| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT | SGD02N120 | 系列:SGD02N120 标准包装数量:2500 配置:Single 集电极-发射极最大电压VCEO:1200 V 栅极发射机最大电压:± 20 V 集电极最大连续电流Ic:6.2 A 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 栅极/发射极最大电压:±20V 高度:2.3mm 长度:6.5mm 宽度:6.22mm 工作温度:-55°C ~ 150°C | |
| IGBT | RGT50TS65DGC11n | 栅极/发射极最大电压:± 30 V 栅极—射极漏泄电流:± 200 nA 系列:RGT50TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.65 V 集电极最大连续电流 Ic:48 A 功率:174W 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | RGT30NS65DGTLn: | 功率:133W 在25 C的连续集电极电流:30A 封装/外壳:TO-263-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT30NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:30A 集电极连续电流:15A | |
| IGBT | F3L100R07W2E3_B11 | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:3-level Dimensions (length):56.7mm Housing:EasyPACK 2B VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.45V IC(nom) / IF(nom):100.0A Dimensions (width):48.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V | |
| IGBT | RGTH50TS65DGC11 | 功率:174W 在25 C的连续集电极电流:50A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH50TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:50A 集电极连续电流:25A | |
| IGBT | RGT60TS65DGC11n | 功率:194W 在25 C的连续集电极电流:55A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT60TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:55A 集电极连续电流:30A | |
| IGBT | RGT16NS65DGTLn: | 功率:94W 在25 C的连续集电极电流:16A 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT16NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:16A 集电极连续电流:8A | |
| IGBT | RGTH50TS65GC11n | 功率:174W 在25 C的连续集电极电流:50A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH50TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:50A 集电极连续电流:25A | |
| IGBT | RGTH40TS65GC11n | 功率:144W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH40TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:40A 集电极连续电流:20A | |
| IGBT | FF400R12KE3n: 0 | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2KV 集电极—射极饱和电压:2.15V 在25 C的连续集电极电流:580A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:2000W 高度:30.9mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | RGT80TS65DGC11n | 功率:234W 在25 C的连续集电极电流:70A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT80TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:70A 集电极连续电流:40A | |
| IGBT | RGTH40TS65DGC11 | 功率:144W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH40TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:85A 集电极连续电流:20A | |
| IGBT | RGT8BM65DTLn: 0 | 功率:62W 在25 C的连续集电极电流:8A 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT8BM65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:8A 集电极连续电流:4A | |
| IGBT | RGTH60TS65GC11n | 功率:194W 在25 C的连续集电极电流:58A 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH60TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:58A 集电极连续电流:30A | |
| IGBT | RGT40TS65DGC11n | 功率:144W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT40TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:40A 集电极连续电流:20A | |
| IGBT | IGW60T120 | 零件号别名:IGW60T120FKSA1 IGW60T120XK SP000013906 配置:Single 集电极最大连续电流 Ic:100 A 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:100A 功率:375W 系列:TRENCHSTOPIGBT 封装/外壳:Tube 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:600nA 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | IKW20N60H3n: 0 | 系列:IKW20N60 标准包装数量:240 集电极-发射极最大电压VCEO:600 V 集电极-发射极饱和电压:1.95 V 栅极发射机最大电压:20 V 连续集电极电流在25 C:20 A 栅射极漏电电流:100 nA 功率散耗:170 W 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:170W 封装/外壳:Tube 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IHW40N120R3FKSA1 | 系列:TrenchStop® IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):80A 脉冲电流-集电极(Icm):120A 不同 Vge,Ic时的 Vce(on):1.75V @ 15V,40A 功率:429W 开关能量:2.02mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td(开/关)值:-/336ns 测试条件:600V、 40A、 7.5 欧姆、 15V 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | IGP30N60H3n: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:60A 功率:187W 系列:HighSpeed3 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极—射极漏泄电流:100nA | |
| IGBT | IKW08T120 | 系列:TrenchStop® IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):16A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.2V @ 15V,8A 功率:70W 开关能量:1.37mJ 输入类型:标准 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/450ns 测试条件:600V,8A,81 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):80ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | IGW50N60H3n: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.85V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:100A 功率:333W 系列:HighSpeed3 封装/外壳:Tube 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IKP15N60T | 系列:TrenchStop® IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.05V @ 15V,15A 功率:130W 开关能量:570µJ 输入类型:标准 25°C 时 Td(开/关)值:17ns/188ns 测试条件:400V,15A,15 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):34ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 | |
| IGBT | IKP10N60T | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:24A 功率:110W 高度:15.95mm 长度:10.36mm 宽度:4.57mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 系列:TRENCHSTOPIGBT 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IKW40N60H3n: 0 | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,40A 开关能量:1.68mJ 输入类型:标准 25°C 时 Td(开/关)值:19ns/197ns 测试条件:400V,40A,7.9 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):124ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:306W 系列:HighSpeed3 高度:20.7mm 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 栅极—射极漏泄电流:100nA | |
| IGBT | IGW20N60H3n: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:2.4V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:170W 系列:HighSpeed3 封装/外壳:Tube 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IGB10N60T | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:24A 功率:110W 系列:TRENCHSTOPIGBT 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | FS100R12KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.15V 在25 C的连续集电极电流:140A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:480W 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FS450R12KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.15V 在25 C的连续集电极电流:600A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:2100W 高度:17mm 长度:162mm 宽度:150mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FZ1600R17KE3n: | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 在25 C的连续集电极电流:2300A 高度:38mm 长度:140mm 宽度:130mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FS150R12KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:205A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:700W 高度:12mm 长度:35.6mm 宽度:25.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | RGTH00TS65DGC11 | 功率:277W 在25 C的连续集电极电流:85A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH00TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:85A 集电极连续电流:50A | |
| IGBT | IKW75N60T | 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:428W 高度:21.1mm 长度:16.03mm 宽度:5.16mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 系列:TRENCHSTOPIGBT 集电极连续电流:80A 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IKW40N120H3n: 0 | IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):80A 脉冲电流-集电极(Icm):160A 不同 Vge,Ic时的 Vce(on):2.4V @ 15V,40A 开关能量:4.4mJ 输入类型:标准 25°C时Td(开/关)值:30ns/290ns 测试条件:600V,40A,12 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):355ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.05V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:483W 系列:HighSpeed3 集电极最大连续电流 Ic:80A 栅极—射极漏泄电流:600nA | |
| IGBT | IKW20N60T | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:166W 系列:TRENCHSTOP 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | FS100R17N3E4n: | RoHS compliant:yes Configuration:Sixpack Dimensions (length):122.0mm Housing:EconoPACK™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95V IC(nom) / IF(nom):100.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V | |
| IGBT | IKW25N120H3n: 0 | 系列:TrenchStop® IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,25A 功率:326W 开关能量:2.65mJ 输入类型:标准 25°C 时 Td(开/关)值:27ns/277ns 测试条件:600V,25A,23 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):290ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | FF225R17ME4n: 0 | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:Dual Dimensions (length):152.0mm Qualification:Industrial Housing:EconoDUAL™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95V IC(nom) / IF(nom):225.0 A VF (Tvj=25°C typ):1.8 V Dimensions (length):152.0 mm Applications:Drives ; Traction ; UPS ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95 V Dimensions (width):62.0 mm Voltage Class:1700.0 V Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V | |
| IGBT | RGTH00TS65GC11n | 功率:277W 在25 C的连续集电极电流:85A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH00TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:85A 集电极连续电流:50A | |
| IGBT | RGT40NS65DGTLn: | 功率:161W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-263-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT40NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:40A 集电极连续电流:20A | |
| IGBT | FS75R12KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:105A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:350W 高度:17mm 长度:107.5mm 宽度:45mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | IKW30N60T | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:60A 功率:187W 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 系列:TRENCHSTOPIGBT 集电极最大连续电流 Ic:60A 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IHW40N60RFn: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:2.1V 栅极/发射极最大电压:20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:305W 系列:RC 集电极最大连续电流 Ic:40A 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | FP20R06W1E3n: 0 | 配置:Array7 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 在25 C的连续集电极电流:27A 高度:12mm 长度:62.8mm 宽度:33.8mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FS200R12KT4Rn: | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:Sixpack Dimensions (length):122.0mm Housing:EconoPACK™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75V IC(nom) / IF(nom):200.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.7V | |
| IGBT | IKA15N60T | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:18.3A 功率:35.7W 系列:TRENCHSTOPIGBT 封装/外壳:Tube 高度:15.95mm 长度:10.36mm 宽度:4.57mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IHW20N120R3n: 0 | 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.48V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:310W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 集电极连续电流:40A 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | FZ600R12KE3n: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:900A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:2800W 封装/外壳:AG-62MM-2 高度:36.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FD650R17IE4n: 0 | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:Chopper Dimensions (length):172.0mm Qualification:Industrial Housing:PrimePACK™ 2 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.0V IC(nom) / IF(nom):650.0A VF (Tvj=25°C typ):1.85 V Dimensions (length):172.0 mm Applications:CAV ; Drives ; Solar ; UPS ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.0 V Dimensions (width):89.0 mm Voltage Class:1700.0 V Dimensions (width):89.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.85V | |
| IGBT | IHW30N160R2n: 0 | 系列:TrenchStop® IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,30A 功率:312W 开关能量:4.37mJ 输入类型:标准 25°C 时 Td(开/关)值:-/525ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 | |
| IGBT | FZ900R12KP4n: 0 | RoHS compliant:yes Configuration:Single switch Dimensions (length):106.4mm Housing:62 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.7V IC(nom) / IF(nom):900.0A Dimensions (width):61.4mm VF (Tvj=25°C typ):1.9V | |
| IGBT | IHW30N110R3n: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1100V 集电极—射极饱和电压:1.55V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:60A 功率:333W 系列:RC 封装/外壳:Tube 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | IHW30N120R3n: 0 | 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.75V @ 15V,30A 开关能量:1.47mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td(开/关)值:-/326ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.55V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:60A 功率:349W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA | |
| IGBT | IGW25N120H3n: 0 | 栅极—射极漏泄电流:600 nA 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:2.7 V 零件号别名:IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3XK SP000674424 在25 C的连续集电极电流:50 A 栅极/发射极最大电压:± 20 V 配置:Single 功率:326W 系列:HighSpeed3 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FF450R17ME4_B11 | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:Dual Dimensions (length):152.0mm Housing:EconoDUAL™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95V IC(nom) / IF(nom):450.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V | |
| IGBT | FS450R12OE4n: 0 | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:Sixpack Dimensions (length):162.0mm Technology:IGBT4 - E4 Qualification:Industrial Housing:EconoPACK™ + D Features:PressFIT VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75V IC(nom) / IF(nom):450.0A VF (Tvj=25°C typ):1.65 V Dimensions (length):162.0 mm Applications:CAV ; Drives ; Solar ; UPS VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75 V Dimensions (width):150.0 mm Voltage Class:1200.0 V Dimensions (width):150.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.65V | |
| IGBT | FS450R17KE4n: 0 | RoHS compliant:yes Configuration:Sixpack Dimensions (length):162.0mm Qualification:Industrial Housing:EconoPACK™ + B VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95V IC(nom) / IF(nom):450.0 A VF (Tvj=25°C typ):1.8 V Dimensions (length):162.0 mm Applications:Auxiliary Inverters ; Drives ; Traction ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.95 V Dimensions (width):150.0 mm Voltage Class:1700.0 V Dimensions (width):150.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V | |
| IGBT | F5-75R06KE3_B5n | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:Fourpack Dimensions (length):122.0mm Housing:EconoPACK™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.45V IC(nom) / IF(nom):75.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V | |
| IGBT | FS450R12KE4n: 0 | RoHS compliant:yes Configuration:Sixpack Dimensions (length):162.0mm Housing:EconoPACK™ + B VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.75V IC(nom) / IF(nom):450.0A Dimensions (width):150.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.65V | |
| IGBT | IGP30N65H5n: 0 | 系列:TRENCHSTOP5H5 零件号别名:IGP30N65H5XKSA1 RoHS compliant:yes Moisture Level:NA td(off):180.0ns tf:22.0ns Technology:IGBT TRENCHSTOP™ 5 Eoff:0.1mJ tr:4.0ns Eoff (Hard Switching):0.1mJ 封装/外壳:TO-220 Budgetary Price €/1k:0.89 ICpuls max:90.0A Ptot max:188.0W IC (@ 25°) max:55.0A td(on):18.0ns Switching Frequency min max:30.0kHz 100.0kHz Switching Frequency:TRENCHSTOP™5 30-100 kHz QGate:70.0nC Voltage Class max:650.0V Eon:0.28mJ VCE max:650.0V VCE(sat):1.65V IC (@ 100°) max:35.0A | |
| IGBT | FS75R06KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.9V 在25 C的连续集电极电流:75A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:250W 高度:17mm 长度:107.5mm 宽度:45mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FS50R12KE3n: 0 | 封装/外壳:AG-ECONO2-6 栅极/发射极最大电压:± 20 V 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:1.7 V 在25 C的连续集电极电流:75 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率:270W 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FS20R06VE3n: 0 | 配置:IGBT-Inverter 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.55V 在25 C的连续集电极电流:25A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:71.5W 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | IHW25N120R2n: 0 | 封装/外壳:PG-TO247-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.6V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:50A 功率:365W 高度:20.95mm 长度:15.9mm 宽度:5.3mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 系列:600VTRENCHSTOP 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | FF300R12ME3n: 0 | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:500A 高度:17mm 长度:152mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | RGT8NS65DGTLn: | 功率:65W 在25 C的连续集电极电流:8A 封装/外壳:TO-263-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT8NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:8A 集电极连续电流:4A | |
| IGBT | FZ1800R17HP4_B9 | RoHS compliant:yes Moisture Level:1 Ohms Configuration:Single switch Dimensions (length):190.0mm Housing:IHM B 190 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.9V IC(nom) / IF(nom):1800.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V | |
| IGBT | RGTH60TS65DGC11 | 功率:194W 在25 C的连续集电极电流:58A 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH60TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:58A 集电极连续电流:30A | |
| IGBT | FP25R12KS4Cn: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:3.2V 在25 C的连续集电极电流:25A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:230W 高度:17mm 长度:107.5mm 宽度:45mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FZ1200R12HP4n: | RoHS compliant:yes Moisture Level:1 Ohms Configuration:Single switch Dimensions (length):130.0mm Housing:IHM B 130 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.7V IC(nom) / IF(nom):1200.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.8V | |
| IGBT | DDB6U75N16W1R_B11 | RoHS compliant:yes Configuration:Diode Bridges with Brake Chopper and NTC Dimensions (length):62.8mm VDRM/ VRRM (V):1600.0V Housing:EasyBRIDGE 1 Dimensions (length):62.8 mm Dimensions (width):33.8 mm Voltage Class:1600.0 V I(FSM) max:605.0A IRMSM:75.0A Dimensions (width):33.8mm I(FSM) max:605.0 A | |
| IGBT | FF200R17KE4n: 0 | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700V 集电极—射极饱和电压:2.45V 在25 C的连续集电极电流:310A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:1250W 封装/外壳:AG-62MM-1 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FZ600R12KS4n: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:3.2V 在25 C的连续集电极电流:700A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:3900W 封装/外壳:AG-62MM-2 高度:36.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FD800R17HP4-K_B2 | RoHS compliant:yes Moisture Level:1 Ohms Configuration:Chopper Dimensions (length):130.0mm Housing:IHM B VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.9V IC(nom) / IF(nom):800.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.65V | |
| IGBT | FP25R12KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:40A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:150W 高度:17mm 长度:107.5mm 宽度:45mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FS400R12A2T4n: | 配置:3-Phase 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.8V 在25 C的连续集电极电流:400A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:1500W 系列:FS400R12A2 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FS150R12KE3Gn: | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:200A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:695W 高度:17mm 长度:162mm 宽度:150mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FP75R12KT4n: 0 | 配置:3-Phase 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.25V 在25 C的连续集电极电流:150A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:385W 封装/外壳:AG-ECONO3-3 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FZ400R12KE3n: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:650A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:2250W 封装/外壳:AG-62MM-2 高度:36.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FF900R12IE4n: 0 | 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.05V 在25 C的连续集电极电流:900A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:5100W 封装/外壳:AG-PRIME2-1 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FP40R12KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.3V 在25 C的连续集电极电流:55A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:200W 高度:17mm 长度:107.5mm 宽度:45mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | SGB02N120 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 栅极/发射极最大电压:±20V 系列:SGB02N120 集电极最大连续电流 Ic:6.2A 高度:4.4mm 长度:10mm 宽度:9.25mm 工作温度:-55°C ~ 150°C | |
| IGBT | FS100R12KT3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:140A 封装/外壳:AG-ECONO3-4 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FP20R06W1E3_B11 | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:PIM Dimensions (length):48.0mm Qualification:Industrial Housing:EasyPIM™ 1B Features:PressFIT VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55V IC(nom) / IF(nom):20.0A VF (Tvj=25°C typ):1.6 V Dimensions (length):48.0 mm Applications:Aircon ; Drives VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55 V Dimensions (width):33.8 mm Voltage Class:600.0 V Dimensions (width):33.8mm VF (Tvj=25°C typ):1.6V | |
| IGBT | FP15R12W1T4_B3n | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:PIM Dimensions (length):48.0mm Technology:IGBT4 - T4 Qualification:Industrial Housing:EasyPIM™ 1B VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.85V IC(nom) / IF(nom):15.0 A VF (Tvj=25°C typ):2.0 V Dimensions (length):48.0 mm Applications:Aircon ; Auxiliary Inverters ; Battery Management ; Drives ; Medical ; Solar ; UPS VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.85 V Dimensions (width):33.8 mm Voltage Class:1200.0 V Dimensions (width):33.8mm VF (Tvj=25°C typ):2.0V | |
| IGBT | FP15R12W1T4n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:28A 高度:12mm 长度:62.8mm 宽度:33.8mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FP75R12KE3n: 0 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.15V 在25 C的连续集电极电流:105A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:350W 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FP100R12KT4_B11 | 配置:Array7 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:100A 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FS20R06W1E3_B11 | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Configuration:Sixpack Dimensions (length):48.0mm Qualification:Industrial Housing:EasyPACK™ 1B Features:PressFIT VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55V IC(nom) / IF(nom):20.0 A VF (Tvj=25°C typ):1.6 V Dimensions (length):48.0 mm Applications:Drives ; Home Appliances ; Solar ; UPS VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55 V Dimensions (width):33.8 mm Voltage Class:600.0 V Dimensions (width):33.8mm VF (Tvj=25°C typ):1.6V | |
| IGBT | IGW15T120 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:30A 功率:110W 系列:TRENCHSTOPIGBT 封装/外壳:Tube 高度:21.1mm 长度:16.03mm 宽度:5.16mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FF200R12KS4n: 0 | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:3.2V 在25 C的连续集电极电流:275A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:1400W 封装/外壳:AG-62MM-1 高度:30.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FZ1800R17HP4_B29 | RoHS compliant:yes Moisture Level:1 Ohms Configuration:Single switch Dimensions (length):190.0mm Housing:IHM B VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.9V IC(nom) / IF(nom):1800.0A Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.65V | |
| IGBT | FZ1000R33HL3n: | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:3300V 在25 C的连续集电极电流:1000A 高度:38mm 长度:140mm 宽度:130mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-50°C ~ 150°C | |
| IGBT | FZ1000R33HE3n: | RoHS compliant:yes Configuration:Single switch Dimensions (length):130.0mm Qualification:Traction Housing:IHV B 130 mm VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.55V IC(nom) / IF(nom):1000.0 A VF (Tvj=25°C typ):3.1 V Dimensions (length):130.0 mm Applications:CAV ; Drives ; Traction ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):2.55 V Dimensions (width):140.0 mm Voltage Class:3300.0 V Dimensions (width):140.0mm VF (Tvj=25°C typ):3.1V | |
| IGBT | FF600R06ME3n: 0 | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.9V 在25 C的连续集电极电流:700A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:1650W 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FF800R12KE3n: 0 | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:1200A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:3900W 高度:38mm 长度:140mm 宽度:130mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | FF300R12KT3n: 0 | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:480A 封装/外壳:AG-62MM-1 高度:30.9mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C | |
| IGBT | IKP20N60H3n: 0 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:170W 系列:HighSpeed3 封装/外壳:Tube 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C | |
| IGBT | SKB02N120 | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 栅极/发射极最大电压:±20V 系列:SKB02N120 集电极最大连续电流 Ic:6.2A 高度:4.4mm 长度:10.25mm 宽度:9.9mm 工作温度:-55°C ~ 150°C | |
| IGBT | FS100R12KT4Gn: | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.2V 在25 C的连续集电极电流:100A 栅极—射极漏泄电流:100nA 功率:515W 封装/外壳:AG-ECONO3-4 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C | |
| IGBT | FS100R12KT4G_B11 | 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 在25 C的连续集电极电流:100A 高度:17mm 长度:122mm 宽度:62mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |