IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | NCP380HMU10AATBG | ON(安森美) | |
| 未分类 | NCP380HMU05AATBG | ON(安森美) | |
| 未分类 | NCP380LMU05AATBG | ON(安森美) | 最小工作温度:- 40 C 开启电阻（最大值）:110 m0hms 开启时间（最大值）:4 ms 关闭时间（最大值）:3 ms 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 封装/外壳:uDFN-6 功率:0.83W |
| 未分类 | FPF1504LBUCX | ON(安森美) | 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压 - 负载:1 V ~ 3.6 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.5A 导通电阻（典型值）:15 毫欧 输入类型:非反相 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:4-uFBGA,WLCSP 封装/外壳:4-WLCSP |
| 未分类 | FPF2895UCX | ON(安森美) | 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:4 V ~ 22 V 电流 - 输出（最大值）:5A 导通电阻（典型值）:27 毫欧 故障保护:限流(可调),超温,过压,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-uFBGA,WLCSP |
| 未分类 | NB7L11MMN | ON(安森美) | 频率 - 最大值:8GHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),变换器,数据 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：2 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVCMOS,LVDS,LVPECL,LVTTL 输出:CML 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | P3MS650100H-4CR | ON(安森美) | 频率 - 最大值:60MHz 分频器/倍频器:无/无 电压 - 电源:1.6 V ~ 3.6 V 工作温度:-20°C ~ 85°C 封装/外壳:4-WFDFN PLL:是 输入:LVCMOS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出:LVCMOS 差分 - 输入:输出:无/无 封装/外壳:4-WDFN(1.0x1.2) |
| 未分类 | NB7L14MMNR2 | ON(安森美) | 频率 - 最大值:8GHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),变换器,数据 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：4 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVCMOS,LVDS,LVPECL,LVTTL 输出:CML 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | NBSG86AMN | ON(安森美) | 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 逻辑类型:可配置多功能 电路数:2 施密特触发器输入:无 输出类型:差分 输入数:2 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | NCV1455BDR2 | ON(安森美) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:555 型,计时器/振荡器(单路) 电压 - 电源:4.5 V ~ 16 V 电流 - 电源:10mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | MC74HC4046ADG | ON(安森美) | 系列:74HC FET类型:锁相环路(PLL) PLL:是 输出:CMOS 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：4 频率-最大值:13MHz 分频器/倍频器:无/无 电压-电源:3 V ~ 6 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC 频率 - 最大值:13MHz 电压 - 电源:3 V ~ 6 V 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 输入:CMOS 比率 - 输入:输出:1：4 |
| 未分类 | NBSG14MN | ON(安森美) | 频率 - 最大值:12GHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),数据 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：4 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVCMOS,LVDS,LVTTL,NECL,PECL,RSECL 输出:RSECL,RSNECL,RSPECL 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | NB7N017MMNR2 | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:是/是 频率 - 最大值:3.5GHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:52-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:时钟除法器 PLL:无 输入:CML,ECL,LVCMOS,LVDS,LVTTL 输出:CML 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 封装/外壳:52-QFN(8x8) |
| 未分类 | NBSG16MMN | ON(安森美) | FET类型:收发器 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | NBSG16MMNR2 | ON(安森美) | FET类型:收发器 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | NB7L14MMN | ON(安森美) | 频率 - 最大值:8GHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),变换器,数据 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：4 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVCMOS,LVDS,LVPECL,LVTTL 输出:CML 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | NB7L111MMNR2 | ON(安森美) | 频率 - 最大值:5.5GHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:52-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器,数据 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：10 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVCMOS,LVDS,LVNECL,LVPECL,LVTTL 输出:CML 封装/外壳:52-QFN(8x8) |
| 未分类 | NB6L56MNTXG | ON(安森美) | 系列:ECLinPS MAX™ FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器,数据 电路数:2 比率-输入:输出:2：1 差分-输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:LVPECL 频率-最大值:2.5GHz 电压-电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-QFN(5x5) 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 比率 - 输入:输出:2：1 差分 - 输入:输出:是/是 频率 - 最大值:2.5GHz |
| 未分类 | MC100EP40DTR2G | ON(安森美) | 系列:100EP FET类型:相频探测器 PLL:是 输入:NECL,PECL 输出:ECL 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：2 差分-输入:输出:是/是 频率-最大值:2GHz 分频器/倍频器:无/无 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP 频率 - 最大值:2GHz 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 比率 - 输入:输出:1：2 差分 - 输入:输出:是/是 |
| 未分类 | MC10EL32DR2G | ON(安森美) | 触发器类型:正,负 电压 - 电源:4.2 V ~ 5.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 逻辑类型:除以 2 方向:上 元件数:1 Ohms 复位:异步 计数速率:3GHz 每元件位数:1 Ohms 电压 - 电源:4.2V ~ 5.7V 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | MC10EL32DG | ON(安森美) | 系列:10EL 逻辑类型:除以 2 方向:上 每元件位数:1 Ohms 复位:异步 计数速率:3GHz 触发器类型:正,负 电压-电源:4.2 V ~ 5.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 电压 - 电源:4.2 V ~ 5.7 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 元件数:1 Ohms |
| 未分类 | MC10EL33DTR2G | ON(安森美) | 系列:10EL 逻辑类型:除以 4 每元件位数:1 Ohms 复位:异步 计数速率:4.2GHz 触发器类型:正,负 电压-电源:4.2 V ~ 5.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP 电压 - 电源:4.2 V ~ 5.7 V 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 元件数:1 Ohms |
| 未分类 | MC10E211FNR2G | ON(安森美) | 电压 - 电源:4.2 V ~ 5.7 V 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:28-LCC(J 形引线) FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：6 差分 - 输入:输出:是/是 输入:ECL,PECL 频率 - 最大值:700MHz 输出:ECL,PECL 封装/外壳:28-PLCC(11.51x11.51) |
| 未分类 | NB4L339MNR4G | ON(安森美) | 频率 - 最大值:700MHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),除法器,多路复用器 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：4 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:LVPECL 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | NB4L7210MNG | ON(安森美) | 频率 - 最大值:2GHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:52-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：10 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVCMOS,LVDS,LVPECL,LVTTL 输出:LVPECL 封装/外壳:52-QFN(8x8) |
| 未分类 | NB7L572MNR4G | ON(安森美) | 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:多路复用器,变换器 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:4：2 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:LVPECL 频率 - 最大值:8GHz 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | NB6LQ572MNG | ON(安森美) | 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:多路复用器,变换器 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:4：2 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:LVPECL 频率 - 最大值:5GHz 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | NB6LQ572MMNG | ON(安森美) | 频率 - 最大值:6GHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器,变换器 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:4：2 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:CML 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | NB7L72MMNHTBG | ON(安森美) | FET类型:交点开关 电路:1 x 2：2 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QFN 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V |
| 未分类 | NB7L585RMNG | ON(安森美) | 系列:GigaComm™ FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器,数据 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：6 差分-输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:RSECL 频率-最大值:7GHz 电压-电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-QFN(5x5) 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 比率 - 输入:输出:1：6 差分 - 输入:输出:是/是 频率 - 最大值:7GHz |
| 未分类 | NB7L72MMNTXG | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:交点开关 电路:1 x 2：2 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | NB7L585RMNR4G | ON(安森美) | 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器,数据 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：6 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:RSECL 频率 - 最大值:7GHz 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | NB7L585MNR4G | ON(安森美) | 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器,数据 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：6 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:LVPECL 频率 - 最大值:5GHz 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | NB7V586MMNG | ON(安森美) | 电压 - 电源:1.71 V ~ 1.89 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器,变换器,数据 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：6 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:CML 频率 - 最大值:6GHz 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | NB7V33MMNTXG | ON(安森美) | 电压 - 电源:1.71 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:分配器 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:CML 频率 - 最大值:10GHz 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | NB7V586MMNR4G | ON(安森美) | 电压 - 电源:1.71 V ~ 1.89 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器,变换器,数据 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：6 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:CML 频率 - 最大值:6GHz 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | NB7V32MMNTXG | ON(安森美) | 系列:GigaComm™ FET类型:时钟除法器 PLL:无 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:CML 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 差分-输入:输出:是/是 频率-最大值:10GHz 分频器/倍频器:是/无 电压-电源:1.71 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QFN 频率 - 最大值:10GHz 电压 - 电源:1.71 V ~ 2.625 V 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 比率 - 输入:输出:1：1 差分 - 输入:输出:是/是 |
| 未分类 | NB7V32MMNHTBG | ON(安森美) | 频率 - 最大值:10GHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:1.71 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:时钟除法器 PLL:无 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:CML 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 差分 - 输入:输出:是/是 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | NB7V585MMNR4G | ON(安森美) | 电压 - 电源:1.71 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器,变换器,数据 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：6 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:CML 频率 - 最大值:7GHz 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | NB6VQ572MMNR4G | ON(安森美) | 电压 - 电源:1.71 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:多路复用器,变换器 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:4：2 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:CML 频率 - 最大值:5GHz 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | NB6VQ572MMNG | ON(安森美) | 系列:ECLinPS MAX™ FET类型:多路复用器,变换器 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:4：2 差分-输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:CML 频率-最大值:5GHz 电压-电源:1.71 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-QFN(5x5) 电压 - 电源:1.71 V ~ 2.625 V 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 比率 - 输入:输出:4：2 差分 - 输入:输出:是/是 频率 - 最大值:5GHz |
| 未分类 | NB3N201SDG | ON(安森美) | FET类型:收发器 协议:LVDS,多点 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:25mV 数据速率:200Mbps 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 未分类 | FS7145-02G-XTP | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/是 频率 - 最大值:300MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SSOP(0.209",5.30mm 宽) FET类型:时钟/频率合成器 PLL:是 输入:晶体 输出:CMOS,PECL 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：1 封装/外壳:16-SSOP |
| 未分类 | FS7145-02G-XTD | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/是 频率 - 最大值:300MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SSOP(0.209",5.30mm 宽) FET类型:时钟/频率合成器 PLL:是 输入:晶体 输出:CMOS,PECL 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：1 封装/外壳:16-SSOP |
| 未分类 | FS7140-01G-XTP | ON(安森美) | FET类型:PLL 时钟发生器 PLL:是 输入:晶体 输出:CMOS,PECL 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:2：1 差分-输入:输出:无/是 频率-最大值:400MHz 分频器/倍频器:是/无 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC 差分 - 输入:输出:无/是 频率 - 最大值:400MHz 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 比率 - 输入:输出:2：1 |
| 未分类 | NB3N508SDTG | ON(安森美) | 系列:PureEdge™ FET类型:时钟发生器 PLL:是 输入:晶体 输出:M-LVDS 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 差分-输入:输出:无/是 频率-最大值:216MHz 分频器/倍频器:是/无 电压-电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-TSSOP 频率 - 最大值:216MHz 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 比率 - 输入:输出:1：1 差分 - 输入:输出:无/是 |
| 未分类 | ASM3P2108AF-08SR | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:45MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:频率调制器,扩展频谱时钟发生器 PLL:是 输入:晶体 输出:CMOS,TTL 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | ASM3P2107AF-08SR | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:22MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:频率调制器,扩展频谱时钟发生器 PLL:是 输入:晶体 输出:CMOS,TTL 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | P1819BF-08SR | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:40MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:扇出配送,频率调制器,扩展频谱时钟发生器 PLL:是 输入:时钟,晶体 输出:CMOS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：2 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | P1819BF-08TR | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:40MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) FET类型:扇出配送,频率调制器,扩展频谱时钟发生器 PLL:是 输入:时钟,晶体 输出:CMOS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：2 封装/外壳:8-TSSOP |
| 未分类 | P1P8160AG-10CR | ON(安森美) | 频率 - 最大值:27MHz 分频器/倍频器:无/无 电压 - 电源:2.97 V ~ 3.63 V 工作温度:-10°C ~ 85°C 封装/外壳:10-WFDFN 裸露焊盘 PLL:带旁路 输入:LVCMOS,晶体 输出:LVCMOS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：2 差分 - 输入:输出:无/无 封装/外壳:10-WDFN(3x3) |
| 未分类 | MC10E196FNR2G | ON(安森美) | 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:28-LCC(J 形引线) 抽头/步数:128 功能:可编程 延迟到第一抽头:1.39ns 抽头增量:20ps 可用总延迟:1.39ns ~ 3.63ns 独立延迟数:1 Ohms 电压 - 电源:4.2 V ~ 5.7 V |
| 未分类 | MC10E196FNG | ON(安森美) | 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:28-LCC(J 形引线) 抽头/步数:128 功能:可编程 延迟到第一抽头:1.39ns 抽头增量:20ps 可用总延迟:1.39ns ~ 3.63ns 独立延迟数:1 Ohms 电压 - 电源:4.2 V ~ 5.7 V 封装/外壳:28-PLCC(11.51x11.51) |
| 未分类 | MC10E195FNR2G | ON(安森美) | 系列:10E 抽头/步数:128 功能:可编程 延迟到第一抽头:1.39ns 抽头增量:20ps 可用总延迟:1.39ns ~ 3.63ns 独立延迟数:1 Ohms 电压-电源:4.2 V ~ 5.7 V 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:28-PLCC(11.51x11.51) 封装/外壳:28-LCC(J 形引线) 电压 - 电源:4.2 V ~ 5.7 V |
| 未分类 | NB6L572MMNG | ON(安森美) | 频率 - 最大值:6GHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器,变换器 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:4：2 差分 - 输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:CML 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | NB6L572MMNR4G | ON(安森美) | FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器,变换器 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:4：2 差分-输入:输出:是/是 输入:CML,LVDS,LVPECL 输出:CML 频率-最大值:6GHz 电压-电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-QFN(5x5) 频率 - 最大值:6GHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 比率 - 输入:输出:4：2 差分 - 输入:输出:是/是 |
| 未分类 | MC10EP33DR2G | ON(安森美) | 触发器类型:正,负 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 逻辑类型:除以 4 元件数:1 Ohms 复位:异步 计数速率:4GHz 每元件位数:1 Ohms 电压 - 电源:3V ~ 5.5V 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | P2I2305NZG-08SR | ON(安森美) | FET类型:扇出缓冲器(分配) 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：5 差分-输入:输出:无/无 输出:CMOS 频率-最大值:133.33MHz 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 频率 - 最大值:133.33MHz 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 比率 - 输入:输出:1：5 差分 - 输入:输出:无/无 输入:CMOS |
| 未分类 | NB3L853141DTR2G | ON(安森美) | FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:2：5 差分-输入:输出:是/是 输入:HCSL,LVCMOS,LVDS,LVHSTL,LVPECL,LVTTL,SSTL 输出:LVPECL 频率-最大值:700MHz 电压-电源:2.375 V ~ 3.8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP 频率 - 最大值:700MHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.8 V 封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 比率 - 输入:输出:2：5 差分 - 输入:输出:是/是 |
| 未分类 | NB3N51034DTG | ON(安森美) | 频率 - 最大值:200MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) PLL:是 输入:时钟,晶体 输出:HCSL,LVDS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：4 差分 - 输入:输出:无/是 封装/外壳:20-TSSOP |
| 未分类 | NB3N51034DTR2G | ON(安森美) | 频率 - 最大值:200MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) PLL:是 输入:时钟,晶体 输出:HCSL,LVDS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：4 差分 - 输入:输出:无/是 封装/外壳:20-TSSOP |
| 未分类 | NB3N51054DTR2G | ON(安森美) | 频率 - 最大值:100MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) PLL:是 输入:时钟,晶体 输出:HCSL,LVDS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：4 差分 - 输入:输出:无/是 封装/外壳:24-TSSOP |
| 未分类 | NB3N51044DTR2G | ON(安森美) | 频率 - 最大值:125MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) PLL:带旁路 输入:时钟,晶体 输出:HCSL,LVDS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：4 差分 - 输入:输出:无/是 封装/外壳:28-TSSOP |
| 未分类 | NB3N51032DTR2G | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/是 频率 - 最大值:200MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) FET类型:时钟发生器 PLL:是 输入:时钟,晶体 输出:HCSL,LVDS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：2 封装/外壳:16-TSSOP |
| 未分类 | LC72121MA-AH | ON(安森美) | 频率 - 最大值:160MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-SOP(0.236",6.00mm 宽) PLL:是 输入:晶体 输出:时钟 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 差分 - 输入:输出:无/无 封装/外壳:24-MFPSJ |
| 未分类 | NB3U23CSQTCG | ON(安森美) | 输入信号:CMOS 输出类型:非反相 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 转换器类型:混合信号 FET类型:单向 电路数:1 Ohms 每个电路的通道数:2 输出信号:CMOS 封装/外壳:SC-70-6 |
| 未分类 | NB3L02FCT2G | ON(安森美) | 频率 - 最大值:52MHz 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-XFBGA,WLCSP FET类型:扇出缓冲器(分配) 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：2 差分 - 输入:输出:无/无 输入:时钟 输出:时钟 封装/外壳:6-WLCSP(1.14x0.74) |
| 未分类 | I2811BF-08SR | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:40MHz 分频器/倍频器:是/是 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) PLL:是 输入:CMOS,TTL 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出:CMOS,TTL 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | NB3M8T3910GMNR2G | ON(安森美) | FET类型:扇出缓冲器(分配),多路复用器 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:3：10 差分-输入:输出:是/是 输入:HCSL,LVDS,LVPECL,SSTL,晶体 输出:HCSL,LVCMOS,LVDS,LVPECL 频率-最大值:1.4GHz 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-QFN(7x7) 频率 - 最大值:1.4GHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.465 V 封装/外壳:48-VFQFN 裸露焊盘 比率 - 输入:输出:3：10 差分 - 输入:输出:是/是 |
| 未分类 | NB3M8304CDG | ON(安森美) | 频率 - 最大值:200MHz 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:扇出缓冲器(分配) 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：4 差分 - 输入:输出:无/无 输入:LVCMOS,LVTTL 输出:LVCMOS,LVTTL 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | FS6377-01G-XTP | ON(安森美) | FET类型:PLL 时钟发生器 PLL:是 输入:晶体 输出:CMOS 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：4 差分-输入:输出:无/无 频率-最大值:230MHz 分频器/倍频器:是/无 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:230MHz 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 比率 - 输入:输出:1：4 |
| 未分类 | FS6377-01G-XTD | ON(安森美) | FET类型:PLL 时钟发生器 PLL:是 输入:晶体 输出:CMOS 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：4 差分-输入:输出:无/无 频率-最大值:230MHz 分频器/倍频器:是/无 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:230MHz 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 比率 - 输入:输出:1：4 |
| 未分类 | NB3N1200KMNG | ON(安森美) | 频率 - 最大值:133MHz 分频器/倍频器:无/无 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:64-VFQFN 裸露焊盘 PLL:带旁路 输入:时钟 输出:HCSL 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：12 差分 - 输入:输出:是/是 封装/外壳:64-QFN(9x9) |
| 未分类 | MC10EL89DR2G | ON(安森美) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:驱动器 驱动器/接收器数:1/0 电压 - 电源:4.2 V ~ 5.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | MC10EP89DG | ON(安森美) | 系列:10EP FET类型:驱动器 驱动器/接收器数:1/0 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | MC10EP89DR2G | ON(安森美) | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:驱动器 驱动器/接收器数:1/0 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | NB6L295MMNG | ON(安森美) | 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘 抽头/步数:512 功能:多重,可编程 延迟到第一抽头:3.2ns,6.2ns 抽头增量:11ps 可用总延迟:3.2ns ~ 8.5ns,6.2ns ~ 16.6ns 独立延迟数:2 |
| 未分类 | NB6L295MNTXG | ON(安森美) | 抽头/步数:512 功能:多重,可编程 延迟到第一抽头:3.2ns,6.2ns 抽头增量:11ps 可用总延迟:3.2ns ~ 8.5ns,6.2ns ~ 16.6ns 独立延迟数:2 电压-电源:2.375 V ~ 3.6 V 工作温度:-45°C ~ 85°C 封装/外壳:24-QFN(4x4) 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.6 V 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘 |
| 未分类 | NB6L239MN | ON(安森美) | 频率 - 最大值:3GHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:时钟除法器 PLL:无 输入:CML,HSTL,LVDS,LVPECL 输出:LVPECL 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：2 差分 - 输入:输出:是/是 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | MC10EP195FAR2G | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-LQFP 抽头/步数:1024 功能:可编程 延迟到第一抽头:2.2ns 抽头增量:10ps 可用总延迟:2.2ns ~ 12.2ns 独立延迟数:1 Ohms 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-LQFP(7x7) |
| 未分类 | MC100EP195MNG | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 抽头/步数:1024 功能:可编程 延迟到第一抽头:2.2ns 抽头增量:10ps 可用总延迟:2.2ns ~ 12.2ns 独立延迟数:1 Ohms 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | MC100EP195FAG | ON(安森美) | 系列:100EP 抽头/步数:1024 功能:可编程 延迟到第一抽头:2.2ns 抽头增量:10ps 可用总延迟:2.2ns ~ 12.2ns 独立延迟数:1 Ohms 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-LQFP 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V |
| 未分类 | MC100EP17DTR2G | ON(安森美) | 逻辑类型:差分接收器/驱动器 电压:3V~5.5V 位数:4 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 封装/外壳:20-TSSOP |
| 未分类 | MC100EP40DTG | ON(安森美) | 系列:100EP FET类型:相频探测器 PLL:是 输入:NECL,PECL 输出:ECL 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：2 差分-输入:输出:是/是 频率-最大值:2GHz 分频器/倍频器:无/无 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-TSSOP 频率 - 最大值:2GHz 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 比率 - 输入:输出:1：2 差分 - 输入:输出:是/是 |
| 未分类 | NB6N239SMN | ON(安森美) | 频率 - 最大值:3GHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:时钟除法器 PLL:无 输入:CML,HSTL,LVDS,LVPECL 输出:LVDS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：2 差分 - 输入:输出:是/是 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
| 未分类 | FS7140-02G-XTP | ON(安森美) | FET类型:PLL 时钟发生器 PLL:是 输入:晶体 输出:CMOS,PECL 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:2：1 差分-输入:输出:无/是 频率-最大值:400MHz 分频器/倍频器:是/无 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SSOP 差分 - 输入:输出:无/是 频率 - 最大值:400MHz 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:16-SSOP(0.209",5.30mm 宽) 比率 - 输入:输出:2：1 |
| 未分类 | FS6377-01IG-XTP | ON(安森美) | FET类型:PLL 时钟发生器 PLL:是 输入:晶体 输出:CMOS 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：4 差分-输入:输出:无/无 频率-最大值:230MHz 分频器/倍频器:是/无 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:230MHz 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 比率 - 输入:输出:1：4 |
| 未分类 | FS6377-01IG-XTD | ON(安森美) | FET类型:PLL 时钟发生器 PLL:是 输入:晶体 输出:CMOS 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：4 差分-输入:输出:无/无 频率-最大值:230MHz 分频器/倍频器:是/无 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:230MHz 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 比率 - 输入:输出:1：4 |
| 未分类 | MCH12140DR2G | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/是 频率 - 最大值:800MHz 分频器/倍频器:无/无 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:相频探测器 PLL:无 输入:ECL 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：2 输出:ECL 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | NB2305AI1DR2 | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:133MHz 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:零延迟缓冲器 PLL:是 输入:CMOS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：5 输出:CMOS 分频器/倍频器:无/无 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | NB2305AI1DG | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:133MHz 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:零延迟缓冲器 PLL:是 输入:CMOS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：5 输出:CMOS 分频器/倍频器:无/无 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | FS6370-01G-XTP | ON(安森美) | 差分 - 输入:输出:无/无 频率 - 最大值:230MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:PLL 时钟发生器 PLL:是 输入:晶体 输出:CMOS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：4 封装/外壳:16-SOIC |
| 未分类 | MC10EL34DR2G | ON(安森美) | 频率 - 最大值:1.1GHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:4.2 V ~ 5.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) FET类型:时钟发生器 PLL:无 输入:NECL,PECL 输出:ECL 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：3 差分 - 输入:输出:是/是 封装/外壳:16-SOIC |
| 未分类 | MC100LVEL40DWG | ON(安森美) | 频率 - 最大值:250MHz 分频器/倍频器:无/无 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) FET类型:相频探测器 PLL:无 输入:CML,LVDS,NECL,PECL 输出:ECL 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：3 差分 - 输入:输出:是/是 封装/外壳:20-SOIC |
| 未分类 | PCS3P25811AG08SR | ON(安森美) | PLL:是 输入:LVCMOS,晶体 输出:LVCMOS 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 差分-输入:输出:无/无 频率-最大值:32MHz 分频器/倍频器:是/无 电压-电源:2.8 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-SOIC 频率 - 最大值:32MHz 电压 - 电源:2.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 比率 - 输入:输出:1：1 差分 - 输入:输出:无/无 |
| 未分类 | NB3L553MNR4G | ON(安森美) | FET类型:扇出缓冲器(分配) 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：4 差分-输入:输出:无/无 输出:LVCMOS,LVTTL 频率-最大值:200MHz 电压-电源:2.375 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DFN 频率 - 最大值:200MHz 电压 - 电源:2.375 V ~ 5.25 V 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 比率 - 输入:输出:1：4 差分 - 输入:输出:无/无 输入:LVCMOS,LVTTL |
| 未分类 | MC100EP11MNTAG | ON(安森美) | 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配) 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：2 差分 - 输入:输出:是/是 输入:ECL,PECL 频率 - 最大值:3GHz 输出:ECL,PECL 封装/外壳:8-DFN(2x2) |
| 未分类 | MC100EP11DG | ON(安森美) | 系列:100EP FET类型:扇出缓冲器(分配) 电路数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：2 差分-输入:输出:是/是 输出:ECL,PECL 频率-最大值:3GHz 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 比率 - 输入:输出:1：2 差分 - 输入:输出:是/是 输入:ECL,PECL 频率 - 最大值:3GHz |
| 未分类 | MC100LVEP210MNG | ON(安森美) | 电压 - 电源:2.375 V ~ 3.8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 FET类型:扇出缓冲器(分配) 电路数:2 比率 - 输入:输出:1：5 差分 - 输入:输出:是/是 输入:ECL,HSTL,LVDS,PECL 输出:ECL,PECL 频率 - 最大值:3GHz 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 未分类 | CAT5114LI-10-G | ON(安森美) | 圆锥:线性 配置:电位计 电路数:1 Ohms 抽头数:32 电阻:10K Ohms 接口:上/下(U/D,INC,CS) 存储器类型:非易失 电压 - 电源:2.5 V ~ 6 V 偏差:±20% 温度系数（典型值）:300 ppm/°C 电阻 - 游标（欧姆）（典型值）:150 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP 封装/外壳:8-PDIP |