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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 小信号MOSFET | BSS83PH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:SIPMOS® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 80µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.57nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:78pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):360mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@330mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.33A |
| 小信号MOSFET | EM6M2T2R | ROHM(罗姆) | Rds On(Max)@Id,Vgs:1Ω@200mA,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):150mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMT FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | 2N7002-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:2N 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:115mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5Ω@500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V |
| 小信号MOSFET | NTR4502PT1G | ON(安森美) | 系列:NTR4502P 高度:0.94 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.3 mm 配置:Single 典型接通延迟时间:5.2 ns 上升时间:12 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:19 ns 正向跨导-最小值:3 S 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:200pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):400mW(Tj) Rds On(Max)@Id,Vgs:200mΩ@1.95A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.13A |
| 小信号MOSFET | DMN3730UFB4-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:64.3pF @ 25V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):470mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:460mΩ@200mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:X2-DFN FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.91A |
| 小信号MOSFET | IRLML5103TRPBF | Infineon(英飞凌) | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@600mA,10V FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.76A 封装/外壳:Micro3™/SOT-23 |
| 小信号MOSFET | BSS126 H6327 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流Id:21mA Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) Qg-栅极电荷:2.1nC Rds On(Max)@Id,Vgs:500Ω 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:2.7V 上升时间:9.7ns 下降时间:115ns 典型关闭延迟时间:14ns 典型接通延迟时间:6.1ns 宽度:1.3mm 封装/外壳:SOT-23-3 正向跨导 - 最小值:8mS 系列:BSS126 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:1.10mm 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS138N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:230mA Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:1.4nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS138 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:100mS 下降时间:8.2ns 上升时间:3ns 典型关闭延迟时间:6.7ns 典型接通延迟时间:2.3ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS138W H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:280mA Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5Ω 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:1nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):500mW(1/2W) 高度:0.90mm 长度:2.00mm FET类型:N-Channel 宽度:1.25mm 正向跨导 - 最小值:0.12S 下降时间:8.2ns 上升时间:3ns 典型关闭延迟时间:6.7ns 典型接通延迟时间:2.2ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS7728N H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:200mA Rds On(Max)@Id,Vgs:5Ω 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:1nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm 系列:BSS7728 FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:0.2S 下降时间:9ns 上升时间:2.7ns 典型关闭延迟时间:6.1ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | 2N7002W-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 连续漏极电流Id:115mA Pd-功率耗散(Max):200mW Rds On(Max)@Id,Vgs:13.5Ω 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1V 典型关闭延迟时间:11ns 典型接通延迟时间:7ns 宽度:1.35mm 正向跨导 - 最小值:80mS 系列:2N7002 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.2mm 高度:1mm |
| 小信号MOSFET | 2N7002DW-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 配置:Dual 正向跨导-最小值:0.08 S 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 连续漏极电流Id:230mA Pd-功率耗散(Max):0.4W Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5Ω 漏源极电压Vds:70V 栅极电压Vgs:1V 典型关闭延迟时间:11ns 典型接通延迟时间:7ns 宽度:1.35mm FET类型:2N-Channel 正向跨导 - 最小值:80mS 系列:2N7002 通道数量:2Channel 长度:2.2mm 高度:1mm |
| 小信号MOSFET | BSS8402DW-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 连续漏极电流Id:115mA,130mA Pd-功率耗散(Max):200mW Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5Ω,10Ω 漏源极电压Vds:60V,50V 栅极电压Vgs:1V,800mV 典型关闭延迟时间:11ns,18ns 典型接通延迟时间:7ns,10ns 宽度:1.35mm 正向跨导 - 最小值:0.08S,0.05S 系列:BSS84 通道数量:2Channel 配置:Dual 长度:2.2mm 高度:1mm |
| 小信号MOSFET | BSS84W-7-F | Diodes(达尔（美台）) | 系列:BSS 高度:1 mm 长度:2.2 mm 宽度:1.35 mm 配置:Single 典型接通延迟时间:10 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:18 ns 正向跨导-最小值:0.05 S 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:45pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:10Ω@100mA,5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.13A |
| 小信号MOSFET | DMC2038LVT-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:35mΩ@4A,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:530pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):800mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOT-26 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.5A,3.1A |
| 小信号MOSFET | DMC2004DWK-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ@540mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 16V Pd-功率耗散(Max):250mW 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.54A,0.43A |
| 小信号MOSFET | DMG3415UFY4-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:281.9pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFN 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:16V 连续漏极电流Id:2.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:31mΩ 栅极电压Vgs:8V Qg-栅极电荷:10nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):650mW 系列:DMG3415 FET类型:P-Channel 下降时间:568ns 上升时间:175ns 典型关闭延迟时间:885ns 典型接通延迟时间:79ns |
| 小信号MOSFET | DMN2004TK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 16V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:540mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:8V 上升时间:9.1ns 下降时间:9.1ns 典型关闭延迟时间:51ns 典型接通延迟时间:8.5ns 宽度:0.80mm 封装/外壳:SOT-523-3 系列:DMN2004 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:1.60mm 高度:0.75mm |
| 小信号MOSFET | DMN2004VK-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ@540mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 16V Pd-功率耗散(Max):250mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.54A |
| 小信号MOSFET | DMG1023UV-7 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:750mΩ@430mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.62nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:59.76pF @ 16V Pd-功率耗散(Max):530mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-563 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:1.03A |
| 小信号MOSFET | DMG6968UDM-7 | Diodes(达尔（美台）) | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:143pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26 连续漏极电流Id:6.5A Pd-功率耗散(Max):850mW Qg-栅极电荷:8.8nC Rds On(Max)@Id,Vgs:24mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:900mV 上升时间:78ns 下降时间:234ns 典型关闭延迟时间:562ns 典型接通延迟时间:53ns 宽度:1.60mm 系列:DMG6968UDM 通道数量:2Channel 配置:Dual 长度:3mm 高度:1.10mm |
| 小信号MOSFET | DMN2065UW-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:400pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):430mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:56mΩ@2A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.8A |
| 小信号MOSFET | DMN2016UTS-13 | Diodes(达尔（美台）) | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1495pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSSOP 连续漏极电流Id:8.58A Pd-功率耗散(Max):880mW Rds On(Max)@Id,Vgs:16.5mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:8V 上升时间:11.66ns 下降时间:16.27ns 典型关闭延迟时间:59.38ns 典型接通延迟时间:10.39ns 系列:DMN2016 通道数量:2Channel 配置:Dual |
| 小信号MOSFET | DMN53D0U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:37.1pF @ 25V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):520mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@50mA,5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.3A |
| 小信号MOSFET | DMN5L06WK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):250mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω@50mA,5V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.3A |
| 小信号MOSFET | DMP56D0UFB-7B | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.58nC @ 4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50.54pF @ 25V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):425mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:6Ω@100mA,4V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:X1-DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | DMP1045U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:DMP 配置:Single 下降时间:106.9 ns 典型接通延迟时间:15.7 ns 上升时间:23.3 ns 通道数量:1 Channel Qg-栅极电荷:15.8 nC 典型关闭延迟时间:91.2 ns 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.8nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1357pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:31mΩ@4A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:5.2A |
| 小信号MOSFET | DMP2170U-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:3.1A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:303pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):780mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:90mΩ@3.5A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 小信号MOSFET | DMN65D8LDW-7 | Diodes(达尔（美台）) | 系列:DMN 下降时间:6.3 ns, 6.3 ns 典型接通延迟时间:3.3 ns, 3.3 ns 上升时间:3.2 ns, 3.2 ns 通道数量:2 Channel Qg-栅极电荷:870 pC, 870 pC 栅极电压Vgs:1V,1V 典型关闭延迟时间:12 ns, 12 ns 正向跨导-最小值:80 mS, 80 mS Rds On(Max)@Id,Vgs:6Ω@115mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.87nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:22pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):300mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | DMP2004TK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:175pF @ 16V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1Ω@430mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.43A |
| 小信号MOSFET | DMP21D0UT-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.54nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:80pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):240mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:495mΩ@400mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.65A |
| 小信号MOSFET | DMP21D5UFB4-7B | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:500nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:46.1pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):460mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:970mΩ@100mA,5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.7A |
| 小信号MOSFET | DMP3130L-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:432pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):700mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:77mΩ@4.2A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.5A |
| 小信号MOSFET | ZVN4106FTA | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:35pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5Ω@500mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | BSS123NH6327XTSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:OptiMOS™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 13µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:20.9pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:6Ω@190mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.19A |
| 小信号MOSFET | ZXMN6A07FQTA | Diodes(达尔（美台）) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:1.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:3.2nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):806mW 正向跨导 - 最小值:2.3S 下降时间:2ns 上升时间:1.4ns 典型关闭延迟时间:4.9ns 典型接通延迟时间:1.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | ZXMHC3F381N8TC | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ@5A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:430pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):870mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4.98A,4.13A |
| 小信号MOSFET | ZXMP10A13FTA | Diodes(达尔（美台）) | 系列:ZXMP 高度:1.02 mm 长度:3.04 mm 宽度:1.4 mm 配置:Single 下降时间:3.3 ns 典型接通延迟时间:1.6 ns 上升时间:2.1 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:5.9 ns 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:141pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):625mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1Ω@600mA,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:0.7A |
| 小信号MOSFET | FDG6316P | Fairchild(仙童) | 系列:FDG 高度:1.1 mm 长度:2 mm 宽度:1.25 mm 零件号别名:FDG6316P_NL 配置:Dual 典型接通延迟时间:5 ns 上升时间:13 ns 栅极电压Vgs:8V 通道数量:2 Channel 典型关闭延迟时间:8 ns 正向跨导-最小值:2.5 S Rds On(Max)@Id,Vgs:270mΩ@700mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:146pF @ 6V Pd-功率耗散(Max):300mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:12V 连续漏极电流Id:0.7A |
| 小信号MOSFET | FDN352AP | Fairchild(仙童) | 系列:FDN 高度:1.12 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.4 mm 零件号别名:FDN352AP_NL 配置:Single 典型接通延迟时间:4 ns 上升时间:15 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:10 ns 正向跨导-最小值:2 S 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.9nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ@1.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.3A |
| 小信号MOSFET | FDN352AP | Fairchild(仙童) | 系列:FDN 高度:1.12 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.4 mm 零件号别名:FDN352AP_NL 配置:Single 典型接通延迟时间:4 ns 上升时间:15 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:10 ns 正向跨导-最小值:2 S 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.9nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:150pF @ 15V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ@1.3A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SuperSOT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:1.3A |
| 小信号MOSFET | BSS138BKSH | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2200mΩ@4.5V,1600mΩ@10V,6500mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.445W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.1V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:42pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.32A |
| 小信号MOSFET | 2N7002BKMB,315 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT883B FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1600mΩ@10V,2000mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.6V,20V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:33pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.45A |
| 小信号MOSFET | 2N7002,215 | Nexperia(安世) | FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5000mΩ@10V,5300mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.83W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:30V,2V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:31pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.3A |
| 小信号MOSFET | NX3008NBKSH | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2100mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.28W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.9V,8V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:34pF 输出电容:6.5pF 连续漏极电流Id:0.35A |
| 小信号MOSFET | PMZB290UNE2YL | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT883B FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:320mΩ@4.5V,480mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.7V,8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:46pF 输出电容:9.6pF 连续漏极电流Id:1.2A |
| 小信号MOSFET | BSS139 H6327 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:100mA Rds On(Max)@Id,Vgs:14Ω 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:2.3nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):360mW 高度:1.10mm 长度:2.9mm FET类型:N-Channel 宽度:1.3mm 正向跨导 - 最小值:0.06S 下降时间:182ns 上升时间:5.4ns 典型关闭延迟时间:29ns 典型接通延迟时间:5.8ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 小信号MOSFET | BSS138PW,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2000mΩ@5V,1600mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.26W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.2V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:38pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.32A |
| 小信号MOSFET | BSH105,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:250mΩ@2.5V,200mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.17W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.57V,8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:152pF 输出电容:71pF |
| 小信号MOSFET | NX3008PBKS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:6500mΩ@2.5V,4100mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.28W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.9V 漏源极电压Vds:-30V 输入电容:31pF 输出电容:6.5pF 连续漏极电流Id:-0.2A |
| 小信号MOSFET | NX3008NBKMB,315 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT883B FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2100mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,0.9V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:34pF 输出电容:6.5pF 连续漏极电流Id:0.53A |
| 小信号MOSFET | NX7002AKS,115 | Nexperia(安世) | FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4500mΩ@10V,5200mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):0.33W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.6V,20V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:11pF 输出电容:3.4pF 连续漏极电流Id:0.17A |
| 小信号MOSFET | RSM002N06T2L | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4Ω@250mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:VMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.25A |
| 小信号MOSFET | DMG3415UFY4-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:281.9pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFN 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:16V 连续漏极电流Id:2.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:31mΩ 栅极电压Vgs:8V Qg-栅极电荷:10nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):650mW 系列:DMG3415 FET类型:P-Channel 下降时间:568ns 上升时间:175ns 典型关闭延迟时间:885ns 典型接通延迟时间:79ns |
| 小信号MOSFET | PMDT290UNE,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT666 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:620mΩ@2.5V,380mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.5W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.75V,8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:55pF 输出电容:15pF 连续漏极电流Id:0.8A |
| 小信号MOSFET | PMDPB30XN,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1118 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:53mΩ@2.5V,40mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.49W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.65V,12V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:660pF 输出电容:87pF 连续漏极电流Id:5.3A |
| 小信号MOSFET | PMDXB950UPELZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1216 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2200mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.265W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.7V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:43pF 输出电容:14pF 连续漏极电流Id:-0.5A |
| 小信号MOSFET | PMN48XP,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT457 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:82mΩ@2.5V,55mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.53W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-1V,12V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:1000pF 输出电容:130pF 连续漏极电流Id:-4.1A |
| 小信号MOSFET | PMF170XP,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:300mΩ@2.5V,200mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.29W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.9V,12V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:280pF 输出电容:43pF 连续漏极电流Id:-1A |
| 小信号MOSFET | EM6K34T2CR | ROHM(罗姆) | 连续漏极电流Id:200mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω 漏源极电压Vds:50V 栅极电压Vgs:300mV 上升时间:8ns 下降时间:43ns 典型关闭延迟时间:17ns 典型接通延迟时间:5ns 宽度:1.2mm 封装/外壳:SOT-563-6 系列:EM6K34 通道数量:2Channel 配置:Dual 长度:1.60mm 高度:0.50mm |
| 小信号MOSFET | PMV280ENEAR | Nexperia(安世) | FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:432mΩ@4.5V,385mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.7W 工作温度:175℃ 栅极电压Vgs:1.7V,20V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:190pF 输出电容:13pF 连续漏极电流Id:1.1A |
| 小信号MOSFET | RUC002N05HZGT116 | ROHM(罗姆) | 系列:汽车级,AEC-Q101 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 栅极电压Vgs:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):350mW(Ta) 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:200mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA |