IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT | STGIPS20C60T-H | ST(意法半导体) | 系列:SLLIMM™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:20A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:25-PowerDIP 模块(0.993",25.23mm) |
| IGBT | STGIPN3H60T-H | ST(意法半导体) | 系列:SLLIMM™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:3A 电压:600V 电压-隔离:1000Vrms 封装/外壳:26-PowerDIP 模块(0.846",21.48mm) |
| IGBT | STGIPN3H60AT | ST(意法半导体) | 系列:SLLIMM™ FET类型:IGBT 配置:三相反相器 电流:3A 电压:600V 电压-隔离:1000Vrms 封装/外壳:26-PowerDIP 模块(0.846",21.48mm) |
| IGBT | RGTH80TS65GC11 | ROHM(罗姆) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,40A 功率:234W 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247N |
| IGBT | RGTH60TS65GC11 | ROHM(罗姆) | 功率:194W 在25 C的连续集电极电流:58A 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH60TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:58A 集电极连续电流:30A |
| IGBT | RGTH40TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:144W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH40TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:85A 集电极连续电流:20A |
| IGBT | RGTH50TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:174W 在25 C的连续集电极电流:50A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH50TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:50A 集电极连续电流:25A |
| IGBT | RGTH40TS65GC11 | ROHM(罗姆) | 功率:144W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH40TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:40A 集电极连续电流:20A |
| IGBT | RGT8NS65DGTL | ROHM(罗姆) | 功率:65W 在25 C的连续集电极电流:8A 封装/外壳:TO-263-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT8NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:8A 集电极连续电流:4A |
| IGBT | RGT80TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:234W 在25 C的连续集电极电流:70A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT80TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:70A 集电极连续电流:40A |
| IGBT | RGT8BM65DTL | ROHM(罗姆) | 功率:62W 在25 C的连续集电极电流:8A 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT8BM65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:8A 集电极连续电流:4A |
| IGBT | RGT30NS65DGTL | ROHM(罗姆) | 功率:133W 在25 C的连续集电极电流:30A 封装/外壳:TO-263-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT30NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:30A 集电极连续电流:15A |
| IGBT | RGT16NS65DGTL | ROHM(罗姆) | 功率:94W 在25 C的连续集电极电流:16A 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT16NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:16A 集电极连续电流:8A |