IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT晶体管 | AOTF5B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V, 5A 功率:31.2W 开关能量:140µJ(开),40µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/83ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:98ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 关闭开关能量:0.04mJ 关闭时间:95ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220F 开启开关能量:0.14mJ 开启时间:27ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:12.5W 脉冲集电极电流:20A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.55V 集电极电流:5A |
| IGBT晶体管 | AOTF15B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V, 15A 功率:50W 开关能量:420µJ(开),110µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/73ns 测试条件:400V,15A,20 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:196ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 关闭开关能量:0.11mJ 关闭时间:83ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220F 开启开关能量:0.42mJ 开启时间:40ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:25W 脉冲集电极电流:60A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.6V 集电极电流:15A |
| IGBT晶体管 | AOTF10B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,10A 功率:42W 开关能量:260µJ(开),70µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/72ns 测试条件:400V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:105ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 关闭开关能量:0.16mJ 关闭时间:80.8ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220F 开启开关能量:0.35mJ 开启时间:25ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:16.7W 脉冲集电极电流:40A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.53V 集电极电流:10A |
| IGBT晶体管 | AOT5B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V, 5A 功率:82.4W 开关能量:140µJ(开),40µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/83ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:98ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭开关能量:0.04mJ 关闭时间:95ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220 开启开关能量:0.14mJ 开启时间:27ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:41.2W 脉冲集电极电流:20A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.55V 集电极电流:5A |
| IGBT晶体管 | AOT20B65M1 | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,20A 功率:227W 开关能量:470µJ(开),270µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:322ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭开关能量:0.27mJ 关闭时间:135ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220 开启开关能量:0.47mJ 开启时间:51ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±30V 耗电:114W 脉冲集电极电流:60A 集电极-发射极电压:650V 集电极-发射极饱和电压:1.7V 集电极电流:20A |
| IGBT晶体管 | AOT15B65M1 | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,15A 功率:214W 开关能量:290µJ(开),200µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/116ns 测试条件:400V,15A,20 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:317ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭开关能量:0.2mJ 关闭时间:108ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220 开启开关能量:0.29mJ 开启时间:33ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±30V 耗电:107W 脉冲集电极电流:45A 集电极-发射极电压:650V 集电极-发射极饱和电压:1.7V 集电极电流:15A |
| IGBT晶体管 | AOT15B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V, 15A 功率:167W 开关能量:420µJ(开),110µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/73ns 测试条件:400V,15A,20 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:196ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭开关能量:0.11mJ 关闭时间:83ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220 开启开关能量:0.42mJ 开启时间:40ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:83.3W 脉冲集电极电流:60A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.6V 集电极电流:15A |
| IGBT晶体管 | AOT10B60D | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,10A 功率:163W 开关能量:260µJ(开),70µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/72ns 测试条件:400V,10A,30 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:105ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭开关能量:0.07mJ 关闭时间:80.8ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO220 开启开关能量:0.26mJ 开启时间:25ns FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±20V 耗电:82W 脉冲集电极电流:40A 集电极-发射极电压:600V 集电极-发射极饱和电压:1.53V 集电极电流:10A |
| IGBT晶体管 | AOK20B135E1 | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1350V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.3V @ 15V,20A 功率:250W 开关能量:800µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/134ns 测试条件:600V,20A,15 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 关闭时间:311ns 包装类型:管 安装:THT 封装/外壳:TO247 FET类型:IGBT 栅极 - 发射极电压:±30V 耗电:125W 脉冲集电极电流:80A 集电极-发射极电压:1.35KV 集电极电流:20A |