参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RQ3E120ATTB
说明	功率MOSFET   HSMT 3mm
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	0
最小包	0
现货	237 [库存更新时间：2025-04-04]
系列	RQ
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	62nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3200pF @ 15V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	HSMT
连续漏极电流Id	12A
Pd-功率耗散(Max)	2W
Qg-栅极电荷	62nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	61mΩ
漏源极电压Vds	39V
栅极电压Vgs	2.5V
上升时间	30ns
下降时间	95ns
典型关闭延迟时间	140ns
典型接通延迟时间	20ns
宽度	2.4mm
FET类型	P-Channel
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	3mm
高度	0.85mm