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    红外发射管 L1F2-U400100006001 FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:650mW/sr @ 500mA 波长:400nm ~ 410nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 L1F2-U400100005001 FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:550mW/sr @ 500mA 波长:400nm ~ 410nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 L1F2-U390100006001 FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:650mW/sr @ 500mA 波长:390nm ~ 400nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.1V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 L1F2-U390100004001 FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:450mW/sr @ 500mA 波长:390nm ~ 400nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.1V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 L1F2-U380100002001 FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:250mW/sr @ 500mA 波长:380nm ~ 390nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.2V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 LTE-5208AC 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:3.31mW/sr @ 20mA 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:3.31mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 VSMY7850X01-GS08 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:130mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 VSMY3850-GS08 不同If时最小辐射强度(Ie):12mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120°
    红外发射管 VSMY2853SL 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:56° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型
    红外发射管 VSMY2850RG FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:50mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 辐射强度:100mW/sr 射束角:10deg 功率:0.19W If - 正向电流:100mA Vf - 正向电压:1.65V 系列:VSMY2850xG 照明颜色:InFrared 透镜形状:Dome 显示角:20deg 下降时间:10ns 上升时间:10ns
    红外发射管 VSMY2850G FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:50mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型
    红外发射管 VSMY1850X01 不同If时最小辐射强度(Ie):5mW/sr @ 100mA 封装/外壳:0805 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120°
    红外发射管 VSMS3700-GS08 不同If时最小辐射强度(Ie):1.6mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-PLCC 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120°
    红外发射管 VSML3710-GS08 不同If时最小辐射强度(Ie):4mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-PLCC 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120°
    红外发射管 VSMG10850 不同If时最小辐射强度(Ie):1mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,无引线 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:侧视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):65mA 类型:红外(IR) 视角:150°
    红外发射管 VSMF3710-GS08 不同If时最小辐射强度(Ie):6mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-PLCC 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120°
    红外发射管 VSMB3940X01-GS08 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:7mW/sr @ 1000mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线
    红外发射管 VSMB2943SLX01 不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:侧视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:50°
    红外发射管 VSMB2943RGX01 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d
    红外发射管 VSMB2020X01 不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24°
    红外发射管 VSMB2000X01 不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24°
    红外发射管 VSLY5850 不同If时最小辐射强度(Ie):300mW/sr @ 100mA 封装/外壳:T 1 3/4 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:6°
    红外发射管 VSLY3850 系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.65V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 TSUS6402 不同If时最小辐射强度(Ie):15mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:44°
    红外发射管 TSUS5402 不同If时最小辐射强度(Ie):15mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:44°
    红外发射管 TSUS5400 不同If时最小辐射强度(Ie):7mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:44°
    红外发射管 TSUS5202 不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:30°
    红外发射管 TSUS5200 不同If时最小辐射强度(Ie):10mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:30°
    红外发射管 TSUS4300 不同If时最小辐射强度(Ie):7mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:32°
    红外发射管 TSTS7100 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:250mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:10mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:10° 朝向:顶视图 工作温度:100°C(TJ) 封装/外壳:TO-18-2 金属罐
    红外发射管 TSTA7100 不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:TO-18-2 金属罐 工作温度:100°C(TJ) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:10°
    红外发射管 TSSS2600 不同If时最小辐射强度(Ie):1mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:侧视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:50°
    红外发射管 TSSF4500 不同If时最小辐射强度(Ie):10mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:侧视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44°
    红外发射管 TSML1020 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:3mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型
    红外发射管 TSML1000 不同If时最小辐射强度(Ie):3mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24°
    红外发射管 TSMF1020 不同If时最小辐射强度(Ie):2.5mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:34°
    红外发射管 TSMF1000 不同If时最小辐射强度(Ie):2.5mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:34°
    红外发射管 TSKS5400S-ASZ 不同If时最小辐射强度(Ie):2mW/sr @ 100mA 工作温度:-25°C~85°C(TA) 方向:侧视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:30°
    红外发射管 TSHG8400 不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:830nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44°
    红外发射管 TSHG8200 不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:830nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20°
    红外发射管 TSHG6410 系列:TDHG 功率:0.18W Vf-正向电压:1.5 V 下降时间:13 ns 上升时间:20 ns Vr-反向电压:5 V 透镜形状:Circular If-正向电流:100 mA 照明颜色:InFrared 显示角:18 deg FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:45mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 TSHG6210 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:140mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 TSHG6200 不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20°
    红外发射管 TSHG5410 不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:36°
    红外发射管 TSHF6410 不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44°
    红外发射管 TSHF6210 不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20°
    红外发射管 TSHF5410 不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44°
    红外发射管 TSHF5210 不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20°
    红外发射管 TSHA6203 不同If时最小辐射强度(Ie):50mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24°
    红外发射管 TSHA5203 不同If时最小辐射强度(Ie):50mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24°
    红外发射管 TSHA5202 不同If时最小辐射强度(Ie):36mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24°
    红外发射管 TSHA5200 不同If时最小辐射强度(Ie):25mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24°
    红外发射管 TSHA4401 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:16mW/sr @ 100mA 波长:875nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.5V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 TSAL6200 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:40mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:34° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向,5mm直径(T13/4)
    红外发射管 TSAL4400 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:16mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.35V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向,3mm 直径(T-1)
    红外发射管 SFH 4855 封装/外壳:TO 18
    红外发射管 SFH 4725S 封装/外壳:IR OSLON black-series
    红外发射管 SFH 4715S 封装/外壳:IR OSLON black-series
    红外发射管 SFH 4715AS 封装/外壳:IR OSLON black-series
    红外发射管 SFH 4655-UV 封装/外壳:MIDLED Sidelooker
    红外发射管 SFH 4651-UV 封装/外壳:MIDLED Toplooker
    红外发射管 SFH 464 E7800 封装/外壳:TO 18
    红外发射管 SFH 4645 封装/外壳:MIDLED Sidelooker
    红外发射管 SFH 4557 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm)
    红外发射管 SFH 4556 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm)
    红外发射管 SFH 4555 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm)
    红外发射管 SFH 4554 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm)
    红外发射管 SFH 4550 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm)
    红外发射管 SFH 4546 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm)
    红外发射管 SFH 4545 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm)
    红外发射管 SFH 4544 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm)
    红外发射管 SFH 4356-UV 封装/外壳:T1 (plastics 3mm)
    红外发射管 SFH 4356 封装/外壳:T1 (plastics 3mm)
    红外发射管 SFH 4350 封装/外壳:T1 (plastics 3mm)
    红外发射管 SFH 4256-R 封装/外壳:SIDELED
    红外发射管 SFH 4256 封装/外壳:SIDELED
    红外发射管 SFH 4056 封装/外壳:ChipLED w lens
    红外发射管 SFH 4052 封装/外壳:ChipLED w lens
    红外发射管 LHUV-0385-0300 系列:LUXEON UV FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:325mW/sr @ 500mA 波长:385nm ~ 390nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.1V 视角:125° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 IR19-315C/TR8 Dimension(mm):1.7x0.8x0.6 Ie_Min(mW/sr):0.2 Ie_Typ(mW/sr):0.6 VF(V)max.:1.5 VF(V)typ.:1.2 ViewAngle:140 λp(nm):940
    红外发射管 CQY37N Vishay(威世) 不同If时最小辐射强度(Ie):2.2mW/sr @ 50mA 工作温度:-25°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24°
    红外发射管 CQY36N Vishay(威世) 不同If时最小辐射强度(Ie):0.7mW/sr @ 50mA 工作温度:-25°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:110°
    红外发射管 IR383 Everlight(亿光) 波长:940nm 工作温度:-40°C~85°C 正向电流If:100mA 可视角:20deg
    红外发射管 TSSS2600 Vishay(威世) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.25V 视角:50° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向,侧视图
    红外发射管 SML-S13RTT86 ROHM(罗姆) FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向（If）:30mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.5mW/sr @ 20mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.4V 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:1206
    红外发射管 LTE-C211 Lite-On(光宝) 功率:0.072W 电压:5V
    红外发射管 LTE-7477LM1-TA Lite-On(光宝) FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:35mW/sr @ 50mA 波长:880nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.75V 视角:16° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:35mW/sr @ 50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.75V 封装/外壳:径向 封装/外壳:5mm
    红外发射管 IR383 Everlight(亿光) 波长:940nm 工作温度:-40°C~85°C 正向电流If:100mA 可视角:20deg
    红外发射管 VSMY2850RGX01 Vishay(威世)
    红外发射管 RP1608X09-H5 CT-MICRO(兆龙)
    红外发射管 SIRP1608X09-H5 CT-MICRO(兆龙)
    红外发射管 HIR204C/H0 Everlight(亿光) 波长:850nm 工作温度:-40°C~85°C 正向电流If:100mA 可视角:40deg
    红外发射管 WP710A10F3C KINGBRIGHT FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:10mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:34° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向
    红外发射管 APT2012F3C KINGBRIGHT FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0805
    红外发射管 APT1608SF4C-PRV KINGBRIGHT FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.8mW/sr @ 20mA 波长:880nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0603
    红外发射管 APT1608F3C KINGBRIGHT FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0603
    红外发射管 APA3010F3C-GX KINGBRIGHT FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:120° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线
    红外发射管 AP2012SF4C KINGBRIGHT FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.8mW/sr @ 20mA 波长:880nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2012
    红外发射管 AA3528F3S KINGBRIGHT FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:50mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:1.6mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC
    红外发射管 VSMY2943G Vishay(威世) 系列:VSMY2943 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向（If）:100mA 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向（Vf）（典型值）:1.55V 视角:56° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:20mW/sr @ 100mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.55V

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