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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | SG7815T-883B | Microsemi(美高森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:35V 电压 - 输出（最小值/固定）:15V 压降（最大值）:2.5V @ 500mA 电流 - 输出:500mA 电流 - 静态（Iq):7mA PSRR:60dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-39-3 透镜顶部金属罐 封装/外壳:TO-39 |
| 未分类 | A1460A-1TQG176C | Microsemi(美高森美) | LAB/CLB 数:848 I/O 数:151 栅极数:6000 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:176-LQFP 封装/外壳:176-TQFP(24x24) |
| 未分类 | 1PMT5914CE3/TR7 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 偏差:±2% 功率:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:75µA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-216AA 封装/外壳:DO-216AA |
| 未分类 | MXLSMLG33CA | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:33V 击穿电压VBR(min):36.7V 箝位电压VCL(max):53.3V 峰值脉冲电流Ipp:56.2A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-215AB,SMC 鸥翼 封装/外壳:SMLG(DO-215AB) |
| 未分类 | M1AFS250-PQG208I | Microsemi(美高森美) | 总 RAM 位数:36864 I/O 数:93 栅极数:250000 电压 - 电源:1.425 V ~ 1.575 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:208-BFQFP 封装/外壳:208-PQFP(28x28) |
| 未分类 | SMCJ36CAH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ36CAHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ36C | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ36AHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ36A | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ33H/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ33CH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ33CHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ33AHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ33 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ30CH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ30CHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ30CAH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ30AHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ28H/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ28HE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ22AHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ220AE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:220V 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:DO-214AB(SMCJ) |
| 未分类 | SMCJ20H/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ20HE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ20CH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ20CHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ20CAH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ20CAHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ20CA | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ20AH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ20AHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ18H/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ18HE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ18E3/TR13 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:18V 击穿电压VBR(min):20V 箝位电压VCL(max):32.2V 峰值脉冲电流Ipp:46.6A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:DO-214AB(SMCJ) |
| 未分类 | SMCJ18CH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ18CHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ18CAH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ18CAHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ18AH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ18AHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ18A | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ17H/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ17HE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ17CH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ17CAH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ17CAHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ17AH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ17AHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ170H/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ170HE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ170CH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ170CHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ170CAH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ170CAHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ170AH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ170AHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ16H/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ16HE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ16CH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ16CHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ16CAH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ16CAHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ16AH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ16AHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ160H/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ160HE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ160CH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ160CHE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ160CAH/TR13 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | APT60DQ60BCTG | Microsemi(美高森美) | 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2.4V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:25µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:600V 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 未分类 | 1PMT5914C/TR13 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 偏差:±2% 功率:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:75µA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-216AA 封装/外壳:DO-216AA |
| 未分类 | SG7812AT-883B | Microsemi(美高森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:35V 电压 - 输出（最小值/固定）:12V 压降（最大值）:2.5V @ 500mA 电流 - 输出:500mA 电流 - 静态（Iq):7mA PSRR:61dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 封装/外壳:TO-39 |
| 未分类 | A54SX08-PQ208 | Microsemi(美高森美) | LAB/CLB 数:768 I/O 数:130 栅极数:12000 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V,4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:208-BFQFP 封装/外壳:208-PQFP(28x28) |
| 未分类 | 2EZ27DE3/TR12 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 偏差:±20% 功率:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:18 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 20.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) |
| 未分类 | JANTX1N4968 | Microsemi(美高森美) | 封装/外壳:Case 稳压电压(标称值)VZT_Nom:27V 功率:5W |
| 未分类 | A3PE3000L-1FGG484I | Microsemi(美高森美) | 总 RAM 位数:516096 I/O 数:341 栅极数:3000000 电压 - 电源:1.14V ~ 1.575 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:484-BGA 封装/外壳:484-FPBGA(23x23) |
| 未分类 | JANTXV1N4582A-1 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.4V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 3V 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35(DO-204AH) |
| 未分类 | JAN2N2324A | Microsemi(美高森美) | 电压 - 断态:100V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:600mV 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:20µA 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:220mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:2mA SCR 类型:灵敏栅极 工作温度:-65°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 封装/外壳:TO-5 |
| 未分类 | 1EZ150D10E3/TR8 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:150V 偏差:±10% 功率:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.3K Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 114V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) |
| 未分类 | A40MX04-1PL68I | Microsemi(美高森美) | I/O 数:57 栅极数:6000 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V,4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:68-LCC(J 形引线) 封装/外壳:68-PLCC(24.23x24.23) |
| 未分类 | SMCG6040/TR13 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:8.5V 击穿电压VBR(min):9.9V 箝位电压VCL(max):16.2V 峰值脉冲电流Ipp:93A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-215AB,SMC 鸥翼 封装/外壳:DO-215AB(SMCG) |
| 未分类 | MA5KP9.0AE3 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:9V 击穿电压VBR(min):10V 箝位电压VCL(max):15.4V 峰值脉冲电流Ipp:325A 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AR,轴向 封装/外壳:DO-204AR |
| 未分类 | JANTX1N757CUR-1 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 偏差:±2% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 封装/外壳:DO-213AA |
| 未分类 | JANTXV1N6148US | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:13.7V 击穿电压VBR(min):16.25V 箝位电压VCL(max):26.36V 峰值脉冲电流Ipp:56.81A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SQ-MELF,C 封装/外壳:C,SQ-MELF |
| 未分类 | M15KP100AE3 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:100V 击穿电压VBR(min):111V 箝位电压VCL(max):162V 峰值脉冲电流Ipp:93A 功率 - 峰值脉冲:15000W(15kW) 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AR,轴向 封装/外壳:DO-204AR |
| 未分类 | JAN1N4619CUR-1 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 偏差:±2% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:400nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 封装/外壳:DO-213AA |
| 未分类 | JANTXV1N3027C-1 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 偏差:±2% 功率:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:22 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 15.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 |
| 接口 | MT90871AV2 | Microsemi(美高森美) | 功能:开关 电路数:1 Ohms 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 电流-电源:160mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:196-PBGA(15x15) |
| 未分类 | M1.5KE6.8AE3 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5.8V 击穿电压VBR(min):6.45V 箝位电压VCL(max):10.5V 峰值脉冲电流Ipp:143A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:CASE-1 |
| 未分类 | MXSMCG60A | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:60V 击穿电压VBR(min):66.7V 箝位电压VCL(max):96.8V 峰值脉冲电流Ipp:15.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-215AB,SMC 鸥翼 封装/外壳:SMCG(DO-215AB) |
| 未分类 | A1240A-PQ144C | Microsemi(美高森美) | LAB/CLB 数:684 I/O 数:104 栅极数:4000 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:144-BQFP 封装/外壳:144-PQFP(28x28) |
| 未分类 | CDLL5222 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.5V 偏差:±20% 功率:0.01W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB,MELF 封装/外壳:DO-213AB |
| 未分类 | APTC60DDAM24T3G | Microsemi(美高森美) | FET类型:2 N 沟道(双路降压斩波器) FET类型:超级结 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:95A Rds On(Max)@Id,Vgs:24 毫欧 @ 47.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V 功率:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SP3 封装/外壳:SP3 |
| 未分类 | JANTXV2N5665 | Microsemi(美高森美) | FET类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1V @ 1A,5A 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A,5V 功率:2.5W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 封装/外壳:TO-66(TO-213AA) |
| 未分类 | SMAJ4763E3/TR13 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:91V 偏差:±10% 功率:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 69.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:DO-214AC |
| 未分类 | 1PMT4134E3/TR7 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:91V 偏差:±5% 功率:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 69.16V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-216AA 封装/外壳:DO-216 |
| 未分类 | 1N4555A | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ5659/TR13 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:97.2V 击穿电压VBR(min):108V 箝位电压VCL(max):173V 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:DO-214AB(SMCJ) |
| 未分类 | 1N3341A | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:105V 偏差:±10% 功率:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 83V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 封装/外壳:DO-5 |