IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 红外发射管 | OP240B | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 波长:890nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.8V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | OP140A | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.4mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.6V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | OP245PS | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.8V 视角:36° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | OP292A | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:150mA 波长:890nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.75V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4 |
| 红外发射管 | OP266W | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 波长:890nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.8V 视角:90° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
| 红外发射管 | L1IZ-0940000000000 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON IR Compact FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:300mW/sr @ 1A(标准) 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:2.9V 视角:150° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 125°C (TC) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | LTR-C191-TB-F-GVT | Lite-On(光宝) | 功率:1/10W 电压:5.5V |
| 红外发射管 | QED223A4R0 | Fairchild(仙童) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:25mW/sr @ 100mA 波长:880nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.7V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | QEE113E3R0 | Fairchild(仙童) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:3mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 视角:50° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | VLMU3500-405-120 | Vishay(威世) | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:700mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:295mW/sr @ 500mA 波长:405nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.4V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 |
| 红外发射管 | VLMU3500-405-060 | Vishay(威世) | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:700mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:550mW/sr @ 500mA 波长:405nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.4V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 |
| 红外发射管 | VLMU3500-395-060 | Vishay(威世) | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:700mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:550mW/sr @ 500mA 波长:395nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.4V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 |
| 红外发射管 | VLMU3500-385-120 | Vishay(威世) | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:700mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:295mW/sr @ 500mA 波长:385nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.4V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:3-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | VLMU3500-385-060 | Vishay(威世) | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:700mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:550mW/sr @ 500mA 波长:385nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.4V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:3-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | VLMU1610-365-135 | Vishay(威世) | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:60mA 波长:367nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.5V 视角:135° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0606 |
| 红外发射管 | VAOL-5GUV8T4 | VCC | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:30mA 波长:385nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | VAOL-5GUV0T4 | VCC | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:30mA 波长:405nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | VAOL-5EUV8T4 | VCC | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:30mA 波长:385nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | VAOL-5EUV0T4 | VCC | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:30mA 波长:405nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | VAOL-3EUV0Y4 | VCC | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:30mA 波长:405nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | OP265A | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 波长:890nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.8V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | OP265AB | OPTEK | 系列:OP265AA FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:7.5mW/cm² @ 20mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.8V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | OP266B | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 波长:890nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.8V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
| 红外发射管 | OP165A | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.95mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.6V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
| 红外发射管 | OP290A | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:150mA 波长:890nm 电压-正向（Vf）（典型值）:4V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4 |
| 红外发射管 | OP140A | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.4mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.6V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | OP165A | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.95mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.6V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
| 红外发射管 | LTE-4206C | Lite-On(光宝) | 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向（If）:60mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:2.25mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 封装/外壳:径向 封装/外壳:3mm |
| 红外发射管 | VSMY98545 | Vishay(威世) | 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:230mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.8V 视角:90° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 95°C(TA) 封装/外壳:3-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | VSMY2940RG | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:65mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.55V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
| 红外发射管 | VSMY2853SL | Vishay(威世) | 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:56° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
| 红外发射管 | VSMY2853RG | Vishay(威世) | 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:56° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
| 红外发射管 | VSMY2853G | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:56° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
| 红外发射管 | VSMY2850G | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:50mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
| 红外发射管 | VSMY1850 | Vishay(威世) | 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:5mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0805 |
| 红外发射管 | VSMY12940 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:70mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:16mW/sr @ 70mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.6V 视角:80° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:1206 |
| 红外发射管 | VSMY12850 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:70mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:16mW/sr @ 70mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 视角:80° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:1206 |
| 红外发射管 | VSMS3700-GS08 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.6mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC |
| 红外发射管 | VSML3710-GS08 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:4mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC |
| 红外发射管 | VSMG2700-GS08 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:6mW/sr @ 100mA 波长:830nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 |
| 红外发射管 | VSMG2020X01 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
| 红外发射管 | VSMF4720-GS08 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:10mW/sr @ 100mA 波长:870nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.45V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 |
| 红外发射管 | VSMF4710-GS08 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:6mW/sr @ 100mA 波长:870nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 |
| 红外发射管 | VSMF3710-GS08 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:6mW/sr @ 100mA 波长:890nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC |
| 红外发射管 | VSMF2890GX01 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:890nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
| 红外发射管 | VSMD66694 | Vishay(威世) | FET类型:红外 (IR),可见 电流-DC正向（If）:70mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.4V,2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 波长:940nm,660nm 辐射强度:1.5mW/sr,2.3mW/sr 射束角:120deg If - 正向电流:20mA Vf - 正向电压:1.4V,2V 功率:0.119W 封装/外壳:SMD-4 系列:VSMD 照明颜色:IR,Red 透镜形状:Square 显示角:120deg 下降时间:10ns 上升时间:10ns Vr - 反向电压:5V |
| 红外发射管 | VSMB3940X01-GS08 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:7mW/sr @ 1000mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 |
| 红外发射管 | VSMB2943SLX01 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:50° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
| 红外发射管 | VSMB2943RGX01 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
| 红外发射管 | VSMB294008RG | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:30mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.45V 视角:14° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
| 红外发射管 | VSMB294008G | Vishay(威世) | 系列:VSMB294008 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:30mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:14° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
| 红外发射管 | VSMB2020X01 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
| 红外发射管 | VSMB2000X01 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
| 红外发射管 | VSMB1940X01 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:3mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0805 |
| 红外发射管 | VSLY5850 | Vishay(威世) | 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:300mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:6° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4 |
| 红外发射管 | VSLY3850 | Vishay(威世) | 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | SIR-320ST3FN | ROHM(罗姆) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:75mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
| 红外发射管 | SIR-563ST3FM | ROHM(罗姆) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.34V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T 1 3/4 |
| 红外发射管 | SIR-56ST3F | ROHM(罗姆) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T13/4 |
| 红外发射管 | UV5TZ-405-30 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:405nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV5TZ-405-15 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:405nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV5TZ-400-30 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:400nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV5TZ-400-15 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:400nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV5TZ-395-30 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:395nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.4V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV5TZ-395-15 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:395nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV5TZ-390-30 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:390nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.4V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV5TZ-390-15 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:390nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.4V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV3TZ-405-30 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:405nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV3TZ-405-15 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:405nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV3TZ-400-30 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:400nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV3TZ-400-15 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:400nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV3TZ-395-30 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:395nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV3TZ-395-15 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:395nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV3TZ-390-30 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:390nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.4V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | UV3TZ-390-15 | BIVAR | 系列:TZ FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:20mA 波长:390nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.4V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | GL100MN1MP | SHARP ASIA | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | TSUS5400 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:150mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:7mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向（Vf）（典型值）:2.2V 视角:44° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | TSUS5202 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:150mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向（Vf）（典型值）:2.2V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | TSSF4500 | Vishay(威世) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:10mW/sr @ 100mA 波长:890nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:44° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | OP166A | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.95mW/cm² @ 20mA 波长:935nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.6V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:T-1 |
| 红外发射管 | OP236TX | OPTEK | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 波长:890nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.55V 视角:18° 朝向:顶视图 工作温度:-55°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
| 红外发射管 | APA3010F3C-GX | KINGBRIGHT | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:120° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | LTE-5208A | Lite-On(光宝) | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:3.31mW/sr @ 20mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:3.31mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 封装/外壳:T 1 3/4 辐射强度:12.63mW/sr If - 正向电流:20mA Vf - 正向电压:1.2V 功率:3/20W 封装/外壳:T-13/4(5mm) 照明颜色:InFrared 透镜形状:Dome 显示角:40deg |
| 红外发射管 | LTPL-C034UVH385 | Lite-On(光宝) | 系列:C03 电流-DC正向（If）:700mA 电压-正向（Vf）（典型值）:3.7V 封装/外壳:2-SMD,无引线,裸露焊盘 FET类型:紫外线(UV) 电流 - DC 正向（If）:700mA 波长:385nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:3.7V 视角:130° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线裸焊盘 |
| 红外发射管 | VAOL-3EUV0Y4 | VCC | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:30mA 波长:405nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 视角:30° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | VAOL-5EUV8T4 | VCC | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:30mA 波长:385nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 视角:15° 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | OED-EL-1L2 | LUMEX | FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:60mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:60° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | L1IZ-0850000000000 | Lumileds(流明) | 系列:LUXEON IR Compact FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:250mW/sr @ 1A(标准) 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.2V 视角:150° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 125°C (TC) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | L1F2-U380100004001 | Lumileds(流明) | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:450mW/sr @ 500mA 波长:380nm ~ 390nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.2V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
| 红外发射管 | LTE-302-M | Lite-On(光宝) | 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.662mW/sr @ 20mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.662mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向,侧视图 |
| 红外发射管 | LTE-302 | Lite-On(光宝) | 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.662mW/sr @ 20mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 封装/外壳:径向,侧视图 FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.662mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔,直角 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | LTE-309 | Lite-On(光宝) | 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.2mW/sr @ 20mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:40° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔,直角 封装/外壳:径向 |
| 红外发射管 | LTE-4206 | Lite-On(光宝) | 电流-DC正向（If）:60mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.38mW/sr @ 20mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向（If）:60mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.38mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:T-1 |