IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 小信号MOSFET | RSR030N06TL | ROHM(罗姆) | 系列:RSR 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:380pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:85mΩ@3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3A |
| 小信号MOSFET | LN4812LT1G | LRC(乐山无线电) | 漏源极电压Vds:30V Rds On(Max)@Id,Vgs:38 @VGS(V)/IDS(A):10/6.0 FET类型:N-Channel 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):225mW |
| 小信号MOSFET | L2N7002KDW1T1G | LRC(乐山无线电) | 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:2300 @VGS(V)/IDS(A):10/0.5 FET类型:N-Channel(ESD) 封装/外壳:SC88 Pd-功率耗散(Max):380mW |
| 小信号MOSFET | VAM2N7002T | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):0.35W |
| 小信号MOSFET | PJA3406_R1_00001 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:48mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:70mΩ@4.5V FET类型:N-Channel |
| 小信号MOSFET | LP2301ALT1G | LRC(乐山无线电) | 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:0.4V Rds On(Max)@Id,Vgs:110 @VGS(V)/IDS(A):4.5/2.8 FET类型:P-Channel 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):225mW |
| 小信号MOSFET | MMBT4403_R1_00001 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 集电极-发射极最大电压VCEO:-40V 直流电流增益hFE:-2 增益带宽产品fT:200MHz FET类型:P-Channel |
| 小信号MOSFET | PJA3460-AU_R1_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:75mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:90mΩ@4.5V FET类型:N-Channel |
| 小信号MOSFET | PJA3476_R1_00001 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:6000mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:9000mΩ@4.5V FET类型:N-Channel |
| 小信号MOSFET | PJA3471_R1_00001 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:650mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:700mΩ@4.5V FET类型:P-Channel |
| 小信号MOSFET | RE1C001UNTCL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7.1pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5Ω@100mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMTF FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.1A |
| 小信号MOSFET | RE1C002UNTCL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,2.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2Ω@100mA,2.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMTF FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | SI2304BDS-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:225pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):750mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:70mΩ |
| 小信号MOSFET | SI1902CDL-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:62pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):420mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:1.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:235mΩ 漏源极电压Vds:1.5V |
| 小信号MOSFET | 2SK3019TL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8Ω@10mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.1A |
| 小信号MOSFET | RK7002BMHZGT116 | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:250mA Pd-功率耗散(Max):350mW Rds On(Max)@Id,Vgs:1.7Ω 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:5ns 下降时间:28ns 典型关闭延迟时间:18ns 典型接通延迟时间:3.5ns 封装/外壳:SOT-23-3 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 小信号MOSFET | RZM001P02T2L | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.8Ω@100mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:VMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.1A |
| 小信号MOSFET | BSS138Q-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):300mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5Ω@220mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | RSC002P03T316 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:30pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4Ω@250mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.25A |
| 小信号MOSFET | L2N7002SLT1G | LRC(乐山无线电) | 连续漏极电流Id:0.38A 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:60V Pd-功率耗散(Max):0.38W Rds On(Max)@Id,Vgs:2800 @VGS(V)/IDS(A):10/0.5 FET类型:N-Channel(ESD) |
| 小信号MOSFET | SIHG20N50C-E3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:76nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2942pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 连续漏极电流Id:20A Pd-功率耗散(Max):250mW Qg-栅极电荷:65nC Rds On(Max)@Id,Vgs:270mΩ 漏源极电压Vds:500V 栅极电压Vgs:3V 通道数量:1Channel |
| 小信号MOSFET | RJU003N03T106 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:24pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1Ω@300mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:UMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.3A |
| 小信号MOSFET | RUM002N05T2L | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:VMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | RZE002P02TL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:115pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2Ω@200mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | XP152A11E5MR | Torex(特瑞仕) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:700mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 栅极电压Vgs:±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:160pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ@400mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 小信号MOSFET | RYC002N05T316 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:26pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):350mW(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | SI8821EDB-T2-E1 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:440pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:MicroFoot-4 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:128mΩ |
| 小信号MOSFET | RV1C002UNT2CL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:12pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):100mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@150mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:VML FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.15A |
| 小信号MOSFET | L2N7002SWT1G | LRC(乐山无线电) | 封装/外壳:SC-70 漏源极电压Vds:60V Pd-功率耗散(Max):0.38W Rds On(Max)@Id,Vgs:2800 @VGS(V)/IDS(A):10/0.5 FET类型:N-Channel(ESD) |
| 小信号MOSFET | BSS308PE H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:-30V 连续漏极电流Id:-2A Rds On(Max)@Id,Vgs:62mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:-5nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS308 FET类型:P-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:4.6S 下降时间:2.8ns 上升时间:7.7ns 典型关闭延迟时间:15.3ns 典型接通延迟时间:5.6ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS83P H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:-60V 连续漏极电流Id:-330mA Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω 栅极电压Vgs:-4.5V Qg-栅极电荷:2.38nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm FET类型:P-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:0.24S 下降时间:61ns 上升时间:71ns 典型关闭延迟时间:56ns 典型接通延迟时间:23ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | RHP020N06T100 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:140pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:200mΩ@2A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2A |
| 小信号MOSFET | AO7600 | AOS(万国半导体) | Rds On(Max)@Id,Vgs:300mΩ@900mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:120pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):300mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.9A,0.6A |
| 小信号MOSFET | ZXMN3A01ZTA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:186pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):970mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ@2.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.3A |
| 小信号MOSFET | RU1C002ZPTCL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:115pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2Ω@200mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:UMTF FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | SI1077X-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31.1nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:965pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):330mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-89-6 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:1.75A Rds On(Max)@Id,Vgs:65mΩ 漏源极电压Vds:0.4V |
| 小信号MOSFET | DMP510DL-7 | Diodes(达尔（美台）) | 连续漏极电流Id:180mA Pd-功率耗散(Max):500mW Rds On(Max)@Id,Vgs:10Ω 漏源极电压Vds:50V 栅极电压Vgs:800mV 上升时间:2.6ns 下降时间:7.2ns 典型关闭延迟时间:11.1ns 典型接通延迟时间:2.8ns 宽度:1.3mm 封装/外壳:SOT-23-3 正向跨导 - 最小值:0.25S 系列:DMP510 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:0.975mm 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | DMP3028LFDE-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1241pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):660mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:32mΩ@7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6.8A |
| 小信号MOSFET | DMP21D0UT-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.54nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:80pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):240mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:495mΩ@400mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.65A |
| 小信号MOSFET | DMP2170U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:303pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):780mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:90mΩ@3.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 小信号MOSFET | DMP2004DWK-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:900mΩ@430mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:175pF @ 16V Pd-功率耗散(Max):250mW 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.43A |
| 小信号MOSFET | DMN66D0LDW-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω@115mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:23pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):250mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.115A |
| 小信号MOSFET | DMN63D1L-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:380mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:30pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):370mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 小信号MOSFET | DMN61D8LQ-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:3V,5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.74nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12.9pF @ 12V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):390mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.8Ω@150mA,5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.47A |
| 小信号MOSFET | DMN6140LQ-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:315pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:140mΩ@1.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2.3A |
| 小信号MOSFET | DMN601WKQ-7 | Diodes(达尔（美台）) | 连续漏极电流Id:300mA Pd-功率耗散(Max):200mW Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1V 封装/外壳:SOT-323-3 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-65°C~150°C |
| 小信号MOSFET | DMN313DLT-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:36.3pF @ 5V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):280mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@10mA,4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.31A |
| 小信号MOSFET | DMN3016LFDE-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1415pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):730mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:UDFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10A |
| 小信号MOSFET | DMN2990UDJ-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:990mΩ@100mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:27.6pF @ 16V Pd-功率耗散(Max):350mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-963 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.45A |
| 小信号MOSFET | DMN2300U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:64.3pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:1.4A Pd-功率耗散(Max):0.55W Qg-栅极电荷:1.6nC Rds On(Max)@Id,Vgs:175mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:450mV 上升时间:2.8ns 下降时间:13ns 典型关闭延迟时间:38ns 典型接通延迟时间:3.5ns 系列:DMN22 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 小信号MOSFET | DMN2112SN-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:220pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ@500mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-59 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.2A |
| 小信号MOSFET | DMG9926UDM-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:28mΩ@8.2A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.3nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:856pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):980mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSSOP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.2A |
| 小信号MOSFET | AO7401 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:SC70-3 FET类型:P-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:-30V 栅极电压Vgs:12V 连续漏极电流Id:-1.4A Pd-功率耗散(Max):0.35W Rds On(Max)@Id,Vgs:115mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:140mΩ Rds On(Max)@2.5V:200mΩ VGS(th):-1.4 Ciss(pF):260 Coss(pF):37 Crss(pF):20 Qg*(nC):2.8 Qgd(nC):1 Ohms Td(on)(ns):6 Td(off)(ns):20 Trr(ns):11.5 Qrr(nC):4.5 |
| 小信号MOSFET | BSR315PH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:SIPMOS® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 160µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:176pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:800mΩ@620mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SC59-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.62A |
| 小信号MOSFET | DMN13H750S-13 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:231pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):770mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:750mΩ@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:130V 连续漏极电流Id:1A |
| 小信号MOSFET | DMP2004TK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:175pF @ 16V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1Ω@430mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.43A |
| 小信号MOSFET | 2N7002DWA-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:6Ω@115mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.87nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:22pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):300mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | DMG1012UW-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.74nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:60.67pF @ 16V 栅极电压Vgs:±6V Pd-功率耗散(Max):290mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:450mΩ@600mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1A |
| 小信号MOSFET | DMN2004WK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 16V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ@540mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.54A |
| 小信号MOSFET | DMN2004TK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 16V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:540mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:8V 上升时间:9.1ns 下降时间:9.1ns 典型关闭延迟时间:51ns 典型接通延迟时间:8.5ns 宽度:0.80mm 封装/外壳:SOT-523-3 系列:DMN2004 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:1.60mm 高度:0.75mm |
| 小信号MOSFET | DMN6069SFG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1480pF @ 30V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-PowerWDFN 连续漏极电流Id:18A Pd-功率耗散(Max):930mW Qg-栅极电荷:14nC Rds On(Max)@Id,Vgs:63mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:5ns 下降时间:3.3ns 典型关闭延迟时间:12ns 典型接通延迟时间:3.6ns 系列:DMN6069 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 小信号MOSFET | DMN2400UFB-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:36pF @ 16V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):470mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ@600mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.75A |
| 小信号MOSFET | DMG301NU-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.7V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.36nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:42pF @ 10V 栅极电压Vgs:8V Pd-功率耗散(Max):320mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4Ω@400mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:25V 连续漏极电流Id:0.26A |
| 小信号MOSFET | DMP2004WK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:175pF @ 16V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):250mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:900mΩ@430mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.4A |
| 小信号MOSFET | DMP2104LP-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:320pF @ 16V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ@950mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A |
| 小信号MOSFET | DMP56D0UFB-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.58nC @ 4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50.54pF @ 25V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):425mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:6Ω@100mA,4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:X1-DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | 2N7002W-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 连续漏极电流Id:115mA Pd-功率耗散(Max):200mW Rds On(Max)@Id,Vgs:13.5Ω 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1V 典型关闭延迟时间:11ns 典型接通延迟时间:7ns 宽度:1.35mm 正向跨导 - 最小值:80mS 系列:2N7002 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.2mm 高度:1mm |
| 小信号MOSFET | ZXMN2F34FHTA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:277pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):950mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:60mΩ@2.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4A |
| 小信号MOSFET | DMN3115UDM-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:476pF @ 15V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:60mΩ@6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.2A |
| 小信号MOSFET | DMG1013T-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.622nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:59.76pF @ 16V 栅极电压Vgs:±6V Pd-功率耗散(Max):270mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:700mΩ@350mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.46A |
| 小信号MOSFET | DMN2005LPK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 100µA 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):450mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5Ω@10mA,4V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.44A |
| 小信号MOSFET | DMP3008SFG-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:47nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2230pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:17mΩ@10A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerDI FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8.6A |
| 小信号MOSFET | DMN13H750S-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:231pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):770mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:750mΩ@2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:130V 连续漏极电流Id:1A |
| 小信号MOSFET | ZXMN3A01FTA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:190pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):625mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ@2.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2A |
| 小信号MOSFET | DMP21D0UFB4-7B | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.54nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:80pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):430mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:495mΩ@400mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:X2-DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.17A |
| 小信号MOSFET | DMG3401LSN-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1326pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-59 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.7A |
| 小信号MOSFET | DMN2015UFDE-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1779pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):660mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:11.6mΩ@8.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:10.5A |
| 小信号MOSFET | DMN3070SSN-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:697pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):780mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@4.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-59 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.2A |
| 小信号MOSFET | DMN2065UW-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:400pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):430mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:56mΩ@2A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.8A |
| 小信号MOSFET | ZVP3310FTA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):330mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:20Ω@150mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.075A |
| 小信号MOSFET | DMN5L06-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,2.7V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω@200mA,2.7V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.28A |
| 小信号MOSFET | DMN53D0U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:37.1pF @ 25V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):520mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@50mA,5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.3A |
| 小信号MOSFET | DMP56D0UFB-7B | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.58nC @ 4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50.54pF @ 25V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):425mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:6Ω@100mA,4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:X1-DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | DMN62D0LFB-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.45nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:32pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):470mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@100mA,4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.1A |
| 小信号MOSFET | ZXMHC3F381N8TC | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ@5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:430pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):870mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.98A,4.13A |
| 小信号MOSFET | DMN2400UFD-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:500nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:37pF @ 16V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):400mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@200mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:X1-DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.9A |
| 小信号MOSFET | DMN2075U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:594.3pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:4.2A Pd-功率耗散(Max):800mW Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:8V 上升时间:9.8ns 下降时间:6.7ns 典型关闭延迟时间:28.1ns 典型接通延迟时间:7.4ns 系列:DMN2075 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 小信号MOSFET | DMG3414U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:829.9pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:4.2A Pd-功率耗散(Max):780mW Qg-栅极电荷:9.6nC Rds On(Max)@Id,Vgs:25mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:500mV 上升时间:8.3ns 下降时间:9.6ns 典型关闭延迟时间:40.1ns 典型接通延迟时间:8.1ns 系列:DMG3414 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 小信号MOSFET | ZVP2110A | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8Ω@375mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:E-Line FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.23A |
| 小信号MOSFET | DMP2012SN-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:180pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:300mΩ@400mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-59 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.7A |
| 小信号MOSFET | DMG2302UK-13 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.8A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:130pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):660mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:90mΩ@3.6A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 小信号MOSFET | DMC2038LVT-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:35mΩ@4A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:530pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):800mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOT-26 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.5A,3.1A |
| 小信号MOSFET | DMP2160UW-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:627pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:100mΩ@1.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A |
| 小信号MOSFET | BSS8402DW-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 连续漏极电流Id:115mA,130mA Pd-功率耗散(Max):200mW Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5Ω,10Ω 漏源极电压Vds:60V,50V 栅极电压Vgs:1V,800mV 典型关闭延迟时间:11ns,18ns 典型接通延迟时间:7ns,10ns 宽度:1.35mm 正向跨导 - 最小值:0.08S,0.05S 系列:BSS84 通道数量:2Channel 配置:Dual 长度:2.2mm 高度:1mm |
| 小信号MOSFET | DMN65D8L-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.87nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:22pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):370mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω@115mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.31A |
| 小信号MOSFET | DMN3042L-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):720mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:26.5mΩ@5.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5.8A |
| 小信号MOSFET | DMG2302UK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:130pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 连续漏极电流Id:2.8A Pd-功率耗散(Max):660mW Qg-栅极电荷:1.4nC Rds On(Max)@Id,Vgs:90mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:300mV 上升时间:2.7ns 下降时间:1.7ns 典型关闭延迟时间:4.2ns 典型接通延迟时间:0.6ns 通道数量:1Channel 配置:Single |
| 小信号MOSFET | DMP21D5UFB4-7B | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:500nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:46.1pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):460mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:970mΩ@100mA,5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.7A |
| 小信号MOSFET | DMP210DUFB4-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:175pF @ 15V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω@100mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:X2-DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | ZVN2110A | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:4Ω@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:E-Line FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.32A |