参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIR688DP-T1-GE3
说明	功率MOSFET   PowerPAK 6.15mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6309 [库存更新时间：2024-06-07]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.7V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	66nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3105pF @ 30V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PowerPAK
连续漏极电流Id	60A
Pd-功率耗散(Max)	83W
Qg-栅极电荷	66nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.9mΩ
漏源极电压Vds	60V
栅极电压Vgs	1.3V
上升时间	8ns
下降时间	8ns
典型关闭延迟时间	31ns
典型接通延迟时间	15ns
宽度	5.15mm
正向跨导 - 最小值	70S
系列	SIR
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	6.15mm
高度	1.04mm