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    IGBT RGW80TS65GC11 ROHM(罗姆) 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:78 A 功率:214W 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C
    IGBT RGTV60TS65GC11 ROHM(罗姆) 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:60 A 功率:194W 工作温度:-40°C ~ 175°C
    IGBT RGTV60TS65DGC11 ROHM(罗姆) 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:60 A 功率:194W 工作温度:-40°C ~ 175°C
    IGBT RGTV00TS65GC11 ROHM(罗姆) 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:95 A 功率:276W 工作温度:-40°C ~ 175°C
    IGBT RGTV00TS65DGC11 ROHM(罗姆) 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:95 A 功率:276W 工作温度:-40°C ~ 175°C

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