产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
TRIAC(双向可控硅) |
ACST210-8FP |
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配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):2A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.1V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):8A,8.4A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):10mA 封装/外壳:TO-220FPAB |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0103MN0,135 |
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三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:600V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):1A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):12.5A,13.8A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流 - 保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
TRIAC(双向可控硅) |
QK025L6TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6012RH1LEDTP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6015N5RP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6012NH1LEDTP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q8025LH5TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q8016LH6TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6016NH2TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6016NH2RP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6016LH3TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6012NH1LEDRP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6008RH1LEDTP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6008NH4RP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6008NH1LEDTP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6008NH1LEDRP |
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TRIAC(双向可控硅) |
L6004R8TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
HQ6025LH5TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
L0107MTRP |
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TRIAC(双向可控硅) |
L6X8E8RP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Z0409MF 1AA2 |
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三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):20A,21A 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-202 |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0109MN 5AA4 |
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三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0103MNT1G |
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TRIAC(双向可控硅) |
Z0103MN 5AA4 |
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三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流-保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223 不重复通态电流:8.5 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压:1.56 V 保持电流(Ih 最大值):7 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):5 mA |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0103MA 1AA2 |
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三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流-保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
TRIAC(双向可控硅) |
T2035H-6I |
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系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):20A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):200A,210A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
TRIAC(双向可控硅) |
BT137X-800E,127 |
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三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):8A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.5V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):65A,71A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流 - 保持(Ih)(最大值):20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA416Y-800B,127 |
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三端双向可控硅类型:标准 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):16A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.5V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):160A,176A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流 - 保持(Ih)(最大值):60mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
QK040K7TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q8025K6TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6015L5TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6010L5TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q6006LH4TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q4040K7TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q4025K6TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
MAC9NG |
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TRIAC(双向可控硅) |
MAC8SMG |
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TRIAC(双向可控硅) |
MAC8MG |
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TRIAC(双向可控硅) |
MAC4DCN-1G |
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TRIAC(双向可控硅) |
MAC16NG |
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TRIAC(双向可控硅) |
MAC16MG |
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TRIAC(双向可控硅) |
MAC15MG |
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TRIAC(双向可控硅) |
MAC12SNG |
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TRIAC(双向可控硅) |
MAC12NG |
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TRIAC(双向可控硅) |
L401E5 |
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TRIAC(双向可控硅) |
Q8010RH5TP |
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TRIAC(双向可控硅) |
MAC12MG |
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TRIAC(双向可控硅) |
BTB16-800CWRG |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTB04-600SL |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):35A,38A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA41-600BRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):40A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):400A,420A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流-保持(Ih)(最大值):80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA316Y-800CTQ |
WeEn(瑞能) |
关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:ITO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:35mA |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA316Y-800BTQ |
WeEn(瑞能) |
关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:ITO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:50mA |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA308Y-800C0TQ |
WeEn(瑞能) |
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TRIAC(双向可控硅) |
BTA26-600BRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):25A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):250A,260A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流-保持(Ih)(最大值):80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA16-800BWRG |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA16-600SWRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA16-600CWRG |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA16-600BWRG |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA16-600BRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA12-600CRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘 |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA12-600BWRG |
ST(意法半导体) |
系列:BTA 电流额定值:12:00 AM 栅极触发电流-Igt:50 mA 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA12-600BRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA08-600CRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA06-600TWRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):5mA 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA06-600SWRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA06-600CRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 不重复通态电流:63 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压:1.55 V 保持电流(Ih 最大值):25 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V |
TRIAC(双向可控硅) |
T2035H-6I |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):20A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):200A,210A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA16-600BRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
Z00607MA 1BA2 |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):800mA 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):9A,9.5A 电流-保持(Ih)(最大值):5mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 110°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0107MUF |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:600V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):1A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):5mA 电流 - 保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SMBflat-3L |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA08-600CRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0103MA 5AL2 |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流-保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0103MN 5AA4 |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流-保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223 不重复通态电流:8.5 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压:1.56 V 保持电流(Ih 最大值):7 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):5 mA |
TRIAC(双向可控硅) |
T1635T-6I |
ST(意法半导体) |
配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压 - 断态:600V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):16A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):35mA 电流 - 保持(Ih)(最大值):40mA 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
T435-600B-TR |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):30A,31A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA26-600BRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):25A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):250A,260A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流-保持(Ih)(最大值):80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA41-600BRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):40A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):400A,420A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流-保持(Ih)(最大值):80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
TRIAC(双向可控硅) |
T1635T-8I |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):35mA 电流-保持(Ih)(最大值):45mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘 |
TRIAC(双向可控硅) |
BTB16-800CWRG |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA16-800BWRG |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0109MN 5AA4 |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
TRIAC(双向可控硅) |
ACST410-8BTR |
ST(意法半导体) |
系列:ACS™/A.S.D® 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:800V Current-OnState(It(RMS))(Max):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):30A,32A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):20mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:D-Pak |
TRIAC(双向可控硅) |
T2035H-6I |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):20A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):200A,210A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
TRIAC(双向可控硅) |
T835H-6I |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
ACS108-8SN-TR |
ST(意法半导体) |
配置:单一 工作温度:-30°C ~ 125°C(TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):800mA 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):13A,13.7A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):10mA 封装/外壳:SOT-223 |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0109NN 5AA4 |
ST(意法半导体) |
电流 - 保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):1A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 封装/外壳:SOT-223 |
TRIAC(双向可控硅) |
ACST210-8FP |
ST(意法半导体) |
配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):2A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.1V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):8A,8.4A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):10mA 封装/外壳:TO-220FPAB |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0409MF 1AA2 |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):20A,21A 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-202 |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA12-600CRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘 |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0107NN 5AA4 |
ST(意法半导体) |
电流 - 保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):1A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):5mA 封装/外壳:SOT-223 |
TRIAC(双向可控硅) |
T405-600B-TR |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):30A,31A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):5mA 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
TRIAC(双向可控硅) |
Z0103MA 1AA2 |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流-保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
TRIAC(双向可控硅) |
T810-600B-TR |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA06-600CRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 不重复通态电流:63 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压:1.55 V 保持电流(Ih 最大值):25 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA06-600TWRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):5mA 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTB04-600SL |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):35A,38A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA06-600SWRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA16-600BWRG |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA16-600SWRG |
ST(意法半导体) |
三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
TRIAC(双向可控硅) |
BTA16-600CWRG |
ST(意法半导体) |
系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |