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IC普拉斯 元器件现货

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    门驱动器 FAN7391MX 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:1.2V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4.5A,4.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):25ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:14-SOP
    门驱动器 MPQ8039GN 封装/外壳:8-SOIC-EP
    门驱动器 MPQ8039GN-Z 封装/外壳:8-SOIC-EP
    门驱动器 MPQ8039GN-AEC1 封装/外壳:8-SOIC-EP
    门驱动器 MP86885GQWT-Z 封装/外壳:29-FC-TQFN(4x6)
    门驱动器 MP86963DUT-LF-Z 封装/外壳:18-FCTQFN-EP(5x5)
    门驱动器 MP86961DU-LF-P 封装/外壳:18-FCTQFN-EP(5x5)
    门驱动器 MP86963DUT-LF-P 封装/外壳:18-FCTQFN-EP(5x5)
    门驱动器 MP86961DU-LF-Z 封装/外壳:18-FCTQFN-EP(5x5)
    门驱动器 MP86884-3DQKT-LF-Z 封装/外壳:34-TQFN(6x6)
    门驱动器 MP86883GQKT-Z 封装/外壳:34-TQFN(6x6)
    门驱动器 MP86884-3DQKT-LF-P 封装/外壳:34-TQFN(6x6)
    门驱动器 MP86885GQWT-P 封装/外壳:29-FC-TQFN(4x6)
    门驱动器 MP86884DQKTE-LF-Z 封装/外壳:34-TQFN(6x6)
    门驱动器 MP86884DQKTE-LF-P 封装/外壳:34-TQFN(6x6)
    门驱动器 MP86884DQKT-LF-Z 封装/外壳:34-TQFN(6x6)
    门驱动器 MP86884DQKT-LF-P 封装/外壳:34-TQFN(6x6)
    门驱动器 MP86883GQKT-P 封装/外壳:34-TQFN(6x6)
    门驱动器 MP8042DF-LF 封装/外壳:20-TSSOPF
    门驱动器 MP8042DF-LF-Z 封装/外壳:20-TSSOPF
    门驱动器 MP8040DN-LF 封装/外壳:8-SOIC-EP
    门驱动器 SIC779CD-T1-GE3 封装/外壳:40-PowerWFQFN 模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:DrMOS 接口:PWM 故障保护:超温,击穿,UVLO 电压-供电:4.5V ~ 5.5V 电压-负载:3V ~ 16V 电流-输出/通道:40A 负载类型:电感 输出配置:半桥
    门驱动器 ITS4300SSJDXUMA1 导通电阻(典型值):300 毫欧 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:5V ~ 34V 电流-输出(最大值):400mA 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:高端
    门驱动器 ITS4200SSJDXUMA1 导通电阻(典型值):150 毫欧 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:6V ~ 52V 电流-输出(最大值):1.2A 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:高端
    门驱动器 ITS4200SMEPHUMA1 导通电阻(典型值):150 毫欧 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:11V ~ 45V 电流-输出(最大值):1.4A 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:高端
    门驱动器 ITS4200SMEOHUMA1 导通电阻(典型值):150 毫欧 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:11V ~ 45V 电流-输出(最大值):700mA 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:高端
    门驱动器 ITS4200SMENHUMA1 导通电阻(典型值):160 毫欧 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:5V ~ 34V 电流-输出(最大值):700mA 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:高端
    门驱动器 ITS4100SSJNXUMA1 导通电阻(典型值):70 毫欧 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压,UVLO 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:5V ~ 34V 电流-输出(最大值):2A 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:高端
    门驱动器 IRSM005-800MHTR 输出配置:半桥 接口:逻辑 负载类型:电感,电容性 导通电阻(典型值):2.7 毫欧 电流 - 输出/通道:80A 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 电压 - 负载:40V(最大) 工作温度:150°C(TJ) 故障保护:UVLO 封装/外壳:QFN 7X8 27L
    门驱动器 IRSM005-301MHTR 封装/外壳:QFN 7X8 27L 输出配置:半桥 接口:逻辑 负载类型:电感,电容性 导通电阻(典型值):16 毫欧 电流 - 输出/通道:30A 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 电压 - 负载:100V(最大) 工作温度:150°C(TJ) 故障保护:UVLO
    门驱动器 IRS25752LTRPBF 封装/外壳:SOT23 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):160mA,240mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):85ns,40ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10 V ~ 18 V 电流-峰值输出(灌入,拉出):160mA,240mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS10752LTRPBF 封装/外壳:SOT23 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):160mA,240mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):100V 上升/下降时间(典型值):85ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出(灌入,拉出):160mA,240mA 高压侧电压-最大值(自举):100V
    门驱动器 IR7304SPBF 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.3V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):60mA,130mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):700V 上升/下降时间(典型值):200ns,100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 8N
    门驱动器 IR7106SPBF 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):700V 上升/下降时间(典型值):150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 8N
    门驱动器 IR3742MTRPBF 输出配置:半桥 接口:PWM 负载类型:电感 导通电阻(典型值):4 毫欧 LS,8 毫欧 HS 电流 - 输出/通道:20A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7.5 V 电压 - 负载:1 V ~ 21 V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 故障保护:限流,超温,UVLO 封装/外壳:PQFN-22L (5 X 6)
    门驱动器 IR3555MTRPBF 封装/外壳:PG-IQFN-30 接口:PWM 负载类型:电感 电流 - 输出/通道:60A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7 V 电压 - 负载:4.5 V ~ 15 V 故障保护:限流,超温,过压,UVLO 系列:PowIRstage® 电流-输出/通道:60A 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 电压-负载:4.5 V ~ 15 V
    门驱动器 IR3579MTRPBF 封装/外壳:PG-IQFN-30 接口:PWM 负载类型:电感 电流 - 输出/通道:60A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7 V 电压 - 负载:4.5 V ~ 15 V 故障保护:限流,超温,过压,UVLO 系列:PowIRstage® 电流-输出/通道:60A 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 电压-负载:4.5 V ~ 15 V
    门驱动器 IR3557MTRPBF 接口:PWM 负载类型:电感 电流 - 输出/通道:40A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7 V 电压 - 负载:4.5 V ~ 15 V 故障保护:限流,超温,过压,UVLO 封装/外壳:PG-IQFN-30
    门驱动器 6EDL04N02PRXUMA1 上升/下降时间(典型值):60ns,26ns 封装/外壳:28-TSSOP(0.173"",4.40mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压-供电:10V ~ 17.5V 输入类型:非反相 通道类型:3 相 逻辑电压 -VIL,VIH:1.1V,1.7V 驱动器数:6 驱动配置:半桥 高压侧电压-最大值(自举):200V
    门驱动器 2EDL23N06PJXUMA1 上升/下降时间(典型值):48ns,37ns 封装/外壳:14-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压-供电:10V ~ 17.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):1.8A,2.3A 输入类型:非反相 通道类型:独立式 逻辑电压 -VIL,VIH:1.1V,1.7V 驱动器数:2 驱动配置:半桥 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 2EDL05N06PJXUMA1 上升/下降时间(典型值):48ns,24ns 封装/外壳:14-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压-供电:10V ~ 25V 输入类型:非反相 通道类型:独立式 逻辑电压 -VIL,VIH:1.1V,1.7V 驱动器数:2 驱动配置:半桥 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 2EDL05N06PFXUMA1 上升/下降时间(典型值):48ns,24ns 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压-供电:10V ~ 20V 输入类型:非反相 通道类型:独立式 逻辑电压 -VIL,VIH:1.1V,1.7V 驱动器数:2 驱动配置:半桥 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 2EDL05I06PJXUMA1 上升/下降时间(典型值):48ns,24ns 封装/外壳:14-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET 电压-供电:10V ~ 20V 电流-峰值输出(灌入,拉出):250mA,500mA 输入类型:非反相 通道类型:独立式 逻辑电压 -VIL,VIH:1.1V,1.7V 驱动器数:2 驱动配置:半桥 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 1ED020I12F2XUMA1 上升/下降时间(典型值):30ns,50ns 封装/外壳:16-SOIC(0.295"",7.50mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:磁耦合 电压- 输出供电:4.5V ~ 5.5V 电压-隔离:4500Vrms 电流-输出高、低:2A,2A 通道数:1
    门驱动器 1EDI30J12CPXUMA1 上升/下降时间(典型值):23ns,22ns 封装/外壳:20-SOIC(0.295"",7.50mm 宽),19 引线 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:磁耦合 电压- 输出供电:4.75V ~ 17.5V 电流-输出高、低:4A,4A 通道数:1
    门驱动器 1EDI20I12AFXUMA1 上升/下降时间(典型值):10ns,9ns 封装/外壳:8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:磁耦合 电压- 输出供电:13V ~ 35V 通道数:1
    门驱动器 ZXGD3108N8TC 封装/外壳:8-SOIC
    门驱动器 ZXGD3004E6TA 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:40V(最大) 电流-峰值输出(灌入,拉出):8A,8A 输入类型:非反相 上升/下降时间(典型值):13.4ns,12.4ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6
    门驱动器 ZXGD3006E6TA 系列:汽车级,AEC-Q101 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,SiC MOSFET 电压-电源:40V(最大) 电流-峰值输出(灌入,拉出):10A,10A 输入类型:非反相 上升/下降时间(典型值):48ns,35ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-26
    门驱动器 ZXGD3004E6TA 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:40V(最大) 电流-峰值输出(灌入,拉出):8A,8A 输入类型:非反相 上升/下降时间(典型值):13.4ns,12.4ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6
    门驱动器 IRS4428STRPBF 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.3A,3.3A 输入类型:反相,非反相 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 8N
    门驱动器 VOL3120-X001T 封装/外壳:LSOP-5 激励器数量:1Driver 输出电流:2.5A 配置:Single 上升时间:0.1us 下降时间:0.1us 电源电压-最大:35V 电源电压-最小:0V 传播延迟—最大值:0.25us 高度:2.5mm 绝缘电压:5.3KV 长度:7.5mm 输出端数量:1Output 宽度:4.1mm 工作电源电流(mA):25mA 工作电源电压:0Vto35V 功率:260nW 工作温度:-40°C ~ 100°C
    门驱动器 VO3150A-X017T 上升/下降时间(典型值):100ns,100ns 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):400ns,400ns 共模瞬变抗扰度(最小值):25kV/us 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 110°C 技术:光学耦合 电压- 输出供电:15V ~ 32V 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):25mA 电流-峰值输出:500mA 电流-输出高、低:500mA,500mA 脉宽失真(最大):200ns 认证机构:cUR,UR,VDE 通道数:1
    门驱动器 VO3150A-X007T 上升/下降时间(典型值):100ns,100ns 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):400ns,400ns 共模瞬变抗扰度(最小值):25kV/us 封装/外壳:8-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 110°C 技术:光学耦合 电压- 输出供电:15V ~ 32V 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电压-隔离:5300Vrms 电流-DC正向(If)(最大值):25mA 电流-峰值输出:500mA 电流-输出高、低:500mA,500mA 脉宽失真(最大):200ns 认证机构:cUR,UR 通道数:1
    门驱动器 VN5160STR-E 系列:VIPower™ 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1:1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:4.5 V ~ 36 V 电压-电源(Vcc/Vdd):不需要 电流-输出(最大值):3.8A 导通电阻(典型值):160 毫欧(最大) 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO
    门驱动器 TLE9201SGAUMA1 导通电阻(典型值):100 毫欧 LS,100 毫欧 HS 封装/外壳:12-BSOP(0.295"",7.50mm 宽)裸露焊盘 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:功率 MOSFET 接口:PWM,SPI 故障保护:开路负载检测,超温,短路,UVLO 电压-供电:5V ~ 28V 电压-负载:5V ~ 28V 电流-输出/通道:6A 负载类型:电感 输出配置:半桥(2)
    门驱动器 TBD62083AFWG 安装:SMD 封装/外壳:PSOP18 工作温度:-40...85°C 输入电压:0...25V 输出电压:2...50V 输出电流:0.5A 通道数量:8 集成电路种类:晶体管阵列 集成电路类型:driver
    门驱动器 IR25603STRPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):80ns,45ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 电流-峰值输出(灌入,拉出):180mA,260mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2186PBF 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 L6574D013TR FET类型:CFL/TL 控制器 频率:60kHz ~ 120kHz 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 电流-电源:2mA 调光:是 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SO
    门驱动器 L6388ED013TR 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:17V(最大) 逻辑电压 -VIL,VIH:1.1V,1.8V 电流-峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA 输入类型:反相 高压侧电压-最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):70ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SO 配置:Non-Inverting 工作电源电压:15 V 输出电流:650 mA 上升时间:70 ns 下降时间:40 ns 电源电压-最大:17 V 电源电压-最小:- 0.3 V 电源电流:0.45 mA 功率:3/4W
    门驱动器 AUIR3315 封装/外壳:TO220COPAK 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1:1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:6 V ~ 32 V 电压 - 电源(Vcc/Vdd):不需要 电流 - 输出(最大值):14A 导通电阻(典型值):15 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 系列:汽车级,AEC-Q100 比率-输入:输出:1:1 电压-负载:6 V ~ 32 V 电压-电源(Vcc/Vdd):不需要 电流-输出(最大值):14A
    门驱动器 ITS4200SMEOHUMA1 导通电阻(典型值):150 毫欧 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 开关类型:通用 接口:开/关 故障保护:限流(固定),超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:11V ~ 45V 电流-输出(最大值):700mA 输出数:1 输出类型:N 通道 输出配置:高端
    门驱动器 ITS42008SBDAUMA1 导通电阻(典型值):150 毫欧 封装/外壳:36-BSSOP(0.433"",11.00mm 宽)裸露焊盘 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 开关类型:通用 接口:并联 故障保护:限流(固定),超温,过压 比率-输入:输出:1:1 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要 电压-负载:11V ~ 45V 输入类型:非反相 输出数:8 输出类型:N 通道 输出配置:高端
    门驱动器 IRS4428SPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.3A,3.3A 输入类型:反相,非反相 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):2.3A,3.3A
    门驱动器 IRS4427SPBF 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 8N
    门驱动器 IRS4427PBF 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电动机类型:直流 最大IGBT集电极电流:3.3A 最大集电极-发射极电压:20 V 引脚数目:8 最小工作电源电压:6 V 宽度:7.11mm 长度:10.92mm 高度:5.33mm
    门驱动器 IRS44273LTRPBF 封装/外壳:SOT23 驱动配置:低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10.2 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A 输入类型:非反相 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10.2 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A
    门驱动器 IRS4426SPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.3A,3.3A 输入类型:反相 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 驱动器数目:2 最小工作电源电压:6 V 最大工作电源电压:20 V 拓扑:低侧 峰值输出电流:3.3A 极性:非反相 引脚数目:8 输入逻辑兼容性:CMOS,TTL 高压侧和低压侧相关性:独立 长度:4.98mm 宽度:3.99mm 高度:1.50mm
    门驱动器 IRS2890DSPBF 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):220mA,480mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):85ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
    门驱动器 IRS25752LTRPBF 封装/外壳:SOT23 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):160mA,240mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):85ns,40ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10 V ~ 18 V 电流-峰值输出(灌入,拉出):160mA,240mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2453DSPBF 封装/外壳:SOIC14N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:4 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 - VIL,VIH:4.7V,9.3V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):120ns,50ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 -VIL,VIH:4.7V,9.3V 电流-峰值输出(灌入,拉出):180mA,260mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2453DPBF 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:4 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 - VIL,VIH:4.7V,9.3V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):120ns,50ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 -VIL,VIH:4.7V,9.3V 电流-峰值输出(灌入,拉出):180mA,260mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2336DSPBF 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2336DJPBF 封装/外壳:PLCC44 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS23364DSPBF 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:11.5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:11.5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS23364DJPBF 封装/外壳:PLCC44 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:11.5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:11.5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2308SPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):290mA,600mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2308PBF 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):290mA,600mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2304SPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.7V,2.3V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.7V,2.3V 电流-峰值输出(灌入,拉出):290mA,600mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2304PBF 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.7V,2.3V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.7V,2.3V 电流-峰值输出(灌入,拉出):290mA,600mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2302SPBF 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):130ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 8N
    门驱动器 IRS2301SPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):130ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2186SPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2186PBF 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS21867STRPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS21867SPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电动机类型:直流 最大IGBT集电极电流:4A 最大集电极-发射极电压:600 V 引脚数目:8 最大工作电源电压:20 V 最小工作电源电压:5 V 宽度:4mm 长度:5mm 高度:1.50mm
    门驱动器 IRS21864SPBF 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS21864PBF 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):4A,4A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2184SPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2184PBF 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS21844SPBF 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS21844PBF 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2183SPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS21834SPBF 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2181SPBF 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS21814SPBF 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS21814PBF 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL,VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值(自举):600V
    门驱动器 IRS2168DSPBF FET类型:PFC/镇流器控制器 频率:42.5kHz ~ 46.5kHz 电压 - 电源:11.5 V ~ 16.6 V 电流 - 电源:10mA 调光:无 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:PG-DSO-16
    门驱动器 IRS2153DSPBF 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.4 V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):120ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOIC 8N 电压-电源:10 V ~ 15.4 V 电流-峰值输出(灌入,拉出):180mA,260mA 高压侧电压-最大值(自举):600V

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