IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 18923485199
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT | AOK40B65H2AL | AOS(万国半导体) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,40A 功率:260W 开关能量:1.17mJ (开), 540µJ (关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/117ns 测试条件:600V、 40A、 7.5 欧姆、 15V 反向恢复时间（trr）:315ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| IGBT | IKW75N60T | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:428W 高度:21.1mm 长度:16.03mm 宽度:5.16mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 系列:TRENCHSTOPIGBT 集电极连续电流:80A 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | V23990-P588-A418-PM | Vincotech(威科) | 电压:1.2KV |
| IGBT | IKW30N60H3 | Infineon(英飞凌) | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,30A 开关能量:1.38mJ 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:21ns/207ns 测试条件:400V,30A,10.5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:38ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:60A 功率:187W 系列:HighSpeed3 高度:20.7mm 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 栅极—射极漏泄电流:100nA |
| IGBT | IKW40N120H3 | Infineon(英飞凌) | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流-集电极(Icm):160A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.4V @ 15V,40A 开关能量:4.4mJ 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:30ns/290ns 测试条件:600V,40A,12 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:355ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.05V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:483W 系列:HighSpeed3 集电极最大连续电流 Ic:80A 栅极—射极漏泄电流:600nA |
| IGBT | IHW40N65R5 | Infineon(英飞凌) | 电压-集射极击穿（最大值）:650V 电流-集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流-集电极(Icm):120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.7V @ 15V,40A 开关能量:630µJ(开),140µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:30ns/258ns 测试条件:400V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:90ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.35V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:230W 系列:TRENCHSTOP5RC-H 栅极—射极漏泄电流:100nA |
| IGBT | FNA22512A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:25A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:34-PowerDIP 模块(1.480",37.60mm) |
| IGBT | FSAM20SH60A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:20A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:32-PowerDIP 模块(1.370",34.80mm) |
| IGBT | FSBB30CH60C | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:30A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSBB10CH120D | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSAM75SM60A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:75A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:32-PowerDIP 模块(1.370",34.80mm) |
| IGBT | FSBB20CH60C | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:20A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSBB20CH60D | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:三相反相器 电流:20A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | BSM150GB60DLCHOSA1 | Infineon(英飞凌) | 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:180A 功率:595W 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.45V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同 Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF 电压，耦合至输入电容（Cies）@ Vce:25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:AG-34MM-1 封装/外壳:模块 |
| IGBT | IRAM136-1060A | Infineon(英飞凌) | FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压-隔离:2000Vrms 封装/外壳:29-PowerSSIP 模块 |
| IGBT | IRG4BC20UDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):52A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,6.5A 开关能量:160µJ(开),130µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/93ns 测试条件:480V,6.5A,50 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:37ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流-集电极(Icm):52A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,6.5A 功率:60W 25°C时Td（开/关）值:39ns/93ns 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT | IRGB20B60PD1PBF | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,20A 开关能量:95µJ(开),100µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/115ns 测试条件:390V,13A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):80A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,20A 功率:215W 25°C时Td（开/关）值:20ns/115ns 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT | IRG7PH42UPBF | Infineon(英飞凌) | IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 脉冲电流-集电极(Icm):90A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2V @ 15V,30A 功率:385W 开关能量:2.11mJ(开),1.18mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:25ns/229ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO247 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:90A 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRG4IBC30UDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):68A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 开关能量:380µJ(开),160µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/91ns 测试条件:480V,12A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:17A 脉冲电流-集电极(Icm):68A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 功率:45W 25°C时Td（开/关）值:40ns/91ns 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| IGBT | IRG4BC20SPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:19A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):38A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.6V @ 15V,10A 开关能量:120µJ(开),2.05mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:27ns/540ns 测试条件:480V,10A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:19A 脉冲电流-集电极(Icm):38A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.6V @ 15V,10A 功率:60W 25°C时Td（开/关）值:27ns/540ns 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT | IRG4BC20UPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):52A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,6.5A 开关能量:100µJ(开),120µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/86ns 测试条件:480V,6.5A,50 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:13A 脉冲电流-集电极(Icm):52A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,6.5A 功率:60W 25°C时Td（开/关）值:21ns/86ns 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT | IRG4IBC30UDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):68A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 开关能量:380µJ(开),160µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/91ns 测试条件:480V,12A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:17A 脉冲电流-集电极(Icm):68A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 功率:45W 25°C时Td（开/关）值:40ns/91ns 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| IGBT | IRG4PH40KDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流-集电极(Icm):60A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.4V @ 15V,15A 功率:160W 开关能量:1.31mJ(开),1.12mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:50ns/96ns 测试条件:800V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:63ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO247COPAK |
| IGBT | IRG4PC40UDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,20A 开关能量:710µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:54ns/110ns 测试条件:480V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):160A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,20A 功率:160W 25°C时Td（开/关）值:54ns/110ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | SGD02N120BUMA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:6.2A 脉冲电流-集电极(Icm):9.6A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.6V @ 15V,2A 功率:62W 开关能量:220µJ 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:23ns/260ns 测试条件:800V,2A,91 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |