IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 红外发射管 | LTE-5208AC | 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:3.31mW/sr @ 20mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:3.31mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 | |
| 红外发射管 | VSMY7850X01-GS08 | 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:130mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 | |
| 红外发射管 | VSMY3850-GS08 | 不同If时最小辐射强度(Ie):12mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120° | |
| 红外发射管 | VSMY2853SL | 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:56° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 | |
| 红外发射管 | VSMY2850RG | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:50mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 辐射强度:100mW/sr 射束角:10deg 功率:0.19W If - 正向电流:100mA Vf - 正向电压:1.65V 系列:VSMY2850xG 照明颜色:InFrared 透镜形状:Dome 显示角:20deg 下降时间:10ns 上升时间:10ns | |
| 红外发射管 | VSMY2850G | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:50mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 | |
| 红外发射管 | VSMY1850X01 | 不同If时最小辐射强度(Ie):5mW/sr @ 100mA 封装/外壳:0805 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120° | |
| 红外发射管 | VSMS3700-GS08 | 不同If时最小辐射强度(Ie):1.6mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-PLCC 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120° | |
| 红外发射管 | VSML3710-GS08 | 不同If时最小辐射强度(Ie):4mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-PLCC 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120° | |
| 红外发射管 | VSMG10850 | 不同If时最小辐射强度(Ie):1mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,无引线 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:侧视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):65mA 类型:红外(IR) 视角:150° | |
| 红外发射管 | VSMF3710-GS08 | 不同If时最小辐射强度(Ie):6mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-PLCC 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120° | |
| 红外发射管 | VSMB3940X01-GS08 | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:7mW/sr @ 1000mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 | |
| 红外发射管 | VSMB2943SLX01 | 不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:侧视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:50° | |
| 红外发射管 | VSMB2943RGX01 | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d | |
| 红外发射管 | VSMB2020X01 | 不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° | |
| 红外发射管 | VSMB2000X01 | 不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° | |
| 红外发射管 | VSLY5850 | 不同If时最小辐射强度(Ie):300mW/sr @ 100mA 封装/外壳:T 1 3/4 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:6° | |
| 红外发射管 | VSLY3850 | 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 | |
| 红外发射管 | TSUS6402 | 不同If时最小辐射强度(Ie):15mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:44° | |
| 红外发射管 | TSUS5402 | 不同If时最小辐射强度(Ie):15mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:44° | |
| 红外发射管 | TSUS5400 | 不同If时最小辐射强度(Ie):7mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:44° | |
| 红外发射管 | TSUS5202 | 不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:30° | |
| 红外发射管 | TSUS5200 | 不同If时最小辐射强度(Ie):10mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:30° | |
| 红外发射管 | TSUS4300 | 不同If时最小辐射强度(Ie):7mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:32° | |
| 红外发射管 | TSTS7100 | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:250mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:10mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:10° 朝向:顶视图 工作温度:100°C(TJ) 封装/外壳:TO-18-2 金属罐 | |
| 红外发射管 | TSTA7100 | 不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:TO-18-2 金属罐 工作温度:100°C(TJ) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:10° | |
| 红外发射管 | TSSS2600 | 不同If时最小辐射强度(Ie):1mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:侧视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:50° | |
| 红外发射管 | TSSF4500 | 不同If时最小辐射强度(Ie):10mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:侧视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44° | |
| 红外发射管 | TSML1020 | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:3mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 | |
| 红外发射管 | TSML1000 | 不同If时最小辐射强度(Ie):3mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° | |
| 红外发射管 | TSMF1020 | 不同If时最小辐射强度(Ie):2.5mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:34° | |
| 红外发射管 | TSMF1000 | 不同If时最小辐射强度(Ie):2.5mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:34° | |
| 红外发射管 | TSKS5400S-ASZ | 不同If时最小辐射强度(Ie):2mW/sr @ 100mA 工作温度:-25°C~85°C(TA) 方向:侧视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:30° | |
| 红外发射管 | TSHG8400 | 不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:830nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44° | |
| 红外发射管 | TSHG8200 | 不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:830nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20° | |
| 红外发射管 | TSHG6410 | 系列:TDHG 功率:0.18W Vf-正向电压:1.5 V 下降时间:13 ns 上升时间:20 ns Vr-反向电压:5 V 透镜形状:Circular If-正向电流:100 mA 照明颜色:InFrared 显示角:18 deg FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 | |
| 红外发射管 | TSHG6210 | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:140mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 | |
| 红外发射管 | TSHG6200 | 不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20° | |
| 红外发射管 | TSHG5410 | 不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:36° | |
| 红外发射管 | TSHF6410 | 不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44° | |
| 红外发射管 | TSHF6210 | 不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20° | |
| 红外发射管 | TSHF5410 | 不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44° | |
| 红外发射管 | TSHF5210 | 不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20° | |
| 红外发射管 | TSHA6203 | 不同If时最小辐射强度(Ie):50mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° | |
| 红外发射管 | TSHA5203 | 不同If时最小辐射强度(Ie):50mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° | |
| 红外发射管 | TSHA5202 | 不同If时最小辐射强度(Ie):36mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° | |
| 红外发射管 | TSHA5200 | 不同If时最小辐射强度(Ie):25mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° | |
| 红外发射管 | TSHA4401 | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:16mW/sr @ 100mA 波长:875nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 | |
| 红外发射管 | TSAL6200 | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:40mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:34° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向,5mm直径(T13/4) | |
| 红外发射管 | TSAL4400 | 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:16mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向,3mm 直径(T-1) |