型号参数与资料
- 型号
- IRGR2B60KD
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- IGBT晶体管
| Moisture Level | 1 Ohms |
|---|---|
| td(off) | 150.0ns |
| tf | 56.0ns |
| Technology | IGBT Gen 5 |
| Irrm | 5.8A |
| Eoff | 0.039mJ |
| tr | 8.7ns |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) |
| Budgetary Price €/1k | 0.36 |
| ICpuls max | 8.0A |
| Ptot max | 35.0W |
| IC (@ 25°) max | 6.3A |
| td(on) | 11.0ns |
| Switching Frequency min max | 8.0kHz 30.0kHz |
| Switching Frequency | Gen 5 8-30 kHz |
| QGate | 8.0nC |
| Voltage Class max | 600.0V |
| Ets (max) | 0.11mJ (0.28mJ) |
| Eon | 0.074mJ |
| VF | 1.3V |
| VCE(sat) | 1.95V |
| IC (@ 100°) max | 3.7A |
IGBT晶体管 DPAK(TO-252)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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