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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 门驱动器 | NUD3160LT1G | ON(安森美) | 系列:MicroIntegration™ 开关类型:继电器, 螺线管驱动器 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:61V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:150mA 导通电阻（典型值）:1.8 欧姆(最大) 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:150mA 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 比率 - 输入:输出:1：1 电压 - 负载:61V(最大) |
| 门驱动器 | L6388ED013TR | ST(意法半导体) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:17V(最大) 逻辑电压 -VIL，VIH:1.1V,1.8V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:400mA,650mA 输入类型:反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SO 配置:Non-Inverting 工作电源电压:15 V 输出电流:650 mA 上升时间:70 ns 下降时间:40 ns 电源电压-最大:17 V 电源电压-最小:- 0.3 V 电源电流:0.45 mA 功率:3/4W |
| 门驱动器 | BS2103F-E2 | ROHM(罗姆) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:1V,2.6V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 输入类型:非反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:200ns,100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOP |
| 门驱动器 | VN5160STR-E | ST(意法半导体) | 系列:VIPower™ 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:4.5 V ~ 36 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:3.8A 导通电阻（典型值）:160 毫欧(最大) 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO |
| 门驱动器 | VNN1NV04PTR-E | ST(意法半导体) | 系列:OMNIFET II™,VIPower™ 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:36V(最大) 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.7A 导通电阻（典型值）:250 毫欧(最大) 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 门驱动器 | BU2098F-E2 | ROHM(罗姆) | FET类型:驱动器 驱动器/接收器数:8/0 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOP |
| 门驱动器 | IRS4427SPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:25ns,25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 8N |
| 门驱动器 | IRS4427PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:25ns,25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电动机类型:直流 最大IGBT集电极电流:3.3A 最大集电极-发射极电压:20 V 引脚数目:8 最小工作电源电压:6 V 宽度:7.11mm 长度:10.92mm 高度:5.33mm |
| 门驱动器 | IRS4426SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:反相 上升/下降时间（典型值）:25ns,25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 驱动器数目:2 最小工作电源电压:6 V 最大工作电源电压:20 V 拓扑:低侧 峰值输出电流:3.3A 极性:非反相 引脚数目:8 输入逻辑兼容性:CMOS,TTL 高压侧和低压侧相关性:独立 长度:4.98mm 宽度:3.99mm 高度:1.50mm |
| 门驱动器 | IRS44262SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:11.2 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:反相 上升/下降时间（典型值）:25ns,25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电动机类型:直流 最大IGBT集电极电流:3.3A 最大集电极-发射极电压:20 V 引脚数目:8 最小工作电源电压:10.2 V 宽度:4mm 长度:5mm 高度:1.50mm |
| 门驱动器 | IRS25752LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:85ns,40ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10 V ~ 18 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2453DSPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC14N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:4 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 - VIL，VIH:4.7V,9.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:120ns,50ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 -VIL，VIH:4.7V,9.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2453DPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:4 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 - VIL，VIH:4.7V,9.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:120ns,50ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 -VIL，VIH:4.7V,9.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS24531DSPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:4 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 - VIL，VIH:4.7V,9.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:120ns,50ns 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 驱动器数目:4 最大工作电源电压:16.6 V 拓扑:高侧 峰值输出电流:260mA 极性:反相 引脚数目:14 电桥类型:全桥 输入逻辑兼容性:CMOS,HVIC 高度:1.50mm 宽度:3.99mm 长度:8.74mm |
| 门驱动器 | IRS2336DSPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS23364DSPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:11.5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:11.5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2334SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 20W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:125ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2308SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2308PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2304SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.7V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.7V,2.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2304PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.7V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.7V,2.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2301SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:130ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2186SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2186PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21867STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21867SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电动机类型:直流 最大IGBT集电极电流:4A 最大集电极-发射极电压:600 V 引脚数目:8 最大工作电源电压:20 V 最小工作电源电压:5 V 宽度:4mm 长度:5mm 高度:1.50mm |
| 门驱动器 | IRS21864SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:22ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:4A,4A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2184SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2184PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21844SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21844PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2183SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2183PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21834SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21834PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 驱动器数目:2 最小工作电源电压:10 V 最大工作电源电压:20 V 拓扑:半桥 峰值输出电流:2.3A 极性:非反相 引脚数目:14 输入逻辑兼容性:CMOS,LSTTL 高压侧和低压侧相关性:同步 长度:20.19mm 高度:5.33mm 宽度:7.11mm |
| 门驱动器 | IRS2181SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2181PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21814SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21814PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:40ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1.9A,2.3A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2153DSTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.4 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:120ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.4 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2153DSPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.4 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:120ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOIC 8N 电压-电源:10 V ~ 15.4 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2153DPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.4 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:120ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:PDIP8 电压-电源:10 V ~ 15.4 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21531DSPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.4 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:120ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOIC 8N 电压-电源:10 V ~ 15.4 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21531DPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.4 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:120ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:PDIP8 电压-电源:10 V ~ 15.4 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21271SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:9 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:9 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2118SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2117SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2117PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2113SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2113PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2112SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2111PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:8.3V,12.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:75ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 驱动器数目:2 最小工作电源电压:10 V 最大工作电源电压:20 V 拓扑:半桥 峰值输出电流:0.6A 极性:反相,非反相 引脚数目:8 输入逻辑兼容性:CMOS 高压侧和低压侧相关性:同步 长度:10.92mm 高度:5.33mm 宽度:7.11mm |
| 门驱动器 | IRS2110SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:500V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:500V |
| 门驱动器 | IRS2110PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP14 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:500V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:500V |
| 门驱动器 | IRS2109SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2109PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21091PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 驱动器数目:2 最小工作电源电压:10 V 最大工作电源电压:20 V 拓扑:半桥 峰值输出电流:600mA 极性:非反相 引脚数目:8 输入逻辑兼容性:CMOS,LSTTL 高压侧和低压侧相关性:视情况而定 长度:10.92mm 高度:5.33mm 宽度:7.11mm |
| 门驱动器 | IRS2108SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2108PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21084SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2106SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS21064SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 14N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:100ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 驱动器数目:2 最小工作电源电压:10 V 最大工作电源电压:20 V 拓扑:高侧和低侧 峰值输出电流:0.6A 极性:非反相 引脚数目:14 输入逻辑兼容性:CMOS,LSTTL 高压侧和低压侧相关性:独立 长度:8.74mm 宽度:3.99mm 高度:1.50mm |
| 门驱动器 | IRS2104STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2104SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2104PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2103SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2103PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2101SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IRS2011SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A,1A 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:1A,1A 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2011PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A,1A 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,15ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 驱动器数目:2 最小工作电源电压:10 V 最大工作电源电压:20 V 拓扑:高侧和低侧 峰值输出电流:1A 极性:非反相 引脚数目:8 输入逻辑兼容性:CMOS,LSTTL 高压侧和低压侧相关性:独立 长度:10.92mm 宽度:7.11mm 高度:5.33mm |
| 门驱动器 | IRS2004SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2004PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2003SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2003PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2001SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS2001PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:70ns,35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:290mA,600mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |
| 门驱动器 | IRS10752LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100V 上升/下降时间（典型值）:85ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 高压侧电压-最大值（自举）:100V |
| 门驱动器 | IR4427STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A |
| 门驱动器 | IR4427SPBF | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC 8N |
| 门驱动器 | IR4427PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A |
| 门驱动器 | IR4426SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A |
| 门驱动器 | IR25607SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.5A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR25606SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR25604SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR25603SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 15.6 V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:80ns,45ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 15.6 V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:180mA,260mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR25601SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:200ns,100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR25600PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:低压侧 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A 输入类型:非反相 上升/下降时间（典型值）:15ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:6 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.7V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2.3A,3.3A |
| 门驱动器 | IR2520DPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 FET类型:镇流器控制器 频率:34kHz ~ 86kHz 电压 - 电源:11.4 V ~ 15.4 V 电流 - 电源:10mA 调光:无 工作温度:-25°C ~ 125°C 电压-电源:11.4 V ~ 15.4 V 电流-电源:10mA 激励器数量:1Driver 输出电流:230mA 上升时间:150ns 下降时间:75ns 电源电压-最大:15.4V 电源电压-最小:12.6V 工作电源电流(mA):10mA 工作电源电压:14V 功率:1W |
| 门驱动器 | IR2308SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2308PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:150ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 驱动器数目:2 最小工作电源电压:10 V 最大工作电源电压:20 V 拓扑:半桥 峰值输出电流:350mA 极性:非反相 引脚数目:8 输入逻辑兼容性:CMOS,LSTTL 高压侧和低压侧相关性:视情况而定 宽度:7.11mm 高度:5.33mm 长度:10.92mm |
| 门驱动器 | IR2304SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:200ns,100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2304PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:200ns,100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 驱动器数目:2 最小工作电源电压:10 V 最大工作电源电压:20 V 拓扑:半桥 峰值输出电流:130mA 极性:非反相 引脚数目:8 输入逻辑兼容性:CMOS,LSTTL 高压侧和低压侧相关性:独立 长度:10.92mm 高度:5.33mm 宽度:7.11mm |
| 门驱动器 | IR2302SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:130ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 驱动器数目:2 最小工作电源电压:5 V 最大工作电源电压:20 V 拓扑:半桥 峰值输出电流:350mA 极性:非反相 引脚数目:8 输入逻辑兼容性:CMOS,LSTTL 高压侧和低压侧相关性:视情况而定 长度:5mm 高度:1.50mm 宽度:4mm |
| 门驱动器 | IR2301SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 8N 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:130ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 高压侧电压-最大值（自举）:600V |
| 门驱动器 | IR2301PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP8 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:130ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 驱动器数目:2 最小工作电源电压:5 V 最大工作电源电压:20 V 拓扑:高侧和低侧 峰值输出电流:350mA 极性:非反相 引脚数目:8 输入逻辑兼容性:CMOS,LSTTL 高压侧和低压侧相关性:独立 长度:10.92mm 宽度:7.11mm 高度:5.33mm |
| 门驱动器 | IR2233SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 28W 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 门驱动器 | IR2233PBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PDIP28 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) 电压-电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 门驱动器 | IR2233JPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PLCC44 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) |
| 门驱动器 | IR2214SSPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SSOP24 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT 电压 - 电源:11.5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:24ns,7ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:11.5 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,3A 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |
| 门驱动器 | IR2213SPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOIC 16W 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:6V,9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:25ns,17ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 电压-电源:12 V ~ 20 V 逻辑电压 -VIL，VIH:6V,9.5V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:2A,2.5A 高压侧电压-最大值（自举）:1200V |