IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 晶体管输出光耦 | FOD817D3SD | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | FOD817C3SD | ON(安森美) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | CNY17-4X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD |
| 晶体管输出光耦 | TLP185(GR-TPL,SE | Toshiba(东芝) | If - 正向电流:50mA 功率:1/5W Vf - 正向电压:1.4V Vr - 反向电压:5V 上升时间:2us 下降时间:3us 封装/外壳:SOP-4 最大集电极/发射极电压:80V 最大集电极/发射极饱和电压:0.3V 电流传递比:100%to300% 系列:TLP185 绝缘电压:3750Vrms 输出类型:Phototransistor 通道数量:1Channel 工作温度:-55°C ~ 110°C |
| 晶体管输出光耦 | CNY17-3S | Lite-On(光宝) | 系列:CNY 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 晶体管输出光耦 | CNY17-4X007T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.39V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD |
| 晶体管输出光耦 | SFH6156-2T | Vishay(威世) | 系列:SFH 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | IL300-X009T | Vishay(威世) | 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压 - 输出（最大值）:500mV 电流 - 输出/通道:70µA(标准) 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流 - DC 正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD,鸥翼型 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs |
| 晶体管输出光耦 | SFH617A-2 | Vishay(威世) | |
| 晶体管输出光耦 | IL300-EF-X009T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 上升/下降时间（典型值）:1µs,1µs 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 电压-输出（最大值）:500mV 电流-输出/通道:70µA(标准) 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-B | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-826S-TA1 | Lite-On(光宝) | 通道数:2 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-TA1-C | Lite-On(光宝) | 系列:LTV Vf-正向电压:1.4 V Vr-反向电压:6 V If-正向电流:20 mA 电流传递比:400% 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD If - 正向电流:20mA 功率:1/5W Vf - 正向电压:1.4V Vr - 反向电压:6V 上升时间:18us 下降时间:18us 最大集电极/发射极电压:35V 最大集电极/发射极饱和电压:0.2V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:5000Vrms 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-A | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | 6N136-X009 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:19% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,200ns 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:15V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.33V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-C | Lite-On(光宝) | 电流 - DC 正向（If）:50mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-TA1-B | Lite-On(光宝) | 系列:LTV Vf-正向电压:1.4 V Vr-反向电压:6 V If-正向电流:20 mA 电流传递比:260% 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD If - 正向电流:20mA 功率:1/5W Vf - 正向电压:1.4V Vr - 反向电压:6V 上升时间:18us 下降时间:18us 最大集电极/发射极电压:35V 最大集电极/发射极饱和电压:0.2V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:5000Vrms 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel |
| 晶体管输出光耦 | 4N32 | Vishay(威世) | 系列:4N 功率:1/4W |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1109 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SOP,5 引脚 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-852S-TA1 | Lite-On(光宝) | 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压 - 输出（最大值）:300V 电流 - 输出/通道:150mA 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:1.2V 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 1mA 电流传输比（最大值）:15000% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:100µs,20µs 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1009 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:60mA 最大集电极/发射极电压:70V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:5000Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.3V Vf - 正向电压:1.6V Vr - 反向电压:6V 功率:1/4W 系列:TCLT 配置:1Channel 高度:2mm 长度:4.1mm 宽度:7.5mm 电流传递比:400% |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1008 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:60mA 最大集电极/发射极电压:70V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:5000Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.3V Vf - 正向电压:1.6V Vr - 反向电压:6V 功率:1/4W 系列:TCLT 配置:1Channel 高度:2mm 长度:4.1mm 宽度:7.5mm 电流传递比:260% |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1016 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:LSOP-4 电压:1.25V |
| 晶体管输出光耦 | CNY17-3S-TA1 | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-TA1-D | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-247 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:4 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:16-SO |
| 晶体管输出光耦 | LTV-847S | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 高度:3.5 mm 长度:19.84 mm 宽度:6.5 mm Vf-正向电压:1.4 V 上升时间:18 us 功率:1/5W 通道数量:4 Channel Vr-反向电压:6 V 绝缘电压:5000 Vrms 最大集电极电流:50 mA 电流传递比:600% 最大集电极/发射极电压:35 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V 通道数:4 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:16-SMD |
| 晶体管输出光耦 | 4N25V | Vishay(威世) | 封装/外壳:PDIP-6 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:50mA 最大集电极/发射极电压:32V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:5000Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.3V Vf - 正向电压:1.4V Vr - 反向电压:5V 功率:1/4W 系列:4N25GV 高度:4.2mm 长度:8.8mm 宽度:6.4mm 电流传递比:100% 下降时间:6.7us 上升时间:7us 工作温度:-55°C ~ 100°C |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817M | Lite-On(光宝) | 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP(0.400",10.16mm) 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP(0.400",10.16mm) 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | LTV-847 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:4 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:16-DIP |
| 晶体管输出光耦 | TLP291-4(GB-TP,E) | Toshiba(东芝) | 系列:TLP 通道数:4 电压-隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:16-SO |
| 晶体管输出光耦 | LTV-815S-TA1 | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:600% @ 1mA 电流传输比（最大值）:7500% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:60µs,53µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电流-输出/通道:80mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD 电压 - 隔离:5000Vrms 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:80mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:1V 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-TA | Lite-On(光宝) | 电压-隔离:5000Vrms 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | TLP383(GR-TPL,E | Toshiba(东芝) | 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:6-SOIC(0.173",4.40mm 宽,4 引线) 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs |
| 晶体管输出光耦 | LTV-852 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 1mA 电流传输比（最大值）:15000% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:100µs,20µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-输出/通道:150mA 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:1.2V 工作温度:-30°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | CNY66 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:13900VDC 电流传输比（最小值）:50% @ 10mA 电流传输比（最大值）:300% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2.4µs,2.7µs 输入类型:DC 电压-输出（最大值）:32V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:75mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 85°C 封装/外壳:DIP-4 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:50mA 最大集电极/发射极电压:32V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:8200Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.3V Vf - 正向电压:1.6V Vr - 反向电压:5V 功率:1/4W 系列:CNY 配置:1Channel 描述/功能:Optocoupler,PhototransistorOutput,VeryHighIsolationVoltage 高度:6.1mm 长度:17.8mm 宽度:9.6mm 集电极—射极击穿电压:32V 电流传递比:50%to300% 下降时间:2.7us 上升时间:2.4us |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1002 | Vishay(威世) | 系列:TCL 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | SFH615A-2 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1600 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | VOL617A-3T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:200% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.16V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:LSOP-4 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:60mA 最大集电极/发射极电压:80V 最大集电极电流:100mA 绝缘电压:5000Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.4V Vf - 正向电压:1.16V Vr - 反向电压:6V 功率:1/4W 系列:VOx6xxA 配置:1Channel 电流传递比:100%to200% 下降时间:5us 上升时间:3.5us |
| 晶体管输出光耦 | CNY65B | Vishay(威世) | 系列:CNY 通道数:1 Ohms 电压-隔离:13900VDC 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2.4µs,2.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:32V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:75mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 85°C 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | VOL617A-3X001T | Vishay(威世) | 系列:VO 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:200% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.16V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-LSOP |
| 晶体管输出光耦 | CNY17F-3S(TA) | Everlight(亿光) | 工作温度:-55°C~110°C 正向电流If:60mA |
| 晶体管输出光耦 | SFH617A-2 | Vishay(威世) | |
| 晶体管输出光耦 | SFH6186-2T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 1mA 电流传输比（最大值）:125% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | SFH6156-4 | Vishay(威世) | 系列:SFH 功率:3/20W |
| 晶体管输出光耦 | SFH617A-3 | Vishay(威世) | |
| 晶体管输出光耦 | CNY17F-3 | Vishay(威世) | 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.39V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-DIP(0.300",7.62mm) 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs |
| 晶体管输出光耦 | LTV-814 | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 电压:5V 封装/外壳:7.6*4.6 |
| 晶体管输出光耦 | SFH615A-4 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | SFH615A-3X009 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | SFH6156-4X001T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | SFH6156-3T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:60mA 最大集电极/发射极电压:70V 最大集电极电流:100mA 绝缘电压:5300Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.4V Vf - 正向电压:1.65V Vr - 反向电压:6V 功率:3/20W 配置:1Channel 高度:3.81mm 长度:4.83mm 宽度:6.81mm 电流传递比:200% |
| 晶体管输出光耦 | LTV-814S-TA1 | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 1mA 电流传输比（最大值）:300% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD 电压 - 隔离:5000Vrms 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 |
| 晶体管输出光耦 | LTV-827S-TA1 | Lite-On(光宝) | 通道数:2 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:8-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817D | Lite-On(光宝) | 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817A | Lite-On(光宝) | 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S-TA1-A | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817S | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | LTV-817 | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:35V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-30°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | 6N137 | Vishay(威世) | |
| 晶体管输出光耦 | CNY17F-2 | Lite-On(光宝) | 系列:CNY 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:150mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-DIP |
| 晶体管输出光耦 | CNY64 | Vishay(威世) | 封装/外壳:DIP-4 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:50mA 最大集电极/发射极电压:32V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:8200Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.3V Vf - 正向电压:1.6V Vr - 反向电压:5V 功率:1/4W 系列:CNY 配置:1Channel 描述/功能:Optocoupler,PhototransistorOutput,VeryHighIsolationVoltage 高度:6mm 长度:12.8mm 宽度:7.2mm 集电极—射极击穿电压:32V 电流传递比:50%to300% 下降时间:2.7us 上升时间:2.4us 工作温度:-55°C ~ 85°C |
| 晶体管输出光耦 | LTV-352T | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 高度:2 mm 长度:3.6 mm 宽度:4.4 mm Vf-正向电压:1.4 V 下降时间:100 us 上升时间:300 us 功率:0.17W 通道数量:1 Channel Vr-反向电压:6 V 绝缘电压:3750 Vrms If-正向电流:50 mA 最大集电极电流:150 mA 最大集电极/发射极电压:300 V 最大集电极/发射极饱和电压:1.2 V 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:1000% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:100µs,20µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:300V 电流-输出/通道:150mA 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:1.2V 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | APV1122 | Panasonic(松下) | 系列:AQH 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 打开/关闭时间（典型值）:400µs,100µs 输入类型:DC 输出类型:光电型 电压-输出（最大值）:8.7V 电流-输出/通道:14µA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:50mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-DIP |
| 晶体管输出光耦 | LTV-355T | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:600% @ 1mA 电流传输比（最大值）:7500% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:60µs,53µs 输入类型:DC 输出类型:达林顿晶体管 电压-输出（最大值）:35V 电流-输出/通道:80mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:1V 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | SFH615AGR-X007T | Vishay(威世) | 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:2µs,25µs |
| 晶体管输出光耦 | VOM617A-8X001T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,4µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | LTV-217-TP1-B-G | Lite-On(光宝) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP |
| 晶体管输出光耦 | TLP109(TPL,E | Toshiba(东芝) | 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:20V 电流 - 输出/通道:8mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.64V 电流 - DC 正向（If）:20mA 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:6-SOIC(0.179",4.55mm 宽,5 引线) 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 16mA 打开 / 关闭时间（典型值）:800ns,800ns(最大) |
| 晶体管输出光耦 | TCDT1103G | Vishay(威世) | 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:32V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-DIP(0.400",10.16mm) 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 10mA 电流传输比（最大值）:200% @ 10mA 打开 / 关闭时间（典型值）:11µs,7µs 上升/下降时间（典型值）:7µs,6.7µs 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:60mA 最大集电极/发射极电压:32V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:5000Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.3V Vf - 正向电压:1.6V Vr - 反向电压:5V 功率:1/4W 配置:1Channel 高度:4.2mm 长度:8.8mm 宽度:6.4mm 电流传递比:200% |
| 晶体管输出光耦 | LTV-217-C-G | Lite-On(光宝) | 系列:LTV 高度:2 mm 长度:4.4 mm 宽度:2.6 mm 上升时间:18 us 功率:1/5W 通道数量:1 Channel Vr-反向电压:4 V 绝缘电压:3750 Vrms If-正向电流:20 mA 最大集电极电流:50 mA 电流传递比:50 % to 600 % 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:1.4 V 集电极—射极击穿电压:80 V 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP |
| 晶体管输出光耦 | SFH690BT | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:5µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.15V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:50mA 最大集电极/发射极电压:70V 最大集电极电流:100mA 绝缘电压:3750Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.3V Vf - 正向电压:1.4V Vr - 反向电压:6V 功率:3/20W 配置:1Channel 高度:2.03mm 长度:4.67mm 宽度:4.83mm 电流传递比:300% |
| 晶体管输出光耦 | TLP293-4(GB-TP,E | Toshiba(东芝) | 电流 - DC 正向（If）:50mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.179",4.55mm 宽) 通道数:4 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs |
| 晶体管输出光耦 | TCMT1107 | Vishay(威世) | 系列:TCM 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:9.5µs,8.5µs 上升/下降时间（典型值）:5.5µs,7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | TCMT4100 | Vishay(威世) | 系列:TCM 通道数:4 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SOP |
| 晶体管输出光耦 | TCMT1100 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:9.5µs,8.5µs 上升/下降时间（典型值）:5.5µs,7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | TCMT1108 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:9.5µs,8.5µs 上升/下降时间（典型值）:5.5µs,7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | TCMT1106 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:9.5µs,8.5µs 上升/下降时间（典型值）:5.5µs,7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | TLP293(GR-TPL,E | Toshiba(东芝) | 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:4-SOIC 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs |
| 晶体管输出光耦 | TLP184(GB-TPL,SE | Toshiba(东芝) | 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD(4 引线),鸥形翼 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs |
| 晶体管输出光耦 | SFH6156-4T | Vishay(威世) | 系列:SFH 高度:3.81 mm 长度:4.83 mm 宽度:6.81 mm Vf-正向电压:1.65 V 功率:3/20W 通道数量:1 Channel Vr-反向电压:6 V 绝缘电压:5300 Vrms If-正向电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 电流传递比:320% 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:160% @ 10mA 电流传输比（最大值）:320% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | SFH6186-2 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 1mA 电流传输比（最大值）:125% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:55V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1105 | Vishay(威世) | 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SOIC(0.295",7.50mm 宽)5 引线 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:150% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs |
| 晶体管输出光耦 | VOM453T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,500ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:5-SOP |
| 晶体管输出光耦 | SFH617A-2X006 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:63% @ 10mA 电流传输比（最大值）:125% @ 10mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-DIP |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1600 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | TCMT4100 | Vishay(威世) | 系列:TCM 通道数:4 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:16-SOP |
| 晶体管输出光耦 | VOL617A-3X001T | Vishay(威世) | 系列:VO 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:200% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.16V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-LSOP |
| 晶体管输出光耦 | VOM453T | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,500ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:5-SOP |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1109 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:200% @ 5mA 电流传输比（最大值）:400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V Current-DCForward(If)(Max):60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SOP,5 引脚 |
| 晶体管输出光耦 | TCMT1108 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:9.5µs,8.5µs 上升/下降时间（典型值）:5.5µs,7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |
| 晶体管输出光耦 | TCMT1100 | Vishay(威世) | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:9.5µs,8.5µs 上升/下降时间（典型值）:5.5µs,7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP |