IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 晶体管输出光耦 | TCET1114 | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:4-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-40°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 10mA 电流传输比(最小值):160% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1105 | 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:6-SOIC(0.295",7.50mm 宽)5 引线 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:150% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs | |
| 晶体管输出光耦 | SFH6286-2 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3.5us,5us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):6us,5.5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.1V 电压-输出(最大值):55V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):50mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 1mA 电流传输比(最小值):63% @ 1mA 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOM452T | 封装/外壳:6-SOIC(0.173"",4.40mm 宽),5 引线 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):200ns,500ns 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电压-输出(最大值):25V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):25mA 电流-输出/通道:8mA 电流传输比(最大值):50% @ 16mA 电流传输比(最小值):20% @ 16mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | SFH620A-3X016 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-DIP(0.400"",10.16mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 10mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | HCPL2530SD | 通道数:2 电压 - 隔离:2500Vrms 电流传输比（最小值）:7% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开 / 关闭时间（典型值）:450ns,500ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:20V 电流 - 输出/通道:8mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流 - DC 正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SMD | |
| 晶体管输出光耦 | IL350 | 上升/下降时间(典型值):350us,- 封装/外壳:8-SOP(0.220"",5.60mm 宽) 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 电压-隔离:3000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):30mA 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | IL300-EF-X006 | 上升/下降时间(典型值):1us,1us 封装/外壳:8-DIP(0.400"",10.16mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):500mV 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:70uA(标准) 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | IL300-EF-X001 | 上升/下降时间(典型值):1us,1us 封装/外壳:8-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):500mV 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:70uA(标准) 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | IL300-EFG-X007T | 上升/下降时间(典型值):1us,1us 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-隔离:44200Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | IL300-DE-X007T | 上升/下降时间(典型值):1us,1us 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-隔离:44200Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | 4N25V | 封装/外壳:PDIP-6 输出类型:NPNPhototransistor 通道数量:1Channel If - 正向电流:50mA 最大集电极/发射极电压:32V 最大集电极电流:50mA 绝缘电压:5000Vrms 最大集电极/发射极饱和电压:0.3V Vf - 正向电压:1.4V Vr - 反向电压:5V 功率:1/4W 系列:4N25GV 高度:4.2mm 长度:8.8mm 宽度:6.4mm 电流传递比:100% 下降时间:6.7us 上升时间:7us 工作温度:-55°C ~ 100°C | |
| 晶体管输出光耦 | CNY117F-2X007T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.39V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):125% @ 10mA 电流传输比(最小值):63% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | 6N138-X009 | 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):2us,2us 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电压-输出(最大值):7V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):25mA 电流-输出/通道:60mA 电流传输比(最小值):300% @ 1.6mA 输入类型:DC 输出类型:有基极的达林顿晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | CNY117F-1X017T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:6-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.39V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):80% @ 10mA 电流传输比(最小值):40% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | SFH615AA-X017 | Vce饱和压降(最大):400mV 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):2us,25us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):600% @ 5mA 电流传输比(最小值):50% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO617A-4X017T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 5mA 电流传输比(最小值):160% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | TCET4100 | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:16-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):600% @ 5mA 电流传输比(最小值):50% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:4 | |
| 晶体管输出光耦 | LTV-217-A-G | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:80% @ 5mA 电流传输比（最大值）:160% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 电压 - 隔离:3750Vrms 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,3µs 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 封装/外壳:4-SSOP | |
| 晶体管输出光耦 | LTV-217-D-G | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:300% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:70V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP | |
| 晶体管输出光耦 | SFH6156-3TX001 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 10mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | SFH6206-3 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 10mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | TCLT1015 | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):150% @ 5mA 电流传输比(最小值):50% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | CQY80N | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):7us,6.7us 封装/外壳:6-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):11us,7us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):32V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最小值):50% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | SFH620AGB | Vce饱和压降(最大):400mV 封装/外壳:4-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):2us,25us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):600% @ 5mA 电流传输比(最小值):100% @ 5mA 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | ILD615-1X009 | 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.15V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):80% @ 10mA 电流传输比(最小值):40% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:2 | |
| 晶体管输出光耦 | ELQ3H7(TA) | 通道数:4 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:16-SSOP | |
| 晶体管输出光耦 | ELM453(TA)-V | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:400ns,350ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:20V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 隔离:3750Vrms 打开 / 关闭时间（典型值）:400ns,350ns 电压 - 输出（最大值）:20V 电流 - 输出/通道:8mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.45V 电流 - DC 正向（If）:25mA 封装/外壳:5-SOP | |
| 晶体管输出光耦 | ELD3H7(TA)-V | 通道数:2 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:5µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:8-SMD | |
| 晶体管输出光耦 | EL852 | BVCEO(Min)(V):350 CTR(%):1000~15000 Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Photo Darlington IF[mA]:1 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VCE(SAT)(Max)(V):1.2 Viso(Vrms):5000 tf(uS):100 | |
| 晶体管输出光耦 | EL851S1(TA) | 通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 上升/下降时间（典型值）:4µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:350V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SMD | |
| 晶体管输出光耦 | EL851 | BVCEO(Min)(V):350 CTR(%):50~600 Dimension(mm):6.5x4.58x3.5 Function:Photo Transistor IF[mA]:5 NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP4 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 VCE(SAT)(Max)(V):0.4 Viso(Vrms):5000 tf(uS):5 | |
| 晶体管输出光耦 | EL817M(C)-V | ||
| 晶体管输出光耦 | EL354N(A)(TA)-VG | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 1mA 电流传输比（最大值）:150% @ 1mA 上升/下降时间（典型值）:6µs,8µs 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:200mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:8-SOP | |
| 晶体管输出光耦 | EL4504 | CMR(V/us):15000 CTR(%):25~60 Dimension(mm):9.76x6.6x3.5 Function:High Speed NumberofChannels:1 封装/外壳:DIP8 Topr(Max)(degC):100 Topr(Min)(degC):-55 Viso(Vrms):5000 | |
| 晶体管输出光耦 | CNY65(B)-V | 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:8200Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:200% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:6µs,7µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 电流 - DC 正向（If）:75mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 85°C 封装/外壳:4-DIP | |
| 晶体管输出光耦 | IL213AT | Vce饱和压降(最大):400mV 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):3us,3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电压-输出(最大值):30V 电压-隔离:4000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | CTH217(C)(V) | ||
| 晶体管输出光耦 | CT357B(T1) | ||
| 晶体管输出光耦 | CT354A(T1) | ||
| 晶体管输出光耦 | LTV-356T-TP1-B | ||
| 晶体管输出光耦 | TLP291(GB-TP,E/T) | ||
| 晶体管输出光耦 | EL817S1(C)(TU) | 工作温度:-55°C~110°C 正向电流If:60mA | |
| 晶体管输出光耦 | TLP109(TPL,E | 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:20V 电流 - 输出/通道:8mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.64V 电流 - DC 正向（If）:20mA 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:6-SOIC(0.179",4.55mm 宽,5 引线) 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 16mA 打开 / 关闭时间（典型值）:800ns,800ns(最大) | |
| 晶体管输出光耦 | TLP184(GB-TPL,SE | 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:6-SMD(4 引线),鸥形翼 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs | |
| 晶体管输出光耦 | LTV-3223-CH | ||
| 晶体管输出光耦 | EL817(C)-G | 工作温度:-55°C~110°C 正向电流If:60mA | |
| 晶体管输出光耦 | TLP383(BLL-TPL,E | ||
| 晶体管输出光耦 | TLP383(GR-TPL,E | 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压 - 输出（最大值）:80V 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 电流 - DC 正向（If）:50mA Vce 饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:6-SOIC(0.173",4.40mm 宽,4 引线) 通道数:1 Ohms 电压 - 隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:300% @ 5mA 打开 / 关闭时间（典型值）:3µs,3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,3µs | |
| 晶体管输出光耦 | EL817M(B)-F | 工作温度:-55°C~110°C 正向电流If:60mA | |
| 晶体管输出光耦 | LTV-480WTA-V-H-HT | ||
| 晶体管输出光耦 | IL300-E-X007T | 上升/下降时间(典型值):1us,1us 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):500mV 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:70uA(标准) 输入类型:DC 输出类型:光伏,线性化 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | CNY651AGRST | ||
| 晶体管输出光耦 | EL817S1(C)(TU)-F | 工作温度:-55°C~110°C 正向电流If:60mA 封装/外壳:SMD-4 输出类型:光电三极管 隔离电压(rms):5kV 接收端电压:35V 输出电流:50mA 反向电压Vr:6V 正向电压Vf:1.2V | |
| 晶体管输出光耦 | SFH1690BT | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3us,4us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):5us,3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.15V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):50mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):300% @ 5mA 电流传输比(最小值):100% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO615A-4X001 | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:4-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.43V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 10mA 电流传输比(最小值):160% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOS617AT | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,4µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V Current-DCForward(If)(Max):50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP | |
| 晶体管输出光耦 | VOS617A-X001T | 系列:VOS 高度:2 mm 长度:2.6 mm 宽度:4.4 mm Vf-正向电压:1.5 V 下降时间:12 us 上升时间:3 us 功率:0.07W 通道数量:1 Channel Vr-反向电压:6 V 绝缘电压:3750 Vrms 最大集电极电流:50 mA 电流传递比:50 % to 600 % 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 集电极—射极击穿电压:80 V 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:50% @ 5mA 电流传输比（最大值）:600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,4µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电压-正向（Vf）（典型值）:1.18V 电流-DC正向（If）:50mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SSOP | |
| 晶体管输出光耦 | VOS615A-X001T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3us,4us 封装/外壳:4-SOIC(0.173"",4.40mm 宽) 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):5us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):50mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):600% @ 10mA 电流传输比(最小值):40% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOS615A-3X001T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3us,4us 封装/外壳:4-SOIC(0.173"",4.40mm 宽) 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):5us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):50mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 10mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOM618A-4T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):5us,4us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):7us,6us 电压-正向(Vf)(典型值):1.1V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 1mA 电流传输比(最小值):160% @ 1mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOM618A-3T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):5us,4us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):7us,6us 电压-正向(Vf)(典型值):1.1V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 1mA 电流传输比(最小值):100% @ 1mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOM617A-9X001T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3us,3us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,4us 电压-正向(Vf)(典型值):1.1V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):400% @ 5mA 电流传输比(最小值):200% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOM617A-8X001T | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,4µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,3µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SOP | |
| 晶体管输出光耦 | VOM617A-7X001T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3us,3us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,4us 电压-正向(Vf)(典型值):1.1V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):160% @ 5mA 电流传输比(最小值):80% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOM617A-4T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3us,3us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,4us 电压-正向(Vf)(典型值):1.1V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 5mA 电流传输比(最小值):160% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOM617A-3X001T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3us,3us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,4us 电压-正向(Vf)(典型值):1.1V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 5mA 电流传输比(最小值):100% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOM453T | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:3750Vrms 电流传输比（最小值）:20% @ 16mA 电流传输比（最大值）:50% @ 16mA 打开/关闭时间（典型值）:200ns,500ns 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:25V 电流-输出/通道:8mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:25mA 工作温度:-55°C ~ 100°C 封装/外壳:5-SOP | |
| 晶体管输出光耦 | VOM452T | 封装/外壳:6-SOIC(0.173"",4.40mm 宽),5 引线 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):200ns,500ns 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电压-输出(最大值):25V 电压-隔离:3750Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):25mA 电流-输出/通道:8mA 电流传输比(最大值):50% @ 16mA 电流传输比(最小值):20% @ 16mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOM1271T | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:4500Vrms 打开/关闭时间（典型值）:53µs,24µs 输入类型:DC 输出类型:光电型 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 电流-DC正向（If）:50mA 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:4-SOP | |
| 晶体管输出光耦 | VOL628A-3X001T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3.5us,5us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5.5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.16V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 1mA 电流传输比(最小值):100% @ 1mA 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOL617A-4T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3.5us,5us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5.5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.16V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 5mA 电流传输比(最小值):160% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOL617A-3X001T | 系列:VO 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 5mA 电流传输比（最大值）:200% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5.5µs 上升/下降时间（典型值）:3.5µs,5µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.16V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-LSOP | |
| 晶体管输出光耦 | VOL617A-2X001T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3.5us,5us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5.5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.16V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):125% @ 5mA 电流传输比(最小值):63% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOD217T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):5us,4us 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):5us,4us 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:4000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):30mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最小值):100% @ 1mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:2 | |
| 晶体管输出光耦 | VOD207T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):5us,4us 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):5us,4us 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:4000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):30mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 10mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:2 | |
| 晶体管输出光耦 | VOD206T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):5us,4us 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):5us,4us 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:4000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):30mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):125% @ 10mA 电流传输比(最小值):63% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:2 | |
| 晶体管输出光耦 | VO618A-3X017T | 通道数:1 电压-隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:100% @ 1mA 电流传输比（最大值）:200% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）:3µs,2.3µs 上升/下降时间（典型值）:2µs,2µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:80V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.1V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:400mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD | |
| 晶体管输出光耦 | VO618A | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.1V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):600% @ 1mA 电流传输比(最小值):50% @ 1mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO617A-4X017T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 5mA 电流传输比(最小值):160% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO617A-4 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 5mA 电流传输比(最小值):160% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO617A-3X017T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 5mA 电流传输比(最小值):100% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO617A-3X016 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-DIP(0.400"",10.16mm) 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 5mA 电流传输比(最小值):100% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO617A-3X007T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 5mA 电流传输比(最小值):100% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO617A-3 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 5mA 电流传输比(最小值):100% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO617A-2X017T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):125% @ 5mA 电流传输比(最小值):63% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO617A-1 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):80% @ 5mA 电流传输比(最小值):40% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO617A | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:4-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):600% @ 5mA 电流传输比(最小值):50% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO615A-8X017T | 通道数:1 Ohms 电压-隔离:5000Vrms 电流传输比（最小值）:130% @ 5mA 电流传输比（最大值）:260% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）:6µs,5µs 上升/下降时间（典型值）:3µs,4.7µs 输入类型:DC 输出类型:晶体管 电压-输出（最大值）:70V 电流-输出/通道:50mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.43V 电流-DC正向（If）:60mA Vce饱和值（最大值）:300mV 工作温度:-55°C ~ 110°C 封装/外壳:4-SMD | |
| 晶体管输出光耦 | VO615A-4X009T | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.43V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 10mA 电流传输比(最小值):160% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO615A-2X019T | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.43V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):125% @ 10mA 电流传输比(最小值):63% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO615A-2X016 | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:4-DIP(0.400"",10.16mm) 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.43V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):125% @ 10mA 电流传输比(最小值):63% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO610A-3X019T | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 10mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO610A-3X007T | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 10mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO205AT | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3us,2us 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):3us,3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:4000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):80% @ 10mA 电流传输比(最小值):40% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VO1263AACTR | 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):16us,472us 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电压-输出(最大值):16.5V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):50mA 电流-输出/通道:3uA 输入类型:DC 输出类型:光电型 通道数:2 | |
| 晶体管输出光耦 | ILD621-X007T | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):2us,2us 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):3us,2.3us 电压-正向(Vf)(典型值):1.15V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):600% @ 5mA 电流传输比(最小值):50% @ 5mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:2 | |
| 晶体管输出光耦 | VO615A-3X007T | Vce饱和压降(最大):300mV 上升/下降时间(典型值):3us,4.7us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.43V 电压-输出(最大值):70V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):200% @ 10mA 电流传输比(最小值):100% @ 10mA 输入类型:DC 输出类型:晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | SFH608-4X001 | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):5us,7us 封装/外壳:6-DIP(0.300"",7.62mm) 工作温度:-55°C ~ 100°C 接通/关断时间(典型值):8us,7.5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.1V 电压-输出(最大值):55V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):50mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):320% @ 1mA 电流传输比(最小值):160% @ 1mA 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 通道数:1 | |
| 晶体管输出光耦 | VOL628A | Vce饱和压降(最大):400mV 上升/下降时间(典型值):3.5us,5us 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 110°C 接通/关断时间(典型值):6us,5.5us 电压-正向(Vf)(典型值):1.16V 电压-输出(最大值):80V 电压-隔离:5000Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):60mA 电流-输出/通道:50mA 电流传输比(最大值):600% @ 1mA 电流传输比(最小值):50% @ 1mA 输入类型:AC,DC 输出类型:晶体管 通道数:1 |