IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT晶体管 | IRGS14C40L | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 功率:125W 输入类型:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/6µs 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | IRGB30B60K | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,30A 功率:370W 开关能量:350µJ(开),825µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/185ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4RC20F | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:22A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):44A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 功率:66W 开关能量:190µJ(开),920µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/194ns 测试条件:480V,12A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| IGBT晶体管 | IRG4RC10UD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8.5A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):34A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,5A 功率:38W 开关能量:140µJ(开),120µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/87ns 测试条件:480V,5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| IGBT晶体管 | IRG4RC10SD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,8A 功率:38W 开关能量:310µJ(开),3.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 测试条件:480V,8A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| IGBT晶体管 | IRG4PSH71UD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:99A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,70A 功率:350W 开关能量:8.8mJ(开),9.4mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/250ns 测试条件:960V,70A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:110ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) |
| IGBT晶体管 | IRG4PSH71KD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):156A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.9V @ 15V,42A 功率:350W 开关能量:5.68mJ(开),3.23mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:67ns/230ns 测试条件:800V,42A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:107ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) |
| IGBT晶体管 | IRG4PSC71KD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,60A 功率:350W 开关能量:3.95mJ(开),2.33mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:82ns/282ns 测试条件:480V,60A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:82ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) |
| IGBT晶体管 | IRG4PSC71K | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,60A 功率:350W 开关能量:790µJ(开),1.98mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/54ns 测试条件:480V,60A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) |
| IGBT晶体管 | IRG4PH20K | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):22A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:4.3V @ 15V,5A 功率:60W 开关能量:450µJ(开),440µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/93ns 测试条件:960V,5A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PH20KD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):22A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:4.3V @ 15V,5A 功率:60W 开关能量:620µJ(开),300µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/100ns 测试条件:800V,5A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:51ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PH40K | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.4V @ 15V,15A 功率:160W 开关能量:730µJ(开),1.66mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/200ns 测试条件:960V,15A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PH30KD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:4.2V @ 15V,10A 功率:100W 开关能量:950µJ(开),1.15mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/220ns 测试条件:800V,10A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:50ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PH30K | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:4.2V @ 15V,10A 功率:100W 开关能量:640µJ(开),920µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/200ns 测试条件:960V,10A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PC50U | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:55A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):220A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,27A 功率:200W 开关能量:120µJ(开),540µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:32ns/170ns 测试条件:480V,27A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PC50K | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:52A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):104A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,30A 功率:200W 开关能量:490µJ(开),680µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/160ns 测试条件:480V,30A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PC40K | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:42A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):84A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,25A 功率:160W 开关能量:620µJ(开),330µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 测试条件:480V,25A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PC40U | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,20A 功率:160W 开关能量:320µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/110ns 测试条件:480V,20A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PC40FD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:49A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.7V @ 15V,27A 功率:160W 开关能量:950µJ(开),2.01mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:63ns/230ns 测试条件:480V,27A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PC30KD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:28A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):58A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,16A 功率:100W 开关能量:600µJ(开),580µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 测试条件:480V,16A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PC40F | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:49A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.7V @ 15V,27A 功率:160W 开关能量:370µJ(开),1.81mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/240ns 测试条件:480V,27A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PC30U | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):92A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 功率:100W 开关能量:160µJ(开),200µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/78ns 测试条件:480V,12A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PC30S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:34A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):68A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.6V @ 15V,18A 功率:100W 开关能量:260µJ(开),3.45mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/540ns 测试条件:480V,18A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4PC30K | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:28A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):58A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,16A 功率:100W 开关能量:360µJ(开),510µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/130ns 测试条件:480V,16A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT晶体管 | IRG4IBC30W | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):92A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,12A 功率:45W 开关能量:130µJ(开),130µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/99ns 测试条件:480V,12A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| IGBT晶体管 | IRG4IBC30UD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):92A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 功率:45W 开关能量:380µJ(开),160µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/91ns 测试条件:480V,12A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| IGBT晶体管 | IRG4IBC30S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23.5A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):68A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.6V @ 15V,18A 功率:45W 开关能量:260µJ(开),3.45mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/540ns 测试条件:480V,18A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| IGBT晶体管 | IRG4IBC30KD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):34A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,16A 功率:45W 开关能量:600µJ(开),580µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 测试条件:480V,16A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| IGBT晶体管 | IRG4IBC20W | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11.8A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):52A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,6.5A 功率:34W 开关能量:60µJ(开),80µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/110ns 测试条件:480V,6.5A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| IGBT晶体管 | IRG4IBC20FD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14.3A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):64A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,9A 功率:34W 开关能量:250µJ(开),640µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/240ns 测试条件:480V,9A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| IGBT晶体管 | IRG4IBC20KD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11.5A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):23A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,9A 功率:34W 开关能量:340µJ(开),300µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:54ns/180ns 测试条件:480V,9A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| IGBT晶体管 | IRG4BC40W | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,20A 功率:160W 开关能量:110µJ(开),230µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/100ns 测试条件:480V,20A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4IBC10UD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6.8A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):27A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,5A 功率:25W 开关能量:140µJ(开),120µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/87ns 测试条件:480V,5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| IGBT晶体管 | IRG4BH20K-S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):22A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:4.3V @ 15V,5A 功率:60W 开关能量:450µJ(开),440µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/93ns 测试条件:960V,5A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | IRG4BH20K-L | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:11A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):22A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:4.3V @ 15V,5A 功率:60W 开关能量:450µJ(开),440µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/93ns 测试条件:960V,5A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-262 |
| IGBT晶体管 | IRG4BC40U | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,20A 功率:160W 开关能量:320µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/110ns 测试条件:480V,25A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC40K | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:42A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):84A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,25A 功率:160W 开关能量:620µJ(开),330µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns 测试条件:480V,25A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC30W | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):92A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,12A 功率:100W 开关能量:130µJ(开),130µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/99ns 测试条件:480V,12A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC30W-S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):92A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,12A 功率:100W 开关能量:130µJ(开),130µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/99ns 测试条件:480V,12A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | IRG4BC30U | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):92A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 功率:100W 开关能量:160µJ(开),200µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/78ns 测试条件:480V,12A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC30S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:34A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):68A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.6V @ 15V,18A 功率:100W 开关能量:260µJ(开),3.45mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/540ns 测试条件:480V,18A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC30K | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:28A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):58A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,16A 功率:100W 开关能量:360µJ(开),510µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/130ns 测试条件:480V,16A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC30FD1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:31A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,17A 功率:100W 开关能量:370µJ(开),1.42mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/250ns 测试条件:480V,17A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:46ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC30FD-S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:31A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,17A 功率:100W 开关能量:630µJ(开),1.39mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/230ns 测试条件:480V,17A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | IRG4BC30F | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:31A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,17A 功率:100W 开关能量:230µJ(开),1.18mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/200ns 测试条件:480V,17A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20W | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):52A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,6.5A 功率:60W 开关能量:60µJ(开),80µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/110ns 测试条件:480V,6.5A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20W-S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):52A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,6.5A 功率:60W 开关能量:60µJ(开),80µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:22ns/110ns 测试条件:480V,6.5A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20UD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):52A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,6.5A 功率:60W 开关能量:160µJ(开),130µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/93ns 测试条件:480V,6.5A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20UD-S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):52A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,6.5A 功率:60W 开关能量:160µJ(开),130µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/93ns 测试条件:480V,6.5A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20U | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):52A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,6.5A 功率:60W 开关能量:100µJ(开),120µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/86ns 测试条件:480V,6.5A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20SD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:19A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):38A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.6V @ 15V,10A 功率:60W 开关能量:320µJ(开),2.58mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:62ns/690ns 测试条件:480V,10A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:19A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):38A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.6V @ 15V,10A 功率:60W 开关能量:120µJ(开),2.05mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 测试条件:480V,10A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20SD-S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:19A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):38A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.6V @ 15V,10A 功率:60W 开关能量:320µJ(开),2.58mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:62ns/690ns 测试条件:480V,10A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20KD-S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):32A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,9A 功率:60W 开关能量:340µJ(开),300µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:54ns/180ns 测试条件:480V,9A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20KD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):32A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,9A 功率:60W 开关能量:340µJ(开),300µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:54ns/180ns 测试条件:480V,9A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20FD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):64A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,9A 功率:60W 开关能量:250µJ(开),640µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/240ns 测试条件:480V,9A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC20F | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):64A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,9A 功率:60W 开关能量:70µJ(开),600µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/190ns 测试条件:480V,9A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC15UD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):42A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,7.8A 功率:49W 开关能量:240µJ(开),260µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/160ns 测试条件:480V,7.8A,75 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4BC15UD-S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):42A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,7.8A 功率:49W 开关能量:240µJ(开),260µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/160ns 测试条件:480V,7.8A,75 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | IRG4BC15UD-L | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):42A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,7.8A 功率:49W 开关能量:240µJ(开),260µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/160ns 测试条件:480V,7.8A,75 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-262 |
| IGBT晶体管 | IRG4BC10SD-S | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,8A 功率:38W 开关能量:310µJ(开),3.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 测试条件:480V,8A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | SKW15N60 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 栅极/发射极最大电压:±20V 系列:SKW15N60 封装/外壳:Tube 集电极最大连续电流 Ic:31A 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 工作温度:-55°C ~ 150°C |
| IGBT晶体管 | SIGC54T65R3E | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 封装/外壳:WAFER SAWN Technology:IGBT3 VCE max:650.0 V 漏源极电压Vds:650V 工作温度:-40.0°C 175.0°C VGE(th) min max:5.1 V 6.4 V VCE(sat) max:1.77 V VCE max:650.0V VCE(sat) max:1.77V IC max:100.0A VGE(th) min max:5.1V 6.4V IC max:100.0 A |
| IGBT晶体管 | SIGC40T65R3E | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 封装/外壳:WAFER SAWN Technology:IGBT3 VCE max:650.0 V 漏源极电压Vds:650V 工作温度:-40.0°C 175.0°C VGE(th) min max:5.1 V 6.4 V VCE(sat) max:1.77 V VCE max:650.0V VCE(sat) max:1.77V IC max:75.0A VGE(th) min max:5.1V 6.4V IC max:75.0 A |
| IGBT晶体管 | SIGC28T60E | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 封装/外壳:WAFER SAWN Technology:IGBT3 VCE max:600.0 V 漏源极电压Vds:600V 工作温度:-40.0°C 175.0°C VGE(th) min max:5.0 V 6.5 V VCE(sat) max:1.85 V VCE max:600.0V VCE(sat) max:1.85V IC max:50.0A VGE(th) min max:5.0V 6.5V IC max:50.0 A |
| IGBT晶体管 | SIGC10T60SE | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 封装/外壳:WAFER SAWN Technology:IGBT3 Fast VCE max:600.0 V 漏源极电压Vds:600V 工作温度:-40.0°C 150.0°C VGE(th) min max:4.1 V 5.7 V VCE(sat) max:2.05 V VCE max:600.0V VCE(sat) max:2.05V IC max:20.0A VGE(th) min max:4.1V 5.7V IC max:20.0 A |
| IGBT晶体管 | SIGC05T60SNC | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:WAFER SAWN tf:104.0 ns 漏源极电压Vds:600V Technology:IGBT2 Fast tr:16.0ns 工作温度:-55.0 °C 150.0 °C VGE(th) min max:3.0 V 5.0 V VCE(sat) max:2.0 V IC max:4.0A |
| IGBT晶体管 | SIGC03T60SE | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 封装/外壳:WAFER SAWN Technology:IGBT3 Fast VCE max:600.0 V 漏源极电压Vds:600V 工作温度:-40.0°C 150.0°C VGE(th) min max:4.1 V 5.7 V VCE(sat) max:2.05 V VCE max:600.0V VCE(sat) max:2.05V IC max:4.0A VGE(th) min max:4.1V 5.7V IC max:4.0 A |
| IGBT晶体管 | SIDC130D170H | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 封装/外壳:WAFER SAWN Technology:Emitter Controlled Diode Fast IR max:11.0µA 漏源极电压Vds:1700V IF max:235.0A VF:1.35V IF max:235.0 A IR max:11.0 µA I(FSM) max:470.0A I(FSM) max:470.0 A |
| IGBT晶体管 | IRGSL6B60KD | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):215.0ns tf:13.2ns Technology:IGBT Gen 5 Irrm:10.0A Eoff:0.135mJ tr:17.0ns 封装/外壳:I2PAK (TO-262) Budgetary Price €/1k:0.77 ICpuls max:26.0A Ptot max:90.0W IC (@ 25°) max:13.0A td(on):25.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:18.2nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.245mJ (0.455mJ) Eon:0.11mJ VF:1.25V VCE(sat):1.8V IC (@ 100°) max:7.0A |
| IGBT晶体管 | IRGSL4B60KD1 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):100.0ns tf:66.0ns Technology:IGBT Gen 5 Irrm:6.3A Eoff:0.047mJ tr:18.0ns 封装/外壳:I2PAK (TO-262) Budgetary Price €/1k:0.71 ICpuls max:22.0A Ptot max:63.0W IC (@ 25°) max:11.0A td(on):22.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:12.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.12mJ (0.13mJ) Eon:0.073mJ VF:1.4V VCE(sat):2.1V IC (@ 100°) max:7.6A |
| IGBT晶体管 | IRGSL4062D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):104.0ns tf:29.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:37.0A Eoff:0.6mJ tr:22.0ns 封装/外壳:I2PAK (TO-262) Budgetary Price €/1k:1.9 ICpuls max:72.0A Ptot max:250.0W IC (@ 25°) max:48.0A td(on):41.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:96.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:50.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.715mJ (0.901mJ) Eon:0.115mJ VF:1.8V VCE(sat):1.6V IC (@ 100°) max:24.0A |
| IGBT晶体管 | IRGSL30B60K | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):185.0ns tf:31.0ns Technology:IGBT Gen 5 Eoff:0.825mJ tr:28.0ns 封装/外壳:I2PAK (TO-262) Budgetary Price €/1k:1.3 ICpuls max:120.0A Ptot max:370.0W IC (@ 25°) max:78.0A td(on):46.0ns Switching Frequency min max:30.0kHz 150.0kHz Switching Frequency:Gen 5 30-150 kHz QGate:87.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):1.175mJ (1.575mJ) Eon:0.35mJ VCE(sat):1.95V IC (@ 100°) max:50.0A |
| IGBT晶体管 | IRGSL15B60KD | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):1840.0ns tf:20.0ns Technology:IGBT Gen 5 Irrm:23.0A Eoff:0.34mJ tr:16.0ns 封装/外壳:I2PAK (TO-262) Budgetary Price €/1k:1.25 ICpuls max:62.0A Ptot max:139.0W IC (@ 25°) max:31.0A td(on):34.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:64.0A Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:56.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.56mJ (0.785mJ) Eon:0.22mJ VF:1.2V VCE(sat):1.8V IC (@ 100°) max:15.0A |
| IGBT晶体管 | IRGSL10B60KD | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):230.0ns tf:23.0ns Technology:IGBT Gen 5 Irrm:14.0A Eoff:0.25mJ tr:20.0ns 封装/外壳:I2PAK (TO-262) Budgetary Price €/1k:1.18 ICpuls max:44.0A Ptot max:104.0W IC (@ 25°) max:22.0A td(on):30.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:38.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.39mJ (0.67mJ) Eon:0.14mJ VF:1.3V VCE(sat):1.8V IC (@ 100°) max:12.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS8B60K | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):140.0ns tf:32.0ns Technology:IGBT Gen 5 Eoff:0.16mJ tr:22.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:0.67 ICpuls max:56.0A Ptot max:167.0W IC (@ 25°) max:28.0A td(on):23.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.32mJ (0.433mJ) VCE(sat):1.8V IC (@ 100°) max:19.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS6B60KD | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):215.0ns tf:13.2ns Technology:IGBT Gen 5 Irrm:10.0A Eoff:0.135mJ tr:17.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:0.78 ICpuls max:26.0A Ptot max:90.0W IC (@ 25°) max:13.0A td(on):25.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:18.2nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.245mJ (0.455mJ) Eon:0.11mJ VF:1.25V VCE(sat):1.8V IC (@ 100°) max:7.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS6B60K | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):215.0ns tf:13.2ns Technology:IGBT Gen 5 Eoff:0.135mJ tr:17.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:0.61 ICpuls max:26.0A Ptot max:90.0W IC (@ 25°) max:13.0A td(on):25.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:29.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.245mJ (0.455mJ) Eon:0.11mJ VCE(sat):1.8V IC (@ 100°) max:7.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS4B60KD1 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):100.0ns tf:66.0ns Technology:IGBT Gen 5 Irrm:6.3A Eoff:0.047mJ tr:18.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:0.69 ICpuls max:22.0A Ptot max:63.0W IC (@ 25°) max:11.0A td(on):22.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:12.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.12mJ (0.13mJ) Eon:0.073mJ VF:1.4V VCE(sat):2.1V IC (@ 100°) max:7.6A |
| IGBT晶体管 | IRGS4B60K | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):100.0ns tf:66.0ns Technology:IGBT Gen 5 Eoff:0.047mJ tr:18.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) ICpuls max:22.0A Ptot max:63.0W IC (@ 25°) max:12.0A td(on):22.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:18.2nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.12mJ (0.13mJ) Eon:0.073mJ VCE(sat):2.1V IC (@ 100°) max:6.8A |
| IGBT晶体管 | IRGS4630D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):105.0ns tf:25.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:23.0A Eoff:0.35mJ 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:1.2 ICpuls max:54.0A Ptot max:206.0W IC (@ 25°) max:47.0A td(on):40.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:72.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:35.0nC Voltage Class max:600.0V Eon:0.095mJ VF:2.3V VCE(sat):1.65V IC (@ 100°) max:30.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS4620D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):83.0ns tf:24.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:19.0A Eoff:0.225mJ tr:17.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:0.94 ICpuls max:36.0A Ptot max:140.0W IC (@ 25°) max:16.0A td(on):31.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:48.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:25.0nC Voltage Class max:600.0V Eon:0.075mJ VF:2.1V VCE(sat):1.55V IC (@ 100°) max:20.0A Ets:0.3mJ |
| IGBT晶体管 | IRGS4615D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):95.0ns tf:20.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:14.0A Eoff:0.145mJ tr:15.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:0.8 ICpuls max:24.0A Ptot max:99.0W IC (@ 25°) max:23.0A td(on):30.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:32.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:19.0nC Voltage Class max:600.0V Eon:0.07mJ VF:1.8V VCE(sat):1.55V IC (@ 100°) max:15.0A Ets:0.215mJ |
| IGBT晶体管 | IRGS4610D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):75.0ns tf:17.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:12.0A Eoff:0.122mJ tr:11.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:0.66 ICpuls max:18.0A Ptot max:77.0W IC (@ 25°) max:16.0A td(on):27.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:24.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:13.0nC Voltage Class max:600.0V Eon:0.056mJ VF:1.6V VCE(sat):1.7V IC (@ 100°) max:10.0A Ets:0.178mJ |
| IGBT晶体管 | IRGS4607D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):120.0ns tf:10.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:5.1A Eoff:0.062mJ tr:15.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:0.59 ICpuls max:12.0A Ptot max:58.0W IC (@ 25°) max:11.0A td(on):27.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:16.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:9.0nC Voltage Class max:600.0V Eon:0.14mJ VF:1.7V VCE(sat):1.75V IC (@ 100°) max:7.0A Ets:0.202mJ |
| IGBT晶体管 | IRGS4064D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):79.0ns tf:21.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:16.0A Eoff:0.2mJ tr:15.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:1.09 ICpuls max:40.0A Ptot max:101.0W IC (@ 25°) max:20.0A td(on):27.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:21.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.229mJ (0.313mJ) Eon:0.029mJ VF:2.5V VCE(sat):1.6V IC (@ 100°) max:10.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS4062D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):104.0ns tf:29.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:37.0A Eoff:0.6mJ tr:22.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:1.84 ICpuls max:72.0A Ptot max:250.0W IC (@ 25°) max:48.0A td(on):41.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:96.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:50.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.715mJ (0.901mJ) Eon:0.115mJ VF:1.8V VCE(sat):1.6V IC (@ 100°) max:24.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS4056D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):83.0ns tf:24.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:19.0A Eoff:0.225mJ tr:17.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:1.68 ICpuls max:48.0A Ptot max:140.0W IC (@ 25°) max:24.0A td(on):31.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:25.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.3mJ (0.391mJ) Eon:0.075mJ VF:2.1V VCE(sat):1.55V IC (@ 100°) max:12.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS4045D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):75.0ns tf:17.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:12.0A Eoff:0.122mJ tr:11.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:0.89 ICpuls max:18.0A Ptot max:77.0W td(on):27.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:24.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:13.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.178mJ (0.229mJ) Eon:0.056mJ VF:1.6V VCE(sat):1.7V IC (@ 100°) max:6.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS30B60K | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):185.0ns tf:31.0ns Technology:IGBT Gen 5 Eoff:0.825mJ tr:28.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:1.28 ICpuls max:120.0A Ptot max:370.0W IC (@ 25°) max:78.0A td(on):46.0ns Switching Frequency min max:30.0kHz 150.0kHz Switching Frequency:Gen 5 30-150 kHz QGate:12.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):1.175mJ (1.575mJ) Eon:0.35mJ VCE(sat):1.95V IC (@ 100°) max:50.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS15B60KD | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):1840.0ns tf:20.0ns Technology:IGBT Gen 5 Irrm:29.0A Eoff:0.34mJ tr:16.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:1.61 ICpuls max:62.0A Ptot max:139.0W IC (@ 25°) max:31.0A td(on):34.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:64.0A Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:56.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.56mJ (0.785mJ) Eon:0.22mJ VF:1.2V VCE(sat):1.8V IC (@ 100°) max:15.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS15B60K | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):1840.0ns tf:20.0ns Technology:IGBT Gen 5 Eoff:0.34mJ tr:16.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:0.95 ICpuls max:62.0A Ptot max:208.0W IC (@ 25°) max:31.0A td(on):34.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:102.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.56mJ (0.785mJ) Eon:0.22mJ VCE(sat):1.8V IC (@ 100°) max:15.0A |
| IGBT晶体管 | IRGS14C40L | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 功率:125W 输入类型:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/6µs 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | IRGS10B60KD | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):230.0ns tf:23.0ns Technology:IGBT Gen 5 Irrm:19.0A Eoff:0.25mJ tr:20.0ns 封装/外壳:D2PAK (TO-263) Budgetary Price €/1k:0.95 ICpuls max:44.0A Ptot max:104.0W IC (@ 25°) max:22.0A td(on):30.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:38.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.39mJ (0.607mJ) Eon:0.14mJ VF:1.3V VCE(sat):1.8V IC (@ 100°) max:12.0A |
| IGBT晶体管 | IRGR4610D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):75.0ns tf:17.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:12.0A Eoff:0.122mJ tr:11.0ns 封装/外壳:DPAK (TO-252) Budgetary Price €/1k:0.55 ICpuls max:18.0A Ptot max:77.0W IC (@ 25°) max:16.0A td(on):27.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:24.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:13.0nC Voltage Class max:600.0V Eon:0.056mJ VF:1.6V VCE(sat):1.7V IC (@ 100°) max:10.0A Ets:0.178mJ |
| IGBT晶体管 | IRGR4607D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):120.0ns tf:10.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:5.1A Eoff:0.062mJ tr:15.0ns 封装/外壳:DPAK (TO-252) Budgetary Price €/1k:0.48 ICpuls max:12.0A Ptot max:58.0W IC (@ 25°) max:11.0A td(on):27.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:16.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:9.0nC Voltage Class max:600.0V Eon:0.14mJ VF:1.7V VCE(sat):1.75V IC (@ 100°) max:7.0A Ets:0.202mJ |
| IGBT晶体管 | IRGR4045D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):75.0ns tf:17.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:12.0A Eoff:0.122mJ tr:11.0ns 封装/外壳:DPAK (TO-252) Budgetary Price €/1k:0.72 ICpuls max:18.0A Ptot max:77.0W td(on):27.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz IF max:24.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:13.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.178mJ (0.229mJ) Eon:0.056mJ VF:1.6V VCE(sat):1.7V IC (@ 100°) max:6.0A |
| IGBT晶体管 | IRGR3B60KD2 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):110.0ns tf:68.0ns Technology:IGBT Gen 5 Irrm:4.8A Eoff:0.039mJ tr:15.0ns 封装/外壳:DPAK (TO-252) Budgetary Price €/1k:0.52 ICpuls max:15.6A Ptot max:52.0W IC (@ 25°) max:7.8A td(on):18.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:13.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.1mJ (0.12mJ) Eon:0.062mJ VF:1.5V VCE(sat):1.9V IC (@ 100°) max:4.2A |
| IGBT晶体管 | IRGR2B60KD | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:1 Ohms td(off):150.0ns tf:56.0ns Technology:IGBT Gen 5 Irrm:5.8A Eoff:0.039mJ tr:8.7ns 封装/外壳:DPAK (TO-252) Budgetary Price €/1k:0.36 ICpuls max:8.0A Ptot max:35.0W IC (@ 25°) max:6.3A td(on):11.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 5 8-30 kHz QGate:8.0nC Voltage Class max:600.0V Ets (max):0.11mJ (0.28mJ) Eon:0.074mJ VF:1.3V VCE(sat):1.95V IC (@ 100°) max:3.7A |
| IGBT晶体管 | IRGPS66160D | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:NA td(off):190.0ns tf:40.0ns Technology:IGBT Gen 6.2 Irrm:34.0A Eoff:3.43mJ tr:75.0ns 封装/外壳:Super-247 (TO-274) Budgetary Price €/1k:5.58 ICpuls max:360.0A Ptot max:750.0W IC (@ 25°) max:240.0A td(on):80.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Moisture Sensitivity Level:1 Ohms IF max:480.0A Switching Frequency:Gen 6.2 8-30 kHz QGate:220.0nC Voltage Class max:600.0V Eon:4.47mJ VF:1.8V VCE(sat):1.65V IC (@ 100°) max:160.0A Ets:9.75mJ |