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    TRIAC(双向可控硅) BTB16-800CWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTB04-600SL ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):35A,38A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA41-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):40A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):400A,420A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流-保持(Ih)(最大值):80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3
    TRIAC(双向可控硅) BTA316Y-800CTQ WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:ITO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:35mA
    TRIAC(双向可控硅) BTA316Y-800BTQ WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:ITO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:50mA
    TRIAC(双向可控硅) BTA308Y-800C0TQ WeEn(瑞能)
    TRIAC(双向可控硅) BTA26-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):25A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):250A,260A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流-保持(Ih)(最大值):80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-800BWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600SWRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600CWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600BWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA12-600CRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘
    TRIAC(双向可控硅) BTA12-600BWRG ST(意法半导体) 系列:BTA 电流额定值:12:00 AM 栅极触发电流-Igt:50 mA 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA12-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA08-600CRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA06-600TWRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):5mA 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA06-600SWRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA06-600CRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 不重复通态电流:63 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压:1.55 V 保持电流(Ih 最大值):25 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V

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