| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | IGBT晶体管 |
| 型号编码 | SIGC28T60E |
| 说明 | IGBT晶体管 WAFERSAWN |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 292 [库存更新时间：2025-04-16] |
| RoHS compliant | yes |
| 封装/外壳 | WAFER SAWN |
| Technology | IGBT3 |
| VCE max | 600.0 V |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 工作温度 | -40.0°C 175.0°C |
| VGE(th) min max | 5.0 V 6.5 V |
| VCE(sat) max | 1.85 V |
| VCE max | 600.0V |
| VCE(sat) max | 1.85V |
| IC max | 50.0A |
| VGE(th) min max | 5.0V 6.5V |
| IC max | 50.0 A |
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