产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
红外发射管 |
OP240B |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
OP140A |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.4mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
OP245PS |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:36° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
OP292A |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):150mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.75V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4 |
红外发射管 |
OP266W |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:90° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
红外发射管 |
L1IZ-0940000000000 |
Lumileds(流明) |
系列:LUXEON IR Compact FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):300mW/sr @ 1A(标准) 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.9V 视角:150° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 125°C (TC) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
LTR-C191-TB-F-GVT |
Lite-On(光宝) |
功率:1/10W 电压:5.5V |
红外发射管 |
QED223A4R0 |
Fairchild(仙童) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):25mW/sr @ 100mA 波长:880nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.7V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
QEE113E3R0 |
Fairchild(仙童) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):3mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 视角:50° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
VLMU3500-405-120 |
Vishay(威世) |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):700mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):295mW/sr @ 500mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 |
红外发射管 |
VLMU3500-405-060 |
Vishay(威世) |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):700mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):550mW/sr @ 500mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 |
红外发射管 |
VLMU3500-395-060 |
Vishay(威世) |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):700mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):550mW/sr @ 500mA 波长:395nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 |
红外发射管 |
VLMU3500-385-120 |
Vishay(威世) |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):700mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):295mW/sr @ 500mA 波长:385nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:3-SMD,无引线 |
红外发射管 |
VLMU3500-385-060 |
Vishay(威世) |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):700mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):550mW/sr @ 500mA 波长:385nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:3-SMD,无引线 |
红外发射管 |
VLMU1610-365-135 |
Vishay(威世) |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):60mA 波长:367nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.5V 视角:135° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0606 |
红外发射管 |
VAOL-5GUV8T4 |
VCC |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:385nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
VAOL-5GUV0T4 |
VCC |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
VAOL-5EUV8T4 |
VCC |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:385nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
VAOL-5EUV0T4 |
VCC |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
VAOL-3EUV0Y4 |
VCC |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
OP265A |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
OP265AB |
OPTEK |
系列:OP265AA FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):7.5mW/cm² @ 20mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
OP266B |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
红外发射管 |
OP165A |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.95mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
红外发射管 |
OP290A |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):150mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):4V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4 |
红外发射管 |
OP140A |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.4mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
OP165A |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.95mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
红外发射管 |
LTE-4206C |
Lite-On(光宝) |
朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):60mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):2.25mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 封装/外壳:径向 封装/外壳:3mm |
红外发射管 |
VSMY98545 |
Vishay(威世) |
系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):230mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:90° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 95°C(TA) 封装/外壳:3-SMD,无引线 |
红外发射管 |
VSMY2940RG |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):65mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.55V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
红外发射管 |
VSMY2853SL |
Vishay(威世) |
系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:56° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
红外发射管 |
VSMY2853RG |
Vishay(威世) |
系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:56° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
红外发射管 |
VSMY2853G |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:56° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
红外发射管 |
VSMY2850G |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):50mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
红外发射管 |
VSMY1850 |
Vishay(威世) |
系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):5mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0805 |
红外发射管 |
VSMY12940 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):70mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):16mW/sr @ 70mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:80° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:1206 |
红外发射管 |
VSMY12850 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):70mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):16mW/sr @ 70mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 视角:80° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:1206 |
红外发射管 |
VSMS3700-GS08 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.6mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC |
红外发射管 |
VSML3710-GS08 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):4mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC |
红外发射管 |
VSMG2700-GS08 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):6mW/sr @ 100mA 波长:830nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 |
红外发射管 |
VSMG2020X01 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.45V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
红外发射管 |
VSMF4720-GS08 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):10mW/sr @ 100mA 波长:870nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.45V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 |
红外发射管 |
VSMF4710-GS08 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):6mW/sr @ 100mA 波长:870nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 |
红外发射管 |
VSMF3710-GS08 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):6mW/sr @ 100mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC |
红外发射管 |
VSMF2890GX01 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
红外发射管 |
VSMD66694 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外 (IR),可见 电流-DC正向(If):70mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V,2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 波长:940nm,660nm 辐射强度:1.5mW/sr,2.3mW/sr 射束角:120deg If - 正向电流:20mA Vf - 正向电压:1.4V,2V 功率:0.119W 封装/外壳:SMD-4 系列:VSMD 照明颜色:IR,Red 透镜形状:Square 显示角:120deg 下降时间:10ns 上升时间:10ns Vr - 反向电压:5V |
红外发射管 |
VSMB3940X01-GS08 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):7mW/sr @ 1000mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 |
红外发射管 |
VSMB2943SLX01 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:50° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
红外发射管 |
VSMB2943RGX01 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
红外发射管 |
VSMB294008RG |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):30mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.45V 视角:14° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
红外发射管 |
VSMB294008G |
Vishay(威世) |
系列:VSMB294008 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):30mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:14° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
红外发射管 |
VSMB2020X01 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
红外发射管 |
VSMB2000X01 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
红外发射管 |
VSMB1940X01 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):3mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0805 |
红外发射管 |
VSLY5850 |
Vishay(威世) |
系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):300mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:6° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4 |
红外发射管 |
VSLY3850 |
Vishay(威世) |
系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
SIR-320ST3FN |
ROHM(罗姆) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):75mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
红外发射管 |
SIR-563ST3FM |
ROHM(罗姆) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):9mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.34V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4 |
红外发射管 |
SIR-56ST3F |
ROHM(罗姆) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T13/4 |
红外发射管 |
UV5TZ-405-30 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV5TZ-405-15 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV5TZ-400-30 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:400nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV5TZ-400-15 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:400nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV5TZ-395-30 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:395nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV5TZ-395-15 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:395nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV5TZ-390-30 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV5TZ-390-15 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV3TZ-405-30 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV3TZ-405-15 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV3TZ-400-30 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:400nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV3TZ-400-15 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:400nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV3TZ-395-30 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:395nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV3TZ-395-15 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:395nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV3TZ-390-30 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
UV3TZ-390-15 |
BIVAR |
系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
GL100MN1MP |
SHARP ASIA |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
TSUS5400 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):150mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):7mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 视角:44° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
TSUS5202 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):150mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
TSSF4500 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):10mW/sr @ 100mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:44° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
OP166A |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.95mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
红外发射管 |
OP236TX |
OPTEK |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.55V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
红外发射管 |
APA3010F3C-GX |
KINGBRIGHT |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:120° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
LTE-5208A |
Lite-On(光宝) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):3.31mW/sr @ 20mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):3.31mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 封装/外壳:T 1 3/4 辐射强度:12.63mW/sr If - 正向电流:20mA Vf - 正向电压:1.2V 功率:3/20W 封装/外壳:T-13/4(5mm) 照明颜色:InFrared 透镜形状:Dome 显示角:40deg |
红外发射管 |
LTPL-C034UVH385 |
Lite-On(光宝) |
系列:C03 电流-DC正向(If):700mA 电压-正向(Vf)(典型值):3.7V 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 FET类型:紫外线(UV) 电流 - DC 正向(If):700mA 波长:385nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):3.7V 视角:130° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线裸焊盘 |
红外发射管 |
VAOL-3EUV0Y4 |
VCC |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
VAOL-5EUV8T4 |
VCC |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:385nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
OED-EL-1L2 |
LUMEX |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):60mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
L1IZ-0850000000000 |
Lumileds(流明) |
系列:LUXEON IR Compact FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):250mW/sr @ 1A(标准) 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.2V 视角:150° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 125°C (TC) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
L1F2-U380100004001 |
Lumileds(流明) |
FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):450mW/sr @ 500mA 波长:380nm ~ 390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.2V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
LTE-302-M |
Lite-On(光宝) |
电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.662mW/sr @ 20mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):0.662mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向,侧视图 |
红外发射管 |
LTE-302 |
Lite-On(光宝) |
电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.662mW/sr @ 20mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 封装/外壳:径向,侧视图 FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):0.662mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔,直角 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
LTE-309 |
Lite-On(光宝) |
电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.2mW/sr @ 20mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):0.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔,直角 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
LTE-4206 |
Lite-On(光宝) |
电流-DC正向(If):60mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.38mW/sr @ 20mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):60mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):1.38mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T-1 |