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    IGBT RGTH80TS65DGC11 ROHM(罗姆) 功率:234W 在25 C的连续集电极电流:70A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH80TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:70A 集电极连续电流:40A
    IGBT FZ600R65KE3 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:no 包装方式:TRAY Configuration:Single switch Dimensions (length):190.0mm Housing:IHV 190 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):3.0V IC(nom) / IF(nom):600.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):3.0V
    IGBT IKD06N60RA Infineon(英飞凌) 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.65V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:12A 功率:100W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C
    IGBT IHW30N135R3FKSA1 Infineon(英飞凌) 集电极—发射极最大电压 VCEO:1.35 KV 零件号别名:IHW30N135R3 IHW30N135R3XK 集电极—射极饱和电压:1.85 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:60 A 栅极—射极漏泄电流:100 nA 功率:175 W 封装/外壳:PG-TO247-3 集电极最大连续电流 Ic:30 A IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿(最大值):1350V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.85V @ 15V,30A 功率:349W 开关能量:1.93mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td(开/关)值:-/337ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3
    IGBT FS10R12VT3 Infineon(英飞凌) 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:16A 包装方式:Tray 高度:12mm 长度:35.6mm 宽度:25.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT 2PS06017E32G28213 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:no 包装方式:TRAY Configuration:2-pack Rated AC Voltage (VRMS):690 Housing:PrimeSTACK™ C2 Cooling:Air cooled Rated AC Current (ARMS):325 Implemented IGBT Modules:FF300R17KE3 Rated fSW (kHz):2.0
    IGBT FZ1600R17HP4_B2 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:1 Ohms Configuration:Single switch Dimensions (length):130.0mm Housing:IHM B VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.9V IC(nom) / IF(nom):1600.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.65V
    IGBT FS300R12KE4 Infineon(英飞凌) 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:450A 包装方式:Tray 高度:17mm 长度:162mm 宽度:150mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FZ3600R17HP4_B2 Infineon(英飞凌) 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 集电极—射极饱和电压:2.25V 在25 C的连续集电极电流:3600A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:21kW 包装方式:Tray 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FF800R17KP4_B2 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:no 包装方式:TRAY Configuration:Dual Dimensions (length):130.0mm Qualification:Industrial Traction Housing:IHM Features:Enlarged Diode VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.9V IC(nom) / IF(nom):800.0A VF (Tvj=25°C typ):1.55 V Dimensions (length):130.0 mm Applications:CAV Drives ; Traction ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.9 V Dimensions (width):140.0 mm Voltage Class:1700.0 V Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V
    IGBT FD1200R17KE3-K Infineon(英飞凌) 配置:SingleDualCollectorDualEmitter 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 在25 C的连续集电极电流:1600A 包装方式:Tray 高度:38mm 长度:140mm 宽度:130mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT FS100R07N2E4 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Sixpack Dimensions (length):107.5mm Housing:EconoPACK™ 2 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55V IC(nom) / IF(nom):100.0A Dimensions (width):45.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V
    IGBT FS75R07N2E4_B11 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Sixpack Dimensions (length):107.5mm Qualification:Industrial Housing:EconoPACK™ 2 Features:PressFIT VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55V IC(nom) / IF(nom):75.0A VF (Tvj=25°C typ):1.55 V Dimensions (length):107.5 mm Applications:Aircon ; Drives ; Induction Heating VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55 V Dimensions (width):45.0 mm Voltage Class:650.0 V Dimensions (width):45.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V
    IGBT FZ800R45KL3_B5 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:no 包装方式:TRAY Configuration:Single switch Dimensions (length):130.0mm Housing:IHV 130 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.5V IC(nom) / IF(nom):800.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):2.5V
    IGBT FD500R65KE3-K Infineon(英飞凌) RoHS compliant:no 包装方式:TRAY Configuration:Chopper Dimensions (length):190.0mm Housing:IHV 190 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):3.0V IC(nom) / IF(nom):500.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):3.0V
    IGBT FS225R12OE4 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Sixpack Dimensions (length):162.0mm Technology:IGBT4 - E4 Qualification:Industrial Housing:EconoPACK™ + D Features:PressFIT VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.85V IC(nom) / IF(nom):225.0A VF (Tvj=25°C typ):1.65 V Dimensions (length):162.0 mm Applications:CAV ; Drives ; Solar ; UPS VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.85 V Dimensions (width):150.0 mm Voltage Class:1200.0 V Dimensions (width):150.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.65V
    IGBT FZ400R65KE3 Infineon(英飞凌) 标准包装数量:2 RoHS compliant:no 包装方式:TRAY Configuration:Single switch Dimensions (length):130.0mm Housing:IHV VCE(sat) (Tvj=25°C typ):3.0V IC(nom) / IF(nom):400.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):3.0V
    IGBT FZ1200R33HE3 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Single switch Dimensions (length):190.0mm Qualification:Industrial ; Traction Housing:IHV B VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.7V IC(nom) / IF(nom):1200.0A VF (Tvj=25°C typ):3.25 V Dimensions (length):190.0 mm Applications:CAV ; Drives ; Traction ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.7 V Dimensions (width):140.0 mm Voltage Class:3300.0 V Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):3.25V
    IGBT FD1000R33HE3-K Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Chopper Dimensions (length):190.0mm Qualification:Industrial ; Traction Housing:IHV B 190 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.55V IC(nom) / IF(nom):1000.0 A VF (Tvj=25°C typ):3.1 V Dimensions (length):190.0 mm Applications:CAV ; Drives ; Traction ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.55 V Dimensions (width):140.0 mm Voltage Class:3300.0 V Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):3.1V
    IGBT FP25R12KT4 Infineon(英飞凌) 配置:3-Phase 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.85V 在25 C的连续集电极电流:25A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:160W 封装/外壳:AG-ECONO2-4 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FZ1200R17HP4_B2 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:1 Ohms Configuration:Single switch Dimensions (length):130.0mm Housing:IHM B VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.9V IC(nom) / IF(nom):1200.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.65V
    IGBT FZ1600R17KE3_B2 Infineon(英飞凌) 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 在25 C的连续集电极电流:2400A 包装方式:Tray 高度:38mm 长度:140mm 宽度:130mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT FD600R17KE3_B2 Infineon(英飞凌) 配置:SingleDualCollectorDualEmitter 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 在25 C的连续集电极电流:950A 包装方式:Tray 高度:38mm 长度:140mm 宽度:130mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT FF600R17KE3_B2 Infineon(英飞凌) 配置:DualDualCollectorDualEmitter 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 在25 C的连续集电极电流:950A 包装方式:Tray 高度:38mm 长度:140mm 宽度:130mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT FF600R07ME4_B11 Infineon(英飞凌) 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.95V 在25 C的连续集电极电流:700A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:1800W 包装方式:Tray 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT IKW50N65H5FKSA1 Infineon(英飞凌) 系列:TrenchStop® 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):80A 脉冲电流-集电极(Icm):150A 不同 Vge,Ic时的 Vce(on):2.1V @ 15V,50A 功率:305W 开关能量:520µJ(开),180µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td(开/关)值:21ns/180ns 测试条件:400V,25A,12 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):57ns 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3
    IGBT STGF7NB60SL ST(意法半导体) 系列:PowerMESH™ 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):15A 脉冲电流-集电极(Icm):20A 不同 Vge,Ic时的 Vce(on):1.6V @ 4.5V,7A 功率:25W 开关能量:4.1mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td(开/关)值:1.1µs/5.2µs 测试条件:480V,7A,1 千欧,5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP
    IGBT FZ1800R17HE4_B9 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:1 Ohms Configuration:Single switch Dimensions (length):190.0mm Housing:IHM B 190 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95V IC(nom) / IF(nom):1800.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V
    IGBT FZ500R65KE3 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:no 包装方式:TRAY Configuration:Single switch Dimensions (length):130.0mm Qualification:Industrial ; Traction Housing:IHV 130 mm Features:10.2KV isolation VCE(sat) (Tvj=25°C typ):3.0V IC(nom) / IF(nom):500.0A Dimensions (length):130.0 mm Applications:CAV ; Drives ; Traction ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):3.0 V Dimensions (width):140.0 mm Voltage Class:6500.0 V Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):3.0V VCES / VRRM:6500.0 V
    IGBT F3L300R12ME4_B22 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:3-level Dimensions (length):152.0mm Housing:EconoDUAL™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75V IC(nom) / IF(nom):300.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.65V
    IGBT FF800R17KE3 Infineon(英飞凌) 配置:Dual Dual Collector Dual Emitter 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V 在25 C的连续集电极电流:1150 A 栅极/发射极最大电压:± 20 V RoHS compliant:no 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Dual Dimensions (length):130.0mm Housing:IHM VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.0V IC(nom) / IF(nom):800.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT FS200R07N3E4R_B11 Infineon(英飞凌) 标准包装数量:10 RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Sixpack Dimensions (length):122.0mm Housing:EconoPACK™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55V IC(nom) / IF(nom):200.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V
    IGBT FF650R17IE4D_B2 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Dual Dimensions (length):172.0mm Qualification:Industrial Housing:PrimePACK™ 2 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.0V IC(nom) / IF(nom):650.0A VF (Tvj=25°C typ):1.7 V Dimensions (length):172.0 mm Applications:Auxiliary Inverters ; CAV ; Drives ; Solar ; Traction ; UPS ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.0 V Dimensions (width):89.0 mm Voltage Class:1700.0 V Dimensions (width):89.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.7V
    IGBT FS150R06KE3 Infineon(英飞凌) 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.9V 在25 C的连续集电极电流:150A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:430W 包装方式:Tray 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT F3L150R07W2E3_B11 Infineon(英飞凌) 配置:IGBT-Inverter 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.45V 在25 C的连续集电极电流:150A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:335W 封装/外壳:AG-EASY2B-2 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FF1000R17IE4D_B2 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Dual Dimensions (length):250.0mm Qualification:Industrial ; Traction Housing:PrimePACK™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.0V IC(nom) / IF(nom):1000.0 A VF (Tvj=25°C typ):1.7 V Dimensions (length):250.0 mm Applications:Auxiliary Inverters ; CAV ; Drives ; Solar ; Traction ; UPS ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.0 V Dimensions (width):89.0 mm Voltage Class:1700.0 V Dimensions (width):89.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.7V
    IGBT FF600R17KE3 Infineon(英飞凌) 配置:DualDualCollectorDualEmitter 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 在25 C的连续集电极电流:900A 包装方式:Tray 高度:38mm 长度:140mm 宽度:130mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT F12-25R12KT4G Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Twelvepack Dimensions (length):122.0mm Housing:EconoPACK™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.85V IC(nom) / IF(nom):25.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.75V
    IGBT FS300R17OE4 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Sixpack Dimensions (length):162.0mm Housing:EconoPACK™ + D VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95V IC(nom) / IF(nom):300.0A Dimensions (width):150.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V
    IGBT FS100R06KE3 Infineon(英飞凌) 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.9V 在25 C的连续集电极电流:100A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:335W 包装方式:Tray 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT IFS150V12PT4 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Sixpack Dimensions (length):130.0mm Technology:IGBT4 - T4 Qualification:Industrial Housing:EconoPACK™ 4 Features:Integrated drivers VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75V IC(nom) / IF(nom):150.0A VF (Tvj=25°C typ):1.7 V Switch Type:IGBT Module Dimensions (length):130.0 mm Product Name:IFS150V12PT4 Applications:Drives VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75 V Dimensions (width):70.6 mm IC max:150.0A Voltage Class:1200.0 V Dimensions (width):70.6mm VF (Tvj=25°C typ):1.7V Encryption:no VCES / VRRM:1200.0V
    IGBT FF900R12IP4D Infineon(英飞凌) 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:900A 包装方式:Tray 高度:38mm 长度:172mm 宽度:89mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FP10R06W1E3 Infineon(英飞凌) 配置:Array7 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:2V 在25 C的连续集电极电流:16A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:68W 包装方式:Tray 高度:12mm 长度:62.8mm 宽度:33.8mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FS150R12PT4 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Sixpack Dimensions (length):130.0mm Housing:EconoPACK™ 4 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75V IC(nom) / IF(nom):150.0A Dimensions (width):70.6mm VF (Tvj=25°C typ):1.7V
    IGBT FS150R12KT4_B11 Infineon(英飞凌) 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:150A 包装方式:Tray 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT IGW08T120 Infineon(英飞凌) 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:16A 功率:70W 系列:TRENCHSTOPIGBT 封装/外壳:Tube 高度:20.9mm 长度:15.9mm 宽度:5.03mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT IKB15N60T Infineon(英飞凌) 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:26A 功率:130W 系列:TRENCHSTOP 高度:4.57mm 长度:10.31mm 宽度:9.45mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C
    IGBT IKW50N60T Infineon(英飞凌) 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:333W 系列:TRENCHSTOP 高度:20.9mm 长度:15.9mm 宽度:5.03mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C
    IGBT BSM50GB60DLC Infineon(英飞凌) 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:2.2V 在25 C的连续集电极电流:75A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:280W 包装方式:Tray 高度:30.5mm 长度:94mm 宽度:34mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT FS100R17KE3 Infineon(英飞凌) 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 在25 C的连续集电极电流:145A 包装方式:Tray 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT FF75R12RT4 Infineon(英飞凌) 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.15V 在25 C的连续集电极电流:75A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:395W 封装/外壳:AG-34MM-1 栅极/发射极最大电压:20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FD250R65KE3-K Infineon(英飞凌) RoHS compliant:no 包装方式:TRAY Configuration:Chopper Dimensions (length):130.0mm Qualification:Industrial ; Traction Housing:IHV Features:10.2KV isolation VCE(sat) (Tvj=25°C typ):3.0V IC(nom) / IF(nom):250.0A Dimensions (length):130.0 mm Applications:CAV ; Drives ; Traction ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):3.0 V Dimensions (width):140.0 mm Voltage Class:6500.0 V Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):3.0V VCES / VRRM:6500.0 V
    IGBT FS450R17OE4 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Sixpack Dimensions (length):162.0mm Qualification:Industrial Housing:EconoPACK™ + D Features:PressFIT VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95V IC(nom) / IF(nom):450.0A VF (Tvj=25°C typ):1.8 V Dimensions (length):162.0 mm Applications:Auxiliary Inverters ; Drives ; Traction ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95 V Dimensions (width):150.0 mm Voltage Class:1700.0 V Dimensions (width):150.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V
    IGBT IKW25T120 Infineon(英飞凌) 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:50A 功率:190W 系列:TRENCHSTOP 高度:21mm 长度:15.8mm 宽度:5mm 栅极—射极漏泄电流:600nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT F3L400R07ME4_B23 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:3-level Dimensions (length):152.0mm Housing:EconoDUAL™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55V IC(nom) / IF(nom):400.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V
    IGBT FF300R12ME4 Infineon(英飞凌) 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.75V 在25 C的连续集电极电流:450A 栅极—射极漏泄电流:0.4uA 功率:1600W 封装/外壳:AG-ECONOD-3 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT 4PS03012S43G30699 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:no 包装方式:TRAY Configuration:4-pack Rated AC Voltage (VRMS):400.0 Housing:PrimeSTACK™ C3 Cooling:Air cooled Rated AC Current (ARMS):183 Implemented IGBT Modules:FF300R12KS4 Rated fSW (kHz):5.0 Rated fSW (kHz):5.0
    IGBT FP50R12KS4C Infineon(英飞凌) 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:3.2V 在25 C的连续集电极电流:50A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:230W 包装方式:Tray 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT IFS200V12PT4 Infineon(英飞凌) 配置:IGBT-Inverter 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.1V 包装方式:Tray 工作温度:-40°C ~ 65°C
    IGBT FS200R06KE3 Infineon(英飞凌) 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 在25 C的连续集电极电流:200A 包装方式:Tray 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FF450R07ME4_B11 Infineon(英飞凌) 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.95V 在25 C的连续集电极电流:560A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:1450W 包装方式:Tray 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FP150R07N3E4_B11 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:PIM Three Phase Input Rectifier Dimensions (length):122.0mm Housing:EconoPIM™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55V IC(nom) / IF(nom):150.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V
    IGBT FD300R12KS4_B5 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Single switch Dimensions (length):106.4mm Technology:IGBT2 Fast Qualification:Industrial Housing:62 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):3.2V IC(nom) / IF(nom):300.0A VF (Tvj=25°C typ):2.0 V Dimensions (length):106.4 mm Applications:Drives ; Induction Heating ; Solar ; UPS VCE(sat) (Tvj=25°C typ):3.2 V Dimensions (width):61.4 mm Voltage Class:1200.0 V Dimensions (width):61.4mm VF (Tvj=25°C typ):2.0V
    IGBT FS200R07N3E4R Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Sixpack Dimensions (length):122.0mm Housing:EconoPACK™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55V IC(nom) / IF(nom):200.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V
    IGBT FP15R12KT3 Infineon(英飞凌) 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 在25 C的连续集电极电流:25 A 栅极/发射极最大电压:± 20 V RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:PIM Three Phase Input Rectifier Dimensions (length):107.0mm Technology:IGBT3 - T3 Qualification:Industrial Housing:EconoPIM™ 2 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.7V IC(nom) / IF(nom):15.0A VF (Tvj=25°C typ):1.65 V Dimensions (length):107.0 mm Applications:Induction Heating ; Medical ; Aircon ; Auxiliary Inverters ; Drives VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.7 V Dimensions (width):45.0 mm Voltage Class:1200.0 V Dimensions (width):45.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.65V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT FS100R07PE4 Infineon(英飞凌) RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Sixpack Dimensions (length):130.0mm Housing:EconoPACK™ 4 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55V IC(nom) / IF(nom):100.0A Dimensions (width):70.6mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V
    IGBT FP50R12KT3 Infineon(英飞凌) 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:75A 封装/外壳:AG-ECONO3-3 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT FS150R12KT4 Infineon(英飞凌) 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:150A 封装/外壳:AG-ECONO3-4 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT F4-50R12KS4 Infineon(英飞凌) 配置:Quad 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:3.75V 在25 C的连续集电极电流:70A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:355W 包装方式:Tray 高度:17mm 长度:107.5mm 宽度:45mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT FP75R12KT4 Infineon(英飞凌) 配置:3-Phase 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.25V 在25 C的连续集电极电流:150A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:385W 封装/外壳:AG-ECONO3-3 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FF1400R12IP4 Infineon(英飞凌) 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.05V 在25 C的连续集电极电流:1400A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:7650W 封装/外壳:AG-PRIME3-1 高度:38mm 长度:250mm 宽度:89mm 栅极/发射极最大电压:20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FP50R06KE3 Infineon(英飞凌) 配置:Array7 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 在25 C的连续集电极电流:60A 包装方式:Tray 高度:17mm 长度:107.5mm 宽度:45mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT FF450R12ME4 Infineon(英飞凌) 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.1V 在25 C的连续集电极电流:675A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:2250W 封装/外壳:AG-ECONOD-3 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT BSM100GB60DLC Infineon(英飞凌) 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 在25 C的连续集电极电流:130A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:445W 封装/外壳:AG-34MM-1 高度:30.5mm 长度:94mm 宽度:34mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT IKW40T120 Infineon(英飞凌) 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:75A 功率:270W 系列:TRENCHSTOP 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:600nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT IGW25T120 Infineon(英飞凌) 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:50A 功率:190W 高度:20.9mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:600nA 封装/外壳:Tube 系列:TRENCHSTOPIGBT 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT IKW15T120 Infineon(英飞凌) 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:30A 功率:110W 系列:TRENCHSTOP 高度:20.9mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT IGW50N60T Infineon(英飞凌) 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:90A 功率:333W 系列:TRENCHSTOP 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C
    IGBT SGB07N120 Infineon(英飞凌) 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 栅极/发射极最大电压:±20V 系列:SGB07N120 集电极最大连续电流 Ic:16.5A 高度:4.4mm 长度:10.25mm 宽度:9.9mm 工作温度:-55°C ~ 150°C
    IGBT IKD04N60RF Infineon(英飞凌) IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):12A 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,4A 功率:75W 开关能量:110µJ 输入类型:标准 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/116ns 测试条件:400V,4A,43 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):34ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 系列:RC
    IGBT FS50R17KE3_B17 Infineon(英飞凌) 配置:IGBT-Inverter 集电极—发射极最大电压 VCEO:1.7KV 集电极—射极饱和电压:2V 在25 C的连续集电极电流:82A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:345W 包装方式:Tray 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C
    IGBT FP75R07N2E4 Infineon(英飞凌) 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.95V 在25 C的连续集电极电流:75A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:250W 包装方式:Tray 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT DDB6U205N16L Infineon(英飞凌) FET类型:RectifierDiodeModule Vf - 正向电压:1.47V Vr - 反向电压:1600V 系列:DDB6U 包装方式:Tray 配置:SeriesConnection-2Diodes 输出电流:205A 栅极触发电流-Igt:10mA 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT DDB6U215N16L Infineon(英飞凌) FET类型:RectifierDiodeModule Vr - 反向电压:1800V 输出电流:215A 栅极触发电流-Igt:10mA RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Diode Bridges Dimensions (length):94.0mm VDRM/ VRRM (V):1600.0V Housing:IsoPACK™ Dimensions (length):94.0 mm Dimensions (width):54.0 mm Voltage Class:1600.0 V I(FSM) max:1850.0A IRMSM:215.0A Dimensions (width):54.0mm I(FSM) max:1850.0 A 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT DDB6U84N16RR Infineon(英飞凌) FET类型:RectifierDiodeModule Vf - 正向电压:1.55V Vr - 反向电压:1600V 系列:DDB6U 包装方式:Tray 配置:SeriesConnection-2Diodes 输出电流:85A 栅极触发电流-Igt:5mA 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT DDB6U85N16L Infineon(英飞凌) FET类型:RectifierDiodeModule Vf - 正向电压:1.44V Vr - 反向电压:1600V 系列:DDB6U 包装方式:Tray 配置:SeriesConnection-2Diodes 输出电流:85A 栅极触发电流-Igt:5mA 工作温度:-40°C ~ 150°C
    IGBT DDB6U145N16L Infineon(英飞凌) FET类型:RectifierDiodeModule 输出电流:100A 栅极触发电流-Igt:5mA RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Diode Bridges Dimensions (length):94.0mm VDRM/ VRRM (V):1600.0V Housing:IsoPACK™ Dimensions (length):94.0 mm Dimensions (width):42.0 mm Voltage Class:1600.0 V I(FSM) max:1000.0A IRMSM:145.0 A Dimensions (width):42.0mm I(FSM) max:1000.0 A
    IGBT DDB6U134N16RR Infineon(英飞凌) 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Diode Bridges with Brake Chopper and NTC Dimensions (length):107.5mm VDRM/ VRRM (V):1600.0V Housing:EconoBRIDGE™ Dimensions (length):107.5 mm Dimensions (width):45.0 mm Voltage Class:1600.0 V I(FSM) max:550.0A IRMSM:134.0A Dimensions (width):45.0mm I(FSM) max:550.0 A
    IGBT DDB6U100N16RR Infineon(英飞凌) FET类型:DiscreteSemiconductorModule Vr - 反向电压:1600V 输出电流:60A 栅极触发电流-Igt:5mA RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Diode Bridges with Brake Chopper Dimensions (length):107.5mm VDRM/ VRRM (V):1600.0V Housing:EconoBRIDGE™ I(FSM) max:550.0A IRMSM:100.0A Dimensions (width):45.0mm
    IGBT DDB6U104N16RR Infineon(英飞凌) FET类型:DiodeModule 输出电流:50A 栅极触发电流-Igt:5mA RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Diode Bridges with Brake Chopper and NTC Dimensions (length):107.5mm VDRM/ VRRM (V):1600.0V Housing:EconoBRIDGE™ Dimensions (length):107.5 mm Dimensions (width):45.0 mm Voltage Class:1600.0 V I(FSM) max:550.0A IRMSM:104.0A Dimensions (width):45.0mm I(FSM) max:550.0 A
    IGBT DDB6U144N16R Infineon(英飞凌) FET类型:DiscreteSemiconductorModule Vr - 反向电压:1600V 栅极触发电流-Igt:5mA RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Diode Bridges Dimensions (length):107.5mm VDRM/ VRRM (V):1600.0V Housing:EconoBRIDGE™ Dimensions (length):107.5 mm Dimensions (width):45.0 mm Voltage Class:1600.0 V I(FSM) max:1000.0A IRMSM:144.0 A Dimensions (width):45.0mm I(FSM) max:1000.0 A
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