型号参数与资料
- 型号
- IRGR3B60KD2
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- IGBT晶体管
| Moisture Level | 1 Ohms |
|---|---|
| td(off) | 110.0ns |
| tf | 68.0ns |
| Technology | IGBT Gen 5 |
| Irrm | 4.8A |
| Eoff | 0.039mJ |
| tr | 15.0ns |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) |
| Budgetary Price €/1k | 0.52 |
| ICpuls max | 15.6A |
| Ptot max | 52.0W |
| IC (@ 25°) max | 7.8A |
| td(on) | 18.0ns |
| Switching Frequency min max | 8.0kHz 30.0kHz |
| Switching Frequency | Gen 5 8-30 kHz |
| QGate | 13.0nC |
| Voltage Class max | 600.0V |
| Ets (max) | 0.1mJ (0.12mJ) |
| Eon | 0.062mJ |
| VF | 1.5V |
| VCE(sat) | 1.9V |
| IC (@ 100°) max | 4.2A |
IGBT晶体管 DPAK(TO-252)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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