IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 小信号MOSFET | IRLML5103TRPBF | Infineon(英飞凌) | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@600mA,10V FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.76A 封装/外壳:Micro3™/SOT-23 |
| 小信号MOSFET | SIP32510DT-T1-GE3 | Vishay(威世) | 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:1.2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:3A 导通电阻（典型值）:46 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:反向电流 工作温度:-40°C~125°C(TJ) 封装/外壳:TSOT-23-6 输出端数量:1Output 电流限制:3A 导通电阻—最大值:53mOhms 工作电源电压:1.2Vto5.5V 电源电压-最小:1.2V 电源电压-最大:5.5V Pd-功率耗散(Max):833mW 运行时间—最大值:400us 空闲时间—最大值:1us |
| 小信号MOSFET | BSS126 H6327 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流Id:21mA Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) Qg-栅极电荷:2.1nC Rds On(Max)@Id,Vgs:500Ω 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:2.7V 上升时间:9.7ns 下降时间:115ns 典型关闭延迟时间:14ns 典型接通延迟时间:6.1ns 宽度:1.3mm 封装/外壳:SOT-23-3 正向跨导 - 最小值:8mS 系列:BSS126 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:1.10mm 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | 2N7002 H6327 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流Id:300mA Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) Qg-栅极电荷:600 pC Rds On(Max)@Id,Vgs:1.6Ω 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:3.3ns 下降时间:3.1ns 典型关闭延迟时间:5.5ns 典型接通延迟时间:3ns 宽度:1.3mm 封装/外壳:SOT-23-3 正向跨导 - 最小值:200mS 系列:2N7002 通道数量:1 Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:1.10mm 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | SN7002W H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:230mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.3Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:1nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:XN7002 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:100mS 下降时间:8.5ns 上升时间:2.8ns 典型关闭延迟时间:6ns 典型接通延迟时间:2.4ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | SN7002N H6433 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:200mA Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:1nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):0.36W 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:XN7002 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:90mS 下降时间:3.6ns 上升时间:3.2ns 典型关闭延迟时间:5.3ns 典型接通延迟时间:2.4ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | SN7002N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:200mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:1.5nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:SN7002 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:90mS 下降时间:3.6ns 上升时间:3.2ns 典型关闭延迟时间:5.3ns 典型接通延迟时间:2.4ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | IRLML5103TRPBF | Infineon(英飞凌) | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@600mA,10V FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.76A 封装/外壳:Micro3™/SOT-23 |
| 小信号MOSFET | PMN25ENEAX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT457 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:32mΩ@4.5V,24mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.667W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.5V,20V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:440pF 输出电容:110pF 连续漏极电流Id:6.4A |
| 小信号MOSFET | BSV236SP H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:131mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:-5.7nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):560mW 高度:0.90mm 长度:2.00mm 系列:BSV236 FET类型:P-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:2.2S 下降时间:12.2ns 上升时间:8.5ns 典型关闭延迟时间:14.1ns 典型接通延迟时间:5.7ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS84PW H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:150mA Rds On(Max)@Id,Vgs:4.6Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:1.5nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):300mW 高度:0.90mm 长度:2.00mm 系列:BSS84 FET类型:P-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:80mS 下降时间:20.5ns 上升时间:16.2ns 典型关闭延迟时间:8.6ns 典型接通延迟时间:6.7ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS84P H6433 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:170mA Rds On(Max)@Id,Vgs:5.8Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:1.5nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS84 FET类型:P-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:65mS 下降时间:20.5ns 上升时间:16.2ns 典型关闭延迟时间:8.6ns 典型接通延迟时间:6.7ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS816NW H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:107mΩ 栅极电压Vgs:8V Qg-栅极电荷:600pC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS816 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:4.9S 下降时间:2.2ns 上升时间:9ns 典型关闭延迟时间:11ns 典型接通延迟时间:5.3ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS806NE H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:41mΩ 栅极电压Vgs:8V Qg-栅极电荷:1.7nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS806 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:9S 下降时间:3.7ns 上升时间:9.9ns 典型关闭延迟时间:12ns 典型接通延迟时间:7.5ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS806N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:41mΩ 栅极电压Vgs:550mV Qg-栅极电荷:1.7nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS806 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:9S 下降时间:3.7ns 上升时间:9.9ns 典型关闭延迟时间:12ns 典型接通延迟时间:7.5ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS7728N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:200mA Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:1nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS7728 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:0.2S 下降时间:9ns 上升时间:2.7ns 典型关闭延迟时间:6.1ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS316N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:119mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:600pC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS316 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:2.3S 下降时间:1ns 上升时间:2.3ns 典型关闭延迟时间:5.8ns 典型接通延迟时间:3.4ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS315P H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:113mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:-2.3nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS315 FET类型:P-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:2.7S 下降时间:7.5ns 上升时间:6.5ns 典型关闭延迟时间:14.3ns 典型接通延迟时间:5ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS314PE H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:107mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:-2.9nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS314 FET类型:P-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:3S 下降时间:2.8ns 上升时间:3.9ns 典型关闭延迟时间:12.4ns 典型接通延迟时间:5.1ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS306N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:44mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:1.5nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS306 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:5S 下降时间:1.4ns 上升时间:2.3ns 典型关闭延迟时间:8.3ns 典型接通延迟时间:4.4ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS223PW H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:390mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.1Ω 栅极电压Vgs:-2.5V Qg-栅极电荷:-0.5nC Pd-功率耗散(Max):250mW 系列:BSS223 FET类型:P-Channel 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS215P H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:-3.6nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS215 FET类型:P-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:4.5S 下降时间:14ns 上升时间:9.7ns 典型关闭延迟时间:14.5ns 典型接通延迟时间:6.7ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS214NW H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:106mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:800pC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:0.90mm 长度:2.00mm 系列:BSS214 FET类型:N-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:4S 下降时间:1.4ns 上升时间:7.8ns 典型关闭延迟时间:6.8ns 典型接通延迟时间:4.1ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS214N H6327 | Infineon(英飞凌) | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:143pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 漏源极电压Vds:20V 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.8nC @ 5V 通道数量:1Channel 连续漏极电流Id:1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:106mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:800pC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS214 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:4S 下降时间:1.4ns 上升时间:7.8ns 典型关闭延迟时间:6.8ns 典型接通延迟时间:4.1ns |
| 小信号MOSFET | BSS209PW H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:630mA Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ 栅极电压Vgs:4.5V Qg-栅极电荷:-1.0nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):300mW 高度:0.90mm 长度:2.00mm 系列:BSS209 FET类型:P-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:870mS 下降时间:4.6ns 上升时间:7ns 典型关闭延迟时间:6ns 典型接通延迟时间:2.6ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS205N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:3.2nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS205 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:8.5S 下降时间:2.4ns 上升时间:2.9ns 典型关闭延迟时间:11ns 典型接通延迟时间:5.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS169 H6906 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:90mA Rds On(Max)@Id,Vgs:12Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:2.8nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS169 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:0.1S 下降时间:27ns 上升时间:2.7ns 典型关闭延迟时间:11ns 典型接通延迟时间:2.9ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS169 H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:90mA Rds On(Max)@Id,Vgs:6Ω 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:2.1nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS169 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:0.1S 下降时间:27ns 上升时间:2.7ns 典型关闭延迟时间:11ns 典型接通延迟时间:2.9ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS159N H6906 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:230mA Rds On(Max)@Id,Vgs:1.7Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:1.4nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS159 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:100mS 下降时间:9ns 上升时间:2.9ns 典型接通延迟时间:3.1ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS159N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:230mA Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5Ω 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:1.4nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS159 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:100mS 下降时间:9ns 上升时间:2.9ns 典型接通延迟时间:3.1ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS139 H6906 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:100mA Rds On(Max)@Id,Vgs:7.8Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:3.5nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:60mS 下降时间:182ns 上升时间:5.4ns 典型关闭延迟时间:29ns 典型接通延迟时间:5.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS139 H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:100mA Rds On(Max)@Id,Vgs:14Ω 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:2.3nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:0.06S 下降时间:182ns 上升时间:5.4ns 典型关闭延迟时间:29ns 典型接通延迟时间:5.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS138W H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:280mA Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5Ω 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:1nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:0.90mm 长度:2.00mm FET类型:N-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:0.12S 下降时间:8.2ns 上升时间:3ns 典型关闭延迟时间:6.7ns 典型接通延迟时间:2.2ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS138N H6433 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:230mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:1.4nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS138 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:100mS 下降时间:8.2ns 上升时间:3ns 典型关闭延迟时间:6.7ns 典型接通延迟时间:2.3ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS138N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:230mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:1.4nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS138 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:100mS 下降时间:8.2ns 上升时间:3ns 典型关闭延迟时间:6.7ns 典型接通延迟时间:2.3ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS126 H6906 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:21mA Rds On(Max)@Id,Vgs:500Ω 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:1.4nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS126 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:8mS 下降时间:115ns 上升时间:9.7ns 典型关闭延迟时间:14ns 典型接通延迟时间:6.1ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS123N H6433 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:190mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:900pC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS123 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:410mS 下降时间:22ns 上升时间:3.2ns 典型关闭延迟时间:7.4ns 典型接通延迟时间:2.3ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS119N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:190mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.406Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:600pC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS119 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:350mS 下降时间:18.8ns 上升时间:3.3ns 典型关闭延迟时间:7ns 典型接通延迟时间:2.7ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSR802N L6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:23mΩ 栅极电压Vgs:2.5V Qg-栅极电荷:4.7nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSR802 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:16S 下降时间:4.1ns 上升时间:18ns 典型关闭延迟时间:26ns 典型接通延迟时间:9.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSR302N L6327 | Infineon(英飞凌) | 500 mW:Pd - 功率消耗 系列:BSR302 下降时间:3.2 ns 标准包装数量:3000 标准断开延迟时间:16.2 ns 配置:Single 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:23mΩ 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:4.4nC Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:12S 上升时间:3.2ns 典型关闭延迟时间:16.2ns 典型接通延迟时间:6.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSR202N L6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.8A Rds On(Max)@Id,Vgs:21mΩ 栅极电压Vgs:4.5V Qg-栅极电荷:5.8nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSR202 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:17S 下降时间:3.7ns 上升时间:16.7ns 典型关闭延迟时间:19ns 典型接通延迟时间:8.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSL316C H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:2Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.4A,1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:119mΩ,113mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:600pC,-2.4nC 配置:Dual Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:3mm 系列:BSL316 FET类型:N+P-Channel 宽度:1.5mm 正向跨导 - 最小值:2.3S,2.7S 下降时间:1ns,7.5ns 上升时间:2.3ns,6.5ns 典型关闭延迟时间:5.8ns,14.3ns 典型接通延迟时间:3.4ns,5ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSL215C H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:2Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:108mΩ,102mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:730pC,-3nC 配置:Dual Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:3mm 系列:BSL215 FET类型:N+P-Channel 宽度:1.5mm 正向跨导 - 最小值:4S,4.5S 下降时间:1.4ns,14ns 上升时间:7.6ns,9.7ns 典型关闭延迟时间:6.8ns,14.5ns 典型接通延迟时间:4.1ns,6.7ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSL207N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:2Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:58mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:2.1nC,2.1nC 配置:Dual Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:3mm 系列:BSL207 FET类型:2N-Channel 宽度:1.5mm 正向跨导 - 最小值:7S,7S 下降时间:2.4ns,2.4ns 上升时间:2.8ns,2.8ns 典型关闭延迟时间:11ns,11ns 典型接通延迟时间:5.4ns,5.4ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSL205N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:2Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:39mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:3.2nC,3.2nC 配置:Dual Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:3mm 系列:BSL205 FET类型:2N-Channel 宽度:1.5mm 正向跨导 - 最小值:8.6S,8.6S 下降时间:2.4ns,2.4ns 上升时间:2.9ns,2.9ns 典型关闭延迟时间:11ns,11ns 典型接通延迟时间:5.8ns,5.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSD840N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:2Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:880mA Rds On(Max)@Id,Vgs:270mΩ 栅极电压Vgs:8V Qg-栅极电荷:260pC,260pC 配置:Dual Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:0.90mm 长度:2.00mm 系列:BSD840 FET类型:2N-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:2.5S,2.5S 下降时间:900ps,900ps 上升时间:2.2ns,2.2ns 典型关闭延迟时间:7.8ns,7.8ns 典型接通延迟时间:1.9ns,1.9ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSD316SN H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:600pC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:0.90mm 长度:2.00mm 系列:BSD316 FET类型:N-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:2.3S 下降时间:1ns 上升时间:2.3ns 典型关闭延迟时间:5.8ns 典型接通延迟时间:3.4ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSD235N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:2Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:950mA Rds On(Max)@Id,Vgs:266mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:320pC,320pC 配置:Dual Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:0.90mm 长度:2.00mm 系列:BSD235 FET类型:2N-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:2S,2S 下降时间:1.2ns,1.2ns 上升时间:3.6ns,3.6ns 典型关闭延迟时间:4.5ns,4.5ns 典型接通延迟时间:3.8ns,3.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSD235C H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:2Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:950mA,530mA Rds On(Max)@Id,Vgs:266mΩ,745mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:340pC,-400pC 配置:Dual Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSD235 FET类型:N+P-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:2S,700mS 下降时间:1.2ns,3.2ns 上升时间:3.6ns,5ns 典型关闭延迟时间:4.5ns,5.1ns 典型接通延迟时间:3.8ns,3.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSD223P H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:2Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:390mA Rds On(Max)@Id,Vgs:700mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:-620pC 配置:Dual Pd-功率耗散(Max):250mW 高度:0.90mm 长度:2.00mm 系列:BSD223 FET类型:2P-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:350mS 下降时间:3.2ns 上升时间:5ns 典型关闭延迟时间:5.1ns 典型接通延迟时间:3.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSD214SN H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:111mΩ 栅极电压Vgs:12V Qg-栅极电荷:800pC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:0.90mm 长度:2.00mm 系列:BSD214 FET类型:N-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:4S 下降时间:1.4ns 上升时间:7.8ns 典型关闭延迟时间:6.8ns 典型接通延迟时间:4.1ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | 2N7002DW H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:2Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:300mA Rds On(Max)@Id,Vgs:1.6Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:600pC,600pC 配置:Dual Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:0.90mm 长度:2.00mm 系列:2N7002 FET类型:2N-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:200mS,200mS 下降时间:3.1ns,3.1ns 上升时间:3.3ns,3.3ns 典型关闭延迟时间:5.5ns,5.5ns 典型接通延迟时间:3ns,3ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS84PW | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:150mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.5nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:19.1pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):300mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8Ω@150mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT323-3 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V |
| 小信号MOSFET | BSS670S2L | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:540mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 2.7µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.26nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):360mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:650mΩ@270mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3 |
| 小信号MOSFET | BSS209PW | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:580mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.5µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.38nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:89.9pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):520mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ@580mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT323-3 |
| 小信号MOSFET | BSD223P | Infineon(英飞凌) | 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:390mA Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2Ω@390mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:56pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):250mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT363-6 |
| 小信号MOSFET | IRHLUBC7970Z4 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:UBC Circuit:Discrete FET类型:P-Channel DLA Qualified:QPL JEDEC Part Number:2N7626UBC 连续漏极电流Id:-0.33 BVDSS:-60 Generation:R7 Die Size:Z Total Dose:100 Pd-功率耗散(Max):0.6W Optional Total Dose Ratings:300 Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3 |
| 小信号MOSFET | IRHLUBC770Z4 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:UBC Technology:Hi-Rel DISCRETE Circuit:Discrete FET类型:N-Channel DLA Qualified:QPL JEDEC Part Number:2N7616UBC 连续漏极电流Id:0.5 BVDSS:60 Generation:R7 Die Size:Z Total Dose:100 Pd-功率耗散(Max):0.6W Optional Total Dose Ratings:300 Halogen-Free:Yes Rds On(Max)@Id,Vgs:0.68 |
| 小信号MOSFET | IRHLUB7970Z4 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:UB Circuit:Discrete FET类型:P-Channel DLA Qualified:QPL JEDEC Part Number:2N7626UB 连续漏极电流Id:-0.33 BVDSS:-60 Generation:R7 Die Size:Z Total Dose:100 Pd-功率耗散(Max):0.6W Optional Total Dose Ratings:300 Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3 |
| 小信号MOSFET | IRHLUB770Z4 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:UB Technology:Hi-Rel DISCRETE Circuit:Discrete FET类型:N-Channel DLA Qualified:QPL JEDEC Part Number:2N7616UB 连续漏极电流Id:0.5 BVDSS:60 Generation:R7 Die Size:Z Total Dose:100 Pd-功率耗散(Max):0.6W Optional Total Dose Ratings:300 Halogen-Free:Yes Rds On(Max)@Id,Vgs:0.68 |
| 小信号MOSFET | BSS84PW | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:150mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.5nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:19.1pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):300mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8Ω@150mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT323-3 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V |
| 小信号MOSFET | BSS7728N | Infineon(英飞凌) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 26µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:56pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT23-3 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:200mA Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5Ω 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 下降时间:2.7ns 上升时间:2.7ns 典型关闭延迟时间:6.1ns 典型接通延迟时间:2.7ns |
| 小信号MOSFET | BSS670S2L | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:540mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 2.7µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.26nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):360mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:650mΩ@270mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3 |
| 小信号MOSFET | BSS209PW | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:580mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.5µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.38nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:89.9pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):520mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ@580mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT323-3 |
| 小信号MOSFET | BSS159N | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 下降时间:2.9ns 上升时间:2.9ns 典型关闭延迟时间:9ns 典型接通延迟时间:3.1ns Moisture Level:1 Ohms Rds On(Max)@Id,Vgs:3500mΩ 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.23A RthJC max:350.0 K/W 封装/外壳:SOT-23 QG:2.2nC Budgetary Price €/1k:0.06 Ptot max:0.36W Pin Count:3.0 Pins 栅极电压Vgs:-3.5V,-2.4V Mounting:SMD Mode:Depletion Coss:7.4 pF Ciss:29.0 pF 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS138W | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT323-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:210mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.1nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:38pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):340mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5Ω@220mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) |
| 小信号MOSFET | BSS127 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 下降时间:9.7ns 上升时间:9.7ns 典型关闭延迟时间:14ns 典型接通延迟时间:6.1ns Moisture Level:1 Ohms 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:0.023A RthJC max:350.0 K/W 封装/外壳:SOT-23 QG:1.4 nC Budgetary Price €/1k:0.06 Rds On(Max)@Id,Vgs:600000mΩ Ptot max:0.5W 栅极电压Vgs:1.4V,2.6V Coss:2.4 pF Ciss:21.0pF 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSR92P | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 下降时间:6.3ns 上升时间:6.3ns 典型关闭延迟时间:75ns 典型接通延迟时间:6.4ns Moisture Level:1 Ohms 漏源极电压Vds:-250V 连续漏极电流Id:-0.14A 封装/外壳:SC59 Rth:250.0 K/W QG:3.6 nC Budgetary Price €/1k:0.08 Rds On(Max)@Id,Vgs:13000mΩ Ptot max:0.5W FET类型:P-Channel 栅极电压Vgs:-2V,-1V Mounting:SMD Mode:Enhancement Coss:12.0pF Ciss:82.0pF 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSR315P | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm 宽度:1.3mm 下降时间:28ns 上升时间:28ns 典型关闭延迟时间:21ns 典型接通延迟时间:8ns Moisture Level:1 Ohms 漏源极电压Vds:-60V 连续漏极电流Id:-0.62A 封装/外壳:SC59 Rth:250.0K/W QG:4.0nC Budgetary Price €/1k:0.09 Rds On(Max)@Id,Vgs:1300mΩ Ptot max:0.5W FET类型:P-Channel Mounting:SMD Mode:enhancement Coss:42.0pF Ciss:132.0pF 栅极电压Vgs:-2V,-1V 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSR302N | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 下降时间:3.2ns 上升时间:3.2ns 典型关闭延迟时间:16.2ns 典型接通延迟时间:6.8ns 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.7A 封装/外壳:SC59 QG:4.4nC Budgetary Price €/1k:0.11 Rds On(Max)@Id,Vgs:36mΩ Ptot max:0.5W RthJA max:250.0K/W Coss:202.0pF Ciss:564.0pF 栅极电压Vgs:1.2V,2V 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSR202N | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:1.10mm 长度:2.9mm FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 下降时间:16.7ns 上升时间:16.7ns 典型关闭延迟时间:19ns 典型接通延迟时间:8.8ns Moisture Level:1 Ohms 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.8A 封装/外壳:SC59 QG:5.8nC Budgetary Price €/1k:0.1 Ptot max:0.5mW RthJA max:250.0K/W Coss:278.0pF Ciss:863.0pF 栅极电压Vgs:0.7V,1.2V Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSD223P | Infineon(英飞凌) | 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:390mA Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2Ω@390mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:56pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):250mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-SOT363-6 |
| 小信号MOSFET | 2N7002DW | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-SOT363-6 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:115mA Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5Ω@50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):200mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) |