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    红外发射管 OP240B OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 OP140A OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.4mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 OP245PS OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:36° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 OP292A OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):150mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.75V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4
    红外发射管 OP266W OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:90° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1
    红外发射管 L1IZ-0940000000000 Lumileds(流明) 系列:LUXEON IR Compact FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):300mW/sr @ 1A(标准) 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.9V 视角:150° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 125°C (TC) 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 LTR-C191-TB-F-GVT Lite-On(光宝) 功率:1/10W 电压:5.5V
    红外发射管 QED223A4R0 Fairchild(仙童) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):25mW/sr @ 100mA 波长:880nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.7V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 QEE113E3R0 Fairchild(仙童) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):3mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 视角:50° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 VLMU3500-405-120 Vishay(威世) FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):700mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):295mW/sr @ 500mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘
    红外发射管 VLMU3500-405-060 Vishay(威世) FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):700mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):550mW/sr @ 500mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘
    红外发射管 VLMU3500-395-060 Vishay(威世) FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):700mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):550mW/sr @ 500mA 波长:395nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘
    红外发射管 VLMU3500-385-120 Vishay(威世) FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):700mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):295mW/sr @ 500mA 波长:385nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:3-SMD,无引线
    红外发射管 VLMU3500-385-060 Vishay(威世) FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):700mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):550mW/sr @ 500mA 波长:385nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:3-SMD,无引线
    红外发射管 VLMU1610-365-135 Vishay(威世) FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):60mA 波长:367nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.5V 视角:135° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0606
    红外发射管 VAOL-5GUV8T4 VCC FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:385nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 VAOL-5GUV0T4 VCC FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 VAOL-5EUV8T4 VCC FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:385nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 VAOL-5EUV0T4 VCC FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 VAOL-3EUV0Y4 VCC FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 OP265A OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 OP265AB OPTEK 系列:OP265AA FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):7.5mW/cm² @ 20mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 OP266B OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1
    红外发射管 OP165A OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.95mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1
    红外发射管 OP290A OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):150mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):4V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4
    红外发射管 OP140A OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.4mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 OP165A OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.95mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1
    红外发射管 LTE-4206C Lite-On(光宝) 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):60mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):2.25mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 封装/外壳:径向 封装/外壳:3mm
    红外发射管 VSMY98545 Vishay(威世) 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):230mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.8V 视角:90° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 95°C(TA) 封装/外壳:3-SMD,无引线
    红外发射管 VSMY2940RG Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):65mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.55V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d
    红外发射管 VSMY2853SL Vishay(威世) 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:56° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型
    红外发射管 VSMY2853RG Vishay(威世) 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:56° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d
    红外发射管 VSMY2853G Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:56° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型
    红外发射管 VSMY2850G Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):50mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型
    红外发射管 VSMY1850 Vishay(威世) 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):5mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0805
    红外发射管 VSMY12940 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):70mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):16mW/sr @ 70mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:80° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:1206
    红外发射管 VSMY12850 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):70mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):16mW/sr @ 70mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 视角:80° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:1206
    红外发射管 VSMS3700-GS08 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.6mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC
    红外发射管 VSML3710-GS08 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):4mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC
    红外发射管 VSMG2700-GS08 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):6mW/sr @ 100mA 波长:830nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线
    红外发射管 VSMG2020X01 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.45V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型
    红外发射管 VSMF4720-GS08 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):10mW/sr @ 100mA 波长:870nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.45V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线
    红外发射管 VSMF4710-GS08 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):6mW/sr @ 100mA 波长:870nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线
    红外发射管 VSMF3710-GS08 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):6mW/sr @ 100mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC
    红外发射管 VSMF2890GX01 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型
    红外发射管 VSMD66694 Vishay(威世) FET类型:红外 (IR),可见 电流-DC正向(If):70mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V,2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 波长:940nm,660nm 辐射强度:1.5mW/sr,2.3mW/sr 射束角:120deg If - 正向电流:20mA Vf - 正向电压:1.4V,2V 功率:0.119W 封装/外壳:SMD-4 系列:VSMD 照明颜色:IR,Red 透镜形状:Square 显示角:120deg 下降时间:10ns 上升时间:10ns Vr - 反向电压:5V
    红外发射管 VSMB3940X01-GS08 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):7mW/sr @ 1000mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线
    红外发射管 VSMB2943SLX01 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:50° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型
    红外发射管 VSMB2943RGX01 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d
    红外发射管 VSMB294008RG Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):30mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.45V 视角:14° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d
    红外发射管 VSMB294008G Vishay(威世) 系列:VSMB294008 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):30mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:14° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d
    红外发射管 VSMB2020X01 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型
    红外发射管 VSMB2000X01 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d
    红外发射管 VSMB1940X01 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):3mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0805
    红外发射管 VSLY5850 Vishay(威世) 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):300mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:6° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4
    红外发射管 VSLY3850 Vishay(威世) 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 SIR-320ST3FN ROHM(罗姆) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):75mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T-1
    红外发射管 SIR-563ST3FM ROHM(罗姆) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):9mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.34V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4
    红外发射管 SIR-56ST3F ROHM(罗姆) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T13/4
    红外发射管 UV5TZ-405-30 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV5TZ-405-15 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV5TZ-400-30 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:400nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV5TZ-400-15 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:400nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV5TZ-395-30 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:395nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV5TZ-395-15 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:395nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV5TZ-390-30 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV5TZ-390-15 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV3TZ-405-30 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV3TZ-405-15 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV3TZ-400-30 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:400nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV3TZ-400-15 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:400nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV3TZ-395-30 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:395nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV3TZ-395-15 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:395nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV3TZ-390-30 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 UV3TZ-390-15 BIVAR 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):20mA 波长:390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.4V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 GL100MN1MP SHARP ASIA FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 TSUS5400 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):150mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):7mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 视角:44° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 TSUS5202 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):150mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 TSSF4500 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):10mW/sr @ 100mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:44° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 OP166A OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.95mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1
    红外发射管 OP236TX OPTEK FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.55V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:TO-46-2 透镜顶部金属罐
    红外发射管 APA3010F3C-GX KINGBRIGHT FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:120° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 LTE-5208A Lite-On(光宝) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):3.31mW/sr @ 20mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):3.31mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 封装/外壳:T 1 3/4 辐射强度:12.63mW/sr If - 正向电流:20mA Vf - 正向电压:1.2V 功率:3/20W 封装/外壳:T-13/4(5mm) 照明颜色:InFrared 透镜形状:Dome 显示角:40deg
    红外发射管 LTPL-C034UVH385 Lite-On(光宝) 系列:C03 电流-DC正向(If):700mA 电压-正向(Vf)(典型值):3.7V 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 FET类型:紫外线(UV) 电流 - DC 正向(If):700mA 波长:385nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):3.7V 视角:130° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线裸焊盘
    红外发射管 VAOL-3EUV0Y4 VCC FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:405nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 VAOL-5EUV8T4 VCC FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):30mA 波长:385nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 OED-EL-1L2 LUMEX FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):60mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 L1IZ-0850000000000 Lumileds(流明) 系列:LUXEON IR Compact FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):250mW/sr @ 1A(标准) 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.2V 视角:150° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 125°C (TC) 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 L1F2-U380100004001 Lumileds(流明) FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):450mW/sr @ 500mA 波长:380nm ~ 390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.2V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 LTE-302-M Lite-On(光宝) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.662mW/sr @ 20mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):0.662mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向,侧视图
    红外发射管 LTE-302 Lite-On(光宝) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.662mW/sr @ 20mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 封装/外壳:径向,侧视图 FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):0.662mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔,直角 封装/外壳:径向
    红外发射管 LTE-309 Lite-On(光宝) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.2mW/sr @ 20mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):0.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔,直角 封装/外壳:径向
    红外发射管 LTE-4206 Lite-On(光宝) 电流-DC正向(If):60mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.38mW/sr @ 20mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):60mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):1.38mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T-1

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