IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT | IGB20N60H3 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:40A 功率:170W 系列:HighSpeed3 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IKD06N60RFA | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:2.2V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:12A 功率:100W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | FP100R07N3E4 | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:PIM Three Phase Input Rectifier Dimensions (length):122.0mm Housing:EconoPIM™ 3 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.55V IC(nom) / IF(nom):100.0A Dimensions (width):62.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V |
| IGBT | IHW40N120R3 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.55V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:429W 系列:RC 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | FF450R12KT4HOSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:C IGBT类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:580A 功率:2400W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.15V @ 15V,450A 电流-集电极截止（最大值）:5mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）:28nF @ 25V 输入:标准 NTC热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:AG-62MM-1 封装/外壳:模块 |
| IGBT | IKW40N65H5FKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:TrenchStop® 电压-集射极击穿（最大值）:650V 电流-集电极（Ic）（最大值）:74A 脉冲电流-集电极(Icm):120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,40A 功率:255W 开关能量:390µJ(开),120µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:22ns/165ns 测试条件:400V,20A,15 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:62ns 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | DF600R12IP4D | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Chopper Dimensions (length):172.0mm Technology:IGBT4 - P4 Qualification:Industrial Housing:PrimePACK™ 2 VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.7V IC(nom) / IF(nom):600.0A VF (Tvj=25°C typ):1.65 V Dimensions (length):172.0 mm Applications:CAV ; Drives ; Solar ; UPS ; Wind VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.7 V Dimensions (width):89.0 mm Voltage Class:1200.0 V Dimensions (width):89.0mm VF (Tvj=25°C typ):1.65V |
| IGBT | IRAM136-3063B | Infineon(英飞凌) | 系列:iMOTION™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:30A 电压:600V 电压-隔离:2000Vrms 封装/外壳:22-PowerSIP 模块 |
| IGBT | IRAMS10UP60B-4 | Infineon(英飞凌) | 系列:iMOTION™ FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:600V 电压-隔离:2000Vrms 封装/外壳:23-PowerSIP 模块 |
| IGBT | DDB6U180N16RR_B11 | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Diode Bridges with Brake Chopper Dimensions (length):107.5mm VDRM/ VRRM (V):1600.0V Housing:EconoBRIDGE™ I(FSM) max:1600.0A IRMSM:180.0A Dimensions (width):45.0mm I(FSM):1600.0A |
| IGBT | IRG4RC10SDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,8A 开关能量:310µJ(开),3.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:76ns/815ns 测试条件:480V,8A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流-集电极(Icm):18A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.8V @ 15V,8A 功率:38W 25°C时Td（开/关）值:76ns/815ns 封装/外壳:D-Pak |
| IGBT | IRGB4061DPBF | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:36A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):72A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 开关能量:95µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/105ns 测试条件:400V,18A,22 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:100ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:36A 脉冲电流-集电极(Icm):72A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,18A 功率:206W 25°C时Td（开/关）值:40ns/105ns 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT | IRG4IBC30SPBF | Infineon(英飞凌) | 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:23.5A 脉冲电流-集电极(Icm):47A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.6V @ 15V,18A 功率:45W 开关能量:260µJ(开),3.45mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:22ns/540ns 测试条件:480V,18A,23 欧姆,15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:FULLPAK220 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT | IRGP4068DPBF | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):144A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.14V @ 15V,48A 开关能量:1.28mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:-/145ns 测试条件:400V,48A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) IGBT类型:沟道 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流-集电极(Icm):144A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.14V @ 15V,48A 功率:330W 25°C时Td（开/关）值:-/145ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRGP30B60KD-EP | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,30A 开关能量:350µJ(开),825µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:46ns/185ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:125ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.35V @ 15V,30A 功率:304W 25°C时Td（开/关）值:46ns/185ns 封装/外壳:TO-247AD |
| IGBT | FNA22512A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:25A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:34-PowerDIP 模块(1.480",37.60mm) |
| IGBT | FPAB30BH60B | Fairchild(仙童) | 系列:PFC SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:单相 电流:30A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSBB10CH120DF | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 3 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:10A 电压:1200V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm) |
| IGBT | FSAM30SH60A | Fairchild(仙童) | 系列:Motion SPM® 2 FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:30A 电压:600V 电压-隔离:2500Vrms 封装/外壳:32-PowerDIP 模块(1.370",34.80mm) |
| IGBT | IKW60N60H3 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.85V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:416W 系列:HighSpeed3 高度:20.7mm 长度:15.87mm 宽度:5.31mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IKA10N60T | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.5V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:11.7A 功率:30W 系列:TRENCHSTOPIGBT 封装/外壳:Tube 高度:9.25mm 长度:10mm 宽度:4.4mm 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | FF450R12KT4 | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.1V 在25 C的连续集电极电流:580A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:2400W 封装/外壳:AG-62MM-1 高度:30.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | IGP40N65F5 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.9V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:74A 功率:250W 系列:TRENCHSTOP5F5 封装/外壳:Tube 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IKD10N60RATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:TrenchStop™ IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流-集电极(Icm):30A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,10A 功率:150W 开关能量:210µJ(开),380µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:14ns/192ns 测试条件:400V,10A,23 欧姆,15V 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| IGBT | IHW30N160R2FKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:TrenchStop® IGBT类型:NPT,沟槽型场截止 电压-集射极击穿（最大值）:1600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流-集电极(Icm):90A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,30A 功率:312W 开关能量:4.37mJ 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:-/525ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | IRG4BC30UDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):92A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 开关能量:380µJ(开),160µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/91ns 测试条件:480V,12A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流-集电极(Icm):92A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,12A 功率:100W 25°C时Td（开/关）值:40ns/91ns 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT | IRG4PH40UPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:41A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):82A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.1V @ 15V,21A 开关能量:1.04mJ(开),3.4mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/220ns 测试条件:960V,21A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:41A 脉冲电流-集电极(Icm):82A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.1V @ 15V,21A 功率:160W 25°C时Td（开/关）值:24ns/220ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRG4PH50UDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):180A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:3.7V @ 15V,24A 开关能量:2.1mJ(开),1.5mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:47ns/110ns 测试条件:800V,24A,5 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:90ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）:45A 脉冲电流-集电极(Icm):180A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:3.7V @ 15V,24A 功率:200W 25°C时Td（开/关）值:47ns/110ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRGP50B60PDPBF | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,50A 开关能量:360µJ(开),380µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/130ns 测试条件:390V,33A,3.3 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:50ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:75A 脉冲电流-集电极(Icm):150A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,50A 功率:370W 25°C时Td（开/关）值:34ns/130ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRG4PC40UDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,20A 开关能量:710µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:54ns/110ns 测试条件:480V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):160A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,20A 功率:160W 25°C时Td（开/关）值:54ns/110ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRG4PC40UD-EPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,20A 开关能量:710µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:54ns/110ns 测试条件:480V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):160A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,20A 功率:160W 25°C时Td（开/关）值:54ns/110ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRG4BC40UPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,20A 开关能量:320µJ(开),350µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/110ns 测试条件:480V,20A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):160A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,20A 功率:160W 25°C时Td（开/关）值:34ns/110ns 封装/外壳:TO-220AB |
| IGBT | IRG4PC50FPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):280A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.6V @ 15V,39A 开关能量:370µJ(开),2.1mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/240ns 测试条件:480V,39A,5 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:70A 脉冲电流-集电极(Icm):280A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.6V @ 15V,39A 功率:200W 25°C时Td（开/关）值:31ns/240ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRGP20B60PDPBF | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,20A 开关能量:95µJ(开),100µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/115ns 测试条件:390V,13A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:42ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) IGBT类型:NPT 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流-集电极(Icm):80A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.8V @ 15V,20A 功率:220W 25°C时Td（开/关）值:20ns/115ns 封装/外壳:TO-247AC |
| IGBT | IRG4RC10UDPBF | Infineon(英飞凌) | 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:8.5A 脉冲电流-集电极(Icm):34A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:2.6V @ 15V,5A 功率:38W 开关能量:140µJ(开),120µJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:40ns/87ns 测试条件:480V,5A,100 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:28ns 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DPAKCOPAK 封装/外壳:D-Pak |
| IGBT | IRGPS66160DPBF | Infineon(英飞凌) | 电压-集射极击穿（最大值）:600V 电流-集电极（Ic）（最大值）:240A 脉冲电流-集电极(Icm):360A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.95V @ 15V,120A 功率:750W 开关能量:4.47mJ(开),3.43mJ(关) 输入类型:标准 25°C时Td（开/关）值:80ns/190ns 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:95ns 工作温度:-40°C~175°C(TJ) 封装/外壳:SUPER247COPAK 封装/外壳:SUPER-247(TO-274AA) |
| IGBT | IRGS14C40LPBF | Infineon(英飞凌) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 输入类型:逻辑 25°C 时 Td（开/关）值:900ns/6µs 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 电压-集射极击穿（最大值）:430V 电流-集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）:1.75V @ 5V,14A 功率:125W 25°C时Td（开/关）值:900ns/6µs 封装/外壳:D2PAK |
| IGBT | BSM150GB60DLC | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.95V 在25 C的连续集电极电流:180A 栅极—射极漏泄电流:400nA 功率:730W 封装/外壳:AG-34MM-1 高度:30.5mm 长度:94mm 宽度:34mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | BSM300GA120DN2 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:2.5V 在25 C的连续集电极电流:430A 栅极—射极漏泄电流:320nA 功率:2500W 封装/外壳:62mm 高度:36.5mm 长度:106.4mm 宽度:61.4mm 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| IGBT | IGP20N65H5 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:42A 功率:125W 系列:TRENCHSTOP5H5 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极—射极漏泄电流:100nA |
| IGBT | IKW30N65H5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟道 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:55A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,30A 功率:188W 开关能量:280µJ(开),100µJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/190ns 测试条件:400V,15A,23 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:70ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| IGBT | IGW75N60H3 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.85V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:140A 功率:428W 系列:HighSpeed3 栅极—射极漏泄电流:100nA 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | IKQ120N60TXKSA1 | Infineon(英飞凌) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:160A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):480A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2V @ 15V,120A 功率:833W 开关能量:6.2mJ(开),5.9mJ(关) 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/565ns 测试条件:400V,120A,3 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:241ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3-46 |
| IGBT | FF300R12KT3P_E | Infineon(英飞凌) | 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200V 集电极—射极饱和电压:1.7V 在25 C的连续集电极电流:300A 栅极—射极漏泄电流:400nA 包装方式:Tray 栅极/发射极最大电压:±20V 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| IGBT | RGT60TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:194W 在25 C的连续集电极电流:55A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT60TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:55A 集电极连续电流:30A |
| IGBT | RGT50NS65DGC9 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGT16NL65DGTL | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGT16BM65DTL | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGCL80TK60DGC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGW00TS65GC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:96 A 功率:254W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGW00TK65DGVC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-3PFM 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:45 A 功率:89W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGTV00TS65GC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:95 A 功率:276W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGT8NS65DGC9 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGT8BM65DTL | ROHM(罗姆) | 功率:62W 在25 C的连续集电极电流:8A 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT8BM65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:8A 集电极连续电流:4A |
| IGBT | RGT30NS65DGTL | ROHM(罗姆) | 功率:133W 在25 C的连续集电极电流:30A 封装/外壳:TO-263-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT30NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:30A 集电极连续电流:15A |
| IGBT | RGT16NS65DGC9 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGW80TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:78 A 功率:214W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGTV60TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:60 A 功率:194W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGTH60TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:194W 在25 C的连续集电极电流:58A 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH60TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:58A 集电极连续电流:30A |
| IGBT | RGTV60TK65GVC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-3PFM 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:33 A 功率:76W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGTH80TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:234W 在25 C的连续集电极电流:70A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH80TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:70A 集电极连续电流:40A |
| IGBT | RGTH60TS65GC11 | ROHM(罗姆) | 功率:194W 在25 C的连续集电极电流:58A 封装/外壳:Tube 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH60TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:58A 集电极连续电流:30A |
| IGBT | RGTH60TK65DGC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGT50TM65DGC9 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGT50NS65DGTL | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGPR20NS43HRTL | ROHM(罗姆) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.0V @ 5V,10A 功率:107W 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:LPDS |
| IGBT | RGTV60TS65GC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:60 A 功率:194W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGTH50TS65GC11 | ROHM(罗姆) | 功率:174W 在25 C的连续集电极电流:50A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH50TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:50A 集电极连续电流:25A |
| IGBT | RGT8NL65DGTL | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGT80TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:234W 在25 C的连续集电极电流:70A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT80TS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:70A 集电极连续电流:40A |
| IGBT | RGT00TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:85A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.1V @ 15V,50A 功率:277W 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/137ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间（trr）:54ns 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247N |
| IGBT | FF300R06KE3_B2 | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:Dual Dimensions (length):106.4mm Qualification:Industrial Housing:62 mm Features:M5 power terminals VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.45V IC(nom) / IF(nom):300.0A VF (Tvj=25°C typ):1.55 V Dimensions (length):106.4 mm Applications:Drives ; Solar ; UPS VCE(sat) (Tvj=25°C typ):1.45 V Dimensions (width):61.4 mm Voltage Class:600.0 V Dimensions (width):61.4mm VF (Tvj=25°C typ):1.55V |
| IGBT | RGW60TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:60 A 功率:178W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGTH60TK65GC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGTH00TS65GC11 | ROHM(罗姆) | 功率:277W 在25 C的连续集电极电流:85A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH00TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:85A 集电极连续电流:50A |
| IGBT | RGS80TS65DHRC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGTH50TK65DGC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGTH00TK65DGC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGCL80TS60DGC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGTH80TK65GC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGCL60TS60DGC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGTVX6TS65GC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:144 A 功率:404W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGTV60TK65DGVC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-3PFM 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:33 A 功率:76W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGTH00TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:277W 在25 C的连续集电极电流:85A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH00TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:85A 集电极连续电流:50A |
| IGBT | RGTH00TK65GC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGT40NS65DGC9 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGT40NL65DGTL | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGPR30NS40HRTL | ROHM(罗姆) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.0V @ 5V,10A 功率:125W 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:LPDS |
| IGBT | RGPR10BM40FHTL | ROHM(罗姆) | 电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:2.0V @ 5V,10A 功率:107W 输入类型:标准 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V,8A,100 欧姆,5V 工作温度:-40°C ~ 75°C(TJ) 封装/外壳:TO-252 |
| IGBT | RGCL60TS60GC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGW00TK65GVC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-3PFM 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:45 A 功率:89W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGTV00TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-247N-3 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.5 V 栅极/发射极最大电压:30 V 在25 C的连续集电极电流:95 A 功率:276W 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGTH50TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:174W 在25 C的连续集电极电流:50A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH50TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:50A 集电极连续电流:25A |
| IGBT | RGT8NS65DGTL | ROHM(罗姆) | 功率:65W 在25 C的连续集电极电流:8A 封装/外壳:TO-263-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT8NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:8A 集电极连续电流:4A |
| IGBT | RGT40NS65DGTL | ROHM(罗姆) | 功率:161W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-263-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGT40NS65D 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.65V 集电极最大连续电流 Ic:40A 集电极连续电流:20A |
| IGBT | IFCM30U65GDXKMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:IGBT 配置:3 相 电流:30A 电压:650V 电压 - 隔离:2000Vrms 封装/外壳:24-PowerDIP 模块 |
| IGBT | IGW60N60H3 | Infineon(英飞凌) | 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600V 集电极—射极饱和电压:1.85V 栅极/发射极最大电压:±20V 在25 C的连续集电极电流:80A 功率:416W 系列:HighSpeed3 封装/外壳:Tube 栅极—射极漏泄电流:100nA 工作温度:-40°C ~ 175°C |
| IGBT | RGTH40TS65DGC11 | ROHM(罗姆) | 功率:144W 在25 C的连续集电极电流:40A 封装/外壳:TO-247-3 工作温度:-40°C ~ 175°C 栅极/发射极最大电压:±30V 栅极—射极漏泄电流:±200nA 系列:RGTH40TS65 集电极—发射极最大电压 VCEO:650V 集电极—射极饱和电压:1.6V 集电极最大连续电流 Ic:85A 集电极连续电流:20A |
| IGBT | RGTH40TK65GC11 | ROHM(罗姆) | |
| IGBT | RGT8TM65DGC9 | ROHM(罗姆) |