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    未分类 W947D2HBJX5E Winbond(华邦电子) 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-VFBGA(8x13)
    未分类 W25M512JVEIQ/TUBE Winbond(华邦电子)
    未分类 W25Q64JVZEIM/TRAY Winbond(华邦电子)
    未分类 W25M256JVEIQ Winbond(华邦电子)
    未分类 W631GU6MB12I/TRAY Winbond(华邦电子)
    未分类 W988D2FBJX6I/REEL Winbond(华邦电子)
    未分类 W74M32FVSSIQ/REEL Winbond(华邦电子)
    未分类 W25Q40CLSNIG/TRAY Winbond(华邦电子)
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    未分类 W25Q32JWZPIQ TR Winbond(华邦电子)
    W25P10VSNIG Winbond(华邦电子) 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:40MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC
    未分类 W25Q256FVFIG-T Winbond(华邦电子)
    未分类 W29GL128CH9T Winbond(华邦电子) 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:128Mb (16M x 8,8M x 16) 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:56-TSOP(14x20)
    未分类 W631GU6MB12K/REEL Winbond(华邦电子)
    未分类 W9825G2JB-75 Winbond(华邦电子) 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (8M x 32) 时钟频率:133MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 W25Q32FVTCIP Winbond(华邦电子) 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:32Mb (4M x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间 - 字,页:50µs,3ms 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8)
    未分类 W25X40CLUXIG-T Winbond(华邦电子)
    未分类 W25Q128FVFIQ Winbond(华邦电子) 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:128Mb (16M x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:16-SOIC
    未分类 W948D6KBHX5I TR Winbond(华邦电子)
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    未分类 W25H02JVTBAM TRAY Winbond(华邦电子)
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    未分类 W988D6FBGX6E TR Winbond(华邦电子) 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:54-TFBGA 封装/外壳:54-VFBGA(8x9)
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    未分类 W25Q32JVXGIM TR Winbond(华邦电子)
    未分类 W25Q16DWSNIG TR Winbond(华邦电子) 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:16Mb (2M x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC
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    未分类 W634GG6MB-15 Winbond(华邦电子)
    未分类 W25Q64FWSSIQ-T Winbond(华邦电子)
    未分类 W25Q128FWSIQ-T Winbond(华邦电子)
    未分类 W6351G6KB-12/REEL Winbond(华邦电子)
    未分类 W25Q128JVEIQ-S Winbond(华邦电子)
    未分类 W25Q80BWZPIG TR Winbond(华邦电子) 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Mb (1M x 8) 时钟频率:80MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-WSON(6x5)
    未分类 W25Q128JVEBM TRAY Winbond(华邦电子)
    未分类 W25Q32JWBYIQ/REEL Winbond(华邦电子)

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