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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 晶体管输出光耦 | VOL617A-3X001T | Vishay(威世) | 系列:VO 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:200% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.16V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-LSOP |
| 晶体管输出光耦 | VO615A-9X017T | Vishay(威世) | 系列:VO 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.43V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | TCMT4100 | Vishay(威世) | 系列:TCM 通道数:4 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SOP |
| 晶体管输出光耦 | TCMT1107 | Vishay(威世) | 系列:TCM 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:9.5µs,8.5µs 上升/下降时间（典型值）:5.5µs,7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1002 | Vishay(威世) | 系列:TCL 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | SFH6156-4T | Vishay(威世) | 系列:SFH 高度:3.81 mm 长度:4.83 mm 宽度:6.81 mm Vf-正向电压:1.65 V 功率:3/20W 通道数量:1 Channel Vr-反向电压:6 V 绝缘电压:5300 Vrms If-正向电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 电流传递比:320% 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | SFH6156-4 | Vishay(威世) | 系列:SFH 功率:3/20W |
| 晶体管输出光耦 | SFH6156-2T | Vishay(威世) | 系列:SFH 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | CNY65B | Vishay(威世) | 系列:CNY 通道数:1 Ohms 电压-隔离:13900VDC 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2.4µs,2.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:32V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:75mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 85°C 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | 4N32 | Vishay(威世) | 系列:4N 功率:1/4W |
| 晶体管输出光耦 | 4N25 | Vishay(威世) | 系列:4N 电压-隔离:5000Vrms 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 工作温度:-55°C ~ 100°C 通道数:1 Ohms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:500mV 封装/外壳:6-DIP |
| 晶体管输出光耦 | TLP785(GB-TP6,F(C | Toshiba(东芝) | 系列:TLP 封装/外壳:SOP4 |
| 晶体管输出光耦 | TLP785(BLL-TP6,F(C | Toshiba(东芝) | 系列:TLP |
| 晶体管输出光耦 | TLP293E-4 | Toshiba(东芝) | 系列:TLP |
| 晶体管输出光耦 | TLP293E | Toshiba(东芝) | 系列:TLP |
| 晶体管输出光耦 | TLP291-4(GB-TP,E) | Toshiba(东芝) | 系列:TLP 通道数:4 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:16-SO |
| 晶体管输出光耦 | TLP291(GB-TP,SE(T | Toshiba(东芝) | 系列:TLP 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SO |
| 晶体管输出光耦 | TLP290GB-TPEO ，SOP-4 | Toshiba(东芝) | 系列:TLP |
| 晶体管输出光耦 | TLP290GB | Toshiba(东芝) | 系列:TLP |
| 晶体管输出光耦 | TLP290BL | Toshiba(东芝) | 系列:TLP |
| 晶体管输出光耦 | 4N32 | Vishay(威世) | 系列:4N 功率:1/4W |
| 晶体管输出光耦 | 4N25 | Vishay(威世) | 系列:4N 电压-隔离:5000Vrms 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 工作温度:-55°C ~ 100°C 通道数:1 Ohms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:500mV 封装/外壳:6-DIP |
| 晶体管输出光耦 | 4N35S-TA1 | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3550Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:DC 电压-输出（最大值）:30V 电流-输出/通道:100mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 电压 - 隔离:3550Vrms 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:100mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 封装/外壳:6-SMD If - 正向电流:10mA 功率:7/20W Vf - 正向电压:1.5V Vr - 反向电压:6V 上升时间:10us 下降时间:10us 宽度:6.5mm 封装/外壳:PDIP-6GullWing 最大集电极/发射极电压:30V 最大集电极/发射极饱和电压:0.3V 最大集电极电流:100mA 电流传递比:100% 绝缘电压:3550Vrms 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel 配置:1Channel 长度:7.3mm 高度:3.5mm |
| 晶体管输出光耦 | 4N32 | ISOCOM | 安装类型:表面安装 输出设备:光电晶体管 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:DIP 输入电流类型:直流 典型上升时间:5µs 最大输入电流:80 mA 隔离电压:5.3 KVrms,7500 V Pk 典型下降时间:100µs 系列:4N32 |
| 晶体管输出光耦 | 4N25SR2M | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:4170Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 晶体管输出光耦 | MOC3083-V | Lite-On(光宝) | 系列:MOC 输出类型:Triac 过零电路:是 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4170Vrms 电压-断态:800V 静态dV/dt（最小值）:600V/µs 电流-LED触发器（Ift）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）:500µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-DIP 认可:IEC/EN/DIN,UL 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | LTV-T350S-TA1 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:7.62*9.68 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-M456 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 封装/外壳:SO-6 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | LTV-852S-TP | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 封装/外壳:SOP4 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | LTV-852 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 1mA 电流传输比（最大值）:15000% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:100µs,20µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-输出/通道:150mA 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:1.2V 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | LTV-847S | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 高度:3.5 mm 长度:19.84 mm 宽度:6.5 mm Vf-正向电压:1.4 V 上升时间:18 us 功率:1/5W 通道数量:4 Channel Vr-反向电压:6 V 绝缘电压:5000 Vrms 最大集电极电流:50 mA 电流传递比:600% 最大集电极/发射极电压:35 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V 通道数:4 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:16-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-847 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:4 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:16-DIP |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817X-D | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:35V 封装/外壳:7.62*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817X-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:7.62*4.0 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817X-B | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:3V 封装/外壳:7.62*4.2 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817X-A | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 封装/外壳:DIP-4 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-TA1-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV Vf-正向电压:1.4 V Vr-反向电压:6 V If-正向电流:20 mA 电流传递比:400% 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD If - 正向电流:20mA 功率:1/5W Vf - 正向电压:1.4V Vr - 反向电压:6V 上升时间:18us 下降时间:18us 最大集电极/发射极电压:35V 最大集电极/发射极饱和电压:0.2V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:5000Vrms 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-TA1-B-CU | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:80V 封装/外壳:7.62*6.5 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-TA1-B | Lite-On(光宝) | 系列:LTV Vf-正向电压:1.4 V Vr-反向电压:6 V If-正向电流:20 mA 电流传递比:260% 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD If - 正向电流:20mA 功率:1/5W Vf - 正向电压:1.4V Vr - 反向电压:6V 上升时间:18us 下降时间:18us 最大集电极/发射极电压:35V 最大集电极/发射极饱和电压:0.2V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:5000Vrms 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-TA1-A | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817M-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:80V 封装/外壳:7.6*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817M-B | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:80V 封装/外壳:7.62*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817-D | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817-CN | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 封装/外壳:DIP-4 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP 电压 - 隔离:5000Vrms 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817-B | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP 电压 - 隔离:5000Vrms 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817-A | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816X-D3-TX | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:3V 封装/外壳:7.62*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816X-D | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 封装/外壳:DIP-4 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816S-TP-D-CU | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:80V 封装/外壳:10.16*3.15 |
| 晶体管输出光耦 | LTV816STP-D3-TXCU | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:7.6*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816S-TP-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 封装/外壳:SOP4 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816S-TA1-D-CU | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:7.6*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816S-TA1-D3-TX | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:80V 封装/外壳:7.62*6.5 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816S-TA1-D | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-50°C ~ 110°C 电压 - 隔离:5000Vrms 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 封装/外壳:7.62*6.5 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816S-TA1-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-50°C ~ 110°C 电压 - 隔离:5000Vrms 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 封装/外壳:7.62*4.0 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816S-TA1-B | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-50°C ~ 110°C 电压:5V 封装/外壳:7.62*4.0 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816S-TA1-A | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-50°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型 电压 - 隔离:5000Vrms 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816-D3-TX | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:7.62*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:7.6*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-816-B | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:7.62*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-814S-TP-B | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 封装/外壳:SOP4 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | LTV-814-A | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:7.6*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-814 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:7.6*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-358T-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:120V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:SOP4 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | LTV-357T-D-G | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:5.3*3.85 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-357T-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 电压:5V 封装/外壳:5.3*3.85 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-357T-B | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 电压:3V 封装/外壳:5.3*3.85 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-356T-TP1-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:80V 封装/外壳:7.0*2.0 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-356T-D | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:3V 封装/外壳:5.3*3.85 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-356T-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 电压 - 隔离:3750Vrms 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 封装/外壳:5.3*3.85 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-356T-B | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 电压 - 隔离:3750Vrms 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 封装/外壳:5.3*3.85 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-356T | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | LTV-354T-B2 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:5.3*3.85 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-354T-A | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 1mA 电流传输比（最大值）:150% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 电压 - 隔离:3750Vrms 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 封装/外壳:5.3*3.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-352T | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 高度:2 mm 长度:3.6 mm 宽度:4.4 mm Vf-正向电压:1.4 V 下降时间:100 us 上升时间:300 us 功率:0.17W 通道数量:1 Channel Vr-反向电压:6 V 绝缘电压:3750 Vrms If-正向电流:50 mA 最大集电极电流:150 mA 最大集电极/发射极电压:300 V 最大集电极/发射极饱和电压:1.2 V 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:100µs,20µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-输出/通道:150mA 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:1.2V 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | LTV-340W-TA1 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:7.62*4.5 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-3063 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:5.3*3.85 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-247 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:4 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:16-SO |
| 晶体管输出光耦 | LTV-217-TP1-C-G | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP 输出类型:Phototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:20mA 最大集电极/发射极电压:70V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:3750Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:1.4V Vf - 正向电压:1.4V Vr - 反向电压:4V 功率:1/5W 高度:2mm 长度:4.4mm 宽度:2.6mm 集电极—射极击穿电压:80V 电流传递比:50%to600% 下降时间:18us 上升时间:18us 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | LTV-217-C-G | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 高度:2 mm 长度:4.4 mm 宽度:2.6 mm 上升时间:18 us 功率:1/5W 通道数量:1 Channel Vr-反向电压:4 V 绝缘电压:3750 Vrms If-正向电流:20 mA 最大集电极电流:50 mA 电流传递比:50 % to 600 % 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:1.4 V 集电极—射极击穿电压:80 V 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP |
| 晶体管输出光耦 | LTV-217-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:4.4*2.6 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-217-B-G | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 高度:2 mm 长度:4.4 mm 宽度:2.6 mm 上升时间:18 us 功率:1/5W 通道数量:1 Channel Vr-反向电压:4 V 绝缘电压:3750 Vrms If-正向电流:20 mA 最大集电极电流:50 mA 电流传递比:50 % to 600 % 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:1.4 V 集电极—射极击穿电压:80 V 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP 电压 - 隔离:3750Vrms 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,3µs 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 封装/外壳:4-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 电压:3V |
| 晶体管输出光耦 | LTV-1009-TP1-G | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 封装/外壳:SOP-4 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | H11L1S-L | Lite-On(光宝) | 系列:LTE 电压:5V |
| 晶体管输出光耦 | CNY17F-2 | Lite-On(光宝) | 系列:CNY 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 晶体管输出光耦 | CNY17-3S | Lite-On(光宝) | 系列:CNY 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 晶体管输出光耦 | 6N137S-TA1-L | Lite-On(光宝) | 系列:6N 通道数:1 Ohms 输入-输入侧1/输入侧2:1/0 电压-隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:10KV/µs 输入类型:DC 输出类型:开路集电极 电流-输出/通道:50mA 数据速率:15MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:75ns,75ns 上升/下降时间（典型值）:22ns,6.9ns 电压-正向（Vf）（典型值）:1.38V 电流-DC正向（If）:20mA 电压-电源:7V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD |