IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | 21576-001-XTD | ON(安森美) | |
| 未分类 | 11133-505-XTD | ON(安森美) | |
| 未分类 | SENSORRFAGEVK | ON(安森美) | |
| 未分类 | DM74LS00N | ON(安森美) | 逻辑类型:与非门 电路数:4 输入数:2 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流 - 输出高，低:400µA,8mA 逻辑电平 - 低:0.8V 逻辑电平 - 高:2V 不同 V，最大 CL 时的最大传播延迟:15ns @ 5V,50pF 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:14-PDIP 封装/外壳:14-DIP |
| 未分类 | 50C02SS-TL-E | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:400mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:100mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA,2V 功率:1/5W 频率-跃迁:500MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-SSFP 封装/外壳:SSFP FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 未分类 | 50C02CH-TL-E | ON(安森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA,2V 功率:7/10W 频率 - 跃迁:500MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:3-CPH |
| 未分类 | 50A02MH-TL-E | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:120mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 10mA,2V 功率:3/5W 频率-跃迁:690MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-MCPH 封装/外壳:MCPH FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V 最高工作温度:+ 150 C 封装/外壳:SC-70 500:直流电最大增益hFE 系列:50A02MH 连续集电极电流:- 500 mA 最大功率消耗:600 mW 最低工作温度:- 55 C 配置:Single 标准包装数量:3000 FET类型:P-Channel 集电极-基极电压VCBO:- 50 V 发射机-基极电压VEBO:- 5 V 集电极-发射极饱和电压:- 0.06 V 集电极最大直流电流:- 1 A 690 MHz:增益带宽积 fT |
| 未分类 | 50A02CH-TL-E | ON(安森美) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:120mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 10mA,2V 功率:7/10W 频率-跃迁:690MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-CPH 封装/外壳:CPH FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |
| 未分类 | ZZZZ1N5341B | ON(安森美) | |
| 未分类 | 3LP01SS-TL-E | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:100mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.43nC @ 10V 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7.5pF @ 10V 功率:150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:10.4 欧姆 @ 50mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-SSFP 封装/外壳:SC-81 |
| 未分类 | 3LP01S-TL-E | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:100mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.43nC @ 10V 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7.5pF @ 10V 功率:150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:10.4 欧姆 @ 50mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMCP 封装/外壳:SC-75,SOT-416 |
| 未分类 | 3LP01M-TL-H | ON(安森美) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:100mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.43nC @ 10V 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7.5pF @ 10V 功率:150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:10.4 欧姆 @ 50mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-MCP 封装/外壳:SC-70,SOT-323 |
| 未分类 | 3LP01C-TB-E | ON(安森美) | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7.5pF @ 10V 功率:250mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:10.4 欧姆 @ 50mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:100mA(Ta) 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.43nC @ 10V 漏源极电压Vds:30V 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 栅极电压Vgs:±10V 封装/外壳:3-CP |
| 未分类 | 3LN01SS-TL-H | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:150mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.58nC @ 10V 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7pF @ 10V 功率:150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.7 欧姆 @ 80mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMCP 封装/外壳:SC-75,SOT-416 |
| 未分类 | 3LN01C-TB-H | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:150mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.58nC @ 10V 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7pF @ 10V 功率:250mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.7 欧姆 @ 80mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-CP 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 未分类 | 3LN01C-TB-E | ON(安森美) | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V 功率:250mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.7 欧姆 @ 80mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:150mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 漏源极电压Vds:30V 封装/外壳:3-CP |
| 未分类 | SB99027MNG | ON(安森美) | |
| 未分类 | 4N38SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:100mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流 - DC 正向（If）:80mA Vce 饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N38M | ON(安森美) | 安装类型:通孔安装 输出设备:光电晶体管 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:DIP 输入电流类型:直流 典型上升时间:5µs 最大输入电流:3 A 隔离电压:7500 V 有效值 逻辑输出:是 最大电流传输比:20% |
| 未分类 | RM5534AT/883 | ON(安森美) | |
| 未分类 | JM3851011005BCATSC | ON(安森美) | |
| 未分类 | ASX340AT2C00XPED0E | ON(安森美) | |
| 未分类 | CLS-N0412-1NRE-APO-1 | ON(安森美) | |
| 未分类 | 4N37SR2VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N37SM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N37M | ON(安森美) | 安装类型:表面安装 输出设备:光电晶体管 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:DIP 输入电流类型:直流 典型上升时间:2µs 最大输入电流:3 A 隔离电压:7500 V 有效值 逻辑输出:是 最大电流传输比:100% |
| 未分类 | 4N35VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | 4N35TVM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.400",10.16mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | 4N35SVM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N35SR2VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N35SM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N35M | ON(安森美) | 安装类型:通孔安装 输出设备:晶体管 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:PDIP 输入电流类型:直流 最大输入电流:60 mA 隔离电压:7.5 KVrms 最小电流传输率:100 % |
| 未分类 | 4N33SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:5µs,100µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:150mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:80mA Vce 饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N33SM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:5µs,100µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:150mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:80mA Vce 饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N33M | ON(安森美) | 检测频谱:红外 典型下降时间:100µs 典型上升时间:5µs 通道数目:1 Ohms 最大暗电流:100nA 极性:NPN 针数目:6 安装类型:通孔安装 封装/外壳:PDIP 封装/外壳:8.89 x 6.6 x 5.08mm 集电极电流:50mA 宽度:6.6mm 高度:5.08mm 长度:8.89mm |
| 未分类 | 4N32VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:5µs,100µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:150mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:80mA Vce 饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | 4N32SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:5µs,100µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:150mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:80mA Vce 饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N32SM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:500% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:5µs,100µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:150mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:80mA Vce 饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N32M | ON(安森美) | 安装类型:通孔安装 输出设备:光电晶体管 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:DIP 输入电流类型:直流 最大输入电流:80 mA 隔离电压:2500 V 直流,7500 V 交流 逻辑输出:是 最小电流传输率:500 % |
| 未分类 | 4N29SM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:5µs,40µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:150mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:80mA Vce 饱和值（最大值）:1V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N28SM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:10% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N28M | ON(安森美) | 安装类型:通孔安装 输出设备:光电晶体管 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:DIP 输入电流类型:直流 典型上升时间:2µs 最大输入电流:3 A 隔离电压:7500 V 有效值 逻辑输出:是 最大电流传输比:10% |
| 未分类 | 4N27M | ON(安森美) | 安装类型:通孔安装 输出设备:光电晶体管 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:DIP 输入电流类型:直流 典型上升时间:2µs 最大输入电流:3 A 隔离电压:7500 V 有效值 逻辑输出:是 最大电流传输比:10% |
| 未分类 | 4N26SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N26M | ON(安森美) | 安装类型:通孔安装 输出设备:光电晶体管 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:DIP 输入电流类型:直流 典型上升时间:2µs 最大输入电流:3 A 隔离电压:7500 V 有效值 逻辑输出:是 最大电流传输比:20% |
| 未分类 | 4N25VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | 4N25SR2VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 晶体管输出光耦 | 4N25SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N25SM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | 4N25M | ON(安森美) | 安装类型:通孔安装 输出设备:晶体管 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:DIP-W 输入电流类型:直流 典型上升时间:2µs 隔离电压:4170 V 有效值 |
| 未分类 | 21381 REV J CORNER PARTS | ON(安森美) | |
| 未分类 | 1SMA5936BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:26 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:500nA @ 22.8V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:30V |
| 未分类 | 1SMA5935BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:23 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:27V |
| 未分类 | 1SMA5934BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:19 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:24V |
| 未分类 | 1SMA5933BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:17.5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:22V 封装/外壳:SMA 最小工作温度:- 65 C 齐纳电压:22 V 电压容差:5 % 齐纳电流:68 mA 最大反向漏泄电流:0.5 uA 最大齐纳阻抗:17.5 0hms 最大工作温度:+ 150 C |
| 未分类 | 1SMA5932BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:20V 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:14 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 15.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA |
| 未分类 | 1SMA5931BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:12 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:18V 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:12 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1SMA5930BT3G | ON(安森美) | 功率:1.5W 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SMA |
| 未分类 | 1SMA5928BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:13V 封装/外壳:SMA 最小工作温度:- 65 C 齐纳电压:13 V 电压容差:5 % 齐纳电流:115 mA 最大反向漏泄电流:0.5 uA 最大齐纳阻抗:7 0hms 最大工作温度:+ 150 C |
| 未分类 | 1SMA5927BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% Power-Max:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:6.5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:500nA @ 9.1V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:12V 功率:1/2W |
| 未分类 | 1SMA5926BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:5.5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:500nA @ 8.4V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:11V 功率:1/2W |
| 未分类 | 1SMA5925BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:2.5µA @ 8V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:10V 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5µA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA |
| 未分类 | 1SMA5924BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:2.5µA @ 7V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:9.1V |
| 稳压(齐纳)二极管 | 1SMA5923BT3G | ON(安森美) | 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SMA 齐纳电压Vz:8.2V |
| 未分类 | 1SMA5922BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:2.5µA @ 6V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:7.5V |
| 未分类 | 1SMA5921BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:2.5µA @ 5.2V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:6.8V |
| 整流二极管 | 1SMA5920BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率耗散Pd:1.5W 齐纳阻抗Zz:2 Ohms 反向漏电流Ir:2.5µA @ 4V 正向电压Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 齐纳电压Vz:6.2V 功率耗散Pd:500mW |
| 未分类 | 1SMA5919BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% Power-Max:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:2.5µA @ 3V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:5.6V 功率:1/2W |
| 整流二极管 | 1SMA5918BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率耗散Pd:1.5W 齐纳阻抗Zz:4 Ohms 反向漏电流Ir:2.5µA @ 2V 正向电压Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 齐纳电压Vz:5.1V 功率耗散Pd:500mW |
| 未分类 | 1SMA5917BT3G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:2.5µA @ 1.5V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:4.7V |
| 整流二极管 | 1SMA5915BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率耗散Pd:1.5W 齐纳阻抗Zz:7.5 Ohms 反向漏电流Ir:12.5µA @ 1V 正向电压Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 齐纳电压Vz:3.9V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | 1SMA5914BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率耗散Pd:1.5W 齐纳阻抗Zz:9 Ohms 反向漏电流Ir:35.5µA @ 1V 正向电压Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 齐纳电压Vz:3.6V 功率耗散Pd:500mW |
| 未分类 | 1SMA5913BT3G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:50µA @ 1V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:3.3V |
| 未分类 | 1PMT5933BT1G | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 偏差:±5% 功率:3.2W 阻抗（最大值）（Zzt）:17.5 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:16.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-216AA 封装/外壳:Powermite |
| 未分类 | 1PMT5929BT1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:3.2W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:Powermite 封装/外壳:Power 稳压电压(标称值)VZT_Nom:15V 封装/外壳:DO-216AA 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 功率:3.2W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 11.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA |
| 未分类 | 1PMT5927BT1G | ON(安森美) | 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-216AA 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 偏差:±5% 功率:3.2W 阻抗（最大值）（Zzt）:6.5 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 阻抗（最大值）（Zzt）:6.5 Ohms 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 封装/外壳:Powermite |
| 整流二极管 | 1PMT5920BT1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:2 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 4V 正向电压Vf:1.25V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:Powermite 封装/外壳:Power 齐纳电压Vz:6.2V 功率耗散Pd:500mW |
| 未分类 | 1N914_T50A | ON(安森美) | 二极管配置:单路 最大连续正向电流:200mA 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:100V 封装/外壳:DO-35 二极管类型:硅结型 引脚数目:2 最大正向电压降:1V 高度:4.56mm 峰值反向回复时间:4ns 直径:1.91mm 峰值反向电流:100µA 峰值非重复正向浪涌电流:4A 封装/外壳:1.91 (Dia.) x 4.56mm 最高工作温度:+175 °C |
| 未分类 | 1N914TR | ON(安森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr，F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C |
| 未分类 | 1N914BWT | ON(安森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr，F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SC-79,SOD-523F 封装/外壳:SOD-523F 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | 1N914BWS | ON(安森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr，F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOD-323F 工作温度 - 结:150°C(最大) |
| 未分类 | 1N914BTR | ON(安森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr，F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C |
| 未分类 | 1N914ATR | ON(安森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr，F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) |
| 未分类 | 1N5956BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 152V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:200V 功率:3W |
| 未分类 | 1N5955BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:900 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:180V 功率:3W 封装/外壳:DO-41 最小工作温度:- 65 C 齐纳电压:180 V 电压容差:5 % 齐纳电流:8 mA 功率:3W 最大反向漏泄电流:1 uA 最大齐纳阻抗:900 0hms 最大工作温度:+ 200 C |
| 未分类 | 1N5953BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:600 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 114V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:150V 功率:3W |
| 未分类 | 1N5952BRLG | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:130V 偏差:±5% 功率:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:98.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:轴向 |
| 未分类 | 1N5948BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:91V 功率:3W 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:91V 功率:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 69.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA |
| 未分类 | 1N5946BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:140 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 56V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:75V 功率:3W 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 功率:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:140 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA |
| 未分类 | 1N5941BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:67 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:47V 功率:3W |
| 未分类 | 1N5938BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:38 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:36V 功率:3W |
| 未分类 | 1N5937BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:33 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:33V 功率:3W 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 功率:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:33 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA |
| 未分类 | 1N5935BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:23 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:27V 功率:3W |
| 整流二极管 | 1N5932BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:14 Ohms 反向漏电流Ir:1µA @ 15.2V 正向电压Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:20V 功率耗散Pd:3W |
| 未分类 | 1N5931BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:12 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:18V 功率:3W |
| 未分类 | 1N5929BRLG | ON(安森美) | 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:15V 功率:3W |
| 未分类 | 1N5929BG | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:15V 功率:1.5W |
| 未分类 | 1N5927BG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:6.5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:12V 功率:3W 封装/外壳:DO-41 最小工作温度:- 65 C 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 齐纳电流:125 mA 功率:3W 最大反向漏泄电流:1 uA 最大齐纳阻抗:6.5 0hms 最大工作温度:+ 200 C |
| 未分类 | 1N5925BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:5µA @ 8V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:10V 功率:3W 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 功率:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA |
| 未分类 | 1N5924BRLG | ON(安森美) | 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:4 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:5µA @ 7V 不同If时的电压-正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:轴向 封装/外壳:DO-41 稳压电压(标称值)VZT_Nom:9.1V 功率:3W 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 功率:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA |