IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT晶体管 | AOTF15B65M3 | AOS(万国半导体) | |
| IGBT晶体管 | AOTF10B65M2 | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,10A 功率:30W 开关能量:180µJ(开),130µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:262ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 |
| IGBT晶体管 | AOTF10B60D2 | AOS(万国半导体) | |
| IGBT晶体管 | AOT5B65M1 | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.98V @ 15V,5A 功率:83W 开关能量:80µJ(开),70µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:8.5ns/106ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:195ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 |
| IGBT晶体管 | AOT15B65M3 | AOS(万国半导体) | |
| IGBT晶体管 | AOT10B65M2 | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,10A 功率:150W 开关能量:180µJ(开),130µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:262ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220 |
| IGBT晶体管 | AOK60B65H1 | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):180A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,60A 功率:500W 开关能量:2.42mJ (开), 1.17mJ (关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/153ns 测试条件:400V,60A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:288ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 |
| IGBT晶体管 | AOD6B60M1 | AOS(万国半导体) |