IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 门驱动器 | NUD3160LT1G | ON(安森美) | 系列:MicroIntegration™ 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:61V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:150mA 导通电阻（典型值）:1.8 欧姆(最大) 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:150mA 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 比率 - 输入:输出:1：1 电压 - 负载:61V(最大) |
| 门驱动器 | 1EDI60N12AF | Infineon(英飞凌) | 系列:Single 湿度敏感性:Yes 封装/外壳:PG-DSO-8 RoHS compliant:yes Moisture Level:3 Topology:High Side (Single) Qualification:Industrial Channels:1.0 Tj max:150.0°C Output Current (Source):6.0A Budgetary Price €/1k:1.05 Output Current (Sink):9.4A Switch Type:MOSFET Turn On Propagation Delay (max):120.0ns (142.0ns) Isolation:Functional galvanic PIN min:0.025W Voltage Class:1200.0V Switching Frequency max:1000.0kHz Turn On Propagation Delay max:130.0ns Pout min:0.4W Input Active State:high/low |
| 门驱动器 | 6ED003L06-F2 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-28 系列:3-Phase 高度:1.2mm 长度:9.7mm 宽度:4.4mm 湿度敏感性:Yes RoHS compliant:yes Moisture Level:3 Topology:Three Phase Configuration:Three Phase Output Current (Sink) min:0.375 A 0.25 A Qualification:Industrial Channels:6.0 Tj max:125.0°C Output Current (Source):0.165A Budgetary Price €/1k:1.24 Output Current (Sink):0.375A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):530.0ns (800.0ns) Isolation:Functional levelshift Fault Reporting:ITRIP Turn On Propagation Delay min max:530.0 ns 400.0 ns 800.0 ns Voltage Class:600.0 V Switching Frequency max:100.0kHz Turn On Propagation Delay max:800.0ns Isolation Type:Functional levelshift Shutdown/Enable:EN Pout min:1.3W Turn Off Propagation Delay min max:490.0 ns 360.0 ns 760.0 ns UVLO Output (Off) min max:9.8 V 9.5 V 10.8 V UVLO Input (On) min max:11.7 V 11.0 V 12.5 V Input Active State:low Output Current (Source) min:0.165 A 0.12 A Input Vcc min max:13.0 V 17.5 V UVLO Output (On) min max:11.7 V 11.0 V 12.5 V UVLO Input (Off) min max:9.8 V 9.5 V 10.8 V |
| 门驱动器 | IR21814STRPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 14N |
| 门驱动器 | 1EDI60H12AH | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 Moisture Level:3 Topology:High Side (Single) Qualification:Industrial Channels:1.0 Tj max:150.0°C Output Current (Source):10.0A Budgetary Price €/1k:1.22 Output Current (Sink):6.0A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):120.0ns (142.0ns) Isolation:Functional galvanic Fault Reporting:DSAT Voltage Class:1200.0V Switching Frequency max:1000.0kHz Turn On Propagation Delay max:120.0ns Shutdown/Enable:/RST |
| 门驱动器 | 1EDI20H12AH | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 Moisture Level:3 Topology:Single Qualification:Industrial Channels:1.0 Tj max:150.0°C Output Current (Source):4.0A Budgetary Price €/1k:0.79 Output Current (Sink):2.0A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):120.0ns (142.0ns) Isolation:Functional galvanic Fault Reporting:DESAT Voltage Class:1200.0V Switching Frequency max:1000.0kHz Turn On Propagation Delay max:120.0ns Shutdown/Enable:/RST |
| 门驱动器 | ISO1H801G | Infineon(英飞凌) | 输出电流:625mA 系列:ISO1H801 输出端数量:8 湿度敏感性:Yes 工作电源电流(mA):4.5mA 功率:3.3W 封装/外壳:PG-DSO-36 工作温度:-25°C ~ 150°C |
| 门驱动器 | 1EDC60H12AH | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 Moisture Level:3 Topology:High Side (Single) Configuration:High-side Output Current (Sink) min:9.4 A 6.0 A Qualification:Industrial Channels:1.0 Output Current (Source):10.0A Budgetary Price €/1k:1.44 Output Current (Sink):9.4A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):120.0ns (142.0ns) UVLO Input (Off) min:2.75 V 2.55 V Isolation:Functional galvanic Turn On Propagation Delay min max:120.0 ns 95.0 ns 142.0 ns Voltage Class:1200.0 V Switching Frequency max:1000.0kHz UVLO Output (Off) min:11.1 V 10.5 V Isolation Type:Galvanic isolation - Functional Turn Off Propagation Delay min max:125.0 ns 105.0 ns 150.0 ns Output Current (Source) min:10.0 A 6.0 A Input Vcc min max:3.1 V 17.0 V UVLO Input (On) max:2.85 V 3.1 V UVLO Output (On) max:12.0 V 12.7 V |
| 门驱动器 | 1EDI10I12MF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-8 Moisture Level:3 Topology:Single Qualification:Industrial Channels:1.0 Tj max:150.0°C Output Current (Source):2.2A Budgetary Price €/1k:0.66 Output Current (Sink):1.0A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):330.0ns (330.0ns) Isolation:Functional galvanic PIN min:0.025W Voltage Class:1200.0V Switching Frequency max:1000.0kHz Turn On Propagation Delay max:330.0ns Pout min:0.4W Input Active State:high/low |
| 门驱动器 | 6EDL04I06NT | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-28 系列:3-Phase 高度:2.65mm 长度:18.1mm 宽度:7.6mm 湿度敏感性:Yes RoHS compliant:yes Moisture Level:3 Topology:3 Phase Configuration:Three Phase Output Current (Sink) min:0.375 A 0.25 A Qualification:Industrial Channels:6.0 Tj max:125.0°C Output Current (Source):0.165A Budgetary Price €/1k:1.11 Output Current (Sink):0.375A Switch Type:IGBT Turn On Propagation Delay (max):530.0ns (800.0ns) Isolation:Functional levelshift Fault Reporting:ITRIP Turn On Propagation Delay min max:530.0 ns 400.0 ns 800.0 ns Voltage Class:600.0V Switching Frequency max:100.0kHz Turn On Propagation Delay max:800.0ns Isolation Type:Functional levelshift Shutdown/Enable:EN Pout min:1.3W Turn Off Propagation Delay min max:490.0 ns 360.0 ns 760.0 ns UVLO Output (Off) min max:9.8 V 9.5 V 10.8 V UVLO Input (On) min max:11.7 V 11.0 V 12.5 V Input Active State:low Output Current (Source) min:0.165 A 0.12 A Input Vcc min max:13.0 V 17.5 V UVLO Output (On) min max:11.7 V 11.0 V 12.5 V UVLO Input (Off) min max:9.8 V 9.5 V 10.8 V |
| 门驱动器 | IR2113STRPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:3.3 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 16W |
| 门驱动器 | IRS2007STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 输出配置:半桥(2) 接口:逻辑 电流 - 输出/通道:600mA 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 电压 - 负载:200V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) |
| 门驱动器 | IRS2007SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 输出配置:半桥(2) 接口:逻辑 电流 - 输出/通道:600mA 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 电压 - 负载:200V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) |
| 门驱动器 | IR2128PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:高压侧或低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2184PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2155PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,45ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2113SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:3.3 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2213PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 门驱动器 | IR2113SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:3.3 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR25600SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A |
| 门驱动器 | IR3556MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-IQFN-30 接口:PWM 负载类型:电感 电流 - 输出/通道:50A 电压 - 电源:4.5 V ~ 7 V 电压 - 负载:4.5 V ~ 15 V 故障保护:限流,超温,过压,UVLO 系列:PowIRstage® 电流-输出/通道:50A 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 电压-负载:4.5 V ~ 15 V |
| 门驱动器 | IR2233PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP28 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 门驱动器 | IR2184STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR4427SPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 8N |
| 门驱动器 | IRS2336DSPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2003STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2001STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2004SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2168DSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-16 FET类型:PFC/镇流器控制器 频率:42.5kHz ~ 46.5kHz 电压 - 电源:11.5 V ~ 16.6 V 电流 - 电源:10mA 调光:无 工作温度:-25°C ~ 125°C 电压-电源:11.5 V ~ 16.6 V 电流-电源:10mA |
| 门驱动器 | IRS2108SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2308SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS10752LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100V 上升/下降时间（典型值）:85ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 高压侧电压-最大值（自举）:100V |
| 门驱动器 | IRS2183PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21064STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | VNN1NV04PTR-E | ST(意法半导体) | 系列:OMNIFET II™,VIPower™ 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:36V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.7A 导通电阻（典型值）:250 毫欧(最大) 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 门驱动器 | VND14NV04TR-E | ST(意法半导体) | 系列:OMNIFET II™,VIPower™ 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:36V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:12A 导通电阻（典型值）:35 毫欧(最大) 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| 门驱动器 | NUD3160LT1G | ON(安森美) | 系列:MicroIntegration™ 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:61V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:150mA 导通电阻（典型值）:1.8 欧姆(最大) 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:150mA 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 比率 - 输入:输出:1：1 电压 - 负载:61V(最大) |
| 门驱动器 | VN5160STR-E | ST(意法半导体) | 系列:VIPower™ 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:4.5 V ~ 36 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:3.8A 导通电阻（典型值）:160 毫欧(最大) 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO |
| 门驱动器 | BU2090F-E2 | ROHM(罗姆) | FET类型:驱动器 驱动器/接收器数:1/0 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-25°C ~ 75°C 封装/外壳:16-SOP |
| 门驱动器 | BD65491FV-E2 | ROHM(罗姆) | 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:PWM 电流-输出:1.2A 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 电压-负载:1.8 V ~ 16 V 工作温度:-25°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-SSOPB |
| 门驱动器 | L6390DTR | ST(意法半导体) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:12.5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:1.1V,1.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,430mA 输入类型:非反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-SO |
| 门驱动器 | VND14NV04TR-E | ST(意法半导体) | 系列:OMNIFET II™,VIPower™ 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:36V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:12A 导通电阻（典型值）:35 毫欧(最大) 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| 门驱动器 | AUIR3315 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TO220COPAK 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:6 V ~ 32 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:14A 导通电阻（典型值）:15 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 系列:汽车级,AEC-Q100 比率-输入:输出:1：1 电压-负载:6 V ~ 32 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:14A |
| 门驱动器 | IR2133SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2011STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.7V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A,1A 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:35ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.7V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1A,1A 高压侧电压-最大值（自举）:200V 激励器数量:2Driver 输出电流:1A 上升时间:50ns 下降时间:35ns 电源电压-最大:20V 电源电压-最小:10V 传播延迟—最大值:80ns 特点:Independent 高度:1.50mm 长度:5mm 输出端数量:2Output 宽度:4mm 逻辑类型:CMOS,TTL 最大关闭延迟时间:75ns 最大开启延迟时间:80ns 工作电源电流(mA):230uA 功率:5/8W |
| 门驱动器 | IR2127STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧或低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2136STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2117SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2183SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2109PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2233JPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PLCC44 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2127PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:高压侧或低压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2111STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:8.3V,12.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:8.3V,12.6V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2117PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2104SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA,360mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR25603STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,45ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2520DPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 FET类型:镇流器控制器 频率:34kHz ~ 86kHz 电压 - 电源:11.4 V ~ 15.4 V 电流 - 电源:10mA 调光:无 工作温度:-25°C ~ 125°C 电压-电源:11.4 V ~ 15.4 V 电流-电源:10mA 激励器数量:1Driver 输出电流:230mA 上升时间:150ns 下降时间:75ns 电源电压-最大:15.4V 电源电压-最小:12.6V 工作电源电流(mA):10mA 工作电源电压:14V 功率:1W |
| 门驱动器 | IR2304STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:200ns,100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR4427STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A |
| 门驱动器 | IRS2001MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:MLPQ 4X4 14L 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2110PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:500V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:500V |
| 门驱动器 | IRS21271STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:9 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21094SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2004STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2103PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21094STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2184PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2453DSPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC14N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:4 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 - VIL，VIH:4.7V,9.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:120ns,50ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 -VIL，VIH:4.7V,9.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2186PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |