IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| IGBT模块 | VS-CPV363M4FPBF | NTC热敏电阻:无 封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) | |
| IGBT模块 | VS-EMF050J60U | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):9.5nF @ 30V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A 功率:338W 封装/外壳:EMIPAK2 工作温度:150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):88A 电流-集电极截止(最大值):100uA 输入:标准 配置:三级反相器 | |
| IGBT模块 | FZ2400R12HE4PB9HPSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):150nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,2400A 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):2400A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:全桥 | |
| IGBT模块 | IRAM136-1060BS | 封装/外壳:29-PowerSSIP 模块,21 引线,成形引线 电压:600V 电压-隔离:2000Vrms 电流:10A 类型:IGBT 配置:3 相 | |
| IGBT模块 | IRAMT20TP60A | 封装/外壳:模块 | |
| IGBT模块 | F4150R17ME4B11BPSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):12nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,150A 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1700V 电流-集电极(Ic)(最大值):230A 电流-集电极截止(最大值):3mA 输入:标准 配置:全桥 | |
| IGBT模块 | FF600R12ME4B72BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):37nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,600A 功率-最大值:20mW 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):1200A 电流-集电极截止(最大值):3mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | 10-FY123BA080SH03 | ||
| IGBT模块 | MD500HTR120P6H | ||
| IGBT模块 | VS-GB100LH120N | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):8.96nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.77V @ 15V,100A(标准) 功率:833W 封装/外壳:双 INT-A-PAK(3 + 4) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:单路 | |
| IGBT模块 | DDB6U145N16LHOSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):1.43V @ 150A 不同Vr时电流-反向泄漏:5mA @ 1600V 二极管类型:标准 二极管配置:3 个独立式 封装/外壳:模块 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):1600V | |
| IGBT模块 | FD1000R33HL3KBPSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):190nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.85V @ 15V,1000A 功率-最大值:11500W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):3300V 电流-集电极(Ic)(最大值):1000A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:2 个独立式 | |
| IGBT模块 | FP10R06W1E3B11BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):550pF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A 功率-最大值:68W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP35R12KT4PBPSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):2nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,35A 功率-最大值:20mW 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:三相桥式整流器 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | VS-GB05XP120KTPBF | NTC热敏电阻:是 功率:76W 封装/外壳:12-MTP 模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流-集电极截止(最大值):250uA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FZ1200R17HP4HOSA2 | IGBT类型:沟道 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):97nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.25V @ 15V,1200A 功率-最大值:7800W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1700V 电流-集电极(Ic)(最大值):1200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:单开关 | |
| IGBT模块 | IFCM15S60GDXKMA1 | 封装/外壳:24-PowerDIP 模块(1.028"",26.10mm) 电压:650V 电压-隔离:2000Vrms 电流:30A 类型:IGBT 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | IFF600B12ME4PB11BPSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):37nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,600A 功率-最大值:40W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | IFF450B12ME4PB11BPSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):28nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,450A 功率-最大值:40W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):450A 电流-集电极截止(最大值):3mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | IFCM30U65GDXKMA1 | 封装/外壳:24-PowerDIP 模块(1.028"",26.10mm) 电压:650V 电压-隔离:2000Vrms 电流:30A 类型:IGBT 配置:3 相 | |
| IGBT模块 | IFCM30T65GDXKMA1 | 封装/外壳:24-PowerDIP 模块(1.028"",26.10mm) 电压:650V 电压-隔离:2000Vrms 电流:30A 类型:IGBT 配置:2 相 | |
| IGBT模块 | IFCM20U65GDXKMA1 | 封装/外壳:24-PowerDIP 模块(1.028"",26.10mm) 电压:650V 电压-隔离:2000Vrms 电流:20A 类型:IGBT 配置:3 相 | |
| IGBT模块 | IFCM20T65GDXKMA1 | 封装/外壳:24-PowerDIP 模块(1.028"",26.10mm) 电压:650V 电压-隔离:2000Vrms 电流:20A 类型:IGBT 配置:2 相 | |
| IGBT模块 | FS25R12W1T4B11BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):1.45nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.25V @ 15V,25A 功率-最大值:205W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):45A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FF45MR12W1M1B11BOMA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):25A(Tj) FET功能:碳化硅(SiC) FET类型:2 N-通道(双) 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 25A,15V(标准) 不同Id时Vgs(th)(最大值):5.55V @ 10mA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1840pF @ 800V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):62nC @ 15V 功率-最大值:20mW(Tc) 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 漏源电压(Vdss):1200V | |
| IGBT模块 | FF6MR12W2M1B11BOMA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):200A(Tj) FET功能:碳化硅(SiC) FET类型:2 N-通道(双) 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.63 毫欧 @ 200A,15V 不同Id时Vgs(th)(最大值):5.55V @ 10mA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):14700pF @ 800V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):496nC @ 15V 功率-最大值:20mW(Tc) 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 漏源电压(Vdss):1200V | |
| IGBT模块 | FF8MR12W2M1B11BOMA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):150A(Tj) FET功能:碳化硅(SiC) FET类型:2 N-通道(双) 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):7.5 毫欧 @ 150A,15V(标准) 不同Id时Vgs(th)(最大值):5.55V @ 60mA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):11000pF @ 800V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):372nC @ 15V 功率-最大值:20mW(Tc) 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 漏源电压(Vdss):1200V | |
| IGBT模块 | FP10R12W1T7B11BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):1890pF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,10A 功率-最大值:20mW 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 75°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):10A 电流-集电极截止(最大值):4.5uA 输入:三相桥式整流器 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP25R12W1T7B11BPSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):4.77nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,25A (标准) 功率-最大值:20mW 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 175°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):25A 电流-集电极截止(最大值):5.6uA 输入:三相桥式整流器 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS45MR12W1M1B11BOMA1 | 25°C时电流-连续漏极(Id):25A(Tj) FET功能:碳化硅(SiC) FET类型:6 N-沟道(3 相桥) 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 25A,15V(标准) 不同Id时Vgs(th)(最大值):5.55V @ 10mA 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1840pF @ 800V 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值):62nC @ 15V 功率-最大值:20mW(Tc) 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 漏源电压(Vdss):1200V | |
| IGBT模块 | FS300R12OE4PNOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):18.5nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,300A 功率-最大值:20mW 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):600A 电流-集电极截止(最大值):3mA 输入:标准 配置:全桥 | |
| IGBT模块 | DD260N18K | 封装/外壳:BG-PB50-1 FET类型:RectifierDiodeModule 反向电压Vr:1.8KV 输出电流:410A 栅极触发电流-Igt:30mA 配置:Rectifier Diode 结壳热阻RthJC:0.17 热敏电阻Rt:0.68 工作温度-结:150.0 正向浪涌电流Ifsm:8300.0 阈值电压Vt0:0.7 I²t-value:344.0 | |
| IGBT模块 | BSM35GP120n: 0 | ||
| IGBT模块 | VS-CPV364M4FPBF | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):2.2nF @ 30V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.5V @ 15V,15A 功率:63W 封装/外壳:19-SIP(13 引线),IMS-2 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):27A 电流-集电极截止(最大值):250uA 输入:标准 | |
| IGBT模块 | MG12300D-BN2MMn | ||
| IGBT模块 | FZ600R12KS4HOSA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):39nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):3.75V @ 15V,600A 功率-最大值:3900W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):700A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:单路 | |
| IGBT模块 | FS10R12YE3n: 0 | ||
| IGBT模块 | FS75R12W2T4B11BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):4.3nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,75A 功率-最大值:375W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):107A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:全桥 | |
| IGBT模块 | FS75R12KE3BOSA1 | IGBT类型:NPT NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):5.3nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,75A 功率-最大值:350W 封装/外壳:模块 工作温度:150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):105A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS50R12KT4B15BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):2.8nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A 功率-最大值:280W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS50R12KT4B11BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):2.8nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A 功率-最大值:280W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:全桥 | |
| IGBT模块 | FS50R12KT3BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):3.5nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A 功率-最大值:280W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):75A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:全桥 | |
| IGBT模块 | FS200R12KT4RB11BOSA1 | NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A 功率-最大值:1000W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):280A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS15R12VT3BOMA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):1.1nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,15A 功率-最大值:86W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):24A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS150R17PE4BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):13.5nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,150A 功率-最大值:835W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1700V 电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS150R12KT4BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,150A 功率-最大值:750W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):150A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FS10R12VT3BOMA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):700pF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,10A 功率-最大值:64W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):16A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | BSM50GP120n: 0 | ||
| IGBT模块 | VS-70MT060WHTAPBF | IGBT类型:NPT NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):8nF @ 30V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):3.4V @ 15V,140A 功率:347W 封装/外壳:12-MTP 模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流-集电极截止(最大值):700uA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FP15R12KE3n: 0 | ||
| IGBT模块 | BSM100GD60DLCn: | ||
| IGBT模块 | BSM200GA120DLCS | ||
| IGBT模块 | BSM200GA120DLCn | ||
| IGBT模块 | FP50R12KT4B11BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):2.8nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A 功率-最大值:280W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP50R06W2E3B11BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):3.1nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A 功率-最大值:175W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):65A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP40R12KT3GBOSA1 | NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):2.5nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,401A 功率-最大值:210W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):55A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP25R12KT3BOSA1 | NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):1.8nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,25A 功率-最大值:155W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):40A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP100R12KT4B11BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):6.3nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,100A 功率-最大值:515W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FP06R12W1T4B3BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):600pF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.25V @ 15V,6A 功率-最大值:94W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):12A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | FB10R06KL4n: 0 | ||
| IGBT模块 | FF150R12YT3n: 0 | ||
| IGBT模块 | BSM35GD120DN2E3224 | 栅极/发射极最大电压:± 20 V 最小工作温度:- 40 C 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:2.7 V 在25 C的连续集电极电流:50 A 栅极—射极漏泄电流:150 nA 功率:280 W 最大工作温度:+ 150 C 封装/外壳:EconoPACK 2 | |
| IGBT模块 | F4-100R06KL4n: | ||
| IGBT模块 | FF600R12ME4EB11BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):37nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,600A 功率-最大值:4050W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):995A 电流-集电极截止(最大值):3mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF50R12RT4HOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):2.8nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,50A 功率-最大值:285W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF500R17KE4BOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):45nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,500A 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1700V 电流-集电极(Ic)(最大值):500A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:半桥逆变器 | |
| IGBT模块 | FF450R12ME4EB11BPSA1 | 封装/外壳:模块 | |
| IGBT模块 | FF300R17ME4BOSA1 | IGBT类型:NPT NTC热敏电阻:是 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,300A 功率-最大值:1800W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1700V 电流-集电极(Ic)(最大值):375A 电流-集电极截止(最大值):3mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF300R12KT4HOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):19nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,300A 功率-最大值:1600W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):450A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF300R12KT3EHOSA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):21nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,300A 功率-最大值:1450W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):480A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:2 个独立式 | |
| IGBT模块 | FF200R17KE4HOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):18nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,200A 功率-最大值:1250W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1700V 电流-集电极(Ic)(最大值):310A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:2 个独立式 | |
| IGBT模块 | FF200R12KT4HOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A 功率-最大值:1100W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):320A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF200R12KT3EHOSA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A 功率-最大值:1050W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:2 个独立式 | |
| IGBT模块 | FF200R12KE4PHOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):200A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:半桥 | |
| IGBT模块 | FF200R12KE3HOSA1 | NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A 功率-最大值:1050W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:2 个独立式 | |
| IGBT模块 | FD300R12KE3HOSA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):21nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,300A 功率-最大值:1470W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):480A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:单路 | |
| IGBT模块 | FB30R06W1E3BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):1.65nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A 功率-最大值:115W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):39A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | F475R06W1E3BOMA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):4.6nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,75A 功率-最大值:275W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):600V 电流-集电极(Ic)(最大值):100A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | F450R12KS4B11BOSA1 | NTC热敏电阻:是 不同 Vce时输入电容(Cies):3.4nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):3.75V @ 15V,50A 功率-最大值:355W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):70A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:三相反相器 | |
| IGBT模块 | DF400R12KE3HOSA1 | IGBT类型:沟槽型场截止 NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):28nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,400A 功率-最大值:2000W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):580A 电流-集电极截止(最大值):5mA 输入:标准 配置:单路 | |
| IGBT模块 | DDB6U100N16RRBOSA1 | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):3.3nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):3.2V @ 20V,50A 功率-最大值:350W 封装/外壳:模块 工作温度:-40°C ~ 150°C 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):50A 电流-集电极截止(最大值):1mA 输入:标准 配置:单斩波器 | |
| IGBT模块 | BSM50GP120 | Infineon(英飞凌) | |
| IGBT模块 | BSM50GD120DN2 | Infineon(英飞凌) | 关闭状态最大电压:1.2KV 半导体结构:晶体管/晶体管 安装:螺旋 封装/外壳:ECONOPACK 2K 拓扑:IGBT 半桥接 x3 最大正向脉冲电流:100A 栅极 - 发射极电压:±20V 模块类型:IGBT 电气安装:焊接 耗电:350W 集电极电流:50A |
| IGBT模块 | BSM35GP120 | Infineon(英飞凌) | |
| IGBT模块 | BSM20GP60 | Infineon(英飞凌) | 关闭状态最大电压:600V 半导体结构:二极管/晶体管 安装:螺旋 封装/外壳:AG-ECONO2-5 拓扑:3 相二极管桥 拓扑:IGBT 3 相桥 拓扑:NTC 热敏电阻器 拓扑:制动断路器 最大正向脉冲电流:230A 栅极 - 发射极电压:±20V 模块类型:IGBT 电气安装:焊接 耗电:130W 集电极电流:20A |
| IGBT模块 | BSM10GP120 | Infineon(英飞凌) | |
| IGBT模块 | BSM10GD120DN2E3224 | Infineon(英飞凌) | 关闭状态最大电压:1.2KV 半导体结构:晶体管/晶体管 安装:螺旋 封装/外壳:ECONOPACK 2K 拓扑:IGBT 半桥接 x3 最大正向脉冲电流:20A 栅极 - 发射极电压:±20V 模块类型:IGBT 电气安装:焊接 耗电:80W 集电极电流:10A |
| IGBT模块 | BSM100GB120DN2KHOSA1 | Infineon(英飞凌) | NTC热敏电阻:无 不同 Vce时输入电容(Cies):6.5nF @ 25V 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值):3V @ 15V,100A 功率-最大值:700W 封装/外壳:模块 工作温度:150°C(TJ) 电压-集射极击穿(最大值):1200V 电流-集电极(Ic)(最大值):145A 电流-集电极截止(最大值):2mA 输入:标准 配置:半桥 |