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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | 2N5115E3 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | MAX3670ETJ+ | Microsemi(美高森美) | 差分 - 输入:输出:是/是 频率 - 最大值:670MHz 分频器/倍频器:是/无 电压 - 电源:3.3V,5V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘 FET类型:时钟发生器 PLL:无 输入:时钟 输出:LVPECL 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:2：2 |
| 振荡器 | ZL40202LDF1 | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 振荡器 | ZL30153GGG2 | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 未分类 | MSMCG26A/TR | Microsemi(美高森美) | |
| 振荡器 | ZL30251LDG1 | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 振荡器 | ZL30142GGG2 | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 未分类 | MSMCJ30CAE3/TR | Microsemi(美高森美) | |
| 振荡器 | ZL30267LDG1 | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 振荡器 | ZL30265LDG1 | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 振荡器 | ZL30160GGG2 | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 振荡器 | ZL30343GGG2 | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 未分类 | ZL30146GGG2 | Microsemi(美高森美) | 差分 - 输入:输出:无/是 频率 - 最大值:622.08MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:64-BGA PLL:是 主要用途:以太网,SONET/SDH,电信 输入:时钟 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:6：4 |
| 未分类 | ZL30151LDF1 | Microsemi(美高森美) | 差分 - 输入:输出:是/是 频率 - 最大值:650MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C PLL:是 主要用途:光纤通道,以太网,SONET/SDH 输入:CML,CMOS,晶体 输出:CML,CMOS 电路数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:4：3 |
| 振荡器 | ZL30363GDG2 | Microsemi(美高森美) | 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 未分类 | VX-501-0151-300M000 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | MXSMCJ150CA | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:150V 击穿电压VBR(min):167V 箝位电压VCL(max):243V 峰值脉冲电流Ipp:6.2A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:DO-214AB(SMCJ) |
| 未分类 | JANTXV2N3506AU4 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | JANS DATA-JANS1N4471US | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | JAN1N3332RB | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | 5KP30E3/TR13 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:30V 击穿电压VBR(min):33.3V 箝位电压VCL(max):53.5V 峰值脉冲电流Ipp:93.5A 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:P600,轴向 封装/外壳:P600 |
| 未分类 | 2N1481 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | 1N6011A | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 偏差:±10% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 |
| 未分类 | MXSMBJ5.0CAE3 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.4V 箝位电压VCL(max):9.2V 峰值脉冲电流Ipp:65.2A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMBJ(DO-214AA) |
| 未分类 | MASMBJ5.0CAE3 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.4V 箝位电压VCL(max):9.2V 峰值脉冲电流Ipp:65.2A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMBJ(DO-214AA) |
| 未分类 | GRP-C-DATA-JANTX1N759C-1 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | M38510/10201BHA | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | JANS DATA-JANS1N3595US | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | HSM350J/TR13 | Microsemi(美高森美) | 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:620mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 50V 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:DO-214AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C |
| 未分类 | HSM350JE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:620mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 50V 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:DO-214AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C |
| 未分类 | MXSMBJ13A/TR | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | MASMCJ12A/TR | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | GRP-DATA-JANTXV2N2222A | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | MSMBG40CA/TR | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | JANS DATA-JANS1N4978US | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | HC1204 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | JANTXV1N5521B-1 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:18 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:3µA @ 1.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35(DO-204AH) |
| 未分类 | JANTX2N2906AUA | Microsemi(美高森美) | FET类型:P-Channel 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,10V 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:4-SMD,无引线 封装/外壳:4-SMD |
| 未分类 | JANTX1N4624-1/TR | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | JAN2N2907A/TR | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | DLTS30A | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:15 反向对峙电压VRWM:30V 击穿电压VBR(min):33.3V 箝位电压VCL(max):47.8V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:220pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-DIP 封装/外壳:16-DIP |
| 未分类 | EX64-FTQG64PK54 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | TFS1662 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | TFS1638 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMBJ13AE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:13V 击穿电压VBR(min):14.4V 箝位电压VCL(max):21.5V 峰值脉冲电流Ipp:27.9A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMBJ(DO-214AA) |
| 未分类 | MXPLAD15KP48CA | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:48V 击穿电压VBR(min):53.3V 箝位电压VCL(max):77.4V 峰值脉冲电流Ipp:195A 功率 - 峰值脉冲:15000W(15kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:非标准型 SMD 封装/外壳:PLAD |
| 未分类 | MT6890 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | JANTX1N6350 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:120V 偏差:±5% 功率:1/2W 阻抗（最大值）（Zzt）:600 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 91V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 |
| 未分类 | JANTX1N3021B-1 | Microsemi(美高森美) | 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 偏差:±5% 功率:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 |
| 未分类 | JANS DATA-CDS5711UR-1 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | CDLL0.5A40/TR | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | APTMC120TAM34CT3AG | Microsemi(美高森美) | FET类型:6 N-沟道(3 相桥) FET类型:标准 漏源极电压Vds:1.2KV 连续漏极电流Id:74A(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:34 毫欧 @ 50A,20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 15mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:161nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2788pF @ 1000V 功率:375W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:模块 封装/外壳:SP3 |
| 未分类 | TFS63N | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | BSS73 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | MAPLAD7.5KP110CAE3 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | SMCJ20E3/TR13 | Microsemi(美高森美) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:20V 击穿电压VBR(min):22.2V 箝位电压VCL(max):35.8V 峰值脉冲电流Ipp:41.9A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:DO-214AB(SMCJ) |
| 未分类 | PX-5702-0014-32K7680000 | Microsemi(美高森美) | |
| 未分类 | JAN2N333A | Microsemi(美高森美) |