参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD135N03LGATMA1
说明	通用MOSFET   DPAK PG-TO252-3 PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	2500
现货	9818 [库存更新时间：2024-05-09]
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	30A
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	30A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1000pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	31W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	13.5 毫欧 @ 30A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	PG-TO252-3