IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 小信号MOSFET | PMT200EPEX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT223 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:167mΩ@2.4A,10V Pd-功率耗散(Max):0.8W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:-70V 输入电容:822pF 输出电容:47pF 连续漏极电流Id:-2.4A |
| 小信号MOSFET | VT6K1T2CR | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:100mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5Ω 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:300mV 上升时间:4ns 下降时间:38ns 典型关闭延迟时间:20ns 典型接通延迟时间:5ns 封装/外壳:VMT-6 系列:VT6K1 通道数量:2Channel 配置:Dual 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | UM6K31NTN | ROHM(罗姆) | Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4Ω@250mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):150mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:UMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.25A |
| 小信号MOSFET | UM6K33NTN | ROHM(罗姆) | Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):120mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:UMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | TT8J11TCR | ROHM(罗姆) | 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:3.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:43mΩ@3.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 6V Pd-功率耗散(Max):650mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-TSST |
| 小信号MOSFET | RYM002N05T2CL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:0.9V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:26pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:VMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | RV2C010UNT2L | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 栅极电压Vgs:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):400mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:470mΩ@500mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-883 |
| 小信号MOSFET | RW1A013ZPT2R | ROHM(罗姆) | |
| 小信号MOSFET | RV2C002UNT2L | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:180mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):100mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@150mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-101,SOT-883 |
| 小信号MOSFET | RV2C001ZPT2L | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:100mA Pd-功率耗散(Max):100mw Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5Ω 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:1V 上升时间:62ns 下降时间:137ns 典型关闭延迟时间:325ns 典型接通延迟时间:46ns 宽度:0.6mm 封装/外壳:DFN1006-3 FET类型:P-Channel 正向跨导 - 最小值:120mS 系列:RV2C001ZP 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:1.00mm 高度:0.4mm |
| 小信号MOSFET | RV1C001ZPT2L | ROHM(罗姆) | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:15pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):100mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.8Ω@100mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C 封装/外壳:3-SMD FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:100mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA |
| 小信号MOSFET | RUF020N02TL | ROHM(罗姆) | 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:180pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):320mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ@2A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-SMD FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA |
| 小信号MOSFET | RU1E002SPTCL | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:250mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:30pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4Ω@250mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-85 |
| 小信号MOSFET | RU1C002UNTCL | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:200mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:800mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:300mV 上升时间:10ns 下降时间:10ns 典型关闭延迟时间:15ns 典型接通延迟时间:5ns 封装/外壳:SOT-323FL-3 系列:RU1C002UN 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | RU1C001ZPTL | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:100mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:15pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.8Ω@100mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C 封装/外壳:SC-85 |
| 小信号MOSFET | RU1C001UNTCL | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:100mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5Ω 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:300mV 上升时间:4ns 下降时间:38ns 典型关闭延迟时间:20ns 典型接通延迟时间:5ns 封装/外壳:SOT-323FL-3 正向跨导 - 最小值:180mS 系列:RU1C001UN 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | RTF016N05TL | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:45V 连续漏极电流Id:1.6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.3nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):320mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@1.6A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:3-SMD |
| 小信号MOSFET | RT1A060APTR | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:6A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:-8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7800pF @ 6V Pd-功率耗散(Max):600mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:19mΩ@6A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SMD |
| 小信号MOSFET | RT1A045APTCR | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:4.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:-8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 6V Pd-功率耗散(Max):650mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@4.5A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SMD |
| 小信号MOSFET | RSE002N06TL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15pF @ 25V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMT 连续漏极电流Id:250mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:1.7Ω 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:20V 上升时间:5ns 下降时间:28ns 典型关闭延迟时间:18ns 典型接通延迟时间:3.5ns 正向跨导 - 最小值:0.25S 系列:RSE002N06 通道数量:1Channel 配置:Single FET类型:N-Channel |
| 小信号MOSFET | RSC002P03T316 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:30pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4Ω@250mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.25A |
| 小信号MOSFET | RRL035P03TR | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):320mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@3.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TUMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.5A |
| 小信号MOSFET | RRH100P03GZETB | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:10A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:68nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3600pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):650mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:12.6mΩ@10A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC |
| 小信号MOSFET | RRH050P03GZETB | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:850pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):650mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC |
| 小信号MOSFET | RQ6P015SPTR | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:322nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:950pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):600mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:470mΩ@1.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 |
| 小信号MOSFET | RQ1C075UNTR | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:7.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:18nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ@7.5A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SMD |
| 小信号MOSFET | RQ1E070RPTR | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:26nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2700pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):550mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:17mΩ@7A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:7A |
| 小信号MOSFET | RQ1C065UNTR | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:6.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:11nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:870pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ@6.5A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SMD |
| 小信号MOSFET | RE1E002SPTCL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:30pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4Ω@250mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMTF FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.25A |
| 小信号MOSFET | RE1C002UNTCL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,2.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2Ω@100mA,2.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMTF FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | EM6K33T2R | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:200mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 漏源极电压Vds:50V 栅极电压Vgs:±8V 上升时间:6ns,6ns 下降时间:55ns,55ns 典型关闭延迟时间:15ns,15ns 典型接通延迟时间:4ns,4ns 封装/外壳:SOT-563-6 系列:EM6K33 通道数量:2Channel 配置:Dual 工作温度:-55℃~150℃ FET类型:2N-Channel |
| 小信号MOSFET | EM6K34T2CR | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:200mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω 漏源极电压Vds:50V 栅极电压Vgs:300mV 上升时间:8ns 下降时间:43ns 典型关闭延迟时间:17ns 典型接通延迟时间:5ns 宽度:1.2mm 封装/外壳:SOT-563-6 系列:EM6K34 通道数量:2Channel 配置:Dual 长度:1.60mm 高度:0.50mm |
| 小信号MOSFET | PMXB360ENEAZ | 封装/外壳:SOT1215 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:540mΩ@4.5V,450mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.4W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.7V,20V 漏源极电压Vds:80V 输入电容:130pF 输出电容:20pF 连续漏极电流Id:1.1A | |
| 小信号MOSFET | RZF020P01TL | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:770pF @ 6V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ@2A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TUMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:2A | |
| 小信号MOSFET | SI8816EDB-T2-E1 | 系列:TrenchFET® FET类型:N-Channel 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:195pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:109mΩ@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:MicroFoot-4 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:109mΩ |