参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIR610DP-T1-RE3
说明	功率MOSFET   PowerPAK®SO-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6309 [库存更新时间：2024-06-07]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	7.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	38nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1380pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PowerPAK® SO-8
连续漏极电流Id	35.4A
Pd-功率耗散(Max)	104W
Qg-栅极电荷	38nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	23.9mΩ
漏源极电压Vds	200V
栅极电压Vgs	2V
上升时间	20ns
下降时间	24ns
典型关闭延迟时间	20ns
典型接通延迟时间	9ns
正向跨导 - 最小值	27S
系列	SIR
通道数量	1Channel
配置	Single