产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
小信号MOSFET |
2N7002PS,115 |
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封装/外壳:SOT363 FET类型:N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:1.6Ω@500mA,10V Pd-功率耗散(Max):0.42W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:30pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.32A |
小信号MOSFET |
NTNS3A65PZT5G |
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FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:281mA(Ta) 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.1nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):44pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):155mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3Ω@200mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-101,SOT-883 |
小信号MOSFET |
6HP04CH-TL-W |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):24.1pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2 欧姆 @ 190mA,10V 工作温度:150°C(TJ) FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:370mA(Ta) 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4V,10V 封装/外壳:3-CPH |
小信号MOSFET |
PMZB950UPELYL |
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封装/外壳:SOT883B FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2200mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.7V,8V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:43pF 输出电容:14pF 连续漏极电流Id:-0.5A |
小信号MOSFET |
PMZB950UPEYL |
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封装/外壳:SOT883B FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2200mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.7V,8V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:43pF 输出电容:14pF 连续漏极电流Id:-0.5A |
小信号MOSFET |
PMZB600UNEYL |
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封装/外壳:SOT883B FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:850mΩ@2.5V,620mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.7V,8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:21.3pF 输出电容:5.4pF 连续漏极电流Id:0.6A |
小信号MOSFET |
PMZB550UNEYL |
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封装/外壳:SOT883B FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:900mΩ@2.5V,670mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.31W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.7V,8V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:30.3pF 输出电容:5.8pF 连续漏极电流Id:0.59A |
小信号MOSFET |
PMZB390UNEYL |
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封装/外壳:SOT883B FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:620mΩ@2.5V,470mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.7V,8V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:41pF 输出电容:6pF 连续漏极电流Id:0.9A |
小信号MOSFET |
PMZB320UPEYL |
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封装/外壳:SOT883B FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:510mΩ@4.5V,770mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.7V,8V 漏源极电压Vds:-30V 输入电容:122pF 输出电容:11pF 连续漏极电流Id:-1A |
小信号MOSFET |
PMZB290UNE2YL |
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封装/外壳:SOT883B FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:320mΩ@1.2A,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:46pF 输出电容:9.6pF 连续漏极电流Id:1.2A |
小信号MOSFET |
PMZB200UNEYL |
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封装/外壳:SOT883B FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:250mΩ@1.4A,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±8V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:89pF 输出电容:11pF 连续漏极电流Id:1.4A |
小信号MOSFET |
PMZB150UNEYL |
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封装/外壳:SOT883B FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:270mΩ@2.5V,200mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.7V,8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:93pF 输出电容:18pF 连续漏极电流Id:1.5A |
小信号MOSFET |
PMZB1200UPEYL |
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封装/外壳:SOT883B FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2300mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.31W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.7V,8V 漏源极电压Vds:-30V 输入电容:43.2pF 输出电容:5.9pF 连续漏极电流Id:-0.41A |
小信号MOSFET |
PMZ950UPEYL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2200mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.7V,8V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:43pF 输出电容:14pF 连续漏极电流Id:-0.5A |
小信号MOSFET |
PMZ600UNEYL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:620mΩ@600mA,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:21.3pF 输出电容:5.4pF 连续漏极电流Id:0.6A |
小信号MOSFET |
PMZ550UNEYL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:900mΩ@2.5V,670mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.31W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.7V,8V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:30.3pF 输出电容:5.8pF 连续漏极电流Id:0.59A |
小信号MOSFET |
PMZ390UNEYL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:470mΩ@900mA,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±8V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:41pF 输出电容:6pF 连续漏极电流Id:0.9A |
小信号MOSFET |
PMZ370UNEYL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:750mΩ@2.5V,490mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.77V,8V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:52pF 输出电容:9pF 连续漏极电流Id:0.9A |
小信号MOSFET |
PMZ350UPEYL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:450mΩ@4.5V,645mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.7V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:127pF 输出电容:34pF 连续漏极电流Id:-1.4A |
小信号MOSFET |
PMZ320UPEYL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:510mΩ@1A,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:-55°C~150℃ 栅极电压Vgs:±8V 漏源极电压Vds:-30V 输入电容:122pF 输出电容:11pF 连续漏极电流Id:-1A |
小信号MOSFET |
PMZ290UNEYL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:620mΩ@2.5V,380mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.75V,8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:55pF 输出电容:15pF 连续漏极电流Id:1A |
小信号MOSFET |
PMZ290UNE2YL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:320mΩ@1.2A,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:46pF 输出电容:9.6pF 连续漏极电流Id:1.2A |
小信号MOSFET |
PMZ200UNEYL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:310mΩ@2.5V,250mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.7V,8V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:89pF 输出电容:11pF 连续漏极电流Id:1.4A |
小信号MOSFET |
PMZ130UNEYL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:220mΩ@2.5V,150mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.7V,8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:93pF 输出电容:18pF 连续漏极电流Id:1.8A |
小信号MOSFET |
PMZ1200UPEYL |
|
封装/外壳:SOT883 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2300mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.31W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.7V 漏源极电压Vds:-30V 输入电容:43.2pF 输出电容:5.9pF 连续漏极电流Id:-0.41A |
小信号MOSFET |
PMXB75UPEZ |
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封装/外壳:SOT1215 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:110mΩ@2.5V,85mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.317W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.68V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:608pF 输出电容:75pF 连续漏极电流Id:-2.9A |
小信号MOSFET |
PMXB65UPEZ |
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封装/外壳:SOT1215 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:98mΩ@2.5V,72mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.317W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.68V,8V 漏源极电压Vds:-12V 输入电容:634pF 输出电容:167pF 连续漏极电流Id:-3.2A |
小信号MOSFET |
PMXB56ENZ |
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封装/外壳:SOT1215 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:65mΩ@4.5V,55mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.4W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.5V,20V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:209pF 输出电容:50pF 连续漏极电流Id:3.2A |
小信号MOSFET |
PMV75UP,215 |
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封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:102mOhms@2.5A,4.5V Pd-功率耗散(Max):490mW 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:±12V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:550pF 输出电容:63pF 连续漏极电流Id:2.5A 工作温度:-55°C~150°C |
小信号MOSFET |
PMV65XPER |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:125mΩ@2.5V,78mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.48W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-1V,12V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:618pF 输出电容:80pF 连续漏极电流Id:-3.3A |
小信号MOSFET |
PMV37EN2R |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:47mΩ@4.5V,36mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.51W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.5V,20V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:209pF 输出电容:50pF 连续漏极电流Id:5.6A |
小信号MOSFET |
PMV65XPEAR |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:78mΩ@2.8A,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.48W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±12V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:618pF 输出电容:80pF 连续漏极电流Id:-3.3A |
小信号MOSFET |
PMV50XPR |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:80mΩ@2.5V,60mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.49W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.65V,12V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:744pF 输出电容:65pF 连续漏极电流Id:-4.4A |
小信号MOSFET |
PMV48XPAR |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:55mΩ@2.4A,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.51W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±12V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:1000pF 输出电容:130pF 连续漏极电流Id:-3.5A |
小信号MOSFET |
PMV45EN2R |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:42mΩ@10V,54mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.51W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.5V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:209pF 输出电容:50pF 连续漏极电流Id:5.1A |
小信号MOSFET |
PMV40UN2R |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:44mΩ@3.7A,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.49W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±12V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:635pF 输出电容:40pF 连续漏极电流Id:4.4A |
小信号MOSFET |
PMV30UN2R |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:32mΩ@4.2A,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.49W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±12V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:655pF 输出电容:70pF 连续漏极电流Id:5.4A |
小信号MOSFET |
PMV27UPER |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:45mΩ@2.5V,32mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.49W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.7V,8V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:1820pF 输出电容:208pF 连续漏极电流Id:-5.6A |
小信号MOSFET |
PMV250EPEAR |
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封装/外壳:TO-236AB FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:240mΩ@1.3A,10V Pd-功率耗散(Max):0.48W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V 漏源极电压Vds:-40V 输入电容:293pF 输出电容:35pF 连续漏极电流Id:-1.5A |
小信号MOSFET |
PMV20XNER |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:30mΩ@2.5V,23mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.51W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:12V,0.65V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:1150pF 输出电容:110pF 连续漏极电流Id:7.2A |
小信号MOSFET |
PMV20ENR |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:26mΩ@4.5V,21mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.51W 工作温度:-55℃~150℃ 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:435pF 输出电容:90pF 连续漏极电流Id:7.6A |
小信号MOSFET |
PMV16XNR |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:20mΩ@6.8A,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.51W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±12V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:1240pF 输出电容:145pF 连续漏极电流Id:8.6A |
小信号MOSFET |
PMV130ENEAR |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:120mΩ@1.5A,10V Pd-功率耗散(Max):5W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:40V 输入电容:113pF 输出电容:27pF 连续漏极电流Id:2.1A |
小信号MOSFET |
PMG85XPH |
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封装/外壳:SOT363 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:160mΩ@2.5V,115mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.375W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.9V,12V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:560pF 输出电容:80pF |
小信号MOSFET |
PMDXB950UPEZ |
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封装/外壳:SOT1216 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2200mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.265W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.7V,8V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:43pF 输出电容:14pF 连续漏极电流Id:-0.5A |
小信号MOSFET |
PMDXB550UNEZ |
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封装/外壳:SOT1216 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:670mΩ@4.5V,900mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.285W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,0.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:30pF 输出电容:6pF 连续漏极电流Id:0.59A |
小信号MOSFET |
PMDXB1200UPEZ |
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封装/外壳:SOT1216 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2300mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.285W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.7V,8V 漏源极电压Vds:-30V 输入电容:43.2pF 输出电容:5.9pF 连续漏极电流Id:-0.41A |
小信号MOSFET |
PMCM440VNEZ |
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封装/外壳:NAX000 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:88mΩ@2.5V,67mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.4W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.6V,8V 漏源极电压Vds:12V 输入电容:360pF 输出电容:160pF 连续漏极电流Id:5A |
小信号MOSFET |
NX7002BKXBZ |
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封装/外壳:SOT1216 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2800mΩ@10V,3200mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):0.285W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.6V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:23.6pF 输出电容:4.6pF 连续漏极电流Id:0.26A |
小信号MOSFET |
NX7002BKMYL |
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封装/外壳:SOT883 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2800mΩ@10V,3200mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.6V,20V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:23.6pF 输出电容:4.6pF 连续漏极电流Id:0.35A |
小信号MOSFET |
NX7002BKMBYL |
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封装/外壳:SOT883B FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2800mΩ@10V,3200mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.6V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:23.6pF 输出电容:4.6pF 连续漏极电流Id:0.35A |
小信号MOSFET |
BSH205G2R |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:170mΩ@2A,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.48W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±8V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:418pF 输出电容:45pF 连续漏极电流Id:-2.3A |
小信号MOSFET |
BSH103,235 |
|
封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):0.5W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:83pF 输出电容:27pF |
小信号MOSFET |
2N7002P,235 |
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封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1.6Ω@500mA,10V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:30pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.36A |
小信号MOSFET |
2N7002PV,115 |
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封装/外壳:SOT666 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2000mΩ@5V,1600mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.5W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.75V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:30pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.35A |
小信号MOSFET |
NX3020NAK,215 |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:13000mΩ@2.5V,5200mΩ@4.5V,4500mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.3W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.2V,20V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:13pF 输出电容:2.6pF 连续漏极电流Id:0.2A |
小信号MOSFET |
BSS138AKAR |
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封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:13000mΩ@2.5V,5200mΩ@4.5V,4500mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.3W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.2V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:13pF 输出电容:2.6pF 连续漏极电流Id:0.2A |
小信号MOSFET |
SN7002WH6327XTSA1 |
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25°C时电流-连续漏极(Id):230mA(Ta) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5 欧姆 @ 230mA,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.8V @ 26uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):45pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):1.5nC @ 10V 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V |
小信号MOSFET |
2N7002H6327XTSA2 |
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25°C时电流-连续漏极(Id):300mA(Ta) FET类型:N 通道 Vgs(最大值):±20V 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 500mA,10V 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250uA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):20pF @ 25V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):0.6nC @ 10V 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V |
小信号MOSFET |
DMP6110SSS-13 |
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栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):1.5W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4.5A |
小信号MOSFET |
DMP2200UDW-7 |
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Rds On(Max)@Id,Vgs:260mΩ@880mA,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):184pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):450mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.9A |
小信号MOSFET |
DMP2200UDW-13 |
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不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):184pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 连续漏极电流Id:900mA Pd-功率耗散(Max):600mW Qg-栅极电荷:2.1nC Rds On(Max)@Id,Vgs:260mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:400mV 上升时间:88ns 下降时间:45ns 典型关闭延迟时间:24.4ns 典型接通延迟时间:9.8ns 系列:DMP2200 通道数量:2Channel 配置:Dual |
小信号MOSFET |
DMN6140LQ-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4.5V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):8.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):315pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:140mΩ@1.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.3A |
小信号MOSFET |
DMN6075S-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4.5V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12.3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):606pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:85mΩ@3.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.5A |
小信号MOSFET |
DMN53D0U-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):1.8V,5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):37.1pF @ 25V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):520mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@50mA,5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.3A |
小信号MOSFET |
DMN3042L-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):2.5V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):860pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):720mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:26.5mΩ@5.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.8A |
小信号MOSFET |
DMN3023L-7 |
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FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.2A(Ta) 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):2.5V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):873pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
小信号MOSFET |
DMN3016LFDE-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4.5V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):25.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1415pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10A |
小信号MOSFET |
DMN3016LFDE-13 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4.5V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):25.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1415pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10A |
小信号MOSFET |
DMN2046U-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):292pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):760mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:72mΩ@3.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.4A |
小信号MOSFET |
DMN2028UFU-7 |
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漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:20.2mΩ@4.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18.4nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):887pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):900mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:U-DFN2030-6 |
小信号MOSFET |
DMP10H4D2S-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):87pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):380mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.27A |
小信号MOSFET |
DMN67D8L-7 |
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FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:210mA(Ta) 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.82nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):22pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):0.34W Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V |
小信号MOSFET |
DMN3300U-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):193pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ@4.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2A |
小信号MOSFET |
DMN2215UDM-7 |
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Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ@2.5A,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):188pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):650mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2A |
小信号MOSFET |
DMP10H4D2S-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):87pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):380mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.27A |
小信号MOSFET |
DMN67D8L-7 |
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FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:210mA(Ta) 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.82nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):22pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):0.34W Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V |
小信号MOSFET |
DMN3300U-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):193pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ@4.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2A |
小信号MOSFET |
DMN2215UDM-7 |
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Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ@2.5A,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):188pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):650mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2A |
小信号MOSFET |
DMG2302UQ-7 |
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漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.2A(Ta) 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 50µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):7nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):594.3pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:90mΩ@3.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 系列:DMG2302UQ-7 通道数量:1Channel 配置:Single |
小信号MOSFET |
DMP2240UDM-7 |
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Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ@2A,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):320pF @ 16V Pd-功率耗散(Max):600mW 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2A |
小信号MOSFET |
DMP2069UFY4-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):9.1nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):214pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):530mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:54mΩ@2.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A |
小信号MOSFET |
DMP1100UCB4-7 |
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系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:2.5A(Ta) 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):1.3V,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):800mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):820pF @ 6V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):670mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:83mΩ@3A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:4-uFBGA,WLBGA |
小信号MOSFET |
DMN6040SFDE-7 |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):22.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1287pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):660mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:38mΩ@4.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:6-UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:5.3A(Ta) 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA |
小信号MOSFET |
DMN55D0UT-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):2.5V,4V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):25pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4Ω@100mA,4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.16A |
小信号MOSFET |
DMN2046U-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):292pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):760mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:72mΩ@3.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.4A |
小信号MOSFET |
DMN2028UFU-7 |
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漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:20.2mΩ@4.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18.4nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):887pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):900mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:U-DFN2030-6 |
小信号MOSFET |
DMN2014LHAB-7 |
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Rds On(Max)@Id,Vgs:13mΩ@4A,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1550pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):800mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:9A |
小信号MOSFET |
DMN10H170SFG-7 |
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湿气敏感性等级(MSL):1(无限) 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):870.7pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):940mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:122mΩ@3.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerVDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:2.9A(Ta),8.5A(Tc) 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14.9nC @ 10V |
小信号MOSFET |
DMP510DL-7 |
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连续漏极电流Id:180mA Pd-功率耗散(Max):500mW Rds On(Max)@Id,Vgs:10Ω 漏源极电压Vds:50V 栅极电压Vgs:800mV 上升时间:2.6ns 下降时间:7.2ns 典型关闭延迟时间:11.1ns 典型接通延迟时间:2.8ns 宽度:1.3mm 封装/外壳:SOT-23-3 正向跨导 - 最小值:0.25S 系列:DMP510 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:0.975mm 工作温度:-55°C~150°C |
小信号MOSFET |
DMC2038LVT-7 |
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Rds On(Max)@Id,Vgs:35mΩ@4A,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):530pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):800mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOT-26 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.5A,3.1A |
小信号MOSFET |
DMP2160UW-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):627pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ@1.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A |
小信号MOSFET |
ZXMHC3F381N8TC |
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Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ@5A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):430pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):870mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.98A,4.13A |
小信号MOSFET |
ZXMHC3A01N8TC |
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Rds On(Max)@Id,Vgs:125mΩ@2.5A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):190pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):870mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.72A,2.06A |
小信号MOSFET |
DMP3008SFG-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4.5V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):47nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2230pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:17mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8.6A |
小信号MOSFET |
DMN13H750S-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):6V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):5.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):231pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):770mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:750mΩ@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:130V 连续漏极电流Id:1A |
小信号MOSFET |
DMN3042L-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):2.5V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):860pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):720mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:26.5mΩ@5.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.8A |
小信号MOSFET |
DMN65D8L-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):5V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.87nC @ 10V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):22pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):370mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω@115mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.31A |
小信号MOSFET |
DMN2990UFZ-7B |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):55.2pF @ 16V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):320mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:990mΩ@100mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:X2-DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.25A |
小信号MOSFET |
DMP210DUFB4-7 |
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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):175pF @ 15V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω@100mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:X2-DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.2A |