SOT-416 封装/外壳:SOT-416 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 未分类 | BC847BS | ON(安森美) | FET类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:0.21W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SC-70-6 |
| 通用三极管 | BC847BPDW1T1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:0.38W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 FET类型:NPN+PNP 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 未分类 | BC847BM3T5G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:0.26W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-723 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 通用三极管 | BC847BLT3G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |
| 未分类 | CAT25M01YI-GT3 | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:1Mb (128K x 8) 速度:10MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V 存储器格式:EEPROM 时钟频率:10MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 封装/外壳:8-TSSOP |
| 未分类 | BC847BLT1G | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:15nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V 功率:3/10W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:45V |