参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | SIHP22N65E-GE3 |
说明 | 功率MOSFET TO-220-3 10.41mm |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 1000 |
最小包 | 1000 |
现货 | 2309 [库存更新时间:2025-04-17] |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2415pF @ 100V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-220-3 |
连续漏极电流Id | 22A |
Pd-功率耗散(Max) | 227W |
Qg-栅极电荷 | 73nC |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 180mΩ |
漏源极电压Vds | 650V |
栅极电压Vgs | 4V |
上升时间 | 33ns |
下降时间 | 38ns |
典型关闭延迟时间 | 73ns |
典型接通延迟时间 | 22ns |
宽度 | 4.7mm |
系列 | E |
通道数量 | 1Channel |
配置 | Single |
长度 | 10.41mm |
高度 | 15.49mm |