参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIHP12N50C-E3
说明	功率MOSFET   TO-220AB-3 10.41mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2309 [库存更新时间：2024-06-07]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	48nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1375pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	12A
Pd-功率耗散(Max)	208W
Qg-栅极电荷	32nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	555mΩ
漏源极电压Vds	500V
栅极电压Vgs	5V
上升时间	35ns
下降时间	6ns
典型关闭延迟时间	23ns
典型接通延迟时间	18ns
宽度	4.7mm
封装/外壳	TO-220AB-3
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	10.41mm
高度	15.49mm