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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT | EVA-L985-H65075S5 | Vincotech(威科) | 电压:650V |
| IGBT | DDB6U100N16RR | Infineon(英飞凌) | FET类型:DiscreteSemiconductorModule Vr - 反向电压:1600V 输出电流:60A 栅极触发电流-Igt:5mA RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Diode Bridges with Brake Chopper Dimensions (length):107.5mm VDRM/ VRRM (V):1600.0V Housing:EconoBRIDGE™ I(FSM) max:550.0A IRMSM:100.0A Dimensions (width):45.0mm |
| IGBT | BYM300A120DN2 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 包装方式:Tray 高度:36.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm |
| IGBT | FNA23512A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:35A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:34-PowerDIP 模块(1.480",37.60mm) |
| IGBT | FNA41560B2 | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 45 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:15A 电压:600V 电压-隔离:2000Vrms 封装/外壳:26-PowerDIP 模块(1.024",26.00mm) |
| IGBT | FNB35060T | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:三相反相器 电流:50A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSAM15SH60A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:15A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:32-PowerDIP 模块(1.370",34.80mm) |
| IGBT | FSB50450A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 5 FET类型:MOSFET 配置:3 相 电流:1.5A 电压:500V 电压-隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-PowerDIP 模块 (0.573",14.56mm) |
| IGBT | FSB50250AS | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 5 FET类型:MOSFET 配置:3 相 电流:1.2A 电压:500V 电压-隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-PowerSMD 模块,鸥翼型 |
| IGBT | FSB50250A | Fairchild(仙童) | FET类型:IGBT 封装/外壳:23-PowerDIP 模块 (0.573",14.56mm) 系列:Motion SPM® 5 配置:3 相 电流:1.2A 电压:500V 电压-隔离:1500Vrms |
| IGBT | FSB50825US | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 5 FET类型:MOSFET 配置:3 相 电流:4A 电压:250V 电压-隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-PowerSMD 模块,鸥翼型 |
| IGBT | FSAM50SM60A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:50A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:32-PowerDIP 模块(1.370",34.80mm) |
| IGBT | FCBS0550 | Fairchild(仙童) | 系列:SPM® FET类型:MOSFET 配置:3 相 电流:5A 电压:500V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | BSM75GB170DN2 | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Dual Dimensions (length):94.0mm Housing:34 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):3.4V IC(nom) / IF(nom):75.0A Dimensions (width):34.0mm VF (Tvj=25°C typ):2.3V |
| IGBT | BSM75GB120DN2 | Infineon(英飞凌) | 配置:HalfBridge 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.5V 在25 C的连续集电极电流:105A 栅极—射极漏泄电流:320nA 功率:625W 封装/外壳:HalfBridge1 高度:30.5mm 长度:94mm 宽度:34mm 栅极/发射极最大电压:20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | BSM50GB60DLC | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:2.2V 在25 C的连续集电极电流:75A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:280W 包装方式:Tray 高度:30.5mm 长度:94mm 宽度:34mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | BSM50GB120DN2 | Infineon(英飞凌) | 配置:HalfBridge 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.5V 在25 C的连续集电极电流:78A 栅极—射极漏泄电流:200nA 功率:400W 封装/外壳:HalfBridge1 高度:30.5mm 长度:94mm 宽度:34mm 栅极/发射极最大电压:20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FNB35060T | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:三相反相器 电流:50A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FNA23060 | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:三相反相器 电流:30A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:34-PowerDIP 模块(1.480",37.60mm) |
| IGBT | FNB41060 | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 45 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压-隔离:2000Vrms 封装/外壳:26-PowerDIP 模块(1.024",26.00mm) |
| IGBT | BSM200GB60DLC | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 在25 C的连续集电极电流:230A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:445W 封装/外壳:AG-34MM-1 高度:30.5mm 长度:94mm 宽度:34mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | BSM150GB120DN2 | Infineon(英飞凌) | 配置:HalfBridge 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.5V 在25 C的连续集电极电流:210A 栅极—射极漏泄电流:320nA 功率:1250W 封装/外壳:HalfBridge2 高度:30mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | BSM100GB60DLC | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 在25 C的连续集电极电流:130A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:445W 封装/外壳:AG-34MM-1 高度:30.5mm 长度:94mm 宽度:34mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | BSM100GB120DN2K | Infineon(英飞凌) | 配置:HalfBridge 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.5V 在25 C的连续集电极电流:145A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:700W 封装/外壳:HalfBridge1 高度:30.5mm 长度:94mm 宽度:34mm 栅极/发射极最大电压:20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FSB50250AS | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 5 FET类型:MOSFET 配置:3 相 电流:1.2A 电压:500V 电压-隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-PowerSMD 模块,鸥翼型 |
| IGBT | FSAM75SM60A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:75A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:32-PowerDIP 模块(1.370",34.80mm) |
| IGBT | FSBF10CH60BT | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSBF15CH60BT | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:15A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FNA21012A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:34-PowerDIP 模块(1.480",37.60mm) |
| IGBT | FNA22512A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:25A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:34-PowerDIP 模块(1.480",37.60mm) |
| IGBT | FSAM50SM60A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:50A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:32-PowerDIP 模块(1.370",34.80mm) |
| IGBT | FSBB30CH60 | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:30A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FF450R12ME4BOSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:675A 功率:2250W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止（最大值）:3mA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:28nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:AG-ECONOD-3 封装/外壳:模块 |
| IGBT | FCBS0550 | Fairchild(仙童) | 系列:SPM® FET类型:MOSFET 配置:3 相 电流:5A 电压:500V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FNA23512A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:35A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:34-PowerDIP 模块(1.480",37.60mm) |
| IGBT | FNA23512A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:35A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:34-PowerDIP 模块(1.480",37.60mm) |
| IGBT | FNA41560 | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 45 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:15A 电压:600V 电压-隔离:2000Vrms 封装/外壳:26-PowerDIP 模块(1.024",26.00mm) |
| IGBT | FNA21012A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:34-PowerDIP 模块(1.480",37.60mm) |
| IGBT | FPDB30PH60 | Fairchild(仙童) | 系列:PFC SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:2 相 电流:20A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FPAM30LH60 | Fairchild(仙童) | 系列:PFC SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:2 相 电流:30A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:32-PowerDIP 模块(1.370",34.80mm) |
| IGBT | FSBB15CH60C | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:15A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSBF5CH60B | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:5A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSB50550US | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 5 FET类型:MOSFET 配置:3 相 电流:2A 电压:500V 电压-隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-PowerSMD 模块,鸥翼型 |
| IGBT | FSAM20SH60A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:20A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:32-PowerDIP 模块(1.370",34.80mm) |
| IGBT | FSB50250AS | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 5 FET类型:MOSFET 配置:3 相 电流:1.2A 电压:500V 电压-隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-PowerSMD 模块,鸥翼型 |
| IGBT | FSBB30CH60C | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:30A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSBB15CH120D | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:三相反相器 电流:15A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | IRG4PF50WDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:51A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):204A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,28A 开关能量:2.63mJ(开),1.34mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:71ns/150ns 测试条件:720V,28A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:90ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:900V 电流-集电极（Ic）（最大值）:51A 脉冲电流-集电极(Icm):204A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,28A 功率:200W 25°C时Td（开/关）值:71ns/150ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRG4BC30KDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:28A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):56A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,16A 开关能量:600µJ(开),580µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 测试条件:480V,16A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:28A 脉冲电流-集电极(Icm):56A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,16A 功率:100W 25°C时Td（开/关）值:60ns/160ns 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT | IRG4BC30KD-SPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:28A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):56A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,16A 开关能量:600µJ(开),580µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 测试条件:480V,16A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:28A 脉冲电流-集电极(Icm):56A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,16A 功率:100W 25°C时Td（开/关）值:60ns/160ns 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT | IRGP20B60PDPBF | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,20A 开关能量:95µJ(开),100µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/115ns 测试条件:390V,13A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):80A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,20A 功率:220W 25°C时Td（开/关）值:20ns/115ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRG4BC20FDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):64A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,9A 开关能量:250µJ(开),640µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/240ns 测试条件:480V,9A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流-集电极(Icm):64A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 15V,9A 功率:60W 25°C时Td（开/关）值:43ns/240ns 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT | IRG4RC10SDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,8A 开关能量:310µJ(开),3.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 测试条件:480V,8A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流-集电极(Icm):18A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,8A 功率:38W 25°C时Td（开/关）值:76ns/815ns 封装/外壳:D-Pak |
| IGBT | IRG4BC20KDSTRRP | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):32A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,9A 开关能量:340µJ(开),300µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:54ns/180ns 测试条件:480V,9A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:16A 脉冲电流-集电极(Icm):32A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,9A 功率:60W 25°C时Td（开/关）值:54ns/180ns 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT | IRGP4063DPBF | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):144A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.14V @ 15V,48A 开关能量:625µJ(开),1.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/145ns 测试条件:400V,48A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:115ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流-集电极(Icm):144A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.14V @ 15V,48A 功率:330W 25°C时Td（开/关）值:60ns/145ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRG4PC50SPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):140A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.36V @ 15V,41A 功率:200W 开关能量:720µJ(开),8.27mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/650ns 测试条件:480V,41A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):600V Current-Collector(Ic)(Max):70A Current-CollectorPulsed(Icm):140A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.36V @ 15V,41A Power-Max:200W 25°C时Td（开/关）值:33ns/650ns 反向恢复时间（trr）:50ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRG4BC30UDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):92A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 开关能量:380µJ(开),160µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/91ns 测试条件:480V,12A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流-集电极(Icm):92A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 功率:100W 25°C时Td（开/关）值:40ns/91ns 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT | IRG4BC30KDSTRLP | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:28A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):56A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,16A 开关能量:600µJ(开),580µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/160ns 测试条件:480V,16A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:28A 脉冲电流-集电极(Icm):56A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.7V @ 15V,16A 功率:100W 25°C时Td（开/关）值:60ns/160ns 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT | IRGS14C40LPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 输入类型:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/6µs 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:430V 电流-集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 功率:125W 25°C时Td（开/关）值:900ns/6µs 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT | IRGS14C40LPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 输入类型:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/6µs 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:430V 电流-集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 功率:125W 25°C时Td（开/关）值:900ns/6µs 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT | FNB41060 | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 45 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压-隔离:2000Vrms 封装/外壳:26-PowerDIP 模块(1.024",26.00mm) |
| IGBT | FNB41060 | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 45 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压-隔离:2000Vrms 封装/外壳:26-PowerDIP 模块(1.024",26.00mm) |
| IGBT | FSBB15CH60F | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:15A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSBF5CH60B | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:5A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSBB30CH60D | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:三相反相器 电流:30A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSBB20CH60C | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:20A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FS150R12KT4_B9 | Infineon(英飞凌) | 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.1V 在25 C的连续集电极电流:150A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:750W 包装方式:Tray 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | FP40R12KE3 | Infineon(英飞凌) | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.3V 在25 C的连续集电极电流:55A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:200W 包装方式:Tray 高度:17mm 长度:107.5mm 宽度:45mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | AIKW75N60CTXKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,75A 功率:428W 开关能量:2mJ(开),2.5mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/330ns 测试条件:400V,75A,5 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | AIKW75N60CT | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:NA td(off):330.0ns tf:35.0ns Technology:IGBT TRENCHSTOP™ Irrm:39.0A Eoff:2.5mJ tr:36.0ns 封装/外壳:TO-247 ICpuls max:225.0A Ptot max:428.0W IC (@ 25°) max:80.0A td(on):33.0ns Switching Frequency:0-30 KHz QGate:470.0nC Eon:2.0mJ VCE max:600.0V VF:1.65V VCE(sat):1.5V IC (@ 100°) max:75.0A Qrr:2400.0nC |
| IGBT | AIKW50N65DH5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | AIKW50N65DF5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | AIKW50N60CTXKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,50A 功率:333W 开关能量:1.2mJ(开),1.4mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/299ns 测试条件:400V,50A,7 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | AIKW40N65DH5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | AIKW40N65DH5 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:NA td(off):153.0ns tf:11.0ns Technology:IGBT TRENCHSTOP™ 5 Irrm:13.1A Eoff:0.12mJ 封装/外壳:TO-247 ICpuls max:120.0A Ptot max:250.0W IC (@ 25°) max:74.0A td(on):20.0ns IF max:36.0A Switching Frequency:15-120 KHz QGate:92.0nC Eon:0.38mJ VCE max:650.0V VF:1.55V VCE(sat):1.66V IC (@ 100°) max:46.0A Qrr:520.0nC |
| IGBT | AIKW40N65DF5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | AIKW30N60CTXKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,30A 功率:187W 开关能量:690µJ(开),770µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/254ns 测试条件:400V,30A,10.6 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,20A 功率:166W 开关能量:310µJ(开),460µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 测试条件:400V,20A,12 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | AIKQ100N60CTXKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:160A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):400A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,100A 功率:714W 开关能量:3.1mJ(开),2.5mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/290ns 测试条件:400V,100A,3.6 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3-46 |
| IGBT | AIKB20N60CTATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.05V @ 15V,20A 功率:156W 开关能量:310µJ(开),460µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/199ns 测试条件:600V,20A,12 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3 封装/外壳:PG-TO263-3 |
| IGBT | AIHD15N60RFATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,15A 功率:240W 开关能量:270µJ(开),250µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:13ns/160ns 测试条件:400V,15A,15 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| IGBT | AIHD15N60RATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,15A 功率:250W 开关能量:370µJ(开),530µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/183ns 测试条件:400V,15A,15 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| IGBT | AIHD10N60RFATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,10A 功率:150W 开关能量:190µJ(开),160µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/168ns 测试条件:400V,10A,26 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| IGBT | AIHD10N60RATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,10A 功率:150W 开关能量:210µJ(开),380µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns 测试条件:400V,10A,23 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| IGBT | AIHD06N60RFATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,6A 功率:100W 开关能量:90µJ(开),90µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/105ns 测试条件:400V,6A,23 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| IGBT | AIHD06N60RATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,6A 功率:100W 开关能量:110µJ(开),220µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/127ns 测试条件:400V,6A,23 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| IGBT | FSBB20CH60F | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:20A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSBF10CH60BT | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSB50325A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 5 FET类型:MOSFET 配置:3 相 电流:1.7A 电压:250V 电压-隔离:1500Vrms 封装/外壳:23-PowerDIP 模块 (0.573",14.56mm) |
| IGBT | FSBB20CH120D | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:三相反相器 电流:20A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | AIHD04N60RFATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):12A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,4A 功率:75W 开关能量:60µJ(开),50µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/116ns 测试条件:400V,4A,43 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| IGBT | AIHD04N60RATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):12A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,4A 功率:75W 开关能量:90µJ(开),150µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/146ns 测试条件:400V,4A,43 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| IGBT | AIHD03N60RFATMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):7.5A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.5V @ 15V,2.5A 功率:53.6W 开关能量:50µJ(开),40µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/128ns 测试条件:400V,2.5A,68 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| IGBT | AIGW50N65H5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | AIGW50N65F5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | AIGW50N65F5 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:NA td(off):156.0ns tf:6.0ns Technology:IGBT TRENCHSTOP™ 5 Eoff:0.14mJ tr:12.0ns 封装/外壳:TO-247 ICpuls max:150.0A Ptot max:270.0W IC (@ 25°) max:80.0A td(on):21.0ns Switching Frequency:15-120 KHz QGate:108.0nC Eon:0.49mJ VCE max:650.0V VCE(sat):1.66V IC (@ 100°) max:53.5A |
| IGBT | AIGW40N65H5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | AIGW40N65H5 | Infineon(英飞凌) | Moisture Level:NA td(off):149.0ns tf:11.0ns Technology:IGBT TRENCHSTOP™ 5 Eoff:0.11mJ 封装/外壳:TO-247 ICpuls max:120.0A Ptot max:250.0W IC (@ 25°) max:74.0A td(on):20.0ns Switching Frequency:15-120 KHz QGate:92.0nC Eon:0.36mJ VCE max:650.0V VCE(sat):1.66V IC (@ 100°) max:46.0A |
| IGBT | AIGW40N65F5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | FF100R12RT4HOSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率:555W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:630nF 电压，耦合至输入电容（Cies）@ Vce:25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:AG-34MM-1 封装/外壳:模块 |