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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | SG7805AK/DESC | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SG117K/JAN | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SG117AT-DESC | Microsemi(美高森美) | 电流 - 输出:100mA 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 封装/外壳:TO-3 |
| 未分类 | SG137AT-DESC | Microsemi(美高森美) | 输出配置:负 输出类型:可调式 电压 - 输入（最大值）:-36V 电压 - 输出（最小值/固定）:-1.25V 电压 - 输出（最大值）:-36V 电流 - 输出:500mA PSRR:66dB ~ 80dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,过压 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 封装/外壳:TO-39 |
| 未分类 | SG109T-JAN | Microsemi(美高森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压 - 输入（最大值）:25V 电压 - 输出（最小值/固定）:5.05V 电流 - 输出:1A 电流 - 静态（Iq):10mA 保护功能:超温 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 封装/外壳:TO-39 |
| 未分类 | SG7912T | Microsemi(美高森美) | 电流 - 输出:500mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-39 封装/外壳:TO-99 |
| 未分类 | JM3851010706BYA | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | CDLL827 | Microsemi(美高森美) | 封装/外壳:DO-213AA 稳压电压(标称值)VZT_Nom:6.2V 功率:1/2W |
| 未分类 | CDLL6263 | Microsemi(美高森美) | |
| 整流二极管 | CDLL5819 | Microsemi(美高森美) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:1A 正向电压Vf:490mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@45V 结电容Cj:70pF @ 5V,1MHz 封装/外壳:DO-213AB 工作温度-结:-65°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | CDLL5711 | Microsemi(美高森美) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:50V 正向电流If:33mA 正向电压Vf:410mV@1mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:200nA@50V 结电容Cj:2pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-213AA 工作温度-结:-65°C ~ 150°C |
| 未分类 | CDLL5522B | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:22 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB,MELF 封装/外壳:DO-213AB |
| 未分类 | CDLL4742A | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:9 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB,MELF 封装/外壳:DO-213AB |
| 未分类 | CDLL4729A | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 偏差:±5% 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB,MELF 封装/外壳:DO-213AB |
| 整流二极管 | CDLL4627 | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:1200 Ohms 反向漏电流Ir:5uA@5V 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 齐纳电压Vz:6.2V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | CDLL4626 | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:1.4K Ohms 反向漏电流Ir:5uA@4V 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 齐纳电压Vz:5.6V 功率耗散Pd:500mW |
| 未分类 | CDLL4625 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:1500 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 封装/外壳:DO-213AA |
| 整流二极管 | CDLL4624 | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:1550 Ohms 反向漏电流Ir:5uA@3V 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 齐纳电压Vz:4.7V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | CDLL4106 | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 反向漏电流Ir:50nA@9.2V 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB 封装/外壳:DO-213AA 齐纳电压Vz:12V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | CDLL4104 | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 反向漏电流Ir:500nA@7.6V 正向电压Vf:1.1V@200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB 封装/外壳:DO-213AA 齐纳电压Vz:10V 功率耗散Pd:500mW |
| 未分类 | BZV55C5V1 | Microsemi(美高森美) | 封装/外壳:LL-34 稳压电压(标称值)VZT_Nom:5.1V 功率:1/2W 稳压电压(最小值)VZT_Min:4.8V 稳压电压(最大值)VZT_Max:5.5V 稳压电流IZT:5mA |
| 未分类 | BZV55C15 | Microsemi(美高森美) | 封装/外壳:LL-34 稳压电压(标称值)VZT_Nom:15V 功率:1/2W 稳压电压(最小值)VZT_Min:13.8V 稳压电压(最大值)VZT_Max:15.6V 稳压电流IZT:5mA |
| 通用MOSFET | ARF475FL | Microsemi(美高森美) | FET类型:2N沟道(双)共源 频率:128MHz 增益:16dB 电压-测试:150V 额定电流:10A 电流-测试:15mA 功率-输出:900W 电压:500V |
| 通用三极管 | APTGT600A60G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:700A 功率:2300W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,600A 电流-集电极截止（最大值）:750µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:49nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SP6 |
| 未分类 | APTGT225DU170G | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双,共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:340A 功率:1250W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,225A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:20nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SP6 封装/外壳:SP6 |
| 未分类 | APTGT150A120TG | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率:690W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 封装/外壳:SP4 封装/外壳:SP4 |
| 未分类 | APTGT100TL60T3G | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | APTGLQ100DA120T1G | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:170A 功率:520W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.42V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:6.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:模块 封装/外壳:SP1 |
| 未分类 | APTGL60DDA120T3G | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率:280W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.25V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:2.77nF 电压，耦合至输入电容（Cies）@ Vce:25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SP3 封装/外壳:SP3 |
| 未分类 | APTGF75H120TG | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率:500W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.7V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 封装/外壳:SP4 封装/外壳:SP4 |
| 未分类 | APTDF200H170G | Microsemi(美高森美) | 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向（最大值）:1.7KV 电流 - 平均整流（Io）:240A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:3V @ 200A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:350µA @ 1700V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SP6 封装/外壳:SP6 |
| 未分类 | APTC60AM35SCTG | Microsemi(美高森美) | FET类型:2 个 N 通道(半桥) FET类型:标准 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:72A Rds On(Max)@Id,Vgs:35 毫欧 @ 36A,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:518nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14000pF @ 25V 功率:416W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SP4 封装/外壳:SP4 |
| 通用MOSFET | APT85GR120B2 | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:170A 脉冲电流-集电极(Icm):340A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.2V @ 15V,85A Pd-功率耗散(Max):962W 开关能量:6mJ(开),3.8mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:43ns/300ns 测试条件:600V,85A,4.3 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:T-MAX™ |
| 未分类 | APT80GA60LD40 | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:143A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,47A 功率:625W 开关能量:840µJ(开),751µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/158ns 测试条件:400V,47A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:22ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 封装/外壳:TO-264 |
| 未分类 | APT8043BLLG | Microsemi(美高森美) | 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO247 开启状态电阻:430m Ohms FET类型:N-MOSFET 极化:单极 栅极-源极电压:±30V 漏极-源极电压:800V 漏极电流:20A 耗电:403W |
| 未分类 | APT8020LLLG | Microsemi(美高森美) | 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO264 开启状态电阻:200m Ohms FET类型:N-MOSFET 极化:单极 栅极-源极电压:±30V 漏极-源极电压:800V 漏极电流:38A 耗电:694W |
| 未分类 | APT8020B2LLG | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:38A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:195nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5200pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:694W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:200 毫欧 @ 19A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:T-MAX™ [B2] 封装/外壳:TO-247-3 变式 |
| 通用MOSFET | APT77N60JC3 | Microsemi(美高森美) | 连续漏极电流Id:77A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:640nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):568W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:35m Ohms@60A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 封装/外壳:SOT-227 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:77A |
| 通用三极管 | APT75GP120JDQ3 | Microsemi(美高森美) | 电流-集电极截止（最大值）:1.25mA 系列:POWER MOS 7® IGBT类型:PT 配置:单一 Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):1200V Current-Collector(Ic)(Max):128A Power-Max:543W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.9V @ 15V,75A 不同 Vce时的输入电容（Cies）:7.04nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP® |
| 通用MOSFET | APT75GN60BG | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:155A 脉冲电流-集电极(Icm):225A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,75A Pd-功率耗散(Max):536W 开关能量:2500µJ(开),2140µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:47ns/385ns 测试条件:400V,75A,1 欧姆,15V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 整流二极管 | APT75DQ120BG | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:75A 正向电压Vf:3.1V@75A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:325ns 反向漏电流Ir:100uA@1200V 封装/外壳:TO-247 [B] 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 通用MOSFET | APT70GR120B2 | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:160A 脉冲电流-集电极(Icm):280A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.2V @ 15V,70A Pd-功率耗散(Max):961W 开关能量:3.82mJ(开),2.58mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:33ns/278ns 测试条件:600V,70A,4.3 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 |
| 整流二极管 | APT60D60BG | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:60A 正向电压Vf:1.8V@60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:130ns 反向漏电流Ir:250uA@600V 封装/外壳:TO-247 [B] 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | APT60D40BG | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:60A 正向电压Vf:1.5V@60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:37ns 反向漏电流Ir:250uA@400V 封装/外壳:TO-247 [B] 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 未分类 | APT60D20BG | Microsemi(美高森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V @ 60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:31ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 200V 封装/外壳:TO-247-2 封装/外壳:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C |
| 未分类 | APT60D100BG | Microsemi(美高森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2.5V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:1000V 封装/外壳:TO-247-2 封装/外壳:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C |
| 未分类 | APT6025BLLG | Microsemi(美高森美) | 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO247 开启状态电阻:250m Ohms FET类型:N-MOSFET 极化:单极 栅极-源极电压:±30V 漏极-源极电压:600V 漏极电流:24A 耗电:325W |
| 未分类 | APT58M80J | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:60W(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:570nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:17550pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:960W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110 毫欧 @ 43A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC |
| 通用MOSFET | APT56M60B2 | Microsemi(美高森美) | 系列:POWER MOS 8™ 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:280nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:11300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):1040W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ohms@28A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 变式 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:60A |
| 未分类 | APT56F60B2 | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:280nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11300pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:1040W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110 毫欧 @ 28A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:T-MAX™ [B2] 封装/外壳:TO-247-3 变式 |
| 未分类 | APT53N60BC6 | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:53A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.72mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:154nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4020pF @ 25V 功率:417W Rds On(Max)@Id,Vgs:70 毫欧 @ 25.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 [B] 封装/外壳:TO-247-3 |
| 通用MOSFET | APT50GN60BDQ2G | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:107A 脉冲电流-集电极(Icm):150A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.85V @ 15V,50A Pd-功率耗散(Max):366W 开关能量:1185µJ(开),1565µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:20ns/230ns 测试条件:400V,50A,4.3 欧姆,15V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 未分类 | APT5020SVFRG | Microsemi(美高森美) | 包装类型:管 安装:SMD 封装/外壳:D3PAK 开启状态电阻:200m Ohms FET类型:N-MOSFET 极化:单极 栅极-源极电压:±30V 漏极-源极电压:500V 漏极电流:26A 耗电:300W |
| 未分类 | APT5020BVRG | Microsemi(美高森美) | 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO247 开启状态电阻:200m Ohms FET类型:N-MOSFET 极化:单极 栅极-源极电压:±30V 漏极-源极电压:500V 漏极电流:26A 耗电:300W |
| 未分类 | APT5020BVFRG | Microsemi(美高森美) | 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:26A |
| 未分类 | APT5017BVRG | Microsemi(美高森美) | 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO247 开启状态电阻:170m Ohms FET类型:N-MOSFET 极化:单极 栅极-源极电压:±30V 漏极-源极电压:500V 漏极电流:30A 耗电:370W |
| 通用MOSFET | APT47N60BC3G | Microsemi(美高森美) | 连续漏极电流Id:47A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:260nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7015pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):417W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:47A |
| 未分类 | APT45GP120JDQ2 | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率:329W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.9V @ 15V,45A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP 封装/外壳:ISOTOP® |
| 未分类 | APT42F50B | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:42A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:170nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6810pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:130 毫欧 @ 21A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 [B] 封装/外壳:TO-247-3 |
| 未分类 | APT41F100J | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:42A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:570nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:18500pF @ 25V 功率:960W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:210 毫欧 @ 33A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP® 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC |
| 通用MOSFET | APT40GR120S | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:88A 脉冲电流-集电极(Icm):160A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.2V @ 15V,40A Pd-功率耗散(Max):500W 开关能量:1.38mJ(开),906µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:22ns/163ns 测试条件:600V,40A,4.3 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:D3Pak |
| 未分类 | APT40GP90JDQ2 | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 功率:284W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.9V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:3.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP 封装/外壳:ISOTOP® |
| 未分类 | APT40GP60BG | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,40A 功率:543W 开关能量:385µJ(开),352µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/64ns 测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 未分类 | APT35GA90B | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:63A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.1V @ 15V,18A 功率:290W 开关能量:642µJ(开),382µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/104ns 测试条件:600V,18A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 未分类 | APT33GF120BRG | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:52A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):104A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.2V @ 15V,25A 功率:297W 开关能量:2.8mJ(开), 2.8mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/210ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 未分类 | APT30M61SFLLG | Microsemi(美高森美) | 包装类型:管 安装:SMD 封装/外壳:D3PAK 开启状态电阻:61m Ohms FET类型:N-MOSFET 极化:单极 栅极-源极电压:±30V 漏极-源极电压:300V 漏极电流:54A 耗电:403W |
| 未分类 | APT30M19JVFR | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:130A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:975nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:21600pF @ 25V 功率:700W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:19 毫欧 @ 500mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP® 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC |
| 未分类 | APT30GP60BG | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,30A 功率:463W 开关能量:260µJ(开),250µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 整流二极管 | APT30D60BHBG | Microsemi(美高森美) | 配置:1 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:27A 正向电压Vf:1.8V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:85ns 反向漏电流Ir:250uA@600V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 整流二极管 | APT30D60BG | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.8V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:85ns 反向漏电流Ir:250uA@600V 封装/外壳:TO-247 [B] 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 未分类 | APT30D40BG | Microsemi(美高森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:32ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:400V 封装/外壳:TO-247-2 封装/外壳:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | APT30D40BCTG | Microsemi(美高森美) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.5V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:32ns 反向漏电流Ir:250uA@400V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 未分类 | APT30D20BG | Microsemi(美高森美) | 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:24ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:200V 封装/外壳:TO-247-2 封装/外壳:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C |
| 未分类 | APT2X61DQ120J | Microsemi(美高森美) | 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:3.1V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:1200V 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 封装/外壳:ISOTOP® |
| 未分类 | APT2X41DC60J | Microsemi(美高森美) | 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:40A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:800µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:600V 封装/外壳:ISOTOP 封装/外壳:SOT-227 |
| 未分类 | APT2X41DC120J | Microsemi(美高森美) | 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:40A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:800µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:1200V 封装/外壳:ISOTOP 封装/外壳:SOT-227 |
| 整流二极管 | APT2X101S20J | Microsemi(美高森美) | 配置:2 个独立式 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:120A 正向电压Vf:950mV@100A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:70ns 反向漏电流Ir:2mA@200V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:ISOTOP® |
| 未分类 | APT2X100DQ60J | Microsemi(美高森美) | 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:2.2V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:100A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:25µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:600V 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 封装/外壳:ISOTOP® |
| 未分类 | APT2X100D20J | Microsemi(美高森美) | 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:100A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:60ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:200V 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 封装/外壳:ISOTOP® |
| 未分类 | APT29F100B2 | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:260nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8500pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:1040W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:440 毫欧 @ 16A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:T-MAX™ [B2] 封装/外壳:TO-247-3 变式 |
| 未分类 | APT26F120B2 | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:27A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:300nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9670pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:1135W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:650 毫欧 @ 14A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:T-MAX™ 封装/外壳:TO-247-3 变式 |
| 通用MOSFET | APT25GT120BRG | Microsemi(美高森美) | 系列:Thunderbolt IGBT® IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:54A 脉冲电流-集电极(Icm):75A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.7V @ 15V,25A Pd-功率耗散(Max):347W 开关能量:930µJ(开),720µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:14ns/150ns 测试条件:800V,25A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 未分类 | APT25GT120BRDQ2G | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:54A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.7V @ 15V,25A 功率:347W 开关能量:930µJ(开),720µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/150ns 测试条件:800V,25A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 通用MOSFET | APT25GN120SG | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:67A 脉冲电流-集电极(Icm):75A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,25A Pd-功率耗散(Max):272W 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:22ns/280ns 测试条件:800V,25A,1 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:D3Pak |
| 未分类 | APT20M38SVRG | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:67A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:225nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6120pF @ 25V 功率:370W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:38 毫欧 @ 500mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D3 [S] 封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA |
| 未分类 | APT20M36BFLLG | Microsemi(美高森美) | 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO247 开启状态电阻:36m Ohms FET类型:N-MOSFET 极化:单极 栅极-源极电压:±30V 漏极-源极电压:200V 漏极电流:65A 耗电:329W |
| 未分类 | APT20M34SLLG | Microsemi(美高森美) | 包装类型:管 安装:SMD 封装/外壳:D3PAK 开启状态电阻:34m Ohms FET类型:N-MOSFET 极化:单极 栅极-源极电压:±30V 漏极-源极电压:200V 漏极电流:74A 耗电:403W |
| 未分类 | APT20M11JVR | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:175A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:180nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:21600pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:700W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:11 毫欧 @ 500mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP® 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC |
| 未分类 | APT15DQ100BCTG | Microsemi(美高森美) | 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:3V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 1000V 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 整流二极管 | APT15D60BG | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.8V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:80ns 反向漏电流Ir:150uA@600V 封装/外壳:TO-247 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 通用MOSFET | APT14F100B | Microsemi(美高森美) | 系列:POWER MOS 8™ 连续漏极电流Id:14A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:120nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3965pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):500W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:980m Ohms@7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:14A |
| 未分类 | APT1201R4BFLLG | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:75nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2030pF @ 25V 功率:300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5 欧姆 @ 4.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 [B] 封装/外壳:TO-247-3 |
| 未分类 | APT102GA60L | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:183A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):307A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,62A 功率:780W 开关能量:1.354mJ(开), 1.614mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/212ns 测试条件:400V,62A,4.7 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 封装/外壳:TO-264 [L] |
| 未分类 | APT30GP60BG | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,30A 功率:463W 开关能量:260µJ(开),250µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/55ns 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 未分类 | 1N5365B/TR12 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 偏差:±5% 功率:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:11 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 25.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:T-18,轴向 封装/外壳:T-18 |
| 未分类 | 2N4858 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | LX2205ILQ | Microsemi(美高森美) | |
| 通用MOSFET | APT25GN120BG | Microsemi(美高森美) | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:67A 脉冲电流-集电极(Icm):75A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,25A Pd-功率耗散(Max):272W 开关能量:2.15µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:22ns/280ns 测试条件:800V,25A,1 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 [B] |
| 未分类 | APT34F100L | Microsemi(美高森美) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:305nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9835pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 功率:1135W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:400 毫欧 @ 18A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-264 [L] 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA |
| 未分类 | APT35GP120J | Microsemi(美高森美) | IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 功率:284W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.9V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:3.24nF 电压，耦合至输入电容（Cies）@ Vce:25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP 封装/外壳:ISOTOP® |