IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT晶体管 | AIGW40N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:19ns/165ns IGBT类型:沟道 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A 功率-最大值:250W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:350uJ(开),100uJ(关) 栅极电荷:95nC 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流-集电极脉冲(Icm):120A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IHW20N135R5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:-/235ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,20A 功率-最大值:288W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:950uJ(关) 栅极电荷:170nC 测试条件:600V,20A,10 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):1350V 电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流-集电极脉冲(Icm):60A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IHW20N65R5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:24ns/250ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,20A 功率-最大值:150W 反向恢复时间(trr):68ns 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:300uJ(开),70uJ(关) 栅极电荷:97nC 测试条件:400V,10A,20 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流-集电极脉冲(Icm):60A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IHW50N65R5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:26ns/220ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A 功率-最大值:282W 反向恢复时间(trr):95ns 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:740uJ(开),180uJ(关) 栅极电荷:230nC 测试条件:400V,25A,8 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流-集电极脉冲(Icm):150A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IGZ75N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:26ns/347ns IGBT类型:沟道 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A 功率-最大值:395W 封装/外壳:TO-247-4 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:680uJ(开),430uJ(关) 栅极电荷:166nC 测试条件:400V,37.5A,10 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):119A 电流-集电极脉冲(Icm):300A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IGZ50N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:20ns/250ns IGBT类型:沟道 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A 功率-最大值:273W 封装/外壳:TO-247-4 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:410uJ(开),190uJ(关) 栅极电荷:109nC 测试条件:400V,25A,12 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):85A 电流-集电极脉冲(Icm):200A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IGZ100N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:30ns/421ns IGBT类型:沟道 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,100A 功率-最大值:536W 封装/外壳:TO-247-4 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:850uJ(开),770uJ(关) 栅极电荷:210nC 测试条件:400V,50A,8 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):161A 电流-集电极脉冲(Icm):400A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | AUIRGP76524D0 | ||
| IGBT晶体管 | AIKW50N60CTXKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:26ns/299ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A 功率-最大值:333W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:1.2mJ(开),1.4mJ(关) 栅极电荷:310nC 测试条件:400V,50A,7 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流-集电极脉冲(Icm):150A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | SGT60N60FD1PN | ||
| IGBT晶体管 | SGT40N60NPFDPN | ||
| IGBT晶体管 | SGT60N60FD1PN | ||
| IGBT晶体管 | SGT40N60NPFDPN | ||
| IGBT晶体管 | AOK50B65H1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,50A 功率:375W 开关能量:1.92mJ (开), 850µJ (关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/141ns 测试条件:400V,50A,6 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:261ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 | |
| IGBT晶体管 | AOTF20B65M1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,20A 功率:45W 开关能量:470µJ(开),270µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:322ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 | |
| IGBT晶体管 | AOTF15B60D2 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,10A 功率:42W 开关能量:260µJ(开),70µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/72ns 测试条件:400V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:105ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3F | |
| IGBT晶体管 | AOT5B65M1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.98V @ 15V,5A 功率:83W 开关能量:80µJ(开),70µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:8.5ns/106ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:195ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 | |
| IGBT晶体管 | AOT20B65M1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,20A 功率:227W 开关能量:470µJ(开),270µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:322ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭开关能量:0.27mJ 关闭时间:135ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220 开启开关能量:0.47mJ 开启时间:51ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±30V 耗电:114W 脉冲集电极电流:60A 集电极-发射极电压:650V 集电极-发射极饱和电压:1.7V 集电极电流:20A | |
| IGBT晶体管 | AOK40B65H1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,40A 功率:300W 开关能量:1.27mJ(开),460µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 测试条件:400V、 40A、 7.5 欧姆、 15V 反向恢复时间（trr）:346ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 | |
| IGBT晶体管 | AOK75B60D1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):290A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,75A 功率:500W 开关能量:3.7mJ(开),1.3mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/84ns 测试条件:400V,75A,4 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:147ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 | |
| IGBT晶体管 | AOK50B65M2 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,50A 功率:500W 开关能量:2.09mJ(开),1.03mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/182ns 测试条件:400V,50A,6 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:327ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 | |
| IGBT晶体管 | AOK30B135W1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.2V @ 15V,30A 功率:340W 开关能量:1.47mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/129ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 | |
| IGBT晶体管 | AOK20B135E1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,20A 功率:250W 开关能量:800µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 测试条件:600V,20A,15 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭时间:311ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO247 FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±30V 耗电:125W 脉冲集电极电流:80A 集电极-发射极电压:1.35KV 集电极电流:20A | |
| IGBT晶体管 | AOD5B65M1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.98V @ 15V,5A 功率:69W 开关能量:80µJ(开),70µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:8.5ns/106ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:195ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252 | |
| IGBT晶体管 | AOB5B65M1 | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.98V @ 15V,5A 功率:83W 开关能量:80µJ(开),70µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:8.5ns/106ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:195ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263(D2Pak) | |
| IGBT晶体管 | AUIRGP4062D1 | 25°C时Td(开/关)值:19ns/90ns IGBT类型:沟道 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.77V @ 15V,24A 功率-最大值:217W 反向恢复时间(trr):102ns 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:532uJ(开),311uJ(关) 栅极电荷:77nC 测试条件:400V,24A,10 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流-集电极脉冲(Icm):72A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | LSIC1MO120E0160 | ||
| IGBT晶体管 | LSIC1MO120E0120 | ||
| IGBT晶体管 | LSIC1MO120E0080 | ||
| IGBT晶体管 | IRG4PH50UD | Moisture Level:NA td(off):110.0ns tf:180.0ns Technology:IGBT Gen 4 Irrm:5.8A Eoff:3.6mJ tr:24.0ns 封装/外壳:TO-247 Budgetary Price €/1k:3.38 ICpuls max:180.0A Ptot max:200.0W IC (@ 25°) max:45.0A td(on):47.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 4 8-30 kHz QGate:160.0nC Voltage Class max:1200.0V Ets (max):3.6mJ (4.1mJ) Eon:2.1mJ VF:2.5V VCE(sat):2.78V IC (@ 100°) max:24.0A Qrr:260.0nC | |
| IGBT晶体管 | IRG4PF50W | Moisture Level:NA td(off):300.0ns tf:160.0ns Technology:IGBT Gen 4 Eoff:1.06mJ tr:42.0ns 封装/外壳:TO-247 Budgetary Price €/1k:2.64 ICpuls max:300.0A Ptot max:200.0W IC (@ 25°) max:51.0A td(on):36.0ns Switching Frequency min max:8.0kHz 30.0kHz Switching Frequency:Gen 4 8-30 kHz QGate:28.0nC Voltage Class max:900.0V Ets (max):1.25mJ (1.7mJ) Eon:0.19mJ VCE(sat):2.25V IC (@ 100°) max:28.0A | |
| IGBT晶体管 | IKP15N60TXKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:17ns/188ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,15A 功率-最大值:130W 反向恢复时间(trr):34ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:570uJ 栅极电荷:87nC 测试条件:400V,15A,15 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流-集电极脉冲(Icm):45A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKQ75N120CT2XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:37ns/328ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,75A 功率-最大值:938W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:6.7mJ(开),4.1mJ(关) 栅极电荷:370nC 测试条件:600V,75A,6 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流-集电极脉冲(Icm):300A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKQ75N120CS6XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:34ns/300ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,75A 功率-最大值:880W 反向恢复时间(trr):440ns 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:5.15mJ(开),2.95mJ(关) 栅极电荷:530nC 测试条件:600V,75A,4 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流-集电极脉冲(Icm):300A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKQ75N120CH3XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:34ns/282ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,75A 功率-最大值:938W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:6.4mJ(开),2.8mJ(关) 栅极电荷:370nC 测试条件:600V,75A,6 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流-集电极脉冲(Icm):300A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKQ50N120CT2XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:34ns/312ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A 功率-最大值:652W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:3.8mJ(开),3.3mJ(关) 栅极电荷:235nC 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流-集电极脉冲(Icm):200A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKQ50N120CH3XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:34ns/297ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,50A 功率-最大值:652W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:3mJ(开),1.9mJ(关) 栅极电荷:235nC 测试条件:600V,50A,10 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流-集电极脉冲(Icm):200A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKQ40N120CT2XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:32ns/328ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,40A 功率-最大值:500W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:3.1mJ(开),2.9mJ(关) 栅极电荷:190nC 测试条件:600V,40A,12 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流-集电极脉冲(Icm):160A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKQ40N120CH3XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:30ns/300ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,40A 功率-最大值:500W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:3.3mJ(开),1.3mJ(关) 栅极电荷:190nC 测试条件:400V,40A,12 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):80A 电流-集电极脉冲(Icm):160A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKQ120N60TXKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:50ns/565ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,120A 功率-最大值:833W 反向恢复时间(trr):241ns 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:6.2mJ(开),5.9mJ(关) 栅极电荷:703nC 测试条件:400V,120A,3 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):160A 电流-集电极脉冲(Icm):480A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP40N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:22ns/165ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A 功率-最大值:255W 反向恢复时间(trr):62ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:390uJ(开),120uJ(关) 栅极电荷:95nC 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流-集电极脉冲(Icm):120A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP40N65F5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:19ns/160ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A 功率-最大值:255W 反向恢复时间(trr):60ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:360uJ(开),100uJ(关) 栅极电荷:95nC 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流-集电极脉冲(Icm):120A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP30N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:19ns/177ns IGBT类型:沟道 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A 功率-最大值:188W 反向恢复时间(trr):51ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:280uJ(开),100uJ(关) 栅极电荷:70nC 测试条件:400V,15A,23 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流-集电极脉冲(Icm):90A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP20N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:18ns/156ns IGBT类型:沟道 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,20A 功率-最大值:125W 反向恢复时间(trr):52ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:170uJ(开),60uJ(关) 栅极电荷:48nC 测试条件:400V,10A,32 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):42A 电流-集电极脉冲(Icm):60A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP20N60TXKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:18ns/199ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,20A 功率-最大值:166W 反向恢复时间(trr):41ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:770uJ 栅极电荷:120nC 测试条件:400V,20A,12 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流-集电极脉冲(Icm):60A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP20N60H3XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:16ns/194ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,20A 功率-最大值:170W 反向恢复时间(trr):112ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:690uJ 栅极电荷:120nC 测试条件:400V,20A,14.6 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流-集电极脉冲(Icm):80A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP15N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:17ns/160ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A 功率-最大值:105W 反向恢复时间(trr):48ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:120uJ(开),50uJ(关) 栅极电荷:38nC 测试条件:400V,7.5A,39 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流-集电极脉冲(Icm):45A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP15N65F5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:17ns/150ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A 功率-最大值:105W 反向恢复时间(trr):50ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:130uJ(开),40uJ(关) 栅极电荷:38nC 测试条件:400V,7.5A,39 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流-集电极脉冲(Icm):45A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP15N60TXKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:17ns/188ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,15A 功率-最大值:130W 反向恢复时间(trr):34ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:570uJ 栅极电荷:87nC 测试条件:400V,15A,15 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流-集电极脉冲(Icm):45A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP08N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:11ns/115ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,8A 功率-最大值:70W 反向恢复时间(trr):40ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:70uJ(开),30uJ(关) 栅极电荷:22nC 测试条件:400V,4A,48 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流-集电极脉冲(Icm):24A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP08N65F5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:10ns/116ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,8A 功率-最大值:70W 反向恢复时间(trr):41ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:70uJ(开),20uJ(关) 栅极电荷:22nC 测试条件:400V,4A,48 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流-集电极脉冲(Icm):24A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKFW60N60DH3EXKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:23ns/170ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,50A 功率-最大值:141W 反向恢复时间(trr):68ns 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:1.57mJ(开),720uJ(关) 栅极电荷:210nC 测试条件:400V,50A,7 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流-集电极脉冲(Icm):150A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKFW50N60DH3EXKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:21ns/174ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,40A 功率-最大值:130W 反向恢复时间(trr):64ns 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:1.28mJ(开),560uJ(关) 栅极电荷:160nC 测试条件:400V,40A,8 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流-集电极脉冲(Icm):120A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKFW50N60DH3XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:25ns/212ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A 功率-最大值:145W 反向恢复时间(trr):64ns 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:1.22mJ(开),610uJ(关) 栅极电荷:210nC 测试条件:400V,40A,8 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):53A 电流-集电极脉冲(Icm):160A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKFW40N60DH3EXKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:18ns/144ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,30A 功率-最大值:111W 反向恢复时间(trr):72ns 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:870uJ(开),360uJ(关) 栅极电荷:107nC 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):34A 电流-集电极脉冲(Icm):90A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKA15N65ET6XKSA2 | 25°C时Td(开/关)值:30ns/117ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,11.5A 功率-最大值:45W 反向恢复时间(trr):69ns 封装/外壳:TO-220-3 整包 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:230uJ(开),110uJ(关) 栅极电荷:37nC 测试条件:400V,11.5A,47 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):17A 电流-集电极脉冲(Icm):57.5A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKA10N65ET6XKSA2 | 25°C时Td(开/关)值:30ns/106ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,8.5A 功率-最大值:40W 反向恢复时间(trr):51ns 封装/外壳:TO-220-3 整包 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:200uJ(开),70uJ(关) 栅极电荷:27nC 测试条件:400V,8.5A,47 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):15A 电流-集电极脉冲(Icm):42.5A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKA08N65ET6XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:20ns/59ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,5A 功率-最大值:33W 反向恢复时间(trr):43ns 封装/外壳:TO-220-3 整包 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:110uJ(开),40uJ(关) 栅极电荷:17nC 测试条件:400V,5A,47 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):11A 电流-集电极脉冲(Icm):25A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKA06N60TXKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:9.4ns/130ns IGBT类型:沟槽型场截止 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,6A 功率-最大值:28W 反向恢复时间(trr):123ns 封装/外壳:TO-220-3 整包 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:200uJ 栅极电荷:42nC 测试条件:400V,6A,23 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流-集电极脉冲(Icm):18A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IHW30N65R5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:29ns/220ns IGBT类型:沟道 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A 功率-最大值:176W 反向恢复时间(trr):95ns 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:850uJ(开),240uJ(关) 栅极电荷:153nC 测试条件:400V,30A,13 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流-集电极脉冲(Icm):90A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IHW30N110R3FKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:-/350ns IGBT类型:沟道 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,30A 功率-最大值:333W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:1.15mJ(关) 栅极电荷:180nC 测试条件:600V,30A,15 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):1100V 电流-集电极(Ic)(最大值):60A 电流-集电极脉冲(Icm):90A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IGZ75N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:26ns/347ns IGBT类型:沟道 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A 功率-最大值:395W 封装/外壳:TO-247-4 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:680uJ(开),430uJ(关) 栅极电荷:166nC 测试条件:400V,37.5A,10 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):119A 电流-集电极脉冲(Icm):300A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IGZ100N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:30ns/421ns IGBT类型:沟道 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,100A 功率-最大值:536W 封装/外壳:TO-247-4 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:850uJ(开),770uJ(关) 栅极电荷:210nC 测试条件:400V,50A,8 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):161A 电流-集电极脉冲(Icm):400A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | GT30J121(Q) | 25°C时Td(开/关)值:90ns/300ns 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,30A 产品状态:在售 封装/外壳:TO-3P(N) 功率:170 W 开关能量:1mJ(开),800uJ(关) 测试条件:300V,30A,24 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):600 V 电流-集电极(Ic)(最大值):30 A 电流-集电极脉冲(Icm):60 A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP15N65F5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:17ns/150ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A 功率-最大值:105W 反向恢复时间(trr):50ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:130uJ(开),40uJ(关) 栅极电荷:38nC 测试条件:400V,7.5A,39 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流-集电极脉冲(Icm):45A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP40N65F5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:19ns/160ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A 功率-最大值:255W 反向恢复时间(trr):60ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:360uJ(开),100uJ(关) 栅极电荷:95nC 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流-集电极脉冲(Icm):120A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP15N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:17ns/160ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A 功率-最大值:105W 反向恢复时间(trr):48ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:120uJ(开),50uJ(关) 栅极电荷:38nC 测试条件:400V,7.5A,39 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流-集电极脉冲(Icm):45A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP40N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:22ns/165ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A 功率-最大值:255W 反向恢复时间(trr):62ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:390uJ(开),120uJ(关) 栅极电荷:95nC 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流-集电极脉冲(Icm):120A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKA08N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:11ns/115ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,8A 功率-最大值:31.2W 反向恢复时间(trr):40ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:70uJ(开),30uJ(关) 栅极电荷:22nC 测试条件:400V,4A,48 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流-集电极脉冲(Icm):24A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKA15N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:17ns/160ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A 功率-最大值:33.3W 反向恢复时间(trr):48ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:120uJ(开),50uJ(关) 栅极电荷:38nC 测试条件:400V,7.5A,39 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流-集电极脉冲(Icm):45A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP08N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:11ns/115ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,8A 功率-最大值:70W 反向恢复时间(trr):40ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:70uJ(开),30uJ(关) 栅极电荷:22nC 测试条件:400V,4A,48 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流-集电极脉冲(Icm):24A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | AOTF5B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V, 5A 功率:31.2W 开关能量:140µJ(开),40µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/83ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:98ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 关闭开关能量:0.04mJ 关闭时间:95ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220F 开启开关能量:0.14mJ 开启时间:27ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:12.5W 脉冲集电极电流:20A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.55V 集电极电流:5A |
| IGBT晶体管 | AOTF15B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V, 15A 功率:50W 开关能量:420µJ(开),110µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/73ns 测试条件:400V,15A,20 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:196ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 关闭开关能量:0.11mJ 关闭时间:83ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220F 开启开关能量:0.42mJ 开启时间:40ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:25W 脉冲集电极电流:60A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.6V 集电极电流:15A |
| IGBT晶体管 | AOTF10B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,10A 功率:42W 开关能量:260µJ(开),70µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/72ns 测试条件:400V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:105ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 关闭开关能量:0.16mJ 关闭时间:80.8ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220F 开启开关能量:0.35mJ 开启时间:25ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:16.7W 脉冲集电极电流:40A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.53V 集电极电流:10A |
| IGBT晶体管 | AOT5B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V, 5A 功率:82.4W 开关能量:140µJ(开),40µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/83ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:98ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭开关能量:0.04mJ 关闭时间:95ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220 开启开关能量:0.14mJ 开启时间:27ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:41.2W 脉冲集电极电流:20A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.55V 集电极电流:5A |
| IGBT晶体管 | AOT20B65M1 | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,20A 功率:227W 开关能量:470µJ(开),270µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:322ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭开关能量:0.27mJ 关闭时间:135ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220 开启开关能量:0.47mJ 开启时间:51ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±30V 耗电:114W 脉冲集电极电流:60A 集电极-发射极电压:650V 集电极-发射极饱和电压:1.7V 集电极电流:20A |
| IGBT晶体管 | AOT15B65M1 | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,15A 功率:214W 开关能量:290µJ(开),200µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/116ns 测试条件:400V,15A,20 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:317ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭开关能量:0.2mJ 关闭时间:108ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220 开启开关能量:0.29mJ 开启时间:33ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±30V 耗电:107W 脉冲集电极电流:45A 集电极-发射极电压:650V 集电极-发射极饱和电压:1.7V 集电极电流:15A |
| IGBT晶体管 | AOT15B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V, 15A 功率:167W 开关能量:420µJ(开),110µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/73ns 测试条件:400V,15A,20 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:196ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭开关能量:0.11mJ 关闭时间:83ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220 开启开关能量:0.42mJ 开启时间:40ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:83.3W 脉冲集电极电流:60A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.6V 集电极电流:15A |
| IGBT晶体管 | AOT10B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,10A 功率:163W 开关能量:260µJ(开),70µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/72ns 测试条件:400V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:105ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭开关能量:0.07mJ 关闭时间:80.8ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220 开启开关能量:0.26mJ 开启时间:25ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:82W 脉冲集电极电流:40A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.53V 集电极电流:10A |
| IGBT晶体管 | AOK20B135E1 | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,20A 功率:250W 开关能量:800µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 测试条件:600V,20A,15 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭时间:311ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO247 FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±30V 耗电:125W 脉冲集电极电流:80A 集电极-发射极电压:1.35KV 集电极电流:20A |
| IGBT晶体管 | FGW75N65WE-S31PPSC-P2 | Fujitsu(富士通) | |
| IGBT晶体管 | FGW75N60HD-S31PPSC-P2 | Fujitsu(富士通) | |
| IGBT晶体管 | FGW60N65WE-S31PPSC-P2 | Fujitsu(富士通) | |
| IGBT晶体管 | FGW50N65WD-S31PPSC-P2 | Fujitsu(富士通) | |
| IGBT晶体管 | FGW50N60H-S31PP | Fujitsu(富士通) | |
| IGBT晶体管 | FGW75N65WE-S31PPSC-P2 | Fujitsu(富士通) | |
| IGBT晶体管 | FGW75N60HD-S31PPSC-P2 | Fujitsu(富士通) | |
| IGBT晶体管 | FGW60N65WE-S31PPSC-P2 | Fujitsu(富士通) | |
| IGBT晶体管 | FGW50N65WD-S31PPSC-P2 | Fujitsu(富士通) | |
| IGBT晶体管 | FGW50N60H-S31PP | Fujitsu(富士通) | |
| IGBT晶体管 | IKY40N120CS6 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:NA td(off):315.0 ns tf:27.0 ns Technology:TRENCHSTOP™ IGBT6 Irrm:39.0 A tr:27.0 ns 封装/外壳:TO-247PLUS-4pin Eoff (Hard Switching):1.55 mJ Ptot max:500.0 W td(on):27.0 ns Voltage Class max:1200.0 V QGate:285.0 nC Eon:1.45 mJ VF:2.2 V VCE(sat):1.85 V IF max:80.0 A ICpuls max:160.0 A Qrr:2.6 µC Switching Frequency min max:10.0 kHz 50.0 kHz IC (@ 25°) max:80.0 A IFpuls max:160.0 A IC (@ 100°) max:40.0 A |
| IGBT晶体管 | IKW15N120BH6 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:NA td(off):240.0 ns tf:27.0 ns Technology:TRENCHSTOP™ IGBT6 Irrm:8.3 A tr:29.0 ns 封装/外壳:TO-247 Eoff (Hard Switching):0.55 mJ Ptot max:200.0 W td(on):18.0 ns Voltage Class max:1200.0 V QGate:92.0 nC Eon:0.7 mJ VF:2.0 V VCE(sat):1.9 V IF max:15.0 A ICpuls max:60.0 A Qrr:8.3 µC Switching Frequency min max:18.0 kHz 60.0 kHz IC (@ 25°) max:30.0 A IFpuls max:60.0 A IC (@ 100°) max:15.0 A |
| IGBT晶体管 | IRGS14C40L | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 功率:125W 输入类型:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/6µs 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT晶体管 | IRGB30B60K | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,30A 功率:370W 开关能量:350µJ(开),825µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/185ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT晶体管 | IRG4RC20F | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:22A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):44A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 功率:66W 开关能量:190µJ(开),920µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/194ns 测试条件:480V,12A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| IGBT晶体管 | IRG4RC10UD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8.5A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):34A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,5A 功率:38W 开关能量:140µJ(开),120µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/87ns 测试条件:480V,5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| IGBT晶体管 | IRG4RC10SD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,8A 功率:38W 开关能量:310µJ(开),3.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 测试条件:480V,8A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| IGBT晶体管 | IRG4PSH71UD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:99A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,70A 功率:350W 开关能量:8.8mJ(开),9.4mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/250ns 测试条件:960V,70A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:110ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) |
| IGBT晶体管 | IRG4PSH71KD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):156A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.9V @ 15V,42A 功率:350W 开关能量:5.68mJ(开),3.23mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:67ns/230ns 测试条件:800V,42A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:107ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) |
| IGBT晶体管 | IRG4PSC71KD | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,60A 功率:350W 开关能量:3.95mJ(开),2.33mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:82ns/282ns 测试条件:480V,60A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:82ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) |