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    TRIAC(双向可控硅) ACST210-8FP 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):2A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.1V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):8A,8.4A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):10mA 封装/外壳:TO-220FPAB
    TRIAC(双向可控硅) Z0103MN0,135 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:600V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):1A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):12.5A,13.8A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流 - 保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223
    TRIAC(双向可控硅) QK025L6TP
    TRIAC(双向可控硅) Q6012RH1LEDTP
    TRIAC(双向可控硅) Q6015N5RP
    TRIAC(双向可控硅) Q6012NH1LEDTP
    TRIAC(双向可控硅) Q8025LH5TP
    TRIAC(双向可控硅) Q8016LH6TP
    TRIAC(双向可控硅) Q6016NH2TP
    TRIAC(双向可控硅) Q6016NH2RP
    TRIAC(双向可控硅) Q6016LH3TP
    TRIAC(双向可控硅) Q6012NH1LEDRP
    TRIAC(双向可控硅) Q6008RH1LEDTP
    TRIAC(双向可控硅) Q6008NH4RP
    TRIAC(双向可控硅) Q6008NH1LEDTP
    TRIAC(双向可控硅) Q6008NH1LEDRP
    TRIAC(双向可控硅) L6004R8TP
    TRIAC(双向可控硅) HQ6025LH5TP
    TRIAC(双向可控硅) L0107MTRP
    TRIAC(双向可控硅) L6X8E8RP
    TRIAC(双向可控硅) Z0409MF 1AA2 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):20A,21A 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-202
    TRIAC(双向可控硅) Z0109MN 5AA4 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223
    TRIAC(双向可控硅) Z0103MNT1G
    TRIAC(双向可控硅) Z0103MN 5AA4 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流-保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223 不重复通态电流:8.5 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压:1.56 V 保持电流(Ih 最大值):7 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):5 mA
    TRIAC(双向可控硅) Z0103MA 1AA2 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流-保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92-3
    TRIAC(双向可控硅) T2035H-6I 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):20A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):200A,210A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包
    TRIAC(双向可控硅) BT137X-800E,127 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):8A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.5V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):65A,71A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流 - 保持(Ih)(最大值):20mA 配置:单一 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:TO-220F
    TRIAC(双向可控硅) BTA416Y-800B,127 三端双向可控硅类型:标准 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):16A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.5V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):160A,176A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流 - 保持(Ih)(最大值):60mA 配置:单一 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) QK040K7TP
    TRIAC(双向可控硅) Q8025K6TP
    TRIAC(双向可控硅) Q6015L5TP
    TRIAC(双向可控硅) Q6010L5TP
    TRIAC(双向可控硅) Q6006LH4TP
    TRIAC(双向可控硅) Q4040K7TP
    TRIAC(双向可控硅) Q4025K6TP
    TRIAC(双向可控硅) MAC9NG
    TRIAC(双向可控硅) MAC8SMG
    TRIAC(双向可控硅) MAC8MG
    TRIAC(双向可控硅) MAC4DCN-1G
    TRIAC(双向可控硅) MAC16NG
    TRIAC(双向可控硅) MAC16MG
    TRIAC(双向可控硅) MAC15MG
    TRIAC(双向可控硅) MAC12SNG
    TRIAC(双向可控硅) MAC12NG
    TRIAC(双向可控硅) L401E5
    TRIAC(双向可控硅) Q8010RH5TP
    TRIAC(双向可控硅) MAC12MG
    TRIAC(双向可控硅) BTB16-800CWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTB04-600SL ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):35A,38A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA41-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):40A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):400A,420A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流-保持(Ih)(最大值):80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3
    TRIAC(双向可控硅) BTA316Y-800CTQ WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:ITO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:35mA
    TRIAC(双向可控硅) BTA316Y-800BTQ WeEn(瑞能) 关闭状态最大电压:800V 包装类型:管 半导体元件类型:三端双向可控硅开关 半导体设备特性:high temperature 半导体设备特性:sensitive gate 安装:THT 封装/外壳:ITO220AB 最大加载电流:16A 栅极电流:50mA
    TRIAC(双向可控硅) BTA308Y-800C0TQ WeEn(瑞能)
    TRIAC(双向可控硅) BTA26-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):25A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):250A,260A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流-保持(Ih)(最大值):80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-800BWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600SWRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600CWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600BWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA12-600CRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘
    TRIAC(双向可控硅) BTA12-600BWRG ST(意法半导体) 系列:BTA 电流额定值:12:00 AM 栅极触发电流-Igt:50 mA 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA12-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA08-600CRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA06-600TWRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):5mA 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA06-600SWRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA06-600CRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 不重复通态电流:63 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压:1.55 V 保持电流(Ih 最大值):25 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V
    TRIAC(双向可控硅) T2035H-6I ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):20A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):200A,210A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) Z00607MA 1BA2 ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):800mA 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):9A,9.5A 电流-保持(Ih)(最大值):5mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 110°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3
    TRIAC(双向可控硅) Z0107MUF ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:600V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):1A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):5mA 电流 - 保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SMBflat-3L
    TRIAC(双向可控硅) BTA08-600CRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) Z0103MA 5AL2 ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流-保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92-3
    TRIAC(双向可控硅) Z0103MN 5AA4 ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流-保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223 不重复通态电流:8.5 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压:1.56 V 保持电流(Ih 最大值):7 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):5 mA
    TRIAC(双向可控硅) T1635T-6I ST(意法半导体) 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压 - 断态:600V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):16A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):35mA 电流 - 保持(Ih)(最大值):40mA 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) T435-600B-TR ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):30A,31A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak
    TRIAC(双向可控硅) BTA26-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):25A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):250A,260A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流-保持(Ih)(最大值):80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3
    TRIAC(双向可控硅) BTA41-600BRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):40A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):400A,420A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):50mA 电流-保持(Ih)(最大值):80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3
    TRIAC(双向可控硅) T1635T-8I ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):35mA 电流-保持(Ih)(最大值):45mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘
    TRIAC(双向可控硅) BTB16-800CWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-800BWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) Z0109MN 5AA4 ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223
    TRIAC(双向可控硅) ACST410-8BTR ST(意法半导体) 系列:ACS™/A.S.D® 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:800V Current-OnState(It(RMS))(Max):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):30A,32A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):20mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:D-Pak
    TRIAC(双向可控硅) T2035H-6I ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):20A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):200A,210A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包
    TRIAC(双向可控硅) T835H-6I ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) ACS108-8SN-TR ST(意法半导体) 配置:单一 工作温度:-30°C ~ 125°C(TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):800mA 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):13A,13.7A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):10mA 封装/外壳:SOT-223
    TRIAC(双向可控硅) Z0109NN 5AA4 ST(意法半导体) 电流 - 保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):1A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 封装/外壳:SOT-223
    TRIAC(双向可控硅) ACST210-8FP ST(意法半导体) 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):2A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.1V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):8A,8.4A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):10mA 封装/外壳:TO-220FPAB
    TRIAC(双向可控硅) Z0409MF 1AA2 ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):20A,21A 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-202
    TRIAC(双向可控硅) BTA12-600CRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):12A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):120A,126A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘
    TRIAC(双向可控硅) Z0107NN 5AA4 ST(意法半导体) 电流 - 保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):1A 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):5mA 封装/外壳:SOT-223
    TRIAC(双向可控硅) T405-600B-TR ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):30A,31A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):5mA 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak
    TRIAC(双向可控硅) Z0103MA 1AA2 ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):1A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):8A,8.5A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):3mA 电流-保持(Ih)(最大值):7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92-3
    TRIAC(双向可控硅) T810-600B-TR ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak
    TRIAC(双向可控硅) BTA06-600CRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-保持(Ih)(最大值):25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 不重复通态电流:63 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态电压:1.55 V 保持电流(Ih 最大值):25 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V
    TRIAC(双向可控硅) BTA06-600TWRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):5mA 电流-保持(Ih)(最大值):10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTB04-600SL ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):4A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):35A,38A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA06-600SWRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):6A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):60A,63A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600BWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600SWRG ST(意法半导体) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-栅极触发(Igt)(最大值):10mA 电流-保持(Ih)(最大值):15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB
    TRIAC(双向可控硅) BTA16-600CWRG ST(意法半导体) 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):16A 电压-栅极触发(Vgt)(最大值):1.3V 电流-不重复浪涌50,60Hz(Itsm):160A,168A 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB

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