IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 18923485199
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT模块 | DD260N18K | 封装/外壳:BG-PB50-1 FET类型:RectifierDiodeModule 反向电压Vr:1.8KV 输出电流:410A 栅极触发电流-Igt:30mA 配置:Rectifier Diode 结壳热阻RthJC:0.17 热敏电阻Rt:0.68 工作温度-结:150.0 正向浪涌电流Ifsm:8300.0 阈值电压Vt0:0.7 I²t-value:344.0 | |
| IGBT模块 | BSM35GP120n: 0 | ||
| IGBT晶体管 | IKP15N65F5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:17ns/150ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A 功率-最大值:105W 反向恢复时间(trr):50ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:130uJ(开),40uJ(关) 栅极电荷:38nC 测试条件:400V,7.5A,39 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流-集电极脉冲(Icm):45A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP40N65F5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:19ns/160ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A 功率-最大值:255W 反向恢复时间(trr):60ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:360uJ(开),100uJ(关) 栅极电荷:95nC 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流-集电极脉冲(Icm):120A 输入类型:标准 | |
| IGBT模块 | VS-CPV364M4FPBF | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):2.2nF @ 30V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 15V,15A 功率:63W 封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):27A 电流-集电极截止(最大值):250uA 输入:标准 | |
| IGBT模块 | MG12300D-BN2MMn | ||
| IGBT模块 | FZ600R12KS4HOSA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):39nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):3.75V @ 15V,600A 功率-最大值:3900W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):700A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:单路 | |
| IGBT模块 | FS10R12YE3n: 0 | ||
| IGBT模块 | FS75R12W2T4B11BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):4.3nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,75A 功率-最大值:375W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:全桥 | |
| IGBT模块 | FS75R12KE3BOSA1 | IGBT类型:NPT NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):5.3nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,75A 功率-最大值:350W 封装/外壳:模块 工作温度:150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):105A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS50R12KT4B15BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):2.8nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A 功率-最大值:280W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS50R12KT4B11BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):2.8nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A 功率-最大值:280W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:全桥 | |
| IGBT模块 | FS50R12KT3BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):3.5nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A 功率-最大值:280W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:全桥 | |
| IGBT模块 | FS200R12KT4RB11BOSA1 | NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A 功率-最大值:1000W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS15R12VT3BOMA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):1.1nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,15A 功率-最大值:86W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS150R17PE4BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):13.5nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,150A 功率-最大值:835W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1700V 电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS150R12KT4BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,150A 功率-最大值:750W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS10R12VT3BOMA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):700pF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,10A 功率-最大值:64W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | BSM50GP120n: 0 | ||
| IGBT模块 | VS-70MT060WHTAPBF | IGBT类型:NPT NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):8nF @ 30V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):3.4V @ 15V,140A 功率:347W 封装/外壳:12-MTP 模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流-集电极截止(最大值):700uA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FP15R12KE3n: 0 | ||
| IGBT模块 | BSM100GD60DLCn: | ||
| IGBT模块 | BSM200GA120DLCS | ||
| IGBT模块 | BSM200GA120DLCn | ||
| IGBT晶体管 | IKP15N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:17ns/160ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A 功率-最大值:105W 反向恢复时间(trr):48ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:120uJ(开),50uJ(关) 栅极电荷:38nC 测试条件:400V,7.5A,39 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):30A 电流-集电极脉冲(Icm):45A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP40N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:22ns/165ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A 功率-最大值:255W 反向恢复时间(trr):62ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:390uJ(开),120uJ(关) 栅极电荷:95nC 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):74A 电流-集电极脉冲(Icm):120A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKA08N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:11ns/115ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,8A 功率-最大值:31.2W 反向恢复时间(trr):40ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:70uJ(开),30uJ(关) 栅极电荷:22nC 测试条件:400V,4A,48 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):10.8A 电流-集电极脉冲(Icm):24A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKA15N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:17ns/160ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A 功率-最大值:33.3W 反向恢复时间(trr):48ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:120uJ(开),50uJ(关) 栅极电荷:38nC 测试条件:400V,7.5A,39 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):14A 电流-集电极脉冲(Icm):45A 输入类型:标准 | |
| IGBT晶体管 | IKP08N65H5XKSA1 | 25°C时Td(开/关)值:11ns/115ns 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,8A 功率-最大值:70W 反向恢复时间(trr):40ns 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 开关能量:70uJ(开),30uJ(关) 栅极电荷:22nC 测试条件:400V,4A,48 欧姆,15V 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):18A 电流-集电极脉冲(Icm):24A 输入类型:标准 | |
| IGBT模块 | FP50R12KT4B11BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):2.8nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A 功率-最大值:280W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP50R06W2E3B11BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):3.1nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A 功率-最大值:175W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP40R12KT3GBOSA1 | NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):2.5nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,401A 功率-最大值:210W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP25R12KT3BOSA1 | NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):1.8nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,25A 功率-最大值:155W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP100R12KT4B11BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):6.3nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,100A 功率-最大值:515W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP06R12W1T4B3BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):600pF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.25V @ 15V,6A 功率-最大值:94W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FB10R06KL4n: 0 | ||
| IGBT模块 | FF150R12YT3n: 0 | ||
| IGBT模块 | BSM35GD120DN2E3224 | 栅极/发射极最大电压:± 20 V 最小工作温度:- 40 C 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:2.7 V 在25 C的连续集电极电流:50 A 栅极—射极漏泄电流:150 nA 功率:280 W 最大工作温度:+ 150 C 封装/外壳:EconoPACK 2 | |
| IGBT模块 | F4-100R06KL4n: | ||
| IGBT模块 | FF600R12ME4EB11BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):37nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,600A 功率-最大值:4050W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):995A 电流-集电极截止(最大值):3mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF50R12RT4HOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):2.8nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A 功率-最大值:285W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF500R17KE4BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):45nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,500A 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1700V 电流-集电极(Ic)(最大值):500A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:半桥逆变器 | |
| IGBT模块 | FF450R12ME4EB11BPSA1 | 封装/外壳:模块 | |
| IGBT模块 | FF300R17ME4BOSA1 | IGBT类型:NPT NTC热敏电阻:是 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,300A 功率-最大值:1800W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1700V 电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流-集电极截止(最大值):3mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF300R12KT4HOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):19nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,300A 功率-最大值:1600W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF300R12KT3EHOSA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):21nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,300A 功率-最大值:1450W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):480A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:2 个独立式 | |
| IGBT模块 | FF200R17KE4HOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):18nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,200A 功率-最大值:1250W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1700V 电流-集电极(Ic)(最大值):310A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:2 个独立式 | |
| IGBT模块 | FF200R12KT4HOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A 功率-最大值:1100W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):320A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF200R12KT3EHOSA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A 功率-最大值:1050W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:2 个独立式 | |
| IGBT模块 | FF200R12KE4PHOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF200R12KE3HOSA1 | NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A 功率-最大值:1050W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:2 个独立式 | |
| IGBT模块 | FD300R12KE3HOSA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):21nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,300A 功率-最大值:1470W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):480A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:单路 | |
| IGBT模块 | FB30R06W1E3BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):1.65nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A 功率-最大值:115W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | F475R06W1E3BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):4.6nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,75A 功率-最大值:275W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | F450R12KS4B11BOSA1 | NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):3.4nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):3.75V @ 15V,50A 功率-最大值:355W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | DF400R12KE3HOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):28nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,400A 功率-最大值:2000W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):580A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:单路 | |
| IGBT模块 | DDB6U100N16RRBOSA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):3.3nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):3.2V @ 20V,50A 功率-最大值:350W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:单斩波器 | |
| IGBT模块 | BSM50GP120 | Infineon(英飞凌) | |
| IGBT模块 | BSM50GD120DN2 | Infineon(英飞凌) | 关闭状态最大电压:1.2KV 半导体结构:晶体管/晶体管 安装:螺旋 封装/外壳:ECONOPACK 2K 拓扑:IGBT 半桥接 x3 最大正向脉冲电流:100A 栅极 - 发射极电压:±20V 模块类型:IGBT 电气安装:焊接 耗电:350W 集电极电流:50A |
| IGBT模块 | BSM35GP120 | Infineon(英飞凌) | |
| IGBT模块 | BSM20GP60 | Infineon(英飞凌) | 关闭状态最大电压:600V 半导体结构:二极管/晶体管 安装:螺旋 封装/外壳:AG-ECONO2-5 拓扑:3 相二极管桥 拓扑:IGBT 3 相桥 拓扑:NTC 热敏电阻器 拓扑:制动断路器 最大正向脉冲电流:230A 栅极 - 发射极电压:±20V 模块类型:IGBT 电气安装:焊接 耗电:130W 集电极电流:20A |
| IGBT模块 | BSM10GP120 | Infineon(英飞凌) | |
| IGBT模块 | BSM10GD120DN2E3224 | Infineon(英飞凌) | 关闭状态最大电压:1.2KV 半导体结构:晶体管/晶体管 安装:螺旋 封装/外壳:ECONOPACK 2K 拓扑:IGBT 半桥接 x3 最大正向脉冲电流:20A 栅极 - 发射极电压:±20V 模块类型:IGBT 电气安装:焊接 耗电:80W 集电极电流:10A |
| IGBT模块 | BSM100GB120DN2KHOSA1 | Infineon(英飞凌) | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):6.5nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):3V @ 15V,100A 功率-最大值:700W 封装/外壳:模块 工作温度:150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流-集电极截止(最大值):2mA 输入:标准 配置:半桥 |