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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | NCP692MN50T2G | ON(安森美) | 电流 - 限制（最小值）:1.1A 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:5V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:0.12V @ 1A 电压 - 输入:最高 6V 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:6V 电压 - 输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.21V @ 1A 电流 - 静态（Iq):200µA 电流 - 电源（最大值）:240µA 控制特性:使能 保护功能:超温,短路 封装/外壳:6-DFN(3x3) |
| 未分类 | NCP7805TG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1A 电流-电源:8mA PSRR:75dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:5V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:2V @ 1A 电压 - 输入:7 V ~ 35 V |
| 未分类 | MC78L09ABDG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:30V 电压 - 输出（最小值/固定）:9V 电流 - 输出:100mA 电流 - 静态（Iq):6mA PSRR:57dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | LP2950CZ-3.3G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:0.45V @ 100mA 电流-输出:100mA 电流-电源:120µA ~ 12mA 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 |
| 未分类 | NCP508SQ15T1G | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.5V 电流 - 输出:50mA 电压 - 跌落（典型值）:0.18V @ 50mA 电压 - 输入:最高 7V |
| 未分类 | MC7924BTG | ON(安森美) | 输出配置:负 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:-40V 电压 - 输出（最小值/固定）:-24V 压降（最大值）:1.3V @ 1A(标准) 电流 - 输出:1A PSRR:56dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB |
| 集成电路(芯片) | NCV5662DSADJR4G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:可调式 电压-输入（最大值）:9V 电压-输出（最小值/固定）:0.9V 电压-输出（最大值）:7.7V 压降（最大值）:1.3V @ 2A 电流-输出:2A PSRR:70dB ~ 65dB(120Hz ~ 1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:D2PAK-5 电流-电源:3mA |
| 集成电路(芯片) | NCP502SQ33T2G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:12V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:1.2V @ 80mA 电流-输出:80mA 电流-电源:1µA ~ 90µA PSRR:55dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SC-88A(SC-70-5 / SOT-353) |
| 集成电路(芯片) | MC78M05CDTT5G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:5V 电流-输出:500mA PSRR:80dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:DPAK-3 |
| 集成电路(芯片) | LM317MADTRKG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:可调式 电压-输入（最大值）:40V 电压-输出（最小值/固定）:1.2V 电压-输出（最大值）:37V 电流-输出:500mA 电流-电源:10mA PSRR:80dB ~ 65dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:DPAK-3 |
| 未分类 | NCP508SQ33T1G | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3.3V 电流 - 输出:50mA 电压 - 跌落（典型值）:0.18V @ 50mA 电压 - 输入:最高 7V |
| 未分类 | LM317LZRPG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:可调式 电压 - 输入（最大值）:40V 电压 - 输出（最小值/固定）:1.2V 电压 - 输出（最大值）:37V 电流 - 输出:100mA 电流 - 静态（Iq):10mA PSRR:80dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 未分类 | NCP1117LPST15T3G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:18V 电压-输出（最小值/固定）:1.5V 压降（最大值）:1.4V @ 1A 电流-输出:1A 电流-电源:700µA PSRR:60dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-223 电流 - 限制（最小值）:1.1A 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.5V 电流 - 输出:1A 电压 - 跌落（典型值）:1.3V @ 1A 电压 - 输入:最高 18V |
| 集成电路(芯片) | LP2950ACZ-3.0G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:3V 压降（最大值）:0.45V @ 100mA 电流-输出:100mA 电流-电源:120µA ~ 12mA 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 |
| 未分类 | MC78M05ABTG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:35V 电压 - 输出（最小值/固定）:5V 电流 - 输出:500mA PSRR:80dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB |
| 集成电路(芯片) | LP2951ACD-3.3G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:0.45V @ 100mA 电流-输出:100mA 电流-电源:120µA ~ 12mA 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | NCV33375ST3.3T3G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:13V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:0.5V @ 300mA 电流-输出:300mA 电流-电源:200µA PSRR:75dB(120Hz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-223 |
| 集成电路(芯片) | NCV317LBDR2G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:可调式 电压-输入（最大值）:40V 电压-输出（最小值/固定）:1.2V 电压-输出（最大值）:37V 电流-输出:100mA 电流-电源:10mA PSRR:80dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | NCP551SN30T1G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:12V 电压-输出（最小值/固定）:3V 压降（最大值）:0.15V @ 10mA 电流-输出:150mA 电流-电源:1µA ~ 8µA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:5-TSOP 封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:3V 电流 - 输出:150mA 电压 - 跌落（典型值）:0.04V @ 10mA 电压 - 输入:最高 12V |
| 未分类 | MC33275D-5.0G | ON(安森美) | 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:5V 电流 - 输出:300mA 电压 - 跌落（典型值）:0.26V @ 300mA 电压 - 输入:最高 13V 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:13V 电压 - 输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.5V @ 300mA 电流 - 静态（Iq):200µA PSRR:75dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | NCV2951CDR2G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:可调(固定) 电压-输出（最小值/固定）:1.235V (5V) 电压-输出（最大值）:30V 压降（最大值）:0.45V @ 100mA 电流-输出:100mA 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MC78M18BTG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:18V 电流-输出:500mA PSRR:70dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 未分类 | NCP630AD2TG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:可调式 电压-输入（最大值）:12V 电压-输出（最小值/固定）:1.216V 电压-输出（最大值）:10.75V 压降（最大值）:1.25V @ 3A 电流-输出:3A 电流-电源:1mA ~ 2mA PSRR:85dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:D2PAK-5 电流 - 限制（最小值）:3A 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA 稳压器拓扑:正,可调式 电压 - 输出:可调至 1.2V 电压 - 跌落（典型值）:1V @ 3A 电压 - 输入:最高 12V |
| 未分类 | NCP502SQ35T2G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:12V 电压 - 输出（最小值/固定）:3.5V 压降（最大值）:1.2V @ 80mA 电流 - 输出:80mA 电流 - 静态（Iq):1µA 电流 - 电源（最大值）:90µA PSRR:55dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 封装/外壳:SC-88A(SC-70-5/SOT-353) |
| 集成电路(芯片) | NCV4274AST33T3G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:40V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:1.27V @ 250mA 电流-输出:400mA 电流-电源:250µA ~ 45mA PSRR:60dB(100Hz) 保护功能:超温,反极性,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-223 |
| 集成电路(芯片) | MC78LC40NTRG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:12V 电压-输出（最小值/固定）:4V 压降（最大值）:0.038V @ 1mA 电流-输出:80mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:5-TSOP 电流-电源:3.6µA |
| 未分类 | NCP511SN28T1G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:6V 电压 - 输出（最小值/固定）:2.8V 压降（最大值）:0.2V @ 100mA 电流 - 输出:150mA 电流 - 静态（Iq):1µA 电流 - 电源（最大值）:100µA PSRR:50dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 封装/外壳:5-TSOP |
| 未分类 | LM2931D2T-5.0G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:40V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.6V @ 100mA 电流-输出:100mA PSRR:90dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:5V 电流 - 输出:100mA 电压 - 跌落（典型值）:0.16V @ 100mA 电压 - 输入:最高 40 V |
| 集成电路(芯片) | MC7915BD2TR4G | ON(安森美) | 输出配置:负 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:-35V 电压-输出（最小值/固定）:-15V 压降（最大值）:1.3V @ 1A(标准) 电流-输出:1A PSRR:60dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:D2PAK-3 |
| 集成电路(芯片) | MC78M12ABDTRKG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:12V 电流-输出:500mA PSRR:80dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:DPAK-3 |
| 集成电路(芯片) | MC78L12ACPRAG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:12V 电流-输出:100mA PSRR:42dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 |
| 集成电路(芯片) | NCV8535MNADJR2G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:可调式 电压-输入（最大值）:12V 电压-输出（最小值/固定）:1.25V 电压-输出（最大值）:10V 压降（最大值）:0.34V @ 500mA 电流-输出:500mA 电流-静态:190µA 电流-电源（最大值）:14mA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:10-DFN(3x3) 电流-电源:190µA ~ 14mA |
| 未分类 | NCP1117DT25RKG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:20V 电压-输出（最小值/固定）:2.5V 压降（最大值）:1.2V @ 800mA 电流-输出:1A 电流-电源:10mA PSRR:68dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:DPAK-3 电流 - 限制（最小值）:1A 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:2.5V 电压 - 跌落（典型值）:1.07V @ 800mA 电压 - 输入:最高 20V |
| 集成电路(芯片) | NCP606MN18T2G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:6V 电压-输出（最小值/固定）:1.8V 压降（最大值）:0.3V @ 500mA 电流-输出:500mA 电流-电源:180µA 控制特性:使能 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:6-DFN(3.3x3) |
| 集成电路(芯片) | LP2950ACZ-5.0RAG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.45V @ 100mA 电流-输出:100mA 电流-静态:120µA 电流-电源（最大值）:12mA 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 电流-电源:120µA ~ 12mA |
| 未分类 | NCP606MN25T2G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:6V 电压-输出（最小值/固定）:2.5V 压降（最大值）:0.25V @ 500mA 电流-输出:500mA 电流-电源:180µA 控制特性:使能 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:6-DFN |
| 未分类 | NCV4276BDT50RKG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:45V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.5V @ 250mA 电流-输出:400mA 电流-电源:200µA ~ 35mA PSRR:70dB(100Hz) 控制特性:使能 保护功能:超温,反极性,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:DPAK-5 电流 - 限制（最小值）:400mA 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:5V 电压 - 跌落（典型值）:0.25V @ 250mA 电压 - 输入:最高 40 V |
| 集成电路(芯片) | NCV59152MNADJTYG | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:可调式 电压-输入（最大值）:13.5V 电压-输出（最小值/固定）:1.24V 电压-输出（最大值）:13V 压降（最大值）:0.5V @ 1.5A 电流-输出:1.5A 电流-电源:80mA 控制特性:使能,错误标志 保护功能:过流,超温,反极性 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-DFN(4x4) |
| 未分类 | CNY17F4TVM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.400",10.16mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | CNY17F3M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | CNY17F4SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY17F3VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | CNY17F3SR2VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY17F3M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 晶体管输出光耦 | CNY17F2TVM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | CNY17F2SR2VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY17F2SM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY17F1VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | CNY17F1SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY174VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | CNY174SR2VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY174SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY174SM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY174M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | CNY173VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | CNY173SR2VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY173SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY173SM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY173M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | CNY172VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | CNY172SVM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY172SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY172M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | CNY171SR2VM | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY171SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD |
| 未分类 | CNY171M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:40% @ 10mA 电流传输比（最大值）:80% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:4µs,3.5µs(最大) 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 封装/外壳:6-DIP |
| 未分类 | NCP603SNADJT1G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:可调式 电压-输入（最大值）:6V 电压-输出（最小值/固定）:1.25V 电压-输出（最大值）:5V 压降（最大值）:0.48V @ 300mA 电流-输出:300mA 电流-电源:180µA PSRR:62dB ~ 38dB(120Hz ~ 10kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,瞬态电压 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:5-TSOP 电流 - 限制（最小值）:300mA 封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 稳压器拓扑:正,可调式 电压 - 输出:1.25 V ~ 5 V 电压 - 跌落（典型值）:0.375V @ 300mA 电压 - 输入:1.75 V ~ 6 V |
| 未分类 | CAT4238TD | ON(安森美) | 安装:SMD 封装/外壳:SOT23-5 电压:2.8...5.5VDC 输出电压:38V 输出电流:0.45A 通道数量:1 Ohms 集成电路种类:LED 控制器 集成电路类型:driver |
| 未分类 | CAT4201TD-GT3 | ON(安森美) | FET类型:DC DC 稳压器 拓扑:降压 内部开关:是 输出数:1 Ohms 电压-供电（最低）:6.5V 电压-输出:36V 电流-输出/通道:350mA 频率:50kHz ~ 1MHz 调光:模拟 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:TSOT-23-5 电压 - 输出:36V 电流 - 输出/通道:350mA 封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 拓扑:降压(降压) 电压 - 供电（最低）:6.5V |
| 集成电路(芯片) | CAT4101TV-T75 | ON(安森美) | FET类型:线性 内部开关:是 输出数:1 Ohms 电压-供电（最低）:3V 电压- 供电（最高）:5.5V 电压-输出:25V 电流-输出/通道:1A 调光:PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TO-263-5 |
| 未分类 | CAT25512VI-GT3 | ON(安森美) | 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 时钟频率:20MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 格式 - 存储器:EEPROM 速度:20MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
| 未分类 | BZX85C9V1 | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 偏差:±6% 功率:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 6.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) |
| 未分类 | BZX85C6V2 | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 偏差:±6% 功率:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) |
| 未分类 | BZX85C5V6 | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 偏差:±7% 功率:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) |
| 未分类 | BZX85C5V1 | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 偏差:±6% 功率:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) |
| 未分类 | BZX85C18 | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 偏差:±6% 功率:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 12.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) |
| 未分类 | BZX85C12 | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 偏差:±5% 功率:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) |
| 未分类 | BZX85C11 | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 偏差:±5% 功率:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84C9V1LT1G | ON(安森美) | 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:9.1V 齐纳阻抗Zzt:15 Ohms 容差:±6% 功率:250mW 工作温度:-65℃~150℃ 反向漏电流Ir:500nA @ 6V |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84C8V2LT1G | ON(安森美) | 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:8.2V 齐纳阻抗Zzt:15 Ohms 容差:±6% 功率:250mW 工作温度:-65℃~150℃ 反向漏电流Ir:700nA @ 5V |
| 未分类 | BZX84C6V8LT1G | ON(安森美) | 偏差:±6% Power-Max:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:2µA @ 4V 不同If时的电压-正向（Vf）:900mV @ 10mA 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 稳压电压(标称值)VZT_Nom:6.8V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84C4V7LT1G | ON(安森美) | 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:4.7V 齐纳阻抗Zzt:80 Ohms 容差:±6% 功率:250mW 工作温度:-65℃~150℃ 反向漏电流Ir:3uA @ 2V |
| 未分类 | BZX84C47LT1G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±6% 阻抗（最大值）（Zzt）:170 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:50nA @ 32.9V 不同If时的电压-正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 稳压电压(标称值)VZT_Nom:47V |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84C3V9LT1G | ON(安森美) | 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:3.9V 齐纳阻抗Zzt:90 Ohms 容差:±6% 功率:250mW 工作温度:-65℃~150℃ 反向漏电流Ir:3uA @ 1V |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84C3V3LT1G | ON(安森美) | 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:3.3V 齐纳阻抗Zzt:95 Ohms 容差:±6% 功率:250mW 工作温度:-65℃~150℃ 反向漏电流Ir:5uA @ 1V |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84C33LT1G | ON(安森美) | 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:33V 齐纳阻抗Zzt:80 Ohms 容差:±6% 功率:250mW 工作温度:-65℃~150℃ 反向漏电流Ir:50nA @23.1V |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84C2V7LT1G | ON(安森美) | 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:2.7V 齐纳阻抗Zzt:100 Ohms 容差:±6% 功率:250mW 工作温度:-65℃~150℃ 反向漏电流Ir:20uA @ 1V |
| 未分类 | BZX84C2V4LT1G | ON(安森美) | 偏差:±8% 阻抗（最大值）（Zzt）:100 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:50µA @ 1V 不同If时的电压-正向（Vf）:900mV @ 10mA 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 稳压电压(标称值)VZT_Nom:2.4V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA |
| 未分类 | BZX84C27LT1G | ON(安森美) | 偏差:±7% 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同If时的电压-正向（Vf）:900mV @ 10mA 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 稳压电压(标称值)VZT_Nom:27V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohm 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 18.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84C24LT1G | ON(安森美) | 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:24V 齐纳阻抗Zzt:70 Ohms 容差:±6% 功率:250mW 工作温度:-65℃~150℃ 反向漏电流Ir:50nA @ 16.8V |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84C16 | ON(安森美) | |
| 未分类 | BZX84C15LT1G | ON(安森美) | 偏差:±6% 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流:50nA @ 10.5V 不同If时的电压-正向（Vf）:900mV @ 10mA 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 稳压电压(标称值)VZT_Nom:15V |
| 稳压(齐纳)二极管 | BZX84C13LT1G | ON(安森美) | 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:13V 齐纳阻抗Zzt:30 Ohms 容差:±6% 功率:250mW 工作温度:-65℃~150℃ 反向漏电流Ir:100nA @ 8V |
| 未分类 | BZX79C6V2 | ON(安森美) | |
| 未分类 | BZX79C4V7 | ON(安森美) | |
| 未分类 | BZX79C3V3 | ON(安森美) | |
| 未分类 | BZX79C15 | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:15V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 10.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 |
| 未分类 | BZX79C12 | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 |
| 未分类 | BZX79C10 | ON(安森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 |
| 未分类 | BYW80-200G | ON(安森美) | 系列:SWITCHMODE™ 二极管类型:标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）:200V 电流-平均整流（Io）:8A 不同If时的电压-正向（Vf）:1.25V @ 22A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流:10µA @ 200V 封装/外壳:TO-220-2 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 22A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 200V |