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    TRIAC(双向可控硅) T810-600B-TR ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak
    TRIAC(双向可控硅) T435-600B-TR ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):30A,31A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak
    TRIAC(双向可控硅) T2035H-6I ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):20A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):200A,210A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包
    TRIAC(双向可控硅) T1635H-6I ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) T405-600B-TR ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):30A,31A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):5mA 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak
    TRIAC(双向可控硅) Z0409MF 1AA2 ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):20A,21A 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-202
    TRIAC(双向可控硅) ACS108-8SA-TR ST(意法半导体) 系列:ACS™/A.S.D® 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):450mA 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):13A,13.7A 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-30°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92
    TRIAC(双向可控硅) BTA12-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA08-600CRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB

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